JP5093037B2 - 負荷駆動回路 - Google Patents

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Description

本発明は、負荷に電流を流すための負荷駆動回路に関する。
従来から、FET(Field Effect Transistor)等の半導体素子を用いて電流を流すことによって負荷を駆動させる負荷駆動回路は、様々な分野で利用されている。負荷駆動回路のアプリケーションの1例として、励磁コイルに電圧を印加して磁気力によって可動鉄心に直接直線的な運動を与えるリニアソレノイドは、負荷駆動回路により出力された制御電流に応じて油圧をリニアに制御することができ、カーエレクトロニクス等の分野においてブレーキの油圧制御や車の自動変速機に利用されている。
図6は、従来から用いられている負荷駆動回路の構成を示すブロック図である。この負荷駆動回路は、検出抵抗1、負荷2、差動増幅器4、積分器5、出力半導体素子8、A/D変換器10、制御部11、PWM(Pulse Width Modulation)調整回路12、駆動回路13、及び電源15で構成されており、制御部11による指示電流値と同じ電流をコイル等の負荷2に流す働きを行う。
検出抵抗1は、負荷2の上流側に配置され、電源15から出力半導体素子8を介して負荷2に流れる電流Iを受けて電圧に変換する。この検出抵抗1は、半導体で形成することにより、出力半導体素子8や他の回路とともに1つのチップ上に構成することができるため、低価格且つ小型化を実現することができる。
差動増幅器4は、演算増幅器40、抵抗41、及び抵抗42により構成され、負荷2に流れる電流が検出抵抗1を流れる際に、検出抵抗1の両端に発生する電圧を増幅して出力する。差動増幅器4により出力された電圧は、負荷2に流れる電流値の大きさに対応し、負荷2に流れる電流の制御等に利用される。
積分器5は、抵抗50とコンデンサ51とにより構成され、差動増幅器4により出力された電圧を平滑化して出力する。すなわち、積分器5は、負荷2に流れる電流値の平均値に応じた電圧を出力するということもできる。
出力半導体素子8は、一般的にFETが使用され、電源15から負荷2への電力供給経路に直列に接続され、後述する駆動回路によりゲートに印加された駆動電圧に基づくオン/オフ動作(PWM制御)により負荷2に流れる電流Iを制御する。なお、出力半導体素子8は、バイポーラトランジスタでもよい。
A/D変換器10は、一般的に、温度に対して安定した基準電圧源18による出力電圧Vと積分器5による出力電圧Vadcとを比較し、負荷2に流れる電流Iに対応するデジタルの検出電流値を出力する。なお、基準となる電圧Vは、一般的に積分器5による出力電圧Vadcよりも高い電圧となるように設定されている。
制御部11は、例えばCPUであり、任意の動作を行わせるために負荷2に流す電流値を演算し、指示電流値として出力する。
PWM調整回路12は、制御部11により出力された指示電流値と、A/D変換器10により出力された検出電流値とを比較し、負荷2に流れる電流が制御部11による指示電流値と等しくなるように調整したPWM信号を出力する。
駆動回路13は、PWM調整回路12により出力されたPWM信号に基づき、出力半導体素子8をオン/オフ制御して負荷2に電流を流す。
すなわち図6に示す従来の負荷駆動回路は、上述した構成を有することにより、負荷2に流れる電流が制御部11による指示電流値に一致するようにフィードバック制御を行うものである。
特許文献1には、リニアソレノイドの配線系またはコイルのグランドショート時の状態を短時間に検出し、駆動段としてのトランジスタや抵抗素子等の劣化、破壊を防止するリニアソレノイド故障検出装置が記載されている。このリニアソレノイド故障検出装置は、駆動電流の大きさに応じて所定の変位量を得るリニアソレノイドと、駆動電流を制御するための駆動回路と、駆動電流に対応する出力値を検出する電流検出回路と、電流検出回路の出力値を積分する抵抗素子とコンデンサとからなる積分回路と、積分回路における抵抗素子に並列に接続され、電流検出回路からの出力値の立ち上がりに追従し、電流検出回路からの出力値 に対応した所定値を積分回路からの出力値に加算する電気素子とを備える。
したがって、このリニアソレノイド故障検出装置によれば、リニアソレノイドがグランドショートとなると電流検出回路からの出力値が急峻な立ち上がりとなるが、抵抗素子に並列に接続されたダイオードを介して積分回路の出力値に直ちに反映されるので、積分回路からの出力電圧がフェイル判定電圧以上となるまでのグランドショート故障検出時間が極めて少ない時間で済み、リニアソレノイドの駆動段としてのトランジスタや抵抗素子の劣化、破壊を防止することができる。
特開2000−114039号公報 Gabriel Alfonso Rincon−Mora, "Voltage Reference," Wiley Interscience. Grebene, "Bipolar and MOS Analog Integrated Circuit Design," Willey Interscience.
