JP2015162569A - 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム - Google Patents
剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015162569A JP2015162569A JP2014036760A JP2014036760A JP2015162569A JP 2015162569 A JP2015162569 A JP 2015162569A JP 2014036760 A JP2014036760 A JP 2014036760A JP 2014036760 A JP2014036760 A JP 2014036760A JP 2015162569 A JP2015162569 A JP 2015162569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- peeling
- superposed
- unit
- sharp member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 674
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 63
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 63
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 57
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 47
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 38
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 30
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 12
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 10
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 288
- 230000008569 process Effects 0.000 description 67
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 43
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 4
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- -1 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- JNMRHUJNCSQMMB-UHFFFAOYSA-N sulfathiazole Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=NC=CS1 JNMRHUJNCSQMMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
- B32B43/006—Delaminating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/14—Semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
- H01L2221/6839—Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/918—Delaminating processes adapted for specified product, e.g. delaminating medical specimen slide
- Y10S156/93—Semiconductive product delaminating, e.g. delaminating emiconductive wafer from underlayer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10S156/934—Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
- Y10S156/941—Means for delaminating semiconductive product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
- Y10T156/1132—Using vacuum directly against work during delaminating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
- Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
- Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
- Y10T156/1184—Piercing layer during delaminating [e.g., cutting, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
- Y10T156/1944—Vacuum delaminating means [e.g., vacuum chamber, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1961—Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1961—Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
- Y10T156/1967—Cutting delaminating means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1978—Delaminating bending means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Abstract
Description
先ず、本実施形態に係る剥離システムの構成について、図1〜図3を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図2は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図であり、図3は、同重合基板の模式平面図である。
次に、剥離ステーション14に設置される剥離装置141、142の構成について図5を参照して説明する。図5は、本実施形態に係る剥離装置141の構成を示す模式側面図である。なお、剥離装置142の構成は、剥離装置141の構成と同様であるので説明を省略する。
次に、剥離装置141を用いて行われる被処理基板Wと支持基板Sの剥離処理方法について説明する。図12は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。また、図13〜図21は、剥離処理の説明図である。なお、剥離装置141は、制御装置30の制御に基づき、図12に示す各処理手順を実行する。
以上の実施形態の剥離装置141において、支持基板Sの被処理基板Wとの接合面Sjの全てが被処理基板Wから剥がれて剥離が完了したことを検知する剥離完了検知部が設けられていてもよい。
10 第1処理ブロック
11 搬入出ステーション
