JP2022142747A - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】チキソ性が低く且つ埋め込み性に優れ、更に比透磁率が高い硬化物を得ることができる樹脂組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）ＢＥＴ比表面積ＳＡが２ｍ２／ｇ以上１０ｍ２／ｇ以下の合金磁性粉体、（Ｂ）ＢＥＴ比表面積ＳＢが０．１ｍ２／ｇ以上２ｍ２／ｇ未満の磁性粉体、及び（Ｃ）バインダ樹脂を含む、樹脂組成物。【選択図】なし

Description

本発明は、磁性粉体を含む樹脂組成物に関する。

インダクタ素子は、携帯電話機、スマートフォンなどの情報端末に数多く搭載されている。また、近年は、基板の導体パターンによりコイルを形成して、インダクタ素子を基板の内部に設ける手法が行われることがある。これらインダクタ素子の形成方法としては、磁性粉体を含む樹脂組成物を使用する方法が知られている。例えば、スルーホール等の孔を埋めるためのペースト状の樹脂組成物、磁性層を形成するためのフィルム状の樹脂組成物、などが知られている（特許文献１、特許文献２）。

近年、インダクタ素子の性能のさらなる向上のため、磁性材料の磁気特性をより向上させることが求められている。磁性材料の磁気特性を向上させる手法としては、材料中の磁性粉体の含有量を高める方法が考えられる。例えば、異なる平均粒径を有する２種類以上の磁性金属粉体を使用することで、粉体の充填率を向上させ、磁気特性を高める技術が知られている（特許文献３）。

国際公開第２０１９／１８１４６３号 特開２０１５－１８７２６０号公報 特開２０１９－２２０６０９号公報

従来の樹脂組成物は、磁性粉体の充填率を高めると、樹脂組成物のチキソ性が上昇する傾向があった。樹脂組成物のチキソ性が高い場合、ペースト状の樹脂組成物によってスルーホール等の孔を埋める穴埋め用途において、埋め込み性に劣ることがある。また、樹脂組成物のチキソ性が高い場合、フィルム状の樹脂組成物によって磁性層を形成する用途において、配線パターンの埋め込み性に劣ることがある。

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたものであって、チキソ性が低く且つ埋め込み性に優れ、更に比透磁率が高い硬化物を得ることができる樹脂組成物を提供することを目的とする。

本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、特定の範囲のＢＥＴ比表面積を有する合金磁性粉体、別の特定の範囲のＢＥＴ比表面積を有する磁性粉体、及びバインダ樹脂を組み合わせて含む樹脂組成物が、前記の課題を解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、下記のものを含む。

〔１〕 （Ａ）ＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａが２ｍ^２／ｇ以上１０ｍ^２／ｇ以下の合金磁性粉体、
（Ｂ）ＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂが０．１ｍ^２／ｇ以上２ｍ^２／ｇ未満の磁性粉体、及び
（Ｃ）バインダ樹脂
を含む、樹脂組成物。
〔２〕 （Ａ）成分と（Ｂ）成分との体積比（（Ｂ）成分／（Ａ）成分）が、０．９以上２０．０以下である、〔１〕に記載の樹脂組成物。
〔３〕 （Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、５０体積％以上である、〔１〕又は〔２〕に記載の樹脂組成物。
〔４〕 （Ａ）成分が、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｒを含む鉄合金系粉体を含む、〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔５〕 （Ｃ）成分が、熱硬化性樹脂を含む、〔１〕～〔４〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔６〕 （Ｃ）成分が、エポキシ樹脂を含む、〔１〕～〔５〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔７〕 更に、（Ｄ）エポキシ硬化促進剤を含む、〔６〕に記載の樹脂組成物。
〔８〕 （Ｃ）成分の量が、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、６０質量％以上である、〔１〕～〔７〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔９〕 ２３℃においてペースト状である、〔１〕～〔８〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔１０〕 〔１〕～〔９〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物。
〔１１〕 支持体と、該支持体上に〔１〕～〔９〕の何れか１項に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、を含む、樹脂シート。
〔１２〕 〔１〕～〔９〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
〔１３〕 スルーホールを形成された基板と、前記スルーホールに充填された〔１〕～〔９〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物と、を含む、回路基板。
〔１４〕 〔１２〕又は〔１３〕に記載の回路基板を含むインダクタ基板。

本発明によれば、チキソ性が低く且つ埋め込み性に優れ、更に比透磁率が高い硬化物を得ることができる樹脂組成物を提供できる。

図１は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において用意されるコア基板を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、スルーホールを形成されたコア基板を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、スルーホール内にめっき層を形成されたコア基板を模式的に示す断面図である。 図４は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、コア基板のスルーホール内に樹脂組成物を充填した様子を模式的に示す断面図である。 図５は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（２）を説明するための模式的な断面図である。 図６は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（３）を説明するための模式的な断面図である。 図７は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。 図８は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。 図９は、本発明の一実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉ）を説明するための模式的な断面図である。 図１０は、本発明の一実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉ）を説明するための模式的な断面図である。 図１１は、本発明の一実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ii）を説明するための模式的な断面図である。 図１２は、本発明の一実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（iv）を説明するための模式的な断面図である。 図１３は、インダクタ基板が有する回路基板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。 図１４は、図１３に示すＩＩ－ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した回路基板の切断端面を示す模式的な図である。 図１５は、インダクタ基板が含む回路基板の第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。

以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。ただし、本発明は、下記実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施されうる。

以下の説明において「透磁率」は、別に断らない限り「比透磁率」を表す。

［１．樹脂組成物の概要］
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、（Ａ）ＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａが２ｍ^２／ｇ以上１０ｍ^２／ｇ以下の合金磁性粉体、（Ｂ）ＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂが０．１ｍ^２／ｇ以上２ｍ^２／ｇ未満の磁性粉体、及び、（Ｃ）バインダ樹脂を、組み合わせて含む。

この樹脂組成物は、低いチキソ性を有することができ、優れた埋め込み性を有することができる。また、この樹脂組成物によれば、比透磁率が高い硬化物を得ることができる。このように優れた効果が得られる仕組みを、本発明者は、下記のように推察する。ただし、本発明の技術的範囲は、下記の仕組みによって制限されるものではない。

前記の樹脂組成物において、通常は、（Ａ）成分の粒子径は小さく、（Ｂ）成分の粒子径は大きい。よって、樹脂組成物中において（Ａ）成分の粒子は（Ｂ）成分の粒子同士の間に形成される隙間に入ることができる。したがって、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分は全体として高密度に樹脂組成物中に分散できるので、その樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物が高い比透磁率を有することができる。

また、一般に、小さい粒子は比表面積が大きいので、当該粒子の表面での摩擦が大きくなり、よって、チキソ性が大きくなる傾向がある。例えばナノフェライト粉は、小さい粒子径を有する一方で、比表面積が大きい傾向がある。しかし、合金で形成された（Ａ）成分は、粒子径に比して小さい比表面積を有することができるので、その粒子表面での摩擦を低減できる。したがって、樹脂組成物のチキソ性を低くして、優れた埋め込み性を得ることができる。

樹脂組成物は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分に組み合わせて、更に任意の成分を含んでいてもよい。ただし、樹脂組成物は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分以外の任意の磁性粉体の量が少ないことが好ましく、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分以外の任意の磁性粉体を含まないことがより好ましい。具体的には、樹脂組成物に含まれる任意の磁性粉体の量は、好ましくは０質量％～１０質量％、より好ましくは０質量％～５質量％、特に好ましくは０質量％～１質量％であり、理想的には０質量％である。

［２．（Ａ）合金磁性粉体］
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、（Ａ）成分として、特定の範囲のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａを有する（Ａ）合金磁性粉体を含む。この（Ａ）合金磁性粉体は、軟磁性粉体であってもよく、硬磁性粉体であってもよい。中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、（Ａ）合金磁性粉体は軟磁性粉体であることが好ましい。

（Ａ）合金磁性粉体としては、例えば、Ｆｅ－Ｓｉ系合金粉体、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金粉体、Ｆｅ－Ｃｒ系合金粉体、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金粉体、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金粉体、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金粉体、Ｆｅ－Ｎｉ系合金粉体、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金粉体、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ－Ｃｕ系合金粉体、Ｆｅ－Ｃｏ系合金粉体、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金粉体、Ｃｏ基アモルファス合金粉体等の、結晶質又は非晶質の合金粉体等が挙げられる。中でも、（Ａ）合金磁性粉体としては、鉄合金系粉体が好ましい。鉄合金系粉体としては、Ｆｅと、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ及びＣｏからなる群より選ばれる少なくとも１種類の元素とを含む鉄合金系粉体が好ましい。さらには、Ｆｅと、Ｓｉ、Ｃｒ及びＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種類の元素とを含む鉄合金系粉体が好ましい。特には、（Ａ）合金磁性粉体は、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金粉体及びＦｅ－Ｎｉ系合金粉体からなる群より選ばれる少なくとも１種類の合金系粉体を含むことが好ましい。Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金粉体はＦｅ、Ｓｉ及びＣｒを含む合金粉体を表し、また、Ｆｅ－Ｎｉ系合金粉体はＦｅ及びＮｉを含む合金粉体を表す。
（Ａ）合金磁性粉体は、粉体を１種類のみ含んでいてもよく、２種類以上の粉体を含んでいてもよい。