図6に示す従来の負荷駆動回路において、負荷2に電流Iが流れる際にA/D変換器10に入力される電圧Vadcの大きさは、以下の式で表される。
Figure 0005093037
ここで、Rは、検出抵抗1の抵抗値である。また、Gは、差動増幅器4の利得を示す値である。差動増幅器4の利得Gは、演算増幅器40を用いているため、環境温度に対して非常に安定している。ところが、検出抵抗1の抵抗値Rは、半導体で形成されているため、製造プロセスによるばらつき(例えば注入する不純物濃度のばらつき等)を生じる。そこで、従来の負荷駆動回路は、抵抗値Rのばらつきを補正するために、差動増幅器4の利得Gを調整する機能を有するものもある。
しかしながら、半導体で形成された検出抵抗1の抵抗値Rは、さらに数百〜数千ppm/℃の温度係数を有するという問題がある。このため、A/D変換器10に入力される電圧Vadcに温度特性が生じてしまい、その結果、負荷2に流れる電流Iは、フィードバック制御を行うに際し、温度に応じて変化してしまうという問題がある。検出抵抗1の温度特性を予め把握し、その温度特性を補正するような温度特性を例えば差動増幅器4に与えることも考えられるが、検出抵抗1の温度特性は、プロセスによりばらつくため、補正が難しいという問題点もある。
本発明は上述した従来技術の問題点を解決するもので、温度変動が生じた場合においても、適切な電流制御を行い、設定電流値と同じ値の電流を負荷に流す負荷駆動回路を提供することを課題とする。
本発明に係る負荷駆動回路は、上記課題を解決するために、直流電源から負荷への電力供給経路に直列に接続されオン/オフ動作により負荷に流れる電流を制御する第1半導体素子を有する負荷駆動回路において、前記第1半導体素子のオン/オフを制御するためのPWM信号を生成するPWM信号生成部と、前記PWM信号生成部により生成されたPWM信号に基づき前記第1半導体素子を駆動する駆動回路と、前記第1半導体素子及び前記負荷に直列接続され、前記負荷に流れる電流を検出するための半導体により形成された第1抵抗と、周囲の温度環境の変化に影響されることなく前記第1抵抗に流れる電流に応じたモニター電流を出力する電流検出部と、前記電流検出部により出力されたモニター電流をモニター電圧に変換して出力する第2抵抗と、前記第2抵抗により出力されたモニター電圧を平滑化する積分器と、周囲の温度環境の変化に影響されることなく一定の電流を出力する電流源と、前記電流源により出力された電流に基づき基準電圧を出力する第3抵抗と、前記第3抵抗により出力された基準電圧を基準とし、前記積分器により平滑化されたモニター電圧をA/D変換して前記負荷に流れる電流の検出電流値を出力するA/D変換器とを備え、前記PWM信号生成部は、目標とする電流値と前記A/D変換器により出力された検出電流値とに基づき、前記負荷に目標とする電流が流れるように前記PWM信号を調整することを特徴とする。
本発明によれば、温度変動が生じた場合においても、適切な電流制御を行い、設定電流値と同じ値の電流を負荷に流すことができる。
以下、本発明の負荷駆動回路の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施例1の負荷駆動回路の構成を示すブロック図である。また図2は、図1に示す負荷駆動回路の電流出力増幅器6の詳細な構成の1例を示す回路図である。また図3は、図1に示す負荷駆動回路の電流源7の詳細な構成の1例を示す回路図である。
まず、本実施の形態の構成を説明する。本実施例の負荷駆動回路は、図1に示すように、検出抵抗1、積分器5、電流出力増幅器6、電流源7、出力半導体素子8、A/D変換器10、制御部11、PWM調整回路12、駆動回路13、電源15、抵抗16、及び抵抗17で構成され、負荷2を駆動する。
制御部11は、従来技術と同様に例えばCPUであり、任意の動作を行わせるために負荷2に流す電流値を演算し、指示電流値として出力する。この制御部11は、負荷駆動回路の外部に存在して外部信号を負荷駆動回路に入力するものとしてもよい。
PWM調整回路12は、本発明のPWM信号生成部に対応し、出力半導体素子8のオン/オフを制御するためのPWM信号を生成する。また、PWM調整回路12は、制御部11により指示電流値として与えられた目標とする電流値と、後述するA/D変換器10により出力された検出電流値とに基づき、負荷2に目標とする電流が流れるようにPWM信号を調整する。
