KR102554431B1 - 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 제1 케이스, 상기 제1 케이스와 결합되는 제2 케이스, 상기 제1 및 제2 케이스들 사이의 반도체 모듈 및 상기 제1 및 제2 케이스들 사이의 플레이트를 포함한다.

Description

반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 SSD 메모리 장치에 관한 것이다.
SSD(Solid State Drive 또는 Solid State Disk)는 플래시 메모리와 같은 메모리 소자를 사용하여 데이터를 저장하는 장치로서, 종래의 HDD (Hard Disk Drive) 등을 대체하기 위한 수단으로 이용되고 있다. SSD는 종래의 HDD와 비교하여 기계적으로 움직이는 부분이 없는 고체 상태(solid state)의 드라이브다. 따라서, SSD는 탐색 시간(seek time), 지연시간(latency), 기계적 구동 시간(mechanical driving time) 등을 줄여 고속으로 동작하고, 기계적 마찰로 인한 오류를 감소하여 향상된 신뢰성을 갖는다.
SSD는 일반적으로 인쇄 회로 기판(PCB)에 메모리 칩들이 실장된 패키지 형태로 제공되고, 이러한 SSD 패키지는 밀폐형(closed) 또는 오픈형(open) 케이스에 내장된다.
발명이 해결하고자 하는 과제는 방열 특성이 우수한 반도체 장치를 제공하는데 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 제1 케이스, 상기 제1 케이스와 결합되는 제2 케이스, 상기 제1 및 제2 케이스들 사이의 반도체 모듈 및 상기 제1 및 제2 케이스들 사이의 플레이트를 포함한다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 제1 케이스, 상기 제1 케이스와 결합되어 내부 공간을 형성하는 제2 케이스, 상기 내부 공간에 상기 제1 케이스보다 상기 제2 케이스에 인접하게 배치되는 반도체 모듈 및 상기 내부 공간에 상기 제1 케이스와 상기 반도체 모듈 사이에 배치되는 플레이트를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 방열 특성이 우수한 반도체 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1b는 도 1a의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 2a는 도 1a의 반도체 장치를 상측에서 바라본 분해 사시도이다.
도 2b는 도 1a의 반도체 장치를 하측에서 바라본 분해 사시도이다.
도 3은 제1 케이스와 플레이트가 결합된 모습을 보여주는 도면이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4b는 도 4a의 플레이트를 포함하는 반도체 장치의 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 케이스를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5b는 도 5a의 제1 케이스를 포함하는 반도체 장치의 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6b는 도 6a의 A의 확대도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7b는 도 7a의 B의 확대도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8b는 도 8a의 II-II'에 따른 단면도 이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트 및 제1 케이스를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치(10)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1b는 도 1a의 I-I'에 따른 단면도이다. 도 2a는 도 1a의 반도체 장치(10)를 상측에서 바라본 분해 사시도이다. 도 2b는 도 1a의 반도체 장치(10)를 하측에서 바라본 분해 사시도이다.
본 명세서의 도면들에서, 설명의 편의 및 간결한 도시를 위해 일부 구성요소들은 실제 비율에 비해 확대되거나 축소될 수 있다. 다시 말해서, 도시된 구성요소들의 크기 및 비율은 실제 크기 및 비율과 상이할 수 있다.
도 1a 내지 도 2b를 참조하면, 반도체 장치(10)는 제1 케이스(100), 제2 케이스(200), 반도체 모듈(300), 플레이트(400), 제1 방열 부재(500), 및 연결부(600)를 포함할 수 있다. 반도체 장치(10)는 메모리 장치일 수 있다. 일 예로, 반도체 장치(10)는 SSD(Solid State Drive 또는 Solid State Disk)일 수 있다.
제1 케이스(100)와 제2 케이스(200)는 서로 결합되어, 내부 공간(105)을 형성할 수 있다. 일 예로, 제1 케이스(100)는 하부 케이스이고, 제2 케이스(200)는 상부 케이스일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 케이스(100) 및 제2 케이스(200)는 각각, 바닥면을 갖고, 바닥면으로부터 수직하게 돌출된 4개의 측벽들을 포함할 수 있다. 제1 케이스(100)의 측벽들의 높이가 제2 케이스(200)의 측벽들의 높이보다 낮은 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 케이스(100)는 제1 결합부(102)를 포함할 수 있다. 제1 결합부(102)는, 제1 케이스(100)를 플레이트(400), 반도체 모듈(300), 및 제2 케이스(200)와 결합시킬 수 있다. 일 예로, 제1 결합부(102)는 나사 홀 체결구일 수 있다. 제1 케이스(100)는 금속을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 케이스(100)는 알루미늄을 포함할 수 있으나, 이는 일 예일 뿐 이에 제한되지 않는다.
제2 케이스(200)는 제2 결합부(202)를 포함할 수 있다. 제2 결합부(202)는 제1 결합부(102)와 대응되는 위치에 제공될 수 있다. 제2 결합부(202)는, 제2 케이스(200)를 플레이트(400), 반도체 모듈(300), 및 제1 케이스(100)와 결합시킬 수 있다. 일 예로, 제2 결합부(202)는 나사 홀 삽입구일 수 있다. 일 예로, 제1 케이스(100)와 제2 케이스(200)가 서로 결합되는 경우, 제1 결합부(102) 내에 제2 결합부(202)가 삽입되고, 스크류(SC)가 제공되어 제1 케이스(100)와 제2 케이스(200)를 결합시킬 수 있다.
제2 케이스(200)는 금속을 포함할 수 있다. 제2 케이스(200)는 제1 케이스(100)와 서로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 일 예로, 제2 케이스(200)는 알루미늄을 포함할 수 있으나, 이는 일 예일 뿐 이에 제한되지 않는다.
