JP2016207785A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の実施形態は、放熱効率を向上させる。【解決手段】実施形態の半導体装置は、筐体と、前記筐体に収容され、第一の面と、該第一の面とは反対側に位置した第二の面と、前記第一の面及び前記第二の面を貫通した開口部と、を有した第一の基板と、前記第一の基板に設けられ、前記第二の面と面した第三の面を有した制御部と、前記第二の面に設けられた記憶部と、前記第三の面に設けられるとともに、前記制御部と熱的に接続された接続部と、前記第三の面に設けられるとともに、前記制御部と前記基板とを電気的に接続した導電部と、前記接続部と接し、前記開口部を通って前記基板を貫通するとともに、前記筐体と前記制御部とを熱的に接続した第一の熱伝導部材と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、一般的に、半導体装置に関する。

従来、放熱構造を有する半導体装置が知られている。

特開２０１０−１７１０３０号公報

本発明の実施形態は、放熱効率を向上させる。

実施形態の半導体装置は、筐体と、前記筐体に収容され、第一の面と、該第一の面とは反対側に位置した第二の面と、前記第一の面及び前記第二の面を貫通した開口部と、を有した第一の基板と、前記第一の基板に設けられ、前記第二の面と面した第三の面を有した制御部と、前記第二の面に設けられた記憶部と、前記第三の面に設けられるとともに、前記制御部と熱的に接続された接続部と、前記第三の面に設けられるとともに、前記制御部と前記基板とを電気的に接続した導電部と、前記接続部と接し、前記開口部を通って前記基板を貫通するとともに、前記筐体と前記制御部とを熱的に接続した第一の熱伝導部材と、を備える。

第１実施形態にかかる半導体装置の一例を示す斜視図。 図１の半導体装置が備える素子の模式的な機能ブロック図。 第１実施形態にかかる半導体装置の一例を示す断面図。 第１実施形態にかかる半導体装置の制御部の熱伝導パッドの形状の一例を示す平面図。 熱伝導パッドの他の形状例を示す平面図。 熱伝導パッドの他の形状例を示す平面図。 第２実施形態にかかる半導体装置の一例を示す断面図。 第３実施形態にかかる半導体装置の一例を示す断面図。 第４実施形態にかかる半導体装置の一例を示す斜視図。 第４実施形態にかかる半導体装置の一例を示す断面図。 第４実施形態にかかる半導記憶体装置に使用する熱伝導部材の一例を示す斜視図。 第５実施形態にかかる半導体装置の一例を示す断面図。

以下の例示的な複数の実施形態や変形例には、同様の構成要素が含まれている。

本明細書では、いくつかの要素に複数の表現の例を付している。なおこれら表現の例はあくまで例示であり、上記要素が他の表現で表現されることを否定するものではない。また、複数の表現が付されていない要素についても、別の表現で表現されてもよい。

また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係や各層の厚みの比率などは現実のものと異なることがある。また、図面相互間において互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることもある。

（第１実施形態）
本実施形態にかかる半導体装置１３０は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）装置であり、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリを使用した大容量のデータ記憶装置である。半導体装置１３０は、一例として、ケース１２（ハウジング、筐体、カバー）を備え、このケース１２の内部に第一の基板１４（プリント配線板：PWB(Printed Wiring Board)、生基板、マザーボード）が固定されている。第一の基板１４は、少なくとも１つの素子１６（半導体部品、電子部品、パッケージ部品）を備えている。

素子１６は、第二の基板１８（PWB、生基板、ベアボード）と、当該第二の基板１８上に設けられた少なくとも１つ記憶部２０（第一電子部品、記憶チップ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ、Ｓｉチップ、ダイ）と、その記憶部２０を制御する制御部２２（第二電子部品、制御チップ、コントローラ、Ｓｉチップ、ダイ）を備えている。素子１６は、それ単独でも記憶装置として機能可能な、いわゆる１パッケージＳＳＤを構成している。また、素子１６は、記憶部２０や制御部２２が樹脂で被覆されない、いわゆる「ベアチップ」である。

制御部２２や記憶部２０を第二の基板１８にフリップチップ実装することにより素子１６の厚みを低減して、素子１６の小型化（薄型化）に寄与することができる。さらに、素子１６を実装する半導体装置１３０の小型化（薄型化）に寄与することができる。

なお、図１に示す半導体装置１３０の場合、ケース１２内部に固定された第一の基板１４に複数の素子１６を設けることで、半導体装置１３０全体としての記憶容量を増加させている。図１の場合、第一の基板１４が、２個の素子１６を有する例を示しているが、素子１６の数は、半導体装置１３０に要求される記憶容量に応じて適宜選択可能であり、例えば、１個でもよいし、３個以上でもよい。

ケース１２は、例えば、第一のカバー１２ａ（上カバー、蓋、上部筐体）と、第二のカバー１２ｂ（下カバー、ケース本体、下部筐体）とを備える。第一のカバー１２ａは、第二のカバー１２ｂの収納領域に第一の基板１４が固定された状態で、第二のカバー１２ｂに組み合わせられて、締結部材２４（ネジ、ボルト、クリップ）によって一体化される。

第一の基板１４や素子１６（第二の基板１８、記憶部２０、制御部２２）をケース１２で覆うことにより、外力が第一の基板１４や素子１６に付与されることを抑制する。つまり、半導体装置１３０の保護性能を向上するとともに、防塵性能を向上することができる。なお、図１の場合、締結部材２４として、例えば６本のネジを示したが、締結部材２４の本数は適宜変更可能である。例えば、第一のカバー１２ａと第二のカバー１２ｂとが、互いに引っ掛かる結合部を有する場合、その結合部の結合状態を維持するように１本や２本のネジで第一のカバー１２ａと第二のカバー１２ｂとを一体化してもよい。

半導体装置１３０の場合、例えば、第二のカバー１２ｂの外面１２ｃには、当該半導体装置１３０が接続される機器（不図示）に電気的に接続されてデータの入出力を行ったり、電力の供給を受けたりするためのケースコネクタ１２ｄが設けられている。なお、図示を省略しているが、第一の基板１４には、ケースコネクタ１２ｄに電気的に接続される内部コネクタが設けられている。ケースコネクタ１２ｄは、半導体装置１３０の用途に応じて、適宜変更可能である。

