KR102475683B1 - 박리 장치 - Google Patents

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고세이 기요하라
다이스케 히로우치
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

[과제] 웨이퍼의 외주 부분에 수지를 남기지 않고, 웨이퍼로부터 적절히 보호 부재를 박리하는 것.
[해결 수단] 박리 장치 (1) 는, 웨이퍼 (W) 의 일방의 면에 수지 (R) 를 개재하여 필름을 고착시킨 보호 부재 (P) 를 웨이퍼로부터 박리하는 것이다. 박리 장치는, 보호 부재의 외주의 일부분을 남기고 웨이퍼로부터 보호 부재를 박리하는 외주 박리 수단 (4) 과, 보호 부재 전체를 웨이퍼로부터 박리하는 전체 박리 수단 (5) 을 구비한다. 전체 박리 수단은, 외주 박리 수단으로 박리되지 않고 남은 외주의 일부분을 파지하는 파지부 (50) 와, 보호 부재의 하면 중앙 부분을 가압하는 롤러부 (52b) 를 구비한다. 전체 박리 수단은, 롤러부에서의 보호 부재의 중앙 부분을 웨이퍼를 향하여 압착하면서 보호 부재를 전부 박리한다.

Description

박리 장치{PEELING APPARATUS}
본 발명은, 웨이퍼의 표면에 첩착 (貼着) 된 필름을 박리하는 박리 장치에 관한 것이다.
실리콘 등의 잉곳으로부터 잘라내어져 슬라이스된 웨이퍼의 표면에는, 기복이 형성되어 있다. 기복을 제거하기 위하여, 웨이퍼의 표면에는, 보호 부재로서 액상 수지를 개재하여 시트 (본 발명에서는 필름이라고 부른다) 가 첩착된다. 웨이퍼의 표면 형상은 액상 수지에 전사되고, 액상 수지를 경화시킨 후에 웨이퍼의 반대면을 연삭 가공함으로써 기복이 제거된다. 연삭 후에는, 경화된 수지 및 시트가 웨이퍼로부터 박리된다.
그런데, 웨이퍼의 표면에 액상 수지를 공급하여 시트를 첩착시킬 때, 액상 수지가 눌려펼쳐짐으로써, 액상 수지는 웨이퍼의 외주 (에지) 로부터 비어져 나온다. 액상 수지는 자외선을 조사하여 경화되고 수지와 시트로 보호 부재가 된다. 이와 같은 웨이퍼의 외주로부터 비어져 나온 수지 및 시트 (보호 부재) 를 박리하는 장치로서, 예를 들어, 특허문헌 1 에 기재된 박리 장치가 제안되어 있다.
특허문헌 1 에서는, 웨이퍼의 외주로부터 비어져 나온 수지에 대해 두께 방향으로 외력을 부여함으로써 웨이퍼의 에지와 수지 사이에 부분적인 간극을 형성하여, 시트 및 수지를 박리할 때의 계기를 만들고 있다.
일본 공개특허공보 2012-151275호
그러나, 특허문헌 1 에 기재된 박리 장치여도, 웨이퍼의 외주 부분에 수지가 남아, 보호 부재를 적절히 박리할 수 없는 것이 상정된다. 이 경우, 이후의 연삭 가공에 있어서, 외주 부분의 두께가 균일해지지 않을 우려가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼의 외주 부분에 수지를 남기지 않고, 웨이퍼로부터 적절히 보호 부재를 박리할 수 있는 박리 장치를 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다.
본 발명의 일 양태의 박리 장치는, 필름이 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 비어져 나옴부를 형성한 상태에서 수지를 개재하여 필름을 웨이퍼의 일방의 면에 고착시켜 수지와 필름으로 이루어지는 보호 부재를 웨이퍼로부터 박리하는 박리 장치로서, 보호 부재를 아래로 하여 상면이 되는 웨이퍼 타방의 면을 흡인 유지하는 유지면을 갖는 유지 수단과, 비어져 나옴부를 파지하여 외주의 일부분을 남기고 보호 부재의 외주 부분을 웨이퍼로부터 박리하는 외주 박리 수단과, 남은 외주의 일부분의 비어져 나옴부를 파지하여 보호 부재의 외주 부분측으로부터 보호 부재 전체를 웨이퍼로부터 박리하는 전체 박리 수단을 구비하고, 전체 박리 수단은, 외주 박리 수단으로 박리되지 않고 남은 외주의 일부분의 비어져 나옴부를 파지하는 제 1 파지부와, 외주 박리 수단으로 박리되지 않고 웨이퍼에 고착되어 있는 보호 부재의 중앙 부분을 가압하는 롤러와, 제 1 파지부와 유지 수단을 상대적으로 유지면 방향으로 이동시키는 이동 수단을 구비하고, 롤러로 유지 수단이 유지한 웨이퍼의 중앙 부분의 보호 부재를 웨이퍼를 향하여 압착하면서 보호 부재를 웨이퍼로부터 전부 박리하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의하면, 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 비어져 나옴부가, 외주 박리 수단에 의해 수평 방향 및 수직 방향으로 당겨진다. 이로써, 웨이퍼의 외주에는, 일부분을 제외하고 수지와 웨이퍼 사이에 간극이 형성된다. 그리고, 당해 간극을 계기로 전체 박리 수단으로 보호 부재를 웨이퍼로부터 박리할 수 있다. 이 때, 보호 부재의 중앙 부분이 롤러에 의해 가압되면서 제 1 파지부가 이동되기 때문에, 웨이퍼의 외주 부분에 박리 잔류물이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 웨이퍼의 외주 부분에 수지를 남기지 않고, 웨이퍼로부터 적절히 보호 부재를 박리하는 것이 가능하다.
또, 본 발명의 일 양태의 상기 박리 장치에 있어서, 외주 박리 수단은, 웨이퍼의 중심을 중심으로 하여 소정의 각도 간격으로 배치 형성되는 복수의 제 1 외주 박리 수단과, 제 1 외주 박리 수단의 사이에 배치 형성되는 복수의 제 2 외주 박리 수단을 구비하고, 제 1 외주 박리 수단과 제 2 외주 박리 수단은, 비어져 나옴부를 파지하는 제 2 파지부와, 제 2 파지부를 유지면 방향에서 웨이퍼의 외주로부터 멀어지는 방향으로 이동시키는 수평 이동부와, 수평 이동부에 의해 이동한 제 2 파지부를 유지면에 대해 직교하는 수직 방향에서 하강시키는 하강부를 구비한다.
또, 본 발명의 일 양태의 상기 박리 장치에 있어서, 외주 박리 수단은, 비어져 나옴부를 파지하는 제 2 파지부와, 제 2 파지부를 유지면 방향에서 웨이퍼의 외주로부터 멀어지는 방향으로 이동시키는 수평 이동부와, 수평 이동부에 의해 이동한 제 2 파지부를 유지면에 대해 직교하는 수직 방향으로 이동시키는 하강부와, 제 2 파지부와, 수평 이동부와, 하강부를 웨이퍼의 중심을 축으로 하는 회전축에 의해 웨이퍼의 외주를 따라 회전 이동시키는 외주 이동 수단을 구비한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 외주 부분에 수지를 남기지 않고, 웨이퍼로부터 적절히 보호 부재를 박리할 수 있다.
도 1 은 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 전체 사시도이다.
도 2 는 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 모식도이다.
