TWI795090B

TWI795090B - 記憶體系統

Info

Publication number: TWI795090B
Application number: TW110143730A
Authority: TW
Inventors: 田島誠一
Original assignee: 日商鎧俠股份有限公司
Priority date: 2021-07-20
Filing date: 2021-11-24
Publication date: 2023-03-01
Also published as: US20230026365A1; US12014794B2; CN115641883A; TW202305540A; JP2023015553A

Abstract

其中一個實施形態，係提供一種能夠使在非揮發性記憶體晶片處所產生的熱有效率地作散熱之記憶體系統。若依據其中一個實施形態，則記憶體系統，係具備有第1板、和中間構件、和基板。中間構件，係包含有第2板和一對之側壁。第2板，係具有面臨第1板之第1面、和位置於與第1面相反側處之第2面，並與第1板相互隔出有間隙地而被作配置。在第2板處，係被設置有第1開口部。一對之側壁係被配置在第2面處。基板，係被收容在一對之側壁之間，並具有面臨第2板之第3面。在第3面處，係被安裝有收容第1非揮發性記憶體晶片的第1非揮發性記憶體封裝、以及收容對於第1非揮發性記憶體晶片作控制之控制器晶片的控制器封裝。第1非揮發性記憶體封裝，係被與第2板作熱性連接，控制器封裝，係通過第1開口部而被與第1板作熱性連接。

Description

記憶體系統

本實施形態，係有關於記憶體系統。 [關連申請案]

本申請案，係享受以日本專利申請2021-119404號(申請日：2021年7月20日)作為基礎申請之優先權。本申請案，係藉由參照此基礎申請案，而包含基礎申請案之所有的內容。

以往，係存在有一種記憶體系統，其係具有下述構成，於框體中被收容有：收容非揮發性記憶體晶片的非揮發性記憶體封裝、以及收容對於非揮發性記憶體晶片作控制之控制器晶片的控制器封裝。一般而言，使非揮發性記憶體晶片正常動作的溫度之範圍的上限值，係相較於控制器晶片而更低。因而，係要求有將在非揮發性記憶體晶片處所產生的熱有效率地作散熱之構造。

其中一個實施形態，係以提供一種能夠使在非揮發性記憶體晶片處所產生的熱有效率地作散熱之記憶體系統作為目的。若依據其中一個實施形態，則記憶體系統，係具備有第1板、和中間構件、和基板。中間構件，係包含有第2板和一對之側壁。第2板，係具有面臨第1板之第1面、和位置於與第1面相反側處之第2面，並與第1板相互隔出有間隙地而被作配置。在第2板處，係被設置有第1開口部。一對之側壁係被配置在第2面處。基板，係被收容在一對之側壁之間，並具有面臨第2板之第3面。在第3面處，係被安裝有收容第1非揮發性記憶體晶片的第1非揮發性記憶體封裝、以及收容對於第1非揮發性記憶體晶片作控制之控制器晶片的控制器封裝。第1非揮發性記憶體封裝，係被與第2板作熱性連接，控制器封裝，係通過第1開口部而被與第1板作熱性連接。

以下，參照所添附之圖面，針對實施形態之記憶體系統作詳細說明。另外，本發明係並不被此些之實施形態所限定。 (第1實施形態)

將第1實施形態的記憶體系統表記為記憶體系統1。第1圖，係為對於第1實施形態的記憶體系統1之外觀的其中一例作展示之立體圖。第2圖，係為對於從其他視角來作了觀察之第1實施形態的記憶體系統1之外觀的其中一例作展示之立體圖。第3圖，係為對於第1實施形態的記憶體系統1的其中一例作展示之分解立體圖。第4圖，係為對於從其他視角來作了觀察之第1實施形態的記憶體系統1的其中一例作展示之分解立體圖。第5圖，係為第1圖所展示之第1實施形態的記憶體系統1之外觀的其中一部分的區域P之放大圖。第6圖，係為對於第1實施形態的記憶體系統1以第1圖所展示之切斷線A-A來作了切斷之剖面圖。

另外，於以下內容中，係列舉記憶體系統1為作為非揮發性記憶體而具備有NAND型快閃記憶體的SSD(固態硬碟，Solid State Drive)的情況為例。又，於以下內容中，為了便於說明，係將記憶體系統1之矩形狀的頂面或者是底面之長邊方向設為X方向，並將短邊方向設為Y方向，並且將厚度方向設為Z方向。進而，於以下內容中，係以第1圖之記憶體系統1的配置狀態作為基準，來對於被配置在Z方向上的構成要素之相對性的位置關係，亦即是上下關係作展示者。又，於以下內容中，係將朝向Z方向之正側的面設為上面，並將朝向負側的面設為下面。

如第1圖所展示般地，記憶體系統1，係具有扁平的直方體狀之外觀。記憶體系統1，係具備有框體10、和基板20。框體10，係具備有基底11、和蓋12、和中間構件(intermediate member)13。

如第3圖所展示般地，基底11，係具有第1板110。第1板110之下面，係構成記憶體系統1的底面。於第1板110之4個的角落之各者處，係被設置有朝Z方向之上側而突出的螺桿底座部112。並且，於各螺桿底座部112之上端處，係被設置有在Z方向上而延伸存在的螺桿孔111。各螺桿孔111，係為了將蓋12以螺桿30來作固定而被作設置。螺桿底座部112，係為第1突出部的其中一例。