例えば、半導体装置１３０が、コンピュータの内部でマザーボード等に接続される内蔵型の場合、図１に示すような複数のピンを備えるケースコネクタ１２ｄ（ピンコネクタ）を備えることができる。また、半導体装置１３０が、コンピュータに外部接続される外付け型の場合、ケースコネクタ１２ｄに代えて、ユニバーサル・シリアル・バス（Universal Serial Bus：ＵＳＢ）や電源端子を備えることができる。

図２は、図１に示す半導体装置１３０が備える素子１６の模式的な機能ブロック図である。記憶部２０は、不揮発性メモリであって、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。記憶部２０は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリには限定されず、ＲＥＲＡＭ（resistance random access memory）や、ＦＥＲＡＭ（ferroelectric random access memory）等であってもよい。

記憶部２０は、半導体装置１３０の外部（ホスト装置）から送信されるユーザデータや、素子１６の内部のみで使用されるシステムデータ等を記憶する。また、記憶部２０は、第二の基板１８上に複数個が配列されて固定されている。図１の場合、一例として、１枚の第二の基板１８の上に３個の記憶部２０が固定されている。第二の基板１８上に固定される記憶部２０の数は半導体装置１３０に要求される記憶容量に応じて変更可能であり、１個でもよいし２個でもよい。また、４個以上でもよい。個々の記憶部２０は２値または多値記憶が可能である。

データバッファ２８は、データを一時的に保持する。データバッファ２８は、例えば、ＤＲＡＭ（dynamic static random access memory）である。なお、データバッファ２８は、ＤＲＡＭには限定されず、ＳＲＡＭ（static random access memory）等であってもよい。データバッファ２８は制御部２２とは独立して設けられてもよいし、制御部２２の内部に組み込み型メモリとして実装されてもよい。

制御部２２は、記憶部２０を制御する。制御部２２の機能は、例えば、記憶部２０または制御部２２が有するＲＯＭ（read only memory）等に記憶されるファームウエアを実行するプロセッサや、ハードウエア等によって実現されうる。制御部２２は、ホスト装置からのコマンドにしたがって、記憶部２０からデータを読み出したり、記憶部２０にデータを書き込んだりする。

また、制御部２２は、例えばメモリインタフェース部２２ａ（メモリＩ／Ｆ部）、データ管理部２２ｂ、読み出し制御部２２ｃ、書き込み制御部２２ｄ、ＥＣＣエンコーダ２２ｅ、ＥＣＣデコーダ２２ｆ等を備える。

メモリインタフェース部２２ａは、書き込み制御部２２ｄ等の制御に従ってＥＣＣエンコーダ２２ｅから入力された符号語を記憶部２０に書込む。また、メモリインタフェース部２２ａは、読み出し制御部２２ｃ等の制御に従って記憶部２０から符号語を読み出し、ＥＣＣデコーダ２２ｆに転送する。

データ管理部２２ｂは、データを記憶部２０上のどの位置に格納するかを管理する。データ管理部２２ｂは、ホスト装置から与えられる論理アドレスと記憶部２０上の物理位置とを対応付けるアドレス変換テーブル２２ｇを持ち、記憶部２０上のブロックの使用状況に応じてガーベジコレクトを行う。

読み出し制御部２２ｃは、ホスト装置から内部コネクタ３０を介して通知されたコマンドに従い、記憶部２０からデータを読み出すための処理を実行する。具体的に、読み出し制御部２２ｃは、リードデータの論理アドレスに対応する記憶部２０上の物理位置をデータ管理部２２ｂから取得し、当該物理位置を、メモリインタフェース部２２ａに通知する。読み出されたデータは、ＥＣＣデコーダ２２ｆやデータバッファ２８等を介してホスト装置に向けて送信される。

書き込み制御部２２ｄは、ホスト装置から内部コネクタ３０を介して通知されたコマンドに従い、記憶部２０にデータを書き込むための処理を実行する。具体的に、書き込み制御部２２ｄは、データを書込むべき記憶部２０上の物理位置をデータ管理部２２ｂから取得し、当該物理位置とＥＣＣエンコーダ２２ｅから出力される符号語を、メモリインタフェース部２２ａに出力する。

ＥＣＣエンコーダ２２ｅは、データバッファ２８に保持されたデータを符号化して、データと冗長部（パリティ）とを有する符号語を生成する。ＥＣＣデコーダ２２ｆは、記憶部２０から読み出された符号語をメモリインタフェース部２２ａから取得し、取得した符号語を復号する。ＥＣＣデコーダ２２ｆは、復号時に誤り訂正に失敗した場合は、読み出し制御部２２ｃにリードエラーを通知する。

ところで、制御部２２の使用周波数が高くなるのに対応して、制御部２２における発熱量が増加し、制御部２２や周囲の部品を加熱してしまうことがある。そのため、制御部２２の放熱を効果的に行うことができれば制御部２２や隣接する記憶部２０の熱による機能の低下や寿命の短縮を抑制できる。

そこで、本実施形態の半導体装置１３０は、第一の熱伝導部材１３２が設けられており、第一の熱伝導部材１３２を介してケース１２の例えば第二のカバー１２ｂと熱的に接続（密着）されている。尚、本実施形態において「熱的に接続」とは、例えば空気（外気）よりも高い熱伝導率を有した媒体を介して、積極的に熱輸送がされる構成を指す。換言すれば、熱の流れる方向を制御可能な構成であればよく、必ずしも直接接触している必要は無い。

図３は、第１実施形態にかかる半導体装置１３０の一例を示す断面図である。図３は、素子１６を拡大した半導体装置１０の断面図である。図１及び図３に示すように、ケース１２に収納された第一の基板１４は、第一の面１４ａ（第一表面、実装面、第一基板面、上面）と、この第一の面１４ａとは反対側の裏面１４ｂ（下面、裏面、底面）と、側面１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆを有する扁平な板状部品である。

図３では、図示を省略しているが、第一の基板１４は、合成樹脂を重ねて形成された多層構造になっており、例えば８層構造になっている。各層の表面には、様々な形状の配線パターンが形成されている。例えば信号の送受信を行う信号層、グランド層、電源層等が形成されている。なお、第一の基板１４の層数は８層に限られない。また、各層の配線パターンの種類は適宜変更可能であり、例えば、異なる種類の配線パターンが同一の層に存在してもよいし、配線パターンが存在しない層があってもよい。

