KR102553106B1 - 반도체 장치, 차내 밸브 시스템 및 솔레노이드 구동기 - Google Patents

반도체 장치, 차내 밸브 시스템 및 솔레노이드 구동기 Download PDF

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Abstract

출력 구동 회로는 출력 단자를 통해 차량에 장착된 솔레노이드에 출력 전류를 출력한다. 검출 저항기는 출력 단자와 상기 출력 구동 회로 사이에 접속되어 있다. 증폭 유닛은 검출 저항기의 양단 사이의 전압을 증폭함으로써 생성된 아날로그 검출 신호를 출력하도록 구성된다. 전류 생성 회로는 기준 전류를 출력하도록 구성된다. 기준 저항기는 전류 생성 회로와 그라운드 사이에 접속되어 있으며, 기준 전류에 따라 기준 전압을 출력하도록 구성된다. A/D 변환기는 기준 전압을 기준으로 하여 아날로그 검출 신호를 디지털 검출 신호로 변환하도록 구성된다. 제어 회로는 디지털 검출 신호에 따라 출력 구동 회로로부터 출력된 출력 전류를 제어하도록 구성된다.

Description

반도체 장치, 차내 밸브 시스템 및 솔레노이드 구동기{SEMICONDUCTOR DEVICE, IN-VEHICLE VALVE SYSTEM AND SOLENOID DRIVER}
본 발명은 반도체 장치, 차내 밸브 시스템 및 솔레노이드 구동기에 관한 것으로, 예를 들어, 자동차와 같은 차량에 장착된 솔레노이드 밸브를 제어하는 반도체 장치, 차내 밸브 시스템 및 솔레노이드 구동기에 관한 것이다.
일반적으로 솔레노이브 밸브의 개방/폐쇄는 솔레노이드에 전류를 공급하거나 또는 차단함으로써 제어된다. 따라서 솔레노이드 밸브를 적절히 제어하기 위해서는 전류를 정밀하게 검출할 필요가 있다. 따라서 솔레노이드에 대한 전류 입력을 검출하는 전류 제어 반도체 장치가 도입된다(일본 미심사 공개특허 2011-97434).
자동차용 반도체 장치는 온도가 폭넓게 변화하는 환경에서 사용된다. 이러한 반도체 장치는 온도 특성을 가지므로, 솔레노이드에 대한 전류 출력을 정밀하게 검출하기 어렵다. 따라서 솔레노이드에 대한 전류 출력이 소정의 값으로 정정될 수 없는 경우가 있을 수 있다. 이 경우, 온도 변화로 인해 차내 시프트 변화(shift change)의 가변성이 유도된다. 따라서 시프트 변화 쇼크의 증가 또는 승차감의 저하 등이 유도된다.
본 발명의 다른 목적들 및 신규 특징들은 이하의 본 명세서 및 도면들에 대한 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 출력 단자를 통해 차내에 통합된 솔레노이드로 출력 전류를 출력하도록 구성된 출력 구동 회로; 상기 출력 단자와 상기 출력 구동 회로 사이에 접속된 검출 저항기; 상기 검출 저항기의 양단부 사이의 전압을 증폭함으로써 생성된 아날로그 검출 신호를 출력하도록 구성된 증폭 유닛; 기준 전류를 출력하도록 구성된 전류 생성 회로; 상기 전류 생성 회로와 그라운드 사이에 접속되고 상기 기준 전류에 따라 기준 전압을 출력하도록 구성된 기준 저항기; 상기 기준 전압을 기준으로 하여 상기 아날로그 검출 신호를 디지털 검출 신호로 변환하는 A/D 변환기; 및 상기 디지털 검출 신호에 따라 상기 출력 구동 회로로부터 출력되는 출력 전류를 제어하도록 구성된 제어 회로를 포함하는 반도체 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 솔레노이드를 포함하고 차량에 장착된 솔레노이드 밸브 및 상기 솔레노이드를 제어하도록 구성된 솔레노이드 구동기를 포함하는 차내 밸브 시스템이 제공된다. 상기 솔레노이드 구동기는 상기 솔레노이드에 전력을 공급하도록 구성된 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 제어하도록 구성된 마이크로컴퓨터를 포함한다. 상기 반도체 장치는 상기 출력 단자를 통해 상기 솔레노이드에 출력 전류를 출력하도록 구성된 출력 구동 회로; 상기 출력 단자와 상기 출력 구동 회로 사이에 접속된 검출 저항기; 상기 검출 저항기의 양단부 사이의 전압을 증폭함으로써 생성된 아날로그 검출 신호를 출력하도록 구성된 증폭 유닛; 기준 전류를 출력하도록 구성된 전류 생성 회로; 상기 전류 생성 회로와 그라운드 사이에 접속되고 상기 기준 전류에 따라 기준 전압을 출력하도록 구성된 기준 저항기; 상기 기준 전압을 기준으로 하여 상기 아날로그 검출 신호를 디지털 검출 신호로 변환하는 A/D 변환기; 및 상기 디지털 검출 신호에 따라 상기 출력 구동 회로로부터 출력되는 출력 전류를 제어하도록 구성된 제어 회로를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 차량에 장착된 솔레노이드 밸브의 솔레노이드에 전류를 공급하도록 구성된 반도체 장치; 및 상기 반도체 장치를 제어하도록 구성된 마이크로컴퓨터를 포함하는 솔레노이드 구동기가 제공된다. 상기 반도체 장치는 상기 출력 단자를 통해 상기 솔레노이드에 출력 전류를 출력하도록 구성된 출력 구동 회로; 상기 출력 단자와 상기 출력 구동 회로 사이에 접속된 검출 저항기; 상기 검출 저항기의 양단부 사이의 전압을 증폭함으로써 생성된 아날로그 검출 신호를 출력하도록 구성된 증폭 유닛; 기준 전류를 출력하도록 구성된 전류 생성 회로; 상기 전류 생성 회로와 그라운드 사이에 접속되고 상기 기준 전류에 따라 기준 전압을 출력하도록 구성된 기준 저항기; 상기 기준 전압을 기준으로 하여 상기 아날로그 검출 신호를 디지털 검출 신호로 변환하는 A/D 변환기; 및 상기 디지털 검출 신호에 따라 상기 출력 구동 회로로부터 출력되는 출력 전류를 제어하도록 구성된 제어 회로를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 온도 변화의 영향을 받지않고 차량에 장착된 솔레노이드에 전류를 공급할 수 있다.