13 第1搬送領域
14 剥離ステーション
20 第2処理ブロック
23 第2搬送領域
25 搬出ステーション
30 制御装置
131 第1搬送装置
141、142 剥離装置
241 第2搬送装置
310 第1保持部
330 回転機構
350 第2保持部
360 第1吸着移動部
370 第2吸着移動部
380 第3吸着移動部
400 位置調節部
430 剥離誘引部
431 鋭利部材
432 ロードセル
433 移動機構
F ダイシングフレーム
G 接着剤
P ダイシングテープ
S 支持基板
T 重合基板
W 被処理基板
Claims (17)
- 第1基板と第2基板が接合された重合基板を剥離する剥離方法であって、
前記重合基板のうち前記第1基板を保持する保持部において、位置調節部によって前記保持部における前記重合基板の位置調節を行った後、前記保持部を所定の高さ位置に配置する第1工程と、
前記第1基板と前記第2基板が剥離するきっかけとなる剥離開始部位を前記重合基板の一端側の側面に形成する剥離誘引部において、当該剥離誘引部の鋭利部材を所定の高さ位置に配置する第2工程と、
前記第1工程と前記第2工程の後、前記鋭利部材を前記重合基板の一端側の側面に当接させ、当該鋭利部材の当接を検知する第3工程と、
前記第3工程の後、前記鋭利部材を前記重合基板の一端側の側面に挿入し、当該重合基板の一端側の側面に前記剥離開始部位を形成する第4工程と、
前記第4工程の後、前記重合基板のうち前記第2基板を吸着し、前記第2基板を前記第1基板から離す方向へ移動させる複数の吸着移動部によって、前記剥離開始部位を起点として、前記一端側から他端側へ向けて前記第2基板を前記第1基板から剥離する第5工程と、を有することを特徴とする、剥離方法。 - 前記剥離誘引部は、前記鋭利部材にかかる力を測定するロードセルと、前記鋭利部材を移動させる移動機構と、をさらに有し、
前記第3工程において、前記鋭利部材の当接の検知は、前記ロードセルによって測定される力の変化、又は前記移動機構のモータのトルクの変化のいずれか一方又は両方に基づいて行われることを特徴とする、請求項1に記載の剥離方法。 - 前記第1基板は被処理基板であり、
前記第2基板は被処理基板を支持する支持基板であり、
前記第3工程において、前記重合基板のうち前記第2基板の側面に前記鋭利部材を当接させることを特徴とする、請求項1又は2に記載の剥離方法。 - 前記重合基板は、接着剤を介して前記第1基板と前記第2基板が接合され、
前記第3工程において、前記重合基板のうち前記接着剤の側面に前記鋭利部材を当接させることを特徴とする、請求項1又は2に記載の剥離方法。 - 前記第4工程において、前記保持部を回転させることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の剥離方法。
- 前記第5工程において、前記複数の吸着移動部のうち、前記一端側の前記第2基板の周縁部を吸着する第1吸着移動部を、当該第1吸着移動部にかかる力を一定にして、前記周縁部を前記第1基板から離す方向に移動させることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の剥離方法。
- 前記第5工程において、前記複数の吸着移動部のうち、前記第2基板の周縁部よりも中央部寄りの領域を吸着する第2吸着移動部を、当該第2吸着移動部にかかる力を一定にして、前記領域を前記第1基板から離す方向に移動させることを特徴とする、請求項6に記載の剥離方法。
- 請求項1〜7のいずか一項に記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるように、当該剥離装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項8に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 第1基板と第2基板が接合された重合基板を剥離する剥離装置であって、
前記重合基板のうち前記第1基板を保持する保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を吸着し、前記第2基板を前記第1基板から離す方向へ移動させる複数の吸着移動部と、
前記保持部における前記重合基板の位置調節を行う位置調節部と、
鋭利部材を備え、前記保持部に保持された前記重合基板の一端側の側面に前記鋭利部材を当接させて、前記第1基板と前記第2基板が剥離するきっかけとなる剥離開始部位を前記重合基板の一端側の側面に形成する剥離誘引部と、
前記位置調節部によって前記保持部における前記重合基板の位置調節を行った後、前記保持部を所定の高さ位置に配置する第1工程と、前記鋭利部材を所定の高さ位置に配置する第2工程と、前記第1工程と前記第2工程の後、前記鋭利部材を前記重合基板の一端側の側面に当接させ、当該鋭利部材の当接を検知する第3工程と、前記第3工程の後、前記鋭利部材を前記重合基板の一端側の側面に挿入し、当該重合基板の一端側の側面に前記剥離開始部位を形成する第4工程と、前記第4工程の後、前記複数の吸着移動部によって、前記剥離開始部位を起点として、前記一端側から他端側へ向けて前記第2基板を前記第1基板から剥離する第5工程と、を行うように、前記保持部、前記複数の吸着移動部、前記位置調節部及び前記剥離誘引部を制御する制御装置と、を有することを特徴とする、剥離装置。 - 前記剥離誘引部は、前記鋭利部材にかかる力を測定するロードセルと、前記鋭利部材を移動させる移動機構と、をさらに有し、
前記制御装置は、前記第3工程における前記鋭利部材の当接の検知が、前記ロードセルによって測定される力の変化、又は前記移動機構のモータのトルクの変化のいずれか一方又は両方に基づいて行われるように、前記剥離誘引部を制御することを特徴とする、請求項10に記載の剥離装置。 - 前記第1基板は被処理基板であり、
前記第2基板は被処理基板を支持する支持基板であり、
前記剥離誘引部は、前記重合基板のうち前記第2基板の側面に前記鋭利部材を当接させることを特徴とする、請求項10又は11に記載の剥離装置。 - 前記重合基板は、接着剤を介して前記第1基板と前記第2基板が接合され、
前記剥離誘引部は、前記重合基板のうち前記接着剤の側面に前記鋭利部材を当接させることを特徴とする、請求項10又は11に記載の剥離装置。 - 前記保持部を回転させる回転機構をさらに有し、
前記制御装置は、前記第4工程において前記保持部を回転させるように、前記回転機構を制御することを特徴とする、請求項10〜13のいずれか一項に記載の剥離装置。 - 前記複数の吸着移動部は、前記一端側の前記第2基板の周縁部を吸着する第1吸着移動部を有し、
前記制御装置は、前記第5工程において、前記第1吸着移動部にかかる力を一定にして、前記周縁部を前記第1基板から離す方向に前記第1吸着移動部を移動させるように制御することを特徴とする、請求項10〜14のいずれか一項に記載の剥離装置。 - 前記複数の吸着移動部は、前記第2基板の周縁部よりも中央部寄りの領域を吸着する第2吸着移動部をさらに有し、
前記制御装置は、前記第5工程において、前記第2吸着移動部にかかる力を一定にして、前記領域を前記第1基板から離す方向に前記第2吸着移動部を移動させるように制御することを特徴とする、請求項15に記載の剥離装置。 - 請求項10〜16のいずれか一項に記載の剥離装置を備えた剥離システムであって、
前記重合基板と前記第1基板に対する処理を行う第1処理ブロックと、
前記第2基板に対する処理を行う第2処理ブロックと、を有し、
前記第1処理ブロックは、
前記重合基板と前記第1基板が載置される搬入出ステーションと、
前記剥離装置を備えた剥離ステーションと、
前記搬入出ステーションと前記剥離ステーションとの間で、前記重合基板と前記第1基板を搬送する第1搬送装置を備えた第1搬送領域と、を有し、
前記第2処理ブロックは、
前記第2基板が載置される搬出ステーションと、