도 3 은 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 파지 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4 는 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 외주 가장자리 박리 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5 는 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 외측 박리 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6 은 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 전체 박리 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7 은 본 실시형태에 관련된 박리 방법의 일련의 흐름을 나타내는 상면 모식도이다.
도 8 은 변형예에 관련된 박리 장치의 전체 사시도이다.
도 9 는 변형예에 관련된 박리 장치의 전체 박리 공정을 나타내는 도면이다.
도 10 은 변형예에 관련된 박리 장치의 전체 박리 공정을 나타내는 도면이다.
도 11 은 변형예에 관련된 박리 장치의 전체 박리 공정을 나타내는 도면이다.
도 12 는 변형예에 관련된 박리 장치의 전체 박리 공정을 나타내는 도면이다.
도 13 은 변형예에 관련된 박리 장치의 폐기 공정을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태에 관련된 박리 장치에 대해 설명한다. 도 1 은, 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 전체 사시도이다. 또한, 본 실시형태에 관련된 박리 장치는, 도 1 에 나타내는 바와 같이 박리 전용의 장치 구성에 한정되지 않고, 예를 들어, 연삭 가공, 연마 가공, 세정 등의 일련의 동작이 전자동으로 실시되는 풀 오토 타입의 가공 장치에 장착되어도 된다. 또, 도 1 에 있어서, X 축 방향 앞측을 박리 장치의 전측, X 축 방향 안측을 박리 장치의 후측으로 하고, Y 축 방향 앞측을 박리 장치의 좌측, Y 축 방향 안측을 박리 장치의 우측으로 한다. 또, 도 1 에 나타내는 웨이퍼는, 설명의 편의상, 크기를 과장하여 나타내고 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 박리 장치 (1) 는, 원형의 웨이퍼 (W) 에 첩부된 보호 부재 (P) 를 박리하도록 구성된다. 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어 디바이스 패턴이 형성되기 전의 애즈 슬라이스 웨이퍼이고, 원기둥상의 잉곳을 와이어 소로 슬라이스하여 형성된다.
웨이퍼 (W) 는, 실리콘, 갈륨비소, 실리콘카바이드 등의 워크에 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 세라믹, 유리, 사파이어계의 무기 재료 기판, 판상 금속이나 수지의 연성 재료, 미크론 오더 내지 서브 미크론 오더의 평탄도 (TTV : Total Thickness Variation) 가 요구되는 각종 가공 재료를 웨이퍼 (W) 로 해도 된다. 여기서 말하는 평탄도란, 예를 들어 웨이퍼 (W) 의 피연삭면을 기준면으로 하여 두께 방향을 측정한 높이 중, 최대치와 최소치의 차를 나타낸다.
보호 부재 (P) 는, 웨이퍼 (W) 의 외경 이상의 외경을 갖는 필름 (F) 의 전체면에 예를 들어 광경화성의 수지 (R) 를 도포하여 구성된다. 즉, 보호 부재 (P) 는, 웨이퍼 (W) 보다 넓은 면적으로 웨이퍼 (W) 의 외주로부터 비어져 나온 비어져 나옴부 (E) 를 갖는 필름 (F) 과, 필름 (F) 과 웨이퍼 (W) 의 하면 (일방의 면) 사이에 형성하는 수지 (R) (도 2 참조) 를 구비한다.
수지 (R) 는, 예를 들어 자외선 광이 조사됨으로써 경화되고, 필름 (F) 은, 당해 수지 (R) 를 개재하여 웨이퍼 (W) 의 하면에 고착된다. 이로써, 웨이퍼 (W) 의 하면은, 시트상의 보호 부재 (P) 에 의해 전체적으로 덮여 보호된다. 또, 웨이퍼 (W) 의 외주측에 있어서, 비어져 나옴부 (E) 의 상면에는, 수지 (R) 의 일부가 비어져 나와 있다. 또한, 수지 (R) 의 재질은 특별히 한정되지 않고, 적절히 변경이 가능하다.
또, 슬라이스 후의 웨이퍼 (W) 의 표면에는, 기복이 형성된다. 이 기복은, 보호 부재 (P) 가 첩부된 상태에서 웨이퍼 (W) 의 상면이 연삭 가공됨으로써, 미리 제거되고 있다.
상기한 바와 같이, 박리 장치 (1) 는, 수지 (R) 와 필름 (F) 으로 이루어지는 보호 부재 (P) 를 웨이퍼 (W) 로부터 박리하고, 또한, 박리한 보호 부재 (P) 를 장치 내의 쓰레기통 (9) 에 파기하도록 구성된다. 구체적으로 박리 장치 (1) 는, 상면에서 보아 사각 형상의 기대 (10) 의 상면으로부터 Z 축 방향으로 세워지는 입벽부 (11) 의 측면에, 웨이퍼 (W) 를 유지하여 반송하는 유지 수단 (2) 과, 웨이퍼 (W) 로부터 보호 부재 (P) 를 박리하는 박리 수단 (3) 을 형성하여 구성된다. 유지 수단 (2) 이 입벽부 (11) 의 상측에 배치되어 있고, 박리 수단 (3) 이 유지 수단 (2) 의 하방에 배치되어 있다.
유지 수단 (2) 은, 보호 부재 (P) 를 하방을 향하게 하여 웨이퍼 (W) 의 상면 (타방의 면) 을 유지하도록 구성된다. 구체적으로 유지 수단 (2) 은, 웨이퍼 (W) 와 대략 동 직경의 반송 패드 (20) 로 웨이퍼 (W) 의 상면을 흡인 유지한다. 반송 패드 (20) 는, 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지하는 포러스 척으로, 원판상의 프레임체의 하면에 세라믹스 등의 다공질재로 구성되는 유지면 (21) (도 2 참조) 이 형성되어 있다. 유지면 (21) 에 발생하는 부압에 의해, 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지하는 것이 가능하게 되어 있다.
반송 패드 (20) 는, Y 축 방향으로 연장되는 아암 (22) 의 선단 (좌단) 에 매달아 지지된다. 유지 수단 (2) 은, 승강 수단 (23) 에 의해 Z 축 방향으로 승강 가능하게 구성됨과 함께, 수평 이동 수단 (24) 에 의해 X 축 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 승강 수단 (23) 은, 아암 (22) 의 기단을 지지하는 Z 축 테이블 (25) 을 모터 구동의 가이드 액추에이터로 Z 축 방향으로 이동시킨다.
수평 이동 수단 (24) 은, Z 축 테이블 (25) 을 지지하는 X 축 테이블 (26) 을 모터 구동의 가이드 액추에이터로 X 축 방향으로 이동시킨다. 또한, 승강 수단 (23) 및 수평 이동 수단 (24) 은, 모터 구동의 가이드 액추에이터에 한정되지 않고, 예를 들어 에어 구동의 가이드 실린더로 구성되어도 된다.
박리 수단 (3) 은, 보호 부재 (P) 의 외주 부분을 웨이퍼 (W) 로부터 박리하는 외주 박리 수단 (4) 과, 보호 부재 (P) 의 전체를 웨이퍼 (W) 로부터 박리하는 전체 박리 수단 (5) 에 의해 구성된다. 외주 박리 수단 (4) 및 전체 박리 수단 (5) 은, 대략 동일한 높이에 형성되어 있고, 외주 박리 수단 (4) 이 X 축 방향 안측 (후측) 에 배치되고, 전체 박리 수단 (5) 이 X 축 방향 앞측 (전측) 에 배치되어 있다. 외주 박리 수단 (4) 의 상세 구성에 대해서는 후술한다.