於第1板110處，係被設置有朝Z方向之上側而突出的銷113。銷113，係為了將基板20相對於基底11而在XY方向上作定位而被作設置。因此，在基板20之相對應的位置處，係被設置有供銷113作貫通的貫通孔212。在基板20與基底11之間，係被配置有中間構件13。為了使銷113貫通於貫通孔212，在中間構件13之相對應的位置處，係被設置有供銷113作貫通的貫通孔133。另外，在第1圖~第6圖所展示之例中，銷113係被設置有2個，但被作設置的銷113之數量係並不被限定為2個。

中間構件13，係具備有第2板130、和被配置在第2板130之Y方向上的兩端部處之一對的側壁131。第2板130的下面，也就是第2板130之面中之第1板110之側的面，係為第1面之其中一例。第2板130的上面，也就是與第1面相反側的面，係為第2面之其中一例。

一對的側壁131，係從第2板130起而朝向Z方向的上側，換言之則為與第1板110相反側而大致直立。一對的側壁131，係構成記憶體系統1之Y方向上的一對的側壁。在被設置於第1板110之與4個的螺桿底座部112相對應之中間構件13的4個位置之各者處，係被設置有切缺部(notched　part)132。各切缺部132，係從第2板130以及側壁131之邊界起，使第2板130朝向內側來被作切口，並使側壁131朝向Z方向的上側來被作切口所形成的孔。另外，各切缺部132之形成方法，係並不被限定於此。

如第5圖所展示般地，在中間構件13被與基底11作了重疊之時，4個的螺桿底座部112係被嵌入至4個的切缺部132中，藉由此，而使中間構件13在XY方向上而被作定位。於Z方向上，從第2板130之下面起直到側壁131之各切缺部132為止的距離T1，係較各螺桿底座部112之突出高度T2而更些許短。因而，在中間構件13被與基底11作了重疊之時，各螺桿底座部112之上端的面之中的一部分區域係與側壁131之切缺部132作抵接，而在中間構件13的下面與基底11的上面之間產生些許的間隙50。藉由此，中間構件13與基底11，在一對的側壁131之4個的切缺部132與4個的螺桿底座部112相抵接以外的部位處，係被設為非接觸。也就是說，第2板130，係對於第1板110而在Z方向上隔出有間隙50地被作配置。

進而，在中間構件13被與基底11作了重疊之時，各螺桿底座部112之上端的面之中的包含螺桿孔111之其他的區域，係通過被形成在第2板130處之切缺部132來露出於第2板130的上側。又，於蓋12處，係在與各螺桿底座部112相對應的位置處被設置有突出部122。於在中間構件13被收容有基板20，並從基板20之上被覆有蓋12，並且蓋12係藉由各螺桿30而被固定在基底11之時，露出於各螺桿底座部112之上端的面之中的第2板130之上側處的區域，係與蓋12之突出部122的下端一起而從Z方向的兩側來包夾基板20。藉由此，基板20係在框體10內而被定位在Z方向上。

如第3圖所展示般地，蓋12，係具有第3板120，該第3板120，係從基板20的面之中的與第1板110之側的面(亦即是基板20的下面)相反側的面(亦即是基板20的上面)起而被覆於基板20上。第3板120之上面，係構成記憶體系統1的頂面。在與4個的螺桿底座部112相對應之第3板120之4個的位置之各者處，係被設置有朝Z方向之下側而突出的突出部122。在與各螺桿孔111相對應的位置處，係被設置有貫通孔121，螺桿30係從Z方向的上側而通過各貫通孔121。各貫通孔121之Z方向的上側，係被作了用以讓螺桿30的頭部作埋入的埋頭孔加工。

於基底11之上被重疊有中間構件13，於中間構件13之一對的側壁131之間被收容有基板20，從基板20之上而被覆有蓋12，並藉由4個的螺桿30而使蓋12被固定在基底11。各螺桿30，係從蓋12側起而通過突出部122、基板20以及中間構件13，而被螺絲鎖緊在被設置於螺桿底座部112的螺桿孔111處。因此，在基板20處，係被設置有用以讓各個螺桿30通過的4個的貫通孔211。

構成框體10之基底11、蓋12以及中間構件13，係以散熱性為優異，且具有剛性的材料所構成。例如，基底11、蓋12以及中間構件13，係藉由鋁或者是鋁合金所構成。另外，基底11、蓋12以及中間構件13之材料，係並不被限定於該些之例。

基板20，係為被安裝有複數之元件的印刷電路板(Printed Circuit Board)。在基板20之X方向的負側之端部處，係被設置有連接器部207，該連接器部207，係被與被收容在電腦裝置的背板作電性連接。

如第3圖以及第4圖所展示般地，被安裝在基板20上的複數的元件，係包含有非揮發性記憶體封裝201、揮發性記憶體封裝202、電源管理積體電路(Power Management integrated circuit：PMIC)203、電容器204、控制器封裝205、DCDC(Direct Current to Direct Current)轉換器206以及電容器208等之電路零件。

