CN109119371A - 剥离装置 - Google Patents

Abstract

提供剥离装置，能够不在晶片的外周部分残留树脂而将保护部件适当地从晶片剥离。剥离装置(1)将借助树脂(R)使膜粘固在晶片(W)的一个面上而成的保护部件(P)从晶片剥离。剥离装置具有：外周剥离单元(4)，其残留保护部件的外周的一部分而将保护部件从晶片剥离；以及整体剥离单元(5)，其将保护部件整体从晶片剥离。整体剥离单元具有：把持部(50)，其对未被外周剥离单元剥离而残留的外周的一部分进行把持；以及辊部(52b)，其对保护部件的下表面中央部分进行推压。整体剥离单元一边利用辊部将保护部件的中央部分朝向晶片推压，一边将保护部件全部剥离。

Description

剥离装置

技术领域

本发明涉及将粘贴在晶片的正面上的膜剥离的剥离装置。

背景技术

在从硅等锭被切出并被切成片的晶片的正面上形成有起伏。为了去除起伏，在晶片的正面上隔着液态树脂而粘贴片材(在本发明中称为膜)来作为保护部件。在将晶片的正面形状转印至液态树脂并使液态树脂硬化之后，对晶片的相反的一面进行磨削加工，从而将起伏去除。在磨削之后，将硬化的树脂和片材从晶片剥离。

但是，在对晶片的正面提供液态树脂并粘贴片材时，液态树脂会扩展，从而液态树脂从晶片的外周(边缘)探出。液态树脂因照射紫外线而硬化，由树脂和片材形成保护部件。作为将这样的从晶片的外周探出的树脂和片材(保护部件)剥离的装置，例如提出了专利文献1记载的剥离装置。

在专利文献1中，在厚度方向上对从晶片的外周探出的树脂施加外力，从而在晶片的边缘与树脂之间形成局部的间隙，制作出将片材和树脂剥离时的开端。

专利文献1：日本特开2012-151275号公报

但是，假设即使是专利文献1记载的剥离装置，也会在晶片的外周部分残留有树脂，无法适当地将保护部件剥离。在该情况下，在之后的磨削加工中，外周部分的厚度有可能变得不均匀。

发明内容

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的之一在于提供剥离装置，能够不在晶片的外周部分残留树脂而将保护部件适当地从晶片剥离。

本发明的一个方式的剥离装置将在形成有使膜从晶片的外周缘探出而成的探出部的状态下借助树脂使该膜粘固在晶片的一个面上从而由该树脂和该膜构成的保护部件从晶片剥离，其特征在于，该剥离装置具有：保持单元，其具有对晶片的另一个面进行吸引保持的保持面，其中，使该保护部件朝下从而该晶片的另一个面成为上表面；；外周剥离单元，其对该探出部进行把持并残留外周的一部分而将该保护部件的外周部分从晶片剥离；以及整体剥离单元，其对残留的该外周的一部分的该探出部进行把持，从该保护部件的外周部分侧将该保护部件整体从晶片剥离，该整体剥离单元具有：第一把持部，其对未被该外周剥离单元剥离而残留的该外周的一部分的该探出部进行把持；辊，其对未被该外周剥离单元剥离而粘固在晶片上的该保护部件的中央部分进行推压；以及移动单元，其使该第一把持部与该保持单元在保持面方向上相对地移动，一边利用该辊将该保持单元所保持的晶片的中央部分的该保护部件朝向晶片推压，一边将该保护部件从晶片完全剥离。

根据该结构，通过外周剥离单元在水平方向和垂直方向上对从晶片的外周缘探出的探出部进行拉拽。由此，在晶片的外周除了一部分以外在树脂与晶片之间形成间隙。并且，能够以该间隙为开端而利用整体剥离单元将保护部件从晶片剥离。此时，保护部件的中央部分被辊推压，同时第一把持部进行移动，因此能够防止在晶片的外周部分产生剥离残留。即，能够不在晶片的外周部分残留树脂而将保护部件适当地从晶片剥离。

另外，在本发明的一个方式的上述剥离装置中，外周剥离单元具有：多个第一外周剥离单元，它们以晶片的中心为中心按照规定的角度间隔进行配设；以及多个第二外周剥离单元，它们配设在第一外周剥离单元之间，第一外周剥离单元和第二外周剥离单元具有：第二把持部，其对探出部进行把持；水平移动部，其使第二把持部在保持面方向上向远离晶片的外周的方向移动；以及下降部，其使借助水平移动部进行了移动的第二把持部在与保持面垂直的垂直方向上下降。

