TWI566271B - 剝離裝置、剝離系統、剝離方法及電腦記憶媒體 - Google Patents

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Description

剝離裝置、剝離系統、剝離方法及電腦記憶媒體
本發明，係關於將重合基板剝離成第1基板與第2基板的剝離裝置、具備有該剝離裝置之剝離系統、使用該剝離裝置之剝離方法、程式及電腦記憶媒體。
近年來，例如在半導體裝置之製造工程中，矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板的大直徑化及薄型化正在發展中。大直徑且薄的半導體基板在搬送時或進行研磨處理時，有彎曲或破裂發生之虞。因此，在使支撐基板貼合至半導體基板予以補強後，進行搬送或研磨處理，然後，進行將支撐基板從半導體基板剝離的處理。
例如，在專利文獻1中，揭示有在藉由第1保持部吸附保持半導體基板且藉由第2保持部吸附保持支撐基板的狀態下，藉由使第2保持部的外周部往垂直方向移動，而將支撐基板從半導體基板剝離之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-149655號公報
然而，在揭示於專利文獻1的方法中，係僅保持第2保持部之外周部的1處而使其往垂直方向移動，在進行剝離時，由於作用於基板的力道僅為1處，故在謀求剝離處理之效率化該點上，有更進一步改善的餘地。
另外，該一課題，係即使在伴隨基板進行剝離之SOI(Silicon On Insulator)等的製造工程中亦可能發生的課題。
本發明，係有鑑於該點而進行研究者，以效率良好地進行被處理基板與支撐基板的剝離處理為目的。
為了達成前述目的，本發明，係使接合有第1基板與第2基板的重合基板剝離為該第1基板與第2基板的剝離裝置，其特徵係，具有：第1保持部，保持前述重合基板中的前述第1基板；第2保持部，保持前述重合基板中的前述第2基板；及移動部，使前述第1保持部之外周部的一部分往離開前述第2保持部的方向移動，前述第1保持部，係具有：板狀之彈性構件，連接於前述移動 部；及複數個吸附部，設置於前述彈性構件，吸附前述第1基板，前述複數個吸附部中之吸附成為剝離之起點之前述第1基板之外周部的外周吸附部，係具有：墊構件，前述第1基板的吸附面為開口而形成中空部；及支撐構件，設置為嵌入於前述墊構件的中空部，且具有高於前述墊構件的硬度。
根據本發明，一邊以第1保持部之複數個吸附部吸附第1基板並以該第1保持部保持第1基板，一邊以第2保持部保持第2基板。在該狀態下，藉由移動部，使第1保持部之外周部的一部份往離開第2保持部的方向移動。如此一來，配置於剝離之起點側的外周吸附部會被拉引，而第1基板從第2基板開始剝離。此時，由於第1保持部之彈性構件具有彈性，故在移動部拉引第1保持部時，會隨著該拉引而柔軟地變形。因此，由於能夠不對重合基板施加大的負荷，又可從其外周部捲起第1基板而進行拉引，故可效率良好地剝離第1基板與第2基板。
又，發明者們深入研究的結果，已知：在像這樣剝離重合基板的情況下，開始剝離之際，必需以較大的力道來拉引形成為剝離之起點之第1基板的外周部。如此一來，吸附成為剝離之起點之第1基板之外周部的外周吸附部，係必需具有比該拉引力還大的吸附力，具體而言，係必需增大外周吸附部之吸附面的面積。在此，在吸附部使用例如橡膠等的彈性體時，由於吸附面積大且拉引力大，故有吸附部變形而無法適當地吸附第1基板之虞。 該觀點，本發明之外周吸附部，係墊構件與支撐構件為一體構成。該情況下，由於支撐構件具有高硬度，故可抑制墊構件變形。又，由於墊構件與支撐構件係一體形成，故能夠以該些墊構件與支撐構件吸附第1基板，而增大該第1基板的吸附面積。因此，可藉由外周吸附部適當地吸附成為剝離之起點之第1基板的外周部，而可適當地剝離第1基板與第2基板。
前述剝離裝置，係更具有：剝離誘引部，在重合基板之一端側的側面形成引起前述第1基板與前述第2基板剝離的剝離開始部位，前述外周吸附部，係亦可吸附前述剝離開始部位。
在前述墊構件中，對應於前述第1基板之外緣的部分，係亦可形成為抵接於該外緣。
前述外周吸附部，係亦可在前述第1基板的外周部設置複數個。
前述彈性構件，係具有：本體部，設置有前述複數個吸附部；及延伸部，使前述本體部之外周部中位於剝離之最靠起點側之外周部的一部分朝向與剝離之進行方向相反的一側延伸，前述移動部，係亦可連接於前述延伸部。
另一觀點之本發明，係具備了前述剝離裝置的剝離系統，其特徵係，具有：剝離處理平台，具備有前述剝離裝置；搬入搬出站，載置有前述重合基板；及基板搬送裝置，在前述剝離處理平台與前述搬入搬出站之間， 搬送前述重合基板。
又，另一觀點之本發明，係使接合有第1基板與第2基板的重合基板剝離為該第1基板與第2基板的剝離方法，其特徵係，具有：第1保持工程，藉由第1保持部來保持前述重合基板中的前述第1基板，該第1保持部，係具備有板狀之彈性構件與設置於前述彈性構件且吸附前述第1基板的複數個吸附部；第2保持工程，藉由第2保持部來保持前述重合基板中的前述第2基板；及移動工程，藉由連接於前述第1保持部的移動部，使前述第1保持部之外周部的一部分往離開前述第2保持部的方向移動，前述複數個吸附部中的外周吸附部，係具備有：墊構件，前述第1基板的吸附面為開口而形成中空部；及支撐構件，設置為嵌入於前述墊構件的中空部，且具有高於前述墊構件的硬度，在前述移動工程中，前述外周吸附部，係吸附成為剝離之起點之前述第1基板的外周部。
在前述第1保持工程及前述第2保持工程後且前述移動工程前，藉由剝離誘引部，在前述重合基板之一端側的側面形成引起前述第1基板與前述第2基板剝離的剝離開始部位，在前述移動工程中，前述外周吸附部，係亦可吸附前述剝離開始部位。
在前述移動工程中，前述墊構件，係亦可抵接於前述第1基板的外緣。
前述外周吸附部，係在前述第1基板的外周部設置複數個，在前述移動工程中，前述複數個外周吸附 部，係亦可分別吸附成為剝離之起點之前述第1基板的外周部，藉由前述移動部，使前述複數個外周吸附部所吸附之前述第1保持部的外周部往離開前述第2保持部的方向移動。
又，根據另一個觀點來看本發明，係提供一種程式，為了藉由剝離裝置執行前述剝離方法，而在控制該剝離裝置之控制裝置的電腦上進行動作。
另外，再根據其他觀點之本發明，係提供一種儲存了前述程式的可讀取之電腦記憶媒體。
根據本發明，可效率良好且適切地進行被處理基板與支撐基板的剝離處理。
1‧‧‧剝離系統
5‧‧‧剝離裝置
10‧‧‧第1處理區塊
11‧‧‧搬入搬出站
15‧‧‧剝離站
20‧‧‧第2處理區塊
24‧‧‧搬出站
30‧‧‧控制裝置
50‧‧‧第1保持部
51‧‧‧彈性構件
52‧‧‧外周吸附部
53‧‧‧內周吸附部
60‧‧‧移動部
70‧‧‧第2保持部
80‧‧‧框架保持部
90‧‧‧剝離誘引部
121‧‧‧第1搬送裝置
211‧‧‧第2搬送裝置
231‧‧‧第3搬送裝置
511‧‧‧本體部
512‧‧‧延伸部
521‧‧‧墊構件
521a‧‧‧吸附面
521b‧‧‧中空部
522‧‧‧支撐構件
522a‧‧‧吸附面
F‧‧‧切割框
P‧‧‧切割帶
S‧‧‧支撐基板
T‧‧‧重合基板
W‧‧‧被處理基板
[圖1]圖1，係表示本實施形態之剝離系統之構成的示意平面圖。
[圖2]圖2，係保持於切割框之重合基板的示意側視圖。
[圖3]圖3，係保持於切割框之重合基板的示意平面圖。
[圖4]圖4，係表示本實施形態之剝離裝置之構成的示意側視圖。
[圖5]圖5，係從下方觀看第1保持部的示意平面圖。
[圖6]圖6，係從下方觀看第1保持部的示意平面圖。
[圖7]圖7，係從下方觀看外周吸附部的立體圖。
[圖8]圖8，係從上方觀看外周吸附部的立體圖。
[圖9]圖9，係外周吸附部的示意剖面圖。
[圖10]圖10，係表示在外周吸附部僅使用橡膠構件時的說明圖。