반도체 모듈(300)은 제1 케이스(100)와 제2 케이스(200) 사이에 제공될 수 있다. 반도체 모듈(300)은 내부 공간(105)에 배치될 수 있다. 반도체 모듈(300)은 제1 케이스(100)보다 제2 케이스(200)와 인접하게 배치될 수 있다. 일 예로, 반도체 모듈(300)은 제1 케이스(100)의 바닥면보다 제2 케이스(200)의 바닥면에 인접할 수 있다. 반도체 모듈(300)은 커넥터(도 1d의 C)를 통해 외부 소자(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있어, 반도체 장치(10) 내에서 커넥터(C)로 인해 반도체 모듈(300)의 위치가 정해질 수 있다.
반도체 모듈(300)은 단일의 메모리 패키지일 수 있다. 일 예로, 반도체 모듈(300)은 SSD(Solid State Drive) 패키지일 수 있다.
반도체 모듈(300)은 패키지 기판(310), 제1 반도체 소자(320), 및 제2 반도체 소자(330)를 포함할 수 있다. 패키지 기판(310)은 인쇄 회로 기판(PCB)일 수 있다. 패키지 기판(310)은 제1 면(311) 및 제2 면(312)을 포함할 수 있다. 도 1b를 참조하면, 패키지 기판(310)의 제1 면(311)은 제1 케이스(100)의 바닥면 및/또는 플레이트(400)와 대향되고, 제2 면(312)은 제2 케이스(200)의 바닥면과 대향될 수 있다.
제1 반도체 소자(320)는 제1 면(311)과 제2 면(312) 상에 각각 배치될 수 있다. 이와 달리, 제1 반도체 소자(320)는 제1 면(311) 또는 제2 면(312) 중 어느 한 면에만 제공될 수 있다. 제1 반도체 소자(320)는 메모리 소자일 수 있다. 일 예로, 제1 반도체 소자(320)는 메모리 칩 및 로직 칩 등을 포함할 수 있다. 제1 반도체 소자(320)는 패키지 기판(310)으로부터 제1 높이(H1)를 갖는다. 제1 반도체 소자(320)의 종류에 따라 미세하게 높이가 다를 수 있으나, 설명의 간략화를 위해 이를 생략한다.
제2 반도체 소자(330)는 패키지 기판(310)의 일 측에 배치될 수 있다. 제2 반도체 소자(330)는 수동 소자일 수 있다. 일 예로, 제1 반도체 소자(320)는 커패시터일 수 있다. 제1 반도체 소자(320)는 패키지 기판(310)으로부터 제2 높이(H2)를 갖는다. 제2 높이(H2)는 제1 높이(H1)보다 클 수 있다. 본 명세서에 기재된 패키지 기판(310)으로부터의 높이는, 패키지 기판(310)의 제1 면(311) 및/또는 제2 면(312)으로부터 수직하게 돌출된 길이를 의미한다. 도 1b 내지 도 2b에 도시된 제1 반도체 소자(320) 및 제2 반도체 소자(330)의 개수, 크기 및 배치는 예시적인 것일 뿐, 이에 제한되지 않는다.
반도체 모듈(300)은 제1 케이스(100)와 제1 거리(M1)로 이격되고, 제2 케이스(200)와 제2 거리(M2)로 이격될 수 있다. 다시 말해서, 반도체 모듈(300)은 제1 케이스(100)보다 제2 케이스(200)와 인접하게 배치될 수 있다. 제1 케이스(100)와 반도체 모듈(300) 사이에 플레이트(400)가 배치될 수 있다. 제2 케이스(200)는 반도체 모듈(300)과 인접하여, 플레이트(400)가 제공되지 않는 것을 예로 들어 설명하나, 이에 제한되지 않는다.
플레이트(400)는 제1 케이스(100)와 제2 케이스(200) 사이에 제공될 수 있다. 플레이트(400)는 내부 공간(105)에 배치될 수 있다. 플레이트(400)는 제1 케이스(100)와 반도체 모듈(300) 사이에 제공될 수 있다. 플레이트(400)와 반도체 모듈(300) 사이의 거리(D1)는 플레이트(400)와 제1 케이스(100) 사이의 거리(D2)보다 가까울 수 있다. 플레이트(400)는 제1 면(401) 및 제2 면(402)을 포함할 수 있다. 도 1b를 참조하면, 패키지 기판(310)의 제1 면(401)은 제1 케이스(100)의 바닥면과 대향되고, 제2 면(402)는 플레이트(400)와 대향될 수 있다.
플레이트(400)는 평판 형상일 수 있다. 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 플레이트(400)는 홀(404)을 포함할 수 있다. 홀(404)은 제1 케이스(100)의 바닥면에 형성된 연결부(600)와 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 홀(404)에 연결부(600)가 삽입되어, 플레이트(400)가 제1 케이스(100)와 결합할 수 있다. 홀(404)은 플레이트(400)의 양 측면에 2개 형성된 것을 예로 들어 도시하였으나, 홀(404)의 개수, 형상, 및/또는 위치 등은 이에 제한되지 않는다.
플레이트(400)는 열 전도성이 있는 물질을 포함할 수 있다. 플레이트(400)는 금속을 포함할 수 있다. 플레이트(400)는 제1 케이스(100) 및 제2 케이스(200)를 이루는 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 플레이트(400)는 알루미늄을 포함할 수 있으나, 이는 예시적일 뿐 이에 제한되지 않는다.