另外，在本发明的一个方式的上述剥离装置中，外周剥离单元具有：第二把持部，其对探出部进行把持；水平移动部，其使第二把持部在保持面方向上向远离晶片的外周的方向移动；下降部，其使借助水平移动部进行了移动的第二把持部在与保持面垂直的垂直方向上移动；以及外周移动单元，其使第二把持部、水平移动部以及下降部通过以晶片的中心为轴的旋转轴而沿着晶片的外周进行旋转移动。

根据本发明，能够不在晶片的外周部分残留树脂而将保护部件适当地从晶片剥离。

附图说明

图1是本实施方式的剥离装置的整体立体图。

图2是本实施方式的剥离装置的示意图。

图3的(A)、(B)是示出本实施方式的剥离装置的把持工序的一例的图。

图4是示出本实施方式的剥离装置的外周缘剥离工序的一例的图。

图5是示出本实施方式的剥离装置的外侧剥离工序的一例的图。

图6的(A)～(D)是示出本实施方式的剥离装置的整体剥离工序的一例的图。

图7的(A)～(C)是示出本实施方式的剥离方法的一系列的流程的俯视示意图。

图8是变形例的剥离装置的整体立体图。

图9是示出变形例的剥离装置的整体剥离工序的图。

图10是示出变形例的剥离装置的整体剥离工序的图。

图11是示出变形例的剥离装置的整体剥离工序的图。

图12是示出变形例的剥离装置的整体剥离工序的图。

图13是示出变形例的剥离装置的废弃工序的图。

标号说明

W：晶片；P：保护部件；R：树脂；F：膜；E：探出部；1：剥离装置；2：保持单元；21：保持面；4：外周剥离单元；42：把持单元(第一外周剥离单元、第二外周剥离单元)；43：把持部(第二把持部)；44：水平移动部；G1：第一剥离组(第一外周剥离单元)；G2：第二剥离组(第二外周剥离单元)；5：整体剥离单元；50：把持部(第一把持部)；51：移动单元；52b：辊部(辊)。

具体实施方式

以下，参照附图对本实施方式的剥离装置进行说明。图1是本实施方式的剥离装置的整体立体图。另外，本实施方式的剥离装置不限于图1所示的剥离专用的装置结构，例如也可以组入至全自动实施磨削加工、研磨加工、清洗等一系列动作的全自动类型的加工装置中。另外，在图1中，将X轴方向近前侧作为剥离装置的前侧，将X轴方向里侧作为剥离装置的后侧，将Y轴方向近前侧作为剥离装置的左侧，将Y轴方向里侧作为剥离装置的右侧。另外，为了便于说明，图1所示的晶片夸张地显示出大小。

如图1所示，剥离装置1构成为将粘贴在圆形的晶片W上的保护部件P剥离。晶片W例如是形成器件图案前的原切割晶片，是利用线切割机对圆柱状的锭进行切割而形成的。

晶片W并不限于硅、砷化镓、碳化硅等工件。例如也可以将陶瓷、玻璃、蓝宝石系无机材料基板、板状金属或树脂的延展性材料、要求微米级至亚微米级的平坦度(TTV：TotalThickness Variation：总厚度变化)的各种加工材料作为晶片W。这里所说的平坦度例如表示以晶片W的被磨削面为基准面在厚度方向上测量出的高度中的最大值与最小值之差。

保护部件P是在具有晶片W的外径以上的外径的膜F的整个面上例如涂布光硬化性的树脂R而构成的。即，保护部件P具有：膜F，其按照比晶片W大的面积具有从晶片W的外周探出的探出部E；以及树脂R(参照图2)，其形成在膜F与晶片W的下表面(一个面)之间。

树脂R例如因照射紫外线光而硬化，膜F借助该树脂R而粘固在晶片W的下表面。由此，晶片W的下表面整体上被片状的保护部件P覆盖而进行保护。另外，在晶片W的外周侧，在探出部E的上表面上，树脂R的一部分探出。另外，对于树脂R的材质没有特别限定，可以适当变更。

另外，在切割后的晶片W的正面上形成有起伏。通过在粘贴有保护部件P的状态下对晶片W的上表面进行磨削加工，由此预先将该起伏去除。

如上所述，剥离装置1构成为将由树脂R和膜F构成的保护部件P从晶片W剥离，并且将已剥离的保护部件P废弃在装置内的垃圾箱9中。具体而言，剥离装置1构成为在从俯视为矩形状的基台10的上表面向Z轴方向立起的立壁部11的侧面上设置有：保持单元2，其对晶片W进行保持而进行搬送；以及剥离单元3，其将保护部件P从晶片W剥离。保持单元2配置在立壁部11的上侧，剥离单元3配置在保持单元2的下方。