전체 박리 수단 (5) 은, 비어져 나옴부 (E) 를 파지하는 파지부 (50) (제 1 파지부) 와, 파지부 (50) 를 소정 방향으로 이동시키는 이동 수단 (51) 과, 필름 (F) 의 하면을 가압하여 보호 부재 (P) 의 박리를 안내하는 가이드 롤러 (52) 를 포함하여 구성된다.
파지부 (50) 는, 1 쌍의 클로부 (50a) 에 의해, 비어져 나옴부 (E) 의 일부분을 두께 방향에서 협지하도록 구성된다. 1 쌍의 클로부 (50a) 는 대향 배치되어 있고, 서로 이간 접근 가능하게 구성된다. 파지부 (50) 는, Y 축 방향으로 연장되는 아암 (53) 의 선단 (좌단) 에 형성되어 있다. 파지부 (50) 는, 아암 (53) 의 연장 방향을 축으로 회전 가능함과 함께, 이동 수단 (51) 에 의해 Z 축 방향 및 X 축 방향으로 이동 가능하게 구성된다.
이동 수단 (51) 은, 아암 (53) 의 기단을 지지하는 X 축 테이블 (54) 을 모터 구동의 가이드 액추에이터로 X 축 방향으로 이동시킨다. 또, 도시는 하지 않지만, 아암 (53) 은, X 축 테이블 (54) 상에서 상하로 승강 가능하게 구성된다. 또한, 이동 수단 (51) 은, 모터 구동의 가이드 액추에이터에 한정되지 않고, 예를 들어 에어 구동의 가이드 실린더로 구성되어도 된다.
가이드 롤러 (52) 는, 반송 패드 (20) 와 이동 수단 (51) 사이에 형성되어 있다. 가이드 롤러 (52) 는, 입벽부 (11) 로부터 Y 축 방향 좌측으로 돌출되는 축부 (52a) 의 선단에 소정 길이로 연장되는 롤러부 (52b) 를 장착하여 구성된다. 롤러부 (52b) 는, 반송 패드 (20) 의 하방에서 Y 축 방향으로 연장되고, 웨이퍼 (W) 의 직경에 비하여 충분히 짧은 원기둥 형상을 갖고 있다. 또, 롤러부 (52b) 는, 축 둘레로 회전 가능하게 구성된다. 상세한 것은 후술하는데, 전체 박리 공정에 있어서, 롤러부 (52b) 는, 외주 박리 수단 (4) 으로 박리되지 않고 웨이퍼 (W) 에 고착되어 있는 보호 부재 (P) (필름 (F) 의 하면) 의 중앙 부분을 가압한다.
외주 박리 수단 (4) 의 하방에는, 박리 후의 보호 부재 (P) 를 회수하는 쓰레기통 (9) 이 형성되어 있다. 쓰레기통 (9) 은, 상방이 웨이퍼 (W) 보다 크게 개방된 상면에서 보아 사각 형상을 갖고 있다. 또, 쓰레기통 (9) 에는, X 방향에서 대향하는 한 변의 상단 부분에 1 쌍의 광학 센서 (90) 가 형성되어 있다. 1 쌍의 광학 센서 (90) 는, 일방이 발광부로, 타방이 수광부로 구성된다. 광학 센서 (90) 는, 발광부로부터 발생되는 광을 수광부가 받고, 수광부의 수광량 변화에 기초하여, 쓰레기통 (9) 에 회수된 보호 부재 (P) 가 가득 찼는지 여부를 검지한다.
또, 쓰레기통 (9) 의 상방에는, 박리 후의 보호 부재 (P) 를 쓰레기통 (9) 내에 적층시키는 적층 수단 (6) 이 형성되어 있다. 적층 수단 (6) 은, 보호 부재 (P) 를 쓰레기통 (9) 에 안내시키는 제 1 가이드 수단 (7) 및 제 2 가이드 수단 (8) 에 의해 구성된다. 제 1 가이드 수단 (7) 은, 쓰레기통 (9) 의 후하방에 있어서, 전체 박리 수단 (5) 의 하방에 형성되어 있고, 전방을 향함에 따라 하방으로 경사지는 1 쌍의 가이드 레일 (70) 에 의해 구성된다.
가이드 레일 (70) 은, 예를 들어 원형 단면을 갖는 봉상으로 형성되고, 보호 부재 (P) 의 외형과 대략 동일한 길이를 갖고 있다. 또, 가이드 레일 (70) 의 선단 (하단) 부분이, 수평 방향으로 굴곡되어 있다. 당해 선단 부분은, 쓰레기통 (9) 의 X 방향 후방측에 있어서의 한 변의 상단 부분에 배치되어 있다. 또, 1 쌍의 가이드 레일 (70) 은, 쓰레기통 (9) 의 Y 방향에 있어서의 중심선을 사이에 두고 대향하도록 하여, 보호 부재 (P) 의 외경보다 충분히 작은 간격으로 평행하게 배치되어 있다.
제 2 가이드 수단 (8) 은, 쓰레기통 (9) 의 상방이 전후로 걸쳐지도록 수평으로 연장되는 1 쌍의 가이드 레일 (80) 에 의해 구성된다. 가이드 레일 (80) 은, 예를 들어 원형 단면을 갖는 봉상으로 형성되고, 보호 부재 (P) 의 외경보다 큰 길이로 연장된다. 가이드 레일 (80) 의 일단 (후단) 은, 쓰레기통 (9) 의 X 방향 후방측에 있어서의 한 변의 상단 부분에 위치하고, 타단 (선단) 이 쓰레기통 (9) 의 X 방향 전방측에 있어서의 한 변의 상단 부분에 위치하고 있다. 또, 1 쌍의 가이드 레일 (80) 은, 후방에서 전방을 향함에 따라, 그 대향 간격이 커지도록, 상면에서 보아 (상측 화살표) ハ 자상으로 배치되어 있다.
이와 같이 구성되는 박리 장치 (1) 는, 기복이 제거된 후의 웨이퍼 (W) 를 유지 수단 (2) 으로 흡인 유지하고, 보호 부재 (P) 가 첩부된 상태의 웨이퍼 (W) 를 먼저 외주 박리 수단 (4) 에 반송한다. 외주 박리 수단 (4) 에서는, 보호 부재 (P) 의 외주 부분만이 웨이퍼 (W) 로부터 박리된다. 그리고, 전체 박리 수단 (5) 에 의해 보호 부재 (P) 의 전체가 웨이퍼 (W) 로부터 박리된다. 박리된 보호 부재 (P) 는, 적층 수단 (6) 을 구성하는 제 1 가이드 수단 (7) 및 제 2 가이드 수단 (8) 에 의해 가이드되고, 쓰레기통 (9) 내에 낙하된다. 쓰레기통 (9) 내에서 복수의 보호 부재 (P) 가 적층되고, 쓰레기통 (9) 이 보호 부재 (P) 로 가득차면, 광학 센서 (90) 의 출력에 따라, 오퍼레이터에 대해 알림이 이루어진다.