플레이트(400)는 반도체 장치(10) 작동 시, 반도체 모듈(300)으로부터 방출되는 열을 반도체 장치(10)의 외부로 방출하도록 도울 수 있다. 특히, 플레이트(400)는 패키지 기판(310)의 제1 면(311) 상에 배치된 제1 반도체 소자(320)로 인한 열을 방출할 수 있다. 플레이트(400)는 연결부(600)를 통해 제1 케이스(100)와 연결되고, 플레이트(400)는 반도체 모듈(300)에서 방출된 열을 방출할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 평면적 관점에서, 플레이트(400)는 반도체 모듈(300)과 중첩될 수 있다. 다시 말해서, 평면적 관점에서, 반도체 모듈(300)은 플레이트(400)의 일부 영역과 중첩될 수 있다. 플레이트(400)가 반도체 모듈(300)과 중첩되도록 넓게 제공되어, 반도체 모듈(300) 상의 제1 반도체 소자(320) 및 제2 반도체 소자(330)의 배치 및/또는 배선 자유도가 증가할 수 있다.
제1 방열 부재(500)는 반도체 모듈(300)과 플레이트(400) 사이에 제공될 수 있다. 제1 방열 부재(500)는 반도체 모듈(300)과 플레이트(400)에 각각 접촉하도록 제공될 수 있으나, 이와 달리 반도체 모듈(300)과 플레이트(400) 중 적어도 어느 하나에 접촉할 수 있다.
도 3은 제1 케이스(100)와 플레이트(400)가 결합된 모습을 보여주는 도면이다. 도 2a 내지 도 3을 참조하면, 제1 방열 부재(500)는 플레이트(400)의 제2 면(402) 상에 배치될 수 있다. 제1 방열 부재(500)는 배치는, 패키지 기판(310)의 제1 면(311) 상에 배치된 제1 반도체 소자(320)의 배치에 대응되게 제공될 수 있다. 제1 방열 부재(500)가 제공되어, 반도체 모듈(300)에서 발생하는 열이 플레이트(400)로 효과적으로 전달될 수 있다. 제1 방열 부재(500)는 일 예로, TIM(Thermal Interface Material)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이와 달리, 제1 방열 부재(500)는 Thermal tape을 포함할 수 있다.
연결부(600)는 제1 케이스(100)와 플레이트(400)를 결합시킬 수 있다. 연결부(600)는 열 전도성을 갖는 재료를 포함할 수 있다. 연결부(600)는 플레이트(400)와 동일한 소재를 포함할 수 있다. 일 예로, 연결부(600)는 알루미늄을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 연결부(600)는 홀(404)에 끼워지는 압입 형태를 예로 들어 도시하였으나, 이와 달리, 나사 홀 체결 방식, 용접 방식 등을 통해 연결될 수 있다. 또한, 연결부(600)가 제1 케이스(100)의 바닥면에 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리, 연결부(600)는 플레이트(400a)에 제공될 수 있다.
만약, 플레이트(400)가 제공되지 않는 경우, 반도체 장치(10) 내 제공되는 제1 방열 부재(500)의 양이 증가할 수 있다. 일 예로, 플레이트(400)가 제공되지 않는 경우, 제1 방열 부재(500)는 더 두껍게 제공될 수 있다. 일 예로, 플레이트(400)가 제공되지 않는 경우에 비해 제1 방열 부재(500)의 양은 반 이상 감소될 수 있다. 일반적으로, TIM은 다른 방열 재료들에 비해 상대적으로 고가이므로, TIM의 사용량을 줄여 공정 단가를 낮출 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 반도체 장치(10) 내 제공되는 제1 방열 부재(500)의 양을 줄일 수 있다. 이로 인해, 제조 단가가 낮아지고, 방열 특성이 우수한 반도체 장치(10)를 제조할 수 있다. 또한, 반도체 장치(10) 내 케이스들(100,200)과 별도의 구성으로서 플레이트(400)가 제공되는 바, 플레이트(400) 및 케이스들(100,200)의 제조 공정이 보다 용이해질 수 있다. 이와 달리, 소정의 부피를 갖는 플레이트가 케이스 내에 부착된 형태로 제조되는 경우, 제조 공정시 제품 파손의 우려가 있을 수 있다. 일 예로, 케이스를 주물 공정을 통해 제조하는 경우, 케이스 및 플레이트의 배치 및 구조에 따라 휨(warpage) 현상 또는 깨짐 현상 등이 발생할 수 있다.
상술한 반도체 장치(10)는 반도체 모듈(300)을 제공하는 것, 반도체 모듈(300) 상에 반도체 모듈(300)과 중첩되고, 열 전도성을 갖는 물질을 포함하는 플레이트(400)를 제공하는 것, 서로 결합되어 반도체 모듈(300)과 플레이트(400)가 배치되는 내부 공간(105)을 형성하는 제1 및 제2 케이스들(100,200)을 제공하는 것, 제1 케이스(100), 반도체 모듈(300), 플레이트(400), 및 제2 케이스(200)를 결합하여 제조될 수 있다. 플레이트(400)를 제공하는 것은, 제1 케이스(100)에 플레이트(400)를 결합시키는 것(도 3 참조)을 포함할 수 있다. 제1 케이스(100)에 플레이트(400)를 결합시키는 것은, 제1 케이스(100)에 플레이트(400)가 나사 홀 결합 방식, 압입 방식, 및/또는 용접 방식 등을 통해 결합되는 것을 포함할 수 있다. 제1 케이스(100), 반도체 모듈(300), 플레이트(400), 및 제2 케이스(200)를 결합하는 것은, 나사 홀 결합 방식, 압입 방식, 및/또는 용접 방식 등을 통해 결합되는 것을 포함할 수 있다. 본 명세서에서는 도면의 간략화를 위해 나사 홀 결합 방식으로 제1 케이스(100)와 제2 케이스(200)가 결합되는 것만을 도시하나, 이에 제한되지 않는다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트(400a)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 4b는 도 4a의 플레이트(400a)를 포함하는 반도체 장치(10a)의 단면도이다. 도 1a 내지 도 3을 참조하여 설명한 반도체 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 중복되는 설명을 생략한다.