保持单元2构成为按照使保护部件P朝向下方的方式对晶片W的上表面(另一个面)进行保持。具体而言，保持单元2利用与晶片W大致相同直径的搬送垫20对晶片W的上表面进行吸引保持。搬送垫20是对晶片W进行吸引保持的多孔卡盘，在圆板状的框体的下表面上形成有由陶瓷等多孔质材料构成的保持面21(参照图2)。通过产生于保持面21的负压，能够对晶片W进行吸引保持。

搬送垫20悬挂支承在沿Y轴方向延伸的臂22的前端(左端)。保持单元2构成为能够通过升降单元23在Z轴方向上升降，并且构成为能够通过水平移动单元24在X轴方向上移动。升降单元23利用电动机驱动的导向致动器使对臂22的基端进行支承的Z轴工作台25在Z轴方向上移动。

水平移动单元24利用电动机驱动的导向致动器使对Z轴工作台25进行支承的X轴工作台26在X轴方向上移动。另外，升降单元23和水平移动单元24不限于电动机驱动的导向致动器，例如也可以由空气驱动的导向缸构成。

剥离单元3由外周剥离单元4和整体剥离单元5构成，其中，外周剥离单元4将保护部件P的外周部分从晶片W剥离，整体剥离单元5将保护部件P的整体从晶片W剥离。外周剥离单元4和整体剥离单元5设置为大致相同的高度，外周剥离单元4配置在X轴方向里侧(后侧)，整体剥离单元5配置在X轴方向近前侧(前侧)。对于外周剥离单元4的详细结构在后文进行叙述。

整体剥离单元5构成为包含：把持部50(第一把持部)，其对探出部E进行把持；移动单元51，其使把持部50在规定的方向上移动；以及导向辊52，其对膜F的下表面进行推压而引导保护部件P的剥离。

把持部50构成为通过一对爪部50a在厚度方向上对探出部E的一部分进行夹持。一对爪部50a对置配置，构成为能够相互远离接近。把持部50设置在沿Y轴方向延伸的臂53的前端(左端)。把持部50构成为能够以臂53的延伸方向为轴进行旋转，并且能够通过移动单元51在Z轴方向和X轴方向上移动。

移动单元51利用电动机驱动的导向致动器使对臂53的基端进行支承的X轴工作台54在X轴方向上移动。另外，虽然未图示，但臂53构成为能够在X轴工作台54上进行上下升降。另外，移动单元51不限于电动机驱动的导向致动器，例如也可以由空气驱动的导向缸构成。

导向辊52设置在搬送垫20与移动单元51之间。导向辊52是在从立壁部11向Y轴方向左侧突出的轴部52a的前端安装以规定的长度延伸的辊部52b而构成的。辊部52b在搬送垫20的下方沿Y轴方向延伸，具有与晶片W的直径相比充分短的圆柱形状。另外，辊部52b构成为能够绕轴旋转。详细内容在后文进行叙述，在整体剥离工序中，辊部52b对未被外周剥离单元4剥离而粘固在晶片W上的保护部件P(膜F的下表面)的中央部分进行推压。

在剥离单元4的下方设置有将剥离后的保护部件P回收的垃圾箱9。垃圾箱9的上方具有比晶片W大且开放的俯视方形形状。另外，在垃圾箱9中，一对光学传感器90设置于在X方向上对置的一边的上端部分。关于一对光学传感器90，其一方由发光部构成，另一方由受光部构成。光学传感器90由受光部接受从发光部产生的光，根据受光部的受光量变化，对所回收的保护部件P是否已占满垃圾箱9进行检测。

另外，在垃圾箱9的上方设置有使剥离后的保护部件P在垃圾箱9内层叠的层叠单元6。层叠单元6由向垃圾箱9内引导保护部件P的第一引导单元7和第二引导单元8构成。第一引导单元7由一对导轨70构成，该一对导轨70在垃圾箱9的后下方设置在整体剥离单元5的下方，它们随着朝向前方而向下方倾斜。

导轨70例如形成为具有圆形剖面的棒状，具有与保护部件P的外形大致相同的长度。另外，导轨70的前端(下端)部分在水平方向上弯曲。该前端部分配置在垃圾箱9的X方向后方侧的一条边的上端部分。另外，一对导轨70夹着垃圾箱9的Y方向的中心线而对置，按照与保护部件P的外径相比充分小的间隔平行地配置。