非揮發性記憶體封裝201，係為將非揮發性記憶體晶片藉由耐熱樹脂或者是陶瓷等來作了封裝者。非揮發性記憶體晶片，例如，係為NAND型快閃記憶體之晶片。

揮發性記憶體封裝202，係為將揮發性記憶體晶片藉由耐熱樹脂或者是陶瓷等來作了封裝者。揮發性記憶體晶片，例如，係為DRAM(Dynamic Random Access Memory)晶片或者是SRAM(Static RAM)晶片。

控制器封裝205，係將對於非揮發性記憶體晶片與揮發性記憶體晶片作控制的控制器晶片藉由耐熱樹脂或者是陶瓷等來作了封裝者。控制器晶片，例如係藉由SoC(System-on-a-Chip)而被構成。

電容器204以及電容器208，係發揮對於從記憶體系統1所被連接之主機裝置而來的電力供給進行輔助的功用。PMIC203，係從由主機裝置而被供給的電力，來產生被供給到各電路零件的電力。DCDC轉換器206，係進行電壓之轉換。

被安裝在基板20的各種之元件的數量，係亦可為複數個。在如第1圖~第6圖所作了展示之例中，8個的非揮發性記憶體封裝201、2個的揮發性記憶體封裝202、5個的電容器204、1個的PMIC203、1個的控制器封裝205、1個的DCDC轉換器206以及3個的電容器208，係被安裝在基板20。其中，4個的非揮發性記憶體封裝201、1個的揮發性記憶體封裝202、5個的電容器204以及1個的PMIC203，係被安裝在基板20的上面。剩餘的4個的非揮發性記憶體封裝201、剩餘的1個的揮發性記憶體封裝202、1個的控制器封裝205、1個的DCDC轉換器206以及3個的電容器208，係被安裝在基板20的下面。

有關於被安裝在基板20的上面以及下面之兩處的元件，係在被安裝於基板20的上面之元件的符號之尾端附加「-1」，在被安裝於基板20的下面之元件的符號之尾端附加「-2」。另外，基板20的下面，也就是基板20之面之中之第1板110之側的面，係為第3面之其中一例。基板20的上面，也就是與第3面相反側的面，係為第4面之其中一例。4個的非揮發性記憶體封裝201-2之各者，係為被安裝在第3面之第1非揮發性記憶體封裝的其中一例。4個的非揮發性記憶體封裝201-1之各者，係為被安裝在第4面之第2非揮發性記憶體封裝的其中一例。

被安裝在基板20的元件之中，非揮發性記憶體封裝201、揮發性記憶體封裝202、PMIC203、控制器封裝205以及DCDC轉換器206，係發熱量為大。在該等之發熱量為大的元件處，係被設置有熱傳導薄片40。熱傳導薄片40，例如，係由丙烯酸系樹脂或者是矽酮系樹脂所成，而具有熱傳導性以及絕緣性並且具有彈性。熱傳導薄片40，係為了將元件與基底11、蓋12或者是中間構件13之間作熱性連接而被作使用。熱傳導薄片40，係使在元件處所產生的熱傳導至基底11、蓋12或者是中間構件13，藉由此，而對於元件之溫度上昇作抑制。因此，熱傳導薄片40，係以使元件之表面與基底11、蓋12或者是中間構件13之表面之間相接觸的方式而被作設置。

於在記憶體系統1所具備的元件之中，控制器封裝205的發熱量係為最多。因而，在假設將用以使在控制器封裝205處所產生的熱作散熱的路徑與用以使在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱作散熱的路徑作共通化的情況時，係會有對非揮發性記憶體封裝201之冷卻造成阻礙的情況。又，被收容在非揮發性記憶體封裝201的非揮發性記憶體晶片，能夠正常動作的溫度範圍之上限值係為低。因此，例如，在非揮發性記憶體封裝201之溫度過度上昇的情況時，係有必要實行溫控調頻(thermal throttling)，也就是對於記憶體系統1之性能意圖性地作抑制。因而，需要有使在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱不會被在控制器封裝205處所產生的熱所影響地而有效率地作散熱的方式。

於第1實施形態中，為了對於因在控制器封裝205處所產生的熱所導致之對非揮發性記憶體封裝201的影響作抑制，係將用以使在控制器封裝205處所產生的熱作散熱的路徑與用以使在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱作散熱的路徑相互分離。以下，針對用以將各路徑分離的構造作說明。

如第3圖所展示般地，在中間構件13之第2板130中之與控制器封裝205相對應的位置處，係被設置有開口部134。又，在第1板110中之與控制器封裝205相對應的位置處，係被設置有朝Z方向的上側而突出的突出部114。另外，開口部134，係為第1開口部之其中一例。

如第6圖所展示般地，被設置在控制器封裝205的熱傳導薄片40，係通過開口部134而與突出部114之上端相接觸。因此，在控制器封裝205處所產生的熱，係經由熱傳導薄片40以及突出部114而被傳導至基底11，並從基底11而被散熱至外部。

被設置在4個的非揮發性記憶體封裝201-2之各者的熱傳導薄片40，係與中間構件13之第2板130的上面相接觸。因此，在4個的非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱之其中一部分，係經由被設置在4個的非揮發性記憶體封裝201-2的4個的熱傳導薄片40來被傳導至中間構件13，並從中間構件13之1對的側壁131而被散熱至外部。又，由於在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱之其中一部分會被擴散至第2板130，因此，非揮發性記憶體封裝201-2的峰值溫度係被抑制。

