KR102247143B1

KR102247143B1 - 접착 필름

Info

Publication number: KR102247143B1
Application number: KR1020150032357A
Authority: KR
Inventors: 히데키 오야마; 에이이치 하야시
Original assignee: 아지노모토 가부시키가이샤
Priority date: 2014-03-11
Filing date: 2015-03-09
Publication date: 2021-05-04
Also published as: TW201610067A; JP2015187260A; KR20150106352A; JP6492801B2; CN104910823B; CN104910823A; TWI653312B

Abstract

[과제] 투자율을 향상시킬 수 있고, 자성 손실을 저감시킬 수 있고, 또한 절연성의 신뢰성이 우수한 절연층을 형성할 수 있는 접착 필름.
[해결수단] 지지체와, 당해 지지체에 설치된 수지 조성물 층을 갖는 접착 필름으로서, 당해 수지 조성물 층이, 성분 (A) 열경화성 수지, 성분 (B) 자성 필러, 및 성분 (C) 무기 충전재를 함유하고, 상기 수지 조성물 층을 구성하는 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 하는 경우에, 성분 (B)의 함유량이 10체적% 이상이며, 또한 성분 (C)의 함유량을 성분 (B)의 함유량으로 나눈 값이 0.3 내지 3.0의 범위인, 접착 필름.

Description

접착 필름{ADHESIVE FILM}

본 발명은, 접착 필름, 배선판 및 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.

파워 인덕터, 고주파대역용 인덕터, 코몬 모드 초크 코일이라고 불리는 인덕터 소자가, 휴대 전화기, 스마트폰 등의 정보 단말에 많이 탑재되어 있다. 현재, 동작 신호의 주파수가 1GHz 이상, 특히 1GHz 내지 3GHz인 범위인 고주파대역용 인덕터 소자로서는, 예를 들면, 코어 부재에 코일을 감은 권선 구조, 코어 부재에 코일 도체를 적층한 적층 구조, 복수의 층상의 절연층 각각에 코일의 일부를 구성하는 배선층을 형성하고, 배선층이 형성된 절연층끼리를 각 배선층끼리가 전기적으로 접속되도록 적층하여 절연부의 두께 내로 코일이 만들어 넣어진 필름 구조가 알려져 있다.

고주파대역용 인덕터 소자에 있어서는, 특성으로서 높은 Q값이 요구되는 점에서 공심(空芯) 코일, 즉 심부(芯部)가 중공인, 또는 비자성체가 충전된 구조가 일반적으로 채용되고 있다. 그러나, 이러한 구조의 고주파대역용 인덕터 소자는 심부가 비자성이며 심부의 투자율(透磁率)(비(比)투자율)을 올리는 것이 불가능하기 때문에, 인덕터 소자를 보다 소형화하려고 하면, 고주파대역에서 동작시킨 경우에 인덕턴스(L값)가 저하되어 버린다는 결점이 있다.

특허문헌 1에는, (A) 카복실기를 갖는 지환식 올레핀 중합체, (B) 열경화제, (C) 자성체, 및 (D) 용제를 함유하는 열경화성 자성 슬러리를 사용하면, (C) 자성체의 분산성이 우수하고, 각 성분을 고농도로 함유할 수 있고, 전기 절연성, 고주파 특성, 투자율 등의 특성이 우수한 전기 절연층을 형성할 수 있는 것이 개시되어 있다.

국제공개 제2004/29153호

최근의 정보 단말의 가일층의 박형화, 소형화의 요구에 의해, 고주파대역용 인덕터 소자에도 박형화, 소형화가 요구되고 있다.

고주파대역용 인덕터 소자의 가일층의 박형화, 소형화를 위해서는, 코일의 권회 수를 감소시켜, 코일을 구성하는 배선의 단면적을 작게 할 필요가 있다. 코일의 권회 수를 감소시키고, 코일을 구성하는 배선의 단면적을 작게 하기 위해서는 상기 필름 구조의 고주파대역용 인덕터 소자가 유리하다. 그러나, 필름 구조의 고주파대역용 인덕터 소자에서는, 단순하게 코일의 권회 수를 감소시켜, 코일을 구성하는 배선의 단면적을 작게 하면 인덕턴스가 저하되어 버린다. 필름 구조의 고주파대역용 인덕터 소자에서는, 절연층의 투자율(μ')을 높일 수 있으면, 고주파대역용 인덕터 소자의 L값 및 Q값을 향상시킬 수 있다. 따라서, 절연층의 투자율을 보다 높게 할 수 있고, 또한 자성 손실(磁性損失)을 저감시킬 수 있는 재료가 요구되고 있다.

그러나, 상기 특허문헌 1에 따르는 열경화성 자성 슬러리를 사용하여 필름 구조의 인덕터 소자를 형성한 경우에는, 특히 주파수가 1GHz 내지 3GHz인 범위에서는 자성 손실(μ'')이 커져 버릴 우려가 있다. 따라서, 특허문헌 1이 개시하는 재료는, 고주파대역용 인덕터 소자의 절연층(절연부)의 재료로서 유용하다고 하기 어렵다.

본 발명자들은 상기와 같은 요구에 부응하기 위해 자성 필러를 함유하는 수지 조성물에 관해서 예의 검토를 진행한 결과, 수지 조성물이 자성 필러를 함유하고, 이러한 수지 조성물을 사용하여 절연층을 형성한 경우, 주파수가 1GHz 내지 3GHz인 범위에서 자성 손실이 커져 버리고, Q값이 저하되어 버리고, 또한 절연성의 신뢰성이 저하되어 버리는 문제점이 있다고 하는 지견을 수득하였다.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이다. 본 발명은, 주파수가 1GHz 내지 3GHz인 범위에서 투자율을 향상시킬 수 있고, 자성 손실을 저감시킬 수 있고, 또한 절연성의 신뢰성이 우수한 절연층을 형성할 수 있는 수지 조성물을 사용하는 접착 필름, 이러한 접착 필름을 사용하는 배선판 및 배선판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 하기〔1〕내지〔20〕을 제공한다.

〔1〕지지체와, 당해 지지체에 설치된 수지 조성물 층을 갖는 접착 필름으로서,

상기 수지 조성물 층이, 성분 (A) 열경화성 수지, 성분 (B) 자성 필러, 및 성분 (C) 무기 충전재를 함유하고,

상기 수지 조성물 층을 구성하는 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 하는 경우에, 성분 (B)의 함유량이 10체적% 이상이며, 또한 성분 (C)의 함유량을 성분 (B)의 함유량으로 나눈 값이 0.3 내지 3.0의 범위인, 접착 필름.

〔2〕성분 (A)가 에폭시 수지이며, 상기 수지 조성물이 페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로부터 선택되는 에폭시 수지 경화제를 추가로 함유하는,〔1〕에 기재된 접착 필름.

〔3〕에폭시 수지 경화제가 트리아진 골격 함유 크레졸계 경화제 및 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제로부터 선택되는,〔2〕에 기재된 접착 필름.

〔4〕상기 수지 조성물이 열가소성 수지를 추가로 함유하는,〔1〕내지〔3〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔5〕상기 수지 조성물 중, 성분 (B)의 함유량이 10체적% 내지 40체적%이며, 또한 성분 (C)의 함유량이 10체적% 내지 50체적%인,〔1〕내지〔4〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔6〕상기 수지 조성물 중, 성분 (B)와 성분 (C)의 함유량의 합계가 20체적% 내지 75체적%인,〔1〕내지〔5〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔7〕상기 수지 조성물 중, 성분 (B)의 함유량이 10체적% 내지 25체적%인,〔1〕내지〔6〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔8〕상기 수지 조성물 중, 성분 (B)의 함유량이 20체적% 내지 25체적%이며, 성분 (C)의 함유량이 10체적% 내지 25체적%이며, 또한 성분 (B)와 성분 (C)의 함유량의 합계가 30체적% 내지 50체적%인,〔1〕내지〔7〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔9〕상기 수지 조성물 중, 성분 (B)의 평균 입자 직경이 0.3㎛ 내지 10㎛인,〔1〕내지〔8〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔10〕성분 (C)의 평균 입자 직경이 0.01㎛ 내지 5㎛인,〔1〕내지〔9〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔11〕성분 (B)의 평균 입자 직경이 성분 (C)의 평균 입자 직경보다도 큰,〔1〕내지〔10〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔12〕성분 (C)가 실리카인,〔1〕내지〔11〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔13〕성분 (C)가 표면처리제로 처리되어 있는 실리카인,〔1〕내지〔12〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔14〕표면처리제가 아미노실란계 커플링제인,〔13〕에 기재된 접착 필름.

〔15〕경화체로 했을 때에, 주파수가 1GHz 내지 3GHz일 때의 투자율이 1.1이상이며, 또한 주파수가 1GHz 내지 3GHz일 때의 자성 손실이 0.5 이하인,〔1〕내지〔14〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔16〕경화체로 했을 때에, 주파수가 1GHz 내지 3GHz일 때의 투자율이 1.2이상이며, 또한 주파수가 1GHz 내지 3GHz일 때의 자성 손실이 0.3 이하인,〔1〕내지〔15〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔17〕인덕터 소자를 구비하는 배선판의 절연층의 형성에 사용되는,〔1〕내지〔16〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름.

〔18〕〔1〕내지〔16〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름의 수지 조성물 층의 경화체인 절연층과, 당해 절연층에 적어도 일부분이 매립된 코일상 도전성 구조체를 가지고 있으며,

상기 코일상 도전성 구조체와, 상기 절연층의 두께 방향으로 연장되고, 또한 상기 코일상 도전성 구조체로 둘러싸인 상기 절연층 중의 일부분에 의해 구성되는 인덕터 소자를 포함하는, 배선판.

〔19〕상기 인덕터 소자가 기능하는 주파수가 1GHz 이상인,〔18〕에 기재된 배선판.