駆動回路13は、PWM調整回路12により生成されたPWM信号に基づき出力半導体素子8を駆動する。
出力半導体素子8は、本発明の第1半導体素子に対応し、直流電源である電源15から負荷2への電力供給経路に直列に接続され、オン/オフ動作により負荷2に流れる電流を制御する。
検出抵抗1は、本発明の第1抵抗に対応し、出力半導体素子8及び負荷2に直列接続され、負荷2に流れる電流を検出するために設けられた抵抗であり、半導体により形成されている。また、本実施例において、検出抵抗1の抵抗値はRとする。この検出抵抗1は、半導体で形成することにより、出力半導体素子8や他の回路とともに1つのチップ上に構成することができるため、低価格且つ小型化を実現することができる。
電流出力増幅器6は、本発明の電流検出部に対応し、周囲の温度環境の変化に影響されることなく検出抵抗1に流れる電流に応じたモニター電流Imonを出力する。本実施例において、電流出力増幅器6は、図2に示すように、トランジスタ60、抵抗65、演算増幅器67、カレントミラー68、及び差動増幅器69により構成される。さらに、差動増幅器69は、抵抗61,62,63,64、及び演算増幅器66により構成される。
検出抵抗1に電流Iが流れる際に、検出抵抗1の両端の電圧は、抵抗61,62,63,64及び演算増幅器66により増幅され、電圧Vdifとして出力される。ここで、抵抗61,62,63,64の各々の抵抗値をR61,R62,R63,R64とし、R61=R62、R63=R64となるように各抵抗値を選択すると、差動増幅器69による出力電圧Vdifは、以下に示す式により表される。
Figure 0005093037
差動増幅器69の出力電圧Vdifは、演算増幅器67の正相入力端子に入力される。演算増幅器67によりトランジスタ60のエミッタ側にVdifが発生するため、トランジスタ60に流れる電流Iは、以下の式により表される。
Figure 0005093037
したがって、カレントミラー68は、この電流Iに等しい電流値を有する検出電流Imonを出力する。検出電流Imonは、以下の式により表される。
Figure 0005093037
電流出力増幅器6は、(4)式に示すように、抵抗61,62,63,64,65及び検出抵抗1を同一の材料且つ同一サイズで形成することにより、プロセスばらつきや温度変動に関係なく、負荷2に流れる電流Iを抵抗比倍した電流Imonを出力することができる。すなわち、電流Imonは、周囲の温度環境の変化に応じて変動することはない。
抵抗16は、本発明の第2抵抗に対応し、電流出力増幅器6により出力されたモニター電流Imonをモニター電圧Vに変換して出力する。
積分器5は、抵抗50とコンデンサ51とにより構成され、抵抗16により出力されたモニター電圧Vを平滑化し、モニター電圧Vmonとして出力する。なお、積分器5は、必ずしも必須の構成要素ではなく、例えばサンプル・ホールド回路等を適用することも可能である。
電流源7は、周囲の温度環境の変化に影響されることなく一定の電流を出力する。本実施例において、電流源7は、図3に示すように、抵抗70,71,72、トランジスタ73,74,75、及びカレントミラー76により構成され、温度変動に対して安定した出力を有する電流源となる。ここで、抵抗70,71,72の各々の抵抗値をR70,R71,R72とする。なお、図3に示す電流源7の回路構成図は、例えば非特許文献1に記載されている。
図3において、トランジスタ73とトランジスタ74のエミッタ面積の比率は、1:Nに構成されている。この場合において、抵抗70の両端の電位差は、Vln(N)となる。ここで、kをボルツマン定数、qを電荷、Tを絶対温度とすると、Vは、V=k・T/qで表される。したがって、抵抗70に流れる電流をIposとすると、Iposは、以下の式で表される。
Figure 0005093037
電流Iposは、絶対温度Tに比例するため、環境温度が上昇するにつれて電流Iposも上昇する。また抵抗72は、トランジスタ73とトランジスタ74に同じ電流を流すために設けられた抵抗である。一方、抵抗71に流れる電流Inegは、以下の式で表される。
Figure 0005093037