다음으로, 도 1 및 도 2 를 참조하여, 본 실시형태에 관련된 외주 박리 수단에 대해 상세하게 설명한다. 도 2 는, 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 모식도이다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 외주 박리 수단 (4) 은, 전체 박리 수단 (5) 의 후방에 있어서, 입벽부 (11) 로부터 Y 축 방향으로 돌출되는 기대 (40) 의 상면에, Z 축 방향으로 중심축을 갖는 원통상의 제한 링 (41) 과, 제한 링 (41) 의 주위에 배치되는 복수의 파지 수단 (42) 을 형성하여 구성된다. 제한 링 (41) 은, 웨이퍼 (W) 나 반송 패드 (20) 의 외경보다 작은 외경을 갖고 있고, Z 축 방향으로 승강 가능하게 구성된다. 상세한 것은 후술하는데, 이 제한 링 (41) 은, 외주 가장자리 박리 공정에 있어서의 보호 부재 (P) 의 박리값을 제한하는 역할을 한다.
제한 링 (41) 의 주위는, 등각도 간격으로 8 개의 에어리어로 나뉘어져 있고, X 축 방향 안측의 1 에어리어를 제외한 7 개의 에어리어에 1 개씩 파지 수단 (42) 이 배치되어 있다. 즉, 7 개의 파지 수단 (42) 은, 웨이퍼 (W) 의 중심을 중심으로 하여 소정 각도 간격으로 배치 형성된다. 여기서 도 1 에 나타내는 바와 같이, X 축 방향 안측의 에어리어에 인접하는 에어리어로부터 1 개 건너뛰고 배치되는 4 개의 파지 수단 (42) 을 제 1 박리 그룹 (G1) (제 1 외주 박리 수단) 으로 하고, 제 1 박리 그룹 (G1) 을 구성하는 파지 수단 (42) 의 사이에 배치되는 3 개의 파지 수단 (42) 을 제 2 박리 그룹 (G2) (제 2 외주 박리 수단) 으로서 정의한다. 또한, 7 개의 파지 수단 (42) 은, 설명의 편의상, 모두 동일한 부호로 나타내는 것으로 한다.
파지 수단 (42) 은, 비어져 나옴부 (E) 를 파지하는 파지부 (43) (제 2 파지부) 와, 파지부 (43) 를 유지 수단 (2) 의 유지면 방향 (수평 방향) 으로 이동시키는 수평 이동부 (44) 와, 파지부 (43) 를 유지면 (21) 에 대해 수직 방향으로 이동 (하강) 시키는 수직 이동부 (하강부) 를 포함하여 구성된다. 파지부 (43) 는, 비어져 나옴부 (E) 의 하면을 지지하는 하면 지지부 (45) 와, 비어져 나옴부 (E) 의 상면을 지지하는 상면 지지부 (46) 에 의해 구성된다. 상면 지지부 (46) 는, 하면 지지부 (45) 에 대향 배치되어 있다. 상면 지지부 (46) 는, 예를 들어 에어 실린더에 의해 하면 지지부 (45) 에 대해 Z 축 방향으로 승강 가능하게 구성된다. 상면 지지부 (46) 및 하면 지지부 (45) 에 비어져 나옴부 (E) 를 끼워넣음으로써, 비어져 나옴부 (E) 를 파지하는 것이 가능해진다.
하면 지지부 (45) 는, 측면에서 보아 L 자상의 이동 블록 (47) 의 상단측에 형성되어 있고, 도시되지 않은 수직 이동부 (하강부) 에 의해 상면 지지부 (46) 및 하면 지지부 (45) 가 이동 블록 (47) 을 따라 승강 가능하게 되어 있다. 또, 수평 이동부 (44) 는, 모터 구동의 가이드 액추에이터로 이동 블록 (47) 을 수평 방향 (웨이퍼 (W) 의 직경 방향) 으로 이동시킨다. 또한, 수직 이동부 및 수평 이동부 (44) 는, 모터 구동의 가이드 액추에이터에 한정되지 않고, 예를 들어 에어 구동의 가이드 실린더로 구성되어도 된다.
그런데, 종래의 박리 장치에는, 웨이퍼의 외주로부터 비어져 나온 수지에 대해 두께 방향으로 외력을 부여함으로써 웨이퍼의 에지와 수지 사이에 부분적인 간극을 형성하여, 보호 부재를 박리할 때의 계기를 만드는 것이 존재한다. 그리고, 당해 계기의 부분에 대응하는 보호 부재를 파지하여 보호 부재를 벗기도록 동작시킴으로써, 웨이퍼로부터 보호 부재를 박리하는 것이 가능하다. 그러나, 이와 같은 박리 장치여도, 웨이퍼의 외주 부분에 수지가 남아, 보호 부재를 적절히 박리할 수 없는 것이 상정된다. 이 경우, 이후의 연삭 가공에 있어서, 외주 부분의 두께가 균일해지지 않을 우려가 있다.
그래서, 본건 발명자들은, 웨이퍼의 외주 부분에 수지를 남기지 않고, 웨이퍼로부터 적절히 보호 부재를 박리하는 것을 착상하였다. 구체적으로 본 실시형태에서는, 외주 박리 수단 (4) 으로 보호 부재 (P) 의 외주를 일부분만 남기며 박리하고, 전체 박리 수단 (5) 으로 당해 보호 부재 (P) 의 일부분을 파지하여 웨이퍼 (W) 의 면 방향을 따라 반대측의 외주부를 향하여 당김으로써, 보호 부재 전체를 웨이퍼 (W) 로부터 박리하고 있다. 그 때, 보호 부재 (P) 의 박리를 가이드하는 가이드 롤러 (52) (롤러부 (52b)) 가, 필름 (F) 의 하면을 Y 방향의 중앙 부분만을 가압한다.
이와 같이, 롤러부 (52b) 의 Y 축 방향의 길이를 필름 (F) 의 중앙 부분에만 접촉하는 크기로 함으로써, 먼저 외주 박리 수단 (4) 으로 박리한 보호 부재 (P) 의 외주 부분이, 전체 박리 수단 (5) 으로 보호 부재 (P) 의 전체를 박리할 때에, 롤러부 (52b) 에 의해 그 박리가 방해되는 경우가 없다. 이 결과, 웨이퍼 (W) 의 외주 부분에 박리 잔류물이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 웨이퍼 (W) 의 외주 부분에 수지 (R) 를 남기지 않고, 웨이퍼 (W) 로부터 적절히 보호 부재 (P) 를 박리하는 것이 가능하다.
다음으로, 도 2 내지 도 7 을 참조하여 본 실시형태에 관련된 보호 부재의 박리 방법에 대해 설명한다. 도 3 은, 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 파지 공정의 일례를 나타내는 도면이다. 도 3A 는 보호 부재를 파지하기 전의 상태를 나타내고, 도 3B 는 보호 부재를 파지한 후의 상태를 나타내고 있다. 도 4 는, 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 외주 가장자리 박리 공정의 일례를 나타내는 도면이다. 도 5 는, 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 외측 박리 공정의 일례를 나타내는 도면이다. 도 6 은, 본 실시형태에 관련된 박리 장치의 전체 박리 공정의 일례를 나타내는 도면이다. 도 6A 내지 도 6D 는, 전체 박리 공정의 동작 천이를 나타내고 있다. 도 7 은, 본 실시형태에 관련된 박리 방법의 일련의 흐름을 나타내는 상면 모식도이다. 도 7A 는 제 1 박리 그룹에 의한 보호 부재의 외주 박리의 모습을 나타내고, 도 7B 는 제 2 박리 그룹에 의한 보호 부재의 외주 박리의 모습을 나타내고, 도 7C 는 전체 박리 수단에 의한 보호 부재의 전체 박리의 모습을 나타내고 있다. 또한, 도 3 내지 도 5 에서는, 제 1 박리 그룹에 의한 박리를 예시한다.