〔20〕제1 절연층 및 제2 절연층을 포함하는 절연부와, 당해 절연부에 적어도 일부분이 매립된 코일상 도전성 구조체를 가지고 있으며, 당해 코일상 도전성 구조체와 상기 절연부 중의 일부분에 의해 구성되는 인덕터 소자를 포함하는 배선판의 제조 방법으로서,

〔1〕내지〔16〕중의 어느 하나에 기재된 접착 필름, 및 제1 배선층이 설치된 코어 기재를 준비하는 공정과,

상기 코어 기재에 상기 접착 필름의 수지 조성물 층을 라미네이트하는 공정과,

상기 수지 조성물 층을 열경화하여 제1 절연층을 형성하는 공정과,

상기 제1 절연층에 비아 홀을 형성하는 공정과,

상기 비아 홀이 형성된 상기 제1 절연층에 대해 조화(粗化) 처리하는 공정과,

상기 제1 절연층에 제2 배선층을 형성하고, 상기 제1 배선층과 상기 제2 배선층을 전기적으로 접속하는 비아 홀 내 배선을 형성하는 공정과,

상기 제2 배선층 및 상기 비아 홀 내 배선이 형성된 상기 제1 절연층에 추가로 상기 접착 필름을 라미네이트하고, 열경화하여 상기 제2 절연층을 형성하는 공정과,

상기 제1 배선층의 일부분과 상기 제2 배선층의 일부분과 상기 비아 홀 내 배선을 포함하는 코일상 도전성 구조체, 및 상기 절연부의 두께 방향으로 연장되고, 또한 상기 코일상 도전성 구조체로 둘러싸인 상기 절연부의 일부분을 포함하는 상기 인덕터 소자를 형성하는 공정을

포함하는, 배선판의 제조 방법.

본 발명의 접착 필름을 사용하면, 특히 주파수가 1GHz 내지 3GHz인 범위에서의 투자율을 향상시킬 수 있고, 자성 손실을 저감시킬 수 있고, 또한 절연성의 신뢰성이 우수한 절연층을 제공할 수 있고, 나아가서는 이러한 절연층을 포함하는 고성능의 고주파대역용 인덕터 소자가 만들어 넣어진 배선판을, 간편한 공정에 의해 제공할 수 있다.

[도 1] 도 1은 배선판을 이의 두께 방향의 한쪽에서 본 모식적인 평면도이다.
[도 2] 도 2는 II-II 일점 쇄선(一點鎖線)으로 나타낸 위치에서 절단한 배선판의 절단 단면을 도시하는 모식적인 도면이다.
[도 3] 도 3은 배선판 중 제1 배선층의 구성을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 관해서 설명한다. 또한, 각 도면은 발명을 이해할 수 있을 정도로, 구성 요소의 형상, 크기 및 배치가 개략적으로 도시되어 있는 것에 지나지 않는다. 본 발명은 이하의 기술에 의해 한정되는 것은 아니며, 각 구성 요소는 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에 있어서 적절히 변경 가능하다. 이하의 설명에서 사용하는 도면에 있어서, 같은 구성 요소에 관해서는 동일한 부호를 붙여 나타내고, 중복되는 설명에 관해서는 생략하는 경우가 있다. 또한, 본 발명의 실시형태에 따르는 구성은, 반드시 도시예의 배치에 의해, 제조되거나, 사용되거나 한다고는 한정하지 않는다.

우선 본 실시형태의 접착 필름에 사용되는 수지 조성물에 관해서 설명한다.

수지 조성물은, 성분 (A) 열경화성 수지, 성분 (B) 자성 필러, 및 성분 (C) 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물이며, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 하는 경우에, 성분 (B)의 함유량이 10체적% 이상이며, 또한 성분 (C)의 함유량을 성분 (B)의 함유량으로 나눈 값이 0.3 내지 3.0의 범위이다.

이하, 수지 조성물이 함유할 수 있는 성분에 관해서 구체적으로 설명한다.

(성분 (A))

수지 조성물은, 성분 (A)로서 열경화성 수지를 함유한다. 열경화성 수지의 예로서는 에폭시 수지를 들 수 있다.

-에폭시 수지-

에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀 에폭시 수지, 나프톨노볼락 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지 및 트리메틸올형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.

에폭시 수지는 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 하는 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 이 중에서도, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 한다.)와, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 한다.)를 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용함으로써, 우수한 가요성을 부여할 수 있다.

액상 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 2관능 지방족 에폭시 수지, 또는 나프탈렌형 에폭시 수지를 들 수 있고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 또는 나프탈렌형 에폭시 수지가 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조 「jER828EL」, 「jER1007」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER807」(비스페놀 F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지), 신닛테츠가가쿠(주) 제조 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품), 「YL7410」(2관능 지방족 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.

고체상 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 결정성 2관능 에폭시 수지, 4관능 나프탈렌형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지를 들 수 있다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조 「HP-4700」, 「HP-4710」(4관능 나프탈렌형 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「EXA7311」, 「EXA7311-G3」, 「HP-6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지), 니혼가야쿠(주) 제조「EPPN-502H」(트리스페놀에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨노볼락에폭시 수지), 「NC3000」, 「NC3000H」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛테츠가가쿠(주) 제조 「ESN475」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조 「YX4000H」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 결정성 2관능 에폭시 수지인 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다.

에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 이들의 양비(量比)(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.1 내지 1:4의 범위인 것이 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, 충분한 파단 강도를 갖는 경화체를 수득할 수 있는 등의 효과가 수득된다. 이러한 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.3 내지 1:3.5의 범위인 것이 보다 바람직하며, 1:0.6 내지 1:3의 범위인 것이 더욱 바람직하고, 1:0.8 내지 1:2.5의 범위인 것이 특히 바람직하다.

수지 조성물 중의 에폭시 수지의 불휘발 성분 환산에서의 함유량은, 20체적% 내지 60체적%인 것이 바람직하며, 22체적% 내지 55체적%인 것이 보다 바람직하며, 24체적% 내지 53체적%인 것이 더욱 바람직하고, 26체적% 내지 49체적%인 것이 특히 바람직하다.

에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 3000의 범위이며, 보다 바람직하게는 80 내지 2000의 범위이며, 더욱 바람직하게는 110 내지 1000의 범위이다. 이러한 범위로 함으로써, 가교 밀도가 충분한 경화체를 수득할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은 JIS K7236으로서 규격화된 방법에 따라 측정할 수 있다. 여기에서 에폭시 당량이란 1당량의 에폭시기를 함유하는 에폭시 수지의 질량이다.

(성분 (B))

-자성 필러-

수지 조성물은, 성분 (B)로서 자성 필러를 함유한다. 사용될 수 있는 자성 필러의 재료는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 순철 분말, Fe-Si계 합금 분말, Fe-Si-Al계 합금 분말, Fe-Ni계 합금 분말, Fe-Ni-Mo계 합금 분말, Fe-Ni-Mo-Cu계 합금 분말, Fe-Co계 합금 분말, Fe-Ni-Co계 합금 분말, Fe-Cr계 합금 분말, Fe-Cr-Si계 합금 분말, Fe-Ni-Cr계 합금 분말, 또는 Fe-Cr-Al계 합금 분말 등의 Fe 합금류, Fe기 비정질, Co기 비정질 등의 비정질 합금류, Mg-Zn계 페라이트, Mn-Zn계 페라이트, Mn-Mg계 페라이트, Cu-Zn계 페라이트, Mg-Mn-Sr계 페라이트, Ni-Zn계 페라이트 등의 스피넬형 페라이트류, Ba-Zn계 페라이트, Ba-Mg계 페라이트, Ba-Ni계 페라이트, Ba-Co계 페라이트, Ba-Ni-Co계 페라이트 등의 육방정형 페라이트류, Y계 페라이트 등의 가닛형 페라이트류를 들 수 있다.

자성 필러로서는, 시판 자성 필러를 사용할 수 있다. 사용될 수 있는 시판 자성 필러의 구체예로서는, 산요토쿠슈세코(주) 제조 「PST-S」, 엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF20F」, 「AW2-08PF10F」, 「AW2-08PF3F」, 「Fe-3.5Si-4.5CrPF20F」, 「Fe-50NiPF20F」, 「Fe-80Ni-4MoPF20F」, JFE케미칼(주) 제조 「LD-M」, 「LD-MH」, 「KNI-106」, 「KNI-106GSM」, 「KNI-106GS」, 「KNI-109」, 「KNI-109GSM」, 「KNI-109GS」, 토다고교(주) 제조 「KNS-415」, 「BSF-547」, 「BSF-029」, 「BSN-125」, 「BSN-714」, 「BSN-828」, 「S-1281」, 「S-1641」, 「S-1651」, 「S-1470」, 「S-1511」, 「S-2430」, 니혼쥬가가쿠고교(주) 제조 「JR09P2」, CIK나노텍(주) 제조 「Nanotek」, 킨세이마텍(주) 제조 「JEMK-S」, 「JEMK-H」, ALDRICH사 제조 「Yttrium iron oxide」를 들 수 있다. 자성 필러는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.

자성 필러의 평균 입자 직경은 0.3㎛ 내지 10㎛ 이하이며, 바람직하게는 0.3㎛ 내지 7㎛의 범위이며, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 내지 5㎛의 범위이다.

자성 필러의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 하는 경우에, 10체적% 이상이며, 10체적% 내지 40체적%가 바람직하며, 10체적% 내지 35체적%인 것이 보다 바람직하며, 15체적% 내지 30체적%인 것이 더욱 바람직하고, 15체적% 내지 25체적%인 것이 특히 바람직하다.

(성분 (C))

-무기 충전재-

수지 조성물은, 성분 (C)로서 무기 충전재를 함유한다. 무기 충전재는 통상 수지 조성물을 경화했을 때의 열팽창율을 저하시켜 열팽창율의 차이에 의한 크랙, 회로 변형 등의 불량의 발생을 억제하고, 용융 점도의 과도한 저하를 억제하기 위해서 사용된다. 또한 자성 필러를 사용하는 경우에는, 투자율 등의 특성의 향상을 우선시키는 관점에서 무기 충전재를 공존시키지는 않는 것이 통상적이다. 그러나, 수지 조성물 중, 또는 이러한 수지 조성물을 경화함으로써 형성되는 경화체(절연층) 중에 있어서 자성 필러의 응집을 방지하고, 수지 조성물을 경화체로 했을 때의 절연성의 신뢰성을 높이는 것을 목적으로 하여 무기 충전재가 사용될 수 있다.

무기 충전재로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 황산바륨, 활석, 점토, 운모 분말, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 붕산알루미늄, 티탄산바륨, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 지르콘산바륨, 및 지르콘산칼슘 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등의 실리카가 특히 적합하다. 또한 실리카로서는 구상 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 시판되고 있는 구상(용융) 실리카로서는, 예를 들면, 아도마텍스(주) 제조「SO-C1」, 「SO-C2」, 「SO-C4」, 「SO-C5」, 「SO-C6」을 들 수 있다.

