WO2023176284A1

WO2023176284A1 - 樹脂組成物及びその製造方法

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Publication number: WO2023176284A1
Application number: PCT/JP2023/005414
Authority: WO
Inventors: 瑞季斎藤; 秀樹大山
Original assignee: 味の素株式会社
Priority date: 2022-03-17
Filing date: 2023-02-16
Publication date: 2023-09-21
Also published as: TW202346467A

Abstract

（Ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径を有するナノ結晶磁性粉と、（Ｂ）２μｍ以下の粒径を有する磁性粉と、（Ｄ）熱硬化性樹脂と、を含み、（Ａ）成分の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、２３体積％以上６０体積％以下であり、（Ｂ）成分の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、５体積％以上３０体積％以下である、樹脂組成物。

Description

樹脂組成物及びその製造方法

　本発明は、樹脂組成物及びその製造方法に関する。さらに、本発明は、その樹脂組成物から得られる硬化物、樹脂シート及びその製造方法、回路基板及びインダクタ基板に関する。

　近年の電子機器の小型軽量化、及び、携帯型機器の普及に伴い、スイッチング電源回路の小型化及び高性能化が進められている。スイッチング電源回路は、通常、インダクタを備えている（特許文献１～３）。

特開２０１７－６９５２３号公報国際公開第２００６／５４７４９号特開２０１９－１９２９２０号公報

　スイッチング電源の小型化のためには、インダクタの小型化が求められる（特許文献１）。このとき、スイッチング周波数を高くすれば、インダクタの小型化に有利となる。しかし、インダクタを形成するための磁性材料は、一般に、高周波数帯においては、磁性粉内部の渦電流損失による磁性損失が大きくなり、結果としてスイッチング電源の効率が低下する（特許文献２）。また、金属磁性粉のサイズが大きい場合、金属磁性粉の内部での渦電流損が大きくなる。よって、５０ＭＨｚから１００ＭＨｚといった高速スイッチング動作では、損失が大きく、高周波対応が困難である（特許文献３）。

　このような背景から、最近では、従来よりも相対的に低い１０ＭＨｚ程度の低周波帯で動作可能なインダクタが望まれている。よって、インダクタの高機能化と小型化とを同時に達成するため、低周波帯で高い比透磁率と低い磁性損失とを達成可能な磁性材料が求められている。

　また、樹脂組成物は、その使用時に塗布を行われることがある。例えば、樹脂組成物を含む樹脂組成物層を備えた樹脂シートを製造する場合には、支持体上に樹脂組成物を塗布することがある。また、例えば、基板に形成されたホールに樹脂組成物を充填する場合には、樹脂組成物を基板上に塗布してホールへの充填を行うことがある。よって、樹脂組成物には、塗布性に優れることが求められる。

　本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、低周波帯において高い比透磁率と低い磁性損失とを達成可能な硬化物を得ることができ且つ塗布性に優れる樹脂組成物及びその製造方法；前記の樹脂組成物の硬化物；前記の樹脂組成物を含む樹脂シート及びその製造方法；並びに、前記の樹脂組成物の硬化物を含む回路基板及びインダクタ基板；を提供することを目的とする。

　本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、特定の範囲の粒径を有するナノ結晶磁性粉と、別の特定の範囲の粒径を有する磁性粉と、熱硬化性樹脂とを含む樹脂組成物が前記の課題を解決できることを見い出した。また、本発明者は、特定の範囲の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉と、別の特定の範囲の平均粒径を有する磁性粉と、熱硬化性樹脂とを含む樹脂組成物が前記の課題を解決できることを見い出した。本発明は、これらの知見に基づき完成されたものである。
　すなわち、本発明は、下記のものを含む。

　［１］　（Ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径を有するナノ結晶磁性粉と、
　（Ｂ）２μｍ以下の粒径を有する磁性粉と、
　（Ｄ）熱硬化性樹脂と、を含み、
　（Ａ）成分の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、２３体積％以上６０体積％以下であり、
　（Ｂ）成分の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、５体積％以上３０体積％以下である、樹脂組成物。
　［２］　（Ａ）成分と（Ｂ）成分との体積比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分）が、１以上１２以下である、［１］に記載の樹脂組成物。
　［３］　（Ｃ）磁性粉を更に含み、
　（Ｃ）磁性粉は、２μｍより大きく２０μｍ以下の粒径を有する前記（Ａ）成分以外の磁性粉である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
　［４］　（Ｄ）成分が、エポキシ樹脂を含む、［１］～［３］のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
　［５］　（Ｅ）硬化促進剤を更に含む、［１］～［４］のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
　［６］　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉と、
　（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉と、
　（Ｄ）熱硬化性樹脂と、を混合することを含む、［１］～［５］のいずれか一項に記載の樹脂組成物の製造方法。
　［７］　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉と、
　（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉と、
　（Ｄ）熱硬化性樹脂と、を混合することを含む、樹脂組成物の製造方法。
　［８］　（ａ）成分の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、３０体積％以上８０体積％以下である、［６］又は［７］に記載の樹脂組成物の製造方法。
　［９］　（ａ）成分の１０％粒径Ｄ_１０が、２μｍよりも大きい、［６］～［８］のいずれか一項に記載の樹脂組成物の製造方法。
　［１０］　（ｂ）成分の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、５体積％以上５０体積％以下である、［６］～［９］のいずれか一項に記載の樹脂組成物の製造方法。
　［１１］　（ｂ）成分の９０％粒径Ｄ_９０が、５．５μｍ未満である、［６］～［１０］のいずれか一項に記載の樹脂組成物の製造方法。
　［１２］　（ｃ）磁性粉を更に混合することを含み、
　（ｃ）磁性粉は、２μｍより大きく２０μｍ以下で且つ（ａ）成分の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する、［６］～［１１］のいずれか一項に記載の樹脂組成物の製造方法。
　［１３］　（ｃ）磁性粉の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、３４体積％以下である、［１２］に記載の樹脂組成物の製造方法。
　［１４］　［１］～［５］のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物。
　［１５］　支持体と、該支持体上に形成された樹脂組成物層と、を備え、
　樹脂組成物層が、［１］～［５］のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
　［１６］　［６］～［１３］のいずれか一項に記載の製造方法によって樹脂組成物を製造する工程と、
　樹脂組成物を支持体上に塗布する工程と、を含む、樹脂シートの製造方法。
　［１７］　［１］～［５］のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
　［１８］　スルーホールを形成された基板と、前記スルーホールに充填された樹脂組成物の硬化物と、を含む、［１７］に記載の回路基板。
　［１９］　［１７］又は［１８］に記載の回路基板を含むインダクタ基板。

　本発明によれば、低周波帯において高い比透磁率と低い磁性損失とを達成可能な硬化物を得ることができ且つ塗布性に優れる樹脂組成物及びその製造方法；前記の樹脂組成物の硬化物；前記の樹脂組成物を含む樹脂シート及びその製造方法；並びに、前記の樹脂組成物の硬化物を含む回路基板及びインダクタ基板；を提供できる。

図１は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において用意されるコア基板を模式的に示す断面図である。図２は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、スルーホールを形成されたコア基板を模式的に示す断面図である。図３は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、スルーホール内にめっき層を形成されたコア基板を模式的に示す断面図である。図４は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、コア基板のスルーホール内に樹脂組成物を充填した様子を模式的に示す断面図である。図５は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（２）を説明するための模式的な断面図である。図６は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（３）を説明するための模式的な断面図である。図７は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。図８は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。図９は、本発明の第四実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉ）を説明するための模式的な断面図である。図１０は、本発明の第四実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉ）を説明するための模式的な断面図である。図１１は、本発明の第四実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉｉ）を説明するための模式的な断面図である。図１２は、本発明の第四実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉｖ）を説明するための模式的な断面図である。図１３は、インダクタ基板が有する回路基板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図１４は、図１３に示すＩＩ－ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した回路基板の切断端面を示す模式的な図である。図１５は、インダクタ基板が含む回路基板の第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。

　以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。ただし、本発明は、下記実施形態及び例示物に限定されるものではなく、請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施されうる。また、以下の説明において「透磁率」は、別に断らない限り「比透磁率」を表す。

＜第一実施形態に係る樹脂組成物の概要＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、（Ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径を有するナノ結晶磁性粉と、（Ｂ）２μｍ以下の粒径を有する磁性粉と、（Ｄ）熱硬化性樹脂と、を含む。以下の説明では、「（Ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径を有するナノ結晶磁性粉」を「（Ａ）ナノ結晶磁性粉」ということがある。また、「（Ｂ）２μｍ以下の粒径を有する磁性粉」を「（Ｂ）小径磁性粉」ということがある。本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、（Ａ）ナノ結晶磁性粉及び（Ｂ）小径磁性粉を、特定の範囲の量で含む。

　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、（Ｄ）熱硬化性樹脂が熱硬化することによって硬化して、硬化物を提供することができる。こうして得られる硬化物は、低周波数帯（例えば、１０ＭＨｚ）において高い比透磁率と低い磁性損失とを有することができる。また、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、通常、優れた塗布性を有することができる。

　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物によって前記の効果が得られる仕組みについて、本発明者は下記のように推察する。ただし、本発明の技術的範囲は、下記の仕組みに限定されるものではない。
　（Ａ）ナノ結晶磁性粉は、樹脂組成物の硬化物の比透磁率及び磁性損失を改善する作用を有する。具体的には、５．５μｍ以上の粒径を有するナノ結晶磁性粉は大きい比透磁率を有することができ、２０μｍ以下の粒径を有するナノ結晶磁性粉は小さい磁性損失を有することができるので、前記の範囲の粒径を有する（Ａ）ナノ結晶磁性粉を含む樹脂組成物の硬化物は、良好な比透磁率及び磁性損失を得ることができる。
　また、（Ｂ）小径磁性粉は、樹脂組成物の塗布性を改善し、更には樹脂組成物の硬化物の比透磁率及び磁性損失を改善する作用を有する。具体的には、２μｍ以下の粒径を有する磁性粉は、樹脂組成物の粘度を低減させることができる。また、２μｍ以下の粒径を有する磁性粉は、磁性損失が小さい。よって、（Ｂ）小径磁性粉によれば、樹脂組成物中の磁性粉の量が多くして比透磁率を向上させながら、その比透磁率の向上の割には磁性損失の増大を抑制できる。
　本実施形態に係る効果が得られる仕組みには、前記の（Ａ）ナノ結晶磁性粉及び（Ｂ）小径磁性粉の組み合わせの作用が含まれると考えられる。