（Ａ）合金磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａは、通常２．０ｍ^２／ｇ以上、好ましくは２．５ｍ^２／ｇ以上、更に好ましくは２．５ｍ^２／ｇより大きく、更に好ましくは２．６ｍ^２／ｇ以上、特に好ましくは３．０ｍ^２／ｇ以上であり、好ましくは１０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは９．５ｍ^２／ｇ以下、更に好ましくは９ｍ^２／ｇ以下である。（Ａ）合金磁性粉体が前記範囲のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａを有している場合に、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を優れたものにできる。

（Ａ）合金磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａは、（Ｂ）磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂとの間に、特定の関係を満たすことが好ましい。
具体的には、（Ａ）合金磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａと（Ｂ）磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂとの比Ｓ_Ａ／Ｓ_Ｂは、好ましくは２．０以上、より好ましくは５．０以上、特に好ましくは８．０以上であり、好ましくは５０以下、より好ましくは２５以下、特に好ましくは２０以下である。比Ｓ_Ａ／Ｓ_Ｂが前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

また、（Ａ）合金磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａと（Ｂ）磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂとの差Ｓ_Ａ－Ｓ_Ｂは、好ましくは２．０ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは４．０ｍ^２／ｇ以上、特に好ましくは５．０ｍ^２／ｇ以上であり、好ましくは９．０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは８．７ｍ^２／ｇ以下、特に好ましくは８．５ｍ^２／ｇ以下である。差Ｓ_Ａ－Ｓ_Ｂが前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

さらに、（Ａ）合金磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａと（Ｂ）磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂとの体積基準の加重平均は、特定の範囲にあることが好ましい。具体的には、この体積基準の加重平均は、好ましくは１．０ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは１．５ｍ^２／ｇ以上、とくに好ましくは２．０ｍ^２／ｇ以上であり、好ましくは６．０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは４．５ｍ^２／ｇ以下、特に好ましくは３．５ｍ^２／ｇ以下である。前記の体積基準の加重平均は、（Ａ）合金磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａ及びその体積割合の積と、（Ｂ）磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂ及びその体積割合の積とを合計して得られる値を表す。また、前記の体積割合は、（Ａ）合金磁性粉体及び（Ｂ）磁性粉体の合計を１００体積％とする割合を表す。前記の加重平均が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

また、（Ａ）合金磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａと（Ｂ）磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂとの質量基準の加重平均は、特定の範囲にあることが好ましい。具体的には、この質量基準の加重平均は、好ましくは１．０ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは１．５ｍ^２／ｇ以上、とくに好ましくは２．０ｍ^２／ｇ以上であり、好ましくは６．０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは４．５ｍ^２／ｇ以下、特に好ましくは３．５ｍ^２／ｇ以下である。前記の質量基準の加重平均は、（Ａ）合金磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａ及びその質量割合の積と、（Ｂ）磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂ及びその質量割合の積とを合計して得られる値を表す。また、前記の質量割合は、（Ａ）合金磁性粉体及び（Ｂ）磁性粉体の合計を１００質量％とする割合を表す。前記の加重平均が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。通常、樹脂組成物に含まれる（Ａ）合金磁性粉体、（Ｂ）磁性粉体及び任意の磁性粉体を含む磁性粉体全体のＢＥＴ比表面積は、前記の質量基準の加重平均の範囲に収まりうる。

ＢＥＴ比表面積は、ＢＥＴ法によって測定できる。具体的には、ＢＥＴ比表面積は、ＢＥＴ法に従って、比表面積測定装置（マウンテック社製「Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ Ｍｏｄｅｌ １２１０」）を用いて試料表面に窒素ガスを吸着させ、ＢＥＴ多点法を用いて測定できる。

（Ａ）合金磁性粉体は、略球状の粒子又は略楕円体状の粒子であることが好ましい。（Ａ）合金磁性粉体の粒子のアスペクト比は、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下であり、通常１．０以上である。前記のアスペクト比は、長軸（Ｌｂ）と短軸（Ｌａ）の比（Ｌｂ／Ｌａ）を表す。

（Ａ）合金磁性粉体の平均粒径は、好ましくは０．８μｍ以下、より好ましくは０．６μｍ以下、更に好ましくは０．４μｍ以下、更に好ましくは０．３μｍ以下、特に好ましくは０．２μｍ以下である。（Ａ）合金磁性粉体の平均粒径の下限は、特に限定されるものではないが、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、更に好ましくは０．１μｍ以上、特に好ましくは０．１２μｍ以上でありうる。

平均粒径は、別に断らない限り、体積基準のメジアン径を表す。この平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、粒径分布を体積基準で作成し、そのメジアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、粉体を超音波により水に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ－２２００」等を使用することができる。

（Ａ）合金磁性粉体の真比重は、例えば、６．５ｇ／ｃｍ^３～９．０ｇ／ｃｍ^３でありうる。

（Ａ）合金磁性粉体は、市販品を用いてもよい。（Ａ）合金磁性粉体の市販品の具体例としては、ＪＦＥミネラル社製「Ｇ００１２９Ｄ」、「Ｇ００２１２Ｄ」、「Ｇ００２２０ＤＣ」等が挙げられる。これらは、１種類をそのまま用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物に含まれる（Ａ）合金磁性粉体の量（体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは１．０体積％以上、より好ましくは５．０体積％以上、特に好ましくは１０体積％以上であり、好ましくは５０体積％以下、より好ましくは４０体積％以下、特に好ましくは３０体積％以下である。（Ａ）合金磁性粉体の量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。樹脂組成物に含まれる各成分の体積は、質量を真比重で割り算して得ることができる。

樹脂組成物に含まれる（Ａ）合金磁性粉体の量（質量％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは１．０質量％以上、より好ましくは５．０質量％以上、特に好ましくは１０質量％以上であり、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは５０質量％以下、特に好ましくは４０質量％以下である。（Ａ）合金磁性粉体の量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

（Ａ）合金磁性粉体の量は、（Ａ）合金磁性粉体と（Ｂ）磁性粉体との体積比（（Ｂ）成分／（Ａ）成分）が特定の範囲に収まるように設定することが好ましい。具体的には、（Ａ）合金磁性粉体と（Ｂ）磁性粉体との体積比（（Ｂ）成分／（Ａ）成分）は、好ましくは０．９以上、より好ましくは１．０以上、更に好ましくは１．３以上、特に好ましくは１．９以上であり、好ましくは２０．０以下、より好ましくは１９．０以下、更に好ましくは１５．０以下、特に好ましくは１０．０以下である。（Ａ）合金磁性粉体及び（Ｂ）磁性粉体等の樹脂組成物に含まれる成分の体積は、質量を真比重で割り算して得ることができる。前記の体積比（（Ｂ）成分／（Ａ）成分）は、こうして求められた（Ｂ）磁性粉体の体積を（Ａ）合金磁性粉体の体積で割り算して求めることができる。体積比（（Ｂ）成分／（Ａ）成分）が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

（Ａ）合金磁性粉体の量は、（Ａ）合金磁性粉体と（Ｂ）磁性粉体との合計量が特定の範囲に収まるように設定することが好ましい。具体的には、（Ａ）合金磁性粉体と（Ｂ）磁性粉体との合計量（体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは５０体積％以上、より好ましくは５５体積％以上、特に好ましくは６０体積％以上であり、好ましくは８０体積％以下、より好ましくは７６体積％以下、特に好ましくは７３体積％以下である。（Ａ）合金磁性粉体と（Ｂ）磁性粉体との合計量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

また、（Ａ）合金磁性粉体と（Ｂ）磁性粉体との合計量（質量％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは８５質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９６質量％以下、特に好ましくは９４質量％以下である。（Ａ）合金磁性粉体と（Ｂ）磁性粉体との合計量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

（Ａ）合金磁性粉体の量は、（Ａ）合金磁性粉体と（Ｃ）バインダ樹脂との質量比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分）が特定の範囲に収まるように設定することが好ましい。具体的には、（Ａ）合金磁性粉体と（Ｃ）バインダ樹脂との質量比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分）は、好ましくは０．５以上、より好ましくは１．０以上、特に好ましくは２．０以上であり、好ましくは２０以下、より好ましくは１０以下、特に好ましくは６．０以下である。（Ａ）合金磁性粉体と（Ｃ）バインダ樹脂との質量比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分）が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

（Ａ）合金磁性粉体の量は、（Ａ）合金磁性粉体と（Ｃ）バインダ樹脂との体積比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分）が特定の範囲に収まるように設定することが好ましい。具体的には、（Ａ）合金磁性粉体と（Ｃ）バインダ樹脂との体積比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分）は、好ましくは０．０５以上、より好ましくは０．１０以上、特に好ましくは０．４０以上であり、好ましくは１．５以下、より好ましくは１．０以下、特に好ましくは０．８０以下である。（Ａ）合金磁性粉体と（Ｃ）バインダ樹脂との体積比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分）が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

［３．（Ｂ）磁性粉体］
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、（Ｂ）成分として、特定の範囲のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂを有する（Ｂ）磁性粉体を含む。（Ｂ）磁性粉体の種類は、特に限定されない。（Ｂ）磁性粉体は、軟磁性粉体であってもよく、硬磁性粉体であってもよい。中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、（Ｂ）磁性粉体は軟磁性粉体であることが好ましい。（Ｂ）磁性粉体としては、例えば、磁性金属酸化物粉体、磁性金属粉体が挙げられる。