무기 충전재의 평균 입자 직경은, 6㎛ 이상이면 수지 조성물의 유동성 및 성형성이 악화되고, 경화체로 했을 때의 고주파에서의 투자율 및 자성 손실, 및 초기 저항 값이 악화되어 버릴 우려가 있기 때문에, 수지 조성물의 유동성을 높이는 관점에서, 0.01㎛ 내지 5㎛의 범위인 것이 바람직하며, 0.05㎛ 내지 5㎛인 것이 보다 바람직하며, 0.05㎛ 내지 2.5㎛의 범위인 것이 더욱 바람직하고, 0.1㎛ 내지 1.5㎛의 범위인 것이 더욱 보다 바람직하며, 0.3㎛ 내지 1.0㎛의 범위인 것이 특히 바람직하다.

무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 이의 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 이 경우에는 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 측정 샘플을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치로서는, 호리바세사쿠쇼(주) 제조 「LA-500」등을 사용할 수 있다.

무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등의 1종 이상의 표면처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 표면처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「SZ-31」(헥사메틸디실라잔) 등을 들 수 있다.

표면처리제로 표면 처리된 무기 충전재는, 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에, 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 가하고, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 이어서, 상청액을 제거하고, 불휘발 성분(고형분)을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바세사쿠쇼(주) 제조 「EMIA-320V」등을 사용할 수 있다.

무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상인 것이 바람직하며, 0.1mg/㎡ 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.2mg/㎡ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 한편, 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 1mg/㎡ 이하인 것이 바람직하며, 0.8mg/㎡ 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.5mg/㎡ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

수지 조성물 중, 자성 필러인 성분 (B)와 무기 충전재인 성분 (C)의 함유량에 관해서는, 무기 충전재의 함유량을 자성 필러의 함유량으로 나눈 값(이하, 「무기 충전재(성분 (C))/자성 필러(성분 (B))」라고 표기하는 경우가 있다.)이, 0.3 내지 3.0의 범위가 된다. 무기 충전재/자성 필러는, 0.4 내지 2.7의 범위인 것이 바람직하며, 0.5 내지 2.5의 범위인 것이 보다 바람직하다.

수지 조성물 중, 자성 필러인 성분 (B)와 무기 충전재인 성분 (C)의 함유량의 합계가 20체적% 내지 75체적%인 것이 바람직하며, 20체적% 내지 65체적%인 것이 보다 바람직하며, 22체적% 내지 60체적%인 것이 더욱 바람직하고, 24체적% 내지 57체적%인 것이 더욱 보다 바람직하다.

수지 조성물 중, 경화체로 했을 때의 투자율 및 자성 손실을 양호한 범위에서 양립시키는 관점에서, 성분 (B)의 함유량이 20체적% 내지 25체적%이며, 성분 (C)의 함유량이 10체적% 내지 25체적%이며, 또한 성분 (B)와 성분 (C)의 함유량의 합계가 30체적% 내지 50체적%인 것이 바람직하다.

자성 필러의 평균 입자 직경은 무기 충전재의 평균 입자 직경보다도 큰 것이 바람직하다.

자성 필러 및 무기 충전재의 함유량의 비율을 상기와 같이 하고, 자성 필러의 평균 입자 직경을 무기 충전재의 평균 입자 직경보다도 크게 하면, 자성 필러 입자의 주위를 둘러싸도록 무기 충전재를 효과적으로 배치할 수 있다. 이것에 의해, 자성 필러 입자끼리가 응집되어 서로 접촉해 버리는 것을 방지하고, 자성 필러 입자끼리를 서로 이간시킬 수 있기 때문에, 배합된 자성 필러에 의해 투자율을 높이면서 양호한 절연성을 실현할 수 있다.

결과적으로, 본 실시형태의 수지 조성물을 경화체로 했을 때에, 주파수가 1GHz 내지 3GHz일 때의 투자율을 1.1 이상으로 할 수 있고, 또한 1.2 이상으로 할 수 있고, 또한 주파수가 1GHz 내지 3GHz일 때의 자성 손실을 0.5 이하로 할 수 있고, 또한 0.3 이하로 할 수 있다.

(기타 성분)

수지 조성물은, 기타 성분으로서 수지 조성물을 경화시키기 위한 경화제를 함유하고, 또한 필요에 따라, 수지 조성물 또는 이의 경화체의 특성을 조정하는 것을 목적으로 하는 성분을 함유하고 있어도 좋다. 기타 성분으로서는, 예를 들면, 열가소성 수지, 경화 촉진제, 난연제, 유기 충전재를 들 수 있고, 또한 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물, 및 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 및 착색제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다. 이하, 이들 중 경화제, 열가소성 수지, 경화 촉진제, 난연제, 유기 충전재에 관해서 설명한다.

-경화제-

경화제로서는, 열경화성 수지인 성분 (A)를 경화하는 기능을 갖는 한 특별히 한정되지 않는다. 성분 (A)가 에폭시 수지인 경우에는, 경화제는 에폭시 수지 경화제이다. 에폭시 수지 경화제로서는, 예를 들면, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 및 시아네이트에스테르계 경화제를 들 수 있다. 에폭시 수지 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. 절연성의 신뢰성 및 내열성의 관점에서, 경화제로서는, 페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제가 바람직하며, 페놀계 경화제가 보다 바람직하다.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 예를 들면, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제, 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제, 질소 함유 페놀계 경화제, 트리아진 골격 함유 크레졸계 경화제, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제를 들 수 있다. 난연성 및 반응성의 관점에서, 페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 트리아진 골격 함유 크레졸계 경화제 및 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 바람직하며, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 바람직하다.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 메이와가세이(주) 제조 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 니혼가야쿠(주) 제조「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 토토가세이(주) 제조 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN375」, 「SN395」, DIC(주) 제조 「LA7052」, 「LA7054」, 「LA3018」등을 들 수 있다.

활성 에스테르계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 당해 활성 에스테르계 경화제로서는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 수득되는 경화제가 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하며, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들면, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플루오로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형의 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다.

활성 에스테르계 경화제로서는, 구체적으로는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 축합 구조를 함유하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 함유하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 함유하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 함유하는 활성 에스테르 화합물을 들 수 있다.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 예를 들면, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 축합 구조를 함유하는 활성 에스테르 화합물로서, DIC(주) 제조 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 나프탈렌 구조를 함유하는 활성 에스테르 화합물로서 DIC(주) 제조 「EXB9416-70BK」, 페놀노볼락의 아세틸화물을 함유하는 활성 에스테르 화합물로서 미쯔비시가가쿠(주) 제조 「DC808」, 페놀노볼락의 벤조일화물을 함유하는 활성 에스테르 화합물로서 미쯔비시가가쿠(주) 제조 「YLH1026」등을 들 수 있다.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 쇼와코훈시(주) 제조「HFB2006M」, 시코쿠가세이고교(주) 제조 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자재팬(주) 제조「PT30」및 「PT60」(모두 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.

에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제의 양비는, [에폭시 수지의 에폭시기의 합계수]:[에폭시 수지 경화제의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.2 내지 1:2의 범위인 것이 바람직하며, 1:0.3 내지 1:1.5의 범위인 것이 보다 바람직하며, 1:0.4 내지 1:1의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 여기에서, 에폭시 수지 경화제의 반응기란, 활성 수산기, 활성 에스테르기 등이며, 경화제의 종류에 따라 상이하다. 또한, 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수란, 각 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 관해서 합계한 값이며, 에폭시 수지 경화제의 반응기의 합계수란, 각 에폭시 수지 경화제의 불휘발 성분의 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지 경화제에 관해서 합계한 값이다. 에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제의 양비를 이러한 범위 내로 함으로써, 경화체로 했을 때의 내열성이 보다 향상된다.

에폭시 수지 경화제의 함유량에 관해서는, 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수와, 에폭시 수지 경화제의 반응기의 합계수의 비가, 바람직하게는 1:0.2 내지 1:2의 범위이며, 보다 바람직하게는 1:0.3 내지 1:1.5의 범위이며, 더욱 바람직하게는 1:0.4 내지 1:1의 범위이다.

수지 조성물은, 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 혼합물(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지의 질량비는 1:0.1 내지 1:4의 범위인 것이 바람직하며, 1:0.3 내지 1:3.5의 범위인 것이 보다 바람직하며, 1:0.6 내지 1:3의 범위인 것이 더욱 바람직하고, 1:0.8 내지 1:2.5의 범위가 특히 바람직하다)을, 에폭시 수지 경화제로서 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트에스테르계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상(바람직하게는 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상, 보다 바람직하게는 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지, 나프톨계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상, 더욱 바람직하게는 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지를 함유하는 에폭시 수지 경화제)을, 각각 함유하는 것이 바람직하다.

-열가소성 수지-

열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르설폰 수지, 및 폴리설폰 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.

열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 8000 내지 70000의 범위인 것이 바람직하며, 10000 내지 60000의 범위인 것이 보다 바람직하며, 20000 내지 60000의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 시마즈세사쿠쇼(주) 제조「LC-9A/RID-6A」를, 칼럼으로서 쇼와덴코(주) 제조「Shodex K-800P/K-804L/K-804L」을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 칼럼 온도를 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.

페녹시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세트페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미쯔비시가가쿠(주) 제조 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지), 및 「YX6954」(비스페놀아세트페논 골격 함유 페녹시 수지)를 들 수 있고, 그 밖에도, 토토가세이(주) 제조 「FX280」 및 「FX293」, 미쯔비시가가쿠(주) 제조 「YL7553」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」 및 「YL7482」등을 들 수 있다.

아크릴 수지로서는, 열팽창율 및 탄성율을 보다 저하시키는 관점에서, 관능기 함유 아크릴 수지가 바람직하며, 유리 전이 온도가 25℃ 이하인 에폭시기 함유 아크릴 수지가 보다 바람직하다.

관능기 함유 아크릴 수지의 수 평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 10000 내지 1000000이며, 보다 바람직하게는 30000 내지 900000이다.

관능기 함유 아크릴 수지의 관능기 당량은, 바람직하게는 1000 내지 50000이며, 보다 바람직하게는 2500 내지 30000이다.

유리 전이 온도가 25℃ 이하인 에폭시기 함유 아크릴 수지로서는, 유리 전이 온도가 25℃ 이하인 에폭시기 함유 아크릴산에스테르 공중합체 수지가 바람직하며, 이의 구체예로서는, 나가세켐텍스(주) 제조 「SG-80H」(에폭시기 함유 아크릴산에스테르 공중합체 수지(수 평균 분자량(Mn): 350000g/mol, 에폭시값 0.07eq/kg, 유리 전이 온도 11℃)), 나가세켐텍스(주) 제조 「SG-P3」(에폭시기 함유 아크릴산에스테르 공중합체 수지(수 평균 분자량(Mn): 850000g/mol, 에폭시값 0.21eq/kg, 유리 전이 온도 12℃))를 들 수 있다.

폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 덴키가가쿠고교(주) 제조의 덴카부티랄「4000-2」, 「5000-A」, 「6000-C」, 「6000-EP」, 세키스이가가쿠고교(주) 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈, 「KS-1」등의 KS 시리즈, BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신니혼리카(주) 제조「리카코트 SN20」 및 「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜 수득되는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재되어 있는 폴리이미드 수지), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재되어 있는 폴리이미드 수지) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.

폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요호세키(주) 제조「바이로맥스 HR11NN」 및 「바이로맥스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드인 히타치가세이고교(주) 제조 「KS9100」, 「KS9300」등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.

폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모가가쿠(주) 제조 「PES5003P」등을 들 수 있다.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이어드밴스트폴리머즈(주) 제조 「P1700」, 「P3500」등을 들 수 있다.

수지 조성물 중의 열가소성 수지의 함유량은, 0.1질량% 내지 20질량%인 것이 바람직하다. 열가소성 수지의 함유량을 이러한 범위 내로 함으로써, 수지 조성물의 점도가 적당해져, 두께나 벌크 성상이 균일한 수지 조성물 층을 형성할 수 있다.

-경화 촉진제-

경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제 등을 들 수 있다.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있다.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있다.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸(2E4MZ), 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리메리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리메리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있다.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있다.

경화 촉진제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 수지 조성물 중의 경화 촉진제의 함유량은, 에폭시 수지와 에폭시 수지 경화제의 불휘발 성분의 합계량을 100질량%로 했을 때, 0.05질량% 내지 3질량%의 범위 내에서 사용하는 것이 바람직하다.

-난연제-

난연제로서는, 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 사용할 수 있는 난연제의 예로서는 산코(주) 제조 「HCA-HQ-HST」를 들 수 있다. 난연제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. 수지 조성물 층 중의 난연제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 0.5질량% 내지 10질량%의 범위인 것이 바람직하며, 1질량% 내지 9질량%의 범위인 것이 보다 바람직하며, 1.5질량% 내지 8질량%의 범위인 것이 더욱 바람직하다.

-유기 충전재-

수지 조성물은, 도금 공정에 의해 형성되는 층과의 밀착성을 향상시키는 관점에서 유기 충전재를 함유하는 것이 바람직하다. 유기 충전재의 예로서는, 고무 입자를 들 수 있다. 유기 충전재인 고무 입자로서는, 예를 들면, 후술하는 유기 용제에 용해되지 않고, 후술하는 에폭시 수지, 경화제, 및 열가소성 수지 등과도 상용되지 않는 고무 입자가 사용된다. 이러한 고무 입자는, 일반적으로는, 고무 입자의 성분의 분자량을 유기 용제, 수지에 용해되지 않을 정도까지 크게 하여, 입자상으로 함으로써 조제된다.

유기 충전재인 고무 입자로서는, 예를 들면, 코어 쉘형 고무 입자, 가교 아크릴로니트릴부타디엔 고무 입자, 가교 스티렌부타디엔 고무 입자, 아크릴 고무 입자 등을 들 수 있다. 코어 쉘형 고무 입자는, 코어층과 쉘층을 갖는 고무 입자이며, 예를 들면, 외층의 쉘층이 유리상 중합체로 구성되고, 내층의 코어층이 고무상 중합체로 구성되는 2층 구조, 또는 외층의 쉘층이 유리상 중합체로 구성되고, 중간층이 고무상 중합체로 구성되고, 내층의 코어층이 유리상 중합체로 구성되는 3층 구조의 고무 입자 등을 들 수 있다. 유리상 중합체층은, 예를 들면, 메틸메타크릴레이트 중합물 등으로 구성되고, 고무상 중합체층은, 예를 들면, 부틸아크릴레이트 중합물(부틸 고무) 등으로 구성된다. 사용할 수 있는 고무 입자의 예로서는 간츠(주) 제조 「스타필로이드 AC3816N」을 들 수 있다. 고무 입자는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.

유기 충전재인 고무 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.005㎛ 내지 1㎛의 범위이며, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위이다. 고무 입자의 평균 입자 직경은, 동적 광산란법을 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 적당한 유기 용제에 고무 입자를 초음파 등에 의해 균일하게 분산시켜, 농후계 입자 직경 애널라이저(오츠카덴시(주) 제조 「FPAR-1000」)를 사용하여, 고무 입자의 입도 분포를 질량 기준으로 작성하고, 이의 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다.

본 실시형태의 수지 조성물은, 절연층 형성시의 유동성이 우수하고, 절연층(경화체)으로 했을 때의 배선층의 봉지성(封止性)이 우수하다. 또한 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성된 절연층을 형성하면, 주파수가 1GHz 이상인 고주파대(기가헤르츠대), 특히 1GHz 내지 3GHz인 범위에 있어서의 투자율을 향상시키고, 또한 자성 손실을 억제할 수 있다.

본 실시형태의 수지 조성물을 사용하여 형성된 절연층은, 절연성의 신뢰성이 우수하다. 절연성의 신뢰성은, 예를 들면 130℃, 상대 습도 85%의 조건의 분위기 중에 100시간 방치 후(HAST 100시간 후)의 절연 저항 값의 저하를 지표로 하여 평가할 수 있다. 구체적으로는 HAST 100시간 후의 절연층의 절연 저항 값이 1.0×10⁶Ω을 초과하는 값인 경우에 절연성의 신뢰성이 우수하다고 평가할 수 있다.

따라서, 본 실시형태의 수지 조성물은, 절연층(복수층의 절연층이 적층된 절연부)의 두께 내에 코일이 만들어 넣어진 소위 필름 구조의 인덕터 소자를 구비하는 배선판의 절연층 재료로서 적합하게 사용할 수 있다.

다음에 본 실시형태의 수지 조성물을 사용한 접착 필름 및 이의 제조 공정에 관해서 설명한다.

(접착 필름)

접착 필름은, 유기 지지체와, 이러한 유기 지지체의 한쪽 주면(主面)에 설치된 수지 조성물 층을 포함하고 있다.

(유기 지지체)

유기 지지체의 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다.

유기 지지체로서는, 유리 전이 온도(Tg)가 높은 유기 지지체를 사용하는 것이 적합하다. 유기 지지체의 유리 전이 온도는, 100℃ 이상인 것이 바람직하다.

유리 전이 온도가 100℃ 이상인 유기 지지체의 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 내열성의 관점에서 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리이미드가 바람직하다.

상기의 재료를 함유하는 유기 지지체에는, 후술하는 수지 조성물 층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리가 가해져 있어도 좋다.

또한, 유기 지지체로서는, 수지 조성물 층이 접합하는 측, 즉 수지 조성물이 도포되는 측에 이형층을 갖는 「이형층 부착 유기 지지체」를 사용해도 좋다(이하, 이형층 부착 유기 지지체를 단순히 유기 지지체라고 하는 경우가 있다.). 이형층 부착 유기 지지체의 이형층의 형성에 사용되는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층은, 예를 들면, 이형제를 함유하는 용액을 유기 지지체의 표면에 도포하고 건조시킴으로써 형성할 수 있다.

이형층 부착 유기 지지체로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍(주) 제조「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」등을 들 수 있다.

유기 지지체의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하며, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하며, 12.5㎛ 내지 55㎛의 범위가 더욱 바람직하다. 또한, 이형층 부착 유기 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 유기 지지체의 전체 두께가 상기의 범위 내인 것이 바람직하다.

(수지 조성물 층)

수지 조성물 층의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 수지 조성물 층은, 두께가 0.5㎛ 내지 80㎛인 것이 바람직하며, 10㎛ 내지 60㎛인 것이 보다 바람직하다.

(접착 필름의 형성 공정)

수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물은, 이미 설명한 상기 성분을 적절히 혼합하고, 또한, 필요에 따라 혼련 수단(3개 롤, 볼 밀, 비드 밀, 샌드 밀 등) 또는 교반 수단(수퍼 믹서, 플라네터리 믹서 등)에 의해 혼련 또는 혼합함으로써 조제할 수 있다.

수지 조성물 층을 갖는 접착 필름의 제조 방법은, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니쉬를 조제하고, 이러한 수지 바니쉬를, 다이코터 등을 사용하여 유기 지지체에 도포하고, 도포된 수지 바니쉬의 도포막을 건조시킴으로써 제작할 수 있다.

수지 바니쉬를 조제할 때에 사용되는 유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 사이클로헥산온 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.

수지 조성물 층의 형성에 있어서의 수지 바니쉬로 이루어지는 도포막의 건조 처리는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 임의 적합한 건조 방법에 의해 실시할 수 있다. 이러한 건조 처리에 의해 도포막은 수지 조성물 층이 된다.

이 건조 처리의 건조 조건은, 수지 조성물, 수지 바니쉬가 함유하는 유기 용제의 비점 등을 감안하여 임의 적합한 조건으로 하면 좋다. 건조 조건은, 예를 들면, 80℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 15분간 정도로 하면 좋다.

접착 필름의 형성 공정은, 유기 지지체인 장척(長尺)의 지지체를 사용하여, 롤 투 롤 방식으로 실시하는 것이 바람직하며, 배치 방식으로 실시해도 좋다.

롤 투 롤 방식에 의한 접착 필름의 형성 공정은, 구체적으로는 권출 롤 및 권취 롤을 포함하는 적어도 2개의 롤 사이에 걸쳐진 장척의 유기 지지체를 연속적으로 반송하면서, 권출 롤 및 권취 롤 사이에 노출되는 지지체의 한쪽 주면에 수지 조성물을 도포하여 도포막을 형성하고, 수득된 도포막을 연속적으로 건조 처리하여 수지 조성물 층으로 함으로써 실시할 수 있다.

이와 같이 하여, 유기 지지체에 수지 조성물 층이 설치된 접착 필름을 준비할 수 있다.

준비된 접착 필름을 일단 저장하는 경우에는, 수지 조성물 층의 유기 지지체와 접합하고 있지 않은 측의 노출면(즉, 유기 지지체와는 반대측의 면)에 접합하는 보호 필름을 추가로 설치하는 것이 바람직하다. 이러한 보호 필름은, 수지 조성물 층으로의 먼지 등의 부착이나 흠집의 방지에 기여한다. 보호 필름으로서는, 예를 들면, 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름 등을 사용할 수 있다. 또한 유기 지지체의 재료와 동일한 재료로 이루어지는 필름을 사용할 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름의 두께는 유기 지지체의 두께보다도 얇은 것이 바람직하다.