＜第一実施形態に係る（Ａ）ナノ結晶磁性粉＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、（Ａ）成分として、特定の範囲の粒径を有する（Ａ）ナノ結晶磁性粉を含む。明細書において、用語「ナノ結晶磁性粉」とは、粒径１００ｎｍ以下の結晶粒を含む磁性粉をいう。結晶粒の粒径の下限は、特に制限はないが、好ましくは１ｎｍ以上である。中でも、ナノ結晶磁性粉は、結晶粒の最大粒径が１００ｎｍ以下であることが好ましい。通常、ナノ結晶磁性粉の粒子１個には、複数個の結晶粒が含まれており、よって、ナノ結晶磁性粉の粒子は多結晶体でありうる。結晶粒の大きさは、例えば、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察しうる。ナノ結晶磁性粉は、結晶粒を含有するので、一般に、Ｘ線回折パターンにおいて結晶性を示すピークを示しうる。結晶粒が有する結晶構造としては、例えばｂｃｃ結晶構造（体心立方格子構造）が挙げられるが、これ以外の結晶構造であってもよい。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉は、通常、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。（Ａ）ナノ結晶磁性粉は、その粒子の少なくとも一部に結晶粒を含むものであってもよく、粒子の表層に結晶粒を含むものが好ましく、粒子の全体に結晶粒を含むものがより好ましく、結晶粒のみからなるものが特に好ましい。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉は、５．５μｍ以上２０μｍ以下の範囲の粒径を有する。（Ａ）ナノ結晶磁性粉の粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の粒径分布を体積基準で作成し、その粒径分布から測定できる。測定サンプルは、磁性粉を超音波により純水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、マイクロトラックベル社製「ＭＴ３０００ＩＩ」、堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ－２２００」等を使用することができる。

　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、前記の範囲の粒径を有する（Ａ）ナノ結晶磁性粉を、特定の範囲の量で含む。具体的には、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、通常２３体積％以上、好ましくは２５体積％以上、更に好ましくは２８体積％以上であり、通常６０体積％以下、好ましくは５０体積％以下、更に好ましくは４０体積％以下である。このような量の（Ａ）ナノ結晶磁性粉を用いる場合に、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を改善することができ、さらに、樹脂組成物の塗布性を良好にできる。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。この磁性材料は、通常は無機材料であり、軟磁性材料であってもよく、硬磁性材料であってもよい。また、磁性材料は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の偏在化を抑制する観点から、（Ａ）ナノ結晶磁性粉に含まれる磁性材料としては、軟磁性材料が好ましい。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料としては、例えば、磁性金属酸化物、磁性金属が挙げられる。中でも、（Ａ）ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料は、鉄（Ｆｅ）を含有することが好ましい。よって、（Ａ）ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料としては、結晶性を有する鉄合金磁性材料、結晶性を有するフェライト磁性材料などが挙げられる。本発明の効果を顕著に発揮する観点では、（Ａ）ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料は、Ｆｅに組み合わせて、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及びＶからなる群から選択される１つ以上の元素を更に含有する組成を有することが好ましい。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉に含まれる磁性材料の好ましい例としては、特開２０２１－１５８３４３号公報、特開２０２１－１４１２６７号公報、特開２０１９－３１４６３公報、特開２０２１－１１６０２公報等に記載の磁性材料が挙げられる。

　前記の例の中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金粉が好ましい。Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金粉とは、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｎｂ及びＢを含有する合金で形成された磁性粉を表す。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、（Ａ）ナノ結晶磁性粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉は、例えば、アトマイズ法によって製造しうる。（Ａ）ナノ結晶磁性粉の製造方法の具体例としては、特開２０２１－１４１２６７号公報、特開２０２１－１５８３４３号公報に記載の方法が挙げられる。また、（Ａ）ナノ結晶磁性粉は、市販品を用いてもよい。（Ａ）ナノ結晶磁性粉を含む市販の磁性粉としては、例えば、エプソンアトミックス社製の「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－３８ｕｍ」、「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１　ＰＦ１０ＦＡ」などが挙げられる。ただし、市販の磁性粉は一般に粒径分布が広く、よって５．５μｍ以上２０μｍ以下という範囲から外れた粒径の粒子を含みうる。よって、（Ａ）ナノ結晶磁性粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉は、球状であることが好ましい。（Ａ）ナノ結晶磁性粉の粒子の長軸の長さを短軸の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下であり、通常１以上、好ましくは１より大きく、より好ましくは１．０５以上である。

　樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の量（体積％）を「Ｖ（Ａ）」で表し、（Ｂ）小径磁性粉の量（体積％）を「Ｖ（Ｂ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれる（Ａ）ナノ結晶磁性粉と（Ｂ）小径磁性粉との体積比（（Ａ）ナノ結晶磁性粉／（Ｂ）小径磁性粉）は、「Ｖ（Ａ）／Ｖ（Ｂ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（Ａ）／Ｖ（Ｂ）は、通常０．８以上、好ましくは１以上、より好ましくは１．２以上、特に好ましくは１．４以上であり、通常１２以下、好ましくは８．４以下、より好ましくは７．０以下、更に好ましくは６．０以下、特に好ましくは５．０以下である。体積比Ｖ（Ａ）／Ｖ（Ｂ）が前記の範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　また、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、樹脂組成物に含まれる（Ａ）ナノ結晶磁性粉と（Ｂ）小径磁性粉との合計量（体積％）は、「Ｖ（Ａ）＋Ｖ（Ｂ）」で表すことができる。この合計量（体積％）Ｖ（Ａ）＋Ｖ（Ｂ）は、通常２８体積％以上、好ましくは３４体積％以上、更に好ましくは３８体積％以上、特に好ましくは４０体積％以上であり、好ましくは７２体積％以下、より好ましくは６８体積％以下、更に好ましくは６４体積％以下、特に好ましくは６０体積％以下である。（Ａ）ナノ結晶磁性粉と（Ｂ）小径磁性粉との合計量（体積％）Ｖ（Ａ）＋Ｖ（Ｂ）が前記の範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　樹脂組成物中の全ての磁性粉の合計量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは３０体積％以上、より好ましくは４０体積％以上、特に好ましくは５０体積％以上であり、好ましくは９５体積％以下、より好ましくは９０体積％以下、特に好ましくは８５体積％以下である。磁性粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉及び（Ｂ）小径磁性粉の合計量（体積％）は、樹脂組成物中の全ての磁性粉の合計量１００体積％に対して、好ましくは４０体積％以上、より好ましくは５０体積％以上、特に好ましくは５４体積％以上であり、例えば、１００体積％以下、９０体積％以下、８０体積％以下などでありうる。（Ａ）ナノ結晶磁性粉及び（Ｂ）小径磁性粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉の量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは３０質量％以上、更に好ましくは３４質量％以上、特に好ましくは３８質量％以上であり、好ましくは６０質量％以下、好ましくは５６質量％以下、更に好ましくは５２質量％以下である。（Ａ）ナノ結晶磁性粉の量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の量（質量％）を「Ｍ（Ａ）」で表し、（Ｂ）小径磁性粉の量（質量％）を「Ｍ（Ｂ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれる（Ａ）ナノ結晶磁性粉と（Ｂ）小径磁性粉との質量比（（Ａ）ナノ結晶磁性粉／（Ｂ）小径磁性粉）は、「Ｍ（Ａ）／Ｍ（Ｂ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（Ａ）／Ｍ（Ｂ）は、好ましくは１．０以上、より好ましくは１．２以上、特に好ましくは１．４以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下、特に好ましくは６以下である。質量比Ｍ（Ａ）／Ｍ（Ｂ）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　また、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、樹脂組成物に含まれる（Ａ）ナノ結晶磁性粉と（Ｂ）小径磁性粉との合計量（質量％）は、「Ｍ（Ａ）＋Ｍ（Ｂ）」で表すことができる。この合計量（質量％）Ｍ（Ａ）＋Ｍ（Ｂ）は、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは４５質量％以上、更に好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは５３質量％以上であり、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８０質量％以下、特に好ましくは７０質量％以下である。合計量（質量％）Ｍ（Ａ）＋Ｍ（Ｂ）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　樹脂組成物中の全ての磁性粉の合計量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは８５質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９８質量％以下、特に好ましくは９７質量％以下である。磁性粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉及び（Ｂ）小径磁性粉の合計量（質量％）は、樹脂組成物中の全ての磁性粉の合計量１００質量％に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは５３質量％以上、特に好ましくは５５質量％以上であり、例えば、１００質量％以下、９０質量％以下、８０質量％以下、７０質量％以下などでありうる。（Ａ）ナノ結晶磁性粉及び（Ｂ）小径磁性粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

＜第一実施形態に係る（Ｂ）小径磁性粉＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、（Ｂ）成分として、特定の範囲の粒径を有する（Ｂ）小径磁性粉を含む。（Ｂ）小径磁性粉は、通常、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。この（Ｂ）小径磁性粉は、２μｍ以下の粒径を有する。（Ｂ）小径磁性粉の粒径は、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の粒径と同じ方法によって測定しうる。

　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、前記の範囲の粒径を有する（Ｂ）小径磁性粉を、特定の範囲の量で含む。具体的には、（Ｂ）小径磁性粉の量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、通常５体積％以上、好ましくは６体積％以上、更に好ましくは７体積％以上であり、通常３０体積％以下、好ましくは２６体積％以下、更に好ましくは２２体積％以下である。このような量の（Ｂ）小径磁性粉を用いた場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を良好にできる。

　（Ｂ）小径磁性粉は、結晶粒を含むナノ結晶磁性粉であってもよく、結晶粒を含まないアモルファス磁性粉であってもよく、ナノ結晶磁性粉以外の結晶磁性粉であってもよく、これらを組み合わせであってもよい。ナノ結晶磁性粉は、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の項で説明した通りである。他方、アモルファス磁性材料は、非晶質であるので、通常、Ｘ線回折パターンでは結晶性を示す特定のピークを示さない。一般には、アモルファス磁性粉のＸ線回折パターンには、結晶性を示すピークのないブロードなパターンが現れる。

　（Ｂ）小径磁性粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。この磁性材料は、通常は無機材料であり、軟磁性材料であってもよく、硬磁性材料であってもよい。また、磁性材料は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、（Ｂ）小径磁性粉の偏在化を抑制する観点から、（Ｂ）小径磁性粉に含まれる磁性材料としては、軟磁性材料が好ましい。

　（Ｂ）小径磁性粉が含む磁性材料としては、例えば、磁性金属酸化物材料、磁性金属材料が挙げられる。

　磁性金属酸化物材料としては、例えば、フェライト系の磁性材料；並びに、酸化鉄粉（ＩＩＩ）、四酸化三鉄粉などの酸化鉄材料；などが挙げられる。中でも、フェライト系の磁性材料が好ましい。フェライト系の磁性材料は、通常、酸化鉄を主成分とする複合酸化物であり、化学的に安定している。よって、フェライト系の磁性材料を用いる場合、耐食性が高く、発火の危険性が低く、減磁し難い等の利点が得られる。

　フェライト系の磁性材料としては、例えば、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｇ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、Ｆｅ－Ｚｎ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｃｕ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｃｏ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ－Ｃｏ系フェライト、Ｆｅ－Ｙ系フェライト等が挙げられる。

　フェライト系の磁性材料の中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｎｉ及びＣｕからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含むフェライトが好ましく、Ｍｎを含むフェライトが特に好ましい。よって、好ましいフェライト系の磁性材料としては、例えば、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｇ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｚｎ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｃｕ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ－Ｃｏ系フェライトが挙げられる。その中でも、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、及びＦｅ－Ｚｎ－Ｍｎ系フェライトが好ましく、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライトが特に好ましい。Ｆｅ－Ｍｎフェライトは、Ｆｅ及びＭｎを含有するフェライトを表す。