[圖11]圖11，係表示剝離處理之處理步驟的流程圖。
[圖12A]圖12A，係剝離動作的說明圖。
[圖12B]圖12B，係剝離動作的說明圖。
[圖12C]圖12C，係剝離動作的說明圖。
[圖12D]圖12D，係剝離動作的說明圖。
[圖12E]圖12E，係剝離動作的說明圖。
[圖12F]圖12F，係剝離動作的說明圖。
[圖12G]圖12G，係剝離動作的說明圖。
[圖13A]圖13A，係剝離誘引處理的動作說明圖。
[圖13B]圖13B，係剝離誘引處理的動作說明圖。
[圖13C]圖13C，係剝離誘引處理的動作說明圖。
[圖14A]圖14A，係表示銳利構件之刀尖之形狀例的示意平面圖。
[圖14B]圖14B，係表示銳利構件之刀尖之形狀例的 示意平面圖。
[圖14C]圖14C，係表示銳利構件之刀尖之形狀例的示意平面圖。
[圖15A]圖15A，係其他實施形態之第1保持部的示意平面圖。
[圖15B]圖15B，係其他實施形態之第1保持部的示意平面圖。
[圖16A]圖16A，係表示SOI基板之製造工程的模式圖。
[圖16B]圖16B，係表示SOI基板之製造工程的模式圖。
以下，參閱添加圖面來說明本發明之實施形態。另外，該發明並不受下述所示的實施形態限定。
<1.剝離系統>
首先，參閱圖1~圖3，說明本實施形態之剝離系統的構成。圖1，係表示本實施形態之剝離系統之構成的示意平面圖。又，圖2，係保持於切割框之重合基板的示意側視圖；圖3，係同重合基板的示意平面圖。
另外，在下述中，為了明確位置關係，進而規定彼此正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z軸正方向設為垂直向上方向。
圖1所示之本實施形態的剝離系統1，係將重合基板T(參閱圖2)剝離為被處理基板W與支撐基板S，該重合基板T，係以黏著劑G接合作為第2基板的被處理基板W與作為第1基板的支撐基板S。
在下述中，如圖2所示，將被處理基板W之板面中經由黏著劑G，與支撐基板S接合之側邊的板面稱作「接合面Wj」，將與接合面Wj相反的一側之板面稱作「非接合面Wn」。又，將支撐基板S之板面中經由黏著劑G，與被處理基板W接合之側邊的板面稱作「接合面Sj」，將與接合面Sj相反的一側之板面稱作「非接合面Sn」。
被處理基板W，係例如在矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板上形成複數個電子回路的基板，且將形成有電子回路之側邊的板面設為接合面Wj。又，被處理基板W，係藉由例如研磨處理非接合面Wn來予以薄化。具體而言，被處理基板W的厚度約為20~50μm。
另一方面，支撐基板S係與被處理基板W大致相同直徑的基板，並支撐被處理基板W。支撐基板S之厚度約為650~750μm。作為該支撐基板S，係除了矽晶圓外，亦可使用玻璃基板等。又，接合該些被處理基板W及支撐基板S之黏著劑G的厚度約為40~150μm。
又，如圖3所示，重合基板T，係被固定於切割框F。切割框F，係在中央具有徑長比重合基板T還大的開口部Fa之略環狀構件，且由不鏽鋼等的金屬所形 成。切割框F之厚度，係例如為1mm左右。
重合基板T，係經由切割帶P被固定於該切割框F。具體而言，係在切割框F的開口部Fa配置重合基板T，以從背面堵塞開口部Fa的方式，將切割帶P黏貼至被處理基板W的非接合面Wn及切割框F的背面。藉此，重合基板T，係成為被固定於切割框F的狀態。
如圖1所示，剝離系統1，係具備有第1處理區塊10及第2處理區塊20之2個處理區塊。第1處理區塊10與第2處理區塊20，係鄰接配置。
在第1處理區塊10中，係進行重合基板T之搬入、重合基板T之剝離處理、剝離後之被處理基板W之洗淨及搬出等。該第1處理區塊10，係具備有搬入搬出站11、第1搬送區域12、待機站13、切割邊緣站14、剝離站15及第1洗淨站16。
搬入搬出站11、待機站13、切割邊緣站14、剝離站15及第1洗淨站16，係被配置為鄰接於第1搬送區域12。具體而言，搬入搬出站11與待機站13，係配置為排列於第1搬送區域12的Y軸負方向側，剝離站15與第1洗淨站16，係配置為排列於第1搬送區域12的Y軸正方向側。又，切割邊緣站14，係配置於第1搬送區域12的X軸正方向側。
在搬入搬出站11，係設置有複數個匣盒載置台，各匣盒載置台，係載置有匣盒Ct(該匣盒Ct，係收容有重合基板T)或匣盒Cw(該匣盒Cw，係收容有剝離後之 被處理基板W)。
在第1搬送區域12，係配置有作為基板搬送裝置的第1搬送裝置121，該第1搬送裝置121，係進行重合基板T或剝離後之被處理基板W之搬送。第1搬送裝置121，係具備有：搬送臂部，可朝水平方向移動、朝垂直方向升降及以垂直方向為中心旋轉；及基板保持部，被安裝於該搬送臂部的前端。在第1搬送區域12中，係藉由該第1搬送裝置121，進行將重合基板T搬送至待機站13、切割邊緣站14及剝離站15的處理，或進行將剝離後之被處理基板W搬送至第1洗淨站16及搬入搬出站11的處理。
在待機站13中，係配置有進行讀取例如切割框F之ID(Identification)的ID讀取裝置，可藉由該ID讀取裝置來識別處理中的重合基板T。另外，在該待機站13中，係除了上述的ID讀取處理，亦因應所需進行使待處理的重合基板T暫時待機之待機處理。在該待機站13，係設置有載置台，該載置台係載置有藉由第1搬送裝置121所搬送的重合基板T，在該載置台上載置有ID讀取裝置與暫時待機部。
在切割邊緣站14，係配置有切割邊緣裝置。切割邊緣裝置，係進行切割邊緣處理，該切割邊緣處理，係藉由溶劑來使黏著劑G(參閱圖2)的周緣部溶解而去除。以藉由該切割邊緣處理來去除黏著劑G之周緣部的方式，可輕易地在後述的剝離處理中，使被處理基板W與 支撐基板S剝離。另外，切割邊緣裝置，係藉由使例如重合基板T浸漬於黏著劑G之溶劑的方式，藉由溶劑使黏著劑G的周緣部溶解。
在剝離站15中，係配置有剝離裝置，藉由該剝離裝置來進行將重合基板T剝離為被處理基板W與支撐基板S的剝離處理。關於剝離裝置之具體的構成及動作，係如後所述。
在第1洗淨站16中，係進行剝離後之被處理基板W的洗淨處理。在第1洗淨站16，係配置有第1洗淨裝置，該第1洗淨裝置，係在被保持於切割框F的狀態下將剝離後的被處理基板W洗淨。作為第1洗淨裝置，係可使用記載於例如日本特開2013-033925號公報的洗淨裝置。
又，在第2處理區塊20中，係進行剝離後之支撐基板S的洗淨及搬出等。該第2處理區塊20，係具備有收授站21、第2洗淨站22、第2搬送區域23、搬出站24。
收授站21、第2洗淨站22及搬出站24，係被配置為鄰接於第2搬送區域23。具體而言，收授站21與第2洗淨站22，係配置為排列於第2搬送區域23的Y軸正方向側，搬出站24，係配置為排列於第2搬送區域23的Y軸負方向側。
收授站21，係被配置為鄰接於第1處理區塊10的剝離站15。在該收授站21中，係進行從剝離站15 接收剝離後之支撐基板S而傳送到第2洗淨站22的收授處理。
在收授站21，係配置有第2搬送裝置211。第2搬送裝置211，係具有例如伯努利卡盤等之非接觸保持部，剝離後之支撐基板S，係藉由該第2搬送裝置211，以非接觸的方式予以搬送。
在第2洗淨站22中，係進行將剝離後之支撐基板S加以洗淨的第2洗淨處理。在該第2洗淨站22中，係設置有將剝離後之支撐基板S加以洗淨的第2洗淨裝置。作為第2洗淨裝置，係可使用記載於例如日本特開2013-033925號公報的洗淨裝置。
在第2搬送區域23中，係配置有進行剝離後之支撐基板S之搬送的第3搬送裝置231。第3搬送裝置231，係具備有：搬送臂部，可朝水平方向移動、朝垂直方向升降及以垂直方向為中心旋轉；及基板保持部，被安裝於該搬送臂部的前端。在第2搬送區域23中，係藉由該第3搬送裝置231，進行將剝離後之支撐基板S搬送至搬出站24的處理。