상기 및 기타 목적들, 장점들 및 특징들은 첨부 도면들과 관련된 이하의 몇몇 실시예들의 설명으로부터 보다 명백해 질 것이다.
도 1은 제1 실시예에 따른 반도체 장치를 통합한 차량의 구동 트레인의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 출력 구동 회로의 구성의 실질적인 부분을 개략적으로 나타내는 회로도이다.
도 4는 HSD(하이측 구동기(high-side driver))가 턴온되고, LSD(로우측 구동기(low-side driver))가 턴오프되었을 때의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 출력 구동회로 내의 전류 흐름을 나타내는 회로도이다.
도 5는 HSD(하이측 구동기)가 턴오프되고, LSD(로우측 구동기)가 턴온되었을 때의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 출력 구동회로 내의 전류 흐름을 나타내는 회로도이다.
도 6은 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 출력 전류 및 제어 신호들을 나타내는 그래프이다.
도 7은 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 증폭 유닛의 온도 특성들을 나타내는 그래프이다.
도 8은 제1 실시예에 다른 반도체 장치의 A/D 변환기의 온도 특성들을 나타내는 그래프이다.
도 9는 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 디지털 검출 신호의 온도 특성들을 나타내는 그래프이다.
도 10은 검출 저항기들 및 기준 저항기들의 레이아웃의 예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 11은 제2 실시예에 따른 반도체 장치(200)의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 12는 제2 실시예에 따른 반도체 장치의 온도 특성들을 정정하는 절차의 흐름도이다.
도 13은 제2 실시예에 따른 초기 측정시 디지털 검출 신호의 온도 특성들을 나타내는 도면이다.
도 14는 단계 S2 및 S3에서의 온도 특성들의 변화의 조정을 나타내는 그래프이다.
도 15는 제2 실시예에 따른 반도체 장치의 제어 회로에 의해 인식된 출력 전류값과 실제 출력 전류값 사이의 차이의 예를 나타내는 그래프이다.
도 16은 제3 실시예에 따른 반도체 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 17은 제3 실시예에 따른 반도체 장치의 증폭 유닛의 구성을 개략적으로 나타내는 회로도이다.
도 18은 제4 실시예에 따른 반도체 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 19는 제4 실시예에 따른 반도체 장치의 출력 구동 회로의 구성의 실질적인 부분의 개략적으로 나타내는 회로도이다.
도 20은 제4 실시예에 따른 반도체 장치의 증폭 유닛의 구성을 개략적으로 나타내는 회로도이다.
이하에서 본 발명의 실시예들을 도면을 참조로 하여 기술한다. 각 도면들에 있어서, 동일 구성 요소들은 동일 참조 번호들로 나타내고, 이에 대한 반복적인 설명은 필요에 따라 제공되지 않는다.
제1 실시예에 따른 반도체 장치(100)를 기술한다. 여기서, 반도체 장치(100)를 이용하는 한 특징의 일 예를 먼저 기술한다. 반도체 장치(100)는 반도체 기판 및 컴파운드 반도체 기판상에 장착된 전기 회로로서 구성되고, 예를 들어, 차량에 장착된 솔레노이드 밸브를 구동하는 솔레노이드 구동기 내에 통합된다. 상기 솔레노이드 구동기는 예를 들어 차량에 장착된 차내 IC 내에 통합된다.
도 1은 제1 실시예에 따른 반도체 장치(100)를 통합하는 차량의 구동 트레인의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 차량 구동 트레인(1000)은 구동 휠(1001 및 1002), 휠(1003 및 1004), 샤프트(1011 내지 1014), 트랜스미션(1020), 차동 기어(1031 및 1032), 엔진(1040), 클러치(1050), 솔레노이드 밸브(1060) 및 솔레노이드 구동기(1070)를 포함한다. 솔레노이드 구동기(1070)는 예를 들어, 전자 제어 유닛(ECU) 내에 통합될 수 있도록 구성된다.
구동력을 발생하는 각종의 엔진들이 엔진(1040)으로서 사용될 수 있다. 엔진(1040)으로 발생된 구동력은 클러치(1050)를 통해 트랜스미션(1020)으로 전달된다. 트랜스미션(1020)은 차동 기어(1031) 및 샤프트(1012)를 통해 구동 휠(1001)에 구동력을 전달하고 또한 차동 기어(1031) 및 샤프트(1012)를 통해 구동 휠(1002)에 구동력을 전달한다. 휠(1003)은 샤프트(1013)를 통해 서로 맞물린다. 휠(1004)은 샤프트(1014)를 통해 서로 맞물린다.
ECU(1070)는 엔진(1040) 및 솔레노이드 밸브(1060)를 제어하기 위한 장치이다. ECU(1070)는 솔레노이드 구동기 IC로서 기능하는 반도체 장치(100) 및 상기 반도체 장치(100)를 제어하는 및 마이크로컴퓨터(MCU)(1071)를 포함한다. 상기 반도체 장치(100)는 솔레노이드 밸브(1060)에 공급된 전류를 제어함으로써 솔레노이드 밸브(1060)의 개/폐를 제어한다. 즉, 반도체 장치(100)는 상기 솔레노이드 밸브(1060)의 개/폐를 제어함으로써 엔진으로부터 트랜스미션(102)으로의 구동력의 전달을 제어할 수 있다.
이하에서는, 반도체 장치(100)를 기술한다. 도 2는 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다. 상기 반도체 장치(100)는 제어 회로(1), 출력 구동 회로(2), 전류 생성 회로(3) 및 전류 검출 회로(4)를 포함한다.
제어 회로(1)는 장치측 전원(VCC)(또한 제1 전원이라고도 함)으로부터 전력을 공급받는다. 제어 회로(1)는 전류 검출 회로(4)의 검출 결과인 디지털 검출 신호(IFB)에 따라 제어 신호(CON1 및 CON2)를 이용하여 출력 구동 회로(2)를 제어 신호(CON3)를 이용하여 전류 생성 회로(3)를 제어한다. 특히, 제어 회로(1)는 상기 디지털 검출 신호(IFB)에 따라 출력 구동 회로(2)로부터 출력되는 출력 전류(Iout)의 값 및 전류 생성 회로(3)로부터 출력되는 기준 전류(Iref)의 값을 제어할 수 있도록 구성된다.