　磁性金属材料としては、例えば、純鉄；Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｂ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ－Ｃｕ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金、Ｃｏ基アモルファス合金等の、結晶質又は非晶質の合金磁性材料；などが挙げられる。磁性金属材料の中でも、鉄合金系磁性材料がより好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、Ｆｅと、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏからなる群より選ばれる少なくとも１種類の元素とを含む鉄合金系磁性材料が好ましく、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金が特に好ましい。Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金材料は、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｒを含有する合金を表す。

　（Ｂ）小径磁性粉が含む磁性材料として、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の磁性材料として説明した磁性材料を用いてもよい。（Ｂ）小径磁性粉が含む磁性材料と、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の磁性材料とは、同じでもよく、異なっていてもよい。

　（Ｂ）小径磁性粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、（Ｂ）小径磁性粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ｂ）小径磁性粉としては、市販の磁性粉を用いてもよい。市販の磁性粉の具体例としては、パウダーテック社製「ＭＺ０３Ｓ」、「Ｍ０５Ｓ」、「Ｍ００１」「ＭＺ０５Ｓ」；山陽特殊製鋼社製「ＰＳＴ－Ｓ」；エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８」、「ＡＷ２－０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２－０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ－３．５Ｓｉ－４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ－５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ－８０Ｎｉ－４ＭｏＰＦ２０Ｆ」、「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１　ＰＦ５ＦＡ」、「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１　ＰＦ３ＦＡ」；ＪＦＥケミカル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」、「ＬＤ－Ｍ」、「ＬＤ－ＭＨ」、「ＫＮＩ－１０６」、「ＫＮＩ－１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ－１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ－１０９」、「ＫＮＩ－１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ－１０９ＧＳ」；戸田工業社製「ＫＮＳ－４１５」、「ＢＳＦ－５４７」、「ＢＳＦ－０２９」、「ＢＳＮ－１２５」、「ＢＳＮ－１２５」、「ＢＳＮ－７１４」、「ＢＳＮ－８２８」、「Ｓ－１２８１」、「Ｓ－１６４１」、「Ｓ－１６５１」、「Ｓ－１４７０」、「Ｓ－１５１１」、「Ｓ－２４３０」；日本重化学工業社製「ＪＲ０９Ｐ２」；ＣＩＫナノテック社製「Ｎａｎｏｔｅｋ」；キンセイマテック社製「ＪＥＭＫ－Ｓ」、「ＪＥＭＫ－Ｈ」：ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ　ｉｒｏｎ　ｏｘｉｄｅ」；ＤＯＷＡエレクトロニクス社製「ＭＡ－ＲＣＯ－５」；等が挙げられる。ただし、市販の磁性粉は一般に粒径分布が広く、よって２μｍ以下という範囲から外れた粒径の粒子を含みうる。よって、（Ｂ）小径磁性粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。

　（Ｂ）小径磁性粉は、球状であることが好ましい。（Ｂ）小径磁性粉の粒子のアスペクト比の範囲は、（Ａ）ナノ結晶磁性粉のアスペクト比の範囲と同じでありうる。（Ｂ）小径磁性粉のアスペクト比と、（Ａ）ナノ結晶磁性粉のアスペクト比とは、同じでもよく、異なっていてもよい。

　（Ｂ）小径磁性粉の量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは５質量％以上、更に好ましくは７質量％以上、特に好ましくは９質量％以上であり、好ましくは４０質量％以下、好ましくは３５質量％以下、更に好ましくは３０質量％以下である。（Ｂ）小径磁性粉の量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

＜第一実施形態に係る（Ｃ）中間磁性粉＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、任意の成分として、（Ｃ）磁性粉を更に含んでいてもよい。（Ｃ）成分としての（Ｃ）磁性粉は、２μｍより大きく２０μｍ以下の粒径を有する（Ａ）ナノ結晶磁性粉以外の磁性粉を表す。この（Ｃ）磁性粉を、「（Ｃ）中間磁性粉」ということがある。（Ｃ）中間磁性粉の粒径は、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の粒径と同じ方法によって測定しうる。（Ｃ）中間磁性粉には、（Ａ）ナノ結晶磁性粉及び（Ｂ）小径磁性粉は含まれない。整理すると、この（Ｃ）中間磁性粉には、下記の（Ｃ１）及び（Ｃ２）の磁性粉が包含される。
　（Ｃ１）ナノ結晶磁性粉であって、且つ、２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径を有する磁性粉。
　（Ｃ２）ナノ結晶磁性粉以外の磁性粉であって、且つ、２μｍより大きく２０μｍ以下の粒径を有する磁性粉。

　（Ｃ）中間磁性粉によれば、樹脂組成物中の磁性粉の割合を大きくできるので、樹脂組成物の硬化物の比透磁率を大きくできる。通常、磁性粉によれば硬化物の磁性損失が増大しうるが、（Ｃ）中間磁性粉が小さい粒径を有するので、その磁性損失の増大の程度は抑制できる。よって、（Ｃ）中間磁性粉によれば、通常、磁性損失の増大を抑制しながら比透磁率を向上させることができる。

　（Ｃ）中間磁性粉は、結晶粒を含むナノ結晶磁性粉であってもよく、結晶粒を含まないアモルファス磁性粉であってもよく、ナノ結晶磁性粉以外の結晶磁性粉であってもよく、これらを組み合わせであってもよい。この（Ｃ）中間磁性粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。（Ｃ）中間磁性粉が含む磁性材料としては、（Ｂ）小径磁性粉の磁性材料として説明した磁性材料を用いてもよい。（Ｃ）中間磁性粉が含む磁性材料と、（Ｂ）小径磁性粉の磁性材料とは、同じでもよく、異なっていてもよい。（Ｃ）中間磁性粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、（Ｃ）中間磁性粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ｃ）中間磁性粉としては、市販の磁性粉を用いてもよい。市販の磁性粉の具体例としては、（Ｂ）小径磁性粉と同様の例が挙げられる。ただし、市販の磁性粉は一般に粒径分布が広く、よって２μｍより大きく５．５μｍ未満という範囲又は２μｍより大きく２０μｍ以下という範囲から外れた粒径の粒子を含みうる。よって、（Ｃ）中間磁性粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。

　（Ｃ）中間磁性粉は、球状であることが好ましい。（Ｃ）中間磁性粉の粒子のアスペクト比の範囲は、（Ａ）ナノ結晶磁性粉のアスペクト比の範囲と同じでありうる。（Ｃ）中間磁性粉のアスペクト比と、（Ａ）ナノ結晶磁性粉のアスペクト比とは、同じでもよく、異なっていてもよい。また、（Ｃ）中間磁性粉のアスペクト比と、（Ｂ）小径磁性粉のアスペクト比とは、同じでもよく、異なっていてもよい。

　（Ｃ）中間磁性粉の量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、０体積％であってもよく、０体積％より大きくてもよく、好ましくは１体積％以上、より好ましくは３体積％以上、特に好ましくは５体積％以上であり、好ましくは２５体積％以下、より好ましくは１５体積％以下、特に好ましくは１３体積％以下である。（Ｃ）中間磁性粉の量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、（Ｃ）中間磁性粉の量（体積％）を「Ｖ（Ｃ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれる（Ａ）ナノ結晶磁性粉と（Ｃ）中間磁性粉との体積比（（Ｃ）中間磁性粉／（Ａ）ナノ結晶磁性粉）は、「Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ａ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ａ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上であり、好ましくは１．０以下、より好ましくは０．９以下、特に好ましくは０．８以下である。体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ａ）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　また、樹脂組成物に含まれる（Ｂ）小径磁性粉と（Ｃ）中間磁性粉との体積比（（Ｃ）中間磁性粉／（Ｂ）小径磁性粉）は、「Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ｂ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ｂ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上であり、好ましくは８以下、より好ましくは５以下、特に好ましくは２以下である。体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ｂ）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉、（Ｂ）小径磁性粉及び（Ｃ）中間磁性粉の合計量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは３０体積％以上、好ましくは４０体積％以上、特に好ましくは５０体積％以上であり、好ましくは９０体積％以下、より好ましくは８０体積％以下、特に好ましくは７０体積％以下である。（Ａ）ナノ結晶磁性粉、（Ｂ）小径磁性粉及び（Ｃ）中間磁性粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉、（Ｂ）小径磁性粉及び（Ｃ）中間磁性粉の合計量（体積％）は、樹脂組成物中の全ての磁性粉の合計量１００体積％に対して、好ましくは５０体積％以上、より好ましくは６０体積％以上、特に好ましくは７０体積％以上であり、通常１００体積％以下である。この数値が大きいことは、樹脂組成物中の粒径が２０μｍより大きい巨大磁性粉が少ないことを表す。（Ａ）ナノ結晶磁性粉、（Ｂ）小径磁性粉及び（Ｃ）中間磁性粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ｃ）中間磁性粉の量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、０質量％であってもよく、０質量％より大きくてもよく、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、特に好ましくは５質量％以上であり、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３５質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下である。（Ｃ）中間磁性粉の量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、（Ｃ）中間磁性粉の量（質量％）を「Ｍ（Ｃ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれる（Ａ）ナノ結晶磁性粉と（Ｃ）中間磁性粉との質量比（（Ｃ）中間磁性粉／（Ａ）ナノ結晶磁性粉）は、「Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ａ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ａ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上であり、好ましくは１．０以下、より好ましくは０．９以下、特に好ましくは０．８以下である。質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ａ）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　また、樹脂組成物に含まれる（Ｂ）小径磁性粉と（Ｃ）中間磁性粉との質量比（（Ｃ）中間磁性粉／（Ｂ）小径磁性粉）は、「Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ｂ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ｂ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上であり、好ましくは８以下、より好ましくは５以下、特に好ましくは２以下である。質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ｂ）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉、（Ｂ）小径磁性粉及び（Ｃ）中間磁性粉の合計量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは４０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは６０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９８質量％以下である。（Ａ）ナノ結晶磁性粉、（Ｂ）小径磁性粉及び（Ｃ）中間磁性粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ａ）ナノ結晶磁性粉、（Ｂ）小径磁性粉及び（Ｃ）中間磁性粉の合計量（質量％）は、樹脂組成物中の全ての磁性粉の合計量１００質量％に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上であり、通常１００質量％以下である。この数値が大きいことは、樹脂組成物中の粒径が２０μｍより大きい巨大磁性粉が少ないことを表す。（Ａ）ナノ結晶磁性粉、（Ｂ）小径磁性粉及び（Ｃ）中間磁性粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

＜第一実施形態に係る（Ｄ）熱硬化性樹脂＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、（Ｄ）成分としての（Ｄ）熱硬化性樹脂を含む。（Ｄ）熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、チオール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。また、（Ｄ）熱硬化性樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ｄ）熱硬化性樹は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂とは、エポキシ基を有する樹脂を意味する。（Ｄ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含む場合、樹脂組成物の塗布性を特に良好にでき、また、硬化物の比透磁率及び磁性損失を特に優れたものにできる。

　エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂、等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の量の範囲は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。

　エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましい。２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合、１種類以上のエポキシ樹脂が芳香族構造を有することが好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。

　エポキシ樹脂には、温度２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２５℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。樹脂組成物は、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、或いは液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含んでいてもよい。中でも、好ましくは、エポキシ樹脂は、液状エポキシ樹脂のみを含む。

　液状エポキシ樹脂の量の範囲は、全エポキシ樹脂１００質量％に対して、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは８０質量％以上、さらに好ましくは９０質量％以上、特に好ましくは１００質量％である。

　液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。

　液状エポキシ樹脂としては、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型脂肪族エポキシ樹脂及びグリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂がより好ましい。

　液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂）；ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＤ－５２３Ｔ」（グリシロール型エポキシ樹脂（アデカグリシロール））、「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、「ＥＰ－４０８８Ｓ」（グリシジルエーテル型脂肪族エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ－１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン）等が挙げられる。

　固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。

　固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、フェノールフタルイミジン型エポキシ樹脂、フェノールフタレイン型エポキシ樹脂が好ましい。

　固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００」、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＨＰ－７２００Ｌ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３０００ＦＨ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトール型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ３７５」（ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００ＨＫ」、「ＹＬ７８９０」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ７７００」（フェノールアラルキル型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＷＨＲ９９１Ｓ」（フェノールフタルイミジン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　エポキシ樹脂として、固体状エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを併用する場合、液状エポキシ樹脂に対する固体状エポキシ樹脂の質量比（固体状エポキシ樹脂／液状エポキシ樹脂）は、特に限定されるものではないが、好ましくは１以下、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．１以下、さらにより好ましくは０．０５以下、特に好ましくは０．０１以下である。

　エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．である。エポキシ当量は、エポキシ基１当量あたりの樹脂の質量である。このエポキシ当量は、ＪＩＳ　Ｋ７２３６に従って測定することができる。

　エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１００～５０００、より好ましくは２５０～３０００、さらに好ましくは４００～１５００である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。

　エポキシ樹脂の量（体積％）の範囲は、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは２．５体積％以上、より好ましくは４．０体積％以上、特に好ましくは４．５体積％以上であり、好ましくは１０．０体積％以下、より好ましくは９．０体積％以下、特に好ましくは８．０体積％以下である。エポキシ樹脂の量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　エポキシ樹脂の量（質量％）の範囲は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、特に好ましくは１．０質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。エポキシ樹脂の量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ｄ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含む場合、（Ｄ）熱硬化性樹脂はエポキシ硬化剤を更に含んでいてもよい。エポキシ硬化剤は、エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させうる熱硬化性樹脂を表す。エポキシ硬化剤としては、例えば、フェノール系樹脂、カルボジイミド系樹脂、酸無水物系樹脂、アミン系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、チオール系樹脂等が挙げられる。エポキシ硬化剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　フェノール系樹脂としては、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香環に結合した水酸基を１分子中に１個以上、好ましくは２個以上有する樹脂を用いうる。フェノール系樹脂としては、ビフェニル型樹脂、ナフタレン型樹脂、フェノールノボラック型樹脂、ナフチレンエーテル型樹脂、トリアジン骨格含有フェノール系樹脂が好ましい。具体例としては、ビフェニル型樹脂の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」（明和化成社製）、ナフタレン型樹脂の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」（日本化薬社製）、「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」（新日鐵化学社製）、「ＥＸＢ９５００」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラック型樹脂の「ＴＤ２０９０」（ＤＩＣ社製）、ナフチレンエーテル型樹脂の「ＥＸＢ－６０００」（ＤＩＣ社製）等が挙げられる。トリアジン骨格含有フェノール系樹脂の具体例としては、「ＬＡ３０１８」、「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ１３５６」（ＤＩＣ社製）等が挙げられる。特に、ナフタレン型樹脂、トリアジン骨格含有フェノール系樹脂がより好適である。

　カルボジイミド系樹脂としては、１分子内中に１個以上、好ましくは２個以上のカルボジイミド構造を有する樹脂を用いうる。カルボジイミド系樹脂としては、例えば、テトラメチレン－ビス（ｔ－ブチルカルボジイミド）、シクロヘキサンビス（メチレン－ｔ－ブチルカルボジイミド）等の脂肪族ビスカルボジイミド；フェニレン－ビス（キシリルカルボジイミド）等の芳香族ビスカルボジイミド等のビスカルボジイミド；ポリヘキサメチレンカルボジイミド、ポリトリメチルヘキサメチレンカルボジイミド、ポリシクロヘキシレンカルボジイミド、ポリ（メチレンビスシクロヘキシレンカルボジイミド）、ポリ（イソホロンカルボジイミド）等の脂肪族ポリカルボジイミド；ポリ（フェニレンカルボジイミド）、ポリ（ナフチレンカルボジイミド）、ポリ（トリレンカルボジイミド）、ポリ（メチルジイソプロピルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（トリエチルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（ジエチルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（トリイソプロピルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（ジイソプロピルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（キシリレンカルボジイミド）、ポリ（テトラメチルキシリレンカルボジイミド）、ポリ（メチレンジフェニレンカルボジイミド）、ポリ［メチレンビス（メチルフェニレン）カルボジイミド］等の芳香族ポリカルボジイミド等のポリカルボジイミドが挙げられる。カルボジイミド系樹脂の市販品としては、例えば、日清紡ケミカル社製の「カルボジライトＶ－０２Ｂ」、「カルボジライトＶ－０３」、「カルボジライトＶ－０４Ｋ」、「カルボジライトＶ－０７」及び「カルボジライトＶ－０９」；ラインケミー社製の「スタバクゾールＰ」、「スタバクゾールＰ４００」、「ハイカジル５１０」等が挙げられる。

　酸無水物系樹脂としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤を用いてもよく、１分子内中に２個以上の酸無水物基を有する樹脂が好ましい。酸無水物系樹脂の具体例としては、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’－４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５－（テトラヒドロ－２，５－ジオキソ－３－フラニル）－ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１，３－ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。酸無水物系樹脂の市販品としては、例えば、新日本理化社製の「ＨＮＡ－１００」、「ＭＨ－７００」、「ＭＴＡ－１５」、「ＤＤＳＡ」、「ＯＳＡ」、三菱ケミカル社製の「ＹＨ－３０６」、「ＹＨ－３０７」、日立化成社製の「ＨＮ－２２００」、「ＨＮ－５５００」等が挙げられる。

　アミン系樹脂としては、１分子内中に１個以上、好ましくは２個以上のアミノ基を有する樹脂を用いうる。アミン系樹脂としては、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、芳香族アミン類が好ましい。アミン系樹脂は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系樹脂の具体例としては、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルアニリン）、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、ｍ－フェニレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジヒドロキシベンジジン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３－ジメチル－５，５－ジエチル－４，４－ジフェニルメタンジアミン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系樹脂は市販品を用いてもよく、例えば、セイカ社製「ＳＥＩＫＡＣＵＲＥ－Ｓ」、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ　Ｃ－２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ　Ｃ－１００」、「カヤハードＡ－Ａ」、「カヤハードＡ－Ｂ」、「カヤハードＡ－Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。

　ベンゾオキサジン系樹脂の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ－ＯＰ１００Ｄ」、「ＯＤＡ－ＢＯＺ」；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」；四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」などが挙げられる。

　活性エステル系樹脂としては、１分子中に１個以上、好ましくは２個以上の活性エステル基を有する樹脂を用いうる。中でも、活性エステル系樹脂としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する樹脂が好ましい。当該活性エステル系樹脂は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系樹脂が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系樹脂がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

　具体的には、活性エステル系樹脂としては、ジシクロペンタジエン型活性エステル系樹脂、ナフタレン構造を含むナフタレン型活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂が好ましい。ジシクロペンタジエン型活性エステル系樹脂としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂が好ましい。活性エステル系樹脂の市販品としては、例えば、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５Ｍ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」、「ＨＰＣ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」、「ＨＰＣ－８０００」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂として「ＨＰ－Ｂ－８１５１－６２Ｔ」、「ＨＰ－Ｃ－８１５１－６２Ｔ」、「ＥＸＢ－８１００Ｌ－６５Ｔ」、「ＥＸＢ－８１５０－６０Ｔ」、「ＥＸＢ－８１５０－６２Ｔ」、「ＥＸＢ－９４１６－７０ＢＫ」、「ＨＰＣ－８１５０－６０Ｔ」、「ＨＰＣ－８１５０－６２Ｔ」、「ＥＸＢ－８」（ＤＩＣ社製）；りん含有活性エステル系樹脂として、「ＥＸＢ９４０１」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系樹脂として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系樹脂として「ＹＬＨ１０２６」、「ＹＬＨ１０３０」、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；スチリル基及びナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂として「ＰＣ１３００－０２－６５ＭＡ」（エア・ウォーター社製）等が挙げられる。

　シアネートエステル系樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート））、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系樹脂の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

　チオール系樹脂としては、例えば、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）、トリス（３－メルカプトプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。

　エポキシ硬化剤の反応基当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは１００ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは１００ｇ／ｅｑ．～５００ｇ／ｅｑ．、特に好ましくは１００ｇ／ｅｑ．～３００ｇ／ｅｑ．である。反応基当量は、反応基１当量あたりのエポキシ硬化剤の質量を表す。

　エポキシ硬化剤の量の範囲は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。下限は、例えば、０質量％以上、０．０１質量％以上、０．１質量％以上等でありうる。

　（Ｄ）熱硬化性樹脂の量（体積％）の範囲は、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは２．５体積％以上、より好ましくは４．０体積％以上、特に好ましくは４．５体積％以上であり、好ましくは１０．０体積％以下、より好ましくは９．０体積％以下、特に好ましくは８．０体積％以下である。（Ｄ）熱硬化性樹脂の量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ｄ）熱硬化性樹脂の量（質量％）の範囲は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、特に好ましくは１．０質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。（Ｄ）熱硬化性樹脂の量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（Ｄ）熱硬化性樹脂の量の範囲は、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上であり、好ましくは１００質量％以下、より好ましくは９５質量％以下、特に好ましくは９０質量％以下である。（Ｄ）熱硬化性樹脂の量が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。樹脂組成物の樹脂成分とは、樹脂組成物中の不揮発成分のうち、磁性粉等の無機充填材以外の成分を表す。

＜第一実施形態に係る（Ｅ）硬化促進剤＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、任意の成分として、（Ｅ）硬化促進剤を更に含んでいてもよい。（Ｅ）成分としての（Ｅ）硬化促進剤には、上述した（Ａ）～（Ｄ）成分に該当するものは含めない。（Ｅ）硬化促進剤は、（Ｄ）熱硬化性樹脂の反応の触媒としての機能を有するので、樹脂組成物の硬化を促進することができる。例えば、（Ｄ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含む場合、（Ｅ）硬化促進剤は、好ましくはエポキシ樹脂の硬化を促進させる機能を有する。