플레이트(400a)는 개구 영역(OA)을 포함할 수 있다. 플레이트(400a)는 평판 형상이되, 개구 영역(OA)은 뚫린 영역일 수 있다. 일 예로, 개구 영역(OA)은 반도체 모듈(300)의 제2 반도체 소자(330)와 대응되는 영역일 수 있다. 제2 반도체 소자(330)의 높이(H2)는 제1 반도체 소자(320)의 높이(H1)보다 높으므로, 제2 반도체 소자(330)와 대응되는 개구 영역(OA)을 갖는 플레이트(400a)는 보다 반도체 모듈(300)에 인접하게 배치될 수 있다.
다시 말해서, 개구 영역(OA)을 갖는 플레이트(400a)와 반도체 모듈(300) 간의 거리(D3)는 개구 영역을 갖지 않는 플레이트(도 1b의 400)와 반도체 모듈(300) 간의 거리(도 1b의 D1)에 비해 가까울 수 있다. 개구 영역(OA)을 갖는 플레이트(400a)와 제1 케이스(100)간의 거리(D4)는 개구 영역을 갖지 않는 플레이트(도 1b의 400)와 제1 케이스(100) 간의 거리(도 1b의 D2)에 비해 멀 수 있다. 따라서, 제1 방열 부재(500)가 더 적은 양으로 제공될 수 있으므로, 제조 단가가 더 감소될 수 있다.
반도체 모듈(300)의 제1 반도체 소자(320) 및 제2 반도체 소자(330)의 배치 및/또는 배선 자유도에 따라, 플레이트(400a)의 개구 영역(OA)의 형상, 크기 및/또는 배치 위치는 다양하게 달라질 수 있다. 또한, 도면의 간략화를 위해 플레이트(400a)에 홀의 도시를 생략하였으나, 플레이트(400a)는 홀을 포함할 수 있고, 이와 달리, 별도의 연결부를 포함할 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 케이스(100a)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5b는 도 5a의 제1 케이스(100a)를 포함하는 반도체 장치(10b)의 단면도이다. 도 4a 내지 도 4b를 참조하여 설명한 반도체 장치(10a)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 중복되는 설명을 생략한다.
제1 케이스(100a)는 립(Rib) 구조체(110)를 더 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 케이스(100a)의 바닥면에 립 구조체(110)가 형성될 수 있다. 립 구조체(110)는 방사형으로 제공될 수 있으나, 이는 예시적일 뿐 이에 제한되지 않는다. 립 구조체(110)의 두께는 제1 케이스(100a)의 두께와 동일할 수 있다. 립 구조체(110)는 제1 케이스(100a)와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 도시하지 않았으나, 립 구조체(110)와 플레이트(400a)를 연결하는 연결부가 제공될 수 있다.
반도체 장치(10b)는 제2 방열 부재(700)를 더 포함할 수 있다. 제2 방열 부재(700)는 플레이트(400a)와 제1 케이스(100a) 사이에 제공될 수 있다. 제2 방열 부재(700)는 플레이트(400a)와 동일한 형상을 가질 수 있다. 다시 말해서, 제2 방열 부재(700)는 플레이트(400a)의 개구 영역(OA)과 대응되는 개구(702)를 가질 수 있다.
제2 방열 부재(700)는 플레이트(400a)와 제1 케이스(100a)에 각각 접촉하도록 제공될 수 있으나, 이와 달리 플레이트(400a)와 제1 케이스(100a) 중 적어도 어느 하나에 접촉할 수 있다. 제2 방열 부재(700)는 일 예로, Thermal tape을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이와 달리, 제2 방열 부재(700)는 TIM을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 케이스(100a)가 립 구조체(110)를 포함하여, 반도체 장치(10b)의 구조적 강성이 향상될 수 있다. 또한, 제2 방열 부재(700)가 추가적으로 제공되므로, 열 전달 경로가 증가하여 열 방출 효과가 증가될 수 있다. 도면에서는, 립 구조체(110)가 제1 케이스(100a)보다 높게 형성되는 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트(400b)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 6b는 도 6a의 A의 확대도이다. 도 4a 내지 도 4b를 참조하여 설명한 플레이트(400a) 및 반도체 장치(10a)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 중복되는 설명을 생략한다.
플레이트(400b)는 그루브들(410)을 더 포함할 수 있다. 다시 말해서, 플레이트(400b)는 주름진 구조를 포함할 수 있다. 그루브들(410)은 플레이트(400b)의 적어도 일 면 상에 형성될 수 있다. 그루브들(410)은 플레이트(400b)의 제2 면(도 4b의 402) 상에 형성될 수 있다. 이와 달리, 그루브들(410)은 플레이트(400b)의 전 영역에 형성될 수 있다. 그루브들(410)로 인해, 제1 방열 부재(500)와 플레이트(400b) 간의 접촉 면접이 증가되어, 방열 특성이 향상될 수 있다. 도시된 그루브들(410)은 일 예일 뿐 이에 제한되지 않으며, 그루브들(410)은 돌출부들 및/또는 홈 등 접촉 면적을 증가시킬 수 있는 다양한 구조를 포함할 수 있다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트(400c)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 7b는 도 7a의 B의 확대도이다. 도 4a 내지 도 4b를 참조하여 설명한 플레이트(400a) 및 반도체 장치(10a)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 중복되는 설명을 생략한다.