在搬出站24，係設置有複數個匣盒載置台，在各匣盒載置台，係載置有匣盒Cs(該匣盒Cs，係收容有剝離後之支撐基板S)。
又，剝離系統1，係具備有控制裝置30。控制裝置30，係控制剝離系統1之動作的裝置。該控制裝置30，係例如為電腦，且具備有未圖示的控制部與記憶 部。在記憶部中，係儲存有控制剝離處理等之各種處理的程式。控制部，係藉由讀出並執行記憶於記憶部的程式，來控制剝離系統1之動作。
另外，該程式，係記錄於可藉由電腦進行讀取之記憶媒體者，亦可為由該記憶媒體安裝於控制裝置30之記憶部者。作為可藉由電腦進行讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
接下來，說明使用如上述所構成之剝離系統1而進行之被處理基板W與支撐基板S的剝離處理方法。
在剝離系統1中，首先，第1處理區塊10之第1搬送裝置121，係從載置於搬入搬出站11的匣盒Ct取出重合基板T，而將取出的重合基板T搬入至待機站13。
接下來，在待機站13中，ID讀取裝置，係進行讀取切割框F之ID的ID讀取處理。藉由ID讀取裝置所讀取的ID會被發送至控制裝置30。然後，重合基板T，係藉由第1搬送裝置121，從待機站13被取出，搬入至切割邊緣站14。
在切割邊緣站14中，切割邊緣裝置，係對重合基板T進行切割邊緣處理。藉由該切割邊緣處理來去除黏著劑G的周緣部，藉此，在後段的剝離處理中，被處理基板W與支撐基板S會變得容易剝離。因此，可縮短剝離處理所需的時間。
如此一來，在本實施形態之剝離系統1中，由於切割邊緣站14係被組入至第1處理區塊10，故可使用第1搬送裝置121將被搬入至第1處理區塊10的重合基板T直接搬入至切割邊緣站14。因此，可提升一連串之基板處理的生產率。又，可輕易地管理從切割邊緣處理起至剝離處理的時間，並可使剝離性能穩定化。
另外，在例如因裝置間的處理時間差等而產生待處理之重合基板T的情況下，可使用設置於待機站13之暫時待機部來使重合基板T暫時待機，且可縮短一連串之工程間的損失時間。
接下來，切割邊緣處理後的重合基板T，係藉由第1搬送裝置121，從切割邊緣站14被取出，搬入至剝離站15。且，配置於剝離站15的剝離裝置，係對重合基板T進行剝離處理。藉由該剝離處理，重合基板T會被分離為被處理基板W與支撐基板S。
剝離後之被處理基板W，係藉由第1搬送裝置121，從剝離站15被取出，搬入至第1洗淨站16。在第1洗淨站16中，第1洗淨裝置，係對剝離後之被處理基板W進行第1洗淨處理。藉由該第1洗淨處理，去除殘留於被處理基板W之接合面Wj的黏著劑G。
第1洗淨處理後的被處理基板W，係藉由第1搬送裝置121從第1洗淨站16被搬出，而收容至被載置於搬入搬出站11的匣盒Cw。然後，匣盒Cw，係從搬入搬出站11被取出而回收。如此一來，關於被處理基板W 的處理結束。
另一方面，在第2處理區塊20中，係與上述之第1處理區塊10中的處理並行，而對剝離後之支撐基板S進行處理。
在第2處理區塊20中，首先，配置於收授站21的第2搬送裝置211，係從剝離站15取出剝離後的支撐基板S，搬入至第2洗淨站22。
在此，剝離後的支撐基板S，係藉由剝離裝置形成上面側亦即非接合面Sn側被保持的狀態，第2搬送裝置211，係由下方以非接觸的方式來保持支撐基板S的接合面Sj側。然後，第2搬送裝置211，係將所保持的支撐基板S反轉後，載置於第2洗淨站22的第2洗淨裝置。藉此，支撐基板S，係在使殘留有黏著劑G之接合面Sj朝向上方的狀態下，被載置於第2洗淨裝置。且，第2洗淨裝置，係進行將支撐基板S之接合面Sj加以洗淨的第2洗淨處理。藉由該第2洗淨處理，去除殘留於支撐基板S之接合面Sj的黏著劑G。
第2洗淨處理後的支撐基板S，係藉由配置於第2搬送區域23的第3搬送裝置231，從第2洗淨站22被取出，而收容至被載置於搬出站24的匣盒Cs。然後，匣盒Cs，係從搬出站24被取出而回收。如此一來，關於支撐基板S的處理亦結束。
如此一來，本實施形態之剝離系統1，係設成為具備有被固定於切割框F之基板(重合基板T及剝離後 之被處理基板W)用的前端(搬入搬出站11及第1搬送裝置121)與未被保持於切割框F之基板(剝離後之支撐基板S)用的前端(搬出站24及第3搬送裝置231)之構成。藉此，由於可並列地進行將被處理基板W搬送至搬入搬出站11的處理與將支撐基板S搬送至搬出站24的處理，故可有效率地進行一連串的基板處理。
又，在本實施形態之剝離系統1中，係經由收授站21連接有剝離站15與第2洗淨站22。藉此，由於不用經由第1搬送區域12或第2搬送區域23，即可從剝離站15將剝離後之支撐基板S直接搬入至第2洗淨站22，故可順暢地進行剝離後之支撐基板S之搬送。
另外，第1處理區塊10，係亦可具備用於將切割框F安裝於重合基板T的安裝裝置。在該情況下，將未安裝有切割框F的重合基板T從匣盒Ct取出而搬入至安裝裝置，在安裝裝置中，將切割框F安裝於重合基板T之後，將固定於切割框F的重合基板T依次搬送到切割邊緣站14及剝離站15。另外，安裝裝置，係只要將例如切割邊緣站14移動至第2處理區塊20，而配置於設置有切割邊緣站14的場所即可。
<2.剝離裝置之構成>
接下來，參閱圖4說明設置於剝離站15之剝離裝置的構成。圖4，係表示本實施形態之剝離裝置5之構成的示意側視圖。
如圖4所示，剝離裝置5，係具備有處理室100。在處理室100的側面，係設置有搬入搬出口(未圖示)。搬入搬出口，係分別被設置於第1搬送區域12側與收授站21側。
剝離裝置5，係具備有第1保持部50、移動部60、第2保持部70、框架保持部80及剝離誘引部90，該些都被配置於處理室100的內部。
剝離裝置5，係藉由第1保持部50從上方吸附保持重合基板T的支撐基板S側，藉由第2保持部70從下方吸附保持重合基板T的被處理基板W側。且，剝離裝置5，係藉由移動部60使支撐基板S往離開被處理基板W板面的方向移動。藉此，保持於第1保持部50之支撐基板S，係從其一端朝向另一端而從被處理基板W連續地剝離。以下，具體地說明各構成要件。
第1保持部50，係具備有彈性構件51與複數個吸附部52、53。彈性構件51，係薄板狀的構件，例如由板金等的金屬所形成。該彈性構件51，係在支撐基板S的上方，與支撐基板S相對向配置。複數個吸附部52、53，係設置於彈性構件51中之與支撐基板S的對向面。
如圖5所示，彈性構件51，係具備有本體部511及延伸部512。本體部511，係具有外徑與支撐基板S大致同徑長的圓板形狀。延伸部512，係使本體部511之外周部中位於剝離之最靠起點側之外周部(在此，係X軸負方向側之外周部)的一部分朝向與剝離之進行方向相反 的一側(X軸負方向側)而延伸的部位。且，在該延伸部512之前端，係連接有移動部60之支柱構件61。
複數個吸附部52、53，係分別為吸附支撐基板S之外周部的外周吸附部52與吸附支撐基板S之內周部的內周吸附部53。首先，說明關於外周吸附部52。
外周吸附部52，係被配置於吸附成為剝離之起點之支撐基板S之外周部的位置(在此，係X軸負方向側的外周部)。外周吸附部52之X軸負方向側的外緣，係沿著支撐基板S的外緣彎曲。且，外周吸附部52，係被配置於該外周吸附部52之X軸負方向側的外緣與支撐基板S之外緣一致的位置。另外，外周吸附部52之X軸正方向側之外緣的形狀雖不特別限定，但在本實施形態中係以彎曲的方式形成。
外周吸附部52之俯視時的大小，亦即相對於支撐基板S的吸附面，係以滿足以下2個條件的方式來予以決定。另外，該外周吸附部52的吸附面，係由後述之墊構件521的吸附面521a與支撐構件522的吸附面522a所構成。
第1個條件，係以可承受作用於外周吸附部52之力道的方式，確保該外周吸附部52之吸附面的面積。在開始剝離重合基板T之際，亦即在拉引成為剝離之起點之支撐基板S的外周之際，必需以較大的力道例如150N拉引該起點。因此，外周吸附部52，係必需具有大於該拉引力的吸附力，且必需增大外周吸附部52之吸附 面的面積。