　（Ｅ）硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、ウレア系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤等が挙げられる。中でも、（Ｅ）硬化促進剤は、イミダゾール系硬化促進剤を含むことが好ましい。（Ｅ）硬化促進剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、四国化成工業社製の「１Ｂ２ＰＺ」、「２ＭＺＡ－ＰＷ」、「２ＰＨＺ－ＰＷ」、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。

　リン系硬化促進剤としては、例えば、テトラブチルホスホニウムブロマイド、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムアセテート、テトラブチルホスホニウムデカノエート、テトラブチルホスホニウムラウレート、ビス（テトラブチルホスホニウム）ピロメリテート、テトラブチルホスホニウムハイドロジェンヘキサヒドロフタレート、テトラブチルホスホニウム２，６－ビス［（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）メチル］－４－メチルフェノラート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルメチルホスホニウムテトラフェニルボレート等の脂肪族ホスホニウム塩；メチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、エチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、プロピルトリフェニルホスホニウムブロマイド、ブチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、ｐ－トリルトリフェニルホスホニウムテトラ－ｐ－トリルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラｐ－トリルボレート、トリフェニルエチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリス（３－メチルフェニル）エチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリス（２－メトキシフェニル）エチルホスホニウムテトラフェニルボレート、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等の芳香族ホスホニウム塩；トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン等の芳香族ホスフィン・ボラン複合体；トリフェニルホスフィン・ｐ－ベンゾキノン付加反応物等の芳香族ホスフィン・キノン付加反応物；トリブチルホスフィン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（２－ブテニル）ホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（３－メチル－２－ブテニル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の脂肪族ホスフィン；ジブチルフェニルホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、ブチルジフェニルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ－ｏ－トリルホスフィン、トリ－ｍ－トリルホスフィン、トリ－ｐ－トリルホスフィン、トリス（４－エチルフェニル）ホスフィン、トリス（４－プロピルフェニル）ホスフィン、トリス（４－イソプロピルフェニル）ホスフィン、トリス（４－ブチルフェニル）ホスフィン、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，４－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，５－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，６－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（３，５－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６－トリメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，６－ジメチル－４－エトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４－メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４－エトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニル－２－ピリジルホスフィン、１，２－ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３－ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４－ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，２－ビス（ジフェニルホスフィノ）アセチレン、２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）ジフェニルエーテル等の芳香族ホスフィン等が挙げられる。

　ウレア系硬化促進剤としては、例えば、１，１－ジメチル尿素；１，１，３－トリメチル尿素、３－エチル－１，１－ジメチル尿素、３－シクロヘキシル－１，１－ジメチル尿素、３－シクロオクチル－１，１－ジメチル尿素等の脂肪族ジメチルウレア；３－フェニル－１，１－ジメチル尿素、３－（４－クロロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（３，４－ジクロロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（３－クロロ－４－メチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（２－メチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－メチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（３，４－ジメチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－イソプロピルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－メトキシフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－ニトロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－［４－（４－メトキシフェノキシ）フェニル］－１，１－ジメチル尿素、３－［４－（４－クロロフェノキシ）フェニル］－１，１－ジメチル尿素、３－［３－（トリフルオロメチル）フェニル］－１，１－ジメチル尿素、Ｎ，Ｎ－（１，４－フェニレン）ビス（Ｎ’，Ｎ’－ジメチル尿素）、Ｎ，Ｎ－（４－メチル－１，３－フェニレン）ビス（Ｎ’，Ｎ’－ジメチル尿素）〔トルエンビスジメチルウレア〕等の芳香族ジメチルウレア等が挙げられる。

　グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられる。

　金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

　アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられる。アミン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、味の素ファインテクノ社製の「ＭＹ－２５」等が挙げられる。

　（Ｅ）硬化促進剤の量（体積％）の範囲は、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、０体積％でもよく、０体積％より多くてもよく、好ましくは０．１体積％以上、より好ましくは０．２体積％以上、特に好ましくは０．３体積％以上であり、好ましくは２．０体積％以下、より好ましくは１．０体積％以下、特に好ましくは０．７体積％以下である。

　（Ｅ）硬化促進剤の量（質量％）の範囲は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０質量％でもよく、０質量％より多くてもよく、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、特に好ましくは０．１質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。

　（Ｅ）硬化促進剤の量（質量％）の範囲は、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、好ましくは０質量％でもよく、０質量％より多くてもよく、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上、特に好ましくは３質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、特に好ましくは１０質量％以下である。

＜第一実施形態に係る（Ｆ）分散剤＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、任意の成分として、（Ｆ）分散剤を更に含んでいてもよい。（Ｆ）成分としての（Ｆ）分散剤には、上述した（Ａ）～（Ｅ）成分に該当する者は含めない。（Ｆ）分散剤によれば、（Ａ）ナノ結晶磁性粉、（Ｂ）小径磁性粉及び（Ｃ）中間磁性粉等の磁性粉の分散性を高めることができる。

　（Ｆ）分散剤の種類に制限はない。例えば、（Ｆ）分散剤としては、磁性粉に対して吸着能を有する官能基を含有し、且つ、磁性粉に吸着した場合に（Ｆ）分散剤同士の反発（例えば、静電反発、立体反発、等）により磁性粉を分散させるものを用いうる。このような（Ｆ）分散剤としては、例えば、酸性分散剤、塩基性分散剤などが挙げられる。

　酸性分散剤は、通常、カルボキシル基、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）、硫酸基（－ＯＳＯ_３Ｈ）、ホスホノ基（－ＰＯ（ＯＨ）_２）、ホスホノオキシ基（－ＯＰＯ（ＯＨ）_２）、ヒドロキシホスホリル基（－ＰＯ（ＯＨ）－）、スルファニル基（－ＳＨ）等の酸性官能基を含有する。酸性官能基は、通常、解離性のプロトンを有しており、アミン、水酸化物イオン等の塩基により中和されていてもよい。好ましい酸性分散剤としては、例えば、ポリオキシアルキレン鎖、ポリエーテル鎖等の高分子鎖を含有する酸性高分子分散剤が挙げられる。酸性分散剤の好ましい例としては、日油社製の「Ｃ－２０９３Ｉ」、「ＳＣ－１０１５Ｆ（主鎖にイオン性基、グラフト鎖にポリオキシアルキレン鎖を有する多官能櫛型の機能性ポリマー）」；楠本化成社製の「ＥＤ１５２」、「ＥＤ１５３」、「ＥＤ１５４」、「ＥＤ１１８」、「ＥＤ１７４」、「ＥＤ２５１」、「ＤＡ－３７５」（ポリエーテル型リン酸エステル系分散剤）；東邦化学工業社製「フォスファノール」シリーズの「ＲＳ－４１０」、「ＲＳ－６１０」、「ＲＳ－７１０」（ｐＨは１．９）（リン酸エステル系分散剤）；日油社製「マリアリム」シリーズの「ＡＫＭ－０５３１」、「ＡＦＢ－１５２１」、「ＳＣ－０５０５Ｋ」、「ＳＣ－０７０８Ａ」；が挙げられる。

　塩基性分散剤は、通常、一級、二級及び三級アミノ基；アンモニウム基；イミノ基；並びに、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、トリアゾール等の含窒素ヘテロ環基；等の塩基性官能基を含有する。塩基性官能基は、有機酸、無機酸等の酸により中和されていてもよい。好ましい塩基性分散剤としては、例えば、ポリエステル鎖等の高分子鎖を含有する塩基性高分子分散剤が挙げられる。塩基性分散剤の好ましい例としては、味の素ファインテクノ社製の「ＰＢ－８８１」（ポリエステル鎖を含有する分散剤）などが挙げられる。

　（Ｆ）分散剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ｆ）分散剤の量（体積％）の範囲は、樹脂組成物中の不揮発成分１００体積％に対して、０体積％でもよく、０体積％より多くてもよく、好ましくは０．３体積％以上、より好ましくは０．６体積％以上、特に好ましくは１．２体積％以上であり、好ましくは６体積％以下、より好ましくは４体積％以下、特に好ましくは３体積％以下である。

　（Ｆ）分散剤の量（質量％）の範囲は、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは０質量％でもよく、０質量％より多くてもよく、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、特に好ましくは０．１質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。

　（Ｆ）分散剤の量（質量％）の範囲は、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、好ましくは０質量％でもよく、０質量％より多くてもよく、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上、特に好ましくは５質量％以上であり、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、特に好ましくは２０質量％以下である。

＜第一実施形態に係る（Ｇ）任意の添加剤＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、上述した成分に組み合わせて、更に（Ｇ）任意の添加剤を含みうる。（Ｇ）任意の添加剤としては、例えば、過酸化物系ラジカル重合開始剤、アゾ系ラジカル重合開始剤等のラジカル重合開始剤；ゴム粒子等の有機充填材；有機銅化合物、有機亜鉛化合物等の有機金属化合物；ハイドロキノン、カテコール、ピロガロール、フェノチアジン等の重合禁止剤；シリコーン系レベリング剤、アクリルポリマー系レベリング剤等のレベリング剤；ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤；シリコーン系消泡剤、アクリル系消泡剤、フッ素系消泡剤、ビニル樹脂系消泡剤等の消泡剤；ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤；尿素シラン等の接着性向上剤；トリアゾール系密着性付与剤、テトラゾール系密着性付与剤、トリアジン系密着性付与剤等の密着性付与剤；ヒンダードフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤等の酸化防止剤；スチルベン誘導体等の蛍光増白剤；フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤；リン系難燃剤（例えばリン酸エステル化合物、ホスファゼン化合物、ホスフィン酸化合物、赤リン）、窒素系難燃剤（例えば硫酸メラミン）、ハロゲン系難燃剤、無機系難燃剤（例えば三酸化アンチモン）等の難燃剤；ボレート系安定剤、チタネート系安定剤、アルミネート系安定剤、ジルコネート系安定剤、イソシアネート系安定剤、カルボン酸系安定剤、カルボン酸無水物系安定剤等の安定剤；等が挙げられる。（Ｇ）任意の添加剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

＜第一実施形態に係る（Ｈ）溶剤＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、上述した（Ａ）～（Ｇ）成分等の不揮発成分以外に、揮発性成分として更に任意の（Ｈ）溶剤を含みうる。

　（Ｈ）溶剤としては、通常、有機溶剤を用いる。この有機溶剤としては、不揮発成分に含まれる樹脂成分を溶解可能なものが好ましい。有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソアミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ-ブチロラクトン等のエステル系溶剤；テトラヒドロピラン、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶剤；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール等のアルコール系溶剤；酢酸２－エトキシエチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、エチルジグリコールアセテート、γ－ブチロラクトン、メトキシプロピオン酸メチル等のエーテルエステル系溶剤；乳酸メチル、乳酸エチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステルアルコール系溶剤；２－メトキシプロパノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）等のエーテルアルコール系溶剤；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミド系溶剤；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤；ヘキサン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤等を挙げることができる。また、（Ｈ）溶剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　（Ｈ）溶剤の量の範囲は、ペースト状の樹脂組成物とする場合は少ないことが好ましい。例えば、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、（Ｈ）溶剤の量は、５．５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、又は１質量％以下でありうる。中でも、樹脂組成物が（Ｈ）溶剤を含まないことが好ましい。すなわち、（Ｈ）溶剤の量は、０質量％が好ましい。樹脂組成物中の（Ｈ）溶剤の含有量が少ない場合、及び、（Ｈ）溶剤を含まない場合には、（Ｈ）溶剤の揮発によるボイドの発生を抑制することができ、さらに取扱い性、作業性にも優れたものとすることができる。