また、別の実施形態では、第一の基板１４は、片面基板（１層基板）や両面基板（２層基板）であってもよい。第一の基板１４が片面基板である場合、第一の面１４ａにグランドパターンや信号パターン、電源パターンなどが形成される。また、第一の基板１４が両面基板の場合、第一の面１４ａと裏面１４ｂとでグランドパターンや信号パターン、電源パターンなどが適宜振り分けられて形成される。なお、第一の基板１４の側面１４ｆは、ケースコネクタ１２ｄに接続される内部コネクタ３０（インターフェース、ＳＡＴＡ（Serial ATA）、接栓、図２参照）を備える。第一の基板１４の内層に形成された図示を省略した信号層、グランド層、電源層等は、内部コネクタ３０の所定の端子ピンに電気的に接続され、さらに、ケースコネクタ１２ｄに接続されている。

第一の基板１４の第一の面１４ａは、１パッケージＳＳＤを構成する素子１６を備える。図３に示すように、素子１６は、第二の基板１８（パッケージ基板、ＢＧＡ基板）と、制御部２２と、記憶部２０を備える。素子１６は、前述したように制御部２２や記憶部２０を覆う被覆部（モールド、補強材、カバー）を有さないベアチップを第二の基板１８に実装したベアチップ半導体である。素子１６は、第一の基板１４の第一の面１４ａにバンプ３２（半田バンプ）を介して電気的に接続されるとともに固定される。

第二の基板１８は、第一の面１４ａと接合された第二の面１８ａ（下面、裏面、底面）と、この第二の面１８ａとは反対側に位置された第三の面１８ｂ（第三表面、実装面、第三基板面、上面、表面、天面）とを有する。また、第二の基板１８は、図１に示すように、側面１８ｃ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆを有する扁平な板状部品である。第二の基板１８は、図示を省略しているが、第一の基板１４と同様に合成樹脂を重ねて形成された多層構造になっている。第二の基板１８の各層の表面には、様々な形状の配線パターンが形成されている。例えば信号の送受信を行う信号層、グランド層、電源層等が形成されている。

ベアチップである制御部２２は、図１に示すように、例えば扁平な直方体の部品であり、第三の面１８ｂと接続するためのバンプ３４（半田バンプ）が形成された第四の面２２ｈ（下面、裏面、底面）と、第四の面２２ｈとは反対側の第五の面２２ｉ（上面、表面、天面）とを備える。

同様にベアチップ部品である記憶部２０は、図１に示すように、例えば扁平な直方体の部品であり、第三の面１８ｂと接続するためのバンプ３４が形成された第六の面２０ａ（下面、裏面、底面）と、第六の面２０ａとは反対側の第七の面２０ｂ（上面、表面、天面）とを備える。

制御部２２および記憶部２０は、例えばフリップチップ実装によりバンプ３４を介して、第二の基板１８の第三の面１８ｂに電気的に接続されるとともに、機械的に接続される。

なお、図１に示すように、制御部２２は、第三の面１８ｂ上で例えば側面１８ｃと側面１８ｆとが交差する角部に近い位置に配置されている。また、３つの記憶部２０は、それぞれ、側面１８ｃと側面１８ｄとが交差する角部に近い位置、側面１８ｄと側面１８ｅとが交差する角部に近い位置、側面１８ｅと側面１８ｆとが交差する角部に近い位置に配置されている。そして、第一の基板１４の第一の面１４ａ上に配置される素子１６同士は、図１に示すように制御部２２が互いに隣接しないように配置される。

このように制御部２２同士を隣接しないように配置することにより、それぞれの制御部２２に接触した第一の熱伝導部材１３２を介して輸送される熱を第二のカバー１２ｂで分散させる。その結果、第二のカバー１２ｂからの放熱効率を向上することができる。

本実施形態の半導体装置１３０は、前述の通り第一の熱伝導部材１３２が設けられており、第一の熱伝導部材１３２を介してケース１２の例えば第二のカバー１２ｂと熱的に接続（密着）されている。すなわち、ケース１２は、第一の壁１２ｅ（第一のカバー１２ａの壁）と、第一の基板１４の第一の壁１２ｅとは反対側に位置され、第一の熱伝導部材１３２が接触する第二の壁１２ｆ（第二のカバー１２ｂの壁）を有している。

そして、第一の熱伝導部材１３２は、第一の基板１４を貫通して、第二の壁１２ｆに熱的に接続（密着）されている。すなわち、第一の熱伝導部材１３２は、制御部２２の第四の面２２ｈに形成された熱伝導パッド１３４と熱的に接続される第十の面１３２ａと、それとは反対側で第二のカバー１２ｂの第二の壁１２ｆと熱的に接続される第十一の面１３２ｂを備える、例えば棒状の部材である。

第一の基板１４や第二の基板１８を貫通する第一の熱伝導部材１３２は、制御部２２で発生した熱が第一の基板１４や第二の基板１８に輸送されることを抑制しつつ、第四の面２２ｈを介して第二のカバー１２ｂに向けて輸送することができる。

図４は、制御部２２を第四の面２２ｈ側から見た平面図であり、第一の熱伝導部材１３２と熱的に接続（密着）される熱伝導パッド１３４の形状を示す図である。図４に示す例の場合、熱伝導パッド１３４は、第四の面２２ｈの例えば中央領域に正方形の形状で形成されている。熱伝導パッド１３４は例えば熱伝導性のよい銅等の金属で構成することができる。なお、熱伝導パッド１３４の周囲には、制御部２２の信号の入出力を行うためのバンプ３４が複数個配列され、第二の基板１８の第三の面１８ｂと電気的に接続できるようになっている。

なお、熱伝導パッド１３４の形状は、図４に示す正方形に限らす、図５に示すように、四角枠形状の熱伝導パッド１３４ａでもよい。この場合、熱伝導パッド１３４ａの四角枠形状の内側にもバンプ３４が配置できる。例えば、制御部２２の構成上の都合で、バンプ３４を第四の面２２ｈの中央領域に配置する必要がある場合には、このような四角枠形状の熱伝導パッド１３４ａが採用できる。

また、図６に示すように、図４に示す熱伝導パッド１３４より小形の正方形の熱伝導パッド１３４ｂを複数個（図６の場合は４個）分散して配置してもよい。この場合も制御部２２の構成上の都合で第四の面２２ｈでバンプ３４を配置する場所が決められている場合に、バンプ３４の位置を避けて熱伝導パッド１３４ｂを配置することができる。