磁性金属酸化物粉体としては、例えば、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライト粉体、Ｍｇ－Ｚｎ系フェライト粉体、Ｍｎ系フェライト粉体、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライト粉体、Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト粉体、Ｃｕ－Ｚｎ系フェライト粉体、Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト粉体、Ｍｎ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト粉体、Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト粉体、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト粉体、Ｂａ－Ｚｎ系フェライト粉体、Ｂａ－Ｍｇ系フェライト粉体、Ｂａ－Ｎｉ系フェライト粉体、Ｂａ－Ｃｏ系フェライト粉体、Ｂａ－Ｎｉ－Ｃｏ系フェライト粉体、Ｙ系フェライト粉体等のフェライト粉体；酸化鉄粉（ＩＩＩ）、四酸化三鉄粉などの酸化鉄粉体；等が挙げられる。

磁性金属粉体としては、例えば、純鉄粉体；Ｆｅ－Ｓｉ系合金粉体、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金粉体、Ｆｅ－Ｃｒ系合金粉体、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金粉体、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金粉体、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金粉体、Ｆｅ－Ｎｉ系合金粉体、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金粉体、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ－Ｃｕ系合金粉体、Ｆｅ－Ｃｏ系合金粉体、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金粉体、Ｃｏ基アモルファス合金粉体等の結晶質又は非晶質の合金磁性粉体；等が挙げられる。

（Ｂ）磁性粉体は、好ましくは、フェライト粉体及び合金磁性粉体から選ばれる少なくとも１種の磁性粉体を含む。（Ｂ）磁性粉体は、透磁率をより向上させる観点から、１種類以上の合金磁性粉体を含むことが好ましい。合金磁性粉体としては、鉄合金系粉体が好ましい。鉄合金系粉体としては、Ｆｅと、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ及びＣｏからなる群より選ばれる少なくとも１種類の元素とを含む鉄合金系粉体が好ましい。さらには、Ｆｅと、Ｓｉ、Ｃｒ及びＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種類の元素とを含む鉄合金系粉体が好ましい。中でも、（Ｂ）磁性粉体は、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金粉体及びＦｅ－Ｎｉ系合金粉体から選ばれる少なくとも１種の合金磁性粉体を含むことが特に好ましい。
（Ｂ）磁性粉体は、粉体を１種類のみ含んでいてもよく、２種類以上の粉体を含んでいてもよい。

（Ｂ）磁性粉体のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂは、通常０．１ｍ^２／ｇ以上、好ましくは０．２ｍ^２／ｇ以上、さらに好ましくは０．３ｍ^２／ｇ以上であり、通常２．０ｍ^２／ｇ未満、より好ましくは１．５ｍ^２／ｇ以下、さらに好ましくは１．０ｍ^２／ｇ以下である。（Ｂ）磁性粉体が前記範囲のＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂを有している場合に、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を優れたものにできる。

（Ｂ）磁性粉体は、略球状の粒子又は略楕円体状の粒子であることが好ましい。（Ｂ）磁性粉体の粒子のアスペクト比は、好ましくは４以下、より好ましくは３以下、さらに好ましくは２以下であり、通常１．０以上である。

（Ｂ）磁性粉体の平均粒径は、好ましくは１．５μｍ以上、より好ましくは２．０μｍ以上、更に好ましくは２．５μｍ以上、更に好ましくは２．７μｍ以上、特に好ましくは２．８μｍ以上であり、好ましくは５０．０μｍ以下、より好ましくは４０．０μｍ以下、更に好ましくは３０．０μｍ以下、特に好ましくは２５．０μｍ以下である。

（Ｂ）磁性粉体の真比重は、例えば、４．０ｇ／ｃｍ^３～１０ｇ／ｃｍ^３でありうる。

（Ｂ）磁性粉体は、市販品を用いてもよい。（Ｂ）磁性粉体の市販品の具体例としては、エプソンアトミックス社製「ＡＷ０２－０８ＰＦ０３」、「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２－５３ｕｍ」、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１－５３ｕｍ」；ＤＯＷＡエレクトロニクス社製の「Ｆｅ－５０Ｎｉ」；パウダーテック社製の「ＭＺ０５Ｓ」、「ＭＺ１０Ｓ」、「Ｍ０５Ｓ」；などが挙げられる。これらは、１種類をそのまま用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物に含まれる（Ｂ）磁性粉体の量（体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは２０体積％以上、特に好ましくは３０体積％以上であり、好ましくは８０体積％以下、より好ましくは７０体積％以下、特に好ましくは６０体積％以下である。（Ｂ）磁性粉体の量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

樹脂組成物に含まれる（Ｂ）磁性粉体の量（質量％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは３０質量％以上、特に好ましくは５０質量％以上であり、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８０質量％以下、特に好ましくは７０質量％以下である。（Ｂ）磁性粉体の量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

［４．（Ｃ）バインダ樹脂］
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、（Ｃ）成分として（Ｃ）バインダ樹脂を含む。バインダ樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いうる。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂等が挙げられる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられる。（Ｂ）バインダ樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。よって、例えば、（Ｃ）バインダ樹脂としては、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂を組み合わせて用いてもよい。中でも、（Ｂ）バインダ樹脂としては、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂とは、エポキシ基を有する樹脂を意味する。（Ｃ）バインダ樹脂がエポキシ樹脂を含む場合に、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂、等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましい。２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合、１種類以上のエポキシ樹脂が芳香族構造を有することが好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。

エポキシ樹脂には、温度２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２５℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、或いは液状エポキシ樹脂に加えて固体状エポキシ樹脂を組み合わせて含んでいてもよいが、好適な実施形態では、液状エポキシ樹脂のみを含む。

液状エポキシ樹脂の量は、全エポキシ樹脂１００質量％に対して、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは８０質量％以上、さらに好ましくは９０質量％以上、特に好ましくは１００質量％である。

液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。

液状エポキシ樹脂としては、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型脂肪族エポキシ樹脂及びグリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂がより好ましい。

液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂）；ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＤ－５２３Ｔ」（グリシロール型エポキシ樹脂（アデカグリシロール））、「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、「ＥＰ－４０８８Ｓ」（グリシジルエーテル型脂肪族エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ－１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン）等が挙げられる。

固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、フェノールフタルイミジン型エポキシ樹脂、フェノールフタレイン型エポキシ樹脂が好ましい。

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００」、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＨＰ－７２００Ｌ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３０００ＦＨ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトール型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ３７５」（ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００ＨＫ」、「ＹＬ７８９０」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ７７００」（フェノールアラルキル型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＷＨＲ９９１Ｓ」（フェノールフタルイミジン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

エポキシ樹脂として、固体状エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを併用する場合、液状エポキシ樹脂に対する固体状エポキシ樹脂の質量比（固体状エポキシ樹脂／液状エポキシ樹脂）は、特に限定されるものではないが、好ましくは１以下、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．１以下、さらにより好ましくは０．０５以下、特に好ましくは０．０１以下である。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．である。エポキシ当量は、エポキシ基１当量あたりの樹脂の質量である。このエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。

エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１００～５０００、より好ましくは２５０～３０００、さらに好ましくは４００～１５００である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。

エポキシ樹脂の量（体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは１５体積％以上、特に好ましくは２０体積％以上であり、好ましくは８０体積％以下、より好ましくは６０体積％以下、特に好ましくは４０体積％以下である。エポキシ樹脂の量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

エポキシ樹脂の量（質量％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、特に好ましくは３．０質量％以上であり、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。エポキシ樹脂の量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

（Ｃ）バインダ樹脂がエポキシ樹脂を含む場合、（Ｃ）バインダ樹脂は更にエポキシ硬化剤を含んでいてもよい。エポキシ硬化剤は、エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させうる任意の熱硬化性樹脂を表す。エポキシ硬化剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、チオール系硬化剤等が挙げられる。エポキシ硬化剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

フェノール系硬化剤としては、特に制限されないが、ビフェニル型硬化剤、ナフタレン型硬化剤、フェノールノボラック型硬化剤、ナフチレンエーテル型硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤が好ましい。具体例としては、ビフェニル型硬化剤の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」（明和化成社製）、ナフタレン型硬化剤の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」（日本化薬社製）、「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」（新日鐵化学社製）、「ＥＸＢ９５００」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラック型硬化剤の「ＴＤ２０９０」（ＤＩＣ社製）、ナフチレンエーテル型硬化剤の「ＥＸＢ－６０００」（ＤＩＣ社製）等が挙げられる。トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤の具体例としては、「ＬＡ３０１８」、「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ１３５６」（ＤＩＣ社製）等が挙げられる。特に、ナフタレン型硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好適である。

カルボジイミド系硬化剤としては、１分子内中に１個以上、好ましくは２個以上のカルボジイミド構造を有する硬化剤が挙げられ、例えば、テトラメチレン－ビス（ｔ－ブチルカルボジイミド）、シクロヘキサンビス（メチレン－ｔ－ブチルカルボジイミド）等の脂肪族ビスカルボジイミド；フェニレン－ビス（キシリルカルボジイミド）等の芳香族ビスカルボジイミド等のビスカルボジイミド；ポリヘキサメチレンカルボジイミド、ポリトリメチルヘキサメチレンカルボジイミド、ポリシクロヘキシレンカルボジイミド、ポリ（メチレンビスシクロヘキシレンカルボジイミド）、ポリ（イソホロンカルボジイミド）等の脂肪族ポリカルボジイミド；ポリ（フェニレンカルボジイミド）、ポリ（ナフチレンカルボジイミド）、ポリ（トリレンカルボジイミド）、ポリ（メチルジイソプロピルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（トリエチルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（ジエチルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（トリイソプロピルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（ジイソプロピルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（キシリレンカルボジイミド）、ポリ（テトラメチルキシリレンカルボジイミド）、ポリ（メチレンジフェニレンカルボジイミド）、ポリ［メチレンビス（メチルフェニレン）カルボジイミド］等の芳香族ポリカルボジイミド等のポリカルボジイミドが挙げられる。カルボジイミド系硬化剤の市販品としては、例えば、日清紡ケミカル社製の「カルボジライトＶ－０２Ｂ」、「カルボジライトＶ－０３」、「カルボジライトＶ－０４Ｋ」、「カルボジライトＶ－０７」及び「カルボジライトＶ－０９」；ラインケミー社製の「スタバクゾールＰ」、「スタバクゾールＰ４００」、「ハイカジル５１０」等が挙げられる。