플레이트(400b)는 라운드 부(420)를 더 포함할 수 있다. 라운드 부(420)는 라운드진(rounded) 구조일 수 있다. 다시 말해서, 플레이트(400b)는 대체적으로 평판 형상이나, 평판을 포함하는 평면에 대해 라운드진 구조를 포함할 수 있다. 일 예로, 라운드 부(420)는 플레이트(400b)의 에지 영역에 형성될 형성될 수 있다. 이와 달리, 라운드 부(420)는 플레이트(400b)의 전 영역 및/또는 일부 영역에 형성될 수 있다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트(400d)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 8b는 도 8a의 II-II'에 따른 단면도이다. 도 4a 내지 도 4b를 참조하여 설명한 플레이트(400a) 및 반도체 장치(10a)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 중복되는 설명을 생략한다.
플레이트(400d)는 서로 다른 레벨을 갖는 제1 레벨 부(432), 제2 레벨 부(434), 및 제3 레벨 부(436)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 레벨이란, 일 면으로부터 수직하게 돌출된 높이를 의미할 수 있다. 일 예로, 플레이트(400d)의 제1 면(401)으로부터의 높이를 의미할 수 있다.
제1 레벨 부(432)는 제1 레벨(L1)을 가질 수 있다. 제2 레벨 부(434)는 제1 레벨(L1)과 다른 제2 레벨(L2)을 가질 수 있다. 제3 레벨 부(436)는 제1 레벨(L1) 및 제2 레벨(L2)과 다른 제3 레벨(L3)을 가질 수 있다. 제2 레벨(L2)은 제1 레벨(L1)보다 높고, 제3 레벨(L3)은 제2 레벨(L2)보다 높을 수 있다. 본 명세서에서의 레벨들은, 명확환 도시를 위해 과장되어 도시되었다.
다시 도 2b를 참조하면, 패키지 기판(310)의 제1 반도체 소자들(320)은 다양한 종류 및 형태를 가질 수 있다. 도시하지 않았으나, 제1 반도체 소자들(320)은 각각 소자의 종류에 따라 미세하게 다른 크기를 가질 수 있다. 일 예로, 컨트롤러는 메모리 칩에 비해 클 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따라 플레이트(400d)가 서로 다른 레벨을 갖도록 제조되는 경우, 패키지 기판에 실장되는 반도체 소자의 종류 및 크기에 따라 유동적으로 사용될 수 있다. 일 예로, 컨트롤러와 대응되는 영역에는 제3 레벨 부(436)를 위치시키고, 메모리 칩과 대응되는 영역에는 제1 레벨 부(432) 및/또는 제2 레벨 부(434)를 위치시킬 수 있다. 이러한 경우, 반도체 모듈(300)과 플레이트(400d) 사이에 제공되는 제1 방열 부재(500)의 양을 줄일 수 있어, 보다 경제적일 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트(400e) 및 제1 케이스(100b)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5a 내지 도 5b를 참조하여 설명한 반도체 장치(10b)와 도 8a 내지 도 8b를 참조하여 설명한 플레이트(400d)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 중복되는 설명을 생략한다.
플레이트(400e)는 연결부(600a)를 더 포함할 수 있다. 일 예로, 플레이트(400e)의 제1 면(도 8b의 401)에 연결부(600a)가 제공될 수 있다.
제1 케이스(100b)의 립 구조체(110a)는 리세스 영역(RA)을 가질 수 있다. 립 구조체(110a)의 리세스 영역(RA)은 제1 케이스(100a)의 바닥면을 노출할 수 있다. 리세스 영역(RA)은 플레이트(400e)의 개구 영역(OA)과 대응되는 위치에 대응되는 형상으로 제공될 수 있다. 립 구조체(110a)는 홀(112)을 포함할 수 있다. 연결부(600a)가 제1 케이스(100b)의 홀(112)에 끼워져, 플레이트(400e)와 제1 케이스(100b)가 서로 결합될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트(400f)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 8a 내지 도 8b를 참조하여 설명한 플레이트(400d)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 중복되는 설명을 생략한다.
플레이트(400f)는 핀(fin) 구조체(440)를 포함할 수 있다. 플레이트(400f)의 제1 면(401) 상에 핀 구조체(440)가 배치될 수 있다. 일 예로, 핀 구조체(440)는 히트 싱크(heat sink)일 수 있다. 핀 구조체(440) 및/또는 히트 싱크(440)가 배치되면, 반도체 모듈(300)로부터 발생하는 열을 핀 구조체(440) 및/또는 히트 싱크(440)가 흡수하여 플레이트(400f)의 방열 특성이 향상될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트(400g)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 6a 내지 도 6b를 참조하여 설명한 플레이트(400b)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성들에 대해서는 중복되는 설명을 생략한다.
플레이트(400g)는 제1 영역(450) 및 제2 영역(452)을 가질 수 있다. 제1 영역(450)은 평평할 수 있다. 제2 영역(452)은 제1 영역(450)과 다른 표면 거칠기를 가질 수 있다. 일 예로, 제2 영역(452)은 그루브들(454)을 포함할 수 있다. 그러나, 이는 예시적인 것일 뿐, 제2 영역(452)은 제1 영역(450)과 표면 거칠기가 다른 다양한 형태로 제공될 수 있다.
제2 영역(452)은 제1 영역(450)에 비해 접촉 면적이 클 수 있어, 국소적인 위치의 방열 특성을 향상시킬 수 있다. 일 예로, 제2 영역(452)은 제1 반도체 소자들(320) 및/또는 제1 방열 부재(도 3의 500)의 위치와 대응되게 형성될 수 있다.
이상의 명세서에서는 제1 방열 부재(500) 및 제2 방열 부재(700)가 반도체 모듈(300)과 제1 케이스(100,100a,100b) 사이에 제공되는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 반도체 모듈(300)과 제2 케이스(200) 사이에도 방열 부재가 제공될 수 있다.