なお、本実施形態において熱伝導パッド１３４（１３４ｂ）は、少なくとも第一の熱伝導部材１３２と制御部２２とを熱的に接続する構成であればよい。また、第二のカバー１２ｂ（ケース）と制御部２２とが第一の熱伝導部材１３２を介して熱的に接続される構成であれば、熱伝導パッド１３４（１３４ｂ）は必ずしも必要ではない。

その他、熱伝導パッド１３４は記憶部２０の方向に寄せて配置されても良い。換言すれば、熱伝導パッド１３４は、制御部２２の中心と記憶部２０との間の領域に位置しても良い。尚ここでの「制御部２２の中心」とは、制御部２２の第四の面２２ｈと第五の面２２ｉを除いたそれぞれの側面からの距離が等しい位置を指すとする。一般にメモリＩ／Ｆ部２２ａは、制御部２２において記憶部２０側に寄せて配置される。これは、第二の基板１８において記憶部２０とメモリＩ／Ｆ部２２ａとの配線距離を短くするためである。

メモリＩ／Ｆ部２２ａは、記憶部２０側に寄せて配置されない場合、記憶部２０とメモリＩ／Ｆ部２２ａとの配線距離が長くなり、寄生容量、寄生抵抗、及び寄生インダクタンス等が増え、信号配線の特性インピーダンスの維持が困難になる。また、信号遅延の原因にもなり得る。

したがって、一般にメモリＩ／Ｆ部２２ａは、制御部２２において記憶部２０側に寄せて配置される。さらに制御部２２では、メモリＩ／Ｆ部２２ａが位置する部分は温度が上がりやすい。これは、記憶部２０と制御部２２の間におけるデータのやり取り等で、制御部２２（メモリＩ／Ｆ部２２ａ）に負荷がかかるためである。

このため、熱伝導パッド１３４は記憶部２０の方向に寄せて配置されることで、制御部２２の中で最も発熱の大きい領域と近い位置に放熱経路を設けることになり、より効率的に制御部２２の放熱を行うことが可能である。なお、熱伝導パッド１３４，１３４ａ，１３４ｂは必ずしも必要な構成ではないため、熱伝導パッド１３４，１３４ａ，１３４ｂが存在しない場合は、制御部２２と当接する第一の熱伝導部材１３２が記憶部２０の方向に寄せて配置されることで同様の効果が得られる。

なお、熱伝導パッド１３４，１３４ａ，１３４ｂが熱伝導路として機能する面積は、熱伝導効率と、バンプ３４の占有面積と、バンプ３４の配置等によって適宜決めることができる。図４乃至図６に示す熱伝導パッド１３４、１３４ａ，１３４ｂの形状や配置は一例であり、適宜変更可能である。例えば、熱伝導パッド１３４の形状は円形や三角形でもよい。

図３に戻り、第一の熱伝導部材１３２は、熱輸送ができれば、例えば合成樹脂材料（シリコーンゴム、エラストマ、柔軟性樹脂）で形成されてもよいし、銅等の熱伝導性を有する金属で形成されてもよい。第一の熱伝導部材１３２を合成樹脂で形成する場合、第一の熱伝導部材１３２に可撓性を持たせて、熱伝導パッド１３４と第二のカバー１２ｂの第二の壁１２ｆとの間に圧縮状態で介在できるようにしてもよい。

つまり、第一の熱伝導部材１３２は、熱伝導パッド１３４（素子、制御部）と第二のカバー１２ｂ（ケース）の間に挟まれない自由状態のときの厚み方向（挟み込み方向）の寸法が、熱伝導パッド１３４（素子）と第二のカバー１２ｂ（ケース）の間に挟まれたときの厚み方向（挟み込み方向）の寸法より大きくなっている。この場合、第一の熱伝導部材１３２は、熱伝導パッド１３４と第二の壁１２ｆのそれぞれの面に密着して、熱輸送の効率を向上することができる。

また、第一の熱伝導部材１３２自身に粘着性（粘着力）を持たせてもよい。この場合、半導体装置１３０の組立時に、第一の熱伝導部材１３２を第二のカバー１２ｂまたは熱伝導パッド１３４（素子、制御部）の少なくともいずれか一方に仮止めする（貼り付かせる）ことが可能になり、組立効率の向上に寄与することができる。

なお、この粘着性（粘着力）は、少なくとも組立作業に必要な期間の粘着力があればよいが、恒久的に粘着力を有するものでもよい。また、粘着力は、第一の熱伝導部材１３２を貼ったり剥がしたりすることが容易にできる程度の粘着力があればよい。この場合、第一の熱伝導部材１３２の仮止めする際の位置決めやそのやり直しが容易になり作業性の向上に寄与できる。

また、第一の熱伝導部材１３２を銅等の金属の棒状部材で形成する場合、第一の熱伝導部材１３２と熱伝導パッド１３４との接続部分や第一の熱伝導部材１３２と第二の壁１２ｆとの接続部分を半田等の接合材を用いて熱的および機械的に接続するようにしてもよい。機械的に接続することにより、第一の熱伝導部材１３２を介した熱輸送の効率を向上させることができる。なお、第一の熱伝導部材１３２の形状は、熱伝導パッド１３４，１３４ｂの形状に対応させて、直方体でもよいし、熱伝導パッド１３４ａの形状に対応させて角管形状でもよい。

また、筐体の一部に突出部を設け、該突出部が制御部２２の放熱経路となっても良い。したがって、第一の熱伝導部材１３２は例えば第二のカバー１２ｂ（ケース）と一体でも良い。

ところで、制御部２２で発生した熱を第一の熱伝導部材１３２を介して第二のカバー１２ｂ側に輸送する場合、第一の基板１４や第二の基板１８に第一の熱伝導部材１３２が接触すると、輸送中の熱が第一の基板１４や第二の基板１８に輸送されてしまう場合がある。

そこで、本実施形態では、第一の熱伝導部材１３２が第一の基板１４を貫通するときに、第一の基板１４と非接触になるような大きさの貫通孔１３６ａを第一の基板１４に形成している。同様に第一の熱伝導部材１３２が第二の基板１８を貫通するときに、第二の基板１８と非接触になるような大きさの貫通孔１３６ｂを第二の基板１８に形成している。