第2個條件，係如圖6所示，以使外周吸附部52吸附由剝離誘引部90所形成的剝離開始部位M，予以形成該外周吸附部52的吸附面。如後述，剝離開始部位M，係引起支撐基板S與被處理基板W進行剝離的部位。以外周吸附部52吸附該剝離開始部位M的方式，可開始確實地剝離支撐基板S。且，支撐基板S，係以從剝離開始部位M捲起的方式予以拉引，而可效率良好地使支撐基板S從被處理基板W剝離。
該外周吸附部52，係如圖7~圖9所示，具備有墊構件521、支撐構件522、支撐構件523。支撐構件523，係被固定於彈性構件51，且設置於墊構件521的上面，從而支撐墊構件521與支撐構件522。
墊構件521，係相對於其支撐基板S的吸附面521a為開口，在內部形成中空部521b。在墊構件521中，係使用對作用於外周吸附部52的拉引力具有易延伸之彈性的材料。具體而言，係使用例如硬度為35~60度的橡膠。另外，當考慮材料的加工限度時，使用硬度為45度的橡膠為更佳。橡膠之種類雖並不特別限定，但使用例如CR橡膠(氯丁二烯橡膠)、矽橡膠、EPDM(乙烯丙烯二烯橡膠)等。
在墊構件521中，對應於支撐基板S之外緣的部分(墊構件521之X軸負方向側的外緣)，係與該支撐基板S的外緣一致。藉此，墊構件521，係可將支撐基板 S的外周部確實地吸附至其外緣。另外，墊構件521之X軸負方向側的外緣，係只要與支撐基板S之外緣抵接即可，例如亦可從支撐基板S的外緣突出至外側。即使在該情況下，墊構件521亦可吸附支撐基板S的外緣，而適當地吸附該支撐基板S的外周部。
支撐構件522，係設置為嵌入於墊構件521的中空部521b。又，相對於支撐基板S之支撐構件522的吸附面522a，係形成於與墊構件521之吸附面521a相同的平面上。亦即，如上述，藉由墊構件521的吸附面521a與支撐構件522的吸附面522a，構成相對於支撐基板S之外周吸附部52的吸附面。
在支撐構件522中，係使用具有硬度高於墊構件521的材料，且相對於作用在外周吸附部52之拉引力而不會變形之硬度的材料。具體而言，係使用鋁、鐵、SUS(不鏽鋼)等的金屬、塑膠系的樹脂等。
在支撐構件522的吸附面522a，係形成有吸氣口524。吸氣口524，係經由支撐構件522、墊構件521及插通支撐構件523的吸氣管525，連接於真空泵等的吸氣裝置526。外周吸附部52，係藉由吸氣裝置526產生的吸引力，經由墊構件521的吸附面521a與支撐構件522的吸附面522a，吸附支撐基板S之外周部。
在此，說明如本實施形態般，將外周吸附部52設成為墊構件521與支撐構件522之2層構造時的作用效果。如上述，在拉引成為剝離之起點之支撐基板S的 外周部時，由於必需以較大的力道拉引該起點，故必需增大外周吸附部52的面積。
在該情況下，例如如圖10所示，在僅以橡膠構件R吸附支撐基板S的情況下，當拉引外周吸附部時，橡膠構件R之內周部會被拉引，而橫方向的力道會作用於橡膠構件R的外周部。由於橡膠對橫方向的力道較弱，故橡膠構件R之內周部往上方移動的同時，橡膠構件R之外周部會往內側移動。如此一來，在橡膠構件R之全面無法吸附支撐基板S。又，在橡膠構件R與支撐基板S之間會產生空隙，有從該空隙產生空氣之洩漏(吸引洩漏)之虞。因此，在僅使用橡膠構件R時，無法適當地吸附支撐基板S。
又，當僅以例如金屬構件等、高硬度的材料吸附支撐基板S時，金屬構件不會追隨外周吸附部的拉引力而延伸。在該情況下，當拉引外周吸附部時，會導致金屬構件從支撐基板S脫離，而無法適當地吸附支撐基板S。
對此，根據本實施形態，如圖9所示，當拉引外周吸附部52時，墊構件521往上方延伸的同時，支撐構件522不會變形。因此，如上述的圖10所示，不對墊構件521施加橫方向的力道，墊構件521適當地抵接於支撐基板S。且，由於墊構件521與支撐構件522係形成為一體，且在其吸附面521a、522a之全面吸附支撐基板S，故可適當地吸附支撐基板S。
接下來，說明複數個吸附部52、53中的內周吸附部53。內周吸附部53，係如圖5所示，被配置於吸附支撐基板S之內周部的位置。內周吸附部53，係具有：第1吸附部群，由2個內周吸附部53a所形成；第2吸附部群，由3個內周吸附部53b所形成；及第3吸附部群，由3個內周吸附部53c所形成。第1~第3吸附部群，係沿著剝離之進行方向(X軸正方向)，而以第1吸附部群、第2吸附部群及第3吸附部群的順序予以配置。
包含於第1吸附部群的2個內周吸附部53a，係配置為排列於與剝離之進行方向(X軸正方向)正交的方向(Y軸方向)(參閱圖5所示的假想線L1)。相同地，包含於第2吸附部群的3個內周吸附部53b及包含於第3吸附部群的3個內周吸附部53c，亦配置為排列於與剝離之進行方向正交的方向(Y軸方向)(參閱圖5所示的假想線L2、L3)。
如此一來，第1保持部50所具備的複數個吸附部52、53中之除了設置於剝離之最靠起點側之外周吸附部52以外的內周吸附部53a、53b、53c，係排列於分別與剝離之進行方向正交的方向，且相對於剝離的進行方向多段配置。
因此，可一邊藉由剝離之起點側的外周吸附部52，確實地開始剝離支撐基板S，一邊藉由複數個內周吸附部53a、53b、53c，使支撐基板S有效率地從被處理基板W剝離。
各內周吸附部53，係如圖4所示，具備有：吸附盤531，吸附支撐基板S；及支撐構件532，固定於彈性構件51，以下部支撐吸附盤531。
各內周吸附部53，係經由吸氣管533，被連接於真空泵等之吸氣裝置534。複數個內周吸附部53，係藉由吸氣裝置534產生的吸引力，來吸附支撐基板S的內周部。
另外，作為內周吸附部53所具備的吸附盤531，係變形量較少的類型者為較佳。這是因為：在後述之移動部60拉引了第1保持部50之際，當吸附盤531產生大變形時，伴隨著該變形，支撐基板S的被吸附部分產生大變形，而有支撐基板S或被處理基板W受到損傷之虞。具體而言，作為吸附盤531，係在例如吸附面使用具有肋者或空間之高度為0.5mm以下之平坦的墊(flat pad)等為較佳。
返回圖4，說明剝離裝置5的其他構成。移動部60，係具備有支柱構件61、移動機構62及荷重元63。
支柱構件61，係延伸於垂直方向(Z軸方向)的構件，一端部係連接於彈性構件51的延伸部512(參閱圖5)，另一端部係經由上側基部103連接於移動機構62。
移動機構62，係固定於上側基部103的上部，使連接於下部的支柱構件61往垂直方向移動。荷重元63，係檢測施加於支柱構件61的負荷。
該移動部60，係藉由使用移動機構62來使支柱構件61往垂直上方移動的方式，拉起連接於支柱構件61的第1保持部50。此時，移動部60，係可一邊根據荷重元63的檢測結果，控制施加至支撐基板S的力道，一邊拉引第1保持部50。
在此，如圖5所示，成為拉起之力點的支柱構件61，係配置於比成為拉起之支點的外周吸附部52亦即配置於剝離之最靠起點側(在此，係X軸負方向側)的外周吸附部52更往剝離之進行方向的相反側。
因此，在成為拉起之作用點之重合基板T的外緣部(剝離的開始位置，相當於後述的「剝離開始部位M」)，係在圖4中產生順時針的旋轉力(力矩)。藉此，移動部60，係可從其外緣部捲起支撐基板S而進行拉引，且可有效率地使支撐基板S從被處理基板W剝離。
另外，第1保持部50，係藉由移動部60予以支撐，移動部60，係藉由上側基部103予以支撐。又，上側基部103，係被支撐於處理室100的頂部。
第2保持部70，係配置於第1保持部50的下方，經由切割帶P吸附保持重合基板T的被處理基板W側。該第2保持部70，係具備有圓板形狀的本體部71與支撐本體部71的支柱構件72。
本體部71，係由例如鋁等的金屬構件所形成。在該本體部71之上面，係設置有吸附面73。吸附面73，係多孔介質，由例如PCTFE(聚三氟氯乙烯)等的樹脂 構件所形成。