在基板20之上面處，於被設置有4個的非揮發性記憶體封裝201-2之位置的相反側之位置處，係被設置有4個的非揮發性記憶體封裝201-1。被設置在4個的非揮發性記憶體封裝201-1之各者的熱傳導薄片40，係與蓋12之第3板120的下面相接觸。因此，在4個的非揮發性記憶體封裝201-1處所產生的熱之其中一部分，係經由被設置在4個的非揮發性記憶體封裝201-1的4個的熱傳導薄片40來被傳導至蓋12，並從蓋12而被散熱至外部。由於在非揮發性記憶體封裝201-1處所產生的熱之其中一部分會被擴散至蓋12全體，因此，非揮發性記憶體封裝201-1的峰值溫度係被抑制。

「控制器封裝205以及被設置在控制器封裝205的熱傳導薄片40」與「中間構件13」之間，係被設為非接觸。又，如前述一般地，中間構件13之第2板130，係對於基底11的第1板110而隔出有間隙50地被配置。因而，身為在控制器封裝205處所產生的熱之散熱路徑之從控制器封裝205至基底11的路徑，係被與在8個的非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱之散熱路徑相互分離。因此，能夠使在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱，不會受到在控制器封裝205處所產生的熱之影響地而有效率地作散熱。

在揮發性記憶體封裝202、PMIC203以及DCDC轉換器206之各者處所產生的熱之散熱路徑，係能夠被任意地作設計。

在第1圖~第6圖所展示之例中，被設置在揮發性記憶體封裝202-2的熱傳導薄片40，係與中間構件13之第2板130的上面相接觸。因而，在揮發性記憶體封裝202-2處所產生的熱之其中一部分，係經由被設置在揮發性記憶體封裝202-2的熱傳導薄片40來被傳導至中間構件13，並從中間構件13之1對的側壁131而被散熱至外部。又，由於在揮發性記憶體封裝202-2處所產生的熱之其中一部分會被擴散至第2板130全體，因此，揮發性記憶體封裝202-2的峰值溫度係被抑制。

另外，亦可與控制器封裝205之情況同樣地，於在第2板130中之與揮發性記憶體封裝202-2相對應的位置處被設置有開口部，揮發性記憶體封裝202-2，係通過該開口部而藉由熱傳導薄片40來被與第1板110作熱性連接。

在基板20之上面處，於被設置有揮發性記憶體封裝202-2之位置的相反側之位置處，係被設置有揮發性記憶體封裝202-1。被設置在揮發性記憶體封裝202-1的熱傳導薄片40，係與蓋12之第3板120的下面相接觸。因而，在揮發性記憶體封裝202-1處所產生的熱之其中一部分，係經由被設置在揮發性記憶體封裝202-1的熱傳導薄片40來被傳導至蓋12，並從蓋12而被散熱至外部。由於在揮發性記憶體封裝202-1處所產生的熱之其中一部分會被擴散至蓋12全體，因此，揮發性記憶體封裝202-1的峰值溫度係被抑制。

被設置在DCDC轉換器206的熱傳導薄片40，係與中間構件13之第2板130的上面相接觸。因而，在DCDC轉換器206處所產生的熱，係經由熱傳導薄片40來被傳導至中間構件13，並從中間構件13之1對的側壁131而被散熱至外部。又，由於在DCDC轉換器206處所產生的熱之其中一部分會被擴散至第2板130全體，因此，DCDC轉換器206的峰值溫度係被抑制。

被設置在PMIC203的熱傳導薄片40，係與蓋12之第3板120的下面相接觸。因而，在PMIC203處所產生的熱，係經由被設置在PMIC203的熱傳導薄片40來被傳導至蓋12，並從蓋12而被散熱至外部。

也就是說，在第1圖~第6圖所展示之例中，在揮發性記憶體封裝202、DCDC轉換器206以及PMIC203處所產生的熱之散熱路徑，係被設為與在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱之散熱路徑相互共通。因此，在揮發性記憶體封裝202、DCDC轉換器206以及PMIC203處所產生的熱，係不會受到在控制器封裝205處所產生的熱之影響地而有效率地被散熱。

另外，在第1圖~第6圖所展示之例中，於中間構件13之第2板130處，係除了被設置有開口部134以外，亦被設置有開口部135。開口部135，係防止被設置在基板20之下面之相對應的位置處之3個的電容器208與中間構件13相互干擾的情形。

如此這般，若依據第1實施形態，則中間構件13之第2板130，係對於第1板110而在Z方向上隔出有間隙50地被配置。在第2板130處，係被設置有開口部134。在中間構件13之一對的側壁131之間，係被收容有基板20，該基板20，係在下面處被安裝有非揮發性記憶體封裝201-2以及控制器封裝205。非揮發性記憶體封裝201-2，係藉由熱傳導薄片40而被與第2板130作熱性連接。控制器封裝205，係通過開口部134來藉由熱傳導薄片40而被與第1板110作熱性連接。

因而，由於是將在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱之散熱路徑與在控制器封裝205處所產生的熱之散熱路徑相互分離，因此，能夠使在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱有效率地作散熱。