도 3은 반도체 장치(100)의 출력 구동 회로(2)의 구성의 실질적인 부분을 개략적으로 나타내는 회로도이다. 상기 출력 구동 회로(2)는 출력 단자(OUT)를 통해 차량에 장착된 솔레노이드 밸브의 솔레노이드(101)에 출력 전류(Iout)를 출력한다. 이 예에서, 상기 솔레노이드(101)는 상기 출력 단자(OUT)와 파워 트레인 그라운드 사이에 접속되어 있다.
출력 구동 회로(2)는 하이측 구동기(HSD)(21), 로우측 구동기(LSD)(22) 및 검출 저항기(Rs)를 포함한다. 이 예에서, 하이측 구동기(HSD)(21) 및 로우측 구동기(LSD)(22) 각각은 NMOS(N 채널 금속 산화 반도체) 트랜지스터로 구성된다. HSD(21)를 구성하는 NMOS 트랜지스터의 드레인은 파워 트레인 전원(Vb)(제2 전원이라고도 함)에 접속되어 있다. 상기 HSD(21)를 구성하는 NMOS 트랜지스터의 소스는 LSD(22)를 구성하는 NMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되어 있다. LSD(22)를 구성하는 NMOS 트랜지스터의 소스는 파워 트레인 그라운드에 접속하는 파워 트레인 그라운드 단자(PG)에 접속되어 있다. 제어 회로(1)로부터의 제어 신호(CON1)는 HSD(21)를 구성하는 NMOS 트랜지스터의 게이트에 입력된다. 상기 제어 회로(1)의 제어 신호(CON2)는 LSD(22)를 구성하는 NMOS 트랜지스터의 게이트에 입력된다.
HSD(21) 및 LSD(22)는 제어 회로(1)에 의해 PWM(Pulse Width Modulation) 제어에 의해 상보적으로 개방/폐쇄(턴온/턴오프)하도록 제어된다. 도 4는 HSD(21)이 턴온되고, LSD(22)가 턴오프되었을 때의 제1 실시예에 따른 반도체 장치(100)의 출력 구동회로(2) 내의 전류 흐름을 나타내는 회로도이다. 상기 HSD(21)가 턴온되고, 상기 LSD(22)가 턴오프되었을 때, 전류값의 증가를 갖는 솔레노이드(101) 내로 흐르는 방향에서 파워 트레인 전원(Vb)으로부터 전류가 출력된다. 도 5는 HSD(21)이 턴오프되고, LSD(22)가 턴온되었을 때의 제1 실시예에 따른 반도체 장치(100)의 출력 구동회로(2) 내의 전류 흐름을 나타내는 회로도이다. 상기 HSD(21)가 턴오프되고, 상기 LSD(22)가 턴온되었을 때, 전류값의 감소를 갖는 솔레노이드(101) 내로 흐르는 방향에서 파워 트레인 단자(PG)를 통해 파워 트레인 그라운드로부터 전류가 출력된다.
도 6은 제1 실시예에 따른 반도체 장치(100)의 출력 전류 및 제어 신호들을 나타내는 그래프이다. 이하에 기술하는 바와 같이, 제어 회로(1)는 검출 저항기(Rs) 양단에서의 전압을 모니터함으로써 출력 구동 회로(2)의 출력 전류(Iout)를 모니터한다. 그후, 제어 회로(1)는 모니터링 결과에 따라 상기 HSD(21) 및 LSD(22) 상에서 PWM 제어를 수행하여 HSD(21) 및 LSD(22)가 상보적으로 턴온/턴오프되고, 출력 전류(Iout)가 목표값에 수렴하도록 제어된다.
전류 생성 회로(3)는 상기 장치측 전원(VCC)으로부터 전력을 공급받는다. 전류 생성 회로(3)는 전류 검출 회로(4)로 기준 전류(Iref)를 출력하는데 그 값은 제어 회로(1)에 의한 제어에 대응한다. 본 실시예에 있어서, 기준 전류(Iref)는 온도에 무관한 정전류값이다.
전류 검출 회로(4)는 출력 구동 회로(2)의 출력 전류(Iout)를 검출하고, 검출 결과를 제어 회로(1)에 출력한다. 전류 검출 회로(4)는 증폭 유닛(41), A/D 변환기(42), 검출 저항기(Rs) 및 기준 저항기(Rref)를 포함한다. 검출 저항기(Rs)의 일단은 HSD(21)를 구성하는 NMOS 트랜지스터의 드레인과 LSD(21)를 구성하는 NMOS 트랜지스터의 소스에 접속된다. 검출 저항기(Rs)의 타단은 반도체 장치(100)의 출력 단자(OUT)에 접속된다. 증폭 유닛(41)의 단자(SP)는 검출 저항기(Rs)의 고전압 측 단(즉, HSD(21)와 LSD(22)의 측 단)에 접속된다. 따라서 증폭 유닛(41)은 검출 저항기(Rs)의 양단 사이의 전압을 증폭함으로써 생성된 아날로그 검출 신호(VDET)를 출력한다.
기준 저항기(Rref)는 전류 생성 회로(3)와 장치측 그라운드(GND) 사이에 접속된다. 상기 전류 생성 회로(3)로부터의 기준 전류(Iref)는 기준 저항기(Rref)를 통해 흘러서 기준 전압(Vref)이 기준 저항기(Rref)의 고전압 측 단에 나타난다. A/D 변환기(42)는 기준 전압(Vref)을 기준으로 하여 아날로그 검출 신호(VDET)에 대한 A/D 변환을 수행한다. A/D 변환된 디지털 검출 신호(IFB)는 제어 회로(1)로 출력된다.
다음에, 상기 반도체 장치(100)의 동작을 설명한다. 도 7은 제1 실시예에 따른 반도체 장치(100)의 증폭 유닛(41)의 온도 특성들을 나타내는 그래프이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 온도 증가의 경우에, 같은 값(도 7의 Ic)의 출력 전류에 대한 검출 저항(Rs)의 저항값이 증가한다. 따라서 상기 증폭 유닛(41)으로부터 출력되는 아날로그 검출 신호(VEDT)가 증가한다. 즉, 상기 증폭 유닛(41)은 정의 온도 특성들을 갖는다.