또한, 제1 케이스(100a,100b)의 내측에 립 구조체가 형성되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리 제2 케이스(200)의 내측에도 형성될 수 있다.
명세서에서 플레이트(400,400a,400b,400c,400d,400e,400f,400g)가 반도체 모듈(300)과 제1 케이스(100,100a,100b) 사이에 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리, 플레이트는 반도체 모듈(300)과 제2 케이스(200) 사이에 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이, 반도체 모듈(300)은 목적 및 효과에 따라 서로 다른 배열을 반도체 소자들을 포함할 수 있고, 이에 따라 플레이트 및 제1 케이스는 다양하게 설계될 수 있다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.

Claims (20)

  1. 제1 케이스;
    상기 제1 케이스와 결합되어 내부 공간을 형성하는 제2 케이스;
    상기 내부 공간에 상기 제1 케이스보다 상기 제2 케이스에 인접하게 배치되는 반도체 모듈; 및
    상기 내부 공간에 상기 제1 케이스와 상기 반도체 모듈 사이에 배치되는 플레이트를 포함하되,
    상기 플레이트는 열 전도성을 갖는 물질을 포함하여, 상기 반도체 모듈로부터 발생하는 열을 외부로 방출하고,
    상기 플레이트는, 상기 플레이트의 적어도 일면 상에 형성된 그루브(groove)를 포함하는 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    평면적 관점에서, 상기 플레이트는 상기 반도체 모듈과 중첩되는 반도체 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 제1 케이스와 대향되는 제1 면 및 상기 반도체 모듈과 대향되는 제2 면을 포함하되,
    상기 그루브는 상기 제2 면 상에 형성되는 반도체 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는, 상기 플레이트의 적어도 일면 상에 배치된 히트 싱크(heat sink)를 포함하는 반도체 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 제1 케이스와 대향되는 제1 면 및 상기 반도체 모듈과 대향되는 제2 면을 포함하되,
    상기 히트 싱크는 상기 제1 면에 배치되는 반도체 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는, 상기 플레이트의 적어도 일면 상에 배치된 핀(fin) 구조체를 포함하는 반도체 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 제1 케이스와 대향되는 제1 면 및 상기 반도체 모듈과 대향되는 제2 면을 포함하되,
    상기 핀 구조체는 상기 제1 면에 배치되는 반도체 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 평판 형상인 반도체 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 라운드진(rounded) 라운드 부를 포함하는 반도체 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 라운드 부는 상기 플레이트의 에지 영역에 형성되는 반도체 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는:
    일 면으로부터 제1 레벨을 갖는 제1 레벨 부; 및
    상기 제1 레벨과 다른 제2 레벨을 갖는 제2 레벨 부를 포함하는 반도체 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는, 오픈된 개구 영역을 더 포함하는 반도체 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 모듈은 제1 높이를 갖는 제1 반도체 소자 및 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 갖는 제2 반도체 소자를 포함하되,
    평면적 관점에서, 상기 플레이트의 상기 개구 영역은 상기 제2 반도체 소자와 중첩되는 반도체 장치.
  15. 제1 케이스;
    상기 제1 케이스와 결합되어 내부 공간을 형성하는 제2 케이스;
    상기 내부 공간에 상기 제1 케이스보다 상기 제2 케이스에 인접하게 배치되는 반도체 모듈;
    상기 내부 공간에 상기 제1 케이스와 상기 반도체 모듈 사이에 배치되는 플레이트; 및
    상기 제1 케이스 내측에 형성된 립(Rib) 구조체를 포함하되,
    상기 플레이트는 열 전도성을 갖는 물질을 포함하여, 상기 반도체 모듈로부터 발생하는 열을 외부로 방출하는 반도체 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트와 상기 반도체 모듈 사이의 거리는 상기 플레이트와 상기 제1 케이스 사이의 거리보다 가까운 반도체 장치.
  17. 제1 케이스;
    상기 제1 케이스와 결합되어 내부 공간을 형성하는 제2 케이스;
    상기 내부 공간에 상기 제1 케이스보다 상기 제2 케이스에 인접하게 배치되는 반도체 모듈; 및
    상기 내부 공간에 상기 제1 케이스와 상기 반도체 모듈 사이에 배치되는 플레이트를 포함하되,
    상기 플레이트는 열 전도성을 갖는 물질을 포함하여, 상기 반도체 모듈로부터 발생하는 열을 외부로 방출하고,
    상기 플레이트는:
    평평한 제1 영역; 및
    상기 제1 영역과 다른 표면 거칠기를 갖는 제2 영역을 포함하는 반도체 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트와 상기 제1 케이스를 연결하는 연결부를 더 포함하는 반도체 장치.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 케이스와 상기 플레이트 사이에 배치된 제1 방열 부재를 더 포함하는 반도체 장치.
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트와 상기 반도체 모듈 사이에 배치되는 제2 방열 부재를 더 포함하는 반도체 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102554431B1 (ko) * 2018-09-05 2023-07-13 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
CN112466348A (zh) * 2020-11-13 2021-03-09 苏州浪潮智能科技有限公司 一种双层反装开放式散热固态硬盘
CN217061435U (zh) * 2021-05-14 2022-07-26 上海宝存信息科技有限公司 存储装置
JP2023015553A (ja) * 2021-07-20 2023-02-01 キオクシア株式会社 メモリシステム
US11956905B2 (en) * 2021-12-22 2024-04-09 Beijing Memblaze Technology Co., Ltd Solid state hard disk casing and solid state hard disk

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100025126A1 (en) 2008-07-29 2010-02-04 Hitachi, Ltd. Power Conversion Apparatus and Electric Vehicle
US20170188473A1 (en) 2015-12-28 2017-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Storage device

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4399487A (en) * 1980-09-12 1983-08-16 Siemens Ag Insulated plug-in module
US4599680A (en) * 1983-09-26 1986-07-08 Southwest Research Institute Packaging arrangement for spacecraft computer
DE68920513T2 (de) * 1988-08-31 1995-05-04 Hitachi Ltd Wechselrichtervorrichtung.