ここで、Vbe75は、トランジスタ75のベース・エミッタ間電圧Vbeであり、一般的には温度に対して−2mV/℃で変化する。電流源7から出力される電流Irefの電流値は、カレントミラー76により電流Iposと電流Inegとが加算された値となる。したがって、電流Irefは、以下の式で表される。
Figure 0005093037
(7)式に示すように、電流源7は、抵抗70,71の抵抗値R70,R71を選択することにより、温度に対して正に変化する電流Iposと、負に変化する電流Inegとの割合を調整することができる。したがって、電流源7は、適切な抵抗値を有する抵抗70,71を備えることにより、温度特性を有さない(周囲の温度環境に左右されない)電流源を実現することができる。
Nは、上述したようにトランジスタ73とトランジスタ74の面積比である。したがって、抵抗70と抵抗71とを同じ材料・サイズで形成することにより、電流Irefは、プロセスばらつきや温度変化に対して安定したものとすることができる。ただし、抵抗70,71の抵抗値R70,R71がプロセスばらつきにより変化した場合には、電流Irefの絶対値が変化するので、本負荷駆動回路は、例えば製造時等において電流Irefの絶対値を調整するトリミング機能を必要とする。あるいは、電流Irefの絶対値を調整する代わりに、適切な抵抗値の抵抗17を選択して設けることにより、基準電圧Vrefが所定の値になるように調整する方法もある。
抵抗17は、本発明の第3抵抗に対応し、電流源7により出力された電流Irefに基づき基準電圧Vrefを出力する。なお、抵抗16と抵抗17とは、温度に対する抵抗値変化の割合を示す温度係数が同一であるものとする。これを実現するために、例えば、抵抗16と抵抗17とは、同一の材質且つ同一のサイズで形成されているものとする。これにより、抵抗16,17の各々の抵抗値をR16,R17とすると、抵抗の比率(R16/R17)は、温度変動の影響を受けない。
A/D変換器10は、抵抗17により出力された基準電圧Vrefを基準とし、積分器5により平滑化されたモニター電圧VmonをA/D変換して、負荷2に流れる電流の検出電流値を出力する。上述したように抵抗の比率(R16/R17)は、温度変動の影響を受けないため、A/D変換器10は、モニター電圧Vmonを基準電圧Vrefと比較してA/D変換を行う際に、温度変動の影響を受けることはない。
次に、上述のように構成された本実施の形態の作用を説明する。まず、制御部11は、負荷2に流す電流値を演算し、指示電流値として出力する。PWM調整回路12は、制御部11により出力された指示電流値に基づき、出力半導体素子8のオン/オフを制御するためのPWM信号を生成して出力する。
駆動回路13は、PWM調整回路12により出力されたPWM信号に基づき出力半導体素子8を駆動する。すなわち、出力半導体素子8は、駆動回路13の印加電圧に基づくオン/オフ動作により電源15から負荷2に流れる電流を制御する。
負荷2に流れる電流は、検出抵抗1にも流れるため、検出抵抗1により電圧に変換されて電流出力増幅器6に入力される。電流出力増幅器6は、上述したようにR61=R62、R63=R64となるように各抵抗値を選択して構成することにより、(4)式に示すモニター電流Imonを出力する。このモニター電流Imonは、検出抵抗1に流れる電流Iを抵抗比((R・R63)/(R65・R61))倍した値である。抵抗61,62,63,64,65及び検出抵抗1を同一の材料且つ同一サイズで形成することにより、各抵抗は同様の温度係数を有するため、抵抗比((R・R63)/(R65・R61))の値は温度が変動しても一定値を維持し、モニター電流Imonは、周囲の温度が変動したとしてもその影響を受けない。また、当該抵抗比((R・R63)/(R65・R61))の値は、プロセスばらつきによっても変動することはなく、一定値を維持する。
抵抗16は、電流出力増幅器6により出力されたモニター電流Imonをモニター電圧Vに変換し、積分器5に対して出力する。積分器5は、入力されたモニター電圧Vを平滑化し、モニター電圧Vmonとして出力する。