このように、第一の熱伝導部材１３２を第一の基板１４に貫通させる場合、貫通孔１３６ａの壁と第一の熱伝導部材１３２の外面（側面）との間に空気層が形成されるようにする。これにより、第一の熱伝導部材１３２を介して輸送される熱が第一の基板１４に輸送されてしまうことが抑制できる。

同様に、第一の熱伝導部材１３２を第二の基板１８に貫通させる場合、貫通孔１３６ｂの壁と第一の熱伝導部材１３２の外面（側面）との間に空気層が形成されるようにする。これにより、第一の熱伝導部材１３２を介して輸送される熱が第二の基板１８に輸送されてしまうことが抑制できる。その結果、第一の熱伝導部材１３２により輸送される熱が、第一の基板１４や第二の基板１８を介して記憶部２０に輸送されて制御部２２で発生した熱で記憶部２０側を加熱してしまうことが抑制できる。

上記の説明から、第一の熱伝導部材１３２は第一の基板１４及び第二の基板１８と熱的に接続されていないと言える。したがって本実施形態においては少なくとも、第一の熱伝導部材１３２によって、第一の基板１４及び第二の基板１８への熱の拡散よりも第二のカバー１２ｂ（ケース）への熱の拡散（放熱）が多い構成となればよい。

このように、半導体装置１３０によれば、制御部２２で発生した熱は、第一の熱伝導部材１３２を介して第二のカバー１２ｂに輸送されて放熱される。その結果、制御部２２の放熱が効率的に行われ、制御部２２の熱による機能の低下や寿命の短縮の抑制に寄与できる。また、制御部２２で発生した熱の放熱が効率的にできるので、制御部２２で発生した熱が記憶部２０側に輸送される可能性が低減され、制御部２２で発生した熱が原因で記憶部２０の機能が低下させられたり寿命が短縮させられたりすることが抑制できる。

なお、図３の場合、熱伝導パッド１３４を制御部２２の第四の面２２ｈに形成して、第二の基板１８を貫通する第一の熱伝導部材１３２と接触させる例を示した。別の実施形態では、熱伝導パッド１３４を第二の基板１８の第二の面１８ａに形成して、この熱伝導パッド１３４と熱的に接続（密着）させた第一の熱伝導部材１３２を介して、制御部２２で発生した熱を第二のカバー１２ｂ側に輸送してもよい。

この場合、制御部２２で発生した熱と併せて、記憶部２０で発生して第二の基板１８を介して輸送された熱を第一の熱伝導部材１３２を用いて第二のカバー１２ｂ側に輸送することができる。つまり、素子１６全体で発生している熱を第二のカバー１２ｂ側に輸送して、素子１６の放熱効率を向上させることができる。

（第２実施形態）
図７は、第２実施形態にかかる半導体装置１４０の一例を示す断面図である。半導体装置１４０は、第１実施形態の半導体装置１３０の変形例であり、第一の熱伝導部材１３２は、第二の熱伝導部材１４２を介して第二のカバー１２ｂの第二の壁１２ｆに熱的に接続されている。他の構成は第１実施形態の半導体装置１３０と同じであるので、その詳細な説明は省略する。

第一の熱伝導部材１３２は、第十の面１３２ａが制御部２２の第四の面２２ｈに形成された熱伝導パッド１３４と熱的に接続される。また、第一の熱伝導部材１３２は、第二の基板１８および第一の基板１４を貫通するとともに、第十一の面１３２ｂが第一の基板１４の裏面１４ｂに露出している。第十一の面１３２ｂは、裏面１４ｂから僅かに突出していてもよい。そして、第二の熱伝導部材１４２は、第一の基板１４の裏面１４ｂと第二のカバー１２ｂの第二の壁１２ｆとの間に挟まれるとともに圧縮された状態で介在している。

第二の熱伝導部材１４２は、合成樹脂材料（シリコーンゴム、エラストマ、柔軟性樹脂）で、例えばブロック形状（直方体、立方体）に成形される。第二の熱伝導部材１４２は、第一の熱伝導部材１３２の第十一の面１３２ｂおよび裏面１４ｂと接触するように、貫通孔１３６ａより大きな第十二の面１４２ａを有する。

第二の熱伝導部材１４２の厚みＨ１は、第一の基板１４が第二のカバー１２ｂに例えばネジ等により固定された場合に形成される裏面１４ｂと第二の壁１２ｆとの間の距離Ｈより僅かに大きくされている（Ｈ１＝Ｈ＋β）。そして、図７に示すように、素子１６を支持した状態の第一の基板１４が第二のカバー１２ｂに固定されることにより、第二の熱伝導部材１４２は、第一の基板１４によって第二の壁１２ｆに押し付けられて圧縮させられる。

つまり、第二の熱伝導部材１４２が変形して第一の熱伝導部材１３２に密着するとともに、第二の壁１２ｆにも密着する。その結果、第二の熱伝導部材１４２は、第一の熱伝導部材１３２を介して輸送された制御部２２で発生した熱を第二のカバー１２ｂに効率的に輸送して、第二のカバー１２ｂを介して放熱することができる。

また、第二の熱伝導部材１４２は、可撓性を有するので、例えば第二のカバー１２ｂに外力が加えられた場合でも第二の熱伝導部材１４２でその外力を吸収することができる。その結果、第一の熱伝導部材１３２や制御部２２に第二のカバー１２ｂからの外力が作用することを抑制できる。なお、第二の熱伝導部材１４２は、熱伝導性を向上させるために、カーボン等のフィラーを含んでもよい。

このように、半導体装置１４０によれば、制御部２２で発生した熱は、第一の熱伝導部材１３２および第二の熱伝導部材１４２を介して第二のカバー１２ｂに輸送されて放熱される。その結果、制御部２２の放熱が効率的に行われ、制御部２２が発生した熱により制御部２２の機能が低下させられたり寿命が短縮させられたりすることが抑制できる。また、制御部２２で発生した熱の放熱が効率的にできるので、制御部２２で発生した熱が記憶部２０側に輸送される可能性が低減され、制御部２２が発生した熱により記憶部２０の機能が低下させられたり寿命が短縮させられたりすることが抑制できる。