第二引导单元8由一对导轨80构成，该一对导轨80按照前后跨越垃圾箱9的上方的方式水平延伸。导轨80例如形成为具有圆形剖面的棒状，以比保护部件P的外径大的长度延伸。导轨80的一端(后端)位于垃圾箱9的X方向后方侧的一条边的上端部分，另一端(前端)位于垃圾箱9的X方向前方侧的一条边的上端部分。另外，一对导轨80按照随着从后方朝向前方其对置间隔变大的方式配置成俯视(上向视)为“八”字状。

作为这样构成的剥离装置1，利用保持单元2对去除了起伏后的晶片W进行吸引保持，先将粘贴有保护部件P的状态的晶片W搬送至外周剥离单元4。在外周剥离单元4中，仅将保护部件P的外周部分从晶片W剥离。并且，通过整体剥离单元5将保护部件P整体从晶片W剥离。所剥离的保护部件P被构成层叠单元6的第一引导单元7和第二引导单元8引导而落在垃圾箱9内。当在垃圾箱9内层叠多个保护部件P且垃圾箱9被保护部件P占满时，根据光学传感器90的输出，通知给操作者。

接着，参照图1和图2，对本实施方式的外周剥离单元进行详细说明。图2是本实施方式的剥离装置的示意图。

如图1和图2所示，外周剥离单元4构成为，在整体剥离单元5的后方在从立壁部11向Y轴方向突出的基台40的上表面上设置有：圆筒状的限制环41，其在Z轴方向上具有中心轴；以及多个把持单元42，它们配置在限制环41的周围。限制环41具有比晶片W、搬送垫20的外径小的外径，构成为能够在Z轴方向上升降。详细内容在后文进行叙述，该限制环41起到对外周缘剥离工序中的保护部件P的剥离量进行限制的作用。

限制环41的周围按照等角度间隔分成八个区域，在除了X轴方向里侧的一个区域以外的七个区域各配置一个把持单元42。即，七个把持单元42以晶片W的中心为中心按照规定的角度间隔进行配设。这里，如图1所示，将从与X轴方向里侧的区域相邻的区域起按照跳过一个的方式配置的四个把持单元42定义为第一剥离组G1(第一外周剥离单元)，将配置在构成第一剥离组G1的把持单元42之间的三个把持单元42定义为第二剥离组G2(第二外周剥离单元)。另外，为了便于说明，七个把持单元42全部用相同的标号表示。

把持单元42构成为包含：把持部43(第二把持部)，其对探出部E进行把持；水平移动部44，其使把持部43在保持单元2的保持面方向(水平方向)上移动；以及垂直移动部(下降部)，其使把持部43在与保持面21垂直的方向上移动(下降)。把持部43由对探出部E的下表面进行支承的下表面支承部45以及对探出部E的上表面进行支承的上表面支承部46构成。上表面支承部46与下表面支承部45对置配置。上表面支承部46例如构成为能够通过气缸而相对于下表面支承部45在Z轴方向上升降。通过利用上表面支承部46和下表面支承部45夹入探出部E，能够对探出部E进行把持。

下表面支承部45设置在侧视为L字状的移动块47的上端侧，能够通过未图示的垂直移动部(下降部)使上表面支承部46和下表面支承部45沿着移动块47进行升降。另外，水平移动部44利用电动机驱动的导向致动器使移动块47在水平方向(晶片W的径向)上移动。另外，垂直移动部和水平移动部44不限于电动机驱动的导向致动器，例如也可以由空气驱动的导向缸构成。

另外，在以往的剥离装置中，存在如下的剥离装置：在厚度方向上对从晶片的外周探出的树脂施加外力，从而在晶片的边缘与树脂之间形成局部的间隙，制作出将保护部件剥离时的开端。并且，按照对与该开端的部分对应的保护部件进行把持并翻转保护部件的方式进行动作，从而能够将保护部件从晶片剥离。但是，设想即使是这样的剥离装置，也会在晶片的外周部分残留树脂，无法将保护部件适当地剥离。在该情况下，在之后的磨削加工中，外周部分的厚度有可能变得不均匀。

因此，本申请发明人等构思了不在晶片的外周部分残留树脂而将保护部件适当地从晶片剥离。具体而言，在本实施方式中，利用外周剥离单元4将保护部件P的外周按照仅残留一部分的方式剥离，并利用整体剥离单元5对该保护部件P的一部分进行把持而沿着晶片W的面方向朝向相反侧的外周部拉拽，由此将保护部件整体从晶片W剥离。此时，对保护部件P的剥离进行引导的导向辊52(辊部52b)在膜F的下表面仅对Y方向的中央部分进行推压。