US8213431B2 (en) * 2008-01-18 2012-07-03 The Boeing Company System and method for enabling wireless real time applications over a wide area network in high signal intermittence environments
DE69329501T2 (de) * 1992-07-17 2001-05-03 Vlt Corp., San Antonio Verpackung für elektronische Komponenten
US20020053421A1 (en) * 1997-09-10 2002-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Heat dissipating structure for electronic apparatus
US6407965B1 (en) * 1997-10-14 2002-06-18 Seiko Instruments Inc. Timepiece having thermoelectric generator unit
US6362964B1 (en) * 1999-11-17 2002-03-26 International Rectifier Corp. Flexible power assembly
US6414867B2 (en) * 2000-02-16 2002-07-02 Hitachi, Ltd. Power inverter
JP2002298571A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Toshiba Corp 磁気ディスク装置
US6900984B2 (en) * 2001-04-24 2005-05-31 Apple Computer, Inc. Computer component protection
KR100757481B1 (ko) * 2001-05-22 2007-09-11 주식회사 엘지이아이 공기조화기의 외부케이스조립체
JP3676719B2 (ja) * 2001-10-09 2005-07-27 株式会社日立製作所 水冷インバータ
US7187568B2 (en) * 2002-01-16 2007-03-06 Rockwell Automation Technologies, Inc. Power converter having improved terminal structure
US7142434B2 (en) * 2002-01-16 2006-11-28 Rockwell Automation Technologies, Inc. Vehicle drive module having improved EMI shielding
DE10204200A1 (de) * 2002-02-01 2003-08-21 Conti Temic Microelectronic Leistungsmodul
JP4142417B2 (ja) 2002-11-28 2008-09-03 富士通コンポーネント株式会社 電子装置
JP2005341630A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
JP4322752B2 (ja) * 2004-08-03 2009-09-02 株式会社オートネットワーク技術研究所 電気接続箱
KR20070087788A (ko) 2005-11-29 2007-08-29 삼성전자주식회사 회로기판 보호 브라켓 및 이를 구비한 하드디스크 드라이브
JP4434181B2 (ja) * 2006-07-21 2010-03-17 株式会社日立製作所 電力変換装置
JP4751810B2 (ja) * 2006-11-02 2011-08-17 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
US8514165B2 (en) * 2006-12-28 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20080284934A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP4998747B2 (ja) * 2008-06-27 2012-08-15 国産電機株式会社 車載用電力制御装置
US10321585B2 (en) * 2008-07-29 2019-06-11 Hitachi, Ltd. Power conversion apparatus and electric vehicle
JP4708459B2 (ja) * 2008-07-29 2011-06-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP5002568B2 (ja) * 2008-10-29 2012-08-15 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP4797077B2 (ja) * 2009-02-18 2011-10-19 株式会社日立製作所 半導体パワーモジュール、電力変換装置、および、半導体パワーモジュールの製造方法
EP2355628B1 (en) * 2010-01-29 2013-10-16 LG Electronics Inc. Mobile terminal
JP5422466B2 (ja) * 2010-04-01 2014-02-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP5380376B2 (ja) * 2010-06-21 2014-01-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体装置
JPWO2012137267A1 (ja) * 2011-04-05 2014-07-28 パナソニック株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
KR20130071139A (ko) * 2011-12-20 2013-06-28 삼성전자주식회사 보조 기억 장치 및 이를 포함하는 시스템
JP5956783B2 (ja) * 2012-03-02 2016-07-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US9066453B2 (en) * 2012-03-06 2015-06-23 Mission Motor Company Power electronic system and method of assembly
WO2014021046A1 (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 株式会社村田製作所 電子機器および熱伝導シート
US20140036435A1 (en) * 2012-08-03 2014-02-06 Mosaid Technologies Incorporated Storage system having a heatsink
US9437518B2 (en) * 2012-10-29 2016-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor module
CN103926987A (zh) 2013-01-11 2014-07-16 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 内存条散热装置
US9317081B2 (en) * 2013-09-11 2016-04-19 Dell Products Lp Disk drive carriers and mountable hard drive systems with improved air flow
JP2015095938A (ja) * 2013-11-11 2015-05-18 株式会社東芝 電源装置
KR102178829B1 (ko) * 2013-11-20 2020-11-13 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치
US9735699B2 (en) * 2014-01-15 2017-08-15 Lg Electronics Inc. Integral inverter and solar cell module including the same
JP6213776B2 (ja) * 2014-01-22 2017-10-18 株式会社オートネットワーク技術研究所 スイッチング基板
KR102298674B1 (ko) * 2014-01-28 2021-09-03 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 이를 포함하는 태양광 발전 장치
WO2015122069A1 (ja) * 2014-02-14 2015-08-20 三菱電機株式会社 制御装置付き回転電機、電動パワーステアリング装置および制御装置付き回転電機の製造方法