＜第一実施形態に係る樹脂組成物の特性＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、熱によって硬化できる。よって、樹脂組成物を熱硬化させることにより、樹脂組成物の硬化物を得ることができる。通常、樹脂組成物に含まれる成分のうち、（Ｈ）溶剤等の揮発性成分は、熱硬化時の熱によって揮発しうるが、（Ａ）～（Ｇ）成分といった不揮発成分は、熱硬化時の熱によっては揮発しない。よって、樹脂組成物の硬化物は、樹脂組成物の不揮発成分又はその反応生成物を含みうる。

　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物によれば、比透磁率及び磁性損失が改善された硬化物を得ることができる。詳細には、この樹脂組成物の硬化物は、低周波数帯（例えば１０ＭＨｚ）において高い比透磁率と低い磁性損失とを有することができる。

　一例において、樹脂組成物の硬化物の比透磁率を測定周波数１０ＭＨｚ、室温２３℃の条件で測定した場合、当該比透磁率の範囲は、好ましくは２５以上、より好ましくは３０以上、特に好ましくは３５以上である。上限は、特段の制限はなく、例えば、８０以下、７５以下、７０以下などでありうる。樹脂組成物の硬化物の比透磁率は、後述する実施例の＜試験例２：比透磁率の測定及び評価＞に記載の方法によって測定しうる。

　一例において、樹脂組成物の硬化物の損失係数（ｔａｎδ）を測定周波数１０ＭＨｚ、室温２３℃の条件で測定した場合、当該損失係数の範囲は、好ましくは０．１３以上、より好ましくは０．１０以下、特に好ましくは０．０７以下である。下限は、例えば、０．０００以上、０．００１以上などでありうる。一般に、損失係数（ｔａｎδ）が小さいほど、磁性損失を低くできる。樹脂組成物の硬化物の損失係数（ｔａｎδ）は、後述する実施例の＜試験例３：損失係数（ｔａｎδ）の測定及び評価＞に記載の方法によって測定しうる。

　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、優れた塗布性を有することができる。詳細には、溶剤の量が少ない場合でも、樹脂組成物は高い流動性を有することができるので、円滑な塗布が可能である。よって、樹脂組成物は、好ましくは溶剤の含有量を小さくでき、より好ましくは溶剤を含まないことができる。したがって、溶剤によるボイドの形成を抑制できるので、通常、機械的強度及び均一性に優れた硬化物を得ることが可能である。

　樹脂組成物の性状に特段の制限は無いが、流動性を有するペースト状であることが好ましい。例えば、樹脂組成物は、溶剤を用いて、ペースト状の樹脂組成物としてもよい。また、例えば、樹脂組成物は、液状のエポキシ樹脂等の液状熱硬化性樹脂を使用することにより、溶剤を含まないペースト状の樹脂組成物としてもよい。樹脂組成物中の溶剤の含有量が少ない場合、及び、溶剤を含まない場合には、溶剤の揮発によるボイドの発生を抑制することができ、さらに取扱い性、作業性にも優れたものとすることができる。

　上述した優れた特性を活用して、樹脂組成物は、インダクタ製造用の樹脂組成物として用いることが好ましい。例えば、上述した樹脂組成物は、回路基板が備える基板のホールに充填されるためのホール充填用の樹脂組成物として用いることが好ましい。また、例えば、上述した樹脂組成物は、回路基板に硬化物層を形成するために用いることも好ましい。これらの用途への適用を容易にするため、樹脂組成物は、ペースト状の形態で用いてもよく、該樹脂組成物の層を含む樹脂シートの形態で用いてもよい。

＜第一実施形態に係る樹脂組成物の製造方法＞
　本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、例えば、上述した成分を混合することを含む製造方法によって製造してもよい。上述した成分は、一部又は全部を同時に混合してもよく、順に混合してもよい。各成分を混合する過程で、温度を適宜調整してもよく、よって、一時的に又は終始にわたって、加熱及び／又は冷却してもよい。また、各成分を混合する過程において、撹拌又は振盪を行ってもよい。さらに、真空下等の低圧条件下で脱泡を行ってもよい。本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物は、後述する第二実施形態に係る樹脂組成物の製造方法によって製造してもよい。

＜第二実施形態に係る樹脂組成物の製造方法の概要＞
　本発明の第二実施形態係る樹脂組成物の製造方法は、
　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉と、
　（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉と、
　（Ｄ）熱硬化性樹脂と、
　を混合することを含む。以下の説明では、「（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉」を「（ａ）ナノ結晶磁性原料粉」ということがある。また、「（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉」を「（ｂ）小径磁性原料粉」ということがある。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で製造される樹脂組成物は、第一実施形態に係る樹脂組成物と同じ効果を発揮できる。よって、本発明の第二実施形態に係る製造方法で製造される樹脂組成物は、（Ｄ）熱硬化性樹脂が熱硬化することによって硬化して、硬化物を提供することができる。こうして得られる硬化物は、低周波数帯（例えば、１０ＭＨｚ）において高い比透磁率と低い磁性損失とを有することができる。また、この樹脂組成物は、通常、優れた塗布性を有することができる。

　平均粒径の範囲から分かるように、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉には、第一実施形態で説明した（Ａ）ナノ結晶磁性粉が含まれ、（ｂ）小径磁性原料粉には、第一実施形態で説明した（Ｂ）小径磁性粉が含まれうる。よって、本実施形態に係る効果が得られる仕組みには、第一実施形態で説明した（Ａ）ナノ結晶磁性粉及び（Ｂ）小径磁性粉の組み合わせの作用が含まれると本発明者は推察する。ただし、本発明の技術的範囲は、ここで説明した仕組みに限定されるものではない。

＜第二実施形態に係る（ａ）ナノ結晶磁性原料粉＞
　本発明の第二実施形態に係る製造方法は、（ａ）成分としての（ａ）ナノ結晶磁性原料粉を（ｂ）小径磁性原料粉及び（Ｄ）熱硬化性樹脂と混合することを含む。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、特定の範囲の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉である。ナノ結晶磁性粉の範囲は、第一実施形態で説明した通りである。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、通常、粒子の状態で混合に供される。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、その粒子の少なくとも一部に結晶粒を含むものであってもよく、粒子の表層に結晶粒を含むものが好ましく、粒子の全体に結晶粒を含むものがより好ましく、結晶粒のみからなるものが特に好ましい。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、５．５μｍ以上２０μｍ以下の範囲に平均粒径Ｄ_５０を有する。より詳細には、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０は、通常５．５μｍ以上、好ましくは５．７μｍ以上、より好ましくは５．９μｍ以上であり、通常２０μｍ以下、好ましくは１８μｍ以下、より好ましくは１６μｍ以下である。このような範囲の平均粒径Ｄ_５０を有する（ａ）ナノ結晶磁性原料粉を（ｂ）小径磁性原料粉及び（Ｄ）熱硬化性樹脂と混合することを含む製造方法により、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を改善することができ、さらに、塗布性に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０は、体積基準のメジアン径を表す。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の粒径分布を体積基準で作成し、そのメジアン径を平均粒径Ｄ_５０とすることで測定することができる。測定サンプルは、磁性粉を超音波により水に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、マイクロトラックベル社製「ＭＴ３０００ＩＩ」、堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ－２２００」等を使用することができる。

　通常、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の体積基準の粒径分布は、正規分布に従う。よって、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、当該（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０より小さい１０％粒径Ｄ_１０、及び、当該（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０より大きい９０％粒径Ｄ_９０を有しうる。ここで、１０％粒径Ｄ_１０とは、体積基準の粒径分布において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が１０％となるときの粒径を表す。また、９０％粒径Ｄ_９０とは、体積基準の粒径分布において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が９０％となるときの粒径を表す。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０及び９０％粒径Ｄ_９０は、前記のレーザー回折・散乱法で測定された体積基準の粒径分布から測定できる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０は、好ましくは２．０μｍよりも大きく、より好ましくは２．４μｍ以上、特に好ましくは２．８μｍ以上である。上限は、平均粒径Ｄ_５０以下であり、例えば、１０μｍ以下、８μｍ以下、６μｍ以下などでありうる。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の９０％粒径Ｄ_９０は、好ましくは６０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは４０μｍ以下ある。下限は、平均粒径Ｄ_５０以上であり、例えば、６μｍ以上、８μｍ以上、１０μｍ以上などでありうる。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の９０％粒径Ｄ_９０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との差Ｄ_９０－Ｄ_１０は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、特に好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３５μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下である。差Ｄ_９０－Ｄ_１０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との比Ｄ_９０／Ｄ_１０は、好ましくは１．１以上、より好ましくは２以上、特に好ましくは３以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下、特に好ましくは６以下である。比Ｄ_９０／Ｄ_１０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉が含む磁性材料としては、（Ａ）ナノ結晶磁性粉の磁性材料として説明した磁性材料を用いることが好ましい。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、例えば、アトマイズ法によって製造しうる。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の製造方法の具体例としては、特開２０２１－１４１２６７号公報、特開２０２１－１５８３４３号公報に記載の方法が挙げられる。また、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、市販品を用いてもよい。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉を含む市販の磁性粉としては、例えば、エプソンアトミックス社製の「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－３８ｕｍ」、「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１　ＰＦ１０ＦＡ」などが挙げられる。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。例えば、上述した範囲に平均粒径Ｄ_５０を有さない市販の磁性粉を分級し、平均粒径Ｄ_５０の値を適切に調整して、使用してもよい。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉は、球状であることが好ましい。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の粒子のアスペクト比は、（Ａ）ナノ結晶磁性粉のアスペクト比の範囲と同じでありうる。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で用いる（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の量（体積％）は、製造される樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは３０体積％以上、より好ましくは４０体積％以上、特に好ましくは５０体積％以上であり、好ましくは８０体積％以下、より好ましくは７５体積％以下、特に好ましくは７０体積％以下である。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の量（体積％）を「Ｖ（ａ）」で表し、（ｂ）小径磁性原料粉の量（体積％）を「Ｖ（ｂ）」で表す。この場合、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉と（ｂ）小径磁性原料粉との体積比（（ａ）ナノ結晶磁性原料粉／（ｂ）小径磁性原料粉）は、「Ｖ（ａ）／Ｖ（ｂ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（ａ）／Ｖ（ｂ）は、好ましくは１．０以上、より好ましくは１．５以上、更に好ましくは２．０以上、特に好ましくは２．５以上であり、好ましくは２０以下、より好ましくは１６以下、更に好ましくは１２以下、特に好ましくは８以下である。体積比Ｖ（a）／Ｖ（ｂ）が前記の範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　また、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉と（ｂ）小径磁性原料粉との合計量（体積％）は、「Ｖ（ａ）＋Ｖ（ｂ）」で表すことができる。この合計量（体積％）Ｖ（ａ）＋Ｖ（ｂ）は、好ましくは４０体積％以上、より好ましくは５０体積％以上、特に好ましくは６０体積％以上であり、好ましくは９０体積％以下、より好ましくは８６体積％以下、特に好ましくは８２体積％以下である。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉と（ｂ）小径磁性原料粉との合計量（体積％）Ｖ（ａ）＋Ｖ（ｂ）が前記の範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　樹脂組成物の製造のために混合される全ての磁性粉の合計量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは４０体積％以上、より好ましくは５０体積％以上、特に好ましくは６０体積％以上であり、好ましくは９５体積％以下、より好ましくは９０体積％以下、特に好ましくは８５体積％以下である。磁性粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉及び（ｂ）小径磁性原料粉の合計量（体積％）は、樹樹脂組成物の製造のために混合される全ての磁性粉の合計量１００体積％に対して、好ましくは８０体積％以上、より好ましくは８５体積％以上、特に好ましくは９０体積％以上であり、例えば、１００体積％以下、９８体積％以下、９５体積％以下などでありうる。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉及び（ｂ）小径磁性原料粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で用いる（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の量（質量％）は、製造される樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上であり、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８６質量％以下、特に好ましくは８２質量％以下である。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の量（質量％）を「Ｍ（ａ）」で表し、（ｂ）小径磁性原料粉の量（質量％）を「Ｍ（ｂ）」で表す。この場合、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉と（ｂ）小径磁性原料粉との質量比（（ａ）ナノ結晶磁性原料粉／（ｂ）小径磁性原料粉）は、「Ｍ（ａ）／Ｍ（ｂ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（ａ）／Ｍ（ｂ）は、好ましくは１以上、より好ましくは２以上、更に好ましくは３以上であり、好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下、更に好ましくは１０以下である。質量比Ｍ（a）／Ｍ（ｂ）が前記の範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　また、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉と（ｂ）小径磁性原料粉との合計量（質量％）は、「Ｍ（ａ）＋Ｍ（ｂ）」で表すことができる。この合計量（質量％）Ｍ（ａ）＋Ｍ（ｂ）は、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは８０質量％以上であり、好ましくは９８質量％以下、より好ましくは９７質量％以下、特に好ましくは９６質量％以下である。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉と（ｂ）小径磁性原料粉との合計量（質量％）Ｍ（ａ）＋Ｍ（ｂ）が前記の範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　樹脂組成物の製造のために混合される全ての磁性粉の合計量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは８５質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９８質量％以下、特に好ましくは９７質量％以下である。磁性粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉及び（ｂ）小径磁性原料粉の合計量（質量％）は、樹樹脂組成物の製造のために混合される全ての磁性粉の合計量１００質量％に対して、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは８５質量％以上、特に好ましくは８９．８質量％以上であり、例えば、１００質量％以下、９８質量％以下、９５質量％以下などでありうる。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉及び（ｂ）小径磁性原料粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

