KR102615769B1 - 메모리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메모리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 케이스 및 상기 제1 케이스 상의 제2 케이스; 상기 제1 및 제2 케이스들 사이의 내부 공간에 수용된 메모리 모듈; 및 상기 제1 및 제2 케이스들 사이에 개재된 플레이트를 포함한다. 상기 플레이트는, 상기 플레이트를 관통하는 에어 홀을 정의하는 날개부를 포함하고, 상기 날개부는, 상기 제1 및 제2 케이스들의 외부에 인접하는 제1 부분 및 상기 내부 공간에 인접하는 제2 부분을 포함하며, 상기 제1 부분의 레벨은 상기 제2 부분의 레벨과 다르다.

Description

메모리 장치 {Memory device}
본 발명은 메모리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 SSD 메모리 장치에 관한 것이다.
SSD (Solid State Drive 또는 Solid State Disk)는 플래시 메모리와 같은 메모리 소자를 사용하여 데이터를 저장하는 장치로서, 종래의 HDD (Hard Disk Drive) 등을 대체하기 위한 수단으로 이용되고 있다. SSD는 종래의 HDD와 비교하여 기계적으로 움직이는 부분이 없는 고체 상태(solid state)의 드라이브다. 따라서, SSD는 탐색 시간(seek time), 지연시간(latency), 기계적 구동 시간(mechanical driving time) 등을 줄여 고속으로 동작하고, 기계적 마찰로 인한 오류를 감소하여 향상된 신뢰성을 갖는다.
SSD는 일반적으로 인쇄회로기판(PCB)에 메모리 칩들이 실장된 패키지 형태로 제공되고, 이러한 SSD 패키지는 밀폐형(closed) 또는 오픈형(open) 케이스에 내장된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 방열 특성이 우수한 메모리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 개념에 따른 메모리 장치는, 제1 케이스 및 상기 제1 케이스 상의 제2 케이스; 상기 제1 및 제2 케이스들 사이의 내부 공간에 수용된 메모리 모듈; 및 상기 제1 및 제2 케이스들 사이에 개재된 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 플레이트는, 상기 플레이트를 관통하는 에어 홀을 정의하는 날개부를 포함하고, 상기 날개부는, 상기 제1 및 제2 케이스들의 외부에 인접하는 제1 부분 및 상기 내부 공간에 인접하는 제2 부분을 포함하며, 상기 제1 부분의 레벨은 상기 제2 부분의 레벨과 다를 수 있다.
본 발명에 따른 메모리 장치는, 에어 홀이 형성된 플레이트를 케이스에 결합시킴으로써 케이스 내부의 열을 외부로 방출시킬 수 있다. 에어 홀을 정의하는 절곡된 형태 또는 만곡된 형태를 갖는 날개부들을 쉽게 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 메모리 장치는, 메모리 패키지들 사이의 프레임이 메모리 칩들을 노출하는 오프닝을 정의할 수 있다. 상기 오프닝을 통해 메모리 칩들에서 발생된 열을 외부로 방출시킬 수 있다.
도 1a는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치를 위에서 바라본 사시도이다.
도 1b는 도 1a의 분리 상태를 나타내는 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치를 아래에서 바라본 사시도이다.
도 2b는 도 2a의 분리 상태를 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1b의 제1 케이스의 제3 리세스 영역과 플레이트의 결합 및 분리 상태를 나타내는 사시도이다.
도 4a는 도 3의 플레이트의 단면을 나타내는 사시도이다.
도 4b는 도 1b의 제1 케이스의 일 부분의 단면을 나타내는 사시도이다.
도 5는 메모리 모듈의 프레임을 나타내는 사시도이다.
도 6은 프레임과 제1 및 제2 메모리 패키지들을 서로 결합하여 메모리 모듈을 형성하는 것을 나타내는 사시도이다.
도 7은 메모리 모듈을 측면에서 바라본 측면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 예에 따른 메모리 모듈의 프레임을 나타내는 사시도이다.
도 1a는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치를 위에서 바라본 사시도이다. 도 1b는 도 1a의 분리 상태를 나타내는 사시도이다. 도 2a는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치를 아래에서 바라본 사시도이다. 도 2b는 도 2a의 분리 상태를 나타내는 사시도이다.