도 8은 제1 실시예에 따른 반도체 장치(100)의 A/D 변환기(42)의 온도 특성들을 나타내는 그래프이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 온도 증가의 경우에, 기준 저항기의 저항값(도 7의 Ic)이 증가하여 기준 전압 또한 증가한다. 전술한 바와 같이, A/D 변환기(42)는 기준 전압(Vref)을 참조하여 A/D 변환을 수행한다. 따라서 이 경우, 동일 값(도 8의 Vc)의 아날로그 검출 신호(VDEF)에 대한 디지털 검출 신호(IFB)는 감소한다. 즉, A/D 변환기(42)는 음의 온도 특성을 갖는다.
도 9는 제1 실시예에 따른 반도체 장치(100)의 디지털 검출 신호(IFB)의 온도 특성의 일 예를 나타내는 그래프이다. 전술한 바와 같이, 증폭 유닛(41) 및 A/D 변환기(42)는 서로 반대의 온도 특성을 가지므로, 이 온도 특성들은 상쇄된다. 이 결과, 디지털 검출 신호(IFB)에서 나타나는 온도 특성을 경감 또는 소거될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 구성에 따르면, 온도가 변화하는 경우에 출력 전류의 변화를 디지털 검출 신호(IBF)의 온도 특성을 억제함으로써 방지할 수 있다. 그 결과 차량 내의 시프트 변화의 쇼크 증가나 온도 변화와 관련된 승차 품질의 열화와 같은 차량의 제어성능 변화를 방지할 수 있다.
본 구성에 있어서, 검출 저항기(Rs) 및 기준 저항기(Rref)는 디지털 검출 신호(IFB)에서 나타나는 온도 변화를 정밀하게 경감 또는 제어하기 위해 같은 종류의 저항기를 갖는 것이 바람직하다. 따라서 증폭 유닛(41)의 온도 특성의 변화율(구배)의 절대값 및 A/D 변환기(42)의 온도 특성의 변화율(구배)의 절대값에 근사하는 것이 가능하므로, 상기 두 특성을 넓은 온도 범위에서 정밀하게 소거하는 것을 기대할 수 있다.
또한, 검출 저항기(Rs) 및 기준 저항기(Rref)는 가능한 한 대략 또는 바람직하게는 서로 인접하게 반도체 장치(100) 내에 배치되는 것이 바람직하다. 따라서 검출 저항기(Rs) 및 기준 저항기(Rref)에 상기 같은 온도 변화가 인가될 수 있으므로, 상기 두 특성을 넓은 온도 범위에서 정밀하게 소거하는 것을 기대할 수 있다. 도 10은 검출 저항기(Rs) 및 기준 저항기(Rref)의 레이아웃의 일례를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 10에서 각각의 작은 사각형은 저항 소자(R)를 나타낸다. 각 검출 저항기(Rs) 및 기준 저항기(Rref)는 복수의 저항기들(R)을 병렬로 접속함으로써 구성된다. 저항기(R)는 예를 들어, 반도체 기판 상에 형성된 폴리 실리콘 저항기로서 형성된다. 이 예에서, 검출 저항기(Rs)는 넓은 영역으로 구성되고, 검출 저항기(Rs)를 통해 흐르는 출력 전류(Iout) 값의 감소가 가능한 한 작게 되도록 하기 위해서 저저항값의 저항기로 구성된다. 따라서, 검출 저항기(Rs)를 구성하는 저항 소자들(R)의 수는 기준 저항기(Rref)를 구성하는 저항 소자들(R)의 수보다 크다. 따라서, 도 10에 도시한 바와 같이, 예를 들어 기준 저항기(Rref)를 검출 저항기들(Rs)에 의해 에워싸지도록 배치함으로써 검출 저항(Rs) 및 기준 저항(Rref)에 인가되는 전압 변화를 평균화할 수 있다. 따라서 증폭 유닛(41)과 A/D 변환기(42)의 온도 특성을 넓은 범위에서 정밀하게 소거할 수 있다.
도 10에 도시된 검출 저항기(Rs) 및 기준 저항기(Rref)의 레이아웃은 단지 예시임을 일러둔다. 예를 들어, 기준 저항기(Rref)를 구성하는 저항 소자(R)는 복수의 그룹으로 분할될 수 있으며, 상기 복수의 그룹을 매트릭스 상의 저항 소자들(R)로 분산적으로 배치한다.
제2 실시예
제2 실시예에 따른 반도체 장치(200)를 기술한다. 도 11은 제2 실시예에 따른 반도체 장치(200)의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다. 반도체 장치(200)는 반도체 장치(100)의 전류 생성 회로(3)가 전류 생성 회로(5)로 대체된 구성을 갖는다.
상기 전류 생성 회로(5)는 온도 특성 조정 유닛(51) 및 전류값 조정 유닛(52)을 포함한다. 온도 특성 조정 유닛(51)은 제어 회로(1)로부터의 제어 신호(CON3)에 따라 온도 특성에 기준 전류(Iref)를 제공한다. 전류값 조정 유닛(52)은 그 온도 특성이 온도 특성 조정 유닛(51)에 의해 조정된 후, 기준 전류(Iref)의 값을 조정한다. 반도체 장치(200)의 다른 구성은 반도체 장치(100)의 구성과 같으므로, 그 설명은 생략한다.
제1 실시예에서 기술한 바와 같이, 증폭 유닛(41)과 A/D 변환기(42)의 온도 특성이 상쇄될 수 있을지라도, 증폭 유닛(41)과 A/D 변환기(42)의 온도 특성의 변화율(구배)이 서로 다른 경우에 온도 특성이 디지털 검출 신호(IFB)에서 유지될 수 있다. 반도체 장치(200)는 상기 온도 특성에 기준 전류(Iref)를 공급함으로써 상기 증폭 유닛(41)과 A/D 변환기(42)의 온도 특성을 정밀하게 소거할 수 있으며, 또한 디지털 검출 신호(IFB)의 온도 특성을 제어할 수 있다.
이하에서는 반도체 장치(200)의 동작을 설명한다. 도 12는 제2 실시예에 따른 반도체 장치(200)의 온도 특성을 정정하는 전차를 나타내는 흐름도이다. 예를 들어, 온도 특성의 정정은 상기 반도체 장치(200)가 시스템 내에 설치되기 이전에 초기 설정으로서 수행된다(예를 들어, 탑재전(pre-shipment) 튜닝).