在本體部71之內部，係形成有經由吸附面73而與外部連通的吸引空間74。吸引空間74，係經由吸氣管711而與真空泵等的吸氣裝置712連接。該第2保持部70，係利用由吸氣裝置712之吸氣產生的負壓，經由切割帶P使被處理基板W的非接合面Wn吸附於吸附面73，藉此吸附保持重合基板T。
本體部71的吸附面73，係形成為直徑比被處理基板W稍微大。藉此，由於可防止被處理基板W之周緣部的吸引洩漏，故更可確實地吸附保持重合基板T。
又，在與被處理基板W的吸附面形成溝等的非吸附部時，則在該非吸附部中，有被處理基板W產生龜裂之虞。因此，本體部71的吸附面73，係設成為不具有溝等之非吸附部的平坦面。藉此，可防止在被處理基板W上產生龜裂的情形。且，由於以PCTFE等的樹脂構件形成吸附面73，故更可抑制對被處理基板W的損傷。
在第2保持部70之外方，係配置有從下方保持切割框F的框架保持部80。框架保持部80，係具備有：複數個吸附盤81，吸附保持切割框F；支撐構件82，支撐吸附盤81；及移動機構83，使支撐構件82往垂直方向移動。
吸附盤81，係由橡膠等的彈性構件所形成，例如分別設置於與例如圖3所示之切割框F之四角隅相對應的位置。在該吸附盤81，係形成有吸氣口(未圖示)，真 空泵等的吸氣裝置822，係經由支撐構件82及吸氣管821連接於上述吸引口。
框架保持部80，係利用由吸氣裝置822之吸氣產生的負壓來吸附切割框F，藉此，保持切割框F。又，框架保持部80，係藉由移動機構83使支撐構件82及吸附盤81往垂直方向移動，藉此，使吸附保持於吸附盤81的切割框F往垂直方向移動。
第2保持部70及框架保持部80，係藉由下側基部104而從下方予以支撐。又，下側基部104，係藉由固定於處理室100之地面的旋轉升降機構105予以支撐。
旋轉升降機構105，係藉由使下側基部104繞垂直軸旋轉的方式，使支撐於下側基部104的第2保持部70及框架保持部80一體旋轉。又，旋轉升降機構105，係藉由使下側基部104往垂直方向移動的方式，使支撐於下側基部104的第2保持部70及框架保持部80一體升降。
在第2保持部70的外方，係配置有剝離誘引部90。該剝離誘引部90，係在重合基板T的側面形成引起支撐基板S從被處理基板W剝落的部位。
剝離誘引部90，係具備有銳利構件91、移動機構92及升降機構93。銳利構件91，係例如為平刀(flat-blade knife)，以刀尖朝向重合基板T突出的方式，支撐於移動機構92。
移動機構92，係沿著延伸於X軸方向的軌 道，使銳利構件91移動。升降機構93，係被固定於例如上側基部103，使移動機構92往垂直方向移動。藉此，調整銳利構件91的高度位置，亦即往重合基板T之側面的抵接位置。
該剝離誘引部90，係在使用升降機構93調節銳利構件91的高度位置之後，使用移動機構92，使銳利構件91往水平方向(在此，係X軸正方向)移動，藉此，使銳利構件91抵接於支撐基板S之靠黏著劑G的側面。藉此，在重合基板T中，形成引起支撐基板S從被處理基板W剝落的部位(以下，記載為「剝離開始部位」)。
<3.剝離裝置之動作>
接下來，參閱圖11及圖12A~圖12G，說明剝離裝置5的具體動作。圖11，係表示剝離處理之處理步驟的流程圖。又，圖12A~圖12G，係剝離動作的說明圖。另外，剝離裝置5，係根據控制裝置30的控制，來執行圖11所示的各處理步驟。
當固定於切割框F的重合基板T被搬入至處理室100內時，剝離裝置5，係首先分別使用第2保持部70及框架保持部80，從下方吸附保持重合基板T的被處理基板W側與切割框F(步驟S101)。此時，如圖12A所示，被處理基板W及切割框F，係在切割帶P被以水平地張設的狀態下，保持於第2保持部70及框架保持部80。
然後，剝離裝置5，係使用位置調節部(未圖 示)來將重合基板T調節成預定位置。位置調節部，係設置於例如第1保持部50的上方(例如上側基部103)且與重合基板T之外周之3處相對應的位置。各位置調節部，係具備有抵接於重合基板T中之支撐基板S之側面的臂部。且，藉由使3個臂部抵接於支撐基板S之側面的方式，將保持於第2保持部70的重合基板T定心。
接下來，剝離裝置5，係使用框架保持部80的移動機構83(參閱圖4)來使框架保持部80下降，從而使保持於框架保持部80的切割框F下降(步驟S102)。藉此，確保用於使剝離誘引部90之銳利構件91朝向重合基板T進出的空間(參閱圖12B)。
接下來，剝離裝置5，係使用剝離誘引部90進行剝離誘引處理(步驟S103)。剝離誘引處理，係在重合基板T形成引起支撐基板S從被處理基板W剝落的部位(剝離開始部位M)(參閱圖12C)。
在此，參閱圖13A~圖13C，具體地說明剝離誘引處理的內容。圖13A~圖13C，係剝離誘引處理的動作說明圖。
另外，該剝離誘引處理，係在藉由第2保持部70保持重合基板T中的被處理基板W，藉由框架保持部80保持切割框F之後，且在藉由第1保持部50保持重合基板T中的支撐基板S之前，予以進行。亦即，剝離誘引處理，係在支撐基板S於閒置(free)的狀態下進行。
剝離裝置5，係在使用升降機構93(參閱圖4) 調整銳利構件91的高度位置之後，使用移動機構92使銳利構件91朝向重合基板T的側面移動。具體而言，如圖13A所示，使銳利構件91朝向重合基板T之側面中支撐基板S之靠黏著劑G的側面略水平地進行移動。
在此，「支撐基板S之靠黏著劑G的側面」，係指支撐基板S的側面之中、比支撐基板S厚度之一半的位置h更靠接合面Sj的側面。具體而言，支撐基板S的側面，係於剖面觀察時，形成為略圓弧狀，「支撐基板S之靠黏著劑G的側面」，係指與銳利構件91之刀尖之傾斜面91a所形成的角度θ為0度以上不滿90度的側面。
銳利構件91，係片平刀，在使傾斜面91a朝向上方的狀態下，支撐於移動機構92。如此一來，藉由將使傾斜面91a朝向支撐基板S側之片平刀作為銳利構件91而使用的方式，與使用了兩平刀的情況相比，在使銳利構件91進入至重合基板T內時，可抑制被處理基板W所承受之負荷。
銳利構件5，係首先使銳利構件91前進至事先決定的位置(預備前進)。然後，剝離裝置5，係進一步使銳利構件91前進，從而使銳利構件91抵接於支撐基板S之靠黏著劑G的側面。另外，在剝離誘引部90，係設置有例如荷重元(未圖示)，剝離裝置5，係使用該荷重元檢測施加於銳利構件91的負荷，藉此，檢測銳利構件91已抵接於支撐基板S的情形。
如上述，支撐基板S的側面，係於剖面觀察時，形成為略圓弧狀。因此，藉由銳利構件91抵接於支撐基板S之靠黏著劑G之側面的方式，形成對支撐基板S施加向上方的力道。
接下來，如圖13B所示，剝離裝置5，係使銳利構件91進一步前進。藉此，支撐基板S，係沿著側面的彎曲而向上方被推上去。該結果，支撐基板S的一部分從黏著劑G剝離，而形成剝離開始部位M。
另外，由於支撐基板S係在未保持於第1保持部50而為閒置的狀態，故支撐基板S往上方的移動不會受到阻礙。在圖13B所示的處理中，使銳利構件91前進的距離d1，係例如為2mm左右。
剝離裝置5，係亦可具備有確認裝置(未圖示)，該確認裝置係確認形成有剝離開始部位M。可將例如設置於支撐基板S之上方的IR(Infrared)攝像機使用來作為確認裝置。
紅外線，係在支撐基板S中，其反射率在從被處理基板W剝離的部位與未剝離的部位產生變化。因此，首先，藉由以IR攝像機對支撐基板S進行攝像的方式，可獲得表示支撐基板S中之紅外線之不同反射率等的圖像資料。該圖像資料，係發送至控制裝置30，在控制裝置30中，係可根據該圖像資料，在支撐基板S中檢測從被處理基板W剝離的部位亦即剝離開始部位M。
當檢測出剝離開始部位M時，剝離裝置5， 係移行至後述的下個處理。另一方面，在控制裝置30中，當未檢測出剝離開始部位M時，剝離裝置5，係使例如銳利構件91進一步前進，或者使銳利構件91暫時後退，從支撐基板S離開，然後，再次執行圖13A、圖13B所示的動作等，形成剝離開始部位M。如此一來，以設置用以確認支撐基板S之剝離狀態的確認裝置，因應剝離狀態使剝離裝置5動作的方式，可確實地形成剝離開始部位M。