접착 필름으로의 보호 필름의 첩합(貼合)은, 종래 공지의 라미네이터 장치를 사용하여 실시할 수 있다.

이미 설명한 접착 필름을 사용하여 제조되는 본 실시형태에 따르는 배선판 및 이의 제조 방법에 관해서 설명한다.

〔배선판〕

배선판의 구성예에 관해서, 도 1, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1은, 배선판을 이의 두께 방향의 한쪽에서부터 본 모식적인 평면도이다. 도 2는, II-II 일점 쇄선으로 나타낸 위치에서 절단한 배선판의 절단 단면을 도시하는 모식적인 도면이다. 도 3은, 배선판 중의 제1 배선층의 구성을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.

배선판은, 수지 조성물(수지 조성물 층)의 경화체인 절연층과, 이러한 절연층에 적어도 일부분이 매립된 코일상 도전성 구조체를 가지며 있으며, 이러한 코일상 도전성 구조체와, 절연층의 두께 방향으로 연장되고, 또한 코일상 도전성 구조체로 둘러싸인 절연층 중의 일부분에 의해 구성되는 인덕터 소자를 함유하고 있다.

본 실시형태의 배선판이 구비하는 인덕터 소자가 기능할 수 있는 주파수는 1GHz 이상인 것이 상정(想定)되어 있다. 이러한 인덕터 소자가 기능할 수 있는 주파수는 1GHz 내지 3GHz인 것이 바람직하다.

도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이, 배선판(10)은 소위 빌드업 절연층을 갖는 빌드업 배선판이다. 배선판(10)은 코어 기재(20)를 구비하고 있다. 코어 기재(20)는 서로 대향(對向)하는 제1 주표면(主表面)(20a) 및 제2 주표면(20b)을 가지고 있다. 코어 기재(20)는 절연성의 기판이다. 코어 기재(20)는, 이의 두께 내에 배선 등이 만들어 넣어진 소위 내층 회로 기판이라도 좋다.

코어 기재(20)의 재료의 예로서는, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 절연성 기재를 들 수 있다.

코어 기재(20)는, 제1 주표면(20a)에 설치되는 제1 배선층(42)과, 제2 주표면(20b)에 설치되는 외부 단자(24)를 가지고 있다. 제1 배선층(42) 및 제2 배선층(44)은, 복수의 배선을 포함하고 있다. 도시예에서는 인덕터 소자의 코일상 도전성 구조체(40)를 구성하는 배선만이 도시되어 있다. 외부 단자(24)는 도시되어 있지 않은 외부의 장치 등과 전기적으로 접속하기 위한 단자이다. 외부 단자(24)는 제2 주표면(20b)에 설치되는 배선층의 일부로서 구성할 수 있다.

제1 배선층(42), 제2 배선층(44), 외부 단자(24), 그 밖의 배선을 구성할 수 있는 도체 재료로서는, 예를 들면, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 들 수 있다. 제1 배선층(42), 제2 배선층(44), 외부 단자(24), 그 밖의 배선은, 단금속에 의해 구성되어 있어도 합금에 의해 구성되어 있어도 좋고, 합금으로서는, 예를 들면, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈크롬 합금, 구리니켈 합금 및 구리티탄 합금)을 들 수 있다. 이 중에서도, 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리, 또는 니켈크롬 합금, 구리니켈 합금, 구리티탄 합금을 사용하는 것이 바람직하며, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리, 또는 니켈크롬 합금을 사용하는 것이 보다 바람직하며, 구리를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.

제1 배선층(42), 제2 배선층(44), 외부 단자(24), 그 밖의 배선은, 단층 구조라도, 상이한 종류의 금속 또는 합금으로 이루어지는 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 제1 배선층(42), 제2 배선층(44), 외부 단자(24), 그 밖의 배선이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은, 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.

제1 배선층(42), 제2 배선층(44), 외부 단자(24), 그 밖의 배선의 두께는, 원하는 다층 프린트 배선판의 디자인에 따라 다르지만, 일반적으로 3㎛ 내지 35㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛이다.

코어 기재(20)가 갖는 제1 배선층(42) 및 외부 단자(24)의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 제1 배선층(42) 및 외부 단자(24)의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 70㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 60㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 40㎛ 이하, 특히 바람직하게는 30㎛ 이하, 20㎛ 이하, 15㎛ 이하 또는 10㎛ 이하이다. 외부 단자(24)의 두께의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이상이다.

제1 배선층(42) 및 외부 단자(24)의 라인(L)/스페이스(S) 비는 특별히 제한되지 않지만, 표면의 요철(凹凸)을 감소시켜 평활성이 우수한 절연층을 수득하는 관점에서, 통상, 900/900㎛ 이하, 바람직하게는 700/700㎛ 이하, 보다 바람직하게는 500/500㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 300/300㎛ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 200/200㎛ 이하이다. 라인/스페이스 비의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 스페이스로의 수지 조성물의 매립을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 1/1㎛ 이상이다.

코어 기재(20)로서는, 예를 들면, 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장(銅張) 적층판인 파나소닉(주) 제조「R1515A」를 사용하고, 구리층을 패터닝함으로써 배선층으로 한 배선판을 들 수 있다.

코어 기재(20)는 제1 주표면(20a)으로부터 제2 주표면(20b)에 이르도록 코어 기재(20)를 관통하는 복수의 스루홀(22)을 가지고 있다. 스루홀(22)에는 스루홀 내 배선(22a)이 설치되어 있다. 스루홀 내 배선(22a)은 제1 배선층(42)과 외부 단자(24)를 전기적으로 접속하고 있다.

도 3에 도시되는 바와 같이, 제1 배선층(42)은 코일상 도전성 구조체(40)를 구성하기 위한 소용돌이상의 배선부와, 스루홀 내 배선(22a)과 전기적으로 접속되는 직사각 형상의 랜드(42a)를 포함하고 있다. 도시예에서는 소용돌이상의 배선부는 직선상부와 직각으로 굴곡되는 굴곡부와 랜드(42a)를 우회하는 우회부를 포함하고 있다. 도시예에서는 제1 배선층(42)의 소용돌이상의 배선부는 전체의 윤곽이 대략 직사각 형상이며, 중심측에서 이의 외측을 향함에 있어서 반시계 방향으로 감고 있는 형상을 가지고 있다.

제1 배선층(42)이 설치된 코어 기재(20)의 제1 주표면(20a) 측에는 제1 배선층(42) 및 제1 배선층(42)으로부터 노출되는 제1 주표면(20a)을 피복하도록 제1 절연층(32)이 설치되어 있다.

제1 절연층(32)은, 이미 설명한 접착 필름에 유래하는 층이기 때문에, 제1 배선층(42)의 봉지성이 우수하다. 또한 제1 절연층(32)은, 상기 접착 필름을 사용하여 형성되기 때문에, 주파수가 1GHz 이상인 고주파대(기가헤르츠대), 특히 1GHz 내지 3GHz인 범위에 있어서의 투자율이 향상되고 있고, 또한 자성 손실이 억제되어 있다.

제1 절연층(32)에는, 제1 절연층(32)을 이의 두께 방향으로 관통하는 비아 홀(36)이 형성되어 있다.

제1 절연층(32)에는 제2 배선층(44)이 설치되어 있다. 제2 배선층(44)은 코일상 도전성 구조체(40)를 구성하기 위한 소용돌이상의 배선부를 포함하고 있다. 도시예에서는 소용돌이상의 배선부는 직선상부와 직각으로 굴곡되는 굴곡부를 포함하고 있다. 도시예에서는 제2 배선층(44)의 소용돌이상의 배선부는 전체의 윤곽이 대략 직사각 형상이며, 중심측에서 이의 외측을 향함에 있어서 시계 방향으로 감고 있는 형상을 가지고 있다.

비아 홀(36) 내에는 비아 홀 내 배선(36a)이 설치되어 있다. 제2 배선층(44)의 소용돌이상의 배선부 중의 중심측의 일단은 비아 홀 내 배선(36a)에 의해 제1 배선층(42)의 소용돌이상의 배선부 중의 중심측의 일단에 전기적으로 접속되어 있다. 제2 배선층(44)의 소용돌이상의 배선부 중 외주측의 타단(他端)은 비아 홀 내 배선(36a)에 의해 제1 배선층(42)의 랜드(42a)에 전기적으로 접속되어 있다. 따라서 제2 배선층(44)의 소용돌이상의 배선부 중 외주측의 타단은 비아 홀 내 배선(36a), 랜드(42a), 스루홀 내 배선(22a)을 거쳐 외부 단자(24)에 전기적으로 접속되어 있다.

코일상 도전성 구조체(40)는, 제1 배선층(42)의 일부분인 소용돌이상의 배선부, 제2 배선층(44)의 일부분인 소용돌이상의 배선부, 제1 배선층(42)의 소용돌이상의 배선부와 제2 배선층(44)의 소용돌이상의 배선부를 전기적으로 접속하고 있는 비아 홀 내 배선(36a)에 의해 구성되어 있다.

제2 배선층(44)이 설치된 제1 절연층(32)에는 제2 배선층(44) 및 제2 배선층(44)으로부터 노출되는 제1 절연층(32)을 피복하도록 제2 절연층(34)이 설치되어 있다.

제2 절연층(34)은 제1 절연층(32)과 같이 이미 설명한 접착 필름에 유래하는 층이며, 접착 필름의 수지 조성물 층은 절연층 형성시의 유동성이 우수하기 때문에, 제2 배선층(44)의 봉지성이 우수하다. 또한 제2 절연층(34)은 상기 접착 필름을 사용하여 형성되기 때문에, 주파수가 1GHz 이상인 고주파대, 특히 1GHz 내지 3GHz인 범위에 있어서의 투자율이 향상되고 있고, 또한 자성 손실이 억제되어 있다.

제1 절연층(32) 및 제2 절연층(34)은 일체적인 절연층으로서 볼 수 있는 절연부(30)를 구성하고 있다. 따라서 코일상 도전성 구조체(40)는, 절연부(30)에 적어도 일부분이 매립되도록 설치되어 있다. 즉, 본 실시형태의 배선판(10)에 있어서, 인덕터 소자는 코일상 도전성 구조체(40)와, 절연부(30)의 두께 방향으로 연장되고, 또한 코일상 도전성 구조체(40)로 둘러싸인 절연부(30) 중 일부분인 심부에 의해 구성되어 있다.