단계 S1: 초기 설정
먼저, 초기 설정에 있어서, 온도 특성에 기준 전류(Iref)를 제공하기 위한 준비로서, A/D 변환기(42)의 디지털 검출 신호(IFB)의 온도 특성은 출력 전류(Iout)가 일정 값을 유지하고 있는 상태에서 온도가 변화하는 환경에서 측정된다. 이 경우, 전류 생성 회로(5)는 그 값을 일정으로 유지하기 위해 기준 전류(Iref)를 제어한다. 따라서 디지털 검출 신호(IFB)에서 유지하는 온도 특성이 구해질 수 있다. 도 13은 제2 실시예에 따른 초기 측정에서 디지털 검출 신호(IFB)의 온도 특성을 나타내는 도면이다. 이 예에서, 도 13에 도시한 바와 같이, 디지털 검출 신호의 온도 특성은 양의 온도 특성을 갖는다.
단계 S2: 온도 특성 변화의 조정
다음으로, 전류 생성 회로(51)의 온도 특성 조정 유닛(51)이 기준 전류(Iref)의 온도 특성을 정정하여 그 기준 전류(Iref)는 디지털 검출 신호(IFB)와 같은 온도 특성을 갖는다. 도 14는 단계 S2 및 S3에서 온도 특성 변화의 조정을 나타내는 그래프이다. 특히, 상기 조정은 기준 전류(Iref)의 온도 변화(구배)가 디지털 검출 신호(IFB)(도 14의 Iref)의 온도의 변화(구배)와 같다.
단계 S3: 온도 특성 절대값의 조정
다음으로, 전류 생성 회로(5)의 전류값 조정 유닛(52)은 기준 전류(Iref)의 온도 특성의 절대값을 정정한다. 기준 전류(Iref)의 온도 특성을 나타내는 라인의 위치(곡선)는 전술한 온도 특성의 정정으로 인해 이동된다. 따라서 기준 전류(Iref)의 온도 특성은 기준 온도에서 기준 전류(Iref)의 온도 특성의 절대값을 소정값이 되게 하도록 상하로 천이함으로써 정정된다.
따라서, 디지털 검출 신호(IFB)를 유지하는 온도 특성이 제거될 수 있어서 온도로 인한 디지털 검출 신호(IFB) 값의 변화가 방지될 수 있다.
디지털 검출 신호(IFB)를 기반으로 상기 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값과 실제 출력 전류값 사이의 차이는 디지털 검출 신호(IFB)가 보상될 때 발생함을 일러둔다. 도 15는 제2 실시예에 따른 반도체 장치(200)의 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)과 실제 출력 전류값(Iact) 사이의 차이의 일례를 나타내는 그래프이다. 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)은 실제 출력 전류값(Iact)과 일치하지 않는다. 여기에서 기술한 실제 출력 전류값(Iact)은 예를 들어, 반도체 장치(200) 외부의 측정 장치에 의해 실제로 측정된 출력 전류값을 나타낸다.
제어 회로(1)는 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)과 실제 출력 전류값(Iact) 사이의 차이를 기반으로 실제 출력 전류값(Iact)의 변화와 일치시키도록 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)의 변화를 조정한다. 특히, 제어 회로(1)는 외부 측정 장치 또는 유사의 것으로부터 실제 출력 전류값(Iact)의 측정 결과를 수신하여 그 측정 결과를 기반으로 실제 출력 전류값(Iact)의 변화를 계산한다. 그러면, 상기 제어 회로(1)는 계수를 계산하고, 이 계수에 의해 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)이 승산되어 상기 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)의 변화가 실제 출력 전류값(Iact)의 변화와 일치하게 된다. 따라서 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)의 변화는 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)을 계산된 계수(이득 조정치)와 승산함으로써 실제 출력 전류값(Iact)의 변화와 일치하게 된다. 그 후, 상기 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)의 절대값은 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)을 실제 출력 전류값(Iact)과 일치하게 하도록 조정된다(오프셋 조정).
전술한 절차에 따라 반도체 장치(200)에 있어서, 제어 회로(1)에 의해 인식된 출력 전류값(Irec)과 실제 출력 전류값(Iact) 사이의 차이가 소거된다. 따라서 반도체 장치(200)는 지정된 값을 갖는 출력 전류를 출력할 수 있다.
제3 실시예
제3 실시예에 따른 반도체 장치(300)를 기술한다. 도 16은 제3 실시예에 따른 반도체 장치(300)의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다. 반도체 장치(300)는 전류 생성 회로(3) 및 전류 검출 회로(4)가 전류 생성 회로(6) 및 전류 검출 회로(7)로 각각 대체된 구성을 갖는다.
상기 전류 생성 회로(6)는 기준 전류(Iref)뿐만 아니라 전류(Imeas)(제1 전류라고 함)를 출력한다. 상기 전류 생성 회로(6)는 온도 특성 조정 유닛(61) 및 전류값 조정 유닛(62)을 포함한다. 온도 특성 조정 유닛(61) 및 전류값 조정 유닛(62)은 전류 생성 회로(5)의 온도 특성 조정 유닛(51) 및 전류값 조정 유닛(52)에 각각 대응한다. 전류 생성 회로(6)에 있어서, 온도 특성 조정 유닛(61)은 기준 전류(Iref) 및 전류(Imeas)의 온도 특성의 변화를 제어할 수 있도록 구성된다. 전류값 조정 유닛(62)은 온도 특성의 변화 조정 이후 상기 기준 전류(Iref) 및 전류(Imeas)의 절대값을 조정할 수 있도록 구성된다.
도 17은 제3 실시예에 따른 반도체 장치(300)의 증폭 유닛(71)의 구성을 개략적으로 나타내는 회로도이다. 전류 검출 회로(7)는 전류 검출 회로(4)의 증폭 유닛(41)이 증폭 유닛(71)으로 대체된 구성을 갖는다. 증폭 유닛(71)은 전류 미러(72 내지 74), 연산증폭기(75), NMOS 트랜지스터(NM) 및 저항기(R1 내지 R5)를 포함한다. 이하에서는, 저항기(R5)는 또한 제2 저항기라고도 한다. 저항기(R1)는 또한, 제2 저항기라고도 한다. 전류 미러(74)는 또한 제1 전류 미러라도고 한다. 전류 미러(72)는 또한 제2 전류 미러라도고 한다. 전류 미러(73)는 또한 제3 전류 미러라도고 한다.