도 1a, 1b, 2a 및 2b를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치는, 제1 케이스(CAS1), 제1 케이스(CAS1)에 결합된 플레이트들(PL), 제1 케이스(CAS1) 상의 제2 케이스(CAS2), 및 제1 케이스(CAS1)와 제2 케이스(CAS2) 사이의 내부 공간에 수용된 메모리 모듈(MM)을 포함할 수 있다. 제1 케이스(CAS1) 및 제2 케이스(CAS2) 각각은 금속(예를 들어, 알루미늄)을 포함할 수 있다.
제1 케이스(CAS1)는, 네 변들을 갖는 패널 형태의 바닥부(BOP) 및 바닥부(BOP)의 네 변들로부터 수직하게 연장되는 측벽부(SWP)를 포함할 수 있다. 다시 말하면, 측벽부(SWP)는 바닥부(BOP)로부터 제3 방향(D3)으로 연장될 수 있다.
제1 케이스(CAS1)의 바닥부(BOP)는, 그의 일 변이 함몰된 제1 리세스 영역(RS1)을 포함할 수 있다. 제1 케이스(CAS1)의 제1 리세스 영역(RS1)을 통해 후술할 커넥터(CNE)가 외부로 노출될 수 있다.
제1 케이스(CAS1)의 측벽부(SWP)는, 상기 제1 리세스 영역(RS1)을 향하여 함몰된 제2 리세스 영역(RS2)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 제2 리세스 영역(RS2)은 측벽부(SWP)의 상면으로부터 바닥부(BOP)를 향하여 함몰될 수 있다. 제2 리세스 영역(RS2)은 후술할 제2 케이스(CAS2)의 돌출 측벽(PSW)과 맞물려 결합될 수 있다.
제1 케이스(CAS1)의 측벽부(SWP)는, 측벽부(SWP)의 상면으로부터 바닥부(BOP)를 향하여 함몰된 제3 리세스 영역들(RS3)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 제3 리세스 영역들(RS3)은 제1 및 제2 리세스 영역들(RS1, RS2)과는 반대편에 형성될 수 있다.
제1 케이스(CAS1)의 바닥부(BOP) 상에 패드(PAD)가 제공될 수 있다. 패드(PAD) 상에 메모리 모듈(MM)의 캐패시터(CAP)가 안착될 수 있다. 패드(PAD)는 캐패시터(CAP)를 보호하는 완충부일 수 있다.
도 3은 도 1b의 제1 케이스의 제3 리세스 영역과 플레이트의 결합 및 분리 상태를 나타내는 사시도이다. 도 4a는 도 3의 플레이트의 단면을 나타내는 사시도이다. 도 4b는 도 1b의 제1 케이스의 일 부분의 단면을 나타내는 사시도이다.
도 3, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 각각의 제3 리세스 영역들(RS3)에는 가이드부(GP)가 형성될 수 있다. 가이드부(GP)는 함몰된 트렌치 형태를 가질 수 있다. 가이드부(GP)는, 가이드부(GP)로부터 함몰된 걸림부(EP)를 포함할 수 있다. 가이드부(GP)는, 가이드부(GP)로부터 아래로 함몰된 홀들(HOL)을 더 포함할 수 있다.
제1 케이스(CAS1)의 바닥부(BOP)는, 수직하게 돌출된 제1 체결부들(FAP1)을 포함할 수 있다. 제1 체결부들(FAP1)은 제1 케이스(CAS1)의 측벽부(SWP)와 접할 수 있다. 제1 체결부들(FAP1) 각각은 베이스부(BSP) 및 베이스부(BSP) 상의 기둥부(PIP)를 포함할 수 있다. 기둥부(PIP)는 나사(screw, SC)가 결합될 수 있는 나사 홀(SCH)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 기둥부(PIP)는 속이 빈 실린더 형태를 가질 수 있다.
제1 케이스(CAS1)의 측벽부(SWP)의 제3 리세스 영역(RS3)에 적어도 하나의 플레이트(PL)가 결합될 수 있다. 일 예로, 제1 케이스(CAS1)의 측벽부(SWP)에 두 개의 플레이트들(PL)이 결합될 수 있다. 두 개의 플레이트들(PL)은 제1 방향(D1)으로 서로 이격될 수 있다.