这样，使辊部52b的Y轴方向的长度形成为仅与膜F的中央部分接触的大小，由此，在利用整体剥离单元5将保护部件P整体剥离时，关于先利用外周剥离单元4进行了剥离的保护部件P的外周部分，不会由于辊部52b而妨碍其剥离。其结果是，能够防止在晶片W的外周部分产生剥离残留。即，能够不在晶片W的外周部分残留树脂R而将保护部件P适当地从晶片W剥离。

接着，参照图2至图7，对本实施方式的保护部件的剥离方法进行说明。图3是示出本实施方式的剥离装置的把持工序的一例的图。图3的(A)示出对保护部件进行把持前的状态，图3的(B)示出对保护部件进行了把持后的状态。图4是示出本实施方式的剥离装置的外周缘剥离工序的一例的图。图5是示出本实施方式的剥离装置的外侧剥离工序的一例的图。图6是示出本实施方式的剥离装置的整体剥离工序的一例的图。图6的(A)至图6的(D)示出整体剥离工序的动作迁移。图7是示出本实施方式的剥离方法的一系列的流程的俯视示意图。图7的(A)示出第一剥离组所进行的保护部件的外周剥离的情况，图7的(B)示出第二剥离组所进行的保护部件的外周剥离的情况，图7的(C)示出整体剥离单元所进行的保护部件的整体剥离的情况。另外，在图3至图5中，例示出第一剥离组所进行的剥离。

本实施方式的保护部件P的剥离方法经过如下的工序而实施：把持工序(参照图3)，对保护部件P的外周(探出部E)进行把持；外周缘剥离工序(参照图4)，将树脂的外周缘剥离；外侧剥离工序(参照图5)，将树脂和膜的外侧部分剥离；以及整体剥离工序(参照图6)，将保护部件整体剥离。

如图2所示，保持单元2按照使保护部件P朝向下方的方式对晶片W的上表面进行吸引保持。保持单元2按照使限制环41的中心与晶片W的中心一致的方式定位于外周剥离单元4的上方。此时，把持部43(上表面支承部46)的前端(径向内侧的端部)成为定位于比膜F的外周靠外侧的位置。

如图3所示，在把持工序中，在将限制环41定位于上升端的状态下，将晶片W载置在限制环41上。即，膜F的下表面与限制环41的上表面抵接，晶片W和保护部件P成为夹在限制环41与搬送垫20之间的状态。

并且，如图3的(A)所示，各把持部43通过水平移动部44进行移动，以便上表面支承部46和下表面支承部45的径向内侧的端部与膜F的外周部分在径向上重叠。另外，把持部50通过垂直移动部(未图示)调整高度，以便下表面支承部45的上表面与限制环41的上表面成为相同的高度。由此，膜F的外周部下表面与下表面支承部45的上表面抵接。

并且，如图3的(B)所示，使上表面支承部46下降，从而上表面支承部46的下表面与膜F的上表面抵接。由此，把持部43对膜F的外周缘(探出部E)进行把持。

接着，实施外周缘剥离工序。如图4所示，在外周缘剥离工序中，在把持部43对探出部E进行了把持的状态下，各把持部43朝向保持面方向(晶片W的径向外侧)移动。由此，保护部件P在从晶片W的外周缘向外侧远离的方向上被拉拽。其结果是，在从晶片W的外周探出的树脂R与晶片W的外周缘之间形成略微的间隙。

接着，实施外侧剥离工序。在如图4所示利用水平移动部44使把持部43向径向外侧(远离晶片W的外周的方向)移动之后，如图5所示，在外侧剥离工序中，使把持部43进一步向铅垂方向下方移动。即，把持部43向远离保持面21的方向移动。由此，树脂R和膜F的外周部分(探出部E)被向下方拉拽。其结果是，图4中已形成的树脂R与晶片W的外周缘之间的间隙被扩大，该间隙到达晶片W的外周部下表面。

此时，晶片W的下表面、即膜F的下表面被限制环41支承，因此上述间隙的扩大受到限制环41的外周缘限制。这样，利用限制环41对膜F的下表面的规定的范围进行支承，从而能够限制保护部件P的剥离量。综上，能够仅将保护部件P的外周的规定的范围从晶片W剥离。