＜第二実施形態に係る（ｂ）小径磁性原料粉＞
　本発明の第二実施形態に係る樹脂組成物は、（ｂ）成分としての（ｂ）小径磁性原料粉を（ａ）ナノ結晶磁性原料粉及び（Ｄ）熱硬化性樹脂と混合することを含む。（ｂ）小径磁性原料粉は、通常、粒子の状態で混合に供される。

　（ｂ）小径磁性原料粉は、２μｍ以下の平均粒径Ｄ_５０を有する。具体的には、（ｂ）小径磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０は、通常２μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下である。下限は、例えば、０．０１μｍ以上、０．１μｍ以上などでありうる。このような範囲の平均粒径Ｄ_５０を有する（ｂ）小径磁性原料粉を（ａ）ナノ結晶磁性原料粉及び（Ｄ）熱硬化性樹脂と混合することを含む製造方法により、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を改善することができ、さらに、塗布性に優れる樹脂組成物を製造できる。（ｂ）小径磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０は、体積基準のメジアン径を表し、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０と同じ方法によって測定できる。

　通常、（ｂ）小径磁性原料粉の体積基準の粒径分布は、正規分布に従う。よって、（ｂ）小径磁性原料粉は、当該（ｂ）小径磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０より小さい１０％粒径Ｄ_１０、及び、当該（ｂ）小径磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０より大きい９０％粒径Ｄ_９０を有しうる。（ｂ）小径磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０及び９０％粒径Ｄ_９０は、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０及び９０％粒径Ｄ_９０と同じ方法で測定できる。

　（ｂ）小径磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０２μｍ以上、特に好ましくは０．０３μｍ以上である。上限は、平均粒径Ｄ_５０以下であり、例えば、１μｍ以下、０．７μｍ以下、０．５μｍ以下などでありうる。（ｂ）小径磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ｂ）小径磁性原料粉の９０％粒径Ｄ_９０は、好ましくは５．５μｍ未満、より好ましくは４μｍ以下、特に好ましくは２μｍ以下である。下限は、平均粒径Ｄ_５０以上であり、例えば、０．５μｍ以上、０．８μｍ以上、１μｍ以上などでありうる。（ｂ）小径磁性原料粉の９０％粒径Ｄ_９０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ｂ）小径磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との差Ｄ_９０－Ｄ_１０は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．３μｍ以上、特に好ましくは０．５μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは４μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。差Ｄ_９０－Ｄ_１０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ｂ）小径磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との比Ｄ_９０／Ｄ_１０は、好ましくは１．１以上、より好ましくは１．５以上、特に好ましくは２以上であり、好ましくは５０以下、より好ましくは４０以下、特に好ましくは３０以下である。比Ｄ_９０／Ｄ_１０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ｂ）小径磁性原料粉は、ナノ結晶磁性粉であってもよく、アモルファス磁性粉であってもよく、ナノ結晶磁性粉以外の結晶磁性粉であってもよく、これらを組み合わせであってもよい。

　（ｂ）小径磁性原料粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。（ｂ）小径磁性原料粉が含む磁性材料としては、（Ｂ）小径磁性粉の磁性材料として説明した磁性材料を用いることが好ましい。

　（ｂ）小径磁性原料粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、（ｂ）小径磁性原料粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　（ｂ）小径磁性原料粉としては、市販の磁性粉を用いてもよい。市販の磁性粉の具体例としては、（Ｂ）小径磁性粉と同様の例が挙げられる。（ｂ）小径磁性原料粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。例えば、上述した範囲に平均粒径Ｄ_５０を有さない市販の磁性粉を分級し、平均粒径Ｄ_５０の値を適切に調整して、使用してもよい。

　（ｂ）小径磁性原料粉は、球状であることが好ましい。（ｂ）小径磁性原料粉の粒子のアスペクト比の範囲は、（Ｂ）小径磁性粉のアスペクト比の範囲と同じでありうる。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で用いる（ｂ）小径磁性原料粉の量（体積％）は、製造される樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは５体積％以上、より好ましくは６体積％以上、特に好ましくは７体積％以上であり、好ましくは５０体積％以下、より好ましくは４０体積％以下、特に好ましくは３０体積％以下である。（ｂ）小径磁性原料粉の量（体積％）が前記の範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で用いる（ｂ）小径磁性原料粉の量（質量％）は、製造される樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは５質量％以上、より好ましくは６質量％以上、特に好ましくは７質量％以上であり、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下である。（ｂ）小径磁性原料粉の量（質量％）が前記の範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

＜第二実施形態に係る（ｃ）中間磁性原料粉＞
　本発明の第二実施形態に係る製造方法は、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（Ｄ）熱硬化性樹脂に組み合わせて、任意の成分として更に（ｃ）磁性粉を更に混合することを含んでいてもよい。（ｃ）成分としての（ｃ）磁性粉は、２μｍより大きく２０μｍ以下で且つ（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する磁性粉を表す。この（ｃ）磁性粉を、「（ｃ）中間磁性原料粉」ということがある。（ｃ）中間磁性原料粉には、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉及び（ｂ）小径磁性原料粉は含まれない。整理すると、この（ｃ）中間磁性原料粉には、下記の（ｃ１）及び（ｃ２）の磁性粉が包含される。
　（ｃ１）２μｍより大きく５．５μｍ未満の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉。
　（ｃ２）ナノ結晶磁性粉以外の磁性粉であって、２μｍより大きく且つ（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する磁性粉。

　平均粒径の範囲から分かるように、（ｃ）中間磁性原料粉には、第一実施形態で説明した（Ｃ）中間磁性粉が含まれうる。よって、（ｃ）中間磁性原料粉によれば、通常、（Ｃ）中間磁性粉と同じく、磁性損失の増大を抑制しながら比透磁率を向上させることができる。

　（ｃ）中間磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０は、具体的には、通常２μｍより大きく、好ましくは２．５μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上であり、通常（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の平均粒径未満、好ましくは５．５μｍ未満、より好ましくは５μｍ以下である。このような範囲の平均粒径Ｄ_５０を有する（ｃ）中間磁性原料粉を用いる場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。（ｃ）中間磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０は、体積基準のメジアン径を表し、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０と同じ方法によって測定できる。

　通常、（ｃ）中間磁性原料粉の体積基準の粒径分布は、正規分布に従う。よって、（ｃ）中間磁性原料粉は、当該（ｃ）中間磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０より小さい１０％粒径Ｄ_１０、及び、当該（ｃ）中間磁性原料粉の平均粒径Ｄ_５０より大きい９０％粒径Ｄ_９０を有しうる。（ｃ）中間磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０及び９０％粒径Ｄ_９０は、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０及び９０％粒径Ｄ_９０と同じ方法で測定できる。

　（ｃ）中間磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１．３μｍ以上、特に好ましくは１．５μｍ以上である。上限は、平均粒径Ｄ_５０以下であり、例えば、５μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下などでありうる。（ｃ）中間磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ｃ）中間磁性原料粉の９０％粒径Ｄ_９０は、好ましくは１０μｍ未満、より好ましくは９μｍ以下、特に好ましくは８μｍ以下ある。下限は、平均粒径Ｄ_５０以上であり、例えば、３μｍ以上、４μｍ以上、５μｍ以上などでありうる。（ｃ）中間磁性原料粉の９０％粒径Ｄ_９０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ｃ）中間磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との差Ｄ_９０－Ｄ_１０は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、特に好ましくは２μｍ以上であり、好ましくは９μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。差Ｄ_９０－Ｄ_１０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ｃ）中間磁性原料粉の１０％粒径Ｄ_１０と９０％粒径Ｄ_９０との比Ｄ_９０／Ｄ_１０は、好ましくは１．１以上、より好ましくは１．５以上、特に好ましくは２以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下、特に好ましくは６以下である。比Ｄ_９０／Ｄ_１０が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ｃ）中間磁性原料粉は、ナノ結晶磁性粉であってもよく、アモルファス磁性粉であってもよく、ナノ結晶磁性粉以外の結晶磁性粉であってもよく、これらを組み合わせであってもよい。（ｃ）中間磁性原料粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。（ｃ）中間磁性原料粉が含む磁性材料としては、（Ｃ）中間磁性粉の磁性材料として説明した磁性材料を用いることが好ましい。