尚、本実施形態において第一の熱伝導部材１３２は、必ずしも第一の基板１４を貫通する必要はない。たとえば、第一の熱伝導部材１３２は第二の基板１８のみを貫通し、第一の熱伝導部材１３２の第十一の面１３２ｂが第一の基板１４の第一の面１４ａと当接する構成としてもよい。

この場合、制御部２２によって発生した熱は、第一の熱伝導部材１３２を経由して第十一の面１３２ｂから第一の基板１４へと放熱される。放熱された該熱は、第一の基板１４の裏面１４ｂから第二の熱伝導部材１４２へと流れ、最終的に第二のカバー１２ｂに輸送されて放熱される。

以上のように、本実施形態において制御部２０から発生した熱の主たる放熱先が第二のカバー１４ｂであれば、第一の熱伝導部材１３２は必ずしも第一の基板１４及び第二の基板１８を貫通する必要はない。

（第３実施形態）
図８は、第３実施形態にかかる半導体装置１５０の一例を示す断面図である。半導体装置１５０は、第２実施形態の半導体装置１４０の変形例である。例えば、第四の面２２ｈに形成される熱伝導パッド１３４やそれに接続される第一の熱伝導部材１３２の構成は半導体装置１４０と同じである。したがって、第一の熱伝導部材１３２を用いた熱の輸送は同様に行われ、制御部２２で発生した熱がケース１２に輸送され放熱される。

半導体装置１５０の場合、素子１６を支持する第一の基板１４が第二のカバー１２ｂの第二の壁１２ｆに接触した状態で固定されるとともに、第一の基板１４と第二のカバー１２ｂとが熱的に接続されている。前述したように、制御部２２で発生した熱は、第一の熱伝導部材１３２を介して第二のカバー１２ｂに輸送される。また、記憶部２０で発生した熱は、バンプ３４を介して第二の基板１８に輸送され、さらにバンプ３２を介して第一の基板１４に輸送される。そして、第一の基板１４は、第二の壁１２ｆに接触しているので、第一の基板１４に輸送された記憶部２０で発生した熱は、第二の壁１２ｆを介して第二のカバー１２ｂに輸送されて第二のカバー１２ｂで放熱される。

このように、半導体装置１５０によれば、制御部２２で発生した熱は、第一の熱伝導部材１３２を介して第二のカバー１２ｂに輸送されて放熱される。その結果、制御部２２の放熱が効率的に行われ、制御部２２が発生した熱により制御部２２の機能が低下させられたり寿命が短縮させられたりすることが抑制できる。また、第一の基板１４を第二の壁１２ｆに接触させた状態で固定することにより、記憶部２０で発生した熱を効率的に第二のカバー１２ｂに輸送して放熱することができる。その結果、記憶部２０が発生した熱により記憶部２０の機能が低下させられたり寿命が短縮させられたりすることが抑制できる。

（第４実施形態）
図９は、第４実施形態にかかる半導体装置１０の一例を示す斜視図である。また、図１０は、第４実施形態にかかる半導体装置１０の一例を示す断面図である。半導体装置１０において制御部２２には、第三の熱伝導部材２６が熱的に接続（接触、密着）され、制御部２２で発生した熱を第一のカバー１２ａ側に輸送して放熱している。なお、その他の構成に関しては第１実施形態の半導体装置１３０と同じであるので、その詳細な説明は省略する。

本実施形態の半導体装置１０は、第一の熱伝導部材１３２の他に、制御部２２に第三の熱伝導部材２６を設けている。第三の熱伝導部材２６は、可撓性（柔軟性）を有する材料で形成される。図１１に示すように、第三の熱伝導部材２６は、例えば、合成樹脂材料（シリコーンゴム、エラストマ、柔軟性樹脂）で、例えばブロック形状（直方体、立方体）に成形される。

そして、図９に示すように、制御部２２と第一のカバー１２ａとの間に介在させられる。第三の熱伝導部材２６は、第一のカバー１２ａと第二のカバー１２ｂとが締結されることにより、第一のカバー１２ａによって制御部２２に押し付けられて圧縮させられる。その結果、第三の熱伝導部材２６が変形して制御部２２に密着するとともに、第一のカバー１２ａにも密着する。そして、制御部２２で発生した熱を第一のカバー１２ａに効率的に輸送して、第一のカバー１２ａを介して放熱することができる。第三の熱伝導部材２６は、熱伝導性を向上させるために、カーボン等のフィラーを含んでもよい。

第三の熱伝導部材２６は、制御部２２と接触する部分が扁平である。例えば、第三の熱伝導部材２６の制御部２２に接触する部分が、制御部２２が嵌り込むように凹形状の窪み部を有していた場合を考える。窪み部に制御部２２が嵌り込む場合、窪み部と制御部２２の間に空気が残留する可能性がある。

一方、本実施形態のように、第三の熱伝導部材２６の制御部２２と接触する部分が扁平である場合を考える。この場合、制御部２２と第一の熱伝導部材１３２とが接触するときにその間の空気が残り難い。この状態で第三の熱伝導部材２６が圧縮されるので、窪み部を設けている場合に比べて、その接触面に空気が残留し難くなる。その結果、第三の熱伝導部材２６が制御部２２と接触する場合に熱伝導性が低下することを抑制している。

図９及び図１０に示すように、第三の熱伝導部材２６は、制御部２２およびその周囲の第三の面１８ｂの領域を覆うように配置される。さらに、この第一の熱伝導部材１３２は、第三の面１８ｂおよび制御部２２とケース１２との間に挟まれるとともに圧縮された状態で介在させられる。すなわち、第三の熱伝導部材２６は少なくとも制御部２２の第五の面２２ｉおよび第三の面１８ｂと接触する第八の面２６ａと、第一のカバー１２ａの第一の壁１２ｅと接触する第九の面２６ｂを備える。

図１０の場合、第三の熱伝導部材２６の第八の面２６ａの面積（図３のＸ＊Ｙ）は、制御部２２の第五の面２２ｉの面積（図１のＭ＊Ｎ）より大きい。また、第三の熱伝導部材２６は、第三の面１８ｂおよび制御部２２と第二のカバー１２ｂ（ケース）の間に挟まれない自由状態のときの厚み（厚み方向の寸法、挟み込み方向の寸法、図３のＺ）は、素子１６が固定された第一の基板１４が第二のカバー１２ｂに固定されて、当該第二のカバー１２ｂに第一のカバー１２ａが締結部材２４で固定されたときの第一のカバー１２ａの第一の壁１２ｅと第二の基板１８の第三の面１８ｂとの距離Ｐ（第三の面１８ｂおよび制御部２２と第二のカバー１２ｂの間に挟まれたときの厚み方向（挟み込み方向）の寸法）より圧縮予定寸法αだけ大きくなっている（Ｚ＝Ｐ＋α）。