酸無水物系硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられ、１分子内中に２個以上の酸無水物基を有する硬化剤が好ましい。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’－４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５－（テトラヒドロ－２，５－ジオキソ－３－フラニル）－ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１，３－ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。酸無水物系硬化剤の市販品としては、例えば、新日本理化社製の「ＨＮＡ－１００」、「ＭＨ－７００」、「ＭＴＡ－１５」、「ＤＤＳＡ」、「ＯＳＡ」、三菱ケミカル社製の「ＹＨ－３０６」、「ＹＨ－３０７」、日立化成社製の「ＨＮ－２２００」、「ＨＮ－５５００」等が挙げられる。

アミン系硬化剤としては、１分子内中に１個以上、好ましくは２個以上のアミノ基を有する硬化剤が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、芳香族アミン類が好ましい。アミン系硬化剤は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルアニリン）、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、ｍ－フェニレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジヒドロキシベンジジン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３－ジメチル－５，５－ジエチル－４，４－ジフェニルメタンジアミン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系硬化剤は市販品を用いてもよく、例えば、セイカ社製「ＳＥＩＫＡＣＵＲＥ－Ｓ」、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ－２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ－１００」、「カヤハードＡ－Ａ」、「カヤハードＡ－Ｂ」、「カヤハードＡ－Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ－ＯＰ１００Ｄ」、「ＯＤＡ－ＢＯＺ」；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」；四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」などが挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート））、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

チオール系硬化剤としては、例えば、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）、トリス（３－メルカプトプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。

エポキシ硬化剤の反応基当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは１００ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは１００ｇ／ｅｑ．～５００ｇ／ｅｑ．、特に好ましくは１００ｇ／ｅｑ．～３００ｇ／ｅｑ．である。反応基当量は、反応基１当量あたりのエポキシ硬化剤の質量を表す。

エポキシ硬化剤の量は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。下限は、例えば、０質量％以上、０．０１質量％以上、０．１質量％以上等でありうる。

（Ｃ）バインダ樹脂の量（体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは１５体積％以上、特に好ましくは２０体積％以上であり、好ましくは８０体積％以下、より好ましくは６０体積％以下、特に好ましくは４０体積％以下である。（Ｃ）バインダ樹脂の量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

（Ｃ）バインダ樹脂の量（質量％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、更に好ましくは３．０質量％以上、特に好ましくは５．０質量％以上であり、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。（Ｃ）バインダ樹脂の量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。

（Ｃ）バインダ樹脂の量は、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上であり、好ましくは１００質量％以下、より好ましくは９５質量％以下、特に好ましくは９０質量％以下である。（Ｃ）バインダ樹脂の量が前記範囲にある場合、硬化物の比透磁率、並びに、樹脂組成物のチキソ性及び埋め込み性を特に優れたものにできる。樹脂組成物の樹脂成分とは、樹脂組成物中の不揮発成分のうち、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分等の無機充填材以外の成分を表す。

［５．（Ｄ）エポキシ硬化促進剤］
（Ｃ）バインダ樹脂がエポキシ樹脂を含む場合、本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、任意の成分として、更に（Ｄ）エポキシ硬化促進剤を含みうる。（Ｄ）エポキシ硬化促進剤は、エポキシ樹脂の硬化を促進させる機能を有する。

（Ｄ）エポキシ硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、ウレア系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤等が挙げられる。中でも、（Ｄ）エポキシ硬化促進剤は、イミダゾール系硬化促進剤を含むことが好ましい。（Ｄ）エポキシ硬化促進剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、四国化成工業社製の「１Ｂ２ＰＺ」、「２ＭＺＡ－ＰＷ」、「２ＰＨＺ－ＰＷ」、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。

リン系硬化促進剤としては、例えば、テトラブチルホスホニウムブロマイド、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムアセテート、テトラブチルホスホニウムデカノエート、テトラブチルホスホニウムラウレート、ビス（テトラブチルホスホニウム）ピロメリテート、テトラブチルホスホニウムハイドロジェンヘキサヒドロフタレート、テトラブチルホスホニウム２，６－ビス［（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）メチル］－４－メチルフェノラート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルメチルホスホニウムテトラフェニルボレート等の脂肪族ホスホニウム塩；メチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、エチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、プロピルトリフェニルホスホニウムブロマイド、ブチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、ｐ－トリルトリフェニルホスホニウムテトラ－ｐ－トリルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラｐ－トリルボレート、トリフェニルエチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリス（３－メチルフェニル）エチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリス（２－メトキシフェニル）エチルホスホニウムテトラフェニルボレート、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等の芳香族ホスホニウム塩；トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン等の芳香族ホスフィン・ボラン複合体；トリフェニルホスフィン・ｐ－ベンゾキノン付加反応物等の芳香族ホスフィン・キノン付加反応物；トリブチルホスフィン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（２－ブテニル）ホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（３－メチル－２－ブテニル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の脂肪族ホスフィン；ジブチルフェニルホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、ブチルジフェニルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ－ｏ－トリルホスフィン、トリ－ｍ－トリルホスフィン、トリ－ｐ－トリルホスフィン、トリス（４－エチルフェニル）ホスフィン、トリス（４－プロピルフェニル）ホスフィン、トリス（４－イソプロピルフェニル）ホスフィン、トリス（４－ブチルフェニル）ホスフィン、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，４－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，５－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，６－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（３，５－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６－トリメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，６－ジメチル－４－エトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４－メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４－エトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニル－２－ピリジルホスフィン、１，２－ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３－ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４－ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，２－ビス（ジフェニルホスフィノ）アセチレン、２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）ジフェニルエーテル等の芳香族ホスフィン等が挙げられる。

ウレア系硬化促進剤としては、例えば、１，１－ジメチル尿素；１，１，３－トリメチル尿素、３－エチル－１，１－ジメチル尿素、３－シクロヘキシル－１，１－ジメチル尿素、３－シクロオクチル－１，１－ジメチル尿素等の脂肪族ジメチルウレア；３－フェニル－１，１－ジメチル尿素、３－（４－クロロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（３，４－ジクロロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（３－クロロ－４－メチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（２－メチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－メチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（３，４－ジメチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－イソプロピルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－メトキシフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－ニトロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－［４－（４－メトキシフェノキシ）フェニル］－１，１－ジメチル尿素、３－［４－（４－クロロフェノキシ）フェニル］－１，１－ジメチル尿素、３－［３－（トリフルオロメチル）フェニル］－１，１－ジメチル尿素、Ｎ，Ｎ－（１，４－フェニレン）ビス（Ｎ’，Ｎ’－ジメチル尿素）、Ｎ，Ｎ－（４－メチル－１，３－フェニレン）ビス（Ｎ’，Ｎ’－ジメチル尿素）〔トルエンビスジメチルウレア〕等の芳香族ジメチルウレア等が挙げられる。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられる。

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられる。アミン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、味の素ファインテクノ社製の「ＭＹ－２５」等が挙げられる。

（Ｄ）エポキシ硬化促進剤の量（体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは２０体積％以下、より好ましくは１０体積％以下、特に好ましくは５体積％以下である。その下限は、例えば、０体積％以上、０．０１体積％以上、０．１体積％以上、０．５体積％以上等でありうる。

（Ｄ）エポキシ硬化促進剤の量（質量％）は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下、特に好ましくは２質量％以下である。その下限は、例えば、０質量％以上、０．０１質量％以上、０．１質量％以上、０．５質量％以上等でありうる。

［６．（Ｅ）任意の成分］
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、上述した成分に組み合わせて、更に（Ｅ）任意の成分を含みうる。任意の成分としては、例えば、マレイミド系ラジカル重合性化合物、ビニルフェニル系ラジカル重合性化合物、（メタ）アクリル系ラジカル重合性化合物、アリル系ラジカル重合性化合物、ポリブタジエン系ラジカル重合性化合物等のラジカル重合性化合物；過酸化物系ラジカル重合開始剤、アゾ系ラジカル重合開始剤等のラジカル重合開始剤；ゴム粒子等の有機充填材；有機銅化合物、有機亜鉛化合物等の有機金属化合物；ハイドロキノン、カテコール、ピロガロール、フェノチアジン等の重合禁止剤；シリコーン系レベリング剤、アクリルポリマー系レベリング剤等のレベリング剤；ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤；シリコーン系消泡剤、アクリル系消泡剤、フッ素系消泡剤、ビニル樹脂系消泡剤等の消泡剤；ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤；尿素シラン等の接着性向上剤；トリアゾール系密着性付与剤、テトラゾール系密着性付与剤、トリアジン系密着性付与剤等の密着性付与剤；ヒンダードフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤等の酸化防止剤；スチルベン誘導体等の蛍光増白剤；フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤；リン系難燃剤（例えばリン酸エステル化合物、ホスファゼン化合物、ホスフィン酸化合物、赤リン）、窒素系難燃剤（例えば硫酸メラミン）、ハロゲン系難燃剤、無機系難燃剤（例えば三酸化アンチモン）等の難燃剤；リン酸エステル系分散剤、ポリオキシアルキレン系分散剤、アセチレン系分散剤、シリコーン系分散剤、アニオン性分散剤、カチオン性分散剤等の分散剤；ボレート系安定剤、チタネート系安定剤、アルミネート系安定剤、ジルコネート系安定剤、イソシアネート系安定剤、カルボン酸系安定剤、カルボン酸無水物系安定剤等の安定剤；等が挙げられる。（Ｅ）任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