另外，在图3至图5中，利用第一剥离组G1实施了把持工序、外周缘剥离工序、外侧剥离工序，由此如图7的(A)所示，能够按照规定的剥离量将保护部件P的外周的四个部位剥离。关于第二剥离组G2，也如图3至图5所示，通过实施把持工序、外周缘剥离工序、外侧剥离工序，能够按照规定的剥离量将位于四个剥离部位之间的三个部位剥离。其结果是，如图7的(B)所示，成为残留保护部件P的外周的一部分而将保护部件P从晶片W的外周剥离的状态。

接着，实施整体剥离工序。如图6所示，保持单元2将晶片W从外周剥离单元4搬送至整体剥离单元5。在整体剥离工序中，首先如图6的(A)所示，通过把持部50对在外周缘剥离工序中未剥离而残留的保护部件P的外周的一部分(探出部E)进行把持。此时，按照辊部52b位于晶片W的一端侧(把持部50所把持的侧)的方式对保持单元2进行定位。另外，辊部52b与膜F的下表面抵接，晶片W和保护部件P成为夹在搬送垫20与辊部52b之间的状态。

并且，使保持单元2向远离把持部50的方向移动，如图6的(B)所示，将在外周剥离工序中未剥离而残留的保持部件P的外周的一部分(探出部E)从晶片的外周缘剥离。接着，把持部50一边以从膜F的把持位置向后方错开的位置为支点进行旋转，一边向下方移动。其结果是，如图6的(C)所示，将把持部50附近的保护部件P从晶片W的外周剥离，保护部件P一边与辊部52b抵接(被辊部52b引导)一边弯曲成大致直角。

另外，如图6的(D)所示，一边调整把持部50的旋转角度和高度一边使把持部50朝向前方(即从晶片W的外周朝向以中央为基准的相反侧的外周)移动，并且使保持单元2也朝向后方移动。这样，使把持部50与晶片W沿着保持面21的面方向相对移动，由此能够将保护部件P的整体从晶片W剥离。

另外，如图7的(C)所示，在剥离的过程中，虽然保护部件P一边被辊部52b引导一边弯曲，但辊部52b仅对膜F的下表面中央部分进行推压，因此不会通过辊部52b将已剥离的保护部件P的外周部分推压至晶片W侧。因此，不会阻碍保护部件P的剥离。其结果是，能够不在晶片W的外周部分残留树脂R而将保护部件P适当地从晶片W剥离。

另外，剥离后的保护部件P通过层叠单元6(参照图1)层叠在垃圾箱9内。另外，在图6中，采用使把持部50朝向前方移动而将保护部件P剥离的结构，但不限于该结构。例如也可以是，不使把持部50向前方移动而是使其继续向下方移动，使保护部件P弯曲成直角而将整体剥离。

如上所述，根据本实施方式，通过外周剥离单元4在水平方向和垂直方向上对从晶片W的外周缘探出的探出部E进行拉拽。由此，在晶片W的外周，除了一部分以外，在树脂R与晶片W之间形成有间隙。并且，能够以该间隙为开端并利用整体剥离单元5将保护部件P从晶片W剥离。此时，保护部件P的中央部分被辊部52b推压，并且把持部50进行移动，因此能够防止在晶片W的外周部分产生剥离残留。即，能够不在晶片W的外周部分残留树脂而将保护部件P适当地从晶片W剥离。

例如在上述实施方式中，在图3所示的把持工序中，采用在将晶片W载置在限制环41上之后利用把持部43对探出部E进行把持的结构，但不限于该结构。例如也可以是在利用把持部43对探出部E进行了把持之后，使限制环41上升而使限制环41的上表面与膜F的下表面抵接。

另外，在上述实施方式中，采用将外周剥离单元4分成第一剥离组G1和第二剥离组G2而设置七个把持单元42的结构，但不限于该结构。把持单元42的个数可以适当变更。例如也可以构成为按照等角度间隔配置四个把持单元42，在保护部件P的外周对规定的四个部位进行了剥离之后，使晶片W与把持单元42以晶片W的中心为轴按照规定的角度(例如45度)相对旋转，将位于先进行了剥离的四个剥离部位之间的三个部位的保护部件P剥离。在该情况下，可以使搬送垫20绕中心轴旋转，也可以使四个把持单元42绕晶片W(或限制环41)的中心轴旋转。

这里，参照图8至图13，对变形例的剥离装置进行说明。图8是变形例的剥离装置的整体立体图。图9～图12是示出变形例的剥离装置的整体剥离工序的动作迁移图。图13是示出变形例的剥离装置的废弃工序的图。