前記搬出ステーションに対して前記第2基板を搬送する第2搬送装置を備えた第2搬送領域と、を有することを特徴とする、剥離システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014036760A JP6145415B2 (ja) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム |
KR1020150025811A KR102341638B1 (ko) | 2014-02-27 | 2015-02-24 | 박리 방법, 컴퓨터 기억 매체, 박리 장치 및 박리 시스템 |
TW104105827A TWI589441B (zh) | 2014-02-27 | 2015-02-24 | 剝離方法、電腦記憶媒體、剝離裝置及剝離系統 |
US14/633,393 US9724906B2 (en) | 2014-02-27 | 2015-02-27 | Delamination method, delamination device, and delamination system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014036760A JP6145415B2 (ja) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015162569A true JP2015162569A (ja) | 2015-09-07 |
JP6145415B2 JP6145415B2 (ja) | 2017-06-14 |
Family
ID=53881384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014036760A Active JP6145415B2 (ja) | 2014-02-27 | 2014-02-27 | 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9724906B2 (ja) |
JP (1) | JP6145415B2 (ja) |
KR (1) | KR102341638B1 (ja) |
TW (1) | TWI589441B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210052846A (ko) * | 2019-11-01 | 2021-05-11 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 분리 방법 및 웨이퍼 분리 장치 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6345611B2 (ja) * | 2015-02-04 | 2018-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム、および情報記憶媒体 |
JP2017163009A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR102650013B1 (ko) * | 2016-10-05 | 2024-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 분해 시스템 및 이를 이용한 표시 장치의 분해 방법 |
US10272661B2 (en) | 2017-04-17 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad removal device and method |
CN110890306A (zh) * | 2018-09-10 | 2020-03-17 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种简便的半导体器件用衬底减薄后的下片方法 |
KR102603296B1 (ko) * | 2018-11-07 | 2023-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 모듈의 분해 방법 및 재제조 방법 |
US11670524B2 (en) * | 2020-01-31 | 2023-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fully automated wafer debonding system and method thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011024689A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | 旭硝子株式会社 | 剥離装置 |
JP2013149655A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Tokyo Electron Ltd | 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム |
WO2013136982A1 (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム及び剥離方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2752332B1 (fr) * | 1996-08-12 | 1998-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de decollement de plaquettes et procede de mise en oeuvre de ce dispositif |
JP4323577B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 分離方法および半導体基板の製造方法 |
EP1107295A3 (en) * | 1999-12-08 | 2005-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Composite member separating method, thin film manufacturing method, and composite member separating apparatus |
FR2823373B1 (fr) * | 2001-04-10 | 2005-02-04 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe |
FR2834381B1 (fr) * | 2002-01-03 | 2004-02-27 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe |
US7187162B2 (en) * | 2002-12-16 | 2007-03-06 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Tools and methods for disuniting semiconductor wafers |
US20050150597A1 (en) * | 2004-01-09 | 2005-07-14 | Silicon Genesis Corporation | Apparatus and method for controlled cleaving |
KR100546419B1 (ko) * | 2004-09-03 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 다이 어태치 장치, 이를 세정하는 세정 시스템 및 그세정방법 |
JP2010010207A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 剥離装置および剥離方法 |