본 실시형태에 관련된 보호 부재 (P) 의 박리 방법은, 보호 부재 (P) 의 외주 (비어져 나옴부 (E)) 를 파지하는 파지 공정 (도 3 참조) 과, 수지의 외주 가장자리를 박리하는 외주 가장자리 박리 공정 (도 4 참조) 과, 수지 및 필름의 외측 부분을 박리하는 외측 박리 공정 (도 5 참조) 과, 보호 부재 전체를 박리하는 전체 박리 공정 (도 6 참조) 을 거쳐 실시된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 유지 수단 (2) 은, 보호 부재 (P) 가 하방을 향하도록 웨이퍼 (W) 의 상면을 흡인 유지하고 있다. 유지 수단 (2) 은, 제한 링 (41) 의 중심과 웨이퍼 (W) 의 중심이 일치하도록, 외주 박리 수단 (4) 의 상방에 위치된다. 이 때 파지부 (43) (상면 지지부 (46)) 의 선단 (직경 방향 내측의 단부) 이, 필름 (F) 의 외주보다 외측에 위치된 상태로 되어 있다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 파지 공정에서는, 제한 링 (41) 이 상승단에 위치된 상태에서 웨이퍼 (W) 가 제한 링 (41) 상에 재치 (載置) 된다. 즉, 필름 (F) 의 하면이 제한 링 (41) 의 상면에 맞닿고, 웨이퍼 (W) 및 보호 부재 (P) 는, 제한 링 (41) 과 반송 패드 (20) 사이에 끼워진 상태가 된다.
그리고, 도 3A 에 나타내는 바와 같이, 각 파지부 (43) 는, 상면 지지부 (46) 및 하면 지지부 (45) 의 직경 방향 내측의 단부가 필름 (F) 의 외주 부분과 직경 방향에서 겹치도록, 수평 이동부 (44) 에 의해 이동된다. 또한 파지부 (50) 는, 하면 지지부 (45) 의 상면과 제한 링 (41) 의 상면이 동일한 높이가 되도록, 수직 이동부 (도시 생략) 에 의해 높이가 조정된다. 이로써, 필름 (F) 의 외주부 하면이 하면 지지부 (45) 의 상면에 맞닿게 된다.
그리고, 도 3B 에 나타내는 바와 같이, 상면 지지부 (46) 가 강하되고, 상면 지지부 (46) 의 하면이 필름 (F) 의 상면에 맞닿게 된다. 이로써, 파지부 (43) 는, 필름 (F) 의 외주 가장자리 (비어져 나옴부 (E)) 를 파지한다.
다음으로, 외주 가장자리 박리 공정이 실시된다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 외주 가장자리 박리 공정에서는, 파지부 (43) 가 비어져 나옴부 (E) 를 파지한 상태에서, 각 파지부 (43) 가 유지면 방향 (웨이퍼 (W) 의 직경 방향 외측) 을 향하여 이동된다. 이로써, 보호 부재 (P) 가 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리로부터 외측으로 멀어지는 방향으로 당겨진다. 이 결과, 웨이퍼 (W) 의 외주로부터 비어져 나온 수지 (R) 와 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리 사이에 근소한 간극이 형성된다.
다음으로, 외측 박리 공정이 실시된다. 도 4 에서 파지부 (43) 를 수평 이동부 (44) 로 직경 방향 외측 (웨이퍼 (W) 의 외주로부터 멀어지는 방향) 으로 이동시킨 후, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 외측 박리 공정에서는, 파지부 (43) 를 추가로 연직 방향 하방으로 이동시킨다. 즉, 파지부 (43) 는, 유지면 (21) 으로부터 이간되는 방향으로 이동된다. 이로써, 수지 (R) 및 필름 (F) 의 외주 부분 (비어져 나옴부 (E)) 은, 하방으로 끌어내려진다. 이 결과, 도 4 에서 형성된 수지 (R) 와 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리의 간극이 확대되고, 당해 간극은 웨이퍼 (W) 의 외주부 하면까지 도달한다.
이 때, 웨이퍼 (W) 의 하면, 즉, 필름 (F) 의 하면이 제한 링 (41) 에 의해 지지되어 있기 때문에, 상기 간극의 확대가 제한 링 (41) 의 외주 가장자리로 규제된다. 이와 같이, 제한 링 (41) 에 의해, 필름 (F) 의 하면의 소정 범위를 지지함으로써, 보호 부재 (P) 의 박리량, 즉, 박리값을 제한하는 것이 가능하다. 이상으로부터, 보호 부재 (P) 의 외주의 소정 범위만을 웨이퍼 (W) 로부터 박리할 수 있다.
또한, 도 3 내지 도 5 에서는, 제 1 박리 그룹 (G1) 에서 파지 공정, 외주 가장자리 박리 공정, 외측 박리 공정을 실시함으로써, 도 7A 에 나타내는 바와 같이, 보호 부재 (P) 의 외주의 4 개 지점을 소정의 박리값으로 박리할 수 있다. 제 2 박리 그룹 (G2) 에 있어서도, 도 3 내지 도 5 와 같이, 파지 공정, 외주 가장자리 박리 공정, 외측 박리 공정을 실시함으로써, 4 개의 박리 지점의 사이에 위치하는 3 개 지점도 소정의 박리값으로 박리할 수 있다. 이 결과, 도 7B 에 나타내는 바와 같이, 보호 부재 (P) 의 외주의 일부분을 남기고 보호 부재 (P) 가 웨이퍼 (W) 의 외주로부터 박리된 상태가 된다.
다음으로, 전체 박리 공정이 실시된다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 유지 수단 (2) 은, 웨이퍼 (W) 를 외주 박리 수단 (4) 으로부터 전체 박리 수단 (5) 으로 반송한다. 전체 박리 공정에서는, 먼저, 도 6A 에 나타내는 바와 같이, 외주 가장자리 박리 공정에서 박리되지 않고 남은 보호 부재 (P) 의 외주의 일부분 (비어져 나옴부 (E)) 이 파지부 (50) 에 의해 파지된다. 이 때, 롤러부 (52b) 가 웨이퍼 (W) 의 일단측 (파지부 (50) 가 파지한 측) 에 위치하도록, 유지 수단 (2) 이 위치된다. 또한 롤러부 (52b) 는, 필름 (F) 의 하면에 맞닿아 있고, 웨이퍼 (W) 및 보호 부재 (P) 는, 반송 패드 (20) 와 롤러부 (52b) 사이에서 끼워진 상태로 되어 있다.
그리고, 유지 수단 (2) 을 파지부 (50) 로부터 떨어지는 방향으로 이동시키고, 도 6B 에 나타내는 바와 같이, 외주 박리 공정에서 박리되지 않고 남은 보호 부재 (P) 의 외주의 일부분 (비어져 나옴부 (E)) 을 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 박리한다. 다음으로, 파지부 (50) 는, 필름 (F) 의 파지 위치에서 후방으로 어긋난 위치를 지지점으로 회전하면서 하방으로 이동된다. 이 결과, 도 6C 에 나타내는 바와 같이, 파지부 (50) 근방의 보호 부재 (P) 가 웨이퍼 (W) 의 외주로부터 박리되고, 보호 부재 (P) 는, 롤러부 (52b) 에 맞닿으면서 (안내되어) 대략 직각으로 굴곡된다.