각각의 플레이트들(PL)은 날개부들(WP)을 포함할 수 있고, 날개부들(WP)에 의해 에어 홀들(AH)이 정의될 수 있다. 에어 홀들(AH)을 통하여 메모리 장치의 내부와 메모리 장치의 외부는 서로 유체적으로 연결될 수 있다. 다시 말하면, 에어 홀들(AH)을 통하여 메모리 장치의 내부와 메모리 장치의 외부 사이에 공기가 흐를 수 있다.
날개부들(WP) 각각은, 제1 케이스(CAS1)의 외부로부터 제1 케이스(CAS1)의 내부를 향해 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 날개부(WP)는 경사지게 연장될 수 있다. 구체적으로, 날개부(WP)는 제1 케이스(CAS1)의 외부에 인접하는 제1 부분(PO1) 및 제1 케이스(CAS1)의 내부에 인접하는 제2 부분(PO2)을 포함할 수 있다. 제1 케이스(CAS1)의 바닥부(BOP)로부터 제1 부분(PO1)은 수직적으로 제1 레벨(LV1)에 위치할 수 있고, 제2 부분(PO2)은 수직적으로 제2 레벨(LV2)에 위치할 수 있다. 제1 레벨(LV1)과 제2 레벨(LV2)은 서로 다를 수 있다. 일 예로, 제2 레벨(LV2)은 제1 레벨(LV1)보다 높을 수 있다.
날개부(WP)의 제2 방향(D2)으로의 단면의 형태는 절곡된 형태(bent shape)일 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 날개부(WP)의 제2 방향(D2)으로의 단면의 형태는 만곡된 형태(curved shape)일 수 있다. 날개부들(WP) 각각이 절곡된 형태 또는 만곡된 형태를 갖기 때문에, 에어 홀들(AH)이 존재할 지라도 메모리 장치 내부의 메모리 모듈(MM)이 메모리 장치 외부에서 보이지 않을 수 있다.
각각의 플레이트들(PL)은, 그의 양 측벽들 및 바닥면 상의 돌출부(PP)를 포함할 수 있다. 돌출부(PP)는 제1 케이스(CAS1)의 가이드부(GP)에 맞물릴 수 있다. 다시 말하면, 제1 케이스(CAS1)의 가이드부(GP)는 플레이트(PL)의 돌출부(PP)를 가이드하여, 플레이트(PL)가 제1 케이스(CAS1)에 결합되도록 할 수 있다.
돌출부(PP)는, 돌출부(PP)로부터 돌출된 제1 후크부(HO1)를 포함할 수 있다. 제1 후크부(HO1)는 플레이트(PL)의 측벽 상의 돌출부(PP) 상에 제공될 수 있다. 제1 후크부(HO1)와 걸림부(EP)가 맞물림으로써, 플레이트(PL)가 제1 케이스(CAS1)에 고정될 수 있다. 다시 말하면, 플레이트(PL)의 제1 후크부(HO1)는 제1 케이스(CAS1)의 걸림부(EP)와 스냅-핏(snap-fit) 방식으로 결합될 수 있다.
돌출부(PP)는, 돌출부(PP)로부터 아래로 더 돌출된 서브 돌출부들(SPP)을 포함할 수 있다. 서브 돌출부들(SPP)은 플레이트(PL)의 바닥면 상의 돌출부(PP) 상에 제공될 수 있다. 서브 돌출부들(SPP)은 가이드부(GP)의 홀들(HOL)과 맞물릴 수 있다. 다시 말하면, 서브 돌출부들(SPP)과 홀들(HOL)이 맞물림으로써, 플레이트(PL)가 제1 케이스(CAS1)의 제3 리세스 영역(RS3)에 정확히 정렬될 수 있다.
플레이트들(PL)은 제1 케이스(CAS1)와는 다른 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 플레이트들(PL)은 금속이 아닌 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS) 및 폴리비닐클로라이드(PVC)와 같은 플라스틱을 포함할 수 있다.
만약 플레이트들(PL) 없이 제1 케이스(CAS1)의 측벽부(SWP)에 절곡된 형태 또는 만곡된 형태의 날개부들(WP)을 형성할 경우, 금속을 특수한 형태로 가공해야 하는 어려움이 발생한다. 본 발명의 플레이트들(PL)이 플라스틱을 이용하여 형성될 경우, 절곡된 형태 또는 만곡된 형태를 갖는 날개부들(WP)을 쉽게 구현할 수 있다. 다시 말하면, 플레이트들(PL)을 적은 비용으로 쉽게 양산할 수 있다.