［７．（Ｆ）有機溶剤］
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、上述した（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分といった不揮発性成分以外に、揮発性成分として更に任意の（Ｆ）有機溶剤を含みうる。

（Ｆ）有機溶剤としては、不揮発性成分に含まれる樹脂成分を溶解可能なものが好ましい。（Ｆ）有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソアミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ-ブチロラクトン等のエステル系溶剤；テトラヒドロピラン、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶剤；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール等のアルコール系溶剤；酢酸２－エトキシエチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、エチルジグリコールアセテート、γ－ブチロラクトン、メトキシプロピオン酸メチル等のエーテルエステル系溶剤；乳酸メチル、乳酸エチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステルアルコール系溶剤；２－メトキシプロパノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）等のエーテルアルコール系溶剤；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミド系溶剤；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤；ヘキサン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤等を挙げることができる。また、（Ｆ）有機溶剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

（Ｆ）有機溶剤の量は、少ないことが好ましい。例えば、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、（Ｆ）有機溶剤の量は、３質量％以下、１質量％以下、０．５質量％以下、０．１質量％以下、又は０．０１質量％以下でありうる。中でも、樹脂組成物が有機溶剤を含まないことが好ましい。すなわち、（Ｆ）有機溶剤の量は、０質量％が好ましい。

［８．樹脂組成物の特性］
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、低いチキソ性を有することができる。樹脂組成物のチキソ性は、通常、チキソトロピーインデックス（Ｔ．Ｉ．）によって表すことができる。樹脂組成物の具体的なチキソトロピーインデックスの範囲は、好ましくは２．７以下、より好ましくは２．２以下、更に好ましくは２．０以下、特に好ましくは１．８以下である。チキソトロピーインデックスの下限は、特段の制限は無い。ただし、樹脂組成物の層を形成する場合に当該層を厚く形成する観点では、樹脂組成物のチキソトロピーインデックスの下限は、例えば、１．１以上、１．２以上、１．３以上、１．４以上などでありうる。

樹脂組成物のチキソトロピーインデックスＴ．Ｉ．は、２５℃±０．１℃においてＥ型粘度計を用いて測定されるロータ回転数０．５ｒｐｍ及び５ｒｐｍでの粘度η_０．５及び粘度η_５を用いて、下記の式（Ｍ１）によって計算できる。
Ｔ．Ｉ．＝η_０．５／η_５ （Ｍ１）
Ｅ型粘度計としては、例えば、東機産業社製「ＲＥ－８０Ｕ」（３°×Ｒ９．７コーンロータ、測定サンプル０．２２ｍｌ）を用いうる。チキソトロピーインデックスの具体的な測定方法は、後述する実施例で説明する方法を採用しうる。

本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、優れた埋め込み性を有することができる。この埋め込み性は、基板に形成されたスルーホールに樹脂組成物を良好に充填できる性質として評価しうる。例えば、厚み１ｍｍのＦＲ４基板に、直径５００μｍのスルーホールを形成する。このスルーホールに、２５℃、０．１Ｐａの真空度中、ウレタンスキージを使用して、印刷速度１５０ｍｍ／ｓで樹脂組成物を基板に印刷する評価試験を行う。この評価試験を行った場合、上述した樹脂組成物は、通常、スルーホールの途中で停止することは無く、スルーホールの全体に充填されることができる。したがって、基板の片面（オモテ面）に樹脂組成物を印刷した場合、基板のもう片面（裏面）のスルーホールの開口から、樹脂組成物を吐出させることができる。前記の評価試験は、具体的には、後述する実施例で説明する方法によって実施しうる。

また、本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、通常、樹脂組成物層を形成した場合にも、優れた埋め込み性を発揮できる。例えば、樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を備える樹脂シートを用意する。そして、この樹脂シートを、表面に配線パターンが形成された基板と貼り合わせる。この場合、基板の表面に形成された配線パターンを、樹脂組成物層に良好に埋め込むことができる。したがって、通常は、樹脂組成物層と配線パターンとの間に空隙が形成されることを抑制できる。

本発明の一実施形態に係る樹脂組成物を硬化させた硬化物は、優れた磁性特性を有することができる。よって、樹脂組成物の硬化物は、通常、高い比透磁率を有することができる。樹脂組成物の硬化物の具体的な比透磁率は、好ましくは７．５以上、より好ましくは８．０以上、更に好ましくは９．０以上、特に好ましくは１０．０以上である。比透磁率の上限は、特段の制限は無いが、例えば、３０．０以下、２０．０以下、１５．０以下などでありうる。

前記の比透磁率は、樹脂組成物を１８０℃で９０分間加熱して硬化させて得られる硬化物について、測定周波数１００ＭＨｚ、測定温度２３℃の条件で測定しうる。比透磁率の具体的な測定方法は、後述する実施例で説明する方法を採用しうる。

［９．樹脂組成物の製造方法］
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、例えば、上述した各成分を混合することによって、製造することができる。混合の順は、制限は無い。また、一部又は全部の成分の混合を、同時に行ってもよい。各成分を混合する過程で、温度を適切に設定してもよく、例えば、一時的に又は終始にわたって加熱及び／又は冷却を行ってもよい。また、各成分を混合する過程において、撹拌又は振盪を行ってもよい。さらに、各成分を混合する過程、又は、混合の後に、真空下等の低圧条件下で脱泡を行ってもよい。

［１０．樹脂組成物の用途］
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、例えば、２３℃の常温においてペースト状の樹脂組成物の形態で用いてもよい。また、樹脂組成物層は、例えば、当該樹脂組成物の層を含む樹脂シートの形態で用いてもよい。

樹脂組成物は、例えば、有機溶剤を用いて、ペースト状の樹脂組成物としてもよいし、液状のバインダ樹脂等の液状樹脂成分を使用することにより、有機溶剤を含まないペースト状の樹脂組成物としてもよい。樹脂組成物中の有機溶剤の含有量が少ないか、又は、有機溶剤を含まない場合、有機溶剤の揮発によるボイドの発生を抑制することができ、取扱い性及び作業性に優れた樹脂組成物を得ることができる。

樹脂組成物は、例えば、スルーホール充填用の樹脂組成物として好適に使用することができる。また、樹脂組成物は、例えば、インダクタ素子を製造するためのインダクタ基素子形成用の樹脂組成物として好適に使用することができる。

［１１．樹脂シート］
樹脂シートは、支持体と、該支持体上に前記の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、を含む。

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上、１０μｍ以上等でありうる。

支持体としては、例えば、プラスチック材料のフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料のフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料のフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド系離型剤、ポリオレフィン系離型剤、ウレタン系離型剤、及びシリコーン系離型剤からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、シリコーン系離型剤又はアルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＰＥＴ５０１０１０」、「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」；東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミの付着及びキズを抑制することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。

樹脂シートは、例えば、樹脂組成物を、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布し、樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。必要に応じて樹脂組成物に有機溶剤を混合してから支持体上に塗布してもよい。有機溶剤を用いる場合、必要に応じて塗布後に乾燥を行ってもよい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂組成物中に含まれる成分によっても異なるが、例えば５０℃～１５０℃で３分間～１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、通常は、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

［１２．回路基板］
本発明の一実施形態に係る回路基板は、上述した樹脂組成物の硬化物を含む。回路基板の具体的な構造は、樹脂組成物の硬化物を含む限り、制限は無い。第一の例に係る回路基板は、ホールを形成された基板と、このホールに充填された樹脂組成物の硬化物と、を含む。また、第二の例に係る回路基板は、樹脂組成物の硬化物で形成された硬化物層を含む。以下、これら第一の例及び第二の例に係る回路基板について説明する。

［１２．１．第一の例に係る回路基板］
第一の例に係る回路基板は、ホールを形成された基板と、前記のホールに充填された樹脂組成物の硬化物と、を含む。この回路基板は、例えば、
（１）基板のホールに樹脂組成物を充填する工程、
（２）樹脂組成物を硬化させ、硬化物を得る工程、
を含む製造方法によって、製造しうる。また、第一の例に係る回路基板の製造方法は、更に、
（３）硬化物又は樹脂組成物の表面を研磨する工程、
（４）硬化物を粗化処理する工程、及び
（５）硬化物を粗化処理した面に導体層を形成する工程、
を含んでいてもよい。通常、前記の工程（１）～（５）は、工程（１）～（５）の順で行われるが、工程（３）の後に工程（２）を行ってもよい。第一の例に係る回路基板の製造方法では、ペースト状の樹脂組成物を用いて硬化物を形成することが好ましい。以下の説明では、基板を厚み方向に貫通するホールとしてのスルーホールを形成された基板を用いた例を示して、説明する。

＜工程（１）＞
工程（１）は、通常、スルーホールが形成された基板を用意する工程を含む。基板は、市場から購入して用意してもよい。また、基板は、適切な材料を用いて製造して用意してもよい。以下、一例に係る基板の製造方法を説明する。