본 실시형태에서는, 코일상 도전성 구조체(40)가, 제1 배선층(42) 및 제2 배선층(44)의 2층의 배선층을 포함하는 예를 설명했지만, 3층 이상의 배선층(및 3층 이상의 빌드업 절연층)에 의해 코일상 도전성 구조체(40)를 구성할 수도 있다. 이 경우에는, 최상층의 배선층과 최하층의 배선층 사이에 개재되도록 배치되는 도시하지 않는 배선층의 소용돌이상의 배선부는, 이의 일단이 최상층측이며 바로 근처에 배치되는 배선층의 소용돌이상의 배선부 중의 어느 한쪽의 단부에 전기적 접속되고, 이의 타단이 최하층측이며 바로 근처에 배치되는 배선층의 소용돌이상의 배선부의 어느 한쪽의 단부에 전기적 접속된다.

본 실시형태에 따르는 회로 기판에 의하면, 절연층을 상기 접착 필름에 의해 형성하기 때문에, 형성되는 절연층의 투자율을 높일 수 있고, 결과적으로 회로 기판에 만들어 넣어지는 인덕터 소자의 L값 및 Q값을 향상시킬 수 있다.

〔배선판의 제조 방법〕

이하, 본 실시형태에 따르는 배선판의 제조 방법에 관해서 도 2를 참조하여 설명한다.

본 실시형태에 따르는 배선판의 제조 방법은, 제1 절연층 및 제2 절연층을 포함하는 절연부와, 절연부에 적어도 일부분이 매립된 코일상 도전성 구조체를 가지고 있으며, 코일상 도전성 구조체와 절연부 중의 일부분에 의해 구성되는 인덕터 소자를 포함하는 배선판의 제조 방법으로서, 본 실시형태에 따르는 접착 필름, 및 제1 배선층이 설치된 코어 기재를 준비하는 공정과, 코어 기재에 접착 필름의 수지 조성물 층을 라미네이트하는 공정과, 수지 조성물 층을 열경화하여 제1 절연층을 형성하는 공정과, 제1 절연층에 비아 홀을 형성하는 공정과, 비아 홀이 형성된 제1 절연층에 대해 조화 처리하는 공정과, 제1 절연층에 제2 배선층을 형성하고, 제1 배선층과 제2 배선층을 전기적으로 접속하는 비아 홀 내 배선을 형성하는 공정과, 제2 배선층 및 비아 홀 내 배선이 형성된 제1 절연층에 추가로 본 실시형태에 따르는 접착 필름을 라미네이트하고, 열경화하여 제2 절연층을 형성하는 공정과, 제1 배선층의 일부분과 제2 배선층의 일부분과 비아 홀 내 배선을 포함하는 코일상 도전성 구조체, 및 절연부의 두께 방향으로 연장되고, 또한 코일상 도전성 구조체로 둘러싸인 절연부의 일부분을 포함하는 인덕터 소자를 형성하는 공정을 포함한다.

우선 이미 설명한 바와 같이, 제1 주표면(20a)에 설치되는 제1 배선층(42)과, 제2 주표면(20b)에 설치되는 외부 단자(24)와, 스루홀(22)과, 스루홀 내 배선(22a)이 설치되어 있는 코어 기재(내층 회로 기판)(20) 및 접착 필름을 준비한다.

(제1 절연층의 형성 공정)

다음에 제1 절연층(32)을 형성한다. 우선 코어 기재의 제1 배선층(42)에 접촉하도록 접착 필름의 수지 조성물 층을 라미네이트하는 라미네이트 공정을 실시한다.

라미네이트 공정의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 접착 필름을 사용하여 절연층(빌드업 절연층)을 형성함에 있어서 사용되는 공지의 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 가열된 스테인리스 경판 등의 금속판을 접착 필름의 유기 지지체 측에서부터 프레스함으로써 실시할 수 있다. 이 경우, 금속판을 직접적으로 프레스하지 않고, 코어 기재(20)의 표면의 요철에 접착 필름이 충분히 추종(追隨)하도록, 내열 고무 등으로 이루어지는 탄성 부재를 개재하여 프레스를 실시하는 것이 바람직하다. 프레스 온도는, 바람직하게는 70℃ 내지 140℃의 범위이며, 프레스 압력은 바람직하게는 1kgf/㎠ 내지 11kgf/㎠(0.098MPa 내지 1.079MPa)의 범위이며, 프레스 시간은 바람직하게는 5초간 내지 3분간의 범위이다.

또한, 라미네이트 공정은, 바람직하게는 20mmHg(26.7hPa) 이하의 감압하에서 실시된다. 라미네이트 공정은, 시판되고 있는 진공 라미네이터를 사용하여 실시할 수 있다. 시판되고 있는 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, 메이키세사쿠쇼(주) 제조의 진공 가압식 라미네이터, 니치고·모튼(주) 제조의 배큠 어플리케이터 등을 들 수 있다.

라미네이트 공정의 종료 후, 코어 기재(20)에 라미네이트된 접착 필름을, 가열 및 가압 처리하는 평활화 공정을 실시해도 좋다.

평활화 공정은, 일반적으로, 상압(대기압)하, 가열된 금속판 또는 금속롤에 의해, 코어 기재(20)에 라미네이트되어 있는 접착 필름을 가열 및 가압 처리함으로써 실시된다. 가열 및 가압 처리의 조건은, 상기 라미네이트 공정의 조건과 같은 조건을 사용할 수 있다.

라미네이트 공정 및 평활화 공정은, 동일한 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 실시할 수도 있다.

또한, 상기 라미네이트 공정 또는 상기 평활화 공정 실시 후의 임의의 타이밍에 접착 필름에 유래하는 유기 지지체를 박리하는 공정을 실시한다. 유기 지지체를 박리하는 공정은, 예를 들면, 시판 자동 박리 장치에 의해 기계적으로 실시할 수 있다.

이어서, 코어 기재(20)에 라미네이트된 수지 조성물 층을 열경화하여 절연층(빌드업 절연층)을 형성하는 열경화 공정을 실시한다.

열경화 공정의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 다층 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 채용되는 조건을 적용할 수 있다.

열경화 공정의 조건은, 수지 조성물 층에 사용되는 수지 조성물의 조성 등에 의해 임의 적합한 조건으로 할 수 있다. 열경화 공정의 조건은, 예를 들면 경화 온도를 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 210℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 190℃의 범위)로 하고, 경화 시간을 5분간 내지 90분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 75분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 60분간)로 할 수 있다.

열경화 공정을 실시하기 전에, 수지 조성물 층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열하는 공정을 실시해도 좋다. 열경화 공정의 실시에 앞서, 예를 들면 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물 층을 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다. 예비 가열은, 대기압하(상압 상태)에서 실시하는 것이 바람직하다.

이상의 공정에 의해 코어 기재(20)에 설치되는 제1 절연층(32)을 형성할 수 있다. 또한, 절연층이 형성된 코어 기재(20)에 대해 상기 라미네이트 공정 및 상기 열경화 공정 및 후술하는 배선층의 형성 공정을 추가로 1회 이상 반복함으로써, 제1 절연층(32)에 설치되는 제2 절연층(34), 추가로 적층되는 절연층을 포함하는 절연부(30)를 형성할 수 있다.

또한, 코어 기재(20)에 제1 절연층(32)을 형성하는 공정은, 일반의 진공 핫 프레스기를 사용하여 실시하는 것도 가능하다. 예를 들면, 가열된 SUS판 등의 금속판을 사용하여 유기 지지체 측에서부터 프레스함으로써 실시할 수 있다. 프레스 조건은, 감압도를 통상 1×10^-2MPa 이하, 바람직하게는 1×10^-3MPa 이하의 감압하로 한다. 가열 및 가압은, 1단계로 실시할 수도 있지만, 수지가 스며나오는 것을 제어하는 관점에서 2단계 이상의 공정으로 하여 각각 프레스 조건을 변경하여 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 1단계째의 프레스 조건을, 온도를 70℃ 내지 150℃로 하고, 압력을 1kgf/㎠ 내지 15kgf/㎠의 범위로 하고, 2단계째의 프레스 조건을, 온도를 150℃ 내지 200℃로 하고, 압력을 1 내지 40kgf/㎠의 범위로 하여 실시하는 것이 바람직하다. 각 단계의 시간은 30분간 내지 120분간으로 하여 실시하는 것이 바람직하다. 시판되고 있는 진공 핫 프레스기로서는, 예를 들면, 메이키세사쿠쇼(주) 제조 「MNPC-V-750-5-200」, 키타가와세이키(주) 제조「VH1-1603」등을 들 수 있다.

(비아 홀의 형성 공정)

형성된 제1 절연층(32)에 비아 홀(36)을 형성한다. 비아 홀(36)은 제1 배선층(42)과 제2 배선층(44)을 전기적으로 접속하기 위한 경로가 된다. 비아 홀(36)은 제1 절연층(32)의 특성을 고려하여, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하는 공지의 방법에 의해 형성할 수 있다. 예를 들면, 이 시점에서 보호 필름이 잔존하고 있는 경우에는, 보호 필름을 개재하여 레이저 광을 제1 절연층(32)에 조사함으로써, 비아 홀(36)을 형성할 수도 있다.

비아 홀(36)의 형성에 사용되는 레이저 광원으로서는, 예를 들면, 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 가공속도, 비용의 관점에서, 탄산 가스 레이저가 바람직하다.

비아 홀(36)의 형성은, 시판되고 있는 레이저 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 시판되고 있는 탄산 가스 레이저 장치로서는, 예를 들면, 히타치비아메카닉스(주) 제조「LC-2E21B/1C」, 미쯔비시덴키(주) 제조 「ML605GTWII」, 마츠시타요세츠시스템(주) 제조의 기판 천공 레이저 가공기를 들 수 있다.

(조화 공정)

다음에 비아 홀(36)이 형성된 제1 절연층(32)에 대해 조화 처리하는 조화 공정을 실시한다. 조화 공정의 순서, 조건은 특별히 한정되지 않으며, 다층 프린트 배선판의 제조 방법에 있어서 통상 사용되는 공지의 순서, 조건을 채용할 수 있다. 조화 공정으로서, 예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 실시함으로써 제1 절연층(32)을 조화 처리할 수 있다.

조화 공정에 사용될 수 있는 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이다. 팽윤액인 알칼리 용액으로서는, 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주)제 「스웰링·딥·세큐리간스 P」, 「스웰링·딥·세큐리간스 SBU」등을 들 수 있다.

팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 제1 절연층(32)이 설치된 코어 기재(20)를 1분간 내지 20분간 침지함으로써 실시할 수 있다. 제1 절연층(32)을 구성하는 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 제1 절연층(32)을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.