제1 케이스(CAS1)의 바닥부(BOP)는 제1 두께(T1)를 가질 수 있다. 제1 케이스(CAS1)의 측벽부(SWP)는 제2 두께(T2)를 가질 수 있다. 제1 두께(T1)는 제2 두께(T2)보다 클 수 있다.
도 5는 메모리 모듈의 프레임을 나타내는 사시도이다. 도 6은 프레임과 제1 및 제2 메모리 패키지들을 서로 결합하여 메모리 모듈을 형성하는 것을 나타내는 사시도이다. 도 7은 메모리 모듈을 측면에서 바라본 측면도이다.
도 5, 도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 케이스(CAS1) 상에 메모리 모듈(MM)이 배치될 수 있다. 메모리 모듈(MM)은 제1 및 제2 케이스들(CAS1, CAS2)의 내부 공간에 배치될 수 있다. 메모리 모듈(MM)은 제1 메모리 패키지(MPK1), 제2 메모리 패키지(MPK2), 제1 및 제2 메모리 패키지들(MPK1, MPK2) 사이에 샌드위치된 프레임(FR), 캐패시터(CAP), 및 커넥터(CNE, 도 2b 참조)를 포함할 수 있다.
제1 메모리 패키지(MPK1)는 제1 패키지 기판(PS1) 및 제1 패키지 기판(PS1) 상에 실장된 제1 메모리 칩들(MC1)을 포함할 수 있다. 제1 메모리 칩들(MC1)은, 제1 패키지 기판(PS1)의 상면 및 바닥면 상에 배치될 수 있다. 제2 메모리 패키지(MPK2)는 제2 패키지 기판(PS2) 및 제2 패키지 기판(PS2) 상에 실장된 제2 메모리 칩들(MC2)을 포함할 수 있다. 제2 메모리 칩들(MC2)은, 제2 패키지 기판(PS2)의 상면 및 바닥면 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 패키지 기판들(PS1, PS2) 각각은 인쇄회로기판(PCB)일 수 있다. 일 예로, 제1 및 제2 메모리 패키지들(MPK1, MPK2) 각각은 SSD(Solid State Drive) 패키지일 수 있다.
캐패시터(CAP)는 프레임(FR)의 일 측에 제공되어, 제1 및 제2 메모리 패키지들(MPK1, MPK2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 캐패시터(CAP)는 원통 형태를 가질 수 있다. 커넥터(CNE)는 제1 패키지 기판(PS1) 상에 결합될 수 있다. 커넥터(CNE)는 제1 케이스(CAS1)의 제1 리세스 영역(RS1)을 통해 외부로 노출될 수 있다.
제1 및 제2 메모리 패키지들(MPK1, MPK2)을 서로 전기적으로 연결하는 연성인쇄회로필름(FPC)이 제공될 수 있다. 연성인쇄회로필름(FPC)은 도전 라인들을 포함할 수 있고, 도전 라인들을 통해 제1 및 제2 메모리 패키지들(MPK1, MPK2)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
프레임(FR)은 제1 프레임(FR1) 및 제2 프레임(FR2)을 포함할 수 있다. 제1 프레임(FR1)과 제2 프레임(FR2)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 프레임(FR1)은 금속(예를 들어, 알루미늄)을 포함할 수 있고, 제2 프레임(FR2)은 플라스틱(예를 들어, PE, PP, PS 또는 PVC)을 포함할 수 있다. 그러나 이는 특별히 제한되는 것은 아니다. 다른 예로 제1 프레임(FR1) 및 제2 프레임(FR2)은 서로 동일한 플라스틱으로 형성되고, 이들은 하나의 프레임(FR)을 구성할 수 있다.