つまり、第三の熱伝導部材２６は、それ自体が有する可撓性により縮むことができる。なお、圧縮予定寸法αは、第三の熱伝導部材２６が、第一のカバー１２ａと第二の基板１８（制御部２２）により挟まれたときに圧縮される場合の変形率や第三の熱伝導部材２６を圧縮させることによって生じる第一の壁１２ｅや第五の面２２ｉに対する押圧力の大きさを予め試験等で測定しておき、距離Ｐの大きさに応じて、適宜選択することができる。なお、第三の熱伝導部材２６は、可撓性を有するので、第一のカバー１２ａに外力が作用した場合でも、その外力を第三の熱伝導部材２６で吸収して制御部２２に外力が付与されることを抑制することができる。

このように、可撓性を有する第三の熱伝導部材２６が第一のカバー１２ａと第二の基板１８（制御部２２）により挟まれたときに圧縮されることで、制御部２２の第五の面２２ｉに第三の熱伝導部材２６の第八の面２６ａが密着する。その結果、制御部２２が駆動することによって発生する熱を効率的に第三の熱伝導部材２６に輸送することがきる。同様に、第三の熱伝導部材２６の第九の面２６ｂが、第一のカバー１２ａの第一の壁１２ｅに密着することにより、第三の熱伝導部材２６に輸送された熱が、さらに第一のカバー１２ａに輸送されて第一のカバー１２ａを介して放熱できる。

本実施形態によれば、ベアチップである制御部２２の第五の面２２ｉに直接第三の熱伝導部材２６の第八の面２６ａを密着させて、制御部２２で発生した熱の輸送を行う。そのため、制御部２２が樹脂等の被覆部で覆われる場合に比べて、第一のカバー１２ａに至るまでに介在する層が少なくなるので熱輸送の効率の低下が抑制できる。その結果、制御部２２の使用周波数を高くしても制御部２２の放熱を効率的に行うことが可能になり、制御部２２が発生した熱が原因で、当該制御部２２の機能（性能）が低下させられたり寿命が短縮させられたりすることが抑制できる。

また、制御部２２から第一のカバー１２ａに向けた熱の輸送が効率的にできるので、バンプ３４を介して第二の基板１８に輸送される熱量を低減することができる。つまり、制御部２２で発生した熱が、第二の基板１８を介して記憶部２０に輸送されことが抑制できる。その結果、動作時に発熱する記憶部２０をさらに外部の熱で加熱してしまうことが抑制できる。したがって、制御部２２が発生した熱が原因で記憶部２０の機能（性能）が低下したり寿命が短縮したりすることを抑制できる。

なお、図１０の例の場合、第三の熱伝導部材２６は、制御部２２を覆うとともにその周囲の第三の面１８ｂの一部も覆っている。その結果、制御部２２で発生した熱の一部がバンプ３４を介して第二の基板１８側に輸送された場合でも、その熱を第三の熱伝導部材２６を介して第一のカバー１２ａに輸送できる。この構成でも、制御部２２で発生した熱の第一のカバー１２ａへの輸送効率を向上できる。

さらに、記憶部２０で発生した熱がバンプ３４を介して第二の基板１８に輸送された場合は、その熱を第三の熱伝導部材２６を介して第一のカバー１２ａに輸送できる。その結果、記憶部２０で発生した熱が、制御部２２に輸送されて、当該制御部２２を加熱したり、他の記憶部２０に輸送されて加熱してしまうことが抑制できる。つまり、第二の基板１８を介して輸送される熱によって、制御部２２や記憶部２０の機能が低下させられたり寿命が短縮させられたりすることが抑制できる。

なお、第三の熱伝導部材２６は、非導電性で電波を通し難い磁性体を含んでもよい。例えば、フェライト等のフィラーを第一の熱伝導部材１３２を構成する合成樹脂材料に混ぜてもよい。このように非導電性の磁性体を含む第三の熱伝導部材２６で制御部２２を覆うことで、制御部２２の電波障害対策を行うことができる。その結果、制御部２２の動作をより安定させることができる。また、第三の熱伝導部材２６は、半導体装置１０に組み付ける際の作業を容易にするために、それ自体に粘着性（粘着力）を備えてもよい。

例えば、第三の熱伝導部材２６をシリコーンゴム等で構成する場合、シリコーンゴム成分とシリコーンレジン成分の構成比を変化させることで、必要な粘着特性を得ることできる。この第三の熱伝導部材２６の粘着性を利用して、例えば、第三の熱伝導部材２６を制御部２２と第一のカバー１２ａとの間に挟むときに第一のカバー１２ａの第一の壁１２ｅまたは制御部２２の少なくともいずれか一方に仮止めする（貼り付かせる）ことができるので、組立作業性の向上に寄与できる。

なお、この粘着性（粘着力）は、少なくとも組立作業に必要な期間の粘着力があればよいが、恒久的に粘略力を有するものでもよい。また、粘着力は、第三の熱伝導部材２６を貼ったり剥がしたりすることが容易にできる程度の粘着力があればよい。この場合、第三の熱伝導部材２６の仮止めする際の位置決めやそのやり直しが容易になり作業性の向上に寄与できる。

また、第三の熱伝導部材２６に粘着性を持たせることにより、第一の壁１２ｅに仮止めを行う場合、別途接着剤等を用いる必要がない。接着剤等が第三の熱伝導部材２６と第一のカバー１２ａまたは制御部２２との間に介在する場合、界面や層が増加するので熱伝導性を低下させる原因になる場合がある。

一方、本実施形態のように第三の熱伝導部材２６自体が粘着性を有することにより、不要な層が形成されることが抑制できるので熱伝導性の低下を抑制できる。また、本実施形態では、第三の熱伝導部材２６を制御部２２の形状にしたがって、直方体とする例を示したが、これに限らず、制御部２２を覆うことができれば、例えば、多角柱形状や円柱でもよく、同様の効果を得ることができる。