一方、電流源7は、図3に示す構成を有し、適切な抵抗70及び抵抗71を選択して構成することにより、周囲の温度環境の変化に影響されることなく一定の電流Irefを出力することができる。この電流Irefは、抵抗17により基準電圧Vrefに変換され、A/D変換器10に入力される。また、抵抗16と抵抗17とは、上述したように同一の材質且つ同一のサイズで形成されているため同様の温度係数を有し、抵抗の比率(R16/R17)は、温度変動の影響を受けない。なお、抵抗70,71の抵抗値R70,R71に上述したようなプロセスばらつきが生じる場合があるため、電流源7を大量生産した場合における個々の電流源7は、例えば室温環境等において電流Irefの絶対値が所定の値となるように調整する必要がある。
A/D変換器10は、抵抗17により出力された基準電圧Vrefを基準とし、積分器5により平滑化されたモニター電圧VmonをA/D変換して、負荷2に流れる電流の検出電流値を出力する。抵抗16,17はそれぞれ温度係数を有するため、A/D変換器10に入力される基準電圧Vref及びモニター電圧Vmonは、温度変動に応じて変化するが、各抵抗に同様の温度係数を持たせることにより抵抗の比率(R16/R17)が温度変動の影響を受けないため、A/D変換器10は、モニター電圧Vmonを基準電圧Vrefと比較してA/D変換を行う際に、温度変動の影響を受けることなく負荷2に流れる電流値を正しくA/D変換することができる。
PWM調整回路12は、制御部11により指示電流値として与えられた目標とする電流値と、A/D変換器10により出力された検出電流値とに基づき、負荷2に目標とする電流が流れるようにPWM信号を調整する。
このように、本実施例の負荷駆動回路は、上述した動作を繰り返すことにより、周囲の温度環境に影響されることなく、負荷2に流れる電流が制御部11による指示電流値に一致するようにフィードバック制御を行う。
上述のとおり、本発明の実施例1の形態に係る負荷駆動回路によれば、温度変動が生じた場合においても、適切な電流制御を行い、制御部11による設定電流値と同じ値の電流を負荷2に流すことができる。
負荷駆動回路を1チップで構成して低コストを実現するために、検出抵抗1は、半導体で形成されるため、温度係数が大きなものとなり、温度変動に応じて抵抗値が変動する。しかしながら、電流出力増幅器6は、上述した構成を有することにより、温度変動に伴う検出抵抗1の抵抗値変動にかかわらず、検出抵抗1に流れる電流に応じたモニター電流Imonを出力することができる。なお、図2に示す電流出力増幅器6の構成は1例であり、検出抵抗1の抵抗値変動の影響を電流検出の結果に与えないような構成であればどのようなものでもよい。
また、電流源7は、上述した構成を有することにより、周囲の温度環境の変化に影響されることなく一定の電流Irefを出力することができる。また、図3に示す電流源7の構成は1例であり、周囲の温度の変動が電流出力に影響を与えないような構成であればどのようなものでもよい。
A/D変換器10は、電流Irefを抵抗17で変換した基準電圧Vrefを基準にすることにより、モニター電流Imonを抵抗16で変換してさらに積分器5で平滑化したモニター電圧Vmonから負荷2に流れる電流の検出電流値を適切に算出することができる。
さらに、抵抗16と抵抗17とが同一の材質且つ同一のサイズで形成されているため同様の温度係数を有し、抵抗の比率(R16/R17)は、温度変動の影響を受けない。したがって、A/D変換器10は、基準電圧Vrefとモニター電圧Vmonとの両者を比較に使用することにより、温度の影響を受けることなく正しい検出電流値を算出することができる。
図4は、本実施例の負荷駆動回路の構成の変形例を示すブロック図である。図1に示す負荷駆動回路において、検出抵抗1は、出力半導体素子8と負荷2との間に接続されている。しかしながら、検出抵抗1は、必ずしも出力半導体素子8と負荷2との間に接続位置が限定されるものではない。例えば、図4に示す負荷駆動回路のように、負荷2を出力半導体素子8のドレインと電源15との間に接続し、検出抵抗1は、出力半導体素子8のソースとグランド間に接続されていてもよい。
このように構成を変形した場合においても、当該負荷駆動回路は、上述した動作と同様の動作を示すとともに、同様の効果を有する。
図5は、本発明の実施例2の負荷駆動回路の構成を示すブロック図である。実施例1の構成と異なる点は、A/D変換器10の構成が異なる点と、電流源7による電流IrefがA/D変換器10内のD/A変換器101に流れ、電流Idacに変換された後に抵抗17を介してグランドに流れる点である。