如图8所示，对于变形例的剥离装置1，外周剥离单元4和整体剥离单元5的结构与本实施方式略有不同。具体而言，外周剥离单元4在基台40的上表面上设置有转台40a，在转台40a的上表面中央设置有限制环41。把持单元42按照夹着转台40a的中央(限制环41)而对置的方式设置有两个。转台40a能够利用由电动马达等构成的旋转单元40b而以转台40a的中心为轴进行旋转。由此，把持单元42构成为能够以载置在限制环41上的晶片W的中心为轴进行旋转。即，转台40a和旋转单元40b构成外周移动单元，使把持单元42通过以晶片W的中心为轴的旋转轴而沿着晶片W的外周旋转移动。

在这样构成的外周剥离单元4中，在利用两个把持单元42对规定的两个部位进行把持而将保护部件P的外周剥离之后，使转台40a旋转规定的角度，利用把持单元42对保护部件P的其他部位进行把持而剥离。重复多次这个过程，能够除了规定的部位以外将保护部件P的外周从晶片W剥离。

另外，变形例的整体剥离单元5是固定的，不能以臂53的延伸方向为轴进行旋转，这方面与本实施方式不同。另外，臂53和把持部50能够通过由电动机驱动的导向致动器构成的升降单元53a进行升降。升降单元53a设置在X轴工作台54上。

在这样构成的整体剥离单元5中，如图9所示，通过把持部50对在外周缘剥离工序中未剥离而残留的保护部件P的外周的一部分(探出部E)进行把持。此时，按照辊部52b位于晶片W的一端侧(把持部50所把持的侧)的方式对保持单元2进行定位。另外，辊部52b与膜F的下表面抵接，晶片W和保护部件P成为夹在搬送垫20与辊部52b之间的状态。

并且，使保持单元2向远离把持部50的方向略微移动，将残留的保护部件P的外周部分从晶片W略微剥离。然后，如图10所示，利用升降单元53a使把持部50向下方移动，并且使保持单元2在水平方向上移动，由此保护部件P被慢慢剥离。并且，如图11所示，当使把持部50进一步向下方移动，并使保持单元2移动至辊部52b即将越过晶片W的另一个端部时，将保护部件P整体从晶片W剥离。

如图12所示，在刚将保护部件P从晶片W剥离之后，在探出部E的一端被把持部50把持的状态下，保护部件P的另一端侧因自重而垂下。在该状态下把持部50通过升降单元53a上升，并且通过移动单元51(参照图8)在水平方向上移动，从而将把持部50定位于导轨70的附近。

如图13所示，当把持部50移动至导轨70的上端时，保护部件P的膜F侧与一对导轨70的倾斜面抵接。由此，保护部件P按照沿着一对导轨70的方式相对于铅垂方向略微倾斜。在保护部件P沿着一对导轨70的状态下，当一对爪部50a相互远离时，探出部E的把持被解除。

保护部件P因自重而沿着一对导轨70向斜下方倾斜落下，在垃圾箱9的上方，利用一对导轨80将其移动方向引导为水平方向，并落在垃圾箱9内。由此，将剥离后的保护部件P废弃在垃圾箱9内。

另外，在上述实施方式中，采用了如下的构成：在图4和图5所示的外周缘剥离工序、外侧剥离工序中，在使把持部43向水平方向(晶片W的径向外侧)移动之后，使其向垂直方向下方移动而阶段性地将保护部件P的外周剥离，但不限于此。也可以按照一系列的流程实施外周缘剥离工序和外侧剥离工序。例如也可以是，通过使把持部43旋转而使把持部43进行圆弧移动，按照一系列的流程实施向径向外侧的移动和向下方的移动，从而将保护部件P的外周剥离。

另外，在上述实施方式中，采用通过外周剥离单元4仅残留外周的一部分而将保护部件P剥离的结构，但不限于该结构。也可以是，利用外周剥离单元4将保护部件P的外周整体剥离。即，上述实施方式中，分为第一剥离组G1所进行的外周剥离、第二剥离组G2所进行的外周剥离以及整体剥离来实施，但只要在将外周部分剥离之后将整体剥离。由此，可以由第一剥离组G1、第二剥离组G2、整体剥离单元5各自的把持部43、50分别对探出部E进行把持，同时将外周部分剥离。

