JP2013149655A - 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 409
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 69
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 38
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 192
- 230000008569 process Effects 0.000 description 44
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 32
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 28
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 26
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 25
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 11
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態に係る剥離装置は、第1保持部と、第2保持部と、移動機構とを備える。第1保持部は、第1基板を吸着保持する、第2保持部は、第1基板に接合された第2基板を吸着保持する。移動機構は、第2保持部を第1保持部から離す方向へ移動させる。第2保持部は、主吸着部と副吸着部とに分割されて構成される。主吸着部は、第2基板の中央部を含む第1領域を吸着保持する。副吸着部は、第2基板の外周部の一部または全部を含む第2領域を吸着し、主吸着部によって吸着保持された第2基板の第2領域を第1基板から離す方向へ引っ張る。
【選択図】図3
Description
<1.剥離システム>
まず、第1の実施形態に係る剥離システムの構成について、図1および図2を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図であり、図2は、重合基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向を規定し、Z軸の正方向を鉛直上向きとする。
まず、剥離装置31の構成について、図3〜図6を参照して説明する。図3は、第1の実施形態に係る剥離装置31の構成を示す模式側面図であり、図4は、第1の実施形態に係る第2保持部の構成を示す模式平面図であり、図5は、図4に示すH1部の模式拡大斜視図である。また、図6は、第2保持部の主吸着部による吸着領域と副吸着部による吸着領域を示す図である。
次に、剥離システム1の動作について説明する。剥離システム1の動作は、制御装置50によって制御され、剥離装置31による剥離動作を含む。図7は、剥離装置31による剥離処理手順を示すフローチャートであり、図8A〜図8Cは、剥離システム1による剥離動作の説明図(その1)〜(その3)である。
第1の実施形態の剥離装置31では、支持基板Sの外周を吸着し引っ張る副吸着部を一つの副吸着部122とする例を説明したが、副吸着部を複数設けることもできる。以下では、副吸着部を複数設けて重合基板Tの剥離を行う例について説明する。図11は、第2の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図であり、図12は、第2の実施形態に係る第2保持部の構成を示す模式平面図である。
上述した剥離装置31、31Aでは、副吸着部122、222によって支持基板Sの外周の一部を吸着し引っ張る例を説明したが、支持基板Sの外周の一部ではなく全体を副吸着部によって吸着し引っ張ることもできる。以下では、副吸着部を円環状に形成し、支持基板Sの外周全体を吸着し引っ張る例について説明する。図13は、第3の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図であり、図14は、第3の実施形態に係る第2保持部の構成を示す模式平面図であり、図15は、第3の実施形態に係る剥離装置による剥離動作の説明図である。
上述した剥離装置において、さらに重合基板Tの剥離を促すために、たとえば刃物等の鋭利部材を用いて重合基板Tの側面に切り込みを入れてもよい。以下では、鋭利部材を用いて重合基板Tの側面に切り込みを入れる場合の例について説明する。ここでは、第1の実施形態の剥離装置31に対して重合基板Tの側面に切り込みを入れる構成を追加する例を説明するが、第2および第3の実施形態の剥離装置31A、31Bに対して重合基板Tの側面に切り込みを入れる構成を追加することもできる。
また、上述してきた各実施形態では、重合基板Tを常温で剥離する場合の例について説明した。しかし、剥離装置は、重合基板Tにおける被処理基板Wおよび支持基板Sのうちの一方を加熱または冷却することによって生じる温度差を利用して重合基板Tの剥離を促進させることもできる。
ところで、剥離システムの構成は、図1に示した構成に限定されず、種々の構成を取り得る。そこで、剥離システムの他の構成について図19を参照して説明する。図19は、第6の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
上述してきた各実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gによって接合された重合基板Tである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Tに限定されない。たとえば、上述してきた各実施形態の剥離装置では、SOI(Silicon On Insulator)基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。
10 搬入出ステーション
20 第1搬送領域
30 剥離処理ステーション
40 第2搬送領域
31、31A〜31D 剥離装置
50 制御装置
105 支持部
110 第1保持部
120、220、320、420 第2保持部
121、221、321、421 主吸着部
122、222a〜222d、322 副吸着部
170 切込部
307 弾性部材
E1 第1領域
E2 第2領域
D ドナー基板
H ハンドル基板
S 支持基板
W 被処理基板
Claims (14)
- 第1基板を吸着保持する第1保持部と、
前記第1基板に接合された第2基板を吸着保持する第2保持部と、
前記第2保持部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる移動機構と
を備え、
前記第2保持部は、
前記第2基板の中央部を含む第1領域を吸着保持する主吸着部と、前記第2基板の外周部の一部または全部を含む第2領域を吸着し、前記主吸着部によって吸着保持された第2基板の前記第2領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張る副吸着部とに分割されて構成されること
を特徴とする剥離装置。 - 前記副吸着部は、
前記第2基板の第2領域を、前記第1基板から離す方向であって、かつ、前記第2基板の中央部寄りに引っ張ること
を特徴とする請求項1に記載の剥離装置。 - 前記副吸着部を複数備えること