A/D変換器10は、図5に示すように、D/A変換器101、比較器102、及びロジック103により構成される。このA/D変換器10は、逐次比較型と呼ばれる回路であり、例えば非特許文献2に記載されている。
D/A変換器101は、電流源7により出力された電流Irefに対して重み付けをする。また、本実施例の抵抗17は、D/A変換器101により重み付けされた電流Idacを電圧Vrefに変換して基準電圧として出力する。
比較器102は、基準電圧Vrefと積分器5により平滑化されたモニター電圧Vmonとを比較する。また、ロジック103は、基準電圧Vrefとモニター電圧Vmonとが等しくなるようにD/A変換器101のビットを制御する。
その他の構成は、実施例1と同様であり、重複した説明を省略する。
次に、上述のように構成された本実施の形態の作用を説明する。基本的な動作は実施例1の負荷駆動回路と同じである。したがって、負荷2に流れる電流Iが検出抵抗1によって電圧に変換され、電流出力増幅器6により当該電圧に応じたモニター電流Imonが抵抗16に出力される動作は、実施例1と同様である。また、電流出力増幅器6による出力電流Imonと負荷2の電流Iとの関係は、実施例1の(4)式に示す通りである。すなわち、電流出力増幅器6は、負荷2に流れる電流Iを所定の比率で縮小したモニター電流Imonとして出力する。
抵抗16は、電流出力増幅器6により出力されたモニター電流Imonをモニター電圧Vに変換し、積分器5に対して出力する。積分器5は、入力されたモニター電圧Vを平滑化し、モニター電圧Vmonとして出力する。
一方、電流源7は、周囲の温度環境の変化に影響されることなく一定の電流IrefをA/D変換器10内のD/A変換器101に対して出力する。D/A変換器101は、入力された電流Irefをビット数Nに応じて重み付けした電流Idacに変換し、抵抗17に出力する。電流源7の出力電流Irefが温度変動に対して安定しているため、D/A変換器101により重み付けされた出力電流Idacは、同様に温度変動に対して安定している。
抵抗17は、D/A変換器101により出力された電流Idacを基準電圧Vrefに変換して出力する。
A/D変換器10は、抵抗17により出力された基準電圧Vrefを基準とし、積分器5により平滑化されたモニター電圧VmonをA/D変換して、負荷2に流れる電流の検出電流値を出力する。
具体的には、A/D変換器10内の比較器102は、負荷2に流れる電流Iに対応するモニター電圧Vmonと基準電圧Vrefとを比較し、モニター電圧Vmonが基準電圧Vref以上の場合には、ロジック103に対してHighレベルの信号を出力する。
ロジック103は、比較器102による出力電圧に基づき、モニター電圧Vmonと基準電圧Vrefとが釣り合うようにD/A変換器101に対して2値の信号Dn−1〜Dを出力する。モニター電圧Vmonと基準電圧Vrefとが釣り合った場合に、ロジック103は、負荷2に流れる電流Iに対応するデジタルの検出電流値として、信号Dn−1〜DをPWM調整回路12に対して出力する。
実施例1と同様に、抵抗16と抵抗17とは、同一の材質且つ同一のサイズで形成されているため同様の温度係数を有し、抵抗の比率(R16/R17)は、温度変動の影響を受けない。モニター電流Imonと電流Idacとは、ともに温度変動に対して変化しない。さらに、抵抗16と抵抗17とが同一の性質を有しているため、温度が変化した場合においてもモニター電圧Vmonと基準電圧Vrefとの関係は維持される。したがって、A/D変換器10は、モニター電圧Vmonを基準電圧Vrefと比較してA/D変換を行う際に、温度変動の影響を受けることなく負荷2に流れる電流値を正しくA/D変換することができる。なお、同一の材質且つ同一のサイズのみならず、抵抗16と抵抗17とを同一チップ上に互いに隣接して配置することにより、プロセスばらつきや温度変動が生じた場合においても両抵抗の抵抗値変化の比率をさらに近い値とすることができる。したがって、当該負荷駆動回路は、温度変動が生じた場合においても、制御部11による指示電流値と同じ値の電流が負荷2に流れるように、さらに安定した制御をすることができる。
PWM調整回路12は、制御部11により指示電流値として与えられた目標とする電流値と、A/D変換器10により出力された検出電流値とに基づき、負荷2に目標とする電流が流れるようにPWM信号を調整する。
その他の動作は、実施例1と同様であり、重複した説明を省略する。
上述のとおり、本発明の実施例2の形態に係る負荷駆動回路によれば、実施例1の場合と同様に、温度変動が生じた場合においても、適切な電流制御を行い、制御部11による設定電流値と同じ値の電流を負荷2に流すことができる。
本発明に係る負荷駆動回路は、制御電流に応じて油圧をリニアに制御するリニアソレノイドを駆動する負荷駆動回路に利用可能である。
本発明の実施例1の形態の負荷駆動回路の構成を示すブロック図である。 本発明の実施例1の形態の負荷駆動回路の電流出力増幅器の詳細な構成の1例を示す回路図である。 本発明の実施例1の形態の負荷駆動回路の電流源の詳細な構成の1例を示す回路図である。 本発明の実施例1の形態の負荷駆動回路の構成の変形例を示すブロック図である。 本発明の実施例2の形態の負荷駆動回路の構成を示すブロック図である。 従来の負荷駆動回路の構成を示すブロック図である。
符号の説明
1 検出抵抗
2 負荷
4 差動増幅器
5 積分器
6 電流出力増幅器
7 電流源
8 出力半導体素子
10 A/D変換器
11 制御部
12 PWM調整回路
13 駆動回路
15 電源
16,17 抵抗
18 基準電圧源
40 演算増幅器
41,42,50 抵抗
51 コンデンサ
60 トランジスタ
61,62,63,64,65 抵抗
66,67 演算増幅器
68 カレントミラー
70,71,72 抵抗
73,74,75 トランジスタ
76 カレントミラー
101 D/A変換器
102 比較器
103 ロジック

Claims (4)

  1. 直流電源から負荷への電力供給経路に直列に接続されオン/オフ動作により負荷に流れる電流を制御する第1半導体素子を有する負荷駆動回路において、
    前記第1半導体素子のオン/オフを制御するためのPWM信号を生成するPWM信号生成部と、
    前記PWM信号生成部により生成されたPWM信号に基づき前記第1半導体素子を駆動する駆動回路と、
    前記第1半導体素子及び前記負荷に直列接続され、前記負荷に流れる電流を検出するための半導体により形成された第1抵抗と、
    周囲の温度環境の変化に影響されることなく前記第1抵抗に流れる電流に応じたモニター電流を出力する電流検出部と、
    前記電流検出部により出力されたモニター電流をモニター電圧に変換して出力する第2抵抗と、
    前記第2抵抗により出力されたモニター電圧を平滑化する積分器と、
    周囲の温度環境の変化に影響されることなく一定の電流を出力する電流源と、
    前記電流源により出力された電流に基づき基準電圧を出力する第3抵抗と、
    前記第3抵抗により出力された基準電圧を基準とし、前記積分器により平滑化されたモニター電圧をA/D変換して前記負荷に流れる電流の検出電流値を出力するA/D変換器とを備え、
    前記PWM信号生成部は、目標とする電流値と前記A/D変換器により出力された検出電流値とに基づき、前記負荷に目標とする電流が流れるように前記PWM信号を調整することを特徴とする負荷駆動回路。
  2. 前記第2抵抗と前記第3抵抗とは、温度に対する抵抗値変化の割合を示す温度係数が同一であることを特徴とする請求項1記載の負荷駆動回路。
  3. 前記第2抵抗と前記第3抵抗とは、同一の材質且つ同一のサイズで形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の負荷駆動回路。
  4. 前記A/D変換器は、前記電流源により出力された電流に対して重み付けするD/A変換器を有し、
    前記第3抵抗は、前記D/A変換器により重み付けされた電流を電圧に変換して基準電圧として出力し、
    前記A/D変換器は、更に、前記基準電圧と前記積分器により平滑化されたモニター電圧とを比較するための比較器と、前記基準電圧と前記モニター電圧とが等しくなるように前記D/A変換器のビットを制御するためのロジックとを有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の負荷駆動回路。
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