산화제에 의한 조화 처리에 사용되는 산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해한 알카리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알카리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제의 용액에 제1 절연층(32)을 10분간 내지 30분간 침지시킴으로써 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산용액에 있어서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%로 하는 것이 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조 「콘센트레이트·콤팩트 P」, 「도징솔루션·세큐리간스 P」등의 알카리성 과망간산 용액을 들 수 있다.

중화 처리에 사용되는 중화액으로서는, 산성의 수용액이 바람직하며, 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조 「리덕션솔루션·세큐리간스 P」를 들 수 있다. 중화액에 의한 중화 처리는, 산화제 용액에 의한 조화 처리가 이루어진 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 실시할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제 용액에 의한 조화 처리가 이루어진 제1 절연층(32)을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.

상기한 바와 같이 설명한 조화 공정은, 제1 절연층(32)에 형성된 비아 홀(36)의 스미어 제거를 실시하기 위한 소위 디스미어 공정을 겸하고 있어도 좋다.

또한, 상기 조화 공정과는 별도로, 비아 홀(36)에 대해 디스미어 공정을 실시해도 좋다. 또한, 이러한 디스미어 공정은, 습식의 디스미어 공정이라도, 건식의 디스미어 공정이라도 좋다.

디스미어 공정의 구체적인 공정은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 다층 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 사용되는 공지의 공정, 조건을 채용할 수 있다. 건식의 디스미어 공정의 예로서는 플라즈마 처리 등을 들 수 있고, 습식의 디스미어 공정의 예로서는, 상기 조화 공정과 같은 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 처리 및 중화액에 의한 처리를 이러한 순서로 실시하는 방법을 들 수 있다.

(제2 배선층의 형성)

다음에 조화 공정(및 디스미어 공정)이 실시된 제1 절연층(32)에 제2 배선층(44)을 형성한다.

제2 배선층(44)은 도금에 의해 형성할 수 있다. 제2 배선층(44)은, 예를 들면, 무전해 도금 공정, 마스크 패턴 형성 공정, 전해 도금 공정, 플래쉬 에칭 공정을 포함하는 세미어디티브법, 풀어디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해 형성함으로써, 원하는 배선 패턴을 포함하는 배선층으로서 형성할 수 있다. 또한, 이러한 제2 배선층(44)의 형성 공정에 의해, 비아 홀(36) 내에 비아 홀 내 배선(36a)이 함께 형성된다.

제1 절연층(32)이 빌드업 절연층이며, 제2 배선층(44)이 빌드업 배선층인 빌드업층으로서 본 경우, 본 실시형태의 배선판에 있어서 빌드업층이 추가로 1층 이상 필요한 경우에는, 상기 제1 절연층(32)의 형성 공정에서부터 상기 제2 배선층(44)의 형성 공정까지의 이미 설명한 일련의 공정을 추가로 1회 이상 반복하여 실시하면 좋다.

(제2 절연층의 형성)

다음에, 제2 배선층(44) 및 비아 홀 내 배선(36a)이 형성된 제1 절연층(32)에 제2 절연층(34)을 형성한다. 제2 절연층(34)은 이미 설명한 접착 필름의 라미네이트 공정, 평활화 공정, 열경화 공정을 포함하는 제1 절연층(32)의 형성 공정과 같은 재료를 사용하여 같은 공정에 의해 형성하면 좋다.

이상의 공정에 의해, 절연부(30)에 적어도 일부분이 매립된 코일상 도전성 구조체(40)를 가지고 있으며, 제1 배선층(42)의 일부분과 제2 배선층(44)의 일부분과 비아 홀 내 배선(36a)을 포함하는 코일상 도전성 구조체(40)와 절연부(30)의 두께 방향으로 연장되고, 또한 코일상 도전성 구조체(40)로 둘러싸인 절연부(30) 중 일부분을 포함하는 인덕터 소자를 포함하는 배선판(10)을 제조할 수 있다.

본 발명의 접착 필름을 사용하면, 특히 주파수가 1GHz 내지 3GHz인 범위에서의 투자율을 향상시킬 수 있고, 자성 손실을 저감시킬 수 있고, 또한 절연성의 신뢰성이 우수한 절연층을 형성할 수 있기 때문에, 공심 구조로 하지 않고 절연층의 일부분에 의해 구성되는 심부를 포함하는, 보다 고성능의 고주파대역용 인덕터 소자가 만들어 넣어진 배선판을, 보다 간편한 공정으로 제공할 수 있다.

〔배선판의 사용 형태〕

본 실시형태에 따르는 배선판은, 반도체칩 등의 전자 부품을 탑재하기 위한 배선판으로서 사용할 수 있다. 또한 이러한 배선판을 사용하여, 다양한 형태의 반도체 장치를 제조할 수 있다. 이러한 배선판을 포함하는 반도체 장치는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라 및 텔레비젼 등) 및 탈것(예를 들면, 자동이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 적합하게 사용할 수 있다.

[실시예]

이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에 있어서의 「부」란 「질량부」를 의미한다.

<실시예 1>

액상 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 190, 비중 1.2g/㎤, 미쯔비시가가쿠(주) 제조 「jER828EL」) 20부와, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 291, 비중 1.2g/㎤, 니혼가야쿠(주) 제조「NC3000H) 65부, 페녹시 수지(중량 평균 분자량 38000, 비중 1.2g/㎤, 미쯔비시가가쿠(주) 제조 「YX6954」, 불휘발 성분 30질량%의 메틸에틸케톤(이하 「MEK」이라고 칭한다.)과 사이클로헥산온의 1:1 용액) 30부를 MEK 22.5부, 사이클로헥산온 22.5부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 거기에, 페놀노볼락계 경화제(DIC(주) 제조 「LA-7054」(트리아진 골격 함유 페놀계 경화제)의 불휘발 성분 60%의 MEK 용액, 페놀성 수산기 당량 124, 비중 1.2g/㎤) 40부, 경화 촉진제(시코쿠가세이고교(주) 제조 「2E4MZ」, 비중 1.1g/㎤) 0.1부, 무기 충전재(평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C2」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카) 50부, 자성 필러(엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, Fe-Cr-Si계 합금(비정질), 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 7.0g/㎤) 440부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬를 조제하였다. 다음에, 이러한 수지 바니쉬를 지지체인 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」라고 한다.) 필름(두께 38㎛) 위에, 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 50㎛이 되도록 다이코터로 도포하고, 75℃ 내지 120℃(평균 100℃)에서 7분간, 수지 조성물 층 중의 잔류 용매량이 약 0.4질량%가 되도록 건조시켰다. 이어서 수지 조성물 층의 표면에 두께 15㎛의 폴리프로필렌 필름을 첩합하면서 롤상으로 감아 롤상의 접착 필름으로 하였다. 수득된 롤상의 접착 필름의 장척 방향에 있어서의 길이가 507mm이 되도록 재단하고, 이것으로부터 507mm×336mm 각의 시트상의 접착 필름을 수득하였다.

<실시예 2>

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C2」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카)의 양을 160부로 하고, 자성 필러(엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 7.0g/㎤)의 양을 350부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<실시예 3>

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C2」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카)의 양을 90부로 하고, 자성 필러(엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 7.0g/㎤)를 290부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<실시예 4>

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C2」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카)의 양을 40부로 하고, 자성 필러(엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 7.0g/㎤)의 양을 240부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<실시예 5>

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C2」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카)의 양을 140부로 하고, 자성 필러(엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 7.0g/㎤)의 양을 150부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<실시예 6>

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C2」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카)의 양을 80부로 하고, 자성 필러(평균 입자 직경 3.0㎛, 엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, 비중 7.0g/㎤)의 양을 130부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<실시예 7>

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C2」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카)의 양을 35부, 자성 필러(엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 7.0g/㎤)의 양을 110부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<실시예 8>

액상 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 190, 비중 1.2g/㎤, 미쯔비시가가쿠(주) 제조 「jER828EL」) 14부와, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 291, 비중 1.2g/㎤, 니혼가야쿠(주) 제조「NC3000H) 14부, 페녹시 수지(중량 평균 분자량 38000, 비중 1.2g/㎤, 미쯔비시가가쿠(주) 제조 「YX6954」, 불휘발 성분 30질량%의 MEK와 사이클로헥산온의 1:1 용액) 40부를 MEK 5부, 사이클로헥산온 5부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 거기에, 페놀노볼락계 경화제(DIC(주) 제조 「LA-7054」(트리아진 골격 함유 페놀계 경화제)의 불휘발 성분 60%의 MEK 용액, 페놀성 수산기 당량 124, 비중 1.2g/㎤) 30부, 경화 촉진제(시코쿠가세이고교(주) 제조 「2E4MZ」, 비중 1.1g/㎤) 0.1부, 무기 충전재(평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C2」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카) 150부, 자성 필러(엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, Fe-Cr-Si계 합금(비정질), 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 7.0g/㎤) 360부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬를 조제하고, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<실시예 9>

실시예 8에 있어서, 무기 충전재를, 평균 입자 직경 1㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C4」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카) 150부로 한 것 이외에는, 실시예 8과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<실시예 10>

실시예 8에 있어서, 무기 충전재를, 평균 입자 직경 2㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C6」을 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카) 150부로 한 것 이외에는, 실시예 8과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<비교예 1>

실시예 1에 있어서, 자성 필러(엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, 평균 입자 직경 3.0㎛, 비중 7.0g/㎤)를 사용하지 않고, 무기 충전재(평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C2」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카)의 양을 70부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<비교예 2>

실시예 1에 있어서, 자성 필러(평균 입자 직경 3.0㎛, 엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, 비중 7.0g/㎤)의 양을 700부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<비교예 3>

실시예 1에 있어서, 무기 충전재를 사용하지 않고, 자성 필러(평균 입자 직경 3.0㎛, 엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, 비중 7.0g/㎤)를 210부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

<비교예 4>

실시예 1에 있어서, 무기 충전재(평균 입자 직경 0.5㎛, 비중 2.2g/㎤, 아도마텍스(주) 제조 「SO-C2」를 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교(주) 제조 「KBM573」)로 처리한 실리카)의 양을 600부로 하고, 자성 필러(평균 입자 직경 3.0㎛, 엡손아토믹스(주) 제조 「AW2-08PF3F」, 비중 7.0g/㎤)의 양을 290부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 접착 필름을 수득하였다.

실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4 각각에 이러한 수지 바니쉬의 불휘발 성분 양 환산에서의 조성을 하기 표 1에 기재한다. 실시예 8 내지 10 각각에 이러한 수지 바니쉬의 불휘발 성분 양 환산에서의 조성을 하기 표 2에 기재한다.