を特徴とする請求項1または2に記載の剥離装置。 - 前記複数の副吸着部は互いに独立して動作すること
を特徴とする請求項3に記載の剥離装置。 - 前記副吸着部は、
前記第2基板の第2領域が前記第1基板から剥離するまで継続して前記第2基板の第2領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張ること
を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の剥離装置。 - 前記副吸着部は、
前記第2基板の第2領域が前記第1基板から剥離するまで前記第2基板の第2領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張る動作を繰り返し行うこと
を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の剥離装置。 - 前記移動機構は、
前記第2基板の前記第2領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張る動作が前記副吸着部によって行われている間に、前記第2保持部を前記第1保持部から離す方向へ移動させること
を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の剥離装置。 - 前記移動機構は、
前記第2基板の第2領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張る動作が前記副吸着部によって行われた後に、前記第2保持部を前記第1保持部から離す方向へ移動させること
を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の剥離装置。 - 前記第1基板と前記第2基板との接合部分に切り込みを入れる切込部を備えること
を特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の剥離装置。 - 前記切込部は前記副吸着部に対応する位置に設けられること
を特徴とする請求項9に記載の剥離装置。 - 弾性部材を介して前記第1保持部の外周部を支持する支持部を備えること
を特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の剥離装置。 - 第1基板と第2基板とが接合された重合基板が載置される搬入出ステーションと、
前記搬入出ステーションに載置された前記重合基板を搬送する搬送装置と、
前記搬送装置によって搬送された前記重合基板を剥離する剥離装置を含む剥離ステーションと
を備え、
前記剥離装置は、
前記第1基板を吸着保持する第1保持部と、
前記第1基板に接合された前記第2基板を吸着保持する第2保持部と、
前記第2保持部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる移動機構と
を備え、
前記第2保持部は、
前記第2基板の中央部を含む第1領域を吸着保持する主吸着部と、前記第2基板の外周部の一部または全部を含む第2領域を吸着し、前記主吸着部によって吸着保持された第2基板の前記第2領域を前記第1基板に対して離す方向へ引っ張る副吸着部とに分割されて構成される
ことを特徴とする剥離システム。 - 第1基板を吸着保持する第1保持部によって、前記第1基板を保持する工程と、
前記第1基板に接合された第2基板の中央部を含む第1領域を吸着保持する第2保持部の主吸着部によって、前記第2基板を保持する工程と、
前記第2保持部を前記第1保持部から移動させる移動機構によって、前記第2保持部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる工程と、
前記第2基板の外周部の一部または全部を含む第2領域を吸着する第2保持部の副吸着部によって、前記主吸着部により吸着保持された第2基板の前記第2領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張る工程と
を含むことを特徴とする剥離方法。 - 第1基板を吸着保持する第1保持部によって、前記第1基板を保持する手順と、
前記第1基板に接合された第2基板の中央部を含む第1領域を吸着保持する第2保持部の主吸着部によって、前記第2基板を保持する手順と、
前記第1保持部に対して前記第2保持部を相対的に移動させる移動機構によって、前記第2保持部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる手順と、
前記第2基板の外周部の一部または全部を含む第2領域を吸着する第2保持部の副吸着部によって、前記主吸着部により吸着保持された第2基板の前記第2領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張る手順と
をコンピュータに対して実行させることを特徴とする剥離プログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012006974A JP5722807B2 (ja) | 2012-01-17 | 2012-01-17 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013149655A true JP2013149655A (ja) | 2013-08-01 |
JP5722807B2 JP5722807B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012006974A Active JP5722807B2 (ja) | 2012-01-17 | 2012-01-17 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5722807B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140037767A (ko) * | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박리 장치 |
JP2015035561A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 |
JP2015035562A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 |
JP2015076570A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
KR20150101939A (ko) | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박리 방법, 컴퓨터 기억 매체, 박리 장치 및 박리 시스템 |
US9643396B2 (en) | 2014-06-03 | 2017-05-09 | Tokyo Electron Limited | Peeling device, peeling system and peeling method |
CN109119371A (zh) * | 2017-06-22 | 2019-01-01 | 株式会社迪思科 | 剥离装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06268051A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