當形成剝離開始部位M時，剝離裝置5，係如圖13C所示，一邊使用旋轉升降機構105(參閱圖4)，使第2保持部70及框架保持部80下降，一邊使銳利構件91進一步前進。藉此，對被處理基板W及黏著劑G施加向下方的力道，對藉由銳利構件91予以支撐的支撐基板S施加向上方的力道。藉此，剝離開始部位M會擴大。
另外，在圖13C所示的處理中，使銳利構件91前進的距離d2，係例如為1mm左右。
如此一來，剝離裝置5，係以使銳利構件91突抵上支撐基板S之靠黏著劑G之側面的方式，可在重合基板T的側面形成引起支撐基板S從被處理基板W剝落的剝離開始部位M。
支撐基板S，係具有接著劑G之約5~15倍左右的厚度。因此，相較於使銳利構件91抵接於黏著劑G而形成剝離開始部位的情況，控制銳利構件91之垂直方向的位置是較為容易。
又，可藉由使銳利構件91抵接於支撐基板S之靠黏著劑G之側面的方式，將從被處理基板W把支撐基板S剝下之方向的力道(亦即，向上的力道)施加至支撐基板S。而且，由於將靠近支撐基板S之最外緣部的部位舉起，故可對支撐基板S有效率地施加從被處理基板W把支撐基板S剝下之方向的力道。
又，相較於使銳利構件91突抵上黏著劑G的情況，可使銳利構件91接觸於被處理基板W的可能性降低。因此，可防止銳利構件91所致之被處理基板W的損傷。
另外，「支撐基板S之靠黏著劑G的側面」，更佳的是，從支撐基板S之接合面Sj至支撐基板S之厚度的1/4之位置的側面，亦即，與銳利構件91所形成的角度θ為0度以上45度以下的側面為較佳。這是因為與銳利構件91所形成的角度θ越小，則越可增大舉起支撐基板S之力道的緣故。
又，在支撐基板S與黏著劑G的黏著力比較弱時，係如圖13A所示，可僅使銳利構件91抵接於支撐基板S之靠黏著劑G的側面而形成剝離開始部位M。在該情況下，可省略圖13B及圖13C所示的動作。
又，在支撐基板S與黏著劑G的黏著力比較強時，剝離裝置5，係亦可從例如圖13C所示的狀態，進一步使用旋轉升降機構105，使重合基板T繞垂直軸旋轉。藉此，由於剝離開始部位M會向重合基板T的圓周 方向擴大，故可輕易從被處理基板W剝下支撐基板S。
在此，參閱圖14A~14C，說明銳利構件91之刀尖的形狀。
圖14A~圖14C，係表示銳利構件91之刀尖之形狀例的示意平面圖。
如圖14A所示，銳利構件91的刀尖911，係於俯視下亦可形成為直線狀。但，如圖14A所示，支撐基板S(重合基板T)的周緣部，係圓弧狀。因此，當銳利構件91的刀尖於俯視下形成為直線狀時，於俯視下，有負荷易集中於與支撐基板S交叉之刀尖的2點(圖14A的P1、P2)而產生刻痕等之虞。
因此，例如如圖14B所示，銳利構件91的刀尖911，係亦可沿著支撐基板S之外周部的形狀，而凹陷成圓弧狀的形狀。藉此，由於刀尖911全體係均等地接觸於支撐基板S，故可防止負荷集中於刀尖911之特定位置。
又，如圖14C所示，銳利構件91的刀尖911，係亦可設成為其中心部朝向支撐基板S突出為圓弧狀的形狀。藉此，相較於將刀尖911形成為直線狀的情況，由於可使刀尖911之更多的部分進入至重合基板T內，故在對支撐基板S施加向上方的力道時，可在更廣大的面積承受施加於銳利構件91的負荷，且可防止負荷之集中。
另外，在將刀尖911的形狀設成為圖14B所 示的形狀時，支撐基板S係從銳利構件91承受均等方向的力道。另一方面，在將刀尖911的形狀設成為圖14C所示的形狀時，支撐基板S，係承受以銳利構件91之刀尖911的中心部作為起始點而擴散之方向的力道。
當結束步驟S103之剝離誘引處理時，剝離裝置5，係使用旋轉升降機構105(參閱圖4)使第2保持部70及框架保持部80上升，從而使重合基板T的支撐基板S側抵接於第1保持部50的複數個內周吸附部53(參閱圖12D)。且，剝離裝置5，係由吸氣裝置534開始進行吸氣動作，以第1保持部50吸附保持支撐基板S(步驟S104)。此時，外周吸附部52，係吸附成為剝離之起點之支撐基板S的外周部，亦即剝離開始部位M，內周吸附部53，係吸附支撐基板S的內周部。
接下來，剝離裝置5，係使移動部60(參閱圖4)動作(步驟S105)，使第1保持部50之外周部的一部分，具體而言係指彈性構件51之延伸部512(參閱圖5)往離開第2保持部70的方向移動。藉此，配置於剝離之最靠起點側的外周吸附部52會被拉引，支撐基板S，係以剝離開始部位M作為起點，從被處理基板W開始剝離(參閱圖12E)。
此時，如上述，由於外周吸附部52係具有墊構件521與支撐構件522之2層構造，故即使作用於外周吸附部52的拉引力大，該外周吸附部52亦可適當地吸附支撐基板S的外周部。
又，由於第1保持部50的彈性構件51具有彈性，故在移動部60拉引第1保持部50時，會隨著該拉引而柔軟地變形。因此，不會對被處理基板W造成大的負荷，而能夠使支撐基板S從被處理基板W剝離。而且，由於彈性構件51具有柔軟性且可對使支撐基板S從被處理基板W剝離的力道施加「黏性」，故可效率良好地使支撐基板S從被處理基板W剝離。
且，如上述，由於在彈性構件51設置延伸部512，並將移動部60之支柱構件61連接至該延伸部512，故可對拉引支撐基板S的力道施加旋轉力(力矩)。因此，可從其外緣部捲起支撐基板S而進行拉引，故可有效率地使支撐基板S從被處理基板W剝離。
然後，剝離裝置5，係使用移動部60，進一步拉起第1保持部50。藉此，從支撐基板S中之X軸負方向側之端部朝向X軸正方向側之端部連續地進行剝離(參閱圖12F)，最後，支撐基板S從被處理基板W剝離(參閱圖12G)。然後，剝離裝置5結束剝離處理。
根據上述實施形態，一邊以第1保持部50之複數個吸附部52、53吸附支撐基板S並以該第1保持部50保持支撐基板S，一邊以第2保持部70保持被處理基板W。在該狀態下，藉由移動部60，使第1保持部50之外周部的一部份往離開第2保持部70的方向移動。如此一來，配置於剝離之起點側的外周吸附部52會被拉引，而支撐基板S從被處理基板W開始剝離。此時，由於第1 保持部50之彈性構件51具有彈性，故隨著作用於第1保持部50的拉引而柔軟地變形。因此，不會對重合基板T施加大的負荷，又可從其外周部捲起支撐基板S而進行拉引，故可效率良好地剝離支撐基板S與被處理基板W。
而且，由於外周吸附部52，係吸附引起剝離的剝離開始部位M，故可適當地開始進行剝離。因此，可效率良好地剝離支撐基板S與被處理基板W。
又，由於第1保持部50之外周吸附部52具備有墊構件521與支撐構件522，故可確保吸附面521a、522a有大的面積，且外周吸附部52具有大的吸附力。又，在外周吸附部52拉引支撐基板S之際，由於具有彈性的墊構件521係一邊與支撐基板S之外周部抵接，一邊藉由具有高硬度的支撐構件522抑制墊構件521之變形，故在吸附面521a、522a之全面吸附支撐基板S的外周部。因此，即使較大的拉引力作用於成為剝離之起點的外周吸附部52，外周吸附部52亦可適當地吸附支撐基板S的外周部。
<4.其他的實施形態>
在上述實施形態中，雖係在第1保持部50設置有1個外周吸附部52，但亦可設置複數個。
外周吸附部52的個數，係可任意設定。例如如圖15A所示，在第1保持部50，係設置有2個外周吸附部52，該些外周吸附部52，係分別配置於X軸方向正 方向側及負方向側。或者，例如如圖15B所示，在第1保持部50，係設置有4個外周吸附部52，該些外周吸附部52，係分別配置於X軸方向正方向側及方向負方向側與Y軸方向正方向側及方向負方向側。
另外，伴隨著像這樣設置有複數個外周吸附部52，亦可在對應於該外周吸附部52的位置分別設置複數個移動部60與剝離誘引部90。
即使在任一情況下，各外周吸附部52所吸附之支撐基板S的外周部亦成為剝離之起點。且，藉由移動部60，各外周吸附部52所吸附之支撐基板S的外周部會從被處理基板W離開。如此一來，從各支撐基板S的外周部朝向內周部，支撐基板S，係從被處理基板W被剝離。