<투자율의 측정 방법>

실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 4 각각에 있어서, 지지체로서, 불소 수지계 이형제(ETFE) 처리를 실시한 PET 필름(미쯔비시쥬시(주) 제조 「플루오로주 RL50KSE」)을 사용한 것 이외에는 같이 하여, 각 실시예 및 각 비교예와 동일한 수지 조성물 층을 갖는 접착 필름을 수득하였다. 수득된 접착 필름을 180℃에서 90분간 가열함으로써 수지 조성물 층을 열경화하고, 지지체를 박리함으로써 시트상의 경화체를 수득하였다. 수득된 경화체를, 폭 5mm, 길이 18mm의 시험편으로 절단하고, 평가 샘플로 하였다. 이러한 평가 샘플을, 아질렌트테크놀로지즈(Agilent Technologies)사 제조 「HP8362B」(상품명)을 사용하고, 단락 스트립 라인법으로 측정 주파수를 100MHz 내지 10GHz인 범위로 하고, 실온 23℃에서 투자율(μ') 및 투자 손실(μ'')을 측정하였다. 측정 주파수가 1GHz 및 3GHz인 경우의 투자율, 측정 주파수가 1GHz 및 3GHz인 경우의 투자 손실을 하기 표 3 및 4에 기재한다.

<절연성의 평가>

실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 4에서 수득된 접착 필름 각각을, 메이키세사쿠쇼(주) 제조의 배치식 진공 가압 라미네이터「MVLP-500」(상품명)을 사용하여, 라인 및 스페이스의 폭을 L(라인)/S(스페이스)=15㎛/15㎛로 하고, 회로(배선 패턴)의 두께가 8㎛인 빗형 배선 패턴이 형성된 두께가 38㎛인 폴리이미드 필름의 배선 패턴측에 라미네이트하였다. 이러한 라미네이트에 의해 형성된 접착 필름으로부터 PET 필름을 박리하고, 180℃, 90분간의 가열 처리를 실시함으로써 열경화시켜 절연층을 형성하였다. 수득된 적층 구조체를 평가용 샘플로 하였다.

우선 수득된 평가용 샘플에 3.3V의 전압을 인가함으로써, 초기 저항 값을 측정하였다. 또한 평가용 샘플에 3.3V의 전압을 인가하면서, 130℃, 상대습도 85%의 조건의 분위기 중에 100시간 방치하였다. 100시간 방치 후(HAST 100시간 후)에 절연 저항 값의 저하가 관찰되지 않은 샘플을 생존으로 하는, 시험편 생존율을 산출하였다. 또한 시험편 생존율의 산출시에는, 100시간 방치 후의 절연층의 절연 저항 값이 1.0×10⁶Ω을 초과하고 있는 경우를 「생존」이라고 평가하고, 100시간 방치 후의 절연층의 절연 저항 값이 1.0×10⁶Ω 이하인 경우를 「비생존」이라고 평가하였다. 결과를 하기 표 3 및 4 에 기재한다. 또한 비교예 4에 따르는 접착 필름은, 성형성에 문제가 있었기 때문에 시험편 생존율이 시험 불가능하며, 비교예 4에 관해서는 초기 저항 값에 관해서도 시험 불가능하였다.

<라미네이트성의 평가>

실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 4에서 수득된 접착 필름 각각을 메이키세사쿠쇼(주) 제조의 배치식 진공 가압 라미네이터「MVLP-500」(상품명)을 사용하고, 배선판의 양면에 라미네이트하였다. 라미네이트는 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 100℃, 가압력을 0.74MPa로 하여 30초간 프레스함으로써 실시하였다. 평가는, 하기의 평가 기준에 따라, 수득된 적층 구조체의 외관을 검사함으로써 실시하였다. 결과를 하기 표 3 및 표 4에 기재한다.

평가 기준

○: 배선판의 회로 부분에 보이드가 없고, 접착 필름에 유래하는 수지 조성물이 충분히 플로우하고 있다.

×: 배선판의 회로 부분에 보이드가 발생하고 있고, 접착 필름에 유래하는 수지 조성물의 라미네이트시의 유동성이 부족하다.

본 발명의 실시예에 따르는 상기 조성을 갖는 수지 조성물은 절연층 형성시의 유동성이 우수하고, 절연층(경화체)으로 했을 때의 배선층의 봉지성이 우수한 것을 알 수 있었다. 또한 이러한 수지 조성물을 함유하는 수지 조성물 층을 구비하는 접착 필름을 사용하여 형성된 절연층은, 주파수가 1GHz 이상인 고주파대역(기가헤르츠대), 특히 1GHz 내지 3GHz인 범위에 있어서의 투자율이 향상되고 있고, 또한 자성 손실이 억제되어 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 시험편 생존율의 결과로부터 명확한 바와 같이, 상기 조성을 갖는 수지 조성물로 형성된 절연층은, 절연성의 신뢰성이 우수한 것을 알 수 있었다. 따라서, 본 발명의 접착 필름을 사용하면, 보다 고성능의 고주파대역용 인덕터 소자가 만들어 넣어진 배선판을, 간편한 공정으로 제공할 수 있다.

10 배선판
20 코어 기재(내층 회로 기판)
20a 제1 주표면
20b 제2 주표면
22 스루홀
22a 스루홀 내 배선
24 외부 단자
30 절연부
32 제1 절연층
34 제2 절연층
36 비아 홀
36a 비아 홀 내 배선
40 코일상 도전성 구조체
42 제1 배선층
42a 랜드
44 제2 배선층

Claims

지지체와, 당해 지지체에 설치된 수지 조성물 층을 갖는 접착 필름으로서,
상기 수지 조성물 층이, 성분 (A) 열경화성 수지, 성분 (B) 자성 필러, 및 성분 (C) 무기 충전재를 함유하고,
상기 수지 조성물 층을 구성하는 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 하는 경우에, 성분 (B)의 함유량이 10체적% 이상이며, 또한 성분 (C)의 함유량을 성분 (B)의 함유량으로 나눈 값이 0.3 내지 3.0의 범위인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 성분 (A)가 에폭시 수지이며, 상기 수지 조성물이 페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로부터 선택되는 에폭시 수지 경화제를 추가로 함유하는, 접착 필름.
제2항에 있어서, 에폭시 수지 경화제가 트리아진 골격 함유 크레졸계 경화제 및 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제로부터 선택되는, 접착 필름.
제1항에 있어서, 상기 수지 조성물이 열가소성 수지를 추가로 함유하는, 접착 필름.
제1항에 있어서, 상기 수지 조성물 중, 성분 (B)의 함유량이 10체적% 내지 40체적%이며, 또한 성분 (C)의 함유량이 10체적% 내지 50체적%인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 상기 수지 조성물 중, 성분 (B)와 성분 (C)의 함유량의 합계가 20체적% 내지 75체적%인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 상기 수지 조성물 중, 성분 (B)의 함유량이 10체적% 내지 25체적%인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 상기 수지 조성물 중, 성분 (B)의 함유량이 20체적% 내지 25체적%이며, 성분 (C)의 함유량이 10체적% 내지 25체적%이며, 또한 성분 (B)와 성분 (C)의 함유량의 합계가 30체적% 내지 50체적%인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 상기 수지 조성물 중, 성분 (B)의 평균 입자 직경이 0.3㎛ 내지 10㎛인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 성분 (C)의 평균 입자 직경이 0.01㎛ 내지 5㎛인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 성분 (B)의 평균 입자 직경이 성분 (C)의 평균 입자 직경보다도 큰, 접착 필름.
제1항에 있어서, 성분 (C)가 실리카인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 성분 (C)가 표면처리제로 처리되어 있는 실리카인, 접착 필름.
제13항에 있어서, 표면처리제가 아미노실란계 커플링제인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 경화체로 했을 때에, 주파수가 1GHz 내지 3GHz일 때의 투자율(透磁率)이 1.1 이상이며, 또한 주파수가 1GHz 내지 3GHz일 때의 자성 손실(磁性損失)이 0.5 이하인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 경화체로 했을 때에, 주파수가 1GHz 내지 3GHz일 때의 투자율이 1.2 이상이며, 또한 주파수가 1GHz 내지 3GHz일 때의 자성 손실이 0.3 이하인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 인덕터 소자를 구비하는 배선판의 절연층 형성에 사용되는, 접착 필름.
제1항 내지 제16항 중의 어느 한 항에 기재된 접착 필름의 수지 조성물 층의 경화체인 절연층과, 당해 절연층에 적어도 일부분이 매립된 코일상 도전성 구조체를 가지고 있으며,
상기 코일상 도전성 구조체와, 상기 절연층의 두께 방향으로 연장되고, 또한 상기 코일상 도전성 구조체로 둘러싸인 상기 절연층 중의 일부분에 의해 구성되는 인덕터 소자를 포함하는, 배선판.
제18항에 있어서, 상기 인덕터 소자가 기능하는 주파수가 1GHz 이상인, 배선판.
제1 절연층 및 제2 절연층을 포함하는 절연부와, 당해 절연부에 적어도 일부분이 매립된 코일상 도전성 구조체를 가지고 있으며, 당해 코일상 도전성 구조체와 상기 절연부 중의 일부분에 의해 구성되는 인덕터 소자를 포함하는 배선판의 제조 방법으로서,
제1항 내지 제16항 중의 어느 한 항에 기재된 접착 필름, 및 제1 배선층이 설치된 코어 기재를 준비하는 공정과,
상기 코어 기재에 상기 접착 필름의 수지 조성물 층을 라미네이트하는 공정과,
상기 수지 조성물 층을 열경화하여 제1 절연층을 형성하는 공정과,
상기 제1 절연층에 비아 홀을 형성하는 공정과,
상기 비아 홀이 형성된 상기 제1 절연층에 대해 조화(粗化) 처리하는 공정과,
상기 제1 절연층에 제2 배선층을 형성하고, 상기 제1 배선층과 상기 제2 배선층을 전기적으로 접속하는 비아 홀 내 배선을 형성하는 공정과,
상기 제2 배선층 및 상기 비아 홀 내 배선이 형성된 상기 제1 절연층에 추가로 상기 접착 필름을 라미네이트하고, 열경화하여 상기 제2 절연층을 형성하는 공정과,
상기 제1 배선층의 일부분과 상기 제2 배선층의 일부분과 상기 비아 홀 내 배선을 포함하는 코일상 도전성 구조체, 및 상기 절연부의 두께 방향으로 연장되고, 또한 상기 코일상 도전성 구조체로 둘러싸인 상기 절연부의 일부분을 포함하는 상기 인덕터 소자를 형성하는 공정
을 포함하는, 배선판의 제조 방법.