또한, 도 6D 에 나타내는 바와 같이, 파지부 (50) 의 회전 각도와 높이를 조정하면서, 파지부 (50) 를 전방, 즉, 웨이퍼 (W) 의 외주로부터 중앙을 기준으로 하는 반대측의 외주를 향하여 이동시킴과 함께, 유지 수단 (2) 도 후방을 향하여 이동시킨다. 이와 같이, 파지부 (50) 와 웨이퍼 (W) 를 유지면 (21) 의 면 방향을 따라 상대 이동시킴으로써, 보호 부재 (P) 의 전체를 웨이퍼 (W) 로부터 박리하는 것이 가능하다.
또, 도 7C 에 나타내는 바와 같이, 박리의 도중에는, 롤러부 (52b) 에 의해 보호 부재 (P) 가 안내되면서 굴곡되기는 하지만, 롤러부 (52b) 는 필름 (F) 의 하면 중앙 부분만을 가압하고 있기 때문에, 한 번 박리된 보호 부재 (P) 의 외주 부분이 롤러부 (52b) 에 의해 웨이퍼 (W) 측으로 가압되는 경우가 없다. 이 때문에, 보호 부재 (P) 의 박리를 저해하는 경우가 없다. 이 결과, 웨이퍼 (W) 의 외주 부분에 수지 (R) 를 남기지 않고, 웨이퍼 (W) 로부터 적절히 보호 부재 (P) 를 박리하는 것이 가능하다.
또한, 박리 후의 보호 부재 (P) 는, 적층 수단 (6) (도 1 참조) 에 의해 쓰레기통 (9) 내에 적층된다. 또, 도 6 에서는, 파지부 (50) 를 전방을 향하여 이동시켜 보호 부재 (P) 를 박리하는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 파지부 (50) 를 전방으로 이동시키지 않고 하방으로 계속 이동시켜, 보호 부재 (P) 를 직각으로 굴곡시켜 전체를 박리시켜도 된다.
이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 웨이퍼 (W) 의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 비어져 나옴부 (E) 가, 외주 박리 수단 (4) 에 의해 수평 방향 및 수직 방향으로 당겨진다. 이로써, 웨이퍼 (W) 의 외주에는, 일부분을 제외하고 수지 (R) 와 웨이퍼 (W) 사이에 간극이 형성된다. 그리고, 당해 간극을 계기로 전체 박리 수단 (5) 으로 보호 부재 (P) 를 웨이퍼 (W) 로부터 박리할 수 있다. 이 때, 보호 부재 (P) 의 중앙 부분이 롤러부 (52b) 에 의해 압착되면서 파지부 (50) 가 이동되기 때문에, 웨이퍼 (W) 의 외주 부분에 박리 잔류물이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 웨이퍼 (W) 의 외주 부분에 수지를 남기지 않고, 웨이퍼 (W) 로부터 적절히 보호 부재 (P) 를 박리하는 것이 가능하다.
예를 들어, 상기 실시형태에서는, 도 3 에 나타내는 파지 공정에 있어서, 웨이퍼 (W) 를 제한 링 (41) 상에 재치한 후에 파지부 (43) 로 비어져 나옴부 (E) 를 파지하는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 파지부 (43) 로 비어져 나옴부 (E) 를 파지한 후에, 제한 링 (41) 을 상승시켜 필름 (F) 의 하면에 제한 링 (41) 의 상면을 맞닿게 해도 된다.
또, 상기 실시형태에서는, 외주 박리 수단 (4) 을 제 1 박리 그룹 (G1) 과 제 2 박리 그룹 (G2) 으로 나누어, 파지 수단 (42) 을 7 개 형성하는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 파지 수단 (42) 의 개수는 적절히 변경이 가능하다. 예를 들어, 파지 수단 (42) 을 등각도 간격으로 4 개 배치하고, 보호 부재 (P) 의 외주를 소정의 4 개 지점 박리한 후, 웨이퍼 (W) 와 파지 수단 (42) 을 웨이퍼 (W) 의 중심을 축으로 소정 각도 (예를 들어 45 도) 로 상대 회전시켜, 먼저 박리한 4 개의 박리 지점의 사이에 위치하는 3 개 지점의 보호 부재 (P) 를 박리하도록 구성해도 된다. 이 경우, 반송 패드 (20) 를 중심축 둘레로 회전시켜도 되고, 4 개의 파지 수단 (42) 을 웨이퍼 (W) (또는 제한 링 (41)) 의 중심축 둘레로 회전시켜도 된다.
여기서, 도 8 내지 도 13 을 참조하여 변형예에 관련된 박리 장치에 대해 설명한다. 도 8 은, 변형예에 관련된 박리 장치의 전체 사시도이다. 도 9 - 12 는, 변형예에 관련된 박리 장치의 전체 박리 공정을 나타내는 동작 천이도이다. 도 13 은, 변형예에 관련된 박리 장치의 폐기 공정을 나타내는 도면이다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 변형예에 관련된 박리 장치 (1) 는, 외주 박리 수단 (4) 과 전체 박리 수단 (5) 의 구성이 본 실시형태와 약간 상이하다. 구체적으로 외주 박리 수단 (4) 은, 기대 (40) 의 상면에 턴테이블 (40a) 이 형성되어 있고, 턴테이블 (40a) 의 상면 중앙에 제한 링 (41) 이 형성되어 있다. 파지 수단 (42) 은, 턴테이블 (40a) 의 중앙 (제한 링 (41)) 을 사이에 두고 대향하도록 2 개 형성되어 있다. 턴테이블 (40a) 은, 전동 모터 등으로 구성되는 회전 수단 (40b) 에 의해, 턴테이블 (40a) 의 중심을 축으로 회전 가능하게 되어 있다. 이로써, 파지 수단 (42) 은, 제한 링 (41) 상에 재치되는 웨이퍼 (W) 의 중심을 축으로 회전 가능하게 구성된다. 즉, 턴테이블 (40a) 및 회전 수단 (40b) 은, 파지 수단 (42) 을 웨이퍼 (W) 의 중심을 축으로 하는 회전축에 의해 웨이퍼 (W) 의 외주를 따라 회전 이동시키는 외주 이동 수단을 구성한다.
이와 같이 구성되는 외주 박리 수단 (4) 에 있어서는, 보호 부재 (P) 의 외주를 2 개의 파지 수단 (42) 으로 소정의 2 개 지점을 파지하여 박리한 후, 턴테이블 (40a) 을 소정 각도 회전시키고, 보호 부재 (P) 의 다른 지점을 파지 수단 (42) 으로 파지하여 박리한다. 이것을 복수 회 반복하여, 소정 지점을 제외하고 보호 부재 (P) 의 외주를 웨이퍼 (W) 로부터 박리하는 것이 가능하다.