연산 증폭기(75)의 출력 단자는 NMOS 트랜지스터(NM)의 게이트(제어 단자)에 접속되어 있다. NMOS 트랜지스터(NM)의 드레인은 전류 미러(74)에 접속되어 있다. 전류 미러(74)는 출력 단자(TOUT)에 접속되고, 또한 저항기(R5)를 통해 장치측 그라운드(GND)에 접속되어 있다. 전류 미러(74)는 전원(VCC)으로부터 전력을 공급받으며, NMOS 트랜지스터(MN)를 통해 흐르는 전류를 복사해서 상기 복사된 전류를 저항기(R5)로 출력한다. 따라서 저항기(R5)의 고전압측 단의 전압은 출력 단자(TOUT)로부터 아날로그 검출 신호(VDET)로서 출력된다.
연산 증폭기(75)의 비반전 입력단(제1 입력이라고도 함)은 저항기(R1)에 접속되어 있다. 저항기(R2)는 저항기(R1)와 단자(SP) 사이에 접속되어 있다. 연산 증폭기(75)의 반전 입력단(제2 입력이라고도 함)은 저항기(R3) 및 NMOS 트랜지스터(NM)의 소스에 접속되어 있다.
전류 미러(72)는 전원(VCC)으로부터 전력을 공급받으며, 전류 생성 회로(6)로부터 출력된 전류(Imeas)를 복사한다. 전류 미러(73)는 드레인 트레인측 전원(Vb)으로부터 전력을 공급받으며, 상기 복사된 전류(Imeas)를 다시 복사한다. 전류 미러(73)는 상기 복사된 전류를 상기 저항기(R2)를 통해 단자(SP)에 전류(Ioff)로서 출력한다.
상기 증폭 유닛(71)의 온 전류(Ion) 시, 저항(R2)을 통해 전류(Ioff)가 흐르므로, 오프셋 전압(Voff)이 생성된다. 따라서 연산 증폭기(75)의 입력 오프셋이 보상된다. 저항기(R2)는 검출 저항기(Rs) 및 기준 저항기(Rref)와 유사하게 양의 온도 특성을 가지므로, 오프셋 전압(Voff)은 온도 변화에 따라 증가한다. 따라서, 증폭 유닛(71)으로부터 출력된 아날로그 검출 신호(VDET)의 값은 전류 검출 회로(7)가 출력하지 않을 때 변화한다. 따라서, 본 실시예에 있어서, 오프셋 전압(Voff)의 값은 온도 특성에 전류(Ioff)를 제공함으로써 안정화된다.
특히, 온도 특성 조정 유닛(61)이 음의 온도 특성에 전류(Imeas)를 제공한 다음 전류값 조정 유닛(62)이 전류(Imeas)의 절대값으로 조정하여 전류(Imeas)는 소정의 음의 온도 특성을 갖게 된다. 따라서 전류(Imeas)를 복사함으로써 생성된 전류(Ioff)는 또한 소정의 음의 온도 특성을 갖는다.
즉, 저항기(R2)의 저항값이 온도의 증가로 감소하는 동안 Ioff의 값은 감소한다. 따라서 본 구성에 따르면, 연산 증폭기(75)에 제공된 오프셋 전압(Voff)의 온도 특성은 일정을 유지할 수 있다. 따라서 증폭기(71)로부터 출력된 아날로그 검출 신호(VDET)의 값은 전류 검출 회로(7)가 출력하지 않을 때 변화가 방지된다.
제4 실시예
제4 실시예에 따른 반도체 장치(400)를 기술한다. 반도체 장치(400)는 제3 실시예에 따른 반도체 장치(300)의 대안이다. 도 18은 제4 실시예에 따른 반도체 장치(400)의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다. 반도체 장치(400)는 전류 검출 회로(7)가 전류 검출 회로(8)로 대체된 구성을 갖는다. 출력 단자(OUT)는 솔레노이드(101)를 통해 드라이브 트레인 전원(Vb)에 접속되어 있다.
도 19는 제4 실시예에 따른 반도체 장치(400)의 출력 구동 회로(2)의 구성의 실질적인 부분을 개략적으로 나타내는 회로도이다. 본 실시예에 있어서, 출력 단자(OUT)는 솔레노이드(101)를 통해 드라이브 트레인 전원(Vb)에 접속되어 있으므로, 출력 전류의 방향은 제1 내지 제3 실시예의 방형과 반대이다. HSD(21)가 턴오프되고, LSD(22)가 턴온될 때, 출력 전류는 그 전류가 증가하면 출력 단자(OUT)와 파워 트레인 그라운드 단자(PG)를 통해 외부 파워 트레인 전원(Vb)으로부터 파워 트레인 전원으로 흐른다.
전류의 방향이 반전되므로, 예를 들어, 제3 실시예의 전류 검출 회로(7)를 이용하는 경우에, 연산 증폭기의 극성은 반전되어 정상 증폭 동작은 수행될 수 없다. 따라서 본 실시예에 있어서는 전류 검출 회로(8)는 출력 전류(Iout)의 방향과 무관하게 정상 증폭 동작을 수행할 수 있도록 구성된다. 도 20은 제4 실시예에 따른 반도체 장치(400)의 증폭 유닛(81)의 구성을 개략적으로 나타내는 회로도이다. 전류 검출 회로(8)는 제3 실시예에 따른 전류 검출 회로(7)에 스위치 유닛(82)이 부가된 구성을 갖는다.
스위치 유닛(82)은 스위치들(SW1 내지 SW4)(이들은 또한 각각 제1 내지 제4 스위치라고도 함)을 포함하고, 상기 스위치들은 단자(SP, SM) 및 연산 증폭기(75) 사이에 삽입된다. 스위치(SW1)는 단자(SP)와 저항기(R2) 사이에 또는 단자(SP)와 상기 연산 증폭기(75)의 비반전 단자 사이에 삽입된다. 스위치(SW2)는 단자(SP)와 저항기(R4) 사이에 또는 단자(SP)와 상기 연산 증폭기(75)의 반전 단자 사이에 삽입된다. 스위치(SW3)는 단자(SM)와 저항기(R4) 사이에 또는 단자(SM)와 상기 연산 증폭기(75)의 반전 단자 사이에 삽입된다. 스위치(SW4)는 단자(SM)와 저항기(R2) 사이에 또는 단자(SM)와 상기 연산 증폭기(75)의 비반전 단자 사이에 삽입된다.