根據本實施形態，由於在支撐基板S中剝離的起點為複數個，故可在短時間進行支撐基板S與被處理基板W的剝離，而可更效率良好地進行剝離處理。
又，在上述的實施形態中，係說明了關於成為剝離對象的重合基板是藉由黏著劑G來接合被處理基板W與支撐基板S之重合基板T時的例子。但是，成為剝離裝置之剝離對象的重合基板，並不限定為該重合基板T。例如，在剝離裝置5中，為了生成SOI基板，亦可將貼合了形成有絕緣膜之施體基板與被處理基板的重合基板設成為剝離對象。
在此，參閱圖16A及圖16B說明關於SOI基 板的製造方法。圖16A及圖16B，係表示SOI基板之製造工程的示意圖。如圖16A所示，用於形成SOI基板的重合基板Ta，係藉由將施體基板K與手柄基板H加以接合的方式予以形成。
施體基板K，係在表面形成有絕緣膜6，並且在與手柄基板H接合者之表面附近的預定深度形成有氫離子植入層7之基板。又，作為手柄基板H，係可使用例如矽晶圓、玻璃基板、藍寶石基板等。
在剝離裝置5中，例如係以第1保持部50保持施體基板K，以第2保持部70保持手柄基板H的狀態下，以使用移動部60來拉引重合基板Ta之外周部之一部分的方式，對形成於施體基板K之氫離子植入層7給予機械性的衝擊。藉此，如圖16B所示，氫離子植入層7內的矽-矽結合會被切斷，矽層8從施體基板K剝離。其結果，在手柄基板H之上面轉印絕緣膜6與矽層8，而形成SOI基板Wa。另外，亦可以第1保持部50保持手柄基板H，以第2保持部70保持施體基板K。
又，在上述之實施形態中，雖說明了使用黏著劑G來接合被處理基板W與支撐基板S時的例子，但亦可將接合面Wj、Sj分割為複數個區域而在每區域塗佈不同黏著力之黏著劑。
又，在上述的實施形態中，雖說明了重合基板T被保持於切割框F時的例子，但重合基板T並不一定要被保持於切割框F。
又，在上述的實施形態中，雖說明了剝離誘引部90所具備的銳利構件91為平刀時的例子，但銳利構件91係亦可使用例如剃刀或滾刀或者超音波刀等。
以上，雖一邊參閱附加圖面一邊說明了本發明之適當的實施形態，但本發明不限定於該例。只要是所屬技術領域中具有通常知識者，可於申請專利範圍所記載之思想範圍內，想到各種變形例或修正例係屬顯見，且了解到關於該等當然亦屬於本發明之技術範圍者。
52‧‧‧外周吸附部
521‧‧‧墊構件
521a‧‧‧吸附面
521b‧‧‧中空部
522‧‧‧支撐構件
522a‧‧‧吸附面
523‧‧‧支撐構件
524‧‧‧吸氣口
525‧‧‧吸氣管
526‧‧‧吸氣裝置
S‧‧‧支撐基板

Claims (11)

  1. 一種剝離裝置，係使接合有第1基板與第2基板之重合基板剝離為該第1基板與第2基板，該剝離裝置，其特徵係，具有：第1保持部，保持前述重合基板中的前述第1基板；第2保持部，保持前述重合基板中的前述第2基板；及移動部，使前述第1保持部之外周部的一部分往離開前述第2保持部的方向移動，前述第1保持部，係具有：板狀之彈性構件，連接於前述移動部；及複數個吸附部，設置於前述彈性構件，吸附前述第1基板，前述複數個吸附部中之吸附成為剝離之起點之前述第1基板之外周部的外周吸附部，係具有：墊構件，前述第1基板的吸附面為開口而形成中空部；及支撐構件，設置為嵌入於前述墊構件的中空部，且具有高於前述墊構件的硬度。
  2. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，其中，更具有：剝離誘引部，在重合基板之一端側的側面形成引起前述第1基板與前述第2基板剝離的剝離開始部位，前述外周吸附部，係吸附前述剝離開始部位。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之剝離裝置，其中，在前述墊構件中，對應於前述第1基板之外緣的部分，係形成為抵接於該外緣。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之剝離裝置，其中，前述外周吸附部，係在前述第1基板的外周部設置有複數個。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之剝離裝置，其中，前述彈性構件，係具有：本體部，設置有前述複數個吸附部；及延伸部，使前述本體部之外周部中位於剝離之最靠起點側之外周部的一部分朝向與剝離之進行方向相反的一側延伸，前述移動部，係連接於前述延伸部。
  6. 一種剝離系統，具備有如申請專利範圍第1或2項所記載的剝離裝置，該剝離系統，其特徵係，具有：剝離處理平台，具備有前述剝離裝置；搬入搬出站，載置有前述重合基板；及基板搬送裝置，在前述剝離處理平台與前述搬入搬出站之間，搬送前述重合基板。
  7. 一種剝離方法，係使接合有第1基板與第2基板之重合基板剝離為該第1基板與第2基板，該剝離方法，其特徵係，具有：第1保持工程，藉由第1保持部來保持前述重合基板中的前述第1基板，該第1保持部，係具備有板狀之彈性 構件與設置於前述彈性構件且吸附前述第1基板的複數個吸附部；第2保持工程，藉由第2保持部來保持前述重合基板中的前述第2基板；及移動工程，藉由連接於前述第1保持部的移動部，使前述第1保持部之外周部的一部分往離開前述第2保持部的方向移動，前述複數個吸附部中的外周吸附部，係具備有：墊構件，前述第1基板的吸附面為開口而形成中空部；及支撐構件，設置為嵌入於前述墊構件的中空部，且具有高於前述墊構件的硬度，在前述移動工程中，前述外周吸附部，係吸附成為剝離之起點之前述第1基板的外周部。
  8. 如申請專利範圍第7項之剝離方法，其中，在前述第1保持工程及前述第2保持工程後且前述移動工程前，藉由剝離誘引部，在前述重合基板之一端側的側面形成引起前述第1基板與前述第2基板剝離的剝離開始部位，在前述移動工程中，前述外周吸附部，係吸附前述剝離開始部位。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之剝離方法，其中，在前述移動工程中，前述墊構件，係抵接於前述第1基板的外緣。
  10. 如申請專利範圍第7或8項之剝離方法，其中， 前述外周吸附部，係在前述第1基板的外周部設置複數個，在前述移動工程中，前述複數個外周吸附部，係分別吸附成為剝離之起點之前述第1基板的外周部，藉由前述移動部，使前述複數個外周吸附部所吸附之前述第1保持部的外周部往離開前述第2保持部的方向移動。
  11. 一種可讀取之電腦記憶媒體，係為了藉由剝離裝置執行如申請專利範圍第7或8項之剝離方法，而儲存了在控制該剝離裝置之控制裝置的電腦上進行動作的程式。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6014477B2 (ja) * 2012-12-04 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
KR102064405B1 (ko) * 2014-02-04 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 기판 박리 장치 및 그것을 이용한 기판 박리 방법
JP6283573B2 (ja) * 2014-06-03 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6367084B2 (ja) 2014-10-30 2018-08-01 株式会社東芝 半導体チップの接合方法及び半導体チップの接合装置
JP6371735B2 (ja) 2015-04-20 2018-08-08 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
JP6470414B2 (ja) * 2015-08-11 2019-02-13 東京応化工業株式会社 支持体分離装置及び支持体分離方法