JP6175556B2 (ja) * 2014-03-03 2017-08-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
KR20160012703A (ko) * 2014-07-25 2016-02-03 삼성전자주식회사 발열 부품을 포함하는 전자 장치
KR102222988B1 (ko) * 2014-09-24 2021-03-04 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 멀티 적층체
KR102340828B1 (ko) * 2014-10-23 2021-12-17 삼성전자주식회사 인쇄회로기판 어셈블리 제조 방법
KR102307490B1 (ko) * 2014-10-27 2021-10-05 삼성전자주식회사 반도체 패키지
JP6287891B2 (ja) * 2015-02-24 2018-03-07 株式会社オートネットワーク技術研究所 電気接続箱及び接続端子部品
JP6252872B2 (ja) * 2015-02-24 2017-12-27 株式会社オートネットワーク技術研究所 電気接続箱及び接続端子部品
JP6139585B2 (ja) * 2015-03-05 2017-05-31 株式会社東芝 高周波モジュール及びマイクロ波送受信装置
US10177674B2 (en) * 2015-03-16 2019-01-08 Mitsubishi Electric Corporation Power circuit device
JP2016207785A (ja) * 2015-04-20 2016-12-08 株式会社東芝 半導体装置
EP3104250A1 (en) * 2015-06-10 2016-12-14 FairPhone B.V. Modular electronic device
KR102424402B1 (ko) * 2015-08-13 2022-07-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR102361638B1 (ko) * 2015-08-25 2022-02-10 삼성전자주식회사 솔리드 스테이트 드라이브 장치
KR102280477B1 (ko) * 2015-10-08 2021-07-22 삼성전자주식회사 히트 싱크 및 이를 갖는 메모리 모듈
JP6350763B2 (ja) * 2015-12-02 2018-07-04 日本精工株式会社 電子部品を実装した基板とその基板を収納するケースの構造
US9807899B2 (en) * 2015-12-28 2017-10-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Storage device
JP6740622B2 (ja) * 2016-02-05 2020-08-19 株式会社デンソー 電力変換装置
KR101841836B1 (ko) * 2016-07-05 2018-03-26 김구용 다면 방열구조를 갖는 pcb 모듈, 및 이 모듈에 사용되는 방열 플레이트, 다층 pcb 어셈블리, 및 모듈 케이스
KR101927088B1 (ko) * 2016-08-08 2019-03-12 김구용 다면 방열구조를 갖는 pcb 모듈 및 이 모듈에 사용되는 다층 pcb 어셈블리
MX2019002116A (es) * 2016-08-22 2019-07-08 Neturen Co Ltd Modulo semiconductor de potencia, circuito amortiguador y aparato de alimentaion mediante calentamiento por induccion.
US10372182B2 (en) * 2017-01-13 2019-08-06 International Business Machines Corporation Reducing thermal cycling fatigue
KR102342215B1 (ko) * 2017-03-20 2021-12-23 엘지이노텍 주식회사 전력 변환 모듈의 방열 장치
US9812374B1 (en) * 2017-03-22 2017-11-07 Xilinix, Inc. Thermal management device with textured surface for extended cooling limit
US10276472B2 (en) * 2017-04-01 2019-04-30 Ixys, Llc Heat transfer plate having small cavities for taking up a thermal transfer material
US10143117B2 (en) * 2017-04-06 2018-11-27 Chyng Hong Electronic Co., Ltd. High power density DC-AC power inverter
CN206988932U (zh) * 2017-05-10 2018-02-09 湖州明朔光电科技有限公司 石墨烯散热led灯
WO2019030809A1 (ja) * 2017-08-08 2019-02-14 Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 放熱構造体
JP6921710B2 (ja) * 2017-10-30 2021-08-18 日立Astemo株式会社 電子制御装置
JP6979864B2 (ja) * 2017-11-30 2021-12-15 日立Astemo株式会社 パワー半導体装置及びその製造方法
US20190212076A1 (en) * 2018-01-11 2019-07-11 Asia Vital Components Co., Ltd. Multi-outlet-inlet liquid-cooling heat dissipation structure
KR102385570B1 (ko) * 2018-03-09 2022-04-12 삼성전자주식회사 솔리드 스테이트 드라이브 케이스 및 이를 이용한 솔리드 스테이트 드라이브 장치
KR102615769B1 (ko) * 2018-05-18 2023-12-20 삼성전자주식회사 메모리 장치
JP7159617B2 (ja) * 2018-05-25 2022-10-25 富士電機株式会社 冷却装置、半導体モジュール、車両および製造方法
KR102547948B1 (ko) * 2018-08-30 2023-06-26 삼성전자주식회사 정전기 방지 구조물을 포함하는 솔리드 스테이트 드라이브 장치
KR102554431B1 (ko) * 2018-09-05 2023-07-13 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
JP6945514B2 (ja) * 2018-09-20 2021-10-06 日立Astemo株式会社 電子制御装置
US11594463B2 (en) * 2018-10-11 2023-02-28 Intel Corporation Substrate thermal layer for heat spreader connection
CN111327208B (zh) * 2018-12-14 2022-06-03 台达电子工业股份有限公司 具散热机制的逆变器装置
JP2020119980A (ja) * 2019-01-23 2020-08-06 キオクシア株式会社 電子機器
US11317540B2 (en) * 2019-09-20 2022-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state drive apparatus and data storage apparatus including the same
KR20220053165A (ko) * 2020-10-22 2022-04-29 삼성전자주식회사 반도체 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100025126A1 (en) 2008-07-29 2010-02-04 Hitachi, Ltd. Power Conversion Apparatus and Electric Vehicle
US20170188473A1 (en) 2015-12-28 2017-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Storage device

Also Published As

Publication number Publication date
CN110880483B (zh) 2024-08-27
US20200075453A1 (en) 2020-03-05
KR20200028057A (ko) 2020-03-16
US11688661B2 (en) 2023-06-27
CN110880483A (zh) 2020-03-13
US11056416B2 (en) 2021-07-06
US20210287959A1 (en) 2021-09-16

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