図１は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において用意されるコア基板１０を模式的に示す断面図である。基板を用意する工程は、図１に示す例のように、コア基板１０を用意する工程を含んでいてもよい。コア基板１０は、通常、支持基板１１を含む。支持基板１１としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。また、該支持基板１１上には、金属層が設けられていてもよい。金属層は、支持基板１１の片面に設けられていてもよく、両面に設けられていてもよい。ここでは、支持基板１１の両表面に第１金属層１２及び第２金属層１３が設けられた例を示す。第１金属層１２及び第２金属層１３としては、銅等の金属によって形成された層が挙げられる。第１金属層１２及び第２金属層１３は、例えば、キャリア付銅箔等の銅箔であってもよく、後述する導体層の材料で形成された金属層であってもよい。

図２は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、スルーホール１４を形成されたコア基板１０を模式的に示す断面図である。基板を用意する工程は、図２に示す例のように、コア基板１０にスルーホール１４を形成する工程を含んでいてもよい。スルーホール１４は、例えば、ドリル加工、レーザー照射、プラズマ照射等の方法により形成することができる。通常は、コア基板１０に貫通穴を形成することにより、スルーホール１４を形成することができる。具体例を挙げると、スルーホール１４の形成は、市販されているドリル装置を用いて実施することができる。市販されているドリル装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＮＤ－１Ｓ２１１」等が挙げられる。

図３は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、スルーホール１４内にめっき層２０を形成されたコア基板１０を模式的に示す断面図である。基板を用意する工程は、必要に応じてコア基板１０に粗化処理を施した後、図３に示すようにめっき層２０を形成する工程を含んでいてもよい。前記の粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。めっき層２０は、めっき法により形成されうる。めっき法によりめっき層２０が形成される手順は、後述する工程（５）における導体層の形成と同じでありうる。ここでは、スルーホール１４内、第１金属層１２の表面、及び、第２金属層１３の表面にめっき層２０を形成した例を示して説明する。

図４は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、コア基板１０のスルーホール内に樹脂組成物３０ａを充填した様子を模式的に示す断面図である。工程（１）は、前記のようにスルーホール１４を形成されたコア基板１０を用意した後で、図４に示すように、コア基板１０のスルーホール１４に、樹脂組成物３０ａを充填することを含む。充填は、例えば印刷法で行いうる。印刷法としては、例えば、スキージを介してスルーホール１４へ樹脂組成物３０ａを印刷する方法、カートリッジを介して樹脂組成物３０ａを印刷する方法、マスク印刷して樹脂組成物３０ａを印刷する方法、ロールコート法、インクジェット法等が挙げられる。通常は、余剰の樹脂組成物３０ａがスルーホール１４ａの外に突出又は付着する。よって、樹脂組成物３０ａは、スルーホール１４ａ内だけでなく、スルーホール１４ａの外にも設けられうる。

＜工程（２）＞
図５は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（２）を説明するための模式的な断面図である。工程（２）は、スルーホール１４内に樹脂組成物３０ａを充填した後で、図５に示すように、樹脂組成物３０ａを硬化して硬化物３０を形成することを含む。

樹脂組成物３０ａの硬化は、通常、熱硬化によって行う。樹脂組成物３０ａの熱硬化条件は、樹脂組成物３０ａの硬化が進行する範囲で、適切に設定しうる。硬化温度は、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１１０分以下、さらに好ましくは１００分以下である。

工程（２）で得られる硬化物３０の硬化度は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。硬化度は、例えば示差走査熱量測定装置を用いて測定できる。

第一の例に係る回路基板の製造方法は、樹脂組成物３０ａをスルーホール１４に充填した後、樹脂組成物３０ａを硬化させる前に、樹脂組成物３０ａを硬化温度よりも低い温度で加熱する工程（予備加熱工程）を含んでいてもよい。例えば、樹脂組成物３０ａを硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物３０ａを、通常５分間以上（好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間）、予備加熱してもよい。

＜工程（３）＞
図６は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（３）を説明するための模式的な断面図である。工程（３）は、コア基板１０から突出又は付着している余剰の硬化物３０を図６に示すように研磨することを含む。研磨により、余剰の硬化物３０が除去されるので、硬化物３０の表面を平坦化することができる。

研磨方法としては、コア基板１０から突出又は付着している余剰の硬化物３０を除去できる方法を採用しうる。このような研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨、セラミック研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては、例えば、石井表記社製「ＮＴ－７００ＩＭ」等が挙げられる。

硬化物３０の研磨面（硬化物層の熱硬化後）の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、導体層との間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

工程（２）の後に工程（３）を行う場合、工程（２）後工程（３）前に、硬化物３０の硬化度をさらに高める目的で、硬化物３０に熱処理を施してもよい。前記熱処理における温度は、上記した硬化温度に準じうる。具体的な熱処理温度は、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。

また、工程（２）の前に工程（３）を行う場合、工程（３）の前に、樹脂組成物の硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。前記予備加熱処理における温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。

＜工程（４）＞
工程（４）は、硬化物の研磨面に粗化処理（デスミア処理）を施すことを含む。粗化工程の手順、条件は特に限定されず、例えば、多層プリント配線板の製造方法に際して使用される手順、条件を採用することができる。粗化工程として、例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施することにより、硬化物３０に粗化処理してもよい。

粗化工程に用いられ得る膨潤液としては、例えば、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液である。膨潤液であるアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。

膨潤液による膨潤処理は、例えば、３０℃～９０℃の膨潤液に硬化物３０を１分間～２０分間浸漬することにより行うことができる。硬化物３０を構成する樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃～８０℃の膨潤液に硬化物３０を５分間～１５分間浸漬させることが好ましい。

酸化剤による粗化処理に用いられ得る酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃～８０℃に加熱した酸化剤の溶液に硬化物３０を１０分間～３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％～１０質量％とすることが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。

中和処理に用いられ得る中和液としては、酸性の水溶液が好ましい。中和液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃～８０℃の中和液に５分間～３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた硬化物３０を、４０℃～７０℃の中和液に５分間～２０分間浸漬する方法が好ましい。

硬化物３０の表面の粗化処理後の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、導体層との間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

＜工程（５）＞
図７は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。工程（５）は、図７に示すように、硬化物３０の研磨面上に導体層４０を形成することを含む。ここでは、硬化物３０の研磨面だけでなく、その周囲の面（例えば、コア基板１０の表面、めっき層２０の表面）にも導体層４０を形成した例を示す。また、図７では、コア基板１０の両側に導体層４０を形成した例を示すが、導体層４０は、コア基板１０の片側のみに形成してもよい。

図８は、本発明の一実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。図８に示すように、工程（５）は、導体層４０を形成した後、エッチング等の処理により、導体層４０、第１金属層１２、第２金属層１３、及びめっき層２０の一部を除去して、パターン導体層４１を形成することを含んでいてもよい。

導体層４０の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって硬化物３０（及びめっき層２０）の表面にめっきして、所望の配線パターンを有するパターン導体層４１を形成しうる。導体層４０の材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ、インジウム等の単金属；金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムの群から選択される２種以上の金属の合金が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。

ここで、硬化物３０の研磨面上にパターン導体層４１を形成する方法の例を、詳細に説明する。硬化物３０の研磨面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その後、必要に応じて、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有するパターン導体層４１を形成できる。パターン導体層４１の形成後、パターン導体層４１の密着強度を向上させるために、必要によりアニール処理を行ってもよい。アニール処理は、例えば、１５０℃～２００℃で２０分～９０分間加熱することにより行うことができる。

パターン導体層４１の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、更に好ましくは５μｍ以上である。

以上の方法により、樹脂組成物の硬化物３０を含む回路基板１を製造することができる。

［１２．２．第二の例に係る回路基板］
第二の例に係る回路基板は、樹脂組成物の硬化物により形成された硬化物層を含む。この硬化物層は、樹脂シートを用いて形成することが好ましい。この回路基板は、例えば、
（ｉ）樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、硬化物層を形成する工程、
（ｉｉ）硬化物層に穴あけ加工を行う工程、
（ｉｉｉ）硬化物層の表面を粗化処理する工程、及び
（ｉｖ）硬化物層の面に導体層を形成する工程、
を含む製造方法によって、製造できる。

＜工程（ｉ）＞
工程（ｉ）は、樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、硬化物層を形成することを含む。例えば、樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、樹脂組成物層を熱硬化して硬化物層を形成する。

図９は、本発明の一実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉ）を説明するための模式的な断面図である。図９に示すように、支持体３３０と、この支持体３３０上に設けられた樹脂組成物層３２０ａとを含む樹脂シート３１０を用意する。そして、樹脂組成物層３２０ａが内層基板２００と接合するように、樹脂シート３１０と内層基板２００とを積層する。

内層基板２００としては、絶縁性の基板を用いうる。内層基板２００としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。内層基板２００は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。

本例に示す内層基板２００は、第１主表面２００ａ上に設けられた第１導体層４２０と、第２主表面２００ｂ上に設けられた外部端子２４０とを備える。第１導体層４２０は、複数の配線を含んでいてもよい。ただし、図９に示す例では、インダクタ素子のコイル状導電性構造体４００（図１２参照）を構成する配線のみが示されている。外部端子２４０は、図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子でありうる。外部端子２４０は、第２主表面２００ｂに設けられる導体層の一部として構成することができる。

第１導体層４２０、及び外部端子２４０を構成し得る導体材料としては、例えば、第一の例で説明した導体層の材料と同じものが挙げられる。

第１導体層４２０、及び外部端子２４０は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。また、第１導体層４２０、外部端子２４０の厚さは、後述する第２導体層４４０と同じでありうる。

第１導体層４２０及び外部端子２４０のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる硬化物層を得る観点から、通常９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物層の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。

内層基板２００は第１主表面２００ａから第２主表面２００ｂに至るように内層基板２００を貫通する複数のスルーホール２２０を有していてもよい。スルーホール２２０にはスルーホール内配線２２０ａが設けられている。スルーホール内配線２２０ａは、第１導体層４２０と外部端子２４０とを電気的に接続している。

樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、例えば、支持体３３０側から、樹脂シート３１０を内層基板２００に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シート３１０を内層基板２００に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ステンレス（ＳＵＳ）鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シート３１０に直接的に接触させてプレスするのではなく、内層基板２００の表面の凹凸に樹脂シート３１０が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材からなるシート等を介してプレスするのが好ましい。

加熱圧着する際の温度は、好ましくは８０℃～１６０℃、より好ましくは９０℃～１４０℃、さらに好ましくは１００℃～１２０℃の範囲であり、加熱圧着する際の圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着する際の時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。樹脂シートと内層基板との接合は、圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施することが好ましい。

樹脂シート３１０の樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。

樹脂シート３１０と内層基板２００との接合の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体３３０側からプレスすることにより、積層された樹脂シート３１０の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理とは、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

図１０は、本発明の一実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉ）を説明するための模式的な断面図である。樹脂シート３１０を内層基板２００に積層した後、樹脂組成物層３２０ａを熱硬化して硬化物層を形成する。本例では、図１０に示すように、内層基板２００に接合させた樹脂組成物層３２０ａを熱硬化し第１硬化物層３２０を形成する。

樹脂組成物層３２０ａの熱硬化条件は、樹脂組成物の硬化が進行する範囲で、適切に設定しうる。硬化温度は、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１１０分以下、さらに好ましくは１００分以下である。

支持体３３０は、工程（ｉ）の熱硬化後と工程（ｉｉ）との間に除去してもよく、工程（ｉｉ）の後に剥離してもよい。

硬化物層の粗化処理前の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

工程（ｉ）は、樹脂シートの代わりに樹脂組成物を、ダイコーター等の塗布装置を用いて内層基板２００上に塗布し、熱硬化させることで硬化物層を形成することを含んでいてもよい。

＜工程（ｉｉ）＞
図１１は、本発明の一実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉｉ）を説明するための模式的な断面図である。工程（ｉｉ）は、図１１に示すように、第１硬化物層３２０に穴あけ加工をし、ビアホール３６０を形成することを含む。ビアホール３６０は、第１導体層４２０と、後述する第２導体層４４０とを電気的に接続するための経路となりうる。ビアホール３６０の形成は、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施してよい。ホールの寸法や形状は、プリント配線板のデザインに応じて適宜決定してよい。

＜工程（ｉｉｉ）＞
工程（ｉｉｉ）において、ビアホールを形成した硬化物層の表面を粗化処理する。工程（ｉｉｉ）における粗化処理は、第一の例の工程（４）で説明したのと同じ方法で行いうる。

硬化物層の粗化処理後の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

＜工程（ｉｖ）＞
図１２は、本発明の一実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉｖ）を説明するための模式的な断面図である。図１２に示すように、工程（ｉｖ）では、第１硬化物層３２０上に、第２導体層４４０を形成する。

第２導体層４４０を構成し得る導体材料としては、第一の例で説明した導体層の材料と同じものが挙げられる。

第２導体層４４０の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、更に好ましくは５μｍ以上である。

第２導体層４４０は、めっきにより形成することができる。第２導体層４４０は、例えば、無電解めっき工程、マスクパターン形成工程、電解めっき工程、フラッシュエッチング工程を含むセミアディティブ法、フルアディティブ法等の湿式めっき法により形成されることが好ましい。湿式めっき法を用いて第２導体層４４０を形成することにより、所望の配線パターンを含む第２導体層４４０として形成することができる。なお、この工程により、ビアホール３６０内にビアホール内配線３６０ａが併せて形成される。

第１導体層４２０及び第２導体層４４０は、例えば後述する図１３～１５に一例を示すように、渦巻状に設けられていてもよい。一例において、第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２のランド４２０ａに電気的に接続されている。よって第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａ、ランド４２０ａ、スルーホール内配線２２０ａを経て外部端子２４０に電気的に接続される。

コイル状導電性構造体４００は、第１導体層４２０の一部分である渦巻状の配線部、第２導体層４４０の一部分である渦巻状の配線部、第１導体層４２０の渦巻状の配線部と第２導体層４４０の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６０ａにより構成されている。

工程（ｉｖ）後、さらに導体層上に硬化物層を形成する工程を行ってもよい。詳細は、図１４に一例を示すように、第２導体層４４０及びビアホール内配線３６０ａが形成された第１硬化物層３２０上に第２硬化物層３４０を形成する。第２硬化物層は既に説明した工程と同様の工程により形成してもよい。以上の方法により、樹脂組成物の硬化物で形成された第１硬化物層３２０及び第２硬化物層３４０を含む回路基板１００を製造することができる。

［１３．インダクタ基板］
インダクタ基板は、上述した回路基板を含む。このようなインダクタ基板は、上述した第一の例に係る回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、樹脂組成物の硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタパターンを有しうる。この場合、インダクタ基板は、例えば、第１金属層１２、第２金属層１３、めっき層２０及びパターン導体層４１の少なくとも一部で形成されたインダクタパターンと、このインダクタパターンに囲まれた硬化物３０で形成された芯部とによって構成されるインダクタ素子を含みうる。このようなインダクタ基板は、例えば特開２０１６－１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。

また、第二の例に係る回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、インダクタ基板は、硬化物層と、この硬化物層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しうる。そして、このインダクタ基板は、導電性構造体と、硬化物層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた硬化物層のうちの一部分とによって構成されるインダクタ素子を含みうる。

図１３は、インダクタ基板が有する回路基板１００をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図１４は、図１３に示すＩＩ－ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した回路基板１００の切断端面を示す模式的な図である。図１５は、インダクタ基板が含む回路基板１００の第１導体層４２０の構成を説明するための模式的な平面図である。

回路基板１００は、図１３及び図１４に一例として示されるように、複数の硬化物層（第１硬化物層３２０、第２硬化物層３４０）及び複数の導体層（第１導体層４２０、第２導体層４４０）を有する、即ちビルドアップ硬化物層及びビルドアップ導体層を有するビルドアップ配線板でありうる。また、回路基板１００は、内層基板２００を備えている。

図１４に示すように、第１硬化物層３２０及び第２硬化物層３４０は一体的な硬化物層としてみることができる磁性部３００を構成している。よってコイル状導電性構造体４００は、磁性部３００に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、この例に示す回路基板１００において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４００と、磁性部３００の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４００に囲まれた磁性部３００のうちの一部分である芯部によって構成されている。

図１５に一例として示されるように、第１導体層４２０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２０ａと電気的に接続される矩形状のランド４２０ａとを含んでいる。ここに示す例では、渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２０ａを迂回する迂回部とを含んでいる。また、第１導体層４２０の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。

同様に、第１硬化物層３２０上には第２導体層４４０が設けられている。第２導体層４４０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図１３又は図１４では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図１３又は図１４では第２導体層４４の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。

上述したインダクタ基板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。

またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に限定されるものではない。
以下の説明において、量を表す「部」及び「％」は、別に断らない限り、「質量部」及び「質量％」を意味する。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温（２３℃）、常圧（１気圧）、大気中にて行った。

［実施例１］
軟磁性ナノ合金粉体ａ１（ＪＦＥミネラル社製のＦｅＳｉＣｒ系合金粉体「Ｇ００１２９Ｄ」、平均粒径０．２μｍ、真比重７、比表面積９ｍ^２／ｇ）３０質量部、軟磁性粉体ｂ１（エプソンアトミックス社製、ＦｅＳｉＣｒ系合金粉体「ＡＷ０２－０８ＰＦ０３」、平均粒径３μｍ、真比重７、比表面積０．６５ｍ^２／ｇ）７０質量部、液状エポキシ樹脂ｃ１（「ＺＸ－１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、新日鉄住金化学社製、比重１．１）３質量部、液状エポキシ樹脂ｃ２（「ＥＰ－４０８８Ｓ」、グリシジルエーテル型脂肪族エポキシ樹脂、ＡＤＥＫＡ社製、比重１．１）３質量部、液状エポキシ樹脂ｃ３（「６３０」、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製、比重１．１）１質量部、及び、硬化促進剤（「２ＭＺＡ－ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成社製、比重１．０）１質量部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、ペースト状の樹脂組成物１を製造した。

［実施例２］
軟磁性粉体ｂ１の代わりに軟磁性粉体ｂ２（エプソンアトミックス社製のＦｅＳｉＣｒ系合金粉体「ＫＵＡＭＥＴ ６Ｂ２－５３ｕｍ」、平均粒径２５μｍ、真比重７、比表面積０．５ｍ^２／ｇ）７０質量部を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物２を製造した。

［実施例３］
軟磁性粉体ｂ１の代わりに軟磁性粉体ｂ３（エプソンアトミックス社製のＦｅＳｉＣｒ系合金粉体「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１－５３ｕｍ」、平均粒径２５μｍ、真比重７、比表面積０．５５ｍ^２／ｇ）７０質量部を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物３を製造した。

［実施例４］
軟磁性粉体ｂ１の代わりに軟磁性粉ｂ４（ＤＯＷＡエレクトロニクス社製のＦｅＮｉ系合金粉体「Ｆｅ－５０Ｎｉ」、平均粒径３μｍ、真比重８、比表面積０．８ｍ^２／ｇ）７０質量部を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物４を製造した。

［実施例５］
軟磁性粉体ｂ１の代わりに軟磁性粉体ｂ５（パウダーテック社製のＭｎＺｎ系フェライト粉体「ＭＺ０５Ｓ」、平均粒径５μｍ、真比重５、比表面積０．４ｍ^２／ｇ）７０質量部を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物５を製造した。

［実施例６］
軟磁性粉体ｂ１の代わりに軟磁性粉体ｂ６（パウダーテック社製のＭｎＺｎ系フェライト粉体「ＭＺ１０Ｓ」、平均粒径１０μｍ、真比重５、比表面積０．３ｍ^２／ｇ）７０質量部を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物６を製造した。

［実施例７］
軟磁性粉体ｂ１の代わりに軟磁性粉体ｂ７（パウダーテック社製のＭｎ系フェライト粉体「Ｍ０５Ｓ」、平均粒径５μｍ、真比重５、比表面積０．５ｍ^２／ｇ）７０質量部を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物７を製造した。

［実施例８］
軟磁性ナノ合金粉体ａ１の量を５質量部に変更し、軟磁性粉体ｂ１の量を９５質量部に変更したこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物８を製造した。

［実施例９］
軟磁性ナノ合金粉体ａ１の量を５０質量部に変更し、軟磁性粉体ｂ１の量を５０質量部に変更したこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物９を製造した。

［実施例１０］
軟磁性ナノ合金粉体ａ１の代わりに軟磁性ナノ合金粉体ａ２（ＪＦＥミネラル社製のＦｅＳｉＣｒ系合金粉体「Ｇ００２１２Ｄ」、平均粒径０．５μｍ、真比重７、比表面積３ｍ^２／ｇ）３０質量部を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物１０を製造した。

［実施例１１］
軟磁性ナノ合金粉体ａ１の代わりに軟磁性ナノ合金粉体ａ３（ＪＦＥミネラル社製のＦｅＳｉＣｒ系合金粉体「Ｇ００２２０ＤＣ」、平均粒径０．７μｍ、真比重８、比表面積５ｍ^２／ｇ）３０質量部を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物１１を製造した。

［比較例１］
軟磁性ナノ合金粉体ａ１の代わりに軟磁性ナノ粉体ａ４（パウダーテック社製のＭｎ系フェライト粉体「Ｍ００１」、平均粒径０．２μｍ、真比重５、比表面積１１ｍ^２／ｇ）３０質量部を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物１２を製造した。

［比較例２］
軟磁性ナノ合金粉体ａ１の代わりに軟磁性ナノ粉体ａ５（パウダーテック社製のＭｎＭｇＳｒ系フェライト粉体「Ｅ００１」、平均粒径０．２μｍ、真比重５、比表面積１５ｍ^２／ｇ）３０質量部を用いたこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物１３を製造した。

［比較例３］
軟磁性ナノ合金粉体ａ１の代わりに軟磁性ナノ粉体ａ４（パウダーテック社製のＭｎ系フェライト粉体「Ｍ００１」、平均粒径０．２μｍ、真比重５、比表面積１１ｍ^２／ｇ）５質量部を用い、軟磁性粉体ｂ１の量を９５質量部に変更したこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物１４を製造した。

［比較例４］
軟磁性ナノ合金粉体ａ１の代わりに軟磁性ナノ粉体ａ４（パウダーテック社製のＭｎ系フェライト粉体「Ｍ００１」、平均粒径０．２μｍ、真比重５、比表面積１１ｍ^２／ｇ）５０質量部を用い、軟磁性粉体ｂ１の量を５０質量部に変更したこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物１５を製造した。

［比較例５］
軟磁性ナノ合金粉体ａ１の代わりにシリカ（日本アエロジル社製のシリカ「Ａ２００」、平均粒径０．１μｍ、真比重２．２、比表面積２００ｍ^２／ｇ）５質量部を用い、軟磁性粉体ｂ１の量を９５質量部に変更したこと以外は、実施例１と同じ方法により、樹脂組成物１６を製造した。

［試験例１：比透磁率の測定］
支持体として、シリコン系離型剤処理を施された離型面を有するポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。各樹脂組成物を上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを１８０℃で９０分間加熱することにより樹脂組成物層を熱硬化し、支持体を剥離して、シート状の硬化物を得た。得られた硬化物を、外形１９ｍｍ、内径９ｍｍのトロイダル型試験片に切断し、評価サンプルを得た。この評価サンプルの比透磁率（μ’）を、分析装置（キーサイトテクノロジー（Ｋｅｙｓｉｇｈｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）社製「１６４５４Ａ Ｅ４９９１Ｂ」）を用い、測定周波数を１００ＭＨｚとし、室温２３℃にて測定した。

［試験例２：チキソトロピーインデックスの測定］
各樹脂組成物を２５℃±０．１℃に保ち、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＲＥ－８０Ｕ」、３°×Ｒ９．７コーンロータ（測定サンプル０．２２ｍｌ）を用いて各樹脂組成物の粘度を測定した。粘度の測定は、ロータ回転数が０．５ｒｐｍ及び５ｒｐｍでそれぞれ行った。ロータ回転数０．５ｒｐｍで測定された粘度η_０．５と、ロータ回転数５ｒｐｍで測定された粘度η_５とを用いて、下記の式により、チキソトロピーインデックス（Ｔ．Ｉ．）を算出した。
Ｔ．Ｉ．＝（回転数０．５ｒｐｍの粘度η_０．５）／（回転数５ｒｐｍの粘度η_５）

［試験例３：埋め込み性の評価］
ニューロング精密工業社製のＬＳ－３４０ＶＴＶＡ型真空スクリーン印刷機を用いて、下記の方法で、各樹脂組成物の埋め込み性の評価を行った。
直径５００μｍのスルーホールを形成されたＦＲ４基板（厚み１ｍｍ）を用意した。２５℃、０．１Ｐａの真空度中、ウレタンスキージを使用して、印刷速度１５０ｍｍ／ｓで各樹脂組成物を基板に印刷して、前記のスルーホールを樹脂組成物によって穴埋めした。印刷後、１９０℃９０分にて樹脂組成物を硬化させた。その後、スルーホールを形成された部分で基板を切断し、その断面観察を行って、以下の基準より埋め込み性を評価した。
「良」樹脂組成物がスルーホールを通過し、基板の裏面まで吐出している。
「不良」樹脂組成物が基板裏面に吐出していない。

［結果］
前記の実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。下記の表において、略称に意味は、下記の通りである。
体積比 Ｂ／Ａ：軟磁性ナノ粉体と軟磁性粉体との体積比（軟磁性粉体／軟磁性ナノ粉体）
加重平均（体積基準）：軟磁性ナノ粉体のＢＥＴ比表面積と軟磁性粉体のＢＥＴ比表面積との体積基準の加重平均。
加重平均（質量基準）：軟磁性ナノ粉体のＢＥＴ比表面積と軟磁性粉体のＢＥＴ比表面積との質量基準の加重平均。

１０ コア基板
１１ 支持基板
１２ 第１金属層
１３ 第２金属層
１４ スルーホール
２０ めっき層
３０ａ 樹脂組成物
３０ 硬化物
４０ 導体層
４１ パターン導体層
１００ 回路基板
２００ 内層基板
２００ａ 第１主表面
２００ｂ 第２主表面
２２０ スルーホール
２２０ａ スルーホール内配線
２４０ 外部端子
３００ 磁性部
３１０ 樹脂シート
３２０ａ 樹脂組成物層
３２０ 第１硬化物層
３３０ 支持体
３４０ 第２硬化物層
３６０ ビアホール
３６０ａ ビアホール内配線
４００ コイル状導電性構造体
４２０ 第１導体層
４２０ａ ランド
４４０ 第２導体層

Claims (14)

1. （Ａ）ＢＥＴ比表面積Ｓ_Ａが２ｍ^２／ｇ以上１０ｍ^２／ｇ以下の合金磁性粉体、
   （Ｂ）ＢＥＴ比表面積Ｓ_Ｂが０．１ｍ^２／ｇ以上２ｍ^２／ｇ未満の磁性粉体、及び
   （Ｃ）バインダ樹脂
   を含む、樹脂組成物。
2. （Ａ）成分と（Ｂ）成分との体積比（（Ｂ）成分／（Ａ）成分）が、０．９以上２０．０以下である、請求項１に記載の樹脂組成物。
3. （Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、５０体積％以上である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
4. （Ａ）成分が、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｒを含む鉄合金系粉体を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
5. （Ｃ）成分が、熱硬化性樹脂を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
6. （Ｃ）成分が、エポキシ樹脂を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
7. 更に、（Ｄ）エポキシ硬化促進剤を含む、請求項６に記載の樹脂組成物。
8. （Ｃ）成分の量が、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、６０質量％以上である、請求項１～７のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
9. ２３℃においてペースト状である、請求項１～８のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
10. 請求項１～９のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物。
11. 支持体と、該支持体上に請求項１～９の何れか１項に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層と、を含む、樹脂シート。
12. 請求項１～９のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
13. スルーホールを形成された基板と、前記スルーホールに充填された請求項１～９のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物と、を含む、回路基板。
14. 請求項１２又は１３に記載の回路基板を含むインダクタ基板。

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