JP2002100595A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-04-05 | Enya Systems Ltd | ウエ−ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ−ハ処理装置 |
JP2004064040A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Three M Innovative Properties Co | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
JP2008277501A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法 |
JP2008306049A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Lintec Corp | 脆質部材の処理方法 |
JP2009224437A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Seiko Epson Corp | 薄膜電子デバイスの製造装置及び薄膜電子デバイスの製造方法 |
-
2012
- 2012-01-17 JP JP2012006974A patent/JP5722807B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06268051A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
JP2002100595A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-04-05 | Enya Systems Ltd | ウエ−ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ−ハ処理装置 |
JP2004064040A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Three M Innovative Properties Co | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
JP2008277501A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法 |
JP2008306049A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Lintec Corp | 脆質部材の処理方法 |
JP2009224437A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Seiko Epson Corp | 薄膜電子デバイスの製造装置及び薄膜電子デバイスの製造方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102007042B1 (ko) | 2012-09-19 | 2019-08-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박리 장치 |
KR20140037767A (ko) * | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박리 장치 |
JP2015035561A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 |
JP2015035562A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 |
JP2015076570A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
KR20150042734A (ko) | 2013-10-11 | 2015-04-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 |
US9162435B2 (en) | 2013-10-11 | 2015-10-20 | Tokyo Electron Limited | Peel-off apparatus, peel-off system, peel-off method and computer storage medium |
KR102225474B1 (ko) * | 2013-10-11 | 2021-03-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 |
KR20150101939A (ko) | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박리 방법, 컴퓨터 기억 매체, 박리 장치 및 박리 시스템 |
JP2015162569A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム |
US9724906B2 (en) | 2014-02-27 | 2017-08-08 | Tokyo Electron Limited | Delamination method, delamination device, and delamination system |
KR102341638B1 (ko) * | 2014-02-27 | 2021-12-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박리 방법, 컴퓨터 기억 매체, 박리 장치 및 박리 시스템 |
US9643396B2 (en) | 2014-06-03 | 2017-05-09 | Tokyo Electron Limited | Peeling device, peeling system and peeling method |
JP2019009200A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 株式会社ディスコ | 剥離装置 |
KR20190000296A (ko) * | 2017-06-22 | 2019-01-02 | 가부시기가이샤 디스코 | 박리 장치 |
CN109119371A (zh) * | 2017-06-22 | 2019-01-01 | 株式会社迪思科 | 剥离装置 |
KR102475683B1 (ko) * | 2017-06-22 | 2022-12-07 | 가부시기가이샤 디스코 | 박리 장치 |
TWI793123B (zh) * | 2017-06-22 | 2023-02-21 | 日商迪思科股份有限公司 | 剝離裝置 |
CN109119371B (zh) * | 2017-06-22 | 2024-02-02 | 株式会社迪思科 | 剥离装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5722807B2 (ja) | 2015-05-27 |
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