또, 변형예에 관련된 전체 박리 수단 (5) 은, 아암 (53) 의 연장 방향을 축으로 회전 가능하지 않고 고정되어 있는 점에서 본 실시형태와 상이하다. 또, 아암 (53) 및 파지부 (50) 는, 모터 구동의 가이드 액추에이터로 구성되는 승강 수단 (53a) 에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 승강 수단 (53a) 은, X 축 테이블 (54) 상에 형성되어 있다.
이와 같이 구성되는 전체 박리 수단 (5) 에서는, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 외주 가장자리 박리 공정에서 박리되지 않고 남은 보호 부재 (P) 의 외주의 일부분 (비어져 나옴부 (E)) 이, 파지부 (50) 에 의해 파지된다. 이 때, 롤러부 (52b) 가 웨이퍼 (W) 의 일단측 (파지부 (50) 가 파지한 측) 에 위치하도록, 유지 수단 (2) 이 위치된다. 또한 롤러부 (52b) 는, 필름 (F) 의 하면에 맞닿아 있고, 웨이퍼 (W) 및 보호 부재 (P) 는, 반송 패드 (20) 와 롤러부 (52b) 사이에서 끼워진 상태로 되어 있다.
그리고, 유지 수단 (2) 이 파지부 (50) 로부터 떨어지는 방향으로 약간 이동되고, 남은 보호 부재 (P) 의 외주 부분이 웨이퍼 (W) 로부터 약간 박리된다. 그 후, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 파지부 (50) 를 승강 수단 (53a) 으로 하방으로 이동시키면서, 유지 수단 (2) 을 수평 방향으로 이동시킴으로써, 보호 부재 (P) 는 서서히 박리된다. 그리고, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 추가로 파지부 (50) 를 하방으로 이동시키고, 롤러부 (52b) 가 웨이퍼 (W) 의 다른 단부를 넘을 때까지 유지 수단 (2) 을 이동시키면, 보호 부재 (P) 의 전체가 웨이퍼 (W) 로부터 박리된다.
도 12 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 로부터 보호 부재 (P) 를 박리한 직후에 있어서는, 비어져 나옴부 (E) 의 일단이 파지부 (50) 에 의해 파지된 채로, 보호 부재 (P) 의 타단측이 자중에 의해 처진다. 이 상태에서 파지부 (50) 는, 승강 수단 (53a) 에 의해 상승됨과 함께 이동 수단 (51) (도 8 참조) 에 의해 수평 방향으로 이동되고, 파지부 (50) 는 가이드 레일 (70) 의 근방에 위치된다.
도 13 에 나타내는 바와 같이, 파지부 (50) 가 가이드 레일 (70) 의 상단까지 이동되면, 보호 부재 (P) 의 필름 (F) 측이 1 쌍의 가이드 레일 (70) 의 경사면에 맞닿게 된다. 이로써, 보호 부재 (P) 는, 1 쌍의 가이드 레일 (70) 을 따르도록 연직 방향에 대해 약간 경사진다. 보호 부재 (P) 가 1 쌍의 가이드 레일 (70) 을 따르게 된 상태에서, 1 쌍의 클로부 (50a) 가 서로 이간되면, 비어져 나옴부 (E) 의 파지가 해제된다.
보호 부재 (P) 는, 자중에 의해 1 쌍의 가이드 레일 (70) 을 따라 비스듬히 하방으로 경사 낙하하고, 쓰레기통 (9) 의 상방에서, 1 쌍의 가이드 레일 (80) 에 의해, 이동 방향이 수평 방향으로 가이드되면서, 쓰레기통 (9) 내로 낙하된다. 이로써, 박리 후의 보호 부재 (P) 가 쓰레기통 (9) 내로 폐기된다.
또, 상기 실시형태에서는, 도 4 및 도 5 에 나타내는 외주 가장자리 박리 공정, 외측 박리 공정에서는, 파지부 (43) 를 수평 방향 (웨이퍼 (W) 의 직경 방향 외측) 으로 이동시킨 후, 수직 방향 하방으로 이동시켜 단계적으로 보호 부재 (P) 의 외주를 박리하는 구성으로 했지만, 이것에 한정되지 않는다. 외주 가장자리 박리 공정 및 외측 박리 공정을 일련의 흐름으로 실시해도 된다. 예를 들어, 파지부 (43) 를 회전시킴으로써 파지부 (43) 를 원호 이동시키고, 직경 방향 외측으로의 이동과 하방으로의 이동을 일련의 흐름으로 실시함으로써, 보호 부재 (P) 의 외주를 박리해도 된다.
또, 상기 실시형태에서는, 외주 박리 수단 (4) 에 의해, 보호 부재 (P) 를 외주의 일부분만 남기고 박리하는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 외주 박리 수단 (4) 으로 보호 부재 (P) 의 외주 전체를 박리해도 된다. 즉, 제 1 박리 그룹 (G1) 에 의한 외주 박리와 제 2 박리 그룹 (G2) 에 의한 외주 박리와 전체 박리를 나누어 실시했지만, 외주 부분을 박리한 후에 전체를 박리하면 된다. 따라서, 제 1 박리 그룹 (G1), 제 2 박리 그룹 (G2), 전체 박리 수단 (5) 의 각각의 파지부 (43, 50) 가 비어져 나옴부 (E) 를 파지하고, 동시에 외주 부분을 박리시켜도 된다.
또한, 본 실시형태에서는, 박리 장치 단체의 구성에 대해 설명했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 본 발명은, 예를 들어, 연삭, 연마, 절삭 등, 각종 가공을 실시하는 각종 가공 장치에 적용되어도 된다.
또, 가공 대상의 워크로서, 가공의 종류에 따라, 예를 들어, 반도체 디바이스 웨이퍼, 광 디바이스 웨이퍼, 패키지 기판, 반도체 기판, 무기 재료 기판, 산화물 웨이퍼, 생세라믹스 기판, 압전 기판 등의 각종 워크가 사용되어도 된다. 반도체 디바이스 웨이퍼로는, 디바이스 형성 후의 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼가 사용되어도 된다. 광 디바이스 웨이퍼로는, 디바이스 형성 후의 사파이어 웨이퍼나 실리콘 카바이드 웨이퍼가 사용되어도 된다. 또, 패키지 기판으로는 CSP (Chip Size Package) 기판, 반도체 기판으로는 실리콘이나 갈륨비소 등, 무기 재료 기판으로는 사파이어, 세라믹스, 유리 등이 사용되어도 된다. 또한, 산화물 웨이퍼로는, 디바이스 형성 후 또는 디바이스 형성 전의 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트가 사용되어도 된다.
또, 상기 실시형태에서는, 가이드 레일 (70, 80) 이 원형 단면을 갖는 봉상으로 형성되는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 가이드 레일 (70, 80) 은, 예를 들어, 금속판을 절곡한 판상체로 형성되어도 된다.
또, 상기 실시형태에서는, 보호 부재 (P) 의 중앙 부분을 가압하는 롤러로서, 원기둥상의 롤러부 (52b) 를 구비한 가이드 롤러 (52) 를 예로 들어 설명하였다. 이 경우, 전체 박리 공정시, 필름 (F) 의 하면과 롤러부 (52b) 의 원통면이, 선 접촉 또는 면 접촉하면서, 보호 부재 (P) 의 박리가 가이드된다. 그러나, 이 구성에 한정되지 않고, 적절히 변경이 가능하다. 롤러는, 보호 부재 (P) 의 중앙 부분을 가압하는 것이면, 어떠한 구성이어도 되고, 예를 들어, 구면을 구비한 볼상의 롤러로 구성되어도 된다. 이 경우, 전체 박리 공정시, 필름 (F) 의 하면과 롤러의 구면이 점 접촉하면서, 보호 부재 (P) 의 박리가 가이드된다.