又，在中間構件13之一對的側壁131之各者處，係被設置有切缺部132。在第1板110處，係被設置有4個的螺桿底座部112。第1板110與中間構件13，係藉由被設置於一對的側壁131之各者處的切缺部132與4個的螺桿底座部112，而相抵接。

因而，在Z方向上，於中間構件13之第2板130與第1板110之間被設置有間隙50。

又，若依據第1實施形態，則在基板20之上面處，係被安裝有非揮發性記憶體封裝201-1。非揮發性記憶體封裝201-1，係藉由熱傳導薄片40而被與蓋12之第3板120作熱性連接。

因而，由於在非揮發性記憶體封裝201-1處所產生的熱之散熱路徑與在控制器封裝205處所產生的熱之散熱路徑係被相互分離，因此，能夠使在非揮發性記憶體封裝201-1處所產生的熱有效率地作散熱。

又，若依據第1實施形態，則在基板20之上面處，於被安裝有非揮發性記憶體封裝201-2的基板20之下面的位置之相反側的位置處，係被安裝有非揮發性記憶體封裝201-1。

因而，成為能夠使在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱之其中一部分，經由基板20、非揮發性記憶體封裝201-1以及熱傳導薄片40來被傳導至蓋12，並從蓋12而被作散熱。其結果，能夠使在非揮發性記憶體封裝201-1、201-2處所產生的熱更有效率地作散熱。

另外，基底11之第1板110的下面，係作為在控制器封裝205處所產生的熱之對外部的散熱面而起作用。接著，於第1實施形態中，基底11之第1板110的下面之面積係相對性而言為較廣。因而，若依據第1實施形態，則能夠使在控制器封裝205處所產生的熱有效率地作散熱。 (第2實施形態)

將第2實施形態的記憶體系統表記為記憶體系統1a。將第2實施形態的基底表記為基底11a。將第2實施形態的中間構件表記為中間構件13a。第7圖，係為對於第2實施形態的記憶體系統1a的其中一例作展示之分解立體圖。第8圖，係為對於從其他視角來作了觀察之第2實施形態的記憶體系統1a的其中一例作展示之分解立體圖。第9圖，係為對於第2實施形態的記憶體系統1a以與第1圖所展示之切斷線A-A相同的切斷線來作了切斷之剖面圖。另外，對於與第1實施形態相同之構成要素，係附加相同之元件符號，並省略其說明。

於第1實施形態中，記憶體系統1，係被構成為，在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱會被擴散至第2板130全體，並且從1對的側壁131或者是蓋12而被散熱至外部。相對於此，於第2實施形態中，記憶體系統1a，係被構成為，在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱，係亦能夠從中間構件13a之第2板130的下面之其中一部分而被散熱至外部。

具體而言，如第8圖所展示般地，於第2實施形態中，在與4個的非揮發性記憶體封裝201-2相對應之中間構件13a之第2板130的位置處，係被設置有朝Z方向的下方而突出的突出部136。並且，在與突出部136相對應之基底11a的位置處，係被設置有開口部115。開口部115之XY方向的尺寸，係較突出部136之XY方向的尺寸而更些許大。又，突出部136的突出高度，係與第1板110之厚度和間隙50之間隔的合計大致相對應。另外，開口部115，係為第2開口部之其中一例，突出部136，係為第2突出部之其中一例。

因而，如第9圖所展示般地，在中間構件13a被與基底11a作了重疊之時，在突出部136之側面與開口部115之內壁之間被設為非接觸的狀態下，突出部136係嵌入至開口部115中。並且，突出部136之下端的面，係被設為與第1板110之下面為大致同一平面高度。因而，在4個的非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱，係經由被設置在4個的非揮發性記憶體封裝201-2的4個的熱傳導薄片40來被傳導至中間構件13a之第2板130，並從突出部136而被散熱至外部。

如此這般，於第2實施形態中，在基底11a之其中一部分處被設置有開口部115，通過開口部115，突出部136，也就是中間構件13a之其中一部分，係露出至外部。藉由此，相較於第1實施形態中，將在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱散熱至外部的散熱面之面積，係增加與突出部136之下端的面積相應之量的面積。其結果，成為能夠使在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱更加有效率地作散熱。

記憶體系統1a，係與其他實施形態的記憶體系統同樣地，藉由連接器部207而被與被收容在電腦裝置中的背板作電性連接。於電腦裝置處，係被設置有送風裝置，記憶體系統1a的框體10之表面，係被暴露於藉由送風裝置而引起的風中，藉由此而被冷卻。於第2實施形態中，突出部136之下端的面，係藉由被設為與第1板110之下面，也就是框體10之底面為大致同一平面高度，而與框體10之底面同樣地被暴露於風中。因而，能夠使從突出部136之下端的面而對於外部之散熱量增大。也就是說，藉由突出部136之下端的面被設為與第1板110之下面為大致同一平面高度，而能夠使在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱更加有效率地作散熱。

另外，突出部136之下端的面，係亦可不一定被設為與第1板110之下面為大致同一平面高度。例如，於中間構件13a，係亦可不一定要被設置有突出部136。只要中間構件13a之其中一部分從開口部115而露出至外部，並且中間構件13a與基底11a在4個的螺桿底座部112以外的部位處係被設為非接觸，則中間構件13a之下面的構造係可任意地被作設計。