JP2017224671A (ja) * 2016-06-14 2017-12-21 株式会社ディスコ 剥離装置
JP2018043377A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 剥離装置および剥離方法
JP7234109B2 (ja) * 2016-11-15 2023-03-07 コーニング インコーポレイテッド 基板を加工する方法
JP7028650B2 (ja) * 2018-01-11 2022-03-02 株式会社ディスコ 剥離装置
TW202015144A (zh) * 2018-10-01 2020-04-16 巨擘科技股份有限公司 基板分離系統及方法
JP6916223B2 (ja) * 2019-01-30 2021-08-11 日機装株式会社 剥離装置
CN110589598A (zh) * 2019-08-21 2019-12-20 深圳市集银科技有限公司 一种胶带自动剥胶装置
US11538698B2 (en) * 2019-09-27 2022-12-27 Globalwafers Co., Ltd. Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures
JP7309191B2 (ja) * 2019-11-06 2023-07-18 中村留精密工業株式会社 ウェハー分割装置
CN114180370B (zh) * 2021-12-10 2024-03-19 浙江瑞峰智能物联技术有限公司 一种裁片拾取装置及裁片拾取方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100000680A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Yoshihiro Inao Separating apparatus and separating method
US20120080150A1 (en) * 2010-10-05 2012-04-05 Skyworks Solutions, Inc. Fixtures and methods for unbonding wafers by shear force
US20130146228A1 (en) * 2011-12-08 2013-06-13 Tokyo Electron Limited Separation apparatus, separation system, and separation method

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8903010A (nl) * 1989-12-07 1991-07-01 Philips & Du Pont Optical Werkwijze en inrichting voor het verwijderen van een buigzaam produkt van een draagplaat.
JPH10244545A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Canon Inc 離型方法及び離型装置
JPH11255354A (ja) * 1998-03-09 1999-09-21 Bridgestone Corp 吸着装置
KR100383265B1 (ko) * 2001-01-17 2003-05-09 삼성전자주식회사 웨이퍼 보호 테이프 제거용 반도체 제조장치
US6769973B2 (en) * 2001-05-31 2004-08-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same
JP3892703B2 (ja) * 2001-10-19 2007-03-14 富士通株式会社 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
US7187162B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
US6896762B2 (en) * 2002-12-18 2005-05-24 Industrial Technology Research Institute Separation method for object and glue membrane
JP4272501B2 (ja) * 2003-12-03 2009-06-03 リンテック株式会社 フィルム供給装置およびフィルム貼着システム
JP4765536B2 (ja) * 2005-10-14 2011-09-07 パナソニック株式会社 チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法ならびにチップ剥離装置およびチップ剥離方法
JP5074125B2 (ja) * 2007-08-09 2012-11-14 リンテック株式会社 固定治具並びにワークの処理方法
JP4964107B2 (ja) * 2007-12-03 2012-06-27 東京応化工業株式会社 剥離装置
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
US8758552B2 (en) * 2010-06-07 2014-06-24 Skyworks Solutions, Inc. Debonders and related devices and methods for semiconductor fabrication
US8435804B2 (en) * 2010-12-29 2013-05-07 Gtat Corporation Method and apparatus for forming a thin lamina
JP5722807B2 (ja) * 2012-01-17 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム
US8470129B1 (en) * 2012-05-08 2013-06-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method and machine for separating liquid crystal panel and liner pad

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100000680A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Yoshihiro Inao Separating apparatus and separating method
US20120080150A1 (en) * 2010-10-05 2012-04-05 Skyworks Solutions, Inc. Fixtures and methods for unbonding wafers by shear force
US20130146228A1 (en) * 2011-12-08 2013-06-13 Tokyo Electron Limited Separation apparatus, separation system, and separation method

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