또, 본 발명의 각 실시형태를 설명했지만, 본 발명의 그 밖의 실시형태로서, 상기 실시형태 및 변형예를 전체적 또는 부분적으로 조합한 것이어도 된다.
또, 본 발명의 실시형태는 상기의 각 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러 가지로 변경, 치환, 변형되어도 된다. 나아가서는, 기술의 진보 또는 파생하는 다른 기술에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 다른 방법으로 실현할 수 있으면, 그 방법을 사용하여 실시되어도 된다. 따라서, 특허 청구의 범위는, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 포함될 수 있는 모든 실시양태를 커버하고 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 웨이퍼의 외주 부분에 수지를 남기지 않고, 웨이퍼로부터 적절히 보호 부재를 박리할 수 있다는 효과를 갖고, 특히, 웨이퍼의 표면에 첩착된 필름을 박리하는 박리 장치에 유용하다.
W : 웨이퍼
P : 보호 부재
R : 수지
F : 필름
E : 비어져 나옴부
1 : 박리 장치
2 : 유지 수단
21 : 유지면
4 : 외주 박리 수단
42 : 파지 수단 (제 1 외주 박리 수단, 제 2 외주 박리 수단)
43 : 파지부 (제 2 파지부)
44 : 수평 이동부
G1 : 제 1 박리 그룹 (제 1 외주 박리 수단)
G2 : 제 2 박리 그룹 (제 2 외주 박리 수단)
5 : 전체 박리 수단
50 : 파지부 (제 1 파지부)
51 : 이동 수단
52b : 롤러부 (롤러)

Claims (3)

  1. 필름이 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 비어져 나옴부를 형성한 상태에서 수지를 개재하여 그 필름을 웨이퍼의 일방의 면에 고착시켜 그 수지와 그 필름으로 이루어지는 보호 부재를 웨이퍼로부터 박리하는 박리 장치로서,
    그 보호 부재를 아래로 하여 상면이 되는 웨이퍼 타방의 면을 흡인 유지하는 유지면을 갖는 유지 수단과,
    그 비어져 나옴부를 파지하여 외주의 일부분을 남기고 그 보호 부재의 외주 부분을 웨이퍼로부터 박리하는 외주 박리 수단과,
    남은 그 외주의 일부분의 그 비어져 나옴부를 파지하여 그 보호 부재의 외주 부분측으로부터 그 보호 부재 전체를 웨이퍼로부터 박리하는 전체 박리 수단을 구비하고,
    그 전체 박리 수단은,
    그 외주 박리 수단으로 박리되지 않고 남은 그 외주의 일부분의 그 비어져 나옴부를 파지하는 제 1 파지부와,
    그 외주 박리 수단으로 박리되지 않고 웨이퍼에 고착되어 있는 그 보호 부재의 중앙 부분을 가압하는 롤러와,
    그 제 1 파지부와 그 유지 수단을 상대적으로 유지면 방향으로 이동시키는 이동 수단을 구비하고,
    그 외주 박리 수단은,
    웨이퍼의 중심을 중심으로 하여 소정의 각도 간격으로 배치 형성되는 복수의 제 1 외주 박리 수단과,
    그 제 1 외주 박리 수단의 사이에 배치 형성되는 복수의 제 2 외주 박리 수단을 구비하고,
    그 제 1 외주 박리 수단과 그 제 2 외주 박리 수단은,
    그 비어져 나옴부를 파지하는 제 2 파지부와,
    그 제 2 파지부를 그 유지면 방향에서 웨이퍼의 외주로부터 멀어지는 방향으로 이동시키는 수평 이동부와,
    그 수평 이동부에 의해 이동한 그 제 2 파지부를 그 유지면에 대해 직교하는 수직 방향에서 하강시키는 하강부를 구비하고,
    그 롤러로 그 유지 수단이 유지한 웨이퍼의 중앙 부분의 그 보호 부재를 웨이퍼를 향하여 압착하면서 그 보호 부재를 웨이퍼로부터 전부 박리하는, 박리 장치.
  2. 필름이 웨이퍼의 외주 가장자리로부터 비어져 나온 비어져 나옴부를 형성한 상태에서 수지를 개재하여 그 필름을 웨이퍼의 일방의 면에 고착시켜 그 수지와 그 필름으로 이루어지는 보호 부재를 웨이퍼로부터 박리하는 박리 장치로서,
    그 보호 부재를 아래로 하여 상면이 되는 웨이퍼 타방의 면을 흡인 유지하는 유지면을 갖는 유지 수단과,
    그 비어져 나옴부를 파지하여 외주의 일부분을 남기고 그 보호 부재의 외주 부분을 웨이퍼로부터 박리하는 외주 박리 수단과,
    남은 그 외주의 일부분의 그 비어져 나옴부를 파지하여 그 보호 부재의 외주 부분측으로부터 그 보호 부재 전체를 웨이퍼로부터 박리하는 전체 박리 수단을 구비하고,
    그 전체 박리 수단은,
    그 외주 박리 수단으로 박리되지 않고 남은 그 외주의 일부분의 그 비어져 나옴부를 파지하는 제 1 파지부와,
    그 외주 박리 수단으로 박리되지 않고 웨이퍼에 고착되어 있는 그 보호 부재의 중앙 부분을 가압하는 롤러와,
    그 제 1 파지부와 그 유지 수단을 상대적으로 유지면 방향으로 이동시키는 이동 수단을 구비하고,
    그 외주 박리 수단은,
    그 비어져 나옴부를 파지하는 제 2 파지부와,
    그 제 2 파지부를 그 유지면 방향에서 웨이퍼의 외주로부터 멀어지는 방향으로 이동시키는 수평 이동부와,
    그 수평 이동부에 의해 이동한 그 제 2 파지부를 그 유지면에 대해 직교하는 수직 방향으로 이동시키는 하강부와,
    그 제 2 파지부와, 그 수평 이동부와, 그 하강부를, 웨이퍼의 중심을 축으로 하는 회전축에 의해 웨이퍼의 외주를 따라 회전 이동시키는 외주 이동 수단을 구비하고,
    그 롤러로 그 유지 수단이 유지한 웨이퍼의 중앙 부분의 그 보호 부재를 웨이퍼를 향하여 압착하면서 그 보호 부재를 웨이퍼로부터 전부 박리하는, 박리 장치.
  3. 삭제
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11249008B2 (en) * 2019-06-28 2022-02-15 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Peeling and grasping apparatus, peeling inspection apparatus, and ultrasonic vibration bonding system
JP7488148B2 (ja) 2020-08-03 2024-05-21 株式会社ディスコ 剥離装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151275A (ja) 2011-01-19 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂剥がし装置および研削加工装置
JP2013149655A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム
JP2014063882A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂剥がし方法及び樹脂剥がし装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014067873A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Nitto Denko Corp 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP6730879B2 (ja) * 2016-08-18 2020-07-29 株式会社ディスコ 剥離方法及び剥離装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151275A (ja) 2011-01-19 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂剥がし装置および研削加工装置
JP2013149655A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム
JP2014063882A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂剥がし方法及び樹脂剥がし装置

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