在第7圖~第9圖所展示之例中，在揮發性記憶體封裝202-2處所生的熱之散熱路徑以及在DCDC轉換器206處所產生的熱之散熱路徑，係與第1實施形態中之各者的散熱路徑相異。

具體而言，如第7圖以及第8圖所展示般地，在中間構件13a的第2板130中之與揮發性記憶體封裝202-2相對應的位置處，係被設置有開口部138。又，如第7圖所展示般地，在基底11a的第1板110中之與揮發性記憶體封裝202-2相對應的位置處，係被設置有朝Z方向的上側而突出的突出部116。被設置在揮發性記憶體封裝202-2的熱傳導薄片40，係通過開口部138而與突出部116之上端相接觸。因此，在揮發性記憶體封裝202-2處所產生的熱，係經由熱傳導薄片40以及突出部116而被傳導至基底11a，並從基底11a而被散熱至外部。

又，如第7圖以及第8圖所展示般地，在中間構件13a的第2板130中之與DCDC轉換器206相對應的位置處，係被設置有開口部139。又，如第7圖所展示般地，在基底11a的第1板110中之與DCDC轉換器206相對應的位置處，係被設置有朝Z方向的上側而突出的突出部117。被設置在DCDC轉換器206的熱傳導薄片40，係通過開口部139而與突出部117之上端相接觸。因此，在DCDC轉換器206處所產生的熱，係經由熱傳導薄片40以及突出部117而被傳導至基底11a，並從基底11a而被散熱至外部。

另外，在揮發性記憶體封裝202-2處所生的熱之散熱路徑以及在DCDC轉換器206處所產生的熱之散熱路徑的其中一方或者是雙方，係亦可被構成為與第1實施形態中之各者的散熱路徑為相同。

如此這般，若依據第2實施形態，則在第1板110中之非揮發性記憶體封裝201-2的位置處，被設置有開口部115。

因而，在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱，係亦能夠從第2板130之下面而被作散熱。由於係被追加有新的在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱之散熱路徑，因此能夠使在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱更加有效率地作散熱。

又，若依據第2實施形態，則於在第2板130之下面中之與非揮發性記憶體封裝201-2相對應的位置處，被設置有突出部136，突出部136之下端的面，係通過開口部115而作突出，並被設為與第1板110之下面為大致同一平面高度。

因而，能夠使突出部136之下端的面被暴露在外部的風中。其結果，能夠使在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱更加有效率地作散熱。 (第3實施形態)

將第3實施形態的記憶體系統表記為記憶體系統1b。將第3實施形態的中間構件表記為中間構件13b。將第3實施形態的蓋表記為蓋12b。

第10圖，係為對於第3實施形態的中間構件13b之外觀的其中一例作展示之立體圖。第11圖，係為對於從其他視角來作了觀察的第3實施形態的中間構件13b之外觀的其中一例作展示之立體圖。第12圖，係為對於第3實施形態的記憶體系統1b的其中一例作展示之分解立體圖。第13圖，係為對於從其他視角來作了觀察之第3實施形態的記憶體系統1b的其中一例作展示之分解立體圖。第14圖，係為對於第3實施形態的記憶體系統1b以與第1圖所展示之切斷線A-A相同的切斷線來作了切斷之剖面圖。另外，對於與第1實施形態相同之構成要素，係附加相同之元件符號，並省略其說明。又，對於與第2實施形態相同之構成要素，係附加相同之元件符號，並省略其說明。

如第10圖所展示般地，第3實施形態之中間構件13b，係在將一對的側壁131之間被設置有在一對的側壁131之上端附近處作連接的內部蓋(inner　cover)150之點上，係與第2實施形態之中間構件13a相異。藉由第2板130、一對的側壁131以及內部蓋150，而被形成筒構造，於該筒構造的內側被收容有基板20。並且，從內部蓋150的上側被覆有蓋12b。另外，內部蓋150，係為第4板之其中一例。

由於在中間構件13b被設置有內部蓋150，因此，中間構件13b的面積，係相較於第2實施形態之中間構件13a的面積而被設得更大。因而，從非揮發性記憶體封裝201-2被傳導至中間構件13b之第2板130的熱之對於中間構件13b全體的擴散係被作促進。其結果，能夠使在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱更加有效率地作散熱。

如第10圖所展示般地，在內部蓋150處之與4個的非揮發性記憶體封裝201-1相對應的4個的位置之各者處，係被設置有開口部151。又，如第13圖所展示般地，在蓋12b的第3板120之下面中之與4個的非揮發性記憶體封裝201-1相對應的4個的位置之各者處，係被設置有朝Z方向的下側而突出的突出部123。如第14圖所展示般地，被設置在4個的非揮發性記憶體封裝201-1的4個的熱傳導薄片40之各者，係通過開口部151而與突出部123之下端相接觸。因而，在4個的非揮發性記憶體封裝201-1之各者處所產生的熱，係經由熱傳導薄片40以及突出部123而被傳導至蓋12b，並從蓋12b而被散熱至外部。另外，開口部151，係為第3開口部之其中一例。