JP5010652B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | シート剥離装置および表示装置の製造方法 |
JP5455987B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2012069906A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 接合装置、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
US8845859B2 (en) * | 2011-03-15 | 2014-09-30 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Systems and methods for cleaving a bonded wafer pair |
JP5563530B2 (ja) | 2011-07-01 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2013173913A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-09-05 | Nitto Denko Corp | 板の剥離方法 |
JP5913053B2 (ja) * | 2011-12-08 | 2016-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5635019B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2014-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム |
JP5685554B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2015-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム |
JP6014477B2 (ja) * | 2012-12-04 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 |
JP6101084B2 (ja) * | 2013-01-17 | 2017-03-22 | 株式会社ディスコ | 分離装置 |
JP5977710B2 (ja) * | 2013-05-10 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
2014
- 2014-02-27 JP JP2014036760A patent/JP6145415B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-24 TW TW104105827A patent/TWI589441B/zh active
- 2015-02-24 KR KR1020150025811A patent/KR102341638B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-27 US US14/633,393 patent/US9724906B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011024689A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | 旭硝子株式会社 | 剥離装置 |
JP2013149655A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Tokyo Electron Ltd | 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム |
WO2013136982A1 (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離装置、剥離システム及び剥離方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210052846A (ko) * | 2019-11-01 | 2021-05-11 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 분리 방법 및 웨이퍼 분리 장치 |
KR102288929B1 (ko) | 2019-11-01 | 2021-08-12 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 분리 방법 및 웨이퍼 분리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150239227A1 (en) | 2015-08-27 |
US9724906B2 (en) | 2017-08-08 |
TWI589441B (zh) | 2017-07-01 |
KR20150101939A (ko) | 2015-09-04 |
JP6145415B2 (ja) | 2017-06-14 |
KR102341638B1 (ko) | 2021-12-22 |
TW201545888A (zh) | 2015-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6145415B2 (ja) | 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム | |
JP5977710B2 (ja) | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6283573B2 (ja) | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5909453B2 (ja) | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 | |
JP6120748B2 (ja) | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6014477B2 (ja) | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 | |
JP5870000B2 (ja) | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 | |
JP6064015B2 (ja) | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 | |
JP5969663B2 (ja) | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 | |
JP6076856B2 (ja) | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 | |
JP6104753B2 (ja) | 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法 | |
JP6120791B2 (ja) | 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170425 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6145415 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |