TWI589441B - 剝離方法、電腦記憶媒體、剝離裝置及剝離系統 - Google Patents

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Description

剝離方法、電腦記憶媒體、剝離裝置及剝離系統
本發明，係關於將重合基板剝離為第1基板與第2基板的剝離方法、程式、電腦記憶媒體、用於執行該剝離方法的剝離裝置及具備有該剝離裝置的剝離系統。
近年來，例如在半導體裝置之製造工程中，矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板的大直徑化及薄型化正在發展中。大直徑且薄的半導體基板在搬送時或進行研磨處理時，有發生彎曲或破裂之虞。因此，在使支撐基板貼合至半導體基板並加以補強後，進行搬送或研磨處理，然後，進行將支撐基板從半導體基板剝離的處理。
例如，在專利文獻1中，係揭示有下述之方法：在藉由第1保持部吸附保持半導體基板且藉由第2保持部吸附保持支撐基板的狀態下，藉由使第2保持部的周緣部往垂直方向移動，藉由此，將支撐基板從半導體基板剝離。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2013-149655號公報
然而，在揭示於專利文獻1的方法中，係僅保持第2保持部之周緣部的1處而使其往垂直方向移動，在進行剝離時，由於作用於基板的力僅為1處，故在謀求剝離處理之效率化該點上，有更進一步改善的餘地。
另外，該一課題，係即使在伴隨基板進行剝離之SOI(Silicon On Insulator)等的製造工程中亦可能發生的課題。
本發明，係有鑑於該點而進行研究者，以效率良好地進行被處理基板與支撐基板的剝離處理為目的。
為了達成前述目的，而本發明，係一種剝離方法，將接合有第1基板與第2基板之重合基板剝離的剝離方法，其特徵係，具有：第1工程，在將前述重合基板中之前述第1基板加以保持的保持部中，藉由位置調節部，在前述保持部進行前述重合基板的位置調節後，將前述保持部配置在預定的高度位置；第2工程，在剝離誘引部(在前述重合基板之一端側的側面形成構成為前述第1 基板與前述第2基板進行剝離之開始的剝離開始部位)中，將該剝離誘引部之銳利構件配置在預定的高度位置；第3工程，在前述第1工程與前述第2工程之後，使前述銳利構件抵接於前述重合基板之一端側的側面，檢測該銳利構件之抵接；第4工程，在前述第3工程後，將前述銳利構件插入至前述重合基板之一端側的側面，而在該重合基板之一端側的側面形成前述剝離開始部位；及第5工程，在前述第4工程後，藉由複數個吸附移動部(該吸附移動部，係吸附前述重合基板中之前述第2基板，使前述第2基板朝遠離前述第1基板的方向移動)，以前述剝離開始部位為起點，從前述一端側朝向另一端側，將前述第2基板從前述第1基板剝離。
根據本發明，在第4工程中，藉由剝離誘引部，在重合基板之一端側的側面形成剝離開始部位之後，在第5工程中，藉由複數個吸附移動部，以剝離開始部位為起點，從一端側朝向另一端側，將第2基板從第1基板慢慢地剝離。在該情況下，於剝離開始時點，在使對應於剝離開始部位之位置的第2基板往遠離第1基板的方向移動時，可減小吸附移動部所受的負載。而且，由於吸附移動部，係可從其一端側的周緣部捲起第2基板而進行拉引，故可效率良好地使第1基板與第2基板剝離。
而且，在該些第4工程與第5工程之前，在第1工程中，保持重合基板的保持部，係被配置在預定的高度位置，並且，在第2工程中，銳利構件，係被配置在 預定的高度位置，又，在第3工程中，檢測出銳利構件抵接於重合基板之一端側的側面。因此，可藉由該銳利構件來適當地形成剝離開始部位，並可適當地使第1基板與第2基板剝離。
前述剝離誘引部，係更具有：荷重元，測定前述銳利構件所受的力；及移動機構，使前述銳利構件移動，在前述第3工程中，前述銳利構件之抵接的檢測，係亦可根據由前述荷重元所測定之力的變化或前述移動機構之馬達之轉矩的變化之任一者或兩者，來予以進行。
前述第1基板，係被處理基板，前述第2基板，係支撐被處理基板的支撐基板，在前述第3工程中，亦可使前述銳利構件抵接於前述重合基板中之前述第2基板的側面。
前述重合基板，係經由黏著劑而接合有前述第1基板與前述第2基板，在前述第3工程中，亦可使前述銳利構件抵接於前述重合基板中之前述黏著劑的側面。
在前述第4工程中，亦可使前述保持部旋轉。
在前述第5工程中，亦可對前述複數個吸附移動部中之吸附前述一端側之前述第2基板之周緣部的第1吸附移動部施加力，使前述周緣部往遠離前述第1基板的方向移動，而將該第1吸附移動部所受的力設成為一定。
在前述第5工程中，亦可對前述複數個吸附 移動部中之吸附比前述第2基板之周緣部更靠中央部之區域的第2吸附移動部施加力，使前述區域往遠離前述第1基板的方向移動，而將該第2吸附移動部所受的力設成為一定。
根據另一個觀點之本發明，係提供一種在控制該剝離裝置之控制裝置的電腦上運作的程式，以便藉由剝離裝置執行前述剝離方法。
又，根據另一個觀點之本發明，係提供一種儲存前述程式之電腦可讀取之記憶媒體。
又，另一觀點之本發明，係一種剝離裝置，將接合有第1基板與第2基板之重合基板剝離的剝離裝置，其特徵係，具備有：保持部，保持前述重合基板中之前述第1基板；複數個吸附移動部，吸附前述重合基板中之前述第2基板，使前述第2基板朝遠離前述第1基板的方向移動；位置調節部，在前述保持部進行前述重合基板的位置調節；及銳利構件，並具有：剝離誘引部，使前述銳利構件抵接於被保持於前述保持部之前述重合基板之一端側的側面，而在前述重合基板之一端側的側面形成構成為前述第1基板與前述第2基板進行剝離之開始的剝離開始部位；及控制裝置，控制前述保持部、前述複數個吸附移動部、前述位置調節部及前述剝離誘引部，以便執行下述者之工程，其包括：第1工程，藉由前述位置調節部在前述保持部進行前述重合基板的位置調節後，將前述保持部配置在預定的高度位置；第2工程，將前述銳利構件配 置在預定的高度位置；第3工程，在前述第1工程與前述第2工程之後，使前述銳利構件抵接於前述重合基板之一端側的側面，檢測該銳利構件之抵接；第4工程，在前述第3工程後，將前述銳利構件插入至前述重合基板之一端側的側面，而在該重合基板之一端側的側面形成前述剝離開始部位；及第5工程，在前述第4工程後，藉由前述複數個吸附移動部，以前述剝離開始部位為起點，從前述一端側朝向另一端側，將前述第2基板從前述第1基板剝離。
前述剝離誘引部，係更具有：荷重元，測定前述銳利構件所受的力；及移動機構，使前述銳利構件移動，前述控制裝置，係亦可控制前述剝離誘引部，以便根據由前述荷重元所測定之力的變化或前述移動機構之馬達之轉矩的變化之任一者或兩者，予以進行前述第3工程之前述銳利構件之抵接的檢測。
前述第1基板，係被處理基板，前述第2基板，係支撐被處理基板的支撐基板，前述剝離誘引部，係亦可使前述銳利構件抵接於前述重合基板中之前述第2基板的側面。
前述重合基板，係經由黏著劑而接合有前述第1基板與前述第2基板，前述剝離誘引部，係亦可使前述銳利構件抵接於前述重合基板中之前述黏著劑的側面。
前述剝離裝置，係更具有：旋轉機構，使前述保持部旋轉，前述控制裝置，係亦可在前述第4工程中 以使前述保持部旋轉的方式，來控制前述旋轉機構。
前述複數個吸附移動部，係具有：第1吸附移動部，吸附前述一端側之前述第2基板的周緣部，前述控制裝置，係亦可在前述第5工程中，將前述第1吸附移動部所受的力設成為一定，且以使前述第1吸附移動部往遠離前述第1基板之方向移動的方式，控制前述周緣部。
前述複數個吸附移動部，係更具有：第2吸附移動部，吸附比前述第2基板之周緣部更靠中央部的區域，前述控制裝置，係亦可在前述第5工程中，將前述第2吸附移動部所受的力設成為一定，且以使前述第2吸附移動部往遠離前述第1基板之方向移動的方式，控制前述區域。
又，另一觀點之本發明，係一種剝離系統，具備有前述剝離裝置的剝離系統，其特徵係，具有：第1處理區塊，對前述重合基板與前述第1基板進行處理；及第2處理區塊，對前述第2基板進行處理，前述第1處理區塊，係具有第1搬送區域，該第1搬送區域，係具備有：搬入搬出站，載置有前述重合基板與前述第1基板；剝離站，具備有前述剝離裝置；及第1搬送裝置，在前述搬入搬出站與前述剝離站之間，搬送前述重合基板與前述第1基板，前述第2處理區塊，係具有第2搬送區域，該第2搬送區域，係具備有：搬出站，載置有前述第2基板；及第2搬送裝置，對前述搬出站搬送前述第2基板。
根據本發明，可效率良好且適切地進行被處理基板與支撐基板的剝離處理。
1‧‧‧剝離系統
10‧‧‧第1處理區塊
11‧‧‧搬入搬出站
13‧‧‧第1搬送區域
14‧‧‧剝離站
20‧‧‧第2處理區塊
23‧‧‧第2搬送區域
25‧‧‧搬出站
30‧‧‧控制裝置
131‧‧‧第1搬送裝置
141、142‧‧‧剝離裝置
241‧‧‧第2搬送裝置
310‧‧‧第1保持部
330‧‧‧旋轉機構
350‧‧‧第2保持部
360‧‧‧第1吸附移動部
370‧‧‧第2吸附移動部
380‧‧‧第3吸附移動部
400‧‧‧位置調節部
430‧‧‧剝離誘引部
431‧‧‧銳利構件
432‧‧‧荷重元
433‧‧‧移動機構
F‧‧‧切割框
G‧‧‧黏著劑
P‧‧‧切割帶
S‧‧‧支撐基板
T‧‧‧重合基板
W‧‧‧被處理基板
〔圖1〕表示本實施形態之剝離系統之構成的示意平面圖。
〔圖2〕被保持於切割框之重合基板的示意側視圖。
〔圖3〕被保持於切割框之重合基板的示意平面圖。
〔圖4〕表示藉由剝離系統所執行之剝離處理之處理步驟的流程圖。
〔圖5〕表示剝離裝置之構成之概略的縱剖面圖。
〔圖6〕放大剝離裝置之構成之一部分的說明圖。
〔圖7〕剝離誘引處理之動作說明圖。
〔圖8〕剝離誘引處理之動作說明圖。
〔圖9〕剝離誘引處理之動作說明圖。
〔圖10〕剝離誘引處理之動作說明圖。
〔圖11〕剝離誘引處理之動作說明圖。
〔圖12〕表示剝離裝置之剝離處理之主要工程的流程圖。
〔圖13〕由剝離裝置進行之剝離動作的說明圖。
〔圖14〕由剝離裝置進行之剝離動作的說明圖。
〔圖15〕由剝離裝置進行之剝離動作的說明圖。
〔圖16〕由剝離裝置進行之剝離動作的說明圖。
〔圖17〕由剝離裝置進行之剝離動作的說明圖。
〔圖18〕由剝離裝置進行之剝離動作的說明圖。
〔圖19〕由剝離裝置進行之剝離動作的說明圖。
〔圖20〕由剝離裝置進行之剝離動作的說明圖。
〔圖21〕由剝離裝置進行之剝離動作的說明圖。
〔圖22〕表示第1吸附移動部之吸附盤所受之力的曲線圖。
〔圖23〕表示支撐基板、第1~第3吸附移動部之吸附盤及剝離結束檢測部之位置關係的示意平面圖。
〔圖24〕表示SOI基板之製造工程的示意圖。
〔圖25〕表示SOI基板之製造工程的示意圖。
以下，參閱添加圖面來說明本發明之實施形態。另外，該發明並不受下述所示的實施形態限定。
<1. 剝離系統>
首先，參閱圖1~圖3，說明本實施形態之剝離系統的構成。圖1，係表示本實施形態之剝離系統之構成的示意平面圖。又，圖2，係被保持於切割框之重合基板的示意側視圖；圖3，係同重合基板的示意平面圖。
另外，在下述中，為了明確位置關係，進而規定彼此正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z 軸正方向設為垂直向上方向。
圖1所示之本實施形態的剝離系統1，係將重合基板T(參閱圖2)剝離為被處理基板W與支撐基板S，該重合基板T，係以黏著劑G接合作為第1基板的被處理基板W與作為第2基板的支撐基板S。
在下述中，如圖2所示，將被處理基板W之板面中經由黏著劑G，與支撐基板S接合之側邊的板面稱作「接合面Wj」，將與接合面Wj相反的一側之板面稱作「非接合面Wn」。又，將支撐基板S之板面中經由黏著劑G，與被處理基板W接合之側邊的板面稱作「接合面Sj」，將與接合面Sj相反的一側之板面稱作「非接合面Sn」。
被處理基板W，係例如在矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板上形成複數個電子回路的基板，且將形成有電子回路之側邊的板面設為接合面Wj。又，被處理基板W，係藉由例如研磨處理非接合面Wn來予以薄化。具體而言，被處理基板W的厚度約為20~50μm。
另一方面，支撐基板S，係與被處理基板W略同徑的基板，並支撐被處理基板W。支撐基板S之厚度約為650~750μm。作為該支撐基板S，係除了矽晶圓外，亦可使用玻璃基板等。又，接合該些被處理基板W及支撐基板S之黏著劑G的厚度約為40~150μm。
又，如圖3所示，重合基板T，係被固定於切割框F。切割框F，係在中央具有徑長比重合基板T還大 的開口部Fa之略環狀構件，且由不鏽鋼等的金屬所形成。切割框F之厚度，係例如為1mm左右。
重合基板T，係經由切割帶P被固定於該切割框F。具體而言，係在切割框F的開口部Fa配置重合基板T，以從背面堵塞開口部Fa的方式，將切割帶P黏貼至被處理基板W的非接合面Wn及切割框F的背面。藉此，重合基板T，係成為被固定(保持)於切割框F的狀態。
如圖1所示，剝離系統1，係具備有第1處理區塊10及第2處理區塊20之2個處理區塊。第1處理區塊10與第2處理區塊20，係依第2處理區塊20及第1處理區塊10的順序，被配置為鄰接於X軸方向。
在第1處理區塊10中，係進行重合基板T之搬入、重合基板T之剝離處理、剝離後之被處理基板W之洗淨及搬出等。亦即，第1處理區塊10，係對藉由切割框F所保持之基板(重合基板T與被處理基板W)進行處理的區塊。該第1處理區塊10，係具備有搬入搬出站11、待機站12、第1搬送區域13、剝離站14、第1洗淨站15及切割邊緣站16。
搬入搬出站11、待機站12、剝離站14、第1洗淨站15及切割邊緣站16，係被配置為鄰接於第1搬送區域13。具體而言，搬入搬出站11與待機站12，係配置為排列於第1搬送區域13的Y軸負方向側，剝離站14之一剝離裝置141與第1洗淨站15的2個第1洗淨裝置 151、152，係配置為排列於第1搬送區域13的Y軸正方向側。又，剝離站14之其他剝離裝置142，係被配置於第1搬送區域13的X軸負方向側，切割邊緣站16，係被配置於第1搬送區域13的X軸正方向側。
在搬入搬出站11，係設置有複數個匣盒載置台111，各匣盒載置台111，係載置有匣盒Ct(該匣盒Ct，係收容有重合基板T)或匣盒Cw(該匣盒Cw，係收容有剝離後之被處理基板W)。而且，在搬入搬出站11中，係在與外部之間搬入搬出該些匣盒Ct與匣盒Cw。
在待機站12中，係配置有例如進行讀取切割框F之ID(Identification)的ID讀取裝置，可藉由該ID讀取裝置來識別處理中的重合基板T。另外，在待機站12中，係除了上述的ID讀取處理，亦因應所需進行使待處理的重合基板T暫時待機之待機處理。在該待機站12，係設置有載置台，該載置台，係載置有藉由後述之第1搬送裝置131所搬送之重合基板T，在該載置台上載置有ID讀取裝置與暫時待機部。
在第1搬送區域13，係配置有進行重合基板T或剝離後之被處理基板W之搬送的第1搬送裝置131。第1搬送裝置131，係具備有：搬送臂部，可朝水平方向移動、朝垂直方向升降及以垂直方向為中心旋轉；及基板保持部，被安裝於該搬送臂部的前端。在第1搬送區域13中，係藉由該第1搬送裝置131，進行下述者之處理：將重合基板T搬送至待機站12、剝離站14及切割邊緣站 16的處理，或將剝離後之被處理基板W搬送至第1洗淨站15及搬入搬出站11的處理。
在剝離站14，係配置有2個剝離裝置141、142。在剝離站14中進行剝離處理，該剝離裝置，係藉由該剝離裝置141、142來將重合基板T剝離為被處理基板W與支撐基板S。具體而言，在剝離裝置141、142中，係在將被處理基板W配置於下側且將支撐基板S配置於上側的狀態下，將重合基板T剝離為被處理基板W與支撐基板S。另外，配置於剝離站14之剝離裝置的個數並不限定於本實施形態，可任意進行設定。又，本實施形態之剝離裝置141、142，雖係配置為排列於水平方向，但亦可將該些配置為層疊於垂直方向。
在第1洗淨站15，係配置有2個第1洗淨裝置151、152。在第1洗淨站15中進行洗淨處理，該洗淨處理，係藉由該第1洗淨裝置151、152，在被保持於切割框F的狀態下，洗淨剝離後之被處理基板W。作為第1洗淨裝置151、152，係可使用記載於例如日本特開2013-016579號公報的洗淨裝置。另外，配置於第1洗淨站15之洗淨裝置的個數並不限定於本實施形態，可任意進行設定。又，本實施形態之第1洗淨裝置151、152，雖係配置為排列於水平方向，但亦可將該些配置為層疊於垂直方向。
在切割邊緣站16，係配置有切割邊緣裝置。切割邊緣裝置，係進行切割邊緣處理，該切割邊緣處理， 係藉由溶劑來使重合基板T之黏著劑G的周緣部溶解而加以去除。以藉由該切割邊緣處理來去除黏著劑G之周緣部的方式，可在後述的剝離處理中，輕易地使被處理基板W與支撐基板S剝離。另外，切割邊緣裝置，係藉由例如使重合基板T浸漬於黏著劑G之溶劑的方式，藉由溶劑使黏著劑G的周緣部溶解。
又，在第2處理區塊20中，係進行剝離後之支撐基板S的洗淨及搬出等。亦即，第2處理區塊20，係對不藉由切割框F予以保持之基板(支撐基板S)進行處理的區塊。該第2處理區塊20，係具備有第1收授站21、第2收授站22、第2洗淨站23、第2搬送區域24及搬出站25。
第1收授站21，係被配置於剝離站14之剝離裝置141的X方向負方向側，且剝離裝置142的Y方向正方向側。又，第2收授站22、第2洗淨站23及搬出站25，係被配置為鄰接於第2搬送區域24。具體而言，第2收授站22及第2洗淨站23，係配置為排列於第2搬送區域24的Y軸正方向側，搬出站25，係配置為排列於第2搬送區域24的Y軸負方向側。
在第1收授站21中進行收授處理，該收授處理，係從剝離站14的剝離裝置141、142接收剝離後之支撐基板S，而傳送到第2收授站22。在第1收授站21，係配置有收授裝置211。收授裝置211，係構成為例如具有伯努利卡盤等的非接觸保持部，該非接觸保持部，係繞 水平軸旋轉自如。具體而言，作為收授裝置211，係可使用記載於例如日本特開2013-016579號公報的搬送裝置。而且，收授裝置211，係一邊使剝離後之支撐基板S的表背面反轉，一邊以非接觸的方式將支撐基板S從剝離裝置141、142搬送至第2處理區塊20。
在第2收授站22，係配置有：載置部221，載置支撐基板S；及移動部222，使載置部221往Y方向移動。載置部221，係具備有例如3個支撐銷，從而支撐並加以載置支撐基板S的非接合面Sn。移動部222，係具備有：延伸於Y方向的軌道，與使載置部221往Y方向移動的驅動部。在第2收授站22中，係在支撐基板S從第1收授站21的收授裝置211被載置至載置部221之後，藉由移動部222，使載置部221往第2搬送區域24側移動。而且，支撐基板S，係從載置部221被收授至第2搬送區域24的第2搬送裝置241。另外，在本實施形態中，載置部221，雖係僅往Y方向移動，但除此之外，亦可構成為亦往X方向移動。
另外，由於上述之第1收授站21的收授裝置211，係以伯努利卡盤等的非接觸保持部來保持支撐基板S，故搬送可靠性不高。因此，當欲直接將支撐基板S從收授裝置211收授至後述之第2搬送區域24的第2搬送裝置241時，則有掉落該支撐基板S的可能性。在此，在本實施形態中，係在第1收授站21與第2搬送區域24之間，設置第2收授站22，且以該第2收授站22來暫時載 置支撐基板S。
在第2洗淨站23，係配置有洗淨剝離後之支撐基板S的第2洗淨裝置。作為第2洗淨裝置，係可使用例如記載於日本特開2013-016579號公報的洗淨裝置。
在第2搬送區域24中，係配置有進行剝離後之支撐基板S之搬送的第2搬送裝置241。第2搬送裝置241，係具備有：搬送臂部，可朝水平方向移動、朝垂直方向升降及以垂直方向為中心旋轉；及基板保持部，被安裝於該搬送臂部的前端。在第2搬送區域24中，係藉由該第2搬送裝置241，進行將剝離後之支撐基板S搬送至搬出站25的處理。
在搬出站25，係設置有複數個匣盒載置台251，在各匣盒載置台251，係載置有匣盒Cs(該匣盒Cs，係收容有剝離後之支撐基板S)。而且，在搬入搬出站11中，係在與外部之間搬出該匣盒Cs。
又，剝離系統1，係具備有控制裝置30。控制裝置30，係控制剝離系統1之動作的裝置。該控制裝置30，係例如為電腦，具備有未圖示的控制部與記憶部。在記憶部中，係儲存有控制剝離處理等之各種處理的程式。控制部，係藉由讀出並執行記憶於記憶部的程式，來控制剝離系統1之動作。
另外，該程式，係記錄於可藉由電腦讀取之記憶媒體者，亦可為由其記憶媒體安裝於控制裝置30之記憶部者。作為可藉由電腦讀取之記憶媒體，係例如有硬 碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
接下來，說明使用如上述所構成之剝離系統1而進行之被處理基板W與支撐基板S的剝離處理方法。圖4，係表示該剝離處理之主要工程之例子的流程圖。另外，剝離系統1，係根據控制裝置30之控制，來執行圖4所示之各處理步驟。
首先，收容有複數片重合基板T的匣盒Ct與空的匣盒Cw，係被載置於搬入搬出站11之預定的匣盒載置台111，並且，空的匣盒Cs，係被載置於搬出站25之預定的匣盒載置台251。而且，在剝離系統1中，第1處理區塊10之第1搬送裝置131，係從載置於搬入搬出站11的匣盒Ct取出重合基板T。此時，重合基板T，係在被處理基板W位於下面而支撐基板S位於上面的狀態下，從上方被保持於第1搬送裝置131之基板保持部。而且，第1搬送裝置131，係進行基板搬入處理，該基板搬入處理，係將自匣盒Ct取出的重合基板T搬入至待機站12(圖4之步驟A101)。
接下來，在待機站12中，ID讀取裝置，係進行讀取切割框F之ID的ID讀取處理(圖4之步驟A102)。藉由ID讀取裝置所讀取之ID，係被發送至控制裝置30。然後，重合基板T，係藉由第1搬送裝置131，從待機站12被取出，而搬入至切割邊緣站16。
在切割邊緣站16中，切割邊緣裝置，係對重 合基板T進行切割邊緣處理(圖4之步驟A103)。藉由該切割邊緣處理來去除黏著劑G的周緣部，藉此，在後段的剝離處理中，被處理基板W與支撐基板S會變得容易剝離。因此，可縮短剝離處理所需的時間。
如此一來，在本實施形態之該剝離系統1中，由於切割邊緣站16是組裝於第1處理區塊10，故可使用第1搬送裝置131將被搬入至第1處理區塊10的重合基板T直接搬入至切割邊緣站16。因此，可提升一連串之剝離處理的處理量。又，可輕易地管理從切割邊緣處理至剝離處理為止的時間，且可使剝離性能穩定化。
另外，在例如因裝置間的處理時間差等而產生待處理之重合基板T的情況下，可使用設置於待機站12之暫時待機部來使重合基板T暫時待機，且可縮短一連串之工程間的損失時間。
接下來，切割邊緣處理後的重合基板T，係藉由第1搬送裝置131，從切割邊緣站16被取出，而搬入至剝離站14的剝離裝置141。在剝離站14中，剝離裝置141，係對重合基板T進行剝離處理(圖4之步驟A104)。藉由該剝離處理，重合基板T被分離為被處理基板W與支撐基板S。
然後，在剝離系統1中，關於剝離後之被處理基板W的處理係在第1處理區塊10進行，關於剝離後之支撐基板S的處理係在第2處理區塊20進行。另外，剝離後之被處理基板W係藉由切割框F來予以保持。
在第1處理區塊10中，剝離後之被處理基板W，係藉由第1搬送裝置131，從剝離站14的剝離裝置141被取出，而搬入至第1洗淨站15的第1洗淨裝置151。在第1洗淨站15中，第1洗淨裝置151，係對剝離後之被處理基板W進行洗淨處理(圖4之步驟A105)。藉由該洗淨處理，去除殘留於被處理基板W之接合面Wj的黏著劑G。
洗淨處理後的被處理基板W，係藉由第1搬送裝置131，從第1洗淨站15之第1洗淨裝置151被取出，而收容至被載置於搬入搬出站11的匣盒Cw。然後，收容有複數個被處理基板W的匣盒Cw，係從搬入搬出站11被搬出而加以回收(圖4之步驟A106)。如此一來，關於被處理基板W的處理結束。
另一方面，在第2處理區塊20中，係與步驟A105及步驟A106的處理並行地對剝離後之支撐基板S進行處理(後述之步驟A107~步驟A109)。
在第2處理區塊20中，首先，第1收授站21之收授裝置211，係進行剝離後之支撐基板S的收授處理。具體而言，收授裝置211，係從剝離站14的剝離裝置141取出剝離後之支撐基板S，並搬入至第2收授站22(圖4之步驟A107)。
在此，剝離後之支撐基板S，係成為藉由剝離裝置141予以保持上面側亦即非接合面Sn側的狀態，收授裝置211，係由下方以非接觸的方式來保持支撐基板S 的接合面Sj側。然後，收授裝置211，係在使所保持的支撐基板S反轉後，載置於第2收授站22的載置部221。藉此，支撐基板S，係在使接合面Sj朝向上方的狀態下，被載置於載置部221。
在第2收授站22中，載置有支撐基板S之載置部221，係藉由移動部222，移動至第2搬送區域24側的預定位置。該預定位置，係指第2搬送裝置241之搬送臂部可接受載置部221上之支撐基板S的位置。
接下來，支撐基板S，係藉由第2搬送裝置241，從第2收授站22被取出，而搬入至第2洗淨站23。在第2洗淨站23中，第2洗淨裝置，係對剝離後之支撐基板S進行洗淨處理(圖4之步驟A108)。藉由該洗淨處理，去除殘留於支撐基板S之接合面Sj的黏著劑G。
洗淨處理後的支撐基板S，係藉由第2搬送裝置241從第2洗淨站23被取出，而收容至被載置於搬出站25的匣盒Cs。然後，收容有複數個支撐基板S的匣盒Cs，係從搬出站25被搬出而加以回收(圖4之步驟A109)。如此一來，關於支撐基板S的處理亦結束。
如上述，本實施形態之剝離系統1，係具備有：第1處理區塊10，對重合基板T及被處理基板W進行處理；及第2處理區塊20，對支撐基板S進行處理。因此，由於可並行地進行對重合基板T及被處理基板W之處理與對支撐基板S之處理，故可有效率地進行一連串 基板處理。更具體而言，本實施形態之剝離系統1，係具備有被保持於切割框F之基板(重合基板T及剝離後之被處理基板W)用的前端(搬入搬出站11及第1搬送區域13)與未被保持於切割框F之基板(剝離後之支撐基板S)用的前端(搬出站25及第2搬送區域24)。藉此，可並列地進行將被處理基板W搬送至搬入搬出站11的處理與將支撐基板S搬送至搬出站25的處理。因此，可減輕以往之基板的等待搬送，且可使剝離處理的處理量提升。
又，根據本實施形態，即使重合基板T與被處理基板W被保持於切割框F，由切割框F所保持之重合基板T及被處理基板W的搬送與未被保持於切割框F之支撐基板S的搬送，亦分別以個別的第1搬送裝置131與第2搬送裝置241來予以進行。因此，相較於如以往在1個搬送裝置中，搬送被保持於切割框之基板與未被保持於切割框之基板的情形，在本實施形態中，可使搬送重合基板T、被處理基板W、支撐基板S時之控制簡單化，而可效率良好地進行剝離處理。
而且，在本實施形態之剝離系統1中，係經由第1收授站21與第2收授站22，連接有剝離站14、第2洗淨站23及第2搬送區域24。藉此，由於不用經由第1搬送區域13，即可從剝離站14將剝離後之支撐基板S直接搬入至第2搬送區域24，故可順暢地進行剝離後之支撐基板S之搬送。
而且，第2收授站22，係具備有載置部221，載置支撐基板S；及移動部222，使載置部221往水平方向移動。藉此，由於在第1收授站21與第2搬送區域24之間收授支撐基板S之際，可移動載置有支撐基板S的載置部221，因此，不必使該第1收授站21之收授裝置211的非接觸保持部或第2搬送區域24之第2搬送裝置241的搬送臂部伸長。因此，可縮小第1收授站21與第2搬送區域24的專有面積，從而可縮小剝離系統1全體的專有面積。
另外，在以上的剝離系統1中，第1處理區塊10，係亦可具備有用於將切割框F安裝於重合基板T的安裝裝置。在該情況下，將未安裝有切割框F的重合基板T從匣盒Ct取出而搬入至安裝裝置，在安裝裝置中，將切割框F安裝於重合基板T之後，將固定於切割框F的重合基板T搬送至剝離站14。另外，安裝裝置，係配置於第1處理區塊10的任意位置即可。
又，設置於以上之剝離系統1之第1處理區塊10的第1洗淨站15與切割邊緣站16，係亦可被設置於剝離系統1的外部。而且，設置於第2處理區塊20的第2洗淨站23，係亦可被設置於剝離系統1的外部。
又，在以上的剝離系統1中，各處理站的處理裝置或搬送區域的配置，係可任意進行設計，且亦可配置為排列於水平方向，或亦可配置為層疊於垂直方向。
<2. 剝離裝置之構成>
接下來，參閱圖5說明設置於剝離站14之剝離裝置141、142的構成。圖5，係表示本實施形態之剝離裝置141之構成的示意側視圖。另外，由於剝離裝置142之構成，係與剝離裝置141之構成相同，故省略說明。
如圖5所示，剝離裝置141，係具有處理容器300。在處理容器300的側面，係形成有被處理基板W、支撐基板S、重合基板T之搬入搬出口(未圖示)，在該搬入搬出口，係設置有開關閘門(未圖示)。
在處理容器300的內部，係設置有作為保持部的第1保持部310、下側基部320、旋轉機構330、升降機構340、第2保持部350、上側基部390、位置調節部400、下壓部410、收授部420、剝離誘引部430、移動調節部440、測量部450及電離器460。
第1保持部310，係從下方保持重合基板T中之被處理基板W，第2保持部350，係從上方保持重合基板T中之支撐基板S。第1保持部310，係被設置於第2保持部350的下方，被處理基板W，係被配置於下側，支撐基板S，係被配置於上側。而且，第2保持部350，係使所保持的支撐基板S朝遠離被處理基板W之板面的方向移動。藉此，在剝離裝置141中，將重合基板T剝離為支撐基板S與被處理基板W。以下，具體地說明各構成要件。
在第1保持部310，係使用例如多孔性吸盤。 第1保持部310，係具備有圓盤狀的本體部311與支撐本體部311之支柱構件312。支柱構件312，係被支撐於後述的下側基部320。
本體部311，係例如由鋁等的金屬構件所構成。在該本體部311之表面，係設置有吸附面311a。吸附面311a，係與重合基板T略同徑，且與重合基板T之下面亦即被處理基板W的非接合面WN抵接。該吸附面311a，係由例如碳化矽等的多孔介質或多孔陶瓷所形成。
在本體部311之內部，係形成有經由吸附面311a與外部連通的吸引空間311b。在吸引空間311b，係連接有配管313。配管313，係經由閥314而分支成2支配管。在一支配管313，係連接有例如真空泵等的吸氣裝置315。在吸氣裝置315，係設置有感測器(未圖示)，該感測器，係測定其吸氣壓力，亦即在第1保持部310吸引被處理基板W時的吸引壓力。在其他配管313，係連接有用以在內部儲存氣體例如氮氣或大氣的氣體供給源316。
該第1保持部310，係利用藉由吸氣裝置315之吸氣所產生的負壓，使被處理基板W之非接合面WN經由切割帶P而吸附於吸附面311a。藉此，第1保持部310，係保持被處理基板W。又，第1保持部310，係亦可一邊從表面噴出氣體而使被處理基板W浮起，一邊保持被處理基板W。另外，在此，雖係表示第1保持部310為多孔性吸盤時的例子，但第1保持部310，係亦可為例 如靜電夾盤等。
下側基部320，係配置於第1保持部310之下方，而支撐該第1保持部310。下側基部320，係藉由固定於處理容器300之底面的旋轉機構330及升降機構340來予以支撐。
旋轉機構330，係使下側基部320繞垂直軸旋轉。藉此，支撐於下側基部320的第1保持部310進行旋轉。又，升降機構340，係使下側基部320往垂直方向移動。藉此，支撐於上側基部320的第1保持部310進行升降。
在第1保持部310的上方，係對向配置有第2保持部350。第2保持部350，係具備有複數個吸附移動部。具體而言，第2保持部350，係具備有第1吸附移動部360、第2吸附移動部370及第3吸附移動部380。第1~第3吸附移動部360、370、380，係被支撐於上側基部390。上側基部390，係經由支柱392，而支撐於被安裝在處理容器300之頂部的固定構件391。
第1吸附移動部360，係吸附保持支撐基板S之一端S1側的周緣部。又，第2吸附移動部370，係吸附保持比支撐基板S之周緣部更靠支撐基板S之中央部的區域。另外，第2吸附移動部370，係配置為在X方向排列複數個例如2個。第3吸附移動部380，係吸附保持支撐基板S之另一端S2側的周緣部。而且，第1~第3吸附移動部360、370、380，係使所吸附保持的區域各別獨立 地朝遠離被處理基板W之板面的方向移動。
第1吸附移動部360，係具備有吸附盤361、支柱構件362及移動機構363。又，第2吸附移動部370，係具備有吸附盤371、支柱構件372及移動機構373。相同地，第3吸附移動部380，亦具備有吸附盤381、支柱構件382及移動機構383。
吸附盤361、371、381，係由橡膠等的彈性構件所形成。在該吸附盤361、371、381，係形成吸氣口(未圖示)，在各個吸氣口，係經由吸氣管364、374、384而連接有真空泵等的吸氣裝置365、375、385。在各吸氣裝置365、375、385，係設置有感測器(未圖示)，該感測器，係測定其吸氣壓力亦即第1~第3吸附移動部360、370、380吸引支撐基板S時的吸引壓力。
支柱構件362、372、382，係在前端部支撐吸附盤361、371、381。支柱構件362、372、382之基端部，係藉由移動機構363、373、383予以支撐。移動機構363、373、383，係固定於上側基部390之上部，使支柱構件362、372、382往垂直方向移動。
第1~第3吸附移動部360、370、380，係利用藉由吸氣裝置365、375、385之吸氣所產生的負壓，吸附支撐基板S。藉此，第1~第3吸附移動部360、370、380，係保持支撐基板S。
又，第1~第3吸附移動部360、370、380，係在保持支撐基板S的狀態下，各別藉由移動機構363、 373、383，使支柱構件362、372、382及吸附盤361、371、381沿著垂直方向移動。藉此，使支撐基板S沿著垂直方向移動。
在第2保持部350中，首先，使移動機構363動作，接下來，使移動機構373動作，最後，使移動機構383動作。亦即，第2保持部350，係從一端S1側的周緣部先拉引支撐基板S，接下來，拉引中央部，最後拉引另一端S2側的周緣部。藉此，第2保持部350，係使支撐基板S從其一端S1朝向另一端S2，自被處理基板W慢慢且連續地剝離。
在第1保持部310的上方，係配置有位置調節部400。位置調節部400，係對於藉由第1搬送裝置131而搬送至剝離裝置141且被保持於第1保持部310的重合基板T，將其位置調節至預定位置(例如與吸附面311a一致的位置)，換言之進行中心校正。
位置調節部400，係位於與例如圖3所示之重合基板T之外周3處對應的位置，且以重合基板T的中央部為中心，分別設置為互相等間隔。另外，設置有位置調節部400的位置並不限定於上述3處，亦可設置於例如重合基板T外周之前後或左右的兩處、或是以重合基板T之中央部為中心而互相等間隔的4處以上。
位置調節部400，係如圖6所示，具備有：臂部401；及旋轉移動機構402，使該臂部401旋轉。臂部401，係長條狀的構件，基端部，係可旋轉地連接於旋轉 移動機構402。又，臂部401之長邊方向的長度，係設定為如下的值：例如藉由旋轉移動機構402而旋轉移動，直到前端部垂直向下時，該前端部抵接於重合基板T的側面，更詳細而言係抵接於支撐基板S的側面，亦即，該長度，係設定為在該旋轉移動中不干涉到切割框F的值。如上述，臂部401，係構成為可對重合基板T的側面進退自如。另外，在臂部401，係使用各種樹脂，例如使用聚甲醛(POM：Polyoxymethylene)或聚苯並咪唑(PBI)等。
旋轉移動機構402，係固定於例如上側基部390的下部，使臂部401以基端側為中心而旋轉移動。此時，如上述，旋轉移動中的臂部401不會干涉到切割框F。當各位置調節部400之臂部401各別藉由旋轉移動機構402而旋轉移動時，則臂部401之前端部會抵接於重合基板T的側面(支撐基板S的側面)。藉此，重合基板T之位置，係被調節至預定位置。如上述，藉由具備有位置調節部400，即使為重合基板T在從預定位置偏離的狀態下被保持於第1保持部310的情形，亦可使該重合基板T移動而修正至第1保持部310的正確位置，詳言之係與例如吸附面311a一致的位置。
如圖5所示，在第2保持部350之外方，係配置有下壓部410，該下壓部，係用以將切割框F下壓至垂直下方。下壓部410，係設置於切割框F之外周部的3處。該些下壓部410，係以切割框F之中央部為中心，而配置成互相等間隔。另外，在上述中，雖設成為將下壓部 410設置於3處，但此為例示，而非受限定者，例如，亦可為4處以上。
下壓部410，係如圖6所示，具備有滾珠軸承411與支撐構件412。滾球軸承411被支撐於支撐構件412之前端部，支撐構件412之基端部，係固定於上側基部390的下部。
滾珠軸承411，係抵接於切割框F之表面，並將該切割框F下壓至相對於重合基板T的垂直下方。又，藉由滾珠軸承411，切割框F，係在可旋轉自如的狀態下被予以下壓。藉此，在重合基板T的側面側，係形成有後述之剝離誘引部430可侵入的空間。藉此，可使剝離誘引部430之銳利構件(後述)容易靠近而抵接於重合基板T的側面，更詳言之係支撐基板S之靠黏著劑G的側面。
如圖5所示，在第2保持部350的外方，更詳言之係下壓部410的外方，係配置有將重合基板T收授至第1保持部310的收授部420。收授部420，係分別設置於與切割框F之左右兩處對應的位置。另外，在上述中，雖設成為將收授部420設置於2處，但此為例示，而非受限定者，例如，亦可為3處以上。
收授部420，係如圖6所示，具備有水平保持構件421、垂直支撐構件422及移動機構423。又，在收授部420之水平保持構件421，係設置有導引部424。
水平保持構件421，係延伸於水平方向，在該水平保持構件421上，係設置有導引部424。導引部 424，係對於水平保持構件421上所保持之重合基板T進行位置調節，以使其位在相對於第1保持部310的預定位置。亦即，導引部424，係在以位置調節部400進行重合基板T的位置調節以前，進行該重合基板T的位置調節。
垂直支撐構件422，係延伸於垂直方向，且支撐水平保持構件421。又，垂直支撐構件422的基端部，係藉由移動機構423予以支撐。移動機構423，係固定於上側基部390的上部，使垂直支撐構件422往垂直方向移動。
收授部420，係藉由移動機構423，使垂直支撐構件422、水平保持構件421及導引部424沿垂直方向移動。因此，從第1搬送裝置131接受到重合基板T的水平保持構件421，係往垂直方向移動，且將重合基板T收授至第1保持部310。
如圖5所示，在第2保持部350之外方，更詳言之係收授部420之外方，係配置有剝離誘引部430。剝離誘引部430，係在重合基板T之一端S1側的側面，形成構成為支撐基板S自被處理基板W進行剝離之開始的部位。
剝離誘引部430，係如圖6所示，具備有銳利構件431、荷重元432及移動機構433。銳利構件431，係例如為刀具，以前端朝向重合基板T突出的方式，被支撐於移動機構433。另外，銳利構件431，係亦可使用例如剃刀刀片或輥刀或超音波切刀等。荷重元432，係設置於 銳利構件431的端部，檢測銳利構件431所受的力(負載)。
移動機構433，係使銳利構件431沿著延伸於Y方向的軌道移動。剝離誘引部430，係藉由使用移動機構433來使銳利構件431移動的方式，使銳利構件431抵接於支撐基板S之靠黏著劑G的側面。藉此，剝離誘引部430，係在重合基板T之一端S1側的側面，形成構成為支撐基板S自被處理基板W進行剝離之開始的部位(以下記載為「剝離開始部位」)。
又，移動機構433，係藉由移動調節部440從上方予以支撐。移動調節部440，係被固定於例如上側基部390之下部，使移動機構433沿垂直方向移動。藉此，可調節銳利構件431的高度位置，亦即抵接於重合基板T之側面的抵接位置。
在此，參閱圖7~圖9，來具體說明使用剝離誘引部430所進行之剝離誘引處理的內容。圖7~圖9，係剝離誘引處理的動作說明圖。
另外，該剝離誘引處理，係在重合基板T中之被處理基板W被第1保持部310予以保持，切割框F被下壓部410予以下壓後，而且支撐基板S被第2保持部350予以保持以前進行。亦即，剝離誘引處理，係在支撐基板S呈活動式(free)的狀態下進行。又，剝離誘引部430，係依據控制裝置30之控制，進行圖7~圖9所示的剝離誘引處理。
在剝離誘引部430中，係在使用移動調節部440來調節銳利構件431的高度位置後，使用移動機構433，使銳利構件431朝向重合基板T的側面移動。
具體而言，係如圖7所示，重合基板T之一端S1側的側面中，使銳利構件431呈大致水平地朝向支撐基板S之靠黏著劑G的側面移動。
所謂的「支撐基板S之靠黏著劑G的側面」，係支撐基板S之側面中，較支撐基板S厚度之一半之位置h1更靠接合面SJ的側面。亦即，支撐基板S之側面，係形成為略圓弧狀，「支撐基板S之靠黏著劑G的側面」，係銳利構件431與接合面SJ所形成的角度設成為0度時與銳利構件431所形成的角度θ為0度以上未滿90度之側面。
首先，使銳利構件431前進至所事先決定的位置(預備前進)。然後，使銳利構件431更前進，從而使銳利構件431抵接於支撐基板S之靠黏著劑G的側面。
此時，使用荷重元432與移動機構433之任一者或兩者，檢測出銳利構件431已抵接於支撐基板S的情形。亦即，亦可使用荷重元432來測定銳利構件431所受的力，而檢測該力之變化，藉由此，檢測出銳利構件431已抵接於支撐基板S的情形。或者，亦可測定內建於移動機構433之馬達的轉矩，來檢測該轉矩之變化，藉由此，檢測出銳利構件431已抵接於支撐基板S的情形。而 且，亦可在檢測出藉由該些荷重元432所測定之力的變化，且檢測出移動機構433之馬達之轉矩的變化時，檢測銳利構件431已抵接於支撐基板S的情形。
在此，第1保持部310，係存在有因例如設置誤差等的各種原因，而配置為僅於水平方向偏離的情形。在該情況下，存在有下述情形：藉由剝離誘引部430而在重合基板T形成剝離開始部位之際，銳利構件431超過所事先設定的範圍而進入重合基板T的側面。如此一來，形成於被處理基板W之接合面Wj的電子回路，係有因為銳利構件431而受到損傷之虞。
該觀點，在本實施形態中，係如上述，即使為使用荷重元432與移動機構433之任一的情形下，亦可檢測出銳利構件431已抵接於支撐基板S。因此，可使銳利構件431僅以適當的距離進入重合基板T的側面，且可回避電子回路受到損傷。
而且，當銳利構件431抵接於支撐基板S之靠黏著劑G的側面時，由於支撐基板S之側面是形成為略圓弧狀，因此，在支撐基板S中，係施加有朝向上方的力。
接下來，如圖8所示，使銳利構件431更前進。藉此，支撐基板S，係沿著側面的彎曲而被推向上方。該結果，支撐基板S的一部分從黏著劑G剝離，而形成剝離開始部位M。
另外，由於支撐基板S，係未被第2保持部 350予以保持且呈活動式之狀態，因此，支持基板S朝上方之移動不受阻礙。在本處理中，使銳利構件431前進的距離a1，係例如為1mm左右。該距離a1，係因應於例如黏著劑G之種類或厚度等而設定，且事先記憶於控制裝置30。
又，在剝離裝置141中，係亦可構成為設置確認因上述之處理所致之支撐基板S之剝離狀態的確認裝置，具體而言確認形成有剝離開始部位M的確認裝置(未圖示)。具體而言，確認裝置，係例如為設置於支撐基板S之上方的IR(Infrared、紅外線)攝像機(未圖示)。
詳細而言，紅外線，係在支撐基板S中，其反射率在從被處理基板W剝離的部位與未剝離的部位產生變化。因此，首先，以IR攝像機對支撐基板S進行攝像，藉由此，可取得表示支撐基板S中之紅外線反射率之差異等的圖像資料。而且，圖像資料，係發送至控制裝置30，在控制裝置30中，係可根據該圖像資料，檢測在支撐基板S中自被處理基板W剝離的部位亦即剝離開始部位M。
在控制裝置30中檢測出剝離開始部位M時，移行至後述的下個處理。另一方面，在控制裝置30中，未檢測出剝離開始部位M時，例如使銳利構件431更前進，或者使銳利構件431暫時後退，遠離支撐基板S，然後，再次執行圖7、圖8所示之動作等，形成剝離開始部 位M。如此一來，設置確認支撐基板S之剝離狀態的確認裝置，因應剝離狀態使剝離裝置141動作，藉此可確實地形成剝離開始部位M。
形成剝離開始部位M後，接著，如圖9所示，剝離裝置141，係一邊使用升降機構340來使第1保持部310下降，一邊使銳利構件431更前進。藉此，對被處理基板W及黏著劑G施加朝下方的力，對藉由銳利構件431所支撐的支撐基板S施加朝上方的力。藉此，剝離開始部位M擴大。
另外，在本處理中，使銳利構件431前進的距離a2，係例如為1mm左右。該距離a2，係因應於例如黏著劑G之種類或厚度等而設定，且事先記憶於控制裝置30。又，銳利構件431抵接於支撐基板S後進行前進的距離(a1+a2)，係設定為至少銳利構件431之前端不會到達形成於被處理基板W之接合面Wj的電子回路，且該電子回路不受到損傷的範圍。
如此一來，剝離裝置141，係使銳利構件431抵接於支撐基板S之靠黏著劑G的側面，藉此可於重合基板T的側面，形成構成為支撐基板S自被處理基板W被剝離之開始的剝離開始部位M。
可藉由使銳利構件431抵接於支撐基板S之靠黏著劑G之側面的方式，對支撐基板S施加將支撐基板S自被處理基板W剝除之方向的力(亦即，朝上的力)。而且，由於舉起支撐基板S之靠近最外緣部的部 位，故可對支撐基板S有效率地施加將支撐基板S自被處理基板W剝除之方向的力。
另外，「支撐基板S之靠黏著劑G的側面」，較佳的是如圖7所示，支撐基板S之從接合面SJ至支撐基板S厚度之1/4之位置h2的側面，亦即，與銳利構件431所形成的角度θ為0度以上45度以下之側面較佳。因為與銳利構件431所形成的角度θ越小，能夠越增加舉起支撐基板S之力的緣故。
又，在支撐基板S與黏著劑G的黏著力比較弱時，係如圖7所示，可藉由僅使銳利構件431抵接於支撐基板S之靠黏著劑G的側面，而形成剝離開始部位M。在該情況下，可省略圖8及圖9所示的動作。
又，在支撐基板S與黏著劑G的黏著力比較強時，存在有下述情形：以使銳利構件431抵接於支撐基板S的方式，該支撐基板S與黏著劑G之黏著力比支撐基板S所受之朝上的力更增強。在該情形下，存在有下述情形：當使銳利構件431抵接於支撐基板S的側面時，則重合基板T本身從切割帶P剝離。因此，如圖10所示，亦可使銳利構件431抵接於黏著劑G，而形成剝離開始部位M。而且，如圖11所示，使銳利構件431前進，而在黏著劑G的側面形成剝離開始部位M。
在此，存在有為了在支撐基板S與黏著劑G之間，輕易進行該支撐基板S與黏著劑G之剝離，而設置有離模膜的情形，且存在有該離模膜突出於支撐基板S 與被處理基板W之間，而覆蓋黏著劑G之側方的情形。在該情況下，即使欲將支撐基板S從被處理基板W剝離，離模膜亦伴隨著支撐基板S之移動而被拉引，而且被處理基板W亦被拉引，因此，無法適當地剝離支撐基板S與被處理基板W。因此，如圖10及圖11所示，當使銳利構件431抵接於黏著劑G時，在該離模膜亦形成有剝離開始部位M。因此，可適當地使支撐基板S從被處理基板W剝離。
又，剝離裝置141，係亦可例如自圖9或圖11所示的狀態，進一步使旋轉機構330旋轉，使第1保持部310繞垂直軸例如360度旋轉。此時，由於下壓部410具有滾珠軸承411，因此，可在切割框F被下壓部410下壓的狀態下，使第1保持部310旋轉。藉此，在支撐基板S之接合面SJ的全周或黏著劑G的全周形成有剝離開始部位M，而可輕易將支撐基板S從被處理基板W剝離。
又，經發明者們調查，已知存在有下述情形：於剝離後，在被處理基板W的外周部發生龜裂。作為該龜裂之一原因，被認為是：在剝離重合基板T之際，無法在其外周部適當地進行剝離。特別是如上述，在支撐基板S與黏著劑G之間設置有離模膜時，離模膜與被處理基板W，係伴隨著支撐基板S之移動被拉引，而易在被處理基板W的外周部發生龜裂。該觀點，在本實施形態中，由於可使第1保持部310旋轉，而在支撐基板S或黏 著劑G的全周形成剝離開始部位M，因此，被處理基板W不會伴隨著支撐基板S之移動被拉引，而可抑制於剝離後，在被處理基板W之外周部產生的龜裂。而且，即使為設置有上述離模膜的情況下，亦由於離模膜與被處理基板W不會伴隨著支撐基板S之移動被拉引，因此，可特別有效果地抑制被處理基板W之外周部的龜裂。
接下來，說明測量銳利構件431之高度位置的測量部450。測量部450，係例如為雷射位移計，如圖6所示，設置於上側基部390。該測量部450，係測量從預定之測定基準位置至第1保持部310之保持面的距離或至介於測定基準位置與第1保持部310的保持面之間之物體的距離。
基於測量部450之測量結果，係被發送至控制裝置30。控制裝置30，係將關於藉由外部裝置所事先取得之重合基板T之厚度的資訊(以下，記載為「事前厚度資訊」)記憶於未圖示的記憶部。在該事前厚度資訊，係包含有：重合基板T之厚度、被處理基板W之厚度、支撐基板S之厚度、黏著劑G之厚度及切割帶P之厚度。
控制裝置30，係根據從測量部450所取得之測量結果與記憶於記憶部的事前厚度資訊，以使銳利構件431抵接於支撐基板S之靠黏著劑G的側面之方式，來決定銳利構件431的高度位置。而且，控制裝置30，係以使銳利構件431之前端位於所決定的高度位置之方式，控 制移動調節部440而使剝離誘引部430移動。
在此，具體說明剝離誘引部430之位置調節處理的內容。首先，剝離裝置141，係使用測量部450，測量直至第1保持部310之保持面的距離D1。此時，剝離裝置141，係重合基板T為尚未搬入之狀態。
另外，如圖6所示之重合基板T之厚度D3、被處理基板W之厚度D3w、黏著劑G之厚度D3g、支撐基板S之厚度D3s及切割帶P之厚度D3p，係作為事前厚度資訊而被記憶於控制裝置30之記憶部的資訊。
接著，剝離裝置141，係在使用第1保持部310來吸附保持重合基板T之後，測定直至藉由第1保持部310所吸附保持之重合基板T的上面，亦即支撐基板S之非接合面Sn的距離D2。該測量結果，係被發送至控制裝置30。控制裝置30，係判定由測量部450之測量結果所計算出之重合基板T之厚度(D1-D2)與包含於事前厚度資訊之重合基板T之厚度(D3)的差是否落在預定範圍內。
在此，在由測量部450之測量結果所計算出之重合基板T之厚度(D1-D2)與事前厚度資訊所表示之厚度(D3)的誤差超過預定範圍時，係例如會有本來應被搬入之重合基板T卻錯誤搬入不同之重合基板T的可能性。在像這樣的情況下，係無法使銳利構件431適當地抵接於支撐基板S之靠黏著劑G的側面，根據情況之不同，有銳利構件431接觸於被處理基板W而造成被處理 基板W損傷之虞。
因此，在使用測量部450之測量結果所計算出之重合基板T之厚度與包含於事前厚度資訊之重合基板T之厚度的誤差超過預定範圍時，剝離裝置141，係中止接下來的處理。
另一方面，在與事前厚度資訊的誤差落在預定範圍內時，控制裝置30，係根據事前厚度資訊，來計算支撐基板S之靠黏著劑G之側面的範圍，亦即從支撐基板S厚度之一半之位置至接合面Sj的高度範圍。具體而言，支撐基板S之靠黏著劑G之側面的範圍，係成為D2+D3s/2~D2+D3s。而且，控制裝置30，係在該高度範圍內決定銳利構件431的高度位置。
當藉由控制裝置30來決定剝離誘引部430之切入位置時，剝離裝置141，係根據控制裝置30之控制，使用移動調節部440使剝離誘引部430移動，藉由此，來調節銳利構件431的高度位置。
如此一來，剝離裝置141，係具備有測量部450與移動調節部440。測量部450，係測量從預定之測定基準位置至第1保持部310之保持面的距離或至介於測定基準位置與第1保持部310的保持面之間之物體的距離。移動調節部440，係根據測量部450之測量結果與關於事先所取得之重合基板T之厚度的資訊，來調整銳利構件431之往支撐基板S的抵接位置。藉此，可使銳利構件431對支撐基板S之靠黏著劑G的側面精度良好地抵接。
電離器460，係如圖5所示，安裝於處理容器300的頂部。電離器460，係對剝離重合基板T時所發生的靜電進行除電。藉此，可適當地進行重合基板T之剝離處理。又，亦可抑制被處理基板W上之電子回路受到損傷的情形。
<3. 剝離裝置之動作>
接下來，說明使用剝離裝置141所進行之被處理基板W與支撐基板S的剝離處理方法。圖12，係表示該剝離處理之主要工程之例子的流程圖。又，圖13~圖21，係剝離處理的說明圖。另外，剝離裝置141，係根據控制裝置30之控制，來執行圖12所示的各處理步驟。
首先，藉由第1搬送裝置131搬入至剝離裝置141的重合基板T，係如圖13所示，被收授至事先待機的收授部420(圖12的步驟A201)。被收授至收授部420的重合基板T，係藉由導引部424進行位置調節，以使其位在相對於第1保持部310的預定位置。另外，此時，第1保持部310，係位於收授部420的下方。而且，在第1保持部310中，為了將吸附面311a之複數個孔堵塞的情形加以抑制，已從氣體供給源316供給至吸附面311a的氣體正進行噴出。
然後，如圖14所示，使第1保持部310上升，將重合基板T從收授部420收授至第1保持部310(圖12之步驟A202)。此時，從第1保持部310之吸附 面311a有氣體正進行噴出，重合基板T，係在從第1保持部310浮起的狀態下，被保持於第1保持部310。另外，重合基板T與吸附面311a的間隙微小，重合基板T被適當地被保持於第1保持部310。
然後，如圖15所示，使第1保持部310進一步上升，藉由位置調節部400將保持於第1保持部310之重合基板T的位置調節至預定位置(圖12之步驟A203)。具體而言，藉由旋轉移動機構402，使臂部401旋轉移動。此時，臂部401之長邊方向的長度已適當設定，旋轉移動中之臂部401不會干涉切割框F。當位置調節部400之臂部401分別藉由旋轉移動機構402加以旋轉移動時，臂部401之前端部會抵接於支撐基板S的側面。藉此，重合基板T的位置被調節至預定位置。而且，由於臂部401抵接於支撐基板S的側面，故作為產品的被處理基板W不會受到損傷。
另外，在步驟A103中，係接續於步驟A102，從第1保持部310之吸附面311a有氣體正進行噴出，重合基板T從第1保持部310浮起。在該情形下，重合基板T變得容易移動，可藉由位置調節部400而順暢地進行重合基板T之位置調節。
然後，於第1保持部310將閥314加以切換，停止從氣體供給源316進行氣體供給，而開始藉由吸氣裝置315進行111a之吸引。而且，如圖16所示，藉由第1保持部310，經由切割膠帶P吸附保持被處理基板W (圖12之步驟A204)。
然後，如圖16所示，使第1保持部310進一步上升，將保持於該第1保持部310之重合基板T配置於進行剝離處理的預定位置(圖12之步驟A205)。此時，藉由下壓部410將切割框F下壓至相對於重合基板T的垂直方向下方。藉此，在重合基板T之側面側，係形成有剝離誘引部430可侵入的空間。
在進行步驟A201~A205的期間，調節銳利構件431之高度(圖12之步驟A206)。具體而言，在以測量部450來測定銳利構件431的高度位置之後，藉由移動調節部440，剝離誘引部430被移動至預定的高度位置。
然後，使剝離誘引部430之銳利構件431往重合基板T側移動，並使其抵接於支撐基板S。此時，如參閱圖7所說明，使用荷重元432與移動機構433之任一者或兩者，檢測到銳利構件431已抵接於支撐基板S的情形。(圖12之步驟A207)。
然後，如圖17所示，一邊使銳利構件431進一步前進，一邊進行已參照圖7~圖9所說明的剝離誘引處理(圖12之步驟A208)。藉此，在重合基板T之一端S1側的側面，形成剝離開始部位M。
然後，如圖18所示，使第1~第3吸附移動部360、370、380之吸附盤361、371、381下降，而使其抵接於支撐基板S。而且，以該些第1~第3吸附移動部360、370、380來吸附保持支撐基板S之非接合面SN(圖 12之步驟A209)。
接下來，如圖19所示，使第1吸附移動部360之吸附盤361上升(圖12之步驟A210)。亦即，拉引與剝離開始部位M對應之支撐基板S之一端S1側的周緣部。藉此，支撐基板S，係以從其周緣部朝向中心部的方式，開始從被處理基板W連續地進行剝離。
在此，經發明者們調查，已知於剝離後，在被處理基板W之外周部發生龜裂的情形。因此，為了探查該龜裂之要因，而調查吸附盤361所受的力。圖22之橫軸，係表示從吸附盤361之固定構件391起的垂直方向距離，縱軸，係表示吸附盤361所受的力。又，在圖22中，實線，係以往之情形，表示將吸附盤361之移動速度設成為一定而進行剝離的情形，虛線，係本實施形態之情形，如後述，表示將吸附盤361所受的力設成為一定而進行剝離的情形。
參閱圖22，已知在吸附盤361落在22mm~20mm的範圍中，支撐基板S，係不會從被處理基板W被剝離，小於20mm是在垂直上方開始進行剝離。而且，已知開始進行剝離後，隨著吸附盤361往垂直上方移動，該吸附盤361所受的力會微幅變動(圖22中之實線)。在上述之剝離後之被處理基板W之外周部發生的龜裂，係受到該力之改變的影響。
因此，在步驟A210中，係控制第1吸附移動部360之移動機構363，將吸附盤361所受的力維持為一 定(圖22中之虛線)。如此一來，可將以第1吸附移動部360來拉引支撐基板S時的力設成為一定，且可使支撐基板S從被處理基板W適當地剝離。因此，可抑制於剝離後，產生於處理基板W之外周部的龜裂。
又，通常，隨著剝離進展，吸附盤316所受的負載會變小，亦即支撐基板S變得容易剝離。因此，如上述，當將吸附盤361所受的力維持為一定時，隨著吸附盤361進行移動，該吸附盤361的移動速度會變大。因此，可使支撐基板S從被處理基板W進行剝離的剝離速度提升。
然後，如圖20所示，使第2吸附移動部370之吸附盤371上升(圖12之步驟A211)。亦即，一邊拉引支撐基板S之一端S1側的周緣部，一邊進一步拉引支撐基板S的中央部附近。另外，即使在步驟A211，亦可控制第2吸附移動部370之移動機構373，將吸附盤371所受的力維持為一定。在該情況下，可使剝離處理更穩定，並且可使剝離速度更提升。
然後，如圖21所示，使第3吸附移動部380之吸附盤381上升(圖12之步驟A212)。亦即，剝離裝置141，係一邊拉引支撐基板S之一端S1側的周緣部及支撐基板S的中央部附近，一邊進一步拉引支撐基板S之另一端S2側的周緣部。藉此，支撐基板S，係從被處理基板W剝離(圖12之步驟A213)。另外，即使在步驟A212，亦可控制第3吸附移動部380之移動機構383，將 吸附盤381所受的力維持為一定。在該情況下，可使剝離處理更穩定，並且可使剝離速度更提升。
然後，僅使第2、第3吸附移動部370、380上升，或者僅使第1、第2吸附移動部360、370下降等而使支撐基板S成為水平，令銳利構件431後退。如此一來，剝離裝置141中之一連串被處理基板W與支撐基板S的剝離處理結束。
根據本實施形態，於步驟A208，藉由剝離誘引部430在重合基板T的側面形成剝離開始部位M之後，於步驟A209~A213，藉由第1~第3吸附移動部360、370、380，以剝離開始部位M為起點，從一端S1側朝向另一端S2側，將支撐基板S從被處理基板W慢慢地剝離。在該情況下，於剝離開始時點，在使對應於剝離開始部位M之位置的支撐基板S往遠離被處理基板W的方向移動時，可減小第1吸附移動部360所受的負載。而且，由於第1~第3吸附移動部360、370、380，係可從其一端S1側的周緣部捲起支撐基板S並加以拉引，因此，可使被處理基板W與支撐基板S效率良好地剝離。
而且，在該些步驟A208~A213之前，進行步驟A201~205，重合基板T被配置於預定的高度位置，並且，進行步驟A206，銳利構件431被配置於預定的高度位置，進一步在步驟A207，檢測到銳利構件431已抵接於支撐基板S之側面的情形。因此，在步驟A208，可藉由銳利構件431適當地形成剝離開始部位M，在步驟 A209~A213，可使被處理基板W與支撐基板S適當地剝離。
<4. 其他實施形態>
在以上之實施形態的剝離裝置141，亦可設置剝離結束檢測部，該剝離結束檢測部，係檢測支撐基板S與被處理基板W之接合面Sj完全從被處理基板W剝除，而剝離結束的情形。
圖23，係表示支撐基板S、第1吸附移動部360之吸附盤361、第2吸附移動部370之吸附盤371、第3吸附移動部380之吸附盤381及剝離結束檢測部500之位置關係的示意平面圖。
剝離結束檢測部500，係例如為光電感測器。剝離結束檢測部500，係具備有投光部(剝離結束檢測用投光部)500a，該投光部，係具體而言，配置於支撐基板S之一端S1附近，沿與從一端S1朝另一端S2之方向平行的方向，對被處理基板W與支撐基板S之接合部分(例如黏著劑G)投光。又，剝離結束檢測部500，係具備有受光部(剝離結束檢測用受光部)500b，該受光部，係配置於夾隔著重合基板T而與投光部500a相反之一側，亦即另一端S2附近，從投光部500a受光。另外，圖23中，以虛線表示上述之光。
詳細而言，當支撐基板S與被處理基板W之接合面Sj完全從被處理基板W剝除，而剝離結束後，在 支撐基板S與被處理基板W之間形成間隙。受光部500b，係配置於在形成該間隙時，從投光部500a受光的位置。而且，受光部500b受光時，對控制裝置30發送顯示受光的信號。
藉此，控制裝置30，係可根據剝離結束檢測部500之檢測結果，來判定支撐基板S之剝離是否結束。亦即，控制裝置30，係在未由受光部500b受光時判定支撐基板S之剝離未結束，另一方面，受光時判定支撐基板S之剝離已結束。另外，投光部500a及受光部500b之配置，係並非限定於圖示之例者，例如亦可將投光部500a配置於另一端S2附近，受光部500b配置於一端S1附近。
如上述所構成，故在剝離裝置141中，可輕易地且以簡易構成來判定因剝離處理而支撐基板S之剝離已結束。另外，剝離結束檢測部500之構成，並不限定於上述者。
亦即，如圖23中一點鏈線所示，亦可例如配置投光部500a及受光部500b，以使與X軸方向平行之光通過支撐基板S中最後從被處理基板W剝離之另一端S2與被處理基板W的接合部分。即使為像這樣所構成的情況下，控制裝置30，係在由受光部500b受光時，因意味著支撐基板S之另一端S2從被處理基板W剝離，因此，可判定支撐基板S之剝離已結束。
又，在上述的實施形態中，已說明關於作為 剝離對象之重合基板，係藉由黏著劑G予以接合被處理基板W與支撐基板S之重合基板T時的例子。然而，作為剝離裝置之剝離對象的重合基板，並不限定為該重合基板T。例如，在剝離裝置141中，為了生成SOI基板，亦可以貼合有形成絕緣膜之施體基板與被處理基板的重合基板為剝離對象。
在此，參閱圖24及圖25來說明SOI基板之製造方法。圖24及圖25，係表示SOI基板之製造工程的示意圖。如圖24所示，藉由接合施體基板K與承載基板H的方式，而形成用於形成SOI基板的重合基板Ta。
施體基板K，係在表面形成絕緣膜600，並且在與承載基板H接合者之表面附近的預定深度形成氫離子植入層601之基板。又，作為承載基板H，係可使用例如矽晶圓、玻璃基板、藍寶石基板等。
在剝離裝置141中，例如在以第1保持部310保持施體基板K，以第2保持部350保持承載基板H的狀態下，拉引重合基板Ta之外周部的一部分，藉由此，對形成於施體基板K之氫離子植入層601賦予機械性衝擊。藉此，如圖25所示，切斷氫離子植入層601內的矽-矽鍵結，從施體基板K剝離矽層602。其結果，在承載基板H之上面轉印絕緣膜600與矽層602，形成SOI基板Wa。另外，亦可以第1保持部310保持承載基板H，以第2保持部350保持施體基板K。
又，在上述之實施形態中，雖已說明關於使 用黏著劑G來接合被處理基板W與支撐基板S時的例子，但亦可將接合面Wj、Sj分割為複數個區域，依區域塗佈不同黏著力之黏著劑。
又，在上述的實施形態中，雖已說明重合基板T被保持於切割框F時的例子，但重合基板T並不一定要被保持於切割框F。
以上，雖一邊參閱附加圖面一邊已說明本發明之適當的實施形態，但本發明不限定於該例。只要是所屬技術領域中具有通常知識者，可於申請專利範圍所記載之思想範圍內，想到各種變形例或修正例係屬顯見，且了解到關於該等當然亦屬於本發明之技術範圍者。

Claims (14)

  1. 一種剝離方法，將接合有第1基板與第2基板之重合基板剝離的剝離方法，其特徵係，具有：第1工程，在將前述重合基板中之前述第1基板加以保持的保持部中，藉由位置調節部，在前述保持部進行前述重合基板的位置調節後，將前述保持部配置在預定的高度位置；第2工程，在剝離誘引部(在前述重合基板之一端側的側面形成構成為前述第1基板與前述第2基板進行剝離之開始的剝離開始部位)中，將該剝離誘引部之銳利構件配置在預定的高度位置；第3工程，在前述第1工程與前述第2工程之後，使前述銳利構件抵接於前述重合基板之一端側的側面，檢測該銳利構件之抵接；第4工程，在前述第3工程後，將前述銳利構件插入至前述重合基板之一端側的側面，而在該重合基板之一端側的側面形成前述剝離開始部位；及第5工程，在前述第4工程後，藉由複數個吸附移動部(該吸附移動部，係吸附前述重合基板中之前述第2基板，使前述第2基板朝遠離前述第1基板的方向移動)，以前述剝離開始部位為起點，從前述一端側朝向另一端側，將前述第2基板從前述第1基板剝離，前述剝離誘引部，係更具有：荷重元，測定前述銳利構件所受的力；及移動機構，使前述銳利構件移動， 在前述第3工程中，前述銳利構件之抵接的檢測，係根據由前述荷重元所測定之力的變化或前述移動機構之馬達之轉矩的變化之任一者或兩者，來予以進行。
  2. 如申請專利範圍第1項之剝離方法，其中，前述第1基板，係被處理基板，前述第2基板，係支撐被處理基板的支撐基板，在前述第3工程中，使前述銳利構件抵接於前述重合基板中之前述第2基板的側面。
  3. 如申請專利範圍第1項之剝離方法，其中，前述重合基板，係經由黏著劑而接合有前述第1基板與前述第2基板，在前述第3工程中，使前述銳利構件抵接於前述重合基板中之前述黏著劑的側面。
  4. 如申請專利範圍第1項之剝離方法，其中，在前述第4工程中，使前述保持部旋轉。
  5. 如申請專利範圍第1項之剝離方法，其中，在前述第5工程中，對前述複數個吸附移動部中之吸附前述一端側之前述第2基板之周緣部的第1吸附移動部施加力，使前述周緣部往遠離前述第1基板的方向移動，而將該第1吸附移動部所受的力設成為一定。
  6. 如申請專利範圍第5項之剝離方法，其中，在前述第5工程中，對前述複數個吸附移動部中之吸附比前述第2基板之周緣部更靠近中央部之區域的第2吸附移動部施加力，使前述區域往遠離前述第1基板的方向 移動，而將該第2吸附移動部所受的力設成為一定。
  7. 一種電腦可讀取之記憶媒體，其特徵係，記錄在控制該剝離裝置之控制裝置的電腦上運作的程式，以便藉由剝離裝置執行申請專利範圍第1項的剝離方法。
  8. 一種剝離裝置，將接合有第1基板與第2基板之重合基板剝離的剝離裝置，其特徵係，具備有：保持部，保持前述重合基板中之前述第1基板；複數個吸附移動部，吸附前述重合基板中之前述第2基板，使前述第2基板朝遠離前述第1基板的方向移動；位置調節部，在前述保持部進行前述重合基板的位置調節；及銳利構件，並具有：剝離誘引部，使前述銳利構件抵接於被保持於前述保持部之前述重合基板之一端側的側面，而在前述重合基板之一端側的側面形成構成為前述第1基板與前述第2基板進行剝離之開始的剝離開始部位；及控制裝置，控制前述保持部、前述複數個吸附移動部、前述位置調節部及前述剝離誘引部，以便執行下述者之工程，其包括：第1工程，藉由前述位置調節部在前述保持部進行前述重合基板的位置調節後，將前述保持部配置在預定的高度位置；第2工程，將前述銳利構件配置在預定的高度位置；第3工程，在前述第1工程與前述第2 工程之後，使前述銳利構件抵接於前述重合基板之一端側的側面，檢測該銳利構件之抵接；第4工程，在前述第3工程後，將前述銳利構件插入至前述重合基板之一端側的側面，而在該重合基板之一端側的側面形成前述剝離開始部位；及第5工程，在前述第4工程後，藉由前述複數個吸附移動部，以前述剝離開始部位為起點，從前述一端側朝向另一端側，將前述第2基板從前述第1基板剝離，前述剝離誘引部，係更具有：荷重元，測定前述銳利構件所受的力；及移動機構，使前述銳利構件移動，前述控制裝置，係控制前述剝離誘引部，以便根據由前述荷重元所測定之力的變化或前述移動機構之馬達之轉矩的變化之任一者或兩者，予以進行前述第3工程之前述銳利構件之抵接的檢測。
  9. 如申請專利範圍第8項之剝離裝置，其中，前述第1基板，係被處理基板，前述第2基板，係支撐被處理基板的支撐基板，前述剝離誘引部，係使前述銳利構件抵接於前述重合基板中之前述第2基板的側面。
  10. 如申請專利範圍第8項之剝離裝置，其中，前述重合基板，係經由黏著劑而接合有前述第1基板與前述第2基板，前述剝離誘引部，係使前述銳利構件抵接於前述重合基板中之前述黏著劑的側面。
  11. 如申請專利範圍第8項之剝離裝置，其中， 更具有：旋轉機構，使前述保持部旋轉，前述控制裝置，係在前述第4工程中以使前述保持部旋轉的方式，來控制前述旋轉機構。
  12. 如申請專利範圍第8項之剝離裝置，其中，前述複數個吸附移動部，係具有：第1吸附移動部，吸附前述一端側之前述第2基板的周緣部，前述控制裝置，係在前述第5工程中，將前述第1吸附移動部所受的力設成為一定，且以使前述第1吸附移動部往遠離前述第1基板之方向移動的方式，控制前述周緣部。
  13. 如申請專利範圍第12項之剝離裝置，其中，前述複數個吸附移動部，係更具有：第2吸附移動部，吸附比前述第2基板之周緣部更靠近中央部的區域，前述控制裝置，係在前述第5工程中，將前述第2吸附移動部所受的力設成為一定，且以使前述第2吸附移動部往遠離前述第1基板之方向移動的方式，控制前述區域。
  14. 一種剝離系統，具備有如申請專利範圍第8項之剝離裝置的剝離系統，其特徵係，具有：第1處理區塊，對前述重合基板與前述第1基板進行處理；及第2處理區塊，對前述第2基板進行處理，前述第1處理區塊，係具有第1搬送區域，該第1搬送區域，係具備有： 搬入搬出站，載置有前述重合基板與前述第1基板；剝離站，具備有前述剝離裝置；及第1搬送裝置，在前述搬入搬出站與前述剝離站之間，搬送前述重合基板與前述第1基板，前述第2處理區塊，係具有第2搬送區域，該第2搬送區域，係具備有：搬出站，載置有前述第2基板；及第2搬送裝置，對前述搬出站搬送前述第2基板。
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