如第10圖所展示般地，在內部蓋150中之與揮發性記憶體封裝202-1相對應的位置處，係被設置有開口部152。又，如第13圖所展示般地，在蓋12b的第3板120之下面中之與揮發性記憶體封裝202-1相對應的位置處，係被設置有朝Z方向的下側而突出的突出部124。如第14圖所展示般地，被設置在揮發性記憶體封裝202-1的熱傳導薄片40，係通過開口部152而與突出部124之下端相接觸。因此，在揮發性記憶體封裝202-1處所產生的熱，係經由熱傳導薄片40以及突出部124而被傳導至蓋12b，並從蓋12b而被散熱至外部。

如第10圖所展示般地，在內部蓋150處之與PMIC203相對應的位置處，係被設置有開口部153。又，如第13圖所展示般地，在蓋12b的第3板120之下面中之與PMIC203相對應的位置處，係被設置有朝Z方向的下側而突出的突出部125。被設置在PMIC203的熱傳導薄片40，係通過開口部153而與突出部125之下端相接觸。因此，在PMIC203處所產生的熱，係經由熱傳導薄片40以及突出部125而被傳導至蓋12b，並從蓋12b而被散熱至外部。

如此這般，若依據第3實施形態，則在中間構件13b之一對的側壁131之間被設置有內部蓋150。第2板130、一對的側壁131以及內部蓋150，係形成將基板20收容於內側之筒構造。

因而，由於在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱之散熱係被促進，因此，能夠使在非揮發性記憶體封裝201-2處所產生的熱更加有效率地作散熱。

又，於第3實施形態中，在內部蓋150中之與非揮發性記憶體封裝201-1相對應的位置處，係被設置有開口部151，非揮發性記憶體封裝201-1，係通過開口部151而被與蓋12b之第3板120作熱性連接。

因而，與第1實施形態同樣的，能夠使在非揮發性記憶體封裝201-1處所產生的熱有效率地作散熱。

如此這般，若依據第1~第3實施形態，則中間構件13、13a、13b之第2板130，係隔出有間隙50地被配置於第1板110處。在第2板130處，係被設置有開口部134。在中間構件13、13a、13b之一對的側壁131之間，係被收容有基板20，該基板20，係在下面處被安裝有非揮發性記憶體封裝201-2以及控制器封裝205。非揮發性記憶體封裝201-2，係藉由熱傳導薄片40而被與第2板130作熱性連接。控制器封裝205，係通過開口部134來藉由熱傳導薄片40而被與第1板110作熱性連接。

因而，能夠使在非揮發性記憶體封裝201處所產生的熱有效率地作散熱。因而，能夠對於溫控調頻之實行作抑制，作為其結果，係能夠使記憶體系統1之性能提昇。

另外，於第1~第3實施形態中，非揮發性記憶體封裝201或是控制器封裝205等之元件，係藉由熱傳導薄片40而被與基底11、蓋12、或者是中間構件13作熱性連接。用以將元件與基底11、蓋12或者是中間構件13之間作熱性連接的方法，係並非為僅被限定於使用有熱傳導薄片40的方法。亦可藉由使元件之表面與基底11、蓋12或者是中間構件13直接作接觸，而使元件與基底11、蓋12或者是中間構件13被作熱性連接。也就是說，所謂被作熱性連接，係為藉由固體彼此之接觸而形成熱傳導之路徑。

若依據第1~第3實施形態，則在基底11、11a與蓋12，12b之間係被配置有中間構件13、13a、13b，並在中間構件13、13a、13b被收容有基板20。而，藉由中間構件13、13a、13b之導入，而能夠在每一個元件上設定在各元件處所產生之熱的散熱路徑。於第1~第3實施形態之說明中，係藉由固體彼此之接觸而被形成有用以將在各元件處所產生的熱作散熱之路徑。中間構件13、13a、13b，係能夠使散熱促進構件之設置成為可能。於散熱促進構件中，除了熱傳導薄片40以外，亦包含有熱導管等之熱輸送構件、散熱片等之導熱面擴大構件、以相變化材料(Phase Change Material, PCM)所成之潛熱蓄熱材、或者是小型風扇。亦可使記憶體系統1、1a、1b被構成為：在包含有非揮發性記憶體封裝201以及控制器封裝205的複數之元件之中的其中一部分或全部處所產生的熱，係藉由該等之散熱促進構件而被作散熱。如此這般，藉由被導入有中間構件13、13a、13b，而可提高散熱促進構件之安裝自由度。

雖然是對於本發明之幾個實施形態作了說明，但是，該等實施形態，係作為例子而揭示者，並非意圖對發明之範圍作限定。該等新穎的實施形態，係能夠以其他之各種形態而被實施，且在不脫離發明之要旨的範圍內，可進行各種的省略、置換、變更。此些之實施形態或其變形，係亦被包含於發明之範圍或要旨中，並且亦被包含在申請專利範圍中所記載的發明及其均等範圍內。

1,1a,1b:記憶體系統 10:框體 11,11a:基底 12,12b:蓋 13,13a,13b:中間構件 20:基板 30:螺桿 40:熱傳導薄片 50:間隙 110:第1板 111:螺桿孔 112:螺桿底座部 113:銷 114,116,117,122,123,124,125,136:突出部 115,134,135,138,139,151,152,153:開口部 120:第3板 121,133,211,212:貫通孔 130:第2板 131:側壁 132:切缺部 150:內部蓋 201,201-1,201-2:非揮發性記憶體封裝 202,202-1,202-2:揮發性記憶體封裝 203:PMIC 204,208:電容器 205:控制器封裝 206:DCDC轉換器 207:連接器部

[第1圖]係為對於第1實施形態的記憶體系統之外觀的其中一例作展示之立體圖。 [第2圖]係為對於從其他視角來作了觀察之第1實施形態的記憶體系統之外觀的其中一例作展示之立體圖。 [第3圖]係為對於第1實施形態的記憶體系統的其中一例作展示之分解立體圖。 [第4圖]係為對於從其他視角來作了觀察之第1實施形態的記憶體系統的其中一例作展示之分解立體圖。 [第5圖]係為第1圖所展示之第1實施形態的記憶體系統之外觀的其中一部分的區域P之放大圖。 [第6圖]係為對於第1實施形態的記憶體系統以第1圖所展示之切斷線A-A來作了切斷之剖面圖。 [第7圖]係為對於第2實施形態的記憶體系統的其中一例作展示之分解立體圖。 [第8圖]係為對於從其他視角來作了觀察之第2實施形態的記憶體系統的其中一例作展示之分解立體圖。 [第9圖]係為對於第2實施形態的記憶體系統以與第1圖所展示之切斷線A-A相同的切斷線來作了切斷之剖面圖。 [第10圖]係為對於第3實施形態的中間構件之外觀的其中一例作展示之立體圖。 [第11圖]係為對於從其他視角來作了觀察的第3實施形態的中間構件之外觀的其中一例作展示之立體圖。 [第12圖]係為對於第3實施形態的記憶體系統的其中一例作展示之分解立體圖。 [第13圖]係為對於從其他視角來作了觀察之第3實施形態的記憶體系統的其中一例作展示之外觀立體圖。 [第14圖]係為對於第3實施形態的記憶體系統以與第1圖所展示之切斷線A-A相同的切斷線來作了切斷之剖面圖。

1:記憶體系統 11:基底 12:蓋 13:中間構件 20:基板 40:熱傳導薄片 110:第1板 112:螺桿底座部 122:突出部 134,135:開口部 120:第3板 121,133,211,212:貫通孔 130:第2板 131:側壁 132:切缺部 201,201-2:非揮發性記憶體封裝 202,202-2:揮發性記憶體封裝 208:電容器 205:控制器封裝 206:DCDC轉換器 207:連接器部

Claims

一種記憶體系統，係具備有：第1板；和中間構件，係包含有第2板以及一對之側壁，該第2板，係具有面臨前述第1板之第1面、和位置於與前述第1面相反側處之第2面，並隔出有間隙地被配置在前述第1板處，並且被設置有第1開口部，該一對之側壁，係被配置在前述第2面處；和基板，係被收容在前述一對之側壁之間，並具有面臨前述第2板之第3面，且在前述第3面處，被安裝有收容第1非揮發性記憶體晶片的第1非揮發性記憶體封裝以及收容對於前述第1非揮發性記憶體晶片作控制之控制器晶片的控制器封裝，前述第1非揮發性記憶體封裝，係被與前述第2板作熱性連接，前述控制器封裝，係通過前述第1開口部而被與前述第1板作熱性連接，於在前述第1板中之與前述第1非揮發性記憶體封裝相對應的位置處，係被設置有第2開口部。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中，在前述中間構件之前述一對的側壁之各者處，係被設置有切缺部，在前述第1板處，係被設置有複數之第1突出部，前述第1板與前述中間構件，係藉由前述第1突出部而與前述切缺部作抵接。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中，於在前述第2板之前述第1面中之與前述第1非揮發性記憶體封裝相對應的位置處，係被設置有第2突出部，前述第2突出部，係通過前述第2開口部的內側而作突出，前述第2突出部之端面，係被設為與前述第1板之和前述第2板相反側之面為同一平面高度。
如請求項1或請求項2所記載之記憶體系統，其中，係更進而具備有：第3板，係被覆於前述基板之與前述第3面相反側之面的第4面之側處，在前述基板之前述第4面處係被安裝有收容藉由前述控制器晶片而被作控制的第2非揮發性記憶體晶片之第2非揮發性記憶體封裝，前述第2非揮發性記憶體封裝，係被與前述第3板作熱性連接。
如請求項4所記載之記憶體系統，其中，在前述中間構件之前述一對的側壁之間，係被設置有第4板，前述第2板、前述一對之側壁以及前述第4板，係形成筒構造，在前述筒構造之內側被收容有前述基板，前述第3板，係從前述第4板之外側起而被覆於前述基板之前述第4面之側處。
如請求項5所記載之記憶體系統，其中，在前述第4板中之與前述第2非揮發性記憶體封裝相對應的位置處，係被設置有第3開口部，前述第2非揮發性記憶體封裝，係通過前述第3開口部而被與前述第3板作熱性連接。
如請求項4所記載之記憶體系統，其中，前述第1非揮發性記憶體封裝與前述第2非揮發性記憶體封裝，係被安裝於在前述基板上而相互對應的位置處。
如請求項1或請求項2所記載之記憶體系統，其中，前述第1非揮發性記憶體封裝，係經由熱傳導薄片而與前述第2板作接觸，前述控制器封裝，係經由前述熱傳導薄片而與前述第1板作接觸。