제1 프레임(FR1)은 제2 방향(D2)으로 서로 평행하게 연장되는 제1 연장부(EP1) 및 제2 연장부(EP2)를 포함할 수 있다. 제1 프레임(FR1)은 제1 방향(D1)으로 서로 평행하게 연장되는 제3 연장부(EP3) 및 제4 연장부(EP4)를 포함할 수 있다. 제3 연장부(EP3)는 제1 연장부(EP1)의 제1 단과 2 연장부의 제1 단을 연결할 수 있다. 제4 연장부(EP4)는 제1 연장부(EP1)의 제2 단과 제2 연장부(EP2)의 제2 단을 연결할 수 있다. 제1 연장부(EP1)의 제2 단은 제1 단에 대향(opposite)할 수 있으며, 제2 연장부(EP2)의 제2 단은 제1 단에 대향(opposite)할 수 있다. 평면적 관점에서, 제1 프레임(FR1)은 네 변들을 갖는 사각형의 형태를 가질 수 있다.
제1 연장부(EP1)의 외측벽(SWe)은 굴곡질 수 있다. 연성인쇄회로필름(FPC)이 제1 연장부(EP1)의 외측벽(SWe)을 덮을 수 있다. 다시 말하면, 연성인쇄회로필름(FPC)은 제1 연장부(EP1)의 외측벽(SWe)의 프로파일을 따라 휘어질 수 있다.
제1 연장부(EP1)는 제3 방향(D3)으로 제1 높이(H1)를 가질 수 있고, 제2 연장부(EP2)는 제3 방향(D3)으로 제2 높이(H2)를 가질 수 있다. 제1 높이(H1)와 제2 높이(H2)는 서로 실질적으로 동일할 수 있다. 다시 말하면, 제1 연장부(EP1)의 상면(TO1)과 제2 연장부(EP2)의 상면(TO2)은 서로 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있고, 제1 연장부(EP1)의 바닥면(BO1)과 제2 연장부(EP2)의 바닥면(BO2)은 서로 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있다.
제3 연장부(EP3)는 제3 방향(D3)으로 제3 높이(H3)를 가질 수 있고, 제4 연장부(EP4)는 제3 방향(D3)으로 제4 높이(H4)를 가질 수 있다. 제3 높이(H3)와 제4 높이(H4)는 서로 실질적으로 동일할 수 있다. 제3 높이(H3)와 제4 높이(H4) 각각은 제1 높이(H1)와 제2 높이(H2) 각각보다 작을 수 있다. 제3 및 제4 연장부들(EP3, EP4)의 바닥면들(BO3, BO4)은 제1 및 제2 연장부들(EP1, EP2)의 바닥면들(BO1, BO2)과 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있다. 제3 및 제4 연장부들(EP3, EP4)의 상면들(TO3, TO4)은 제 제1 및 제2 연장부들(EP1, EP2)의 상면들(TO1, TO2)보다 낮을 수 있다. 다시 말하면, 제3 및 제4 연장부들(EP3, EP4)은 제1 연장부(EP1)의 바닥면(BO1)과 제2 연장부(EP2)의 바닥면(BO2)을 서로 연결할 수 있다.
제1 패키지 기판(PS1)이 제1 내지 제4 연장부들(EP1-EP4)의 바닥면들(BO1-BO4) 상에 배치되어, 이들과 접촉할 수 있다. 제2 패키지 기판(PS2)이 제1 및 제2 연장부들(EP1, EP2)의 상면들(TO1, TO2) 상에 배치되어, 이들과 접촉할 수 있다. 제3 및 제4 연장부들(EP3, EP4) 각각의 높이가 제1 및 제2 연장부들(EP1, EP2) 각각의 높이보다 낮기 때문에, 제2 패키지 기판(PS2)은 제3 및 제4 연장부들(EP3, EP4)의 상면들(TO3, TO4)과는 수직적으로 이격될 수 있다.
제1, 제2 및 제3 연장부들(EP1, EP2, EP3)과 제2 패키지 기판(PS2)에 의해 제1 오프닝(OP1)이 정의될 수 있다. 제1, 제2 및 제4 연장부들(EP1, EP2, EP4)과 제2 패키지 기판(PS2)에 의해 제2 오프닝(OP2)이 정의될 수 있다. 다시 말하면, 제2 패키지 기판(PS2)이 제3 및 제4 연장부들(EP3, EP4)과는 수직적으로 이격되기 때문에, 제1 및 제2 오프닝들(OP1, OP2)이 정의될 수 있다.
제1 및 제2 오프닝들(OP1, OP2)을 통하여, 제1 패키지 기판(PS1) 상에 실장된 제1 메모리 칩들(MC1) 및 제2 패키지 기판(PS2) 상에 실장된 제2 메모리 칩들(MC2)이 노출될 수 있다. 제1 및 제2 메모리 칩들(MC1, MC2)이 노출되기 때문에, 이들로부터 발생되는 열이 공기의 흐름을 통해 방출될 수 있다. 구체적으로, 제1 오프닝(OP1)은 에어 홀들(AH)이 형성된 플레이트들(PL)과 인접할 수 있고, 제2 오프닝(OP2)은 제1 리세스 영역(RS1)과 인접할 수 있다. 제1 리세스 영역(RS1)과 상기 에어 홀들(AH) 사이에서 공기가 일 방향으로 흐를 수 있다. 공기는 제1 및 제2 오프닝들(OP1, OP2) 사이를 흐르고, 제1 및 제2 메모리 칩들(MC1, MC2)로부터 발생된 열을 수용하여 외부로 방출시킬 수 있다.
제2 프레임(FR2)은 수직하게 돌출된 제2 후크부들(HO2)을 포함할 수 있다. 제2 후크부들(HO2) 중 일부는 제1 패키지 기판(PS1)에 체결되어, 제1 패키지 기판(PS1)을 프레임(FR) 상에 고정시킬 수 있다. 제2 후크부들(HO2) 중 나머지는 제2 패키지 기판(PS2)에 체결되어, 제2 패키지 기판(PS2)을 프레임(FR) 상에 고정시킬 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 제2 프레임(FR2)은 탄성을 갖는 플라스틱으로 형성될 수 있다. 따라서 제1 및 제2 패키지 기판들(PS1, PS2)을 프레임(FR)에 고정시킬 때, 제2 후크부들(HO2)이 탄성 변형되어 제1 및 제2 패키지 기판들(PS1, PS2)과 쉽게 체결될 수 있다. 반면 제1 프레임(FR1)은 열전달률이 우수한 금속으로 형성될 수 있다. 이로써 제1 및 제2 메모리 칩들(MC1, MC2)로부터 발생된 열을 빠르게 외부로 방출시킬 수 있다.
제1 프레임(FR1)은 함몰된 제4 리세스 영역들(RS4)을 포함할 수 있고, 제2 프레임(FR2)은 함몰된 제5 리세스 영역들(RS5)을 포함할 수 있다. 제4 및 제5 리세스 영역들(RS4, RS5)은 제1 체결부들(FAP1)의 기둥부들(PIP)과 맞물려 결합될 수 있다. 제1 패키지 기판(PS1)은 제1 체결부들(FAP1)의 베이스부들(BSP)의 상면들 상에 배치되어, 이들과 직접 접촉할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 캐패시터(CAP)는 제1 케이스(CAS1)의 바닥부(BOP) 상에 패드(PAD) 상에 배치되어, 이와 직접 접촉할 수 있다. 패드(PAD)는 완충재를 포함하고 있어, 캐패시터(CAP)를 외부의 충격으로부터 보호할 수 있다.
도 2b를 다시 참조하면, 제2 케이스(CAS2)는, 네 변들을 갖는 패널 형태를 가질 수 있다. 제2 케이스(CAS2)의 바닥면은 함몰 영역(DR)을 포함할 수 있다. 함몰 영역(DR)은 캐패시터(CAP)와 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 제2 케이스(CAS2)가 제1 케이스(CAS1) 상에 배치되고, 메모리 모듈(MM)의 캐패시터(CAP)의 상부는 제2 케이스(CAS2)의 함몰 영역(DR) 내에 삽입될 수 있다.
제2 케이스(CAS2)는, 그의 일 변에서 수직하게 돌출된 돌출 측벽(PSW)을 포함할 수 있다. 돌출 측벽(PSW)은 제1 케이스(CAS1)의 제2 리세스 영역(RS2)에 맞물릴 수 있다. 돌출 측벽(PSW)이 제2 리세스 영역(RS2)과 맞물린 후에도, 제1 케이스(CAS1)의 제1 리세스 영역(RS1)은 커넥터(CNE)를 외부로 노출시킬 수 있다.
제2 케이스(CAS2)는 제2 체결부들(FAP2)을 포함할 수 있다. 제2 체결부들(FAP2)의 위치는 제1 체결부들(FAP1)의 위치에 대응할 수 있다. 제2 체결부는 나사(SC)가 관통할 수 있는 관통 홀(TH)을 포함할 수 있다. 관통 홀(TH)은 제1 체결부(FAP1)의 기둥부(PIP)의 나사 홀(SCH)과 연결될 수 있다. 나사(SC) 가 제2 체결부(FAP2)의 관통 홀(TH)과 제1 체결부(FAP1)의 나사 홀(SCH)에 결합됨으로써, 제1 케이스(CAS1) 상에 제2 케이스(CAS2)가 고정될 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 예에 따른 메모리 모듈의 프레임을 나타내는 사시도이다. 본 실시예에서는, 앞서 도 5, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한 것과 중복되는 기술적 특징에 대한 상세한 설명은 생략하고, 차이점에 대해 상세히 설명한다.
도 6, 도 7 및 도 8을 참조하면, 프레임(FR)은 제2 연장부(EP2)의 상부에 결합된 보드(BOA) 및 보드(BOA)의 일 면 상의 열전달 필름(thermal interface film, TIM)을 포함할 수 있다. 일 예로, 열전달 필름(TIM)은 프레임(FR) 상에 배치되는 제1 메모리 패키지(MPK1)의 제1 메모리 칩들(MC1)과 접촉할 수 있다.
열전달 필름(TIM)은 상대적으로 높은 열 전도도를 가질 수 있다. 예를 들어, 열전달 필름(TIM)은 열 전도도가 높은 입자들을 포함할 수 있다. 열전달 필름(TIM)을 통해 제1 메모리 칩들(MC1)로부터 발생된 열이 빠르게 외부로 방출될 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명은 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수도 있다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.

Claims (20)

  1. 제1 케이스;
    상기 제1 케이스 상의 제2 케이스;
    플래시 메모리를 포함하는 메모리 모듈, 상기 메모리 모듈은 상기 제1 및 제2 케이스들 사이의 내부 공간 내에 배치되고; 및
    상기 제1 및 제2 케이스들 사이에 개재된 플레이트를 포함하되,
    상기 플레이트는 에어 홀 및 날개부를 포함하고,
    상기 제1 케이스의 측벽부는, 상기 제1 케이스의 바닥부를 향해 리세스된 제1 리세스 영역을 포함하며,
    상기 제1 리세스 영역은 가이드부를 포함하고,
    상기 플레이트는 돌출부를 포함하며,
    상기 가이드부는 상기 돌출부를 수용하도록 구성되는 솔리드 스테이트 드라이브.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가이드부는 걸림부를 포함하고,
    상기 돌출부는 후크부를 포함하며,
    상기 플레이트가 상기 제1 리세스 영역에 삽입될 때 상기 후크부와 상기 걸림부가 서로 결합되는 솔리드 스테이트 드라이브.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 돌출부는 서브 돌출부를 포함하고,
    상기 플레이트가 상기 제1 리세스 영역에 삽입될 때 상기 서브 돌출부는 상기 가이드부의 홀과 맞물리는 솔리드 스테이트 드라이브.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 케이스의 상기 바닥부의 두께는 상기 제1 케이스의 상기 측벽부의 두께보다 큰 솔리드 스테이트 드라이브.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 날개부는, 제1 부분 및 상기 제1 부분보다 상기 제1 케이스의 상기 내부 공간에 더 가까운 제2 부분을 포함하고,
    상기 제1 부분은 상기 제2 부분과 다른 레벨에 위치하는 솔리드 스테이트 드라이브.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 에어 홀은 외부로부터 상기 내부 공간으로 공기가 흐를 수 있도록 하는 솔리드 스테이트 드라이브.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 날개부는 절곡된 형태(bent shape) 또는 만곡된 형태(curved shape)를 갖는 솔리드 스테이트 드라이브.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 케이스의 상기 바닥부 상의 패드를 더 포함하되,
    상기 패드는 상기 메모리 모듈을 보호하도록 구성되는 솔리드 스테이트 드라이브.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 메모리 모듈은 상기 플래시 메모리와 연결되는 캐패시터를 포함하고,
    상기 패드는 상기 캐패시터 아래에 제공되는 솔리드 스테이트 드라이브.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 케이스는, 상기 메모리 모듈의 커넥터를 노출하는 제2 리세스 영역을 포함하고,
    상기 제2 리세스 영역과 상기 에어 홀은, 외부와 상기 내부 공간 사이에서 공기가 흐를 수 있도록 하는 솔리드 스테이트 드라이브.
  11. 제1 케이스;
    상기 제1 케이스 상의 제2 케이스; 및
    상기 제1 케이스의 리세스 영역 내에 배치된 플레이트를 포함하되,
    상기 제1 케이스와 상기 제2 케이스는 서로 결합되어 그들 사이에 메모리 모듈이 배치되는 내부 공간을 형성하고;
    상기 플레이트는 제1 날개부와 제2 날개부 사이의 에어 홀을 포함하며,
    상기 제1 케이스의 측벽부는, 상기 제1 케이스의 바닥부를 향해 리세스되어 상기 리세스 영역을 정의하고,
    상기 제1 케이스는 상기 리세스 영역을 따라 형성된 가이드부를 포함하며,
    상기 가이드부는 상기 플레이트를 수용하도록 구성되는 솔리드 스테이트 드라이브.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 가이드부와 맞물리는 돌출부를 더 포함하는 솔리드 스테이트 드라이브.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 가이드부는 걸림부를 포함하고,
    상기 돌출부는 후크부를 포함하며,
    상기 플레이트가 상기 리세스 영역에 삽입될 때 상기 후크부와 상기 걸림부가 서로 결합되는 솔리드 스테이트 드라이브.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 돌출부는 서브 돌출부를 포함하고,
    상기 플레이트가 상기 리세스 영역에 삽입될 때 상기 서브 돌출부는 상기 가이드부의 홀과 맞물리는 솔리드 스테이트 드라이브.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 날개부들 각각은:
    상기 제1 케이스의 외부에 인접하는 제1 부분; 및
    상기 제1 및 제2 케이스들 사이의 상기 내부 공간을 향해 돌출되는 제2 부분을 포함하고,
    상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 서로 만나 각(angle)을 형성하는 솔리드 스테이트 드라이브.
  16. 제1 케이스
    상기 제1 케이스 상의 제2 케이스; 및
    상기 제1 및 제2 케이스들 사이의 내부 공간 내에 배치된 메모리 모듈; 및
    상기 제1 케이스의 리세스 영역 내에 배치된 플레이트를 포함하되,
    상기 플레이트는 제1 날개부와 제2 날개부 사이의 에어 홀을 포함하며,
    상기 메모리 모듈은:
    제1 플래시 메모리 패키지;
    상기 제1 플래시 메모리 패키지 상의 제2 플래시 메모리 패키지; 및
    상기 제1 및 제2 플래시 메모리 패키지들 사이의 프레임을 포함하고,
    상기 프레임은:
    제1 방향으로 연장되는 제1 연장부; 및
    상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 연장부를 포함하고,
    상기 제1 연장부의 높이는 상기 제2 연장부의 높이보다 큰 솔리드 스테이트 드라이브.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 플래시 메모리 패키지들 각각은:
    패키지 기판; 및
    상기 패키지 기판 상에 실장된 플래시 메모리 칩을 포함하고,
    상기 제1 플래시 메모리 패키지의 상기 패키지 기판은 상기 제1 및 제2 연장부들 상에 배치되고,
    상기 제2 플래시 메모리 패키지의 상기 패키지 기판은 상기 제1 연장부 상에 배치되며 상기 제2 연장부와는 이격되는 솔리드 스테이트 드라이브.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 플래시 메모리 패키지들의 상기 플래시 메모리 칩들은, 상기 제2 플래시 메모리 패키지의 상기 패키지 기판과 상기 제2 연장부 사이의 오프닝에 의해 노출되는 솔리드 스테이트 드라이브.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 에어 홀은 상기 오프닝에 인접하는 솔리드 스테이트 드라이브.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 제1 연장부는, 서로 평행하게 상기 제1 방향으로 연장되는 한 쌍의 제1 연장부들을 포함하고,
    상기 제2 연장부는, 서로 평행하게 상기 제2 방향으로 연장되는 한 쌍의 제2 연장부들을 포함하며,
    상기 한 쌍의 제2 연장부들 각각은, 상기 한 쌍의 제1 연장부들을 서로 연결하는 솔리드 스테이트 드라이브.
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