스위치(SW1 내지 SW3)는 예를 들어 스위치들(SW2 및 SW4)에 대해 상보적으로 개방/폐쇄하도록 구성된다. 본 실시예에 있어서, 도 20에 도시한 바와 같이, 스위치들(SW2 및 SW4)은 폐쇄되고, 스위치들(SW1 및 SW3)은 개방된다. 따라서 검출 저항기(Rs)의 고전압 측 단은 연산 증폭기(75)의 비반전 단자에 접속되어 있으며, 검출 저항기(Rs)의 저전압 측 단은 연산 증폭기(75)의 반전 단자에 접속되어 있다.
한편, 전류 검출 회로(8)가 전술한 바와 같이 반도체 장치(100, 200 및 300)에 적용된 경우에, 스위치들(SW2 및 SW4)은 개방되고, 스위치들(SW1 및 SW3)은 폐쇄된다. 따라서 검출 저항기(Rs)의 고전압 측 단은 연산 증폭기(75)의 반전 단자에 접속되어 있으며, 검출 저항기(Rs)의 저전압 측 단은 연산 증폭기(75)의 비반전 단자에 접속되어 있다. 따라서 정상 증폭 동작이 수행될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 구성에 따르면, 출력 전류(Iout)의 방향에 무관하게 연산 증폭기의 입력 오프셋을 보상하는 오프셋 전압을 출력할 수 있고 또한 온도 변화와 무관하게 오프셋 전압을 유지할 수 있는 반도체 장치를 제공할 수 있다.
기타 실시예
본 발명은 전술한 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상을 일탈하지 않고 적절히 변경될 수 있다. 예를 들어, 제2 실시예의 경우에, 기준 전류(Iref)는 제3 실시예와 제4 실시예의 온도 특성을 가질 수 있음을 이해해야 한다.
제4 실시예에서의 경우와 같이, 제1 및 제2 실시예에서 출력 단자(OUT)와 파워 트레인 전원(Vb) 사이에 솔레노이드(101)가 접속됨을 이해해야 한다.
전술한 출력 구동 회로(2)의 구성은 단지 일례이다. 따라서 출력 전류에 솔레노이드(101)를 공급할 수 있는 다른 구성도 적용될 수 있음을 이해해야 할 것이다.
전술한 실시예들에 사용된 NMOS 트랜지스터들 모두 또는 그 일부는 PMOS 트랜지스터 또는 기타 형태의 트랜지스터들로 적절히 대체될 수 있다.
본 발명자들이 개발한 본 발명을 실시예들을 기초로 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들로 한정되지 않으며, 본 발명의 사상을 일탈하지 않는 범위 내에서 여려 가지 변경이 행해질 수 있다.
제1 내지 제4 실시예는 본 분야의 당업자에 의해 바람직하게 조합될 수 있다.
본 발명을 몇 가지 실시예에 의해 기술했지만, 본 분야의 당업자들이라면 본 발명은 부속 청구범위의 사상 및 영역 내에서 여러 가지로 변형실시될 수 있으며, 본 발명은 전술한 예들로 한정되지 않는다.
또한, 청구범위의 영역은 전술한 실시예들에 의해 한정되지 않는다.
또한, 출원인의 의도는 본 발명의 수속중 후에 변경될지라도 모든 청구범위의 요소들의 등가물을 망라하고자 함을 지적한다.

Claims (12)

  1. 반도체 장치로서,
    출력 단자를 통해 차내에 통합된 솔레노이드로 출력 전류를 출력하도록 구성된 출력 구동 회로;
    상기 출력 단자와 상기 출력 구동 회로 사이에 접속된 검출 저항기;
    상기 검출 저항기의 양단부 사이의 전압을 증폭함으로써 생성된 아날로그 검출 신호를 출력하도록 구성된 증폭 유닛;
    기준 전류를 출력하도록 구성된 전류 생성 회로;
    상기 전류 생성 회로와 그라운드 사이에 접속되고 상기 기준 전류에 따라 기준 전압을 출력하도록 구성된 기준 저항기;
    상기 기준 전압을 기준으로 하여 상기 아날로그 검출 신호를 디지털 검출 신호로 변환하는 A/D 변환기; 및
    상기 디지털 검출 신호에 따라 상기 출력 구동 회로로부터 출력되는 출력 전류를 제어하도록 구성된 제어 회로를 포함하며,
    상기 검출 저항기가 가지는 온도 특성과 상기 기준 저항기가 가지는 온도 특성은 동일하고,
    상기 전류 생성 회로는, 상기 기준 전류 및 상기 출력 전류가 일정하게 유지된 상태에서 측정된 상기 디지털 검출 신호의 온도 특성과 동일한 변화율의 온도 특성을, 상기 기준 전류에 제공하며,
    상기 제어 회로는 외부에서 측정된 출력 전류의 측정값이 디지털 검출 신호로 표현된 출력 전류의 값과 일치하게 하도록 상기 디지털 검출 신호의 이득 및 오프셋을 조정하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검출 저항기는 상기 기준 저항기에 인접하여 제공되는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 검출 저항기 및 기준 저항기 각각은 복수의 저항기 소자들로 구성되고; 또한
    상기 기준 저항기를 구성하는 복수의 저항기 소자들이 상기 검출 저항기를 구성하는 복수의 저항기 소자들에 의해 에워싸지도록 제공되는 반도체 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 증폭 유닛은,
    연산 증폭기; 및
    상기 검출 저항기의 일단과 상기 연산 증폭기의 한 입력인 제1 입력 사이에 접속된 제1 저항기를 포함하고,
    상기 전류 생성 회로는 상기 제1 저항기와 상기 연산 증폭기의 제1 입력 사이의 한 노드에 제1 전류를 공급하고,
    상기 연산 증폭기의 다른 입력인 제2 입력은 상기 검출 저항기의 타단에 접속되어 있으며,
    상기 증폭 유닛은 상기 연산 증폭기의 출력으로부터의 신호를 기초로 아날로그 검출 신호를 출력하는 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 증폭 유닛은,
    상기 연산 증폭기의 출력에 접속되는 제어 단과 상기 연산 증폭기의 제2 입력에 접속되는 일단을 갖는 트랜지스터;
    그라운드에 접속된 일단을 갖는 제2 저항기; 및
    상기 제2 저항기의 타단과 상기 트랜지스터의 타단에 전류를 출력하도록 구성된 제1 전류 미러를 포함하고, 또한
    상기 제2 저항기의 제1 전류 미러의 한쪽 단의 전압은 상기 아날로그 검출 신호로서 출력되는 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 증폭 유닛은,
    제1 전원으로부터 전력을 공급받으며, 상기 전류 생성 회로로부터의 제1 전류를 복사하는 제2 전류 미러; 및
    상기 제1 전원과는 다른 제2 전원으로부터 전력을 공급받으며, 상기 제2 전류 미러에 의해 복사된 전류를 복사해서 상기 복사된 전류를 상기 제1 저항기와 상기 연산 증폭기의 제1 입력 사이의 노드에 출력하는 제3 전류 미러를 포함하고,
    상기 출력 구동 회로 및 상기 연산 증폭기는 상기 제2 전원으로부터 전력을 공급받으며, 또한
    상기 전류 생성 회로, 상기 제어 회로, 상기 A/D 변환기, 및 상기 제1 전류 미러는 상기 제1 전원으로부터 전력을 공급받는 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 증폭 유닛은,
    상기 검출 저항기의 일단과 상기 제1 저항기 사이의 제1 단자;
    상기 검출 저항기의 타단과 상기 연산 증폭기의 제2 입력 사이의 제2 단자;
    상기 제1 단자와 상기 제1 저항기 사이에 삽입된 제1 스위치;
    상기 제1 단자와 상기 연산 증폭기의 제2 입력 사이에 접속된 제2 스위치;
    상기 제2 단자와 상기 연산 증폭기의 제2 입력 사이에 접속된 제3 스위치; 및
    상기 제2 단자와 상기 제1 저항기 사이에 삽입된 제4 스위치를 포함하고, 또한
    상기 제1 및 제3 스위치는 상기 제2 및 제4 스위치와 상보적으로 개방/폐쇄되는 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 솔레노이드가 상기 출력 단자와 상기 그라운드 사이의 한 노드에 접속될 때, 상기 제1 및 제3 스위치는 폐쇄되고, 상기 제2 및 제4 스위치는 개방되며, 또한,
    상기 솔레노이드가 상기 출력 단자와 상기 제2 전원 사이의 한 노드에 접속될 때, 상기 제1 및 제3 스위치는 개방되고, 상기 제2 및 제4 스위치는 폐쇄되는 반도체 장치.
  11. 차내 밸브 시스템으로서,
    솔레노이드를 포함하고 차량에 장착된 솔레노이드 밸브; 및
    상기 솔레노이드를 제어하도록 구성된 솔레노이드 구동기를 포함하며,
    상기 솔레노이드 구동기는:
    상기 솔레노이드에 전력을 공급하도록 구성된 반도체 장치; 및
    상기 반도체 장치를 제어하도록 구성된 마이크로컴퓨터를 포함하고,
    상기 반도체 장치는:
    출력 단자를 통해 상기 솔레노이드에 출력 전류를 출력하도록 구성된 출력 구동 회로;
    상기 출력 단자와 상기 출력 구동 회로 사이에 접속된 검출 저항기;
    상기 검출 저항기의 양단부 사이의 전압을 증폭함으로써 생성된 아날로그 검출 신호를 출력하도록 구성된 증폭 유닛;
    기준 전류를 출력하도록 구성된 전류 생성 회로;
    상기 전류 생성 회로와 그라운드 사이에 접속되고 상기 기준 전류에 따라 기준 전압을 출력하도록 구성된 기준 저항기;
    상기 기준 전압을 기준으로 하여 상기 아날로그 검출 신호를 디지털 검출 신호로 변환하는 A/D 변환기; 및
    상기 디지털 검출 신호에 따라 상기 출력 구동 회로로부터 출력되는 출력 전류를 제어하도록 구성된 제어 회로를 포함하며,
    상기 검출 저항기가 가지는 온도 특성과 상기 기준 저항기가 가지는 온도 특성은 동일하고,
    상기 전류 생성 회로는, 상기 기준 전류 및 상기 출력 전류가 일정하게 유지된 상태에서 측정된 상기 디지털 검출 신호의 온도 특성과 동일한 변화율의 온도 특성을, 상기 기준 전류에 제공하며,
    상기 제어 회로는 외부에서 측정된 출력 전류의 측정값이 디지털 검출 신호로 표현된 출력 전류의 값과 일치하게 하도록 상기 디지털 검출 신호의 이득 및 오프셋을 조정하는 차내 밸브 시스템.
  12. 솔레노이드 구동기로서,
    차량에 장착된 솔레노이드 밸브의 솔레노이드에 전류를 공급하도록 구성된 반도체 장치; 및
    상기 반도체 장치를 제어하도록 구성된 마이크로컴퓨터를 포함하고,
    상기 반도체 장치는:
    출력 단자를 통해 상기 솔레노이드에 출력 전류를 출력하도록 구성된 출력 구동 회로;
    상기 출력 단자와 상기 출력 구동 회로 사이에 접속된 검출 저항기;
    상기 검출 저항기의 양단부 사이의 전압을 증폭함으로써 생성된 아날로그 검출 신호를 출력하도록 구성된 증폭 유닛;
    기준 전류를 출력하도록 구성된 전류 생성 회로;
    상기 전류 생성 회로와 그라운드 사이에 접속되고 상기 기준 전류에 따라 기준 전압을 출력하도록 구성된 기준 저항기;
    상기 기준 전압을 기준으로 하여 상기 아날로그 검출 신호를 디지털 검출 신호로 변환하는 A/D 변환기; 및
    상기 디지털 검출 신호에 따라 상기 출력 구동 회로로부터 출력되는 출력 전류를 제어하도록 구성된 제어 회로를 포함하며,
    상기 검출 저항기가 가지는 온도 특성과 상기 기준 저항기가 가지는 온도 특성은 동일하고,
    상기 전류 생성 회로는, 상기 기준 전류 및 상기 출력 전류가 일정하게 유지된 상태에서 측정된 상기 디지털 검출 신호의 온도 특성과 동일한 변화율의 온도 특성을, 상기 기준 전류에 제공하며,
    상기 제어 회로는 외부에서 측정된 출력 전류의 측정값이 디지털 검출 신호로 표현된 출력 전류의 값과 일치하게 하도록 상기 디지털 검출 신호의 이득 및 오프셋을 조정하는 솔레노이드 구동기.
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