なお、本実施形態の説明において、特に第三の熱伝導部材２６について詳述したが、同様の原理や構成を、第１実施形態乃至第３実施形態で説明した第一の熱伝導部材１３２や第二の熱伝導部材１４２に適用しても良い。

以上の構成により、本実施形態にかかる半導体装置１０によれば、制御部２２で発生した熱は、第一の熱伝導部材１３２を介して第二のカバー１２ｂに輸送されて放熱されるとともに、第三の熱伝導部材２６を介して第一のカバー１２ａに輸送されて放熱される。

その結果、制御部２２の放熱が効率的に行われ、制御部２２の熱による機能の低下や寿命の短縮の抑制に寄与できる。また、制御部２２で発生した熱の放熱が効率的にできるので、制御部２２で発生した熱が記憶部２０側に輸送される可能性が低減され、制御部２２で発生した熱が原因で記憶部２０の機能が低下させられたり寿命が短縮させられたりすることが抑制できる。

（第５実施形態）
図１２は、第５実施形態にかかる半導体装置１６０の一例を示す断面図である。半導体装置１６０は、第４実施形態の半導体装置１０の変形例である。半導体装置１６０は、半導体装置１０の第三の熱伝導部材２６を省略している。すなわち、半導体装置１６０は、制御部２２で発生した熱の輸送を制御部２２の第四の面２２ｈに形成した熱伝導パッド１３４を介して熱的に接続した第一の熱伝導部材１３２を用いて第二の壁１２ｆを介して第二のカバー１２ｂに輸送している。このような構成は、例えば、制御部２２で発生した熱を第一のカバー１２ａに輸送することが望ましくない場合に有効である。

なお、図１２の場合、記憶部２０を第四の熱伝導部材１６２を覆っている。第四の熱伝導部材１６２は、第三の熱伝導部材２６と同様に、例えば、合成樹脂材料（シリコーンゴム、エラストマ、柔軟性樹脂）で、例えばブロック形状（直方体、立方体）に成形される。そして、記憶部２０と第一のカバー１２ａとの間に介在させられる。

第四の熱伝導部材１６２は、第一のカバー１２ａと第二のカバー１２ｂとが締結されることにより、第一のカバー１２ａによって記憶部２０に押し付けられて圧縮させられる。その結果、第四の熱伝導部材１６２が変形して記憶部２０に密着するとともに、第一のカバー１２ａにも密着する。その結果、記憶部２０で発生した熱を第一のカバー１２ａに効率的に輸送して、第一のカバー１２ａを介して放熱することができる。

第四の熱伝導部材１６２は、熱伝導性を向上させるために、カーボン等のフィラーを含んでもよい。また、第四の熱伝導部材１６２は電波障害対策のために、非導電性で電波を通し難い磁性体、例えばフェライト等を含んでもよい。また、第四の熱伝導部材１６２は、それ自体が粘着性を有してもよい。

第四の熱伝導部材１６２は、第一の熱伝導部材１３２と同様に記憶部２０で発生した熱の輸送を行い、同様の効果を得ることができる。例えば、制御部２２で発した熱の放熱を第二のカバー１２ｂで行い、制御部２２で発生した熱の放熱を第一のカバー１２ａで行いたい場合、つまり、放熱を別々に行いたい場合に、上述のような構成が有効である。

なお、第四の熱伝導部材１６２を省略した記憶部２０で発生した熱を半導体装置１５０で説明したように、第一の基板１４を介して第二のカバー１２ｂに輸送するようにしてもよいし、ケース１２の内部に放熱して、例えば送風装置（ファン）等を用いてケース１２の外部に排気してもよい。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０：半導体装置、１２：ケース、１４：第一の基板、１６：素子、１８：第二の基板、２０：記憶部、２２：制御部、２４：締結部材、２６：第三の熱伝導部材、２８：データバッファ、３０：内部コネクタ、３４：バンプ、１３０：半導体装置、１３２：第一の熱伝導部材、１３４：熱伝導パッド、１４０：導体記憶装置、１４２：第二の熱伝導部材、１５０：半導体装置、１６０：半導体装置、１６２：第四の熱伝導部材。

Claims (8)

1. 筐体と、
   前記筐体に収容され、第一の面と、該第一の面とは反対側に位置した第二の面と、前記第一の面及び前記第二の面を貫通した開口部と、を有した第一の基板と、
   前記第一の基板に設けられ、前記第二の面と面した第三の面を有した制御部と、
   前記第二の面に設けられた記憶部と、
   前記第三の面に設けられるとともに、前記制御部と熱的に接続された接続部と、
   前記第三の面に設けられるとともに、前記制御部と前記基板とを電気的に接続した導電部と、
   前記接続部と接し、前記開口部を通って前記基板を貫通するとともに、前記筐体と前記制御部とを熱的に接続した第一の熱伝導部材と、
   を備えた半導体装置。
2. 前記第一の熱伝導部材は、
   前記筐体に貼り付く粘着力を有するとともに前記筐体と接し、前記筐体と前記接続部との間に挟まれた状態で前記筐体と前記制御部とを熱的に接続することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第一の熱伝導部材は、
   前記開口部と離間した状態で前記基板を貫通することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第一の熱伝導部材は、
   前記筐体の一部が突出した突出部であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記第一の熱伝導部材は、
   前記筐体と、前記第一の面と面した第二の基板と、によって挟まれるとともに、前記筐体に貼り付く第二の熱伝導部材と熱的に接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記筐体は、
   前記第二の面と面した第一の内面と、該第一の内面と向かい合う第二の内面とを有し、
   前記筐体内には
   前記第一の面と面した第二の基板が設けられ、
   該第二の基板は、
   前記第二の内面と接するとともに、前記第一の熱伝導部材と前記筐体とが熱的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記接続部は、
   前記制御部と前記記憶部との並び方向において、前記記憶部側に寄せて配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置。
8. 第一面と、該第一面とは反対側に位置した第二面とを有した基板と、
   前記第一面に設けられた電子部品と、
   前記第一面と面した第一の内面と、前記第二面と面した第二の内面とを有するとともに、前記電子部品を収容した筐体と、
   前記電子部品と前記基板とを熱的に接続した第一熱伝導部と、
   前記基板の厚さ方向において前記第一熱伝導部と重なる位置に設けられ、前記基板と前記第二の内面とを熱的に接続した第二熱伝導部と、
   を備えた半導体装置。
   

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