另外，在本实施方式中，对剥离装置单体的结构进行了说明，但不限于该结构。本发明例如可以应用于实施磨削、研磨、切削等各种加工的各种加工装置中。

另外，作为加工对象的工件，可以根据加工的种类例如使用半导体器件晶片、光器件晶片、封装基板、半导体基板、无机材料基板、氧化物晶片、生陶瓷基板、压电基板等各种工件。作为半导体器件晶片，可以使用形成器件后的硅晶片或化合物半导体晶片。作为光器件晶片，可以使用形成器件后的蓝宝石晶片或碳化硅晶片。另外，作为封装基板，可以使用CSP(Chip Size Package：芯片尺寸封装)基板，作为半导体基板，可以使用硅或砷化镓等，作为无机材料基板，可以使用蓝宝石、陶瓷、玻璃等。另外，作为氧化物晶片，可以使用形成器件后或形成器件前的钽酸锂、铌酸锂。

另外，在上述实施方式中，采用了将导轨70、80形成为具有圆形剖面的棒状的结构，但不限于该结构。导轨70、80例如可以由将金属板弯折而得的板状体形成。

另外，在上述实施方式中，作为对保护部件P的中央部分进行推压的辊，列举具有圆柱状的辊部52b的导向辊52为例进行了说明。在该情况下，在整体剥离工序时，膜F的下表面与辊部52b的圆筒面进行线接触或面接触，并且引导保护部件P的剥离。但是，不限于该结构，可以适当变更。辊只要对保护部件P的中央部分进行推压，则可以为任意结构，例如可以由具有球面的球状的辊构成。在该情况下，在整体剥离工序时，膜F的下表面与辊的球面进行点接触，并且引导保护部件P的剥离。

另外，对本发明的各实施方式进行了说明，但作为本发明的其他实施方式，也可以对上述实施方式和变形例进行整体或局部地组合。

另外，本发明的实施方式并不限于上述的各实施方式，也可以在不脱离本发明的技术思想的主旨的范围内进行各种变更、置换、变形。进而，如果因技术的进步或衍生出的其他技术而利用其他方法实现本发明的技术思想，则也可以使用该方法进行实施。因此，权利要求书覆盖了能够包含在本发明的技术思想的范围内的所有实施方式。

如以上所说明的那样，本发明具有能够不在晶片的外周部分残留树脂而将保护部件适当地从晶片剥离的效果，特别是在将粘贴在晶片的正面上的膜剥离的剥离装置中有用。

Claims (3)

1.一种剥离装置，其将在形成有使膜从晶片的外周缘探出而成的探出部的状态下借助树脂使该膜粘固在晶片的一个面上从而由该树脂和该膜构成的保护部件从晶片剥离，其中，

该剥离装置具有：

保持单元，其具有对晶片的另一个面进行吸引保持的保持面，其中，使该保护部件朝下从而该晶片的另一个面成为上表面；

外周剥离单元，其对该探出部进行把持，残留外周的一部分而将该保护部件的外周部分从晶片剥离；以及

整体剥离单元，其对残留的该外周的一部分的该探出部进行把持，从该保护部件的外周部分侧将该保护部件整体从晶片剥离，

该整体剥离单元具有：

第一把持部，其对未被该外周剥离单元剥离而残留的该外周的一部分的该探出部进行把持；

辊，其对未被该外周剥离单元剥离而粘固在晶片上的该保护部件的中央部分进行推压；以及

移动单元，其使该第一把持部与该保持单元在保持面方向上相对地移动，

一边利用该辊将该保持单元所保持的晶片的中央部分的该保护部件朝向晶片推压，一边将该保护部件从晶片完全剥离。

2.根据权利要求1所述的剥离装置，其中，

该外周剥离单元具有：

多个第一外周剥离单元，它们以晶片的中心为中心按照规定的角度间隔进行配设；以及

多个第二外周剥离单元，它们配设在该第一外周剥离单元之间，

该第一外周剥离单元和该第二外周剥离单元具有：

第二把持部，其对该探出部进行把持；

水平移动部，其使该第二把持部在该保持面方向上向远离晶片的外周的方向移动；以及

下降部，其使借助该水平移动部进行了移动的该第二把持部在与该保持面垂直的垂直方向上下降。

3.根据权利要求1所述的剥离装置，其中，

该外周剥离单元具有：

第二把持部，其对该探出部进行把持；

水平移动部，其使该第二把持部在该保持面方向上向远离晶片的外周的方向移动；

下降部，其使借助该水平移动部进行了移动的该第二把持部在与该保持面垂直的垂直方向上移动；以及

外周移动单元，其使该第二把持部、该水平移动部以及该下降部通过以晶片的中心为轴的旋转轴而沿着晶片的外周进行旋转移动。