　（ｃ）中間磁性原料粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、（ｃ）中間磁性原料粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　（ｃ）中間磁性原料粉としては、市販の磁性粉を用いてもよい。市販の磁性粉の具体例としては、（Ｃ）中間磁性粉と同様の例が挙げられる。（ｃ）中間磁性原料粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。例えば、上述した範囲に平均粒径Ｄ_５０を有さない市販の磁性粉を分級し、平均粒径Ｄ_５０の値を適切に調整して、使用してもよい。

　（ｃ）中間磁性原料粉は、球状であることが好ましい。（ｃ）中間磁性原料粉の粒子のアスペクト比の範囲は、（Ｃ）中間磁性粉のアスペクト比の範囲と同じでありうる。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で用いる（ｃ）中間磁性原料粉の量（体積％）は、製造される樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、０体積％であってもよく、０体積％より大きくてもよく、好ましくは１体積％以上、より好ましくは３体積％以上、特に好ましくは５体積％以上であり、好ましくは３４体積％以下、より好ましくは３０体積％以下、特に好ましくは２０体積％以下である。（ｃ）中間磁性原料粉の量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、（ｃ）中間磁性原料粉の量（体積％）を「Ｖ（ｃ）」で表す。この場合、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉と（ｃ）中間磁性原料粉との体積比（（ｃ）中間磁性原料粉／（ａ）ナノ結晶磁性原料粉）は、「Ｖ（ｃ）／Ｖ（ａ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（ｃ）／Ｖ（ａ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上、特に好ましくは０．１以上であり、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．６以下、特に好ましくは０．４以下である。体積比Ｖ（ｃ）／Ｖ（ａ）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　また、樹脂組成物に含まれる（ｂ）小径磁性原料粉と（ｃ）中間磁性原料粉との体積比（（（ｃ）中間磁性原料粉／ｂ）小径磁性原料粉）は、「Ｖ（ｃ）／Ｖ（ｂ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（ｃ）／Ｖ（ｂ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上、特に好ましくは０．２以上であり、好ましくは９以下、より好ましくは７以下、特に好ましくは５以下である。体積比Ｖ（ｃ）／Ｖ（ｂ）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（ｃ）中間磁性原料粉の合計量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは４０体積％以上、より好ましくは５０体積％以上、特に好ましくは６０体積％以上であり、好ましくは９５体積％以下、より好ましくは９０体積％以下、特に好ましくは８５体積％以下である。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（ｃ）中間磁性原料粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（ｃ）中間磁性原料粉の合計量（体積％）は、樹樹脂組成物の製造のために混合される全ての磁性粉の合計量１００体積％に対して、好ましくは９０体積％以上、より好ましくは９４体積％以上、特に好ましくは９８体積％以上であり、通常１００体積％以下である。この数値が大きいことは、平均粒径が２０μｍより大きい巨大磁性粉が少ないことを表す。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（ｃ）中間磁性原料粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で用いる（ｃ）中間磁性原料粉の量（質量％）は、製造される樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、０質量％であってもよく、０質量％より大きくてもよく、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、特に好ましくは５質量％以上であり、好ましくは４５質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、特に好ましくは１５質量％以下である。（ｃ）中間磁性原料粉の量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、（ｃ）中間磁性原料粉の量（質量％）を「Ｍ（ｃ）」で表す。この場合、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉と（ｃ）中間磁性原料粉との質量比（（ｃ）中間磁性原料粉／（ａ）ナノ結晶磁性原料粉）は、「Ｍ（ｃ）／Ｍ（ａ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（ｃ）／Ｍ（ａ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上、特に好ましくは０．１以上であり、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．６以下、特に好ましくは０．４以下である。質量比Ｍ（ｃ）／Ｍ（ａ）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　また、樹脂組成物に含まれる（ｂ）小径磁性原料粉と（ｃ）中間磁性原料粉との質量比（（（ｃ）中間磁性原料粉／ｂ）小径磁性原料粉）は、「Ｍ（ｃ）／Ｍ（ｂ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（ｃ）／Ｍ（ｂ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上、特に好ましくは０．２以上であり、好ましくは９以下、より好ましくは７以下、特に好ましくは５以下である。質量比Ｍ（ｃ）／Ｍ（ｂ）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善でき、塗布性に特に優れる樹脂組成物を製造できる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（ｃ）中間磁性原料粉の合計量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは８５質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９８質量％以下、特に好ましくは９７質量％以下である。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（ｃ）中間磁性原料粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

　（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（ｃ）中間磁性原料粉の合計量（質量％）は、樹樹脂組成物の製造のために混合される全ての磁性粉の合計量１００質量％に対して、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９４質量％以上、特に好ましくは９８質量％以上であり、通常１００質量％以下である。この数値が大きいことは、平均粒径が２０μｍより大きい巨大磁性粉が少ないことを表す。（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（ｃ）中間磁性原料粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、低周波数帯において比透磁率及び磁性損失の両方を効果的に改善することができ、また、樹脂組成物の塗布性を更に良好にできる。

＜第二実施形態に係る（Ｄ）熱硬化性樹脂＞
　本発明の第二実施形態に係る製造方法は、（Ｄ）成分としての（Ｄ）熱硬化性樹脂を（ａ）ナノ結晶磁性原料粉及び（ｂ）小径磁性原料粉と混合することを含む。第二実施形態に係る（Ｄ）熱硬化性樹脂としては、第一実施形態に係る（Ｄ）熱硬化性樹脂と同じものを用いうる。第二実施形態に係る製造方法で用いる（Ｄ）熱硬化性樹脂の量の範囲は、第一実施形態で説明したのと同じ範囲でありうる。よって、第二実施形態に係る製造方法において、例えば、液状エポキシ樹脂の量、エポキシ樹脂の量及び（Ｄ）熱硬化性樹脂の量の範囲は、第一実施形態で説明した範囲と同じでありえ、第一実施形態で説明したのと同じ効果を得ることができる。

＜第二実施形態に係る（Ｅ）硬化促進剤＞
　本発明の第二実施形態に係る製造方法では、上述した成分に組み合わせて、任意の成分として更に（Ｅ）硬化促進剤を混合してもよい。第二実施形態に係る（Ｅ）成分としての（Ｅ）硬化促進剤としては、第一実施形態に係る（Ｅ）硬化促進剤と同じものを用いうる。第二実施形態に係る製造方法で用いる（Ｅ）硬化促進剤の量の範囲は、第一実施形態で説明したのと同じ範囲でありうる。（Ｅ）硬化促進剤によれば、第一実施形態で説明したのと同じ効果を得ることができる。

＜第二実施形態に係る（Ｆ）分散剤＞
　本発明の第二実施形態に係る製造方法では、上述した成分に組み合わせて、任意の成分として更に（Ｆ）分散剤を混合してもよい。第二実施形態に係る（Ｆ）成分としての（Ｆ）分散剤としては、第一実施形態に係る（Ｆ）分散剤と同じものを用いうる。第二実施形態に係る製造方法で用いる（Ｆ）分散剤の量の範囲は、第一実施形態で説明したのと同じ範囲でありうる。（Ｆ）分散剤によれば、第一実施形態で説明したのと同じ効果を得ることができる。

＜第二実施形態に係る（Ｇ）任意の添加剤＞
　本発明の第二実施形態に係る製造方法では、上述した成分に組み合わせて、更に（Ｇ）任意の添加剤を混合してもよい。第二実施形態に係る（Ｇ）任意の添加剤としては、第一実施形態に係る（Ｇ）任意の添加剤と同じものを用いうる。

＜第二実施形態に係る（Ｈ）溶剤＞
　本発明の第二実施形態に係る樹脂組成物は、上述した（ａ）～（ｃ）成分及び（Ｄ）～（Ｇ）成分等の不揮発成分以外に、揮発性成分として更に任意の（Ｈ）溶剤を含みうる。第二実施形態に係る（Ｈ）溶剤としては、第一実施形態に係る（Ｈ）溶剤と同じものを用いうる。また、第二実施形態に係る製造方法で用いる（Ｈ）溶剤の量の範囲は、第一実施形態で説明したのと同じ範囲でありうる。

＜第二実施形態に係る製造方法の操作＞
　本発明の第二実施形態に係る製造方法は、上述した（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（Ｄ）熱硬化性樹脂を混合することを含む。また、必要に応じて、（ｃ）中間磁性原料粉、（Ｅ）硬化促進剤、（Ｆ）分散剤、（Ｇ）任意の添加剤及び（Ｈ）溶剤等の任意の成分の一部及び全部を、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（Ｄ）熱硬化性樹脂に組み合わせて混合してもよい。

　前記の成分は、その一部又は全部を同時に混合してもよく、順に混合してもよい。各成分を混合する過程で、温度を適宜設定してもよい。よって、一時的に又は終始にわたって、加熱及び／又は冷却してもよい。また、各成分を混合する過程において、撹拌又は振盪を行ってもよい。さらに、真空下等の低圧条件下で脱泡を行ってもよい。

＜第二実施形態に係る製造方法によって製造される樹脂組成物＞
　本発明の第二実施形態に係る製造方法によって製造される樹脂組成物は、混合された前記の成分を含みうる。したがって、樹脂組成物は、（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉及び（Ｄ）熱硬化性樹脂を含み、更に必要に応じて（ｃ）中間磁性原料粉、（Ｅ）硬化促進剤、（Ｆ）分散剤、（Ｇ）任意の添加剤及び（Ｈ）溶剤を含みうる。また、樹脂組成物は、前記の各成分を、その混合された量で含みうる。したがって、樹脂組成物に含まれる（ａ）ナノ結晶磁性原料粉、（ｂ）小径磁性原料粉、（ｃ）中間磁性原料粉、（Ｄ）熱硬化性樹脂、（Ｅ）硬化促進剤、（Ｆ）分散剤、（Ｇ）任意の添加剤及び（Ｈ）溶剤の量の範囲は、上述した通りでありうる。また、本発明の第二実施形態に係る製造方法により、第一実施形態に係る樹脂組成物を製造してもよい。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で製造された樹脂組成物は、熱によって硬化できる。よって、樹脂組成物を熱硬化させることにより、樹脂組成物の硬化物を得ることができる。通常、樹脂組成物に含まれる成分のうち、（Ｈ）溶剤等の揮発性成分は、熱硬化時の熱によって揮発しうるが、（ａ）～（ｃ）成分及び（Ｄ）～（Ｇ）成分といった不揮発成分は、熱硬化時の熱によっては揮発しない。よって、樹脂組成物の硬化物は、樹脂組成物の不揮発成分又はその反応生成物を含みうる。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で製造された樹脂組成物によれば、比透磁率及び磁性損失が改善された硬化物を得ることができる。詳細には、この樹脂組成物の硬化物は、低周波数帯（例えば１０ＭＨｚ）において高い比透磁率と低い磁性損失とを有することができる。一例において、本発明の第二実施形態に係る製造方法で製造された樹脂組成物の硬化物の比透磁率の範囲は、第一実施形態に係る樹脂組成物の硬化物の比透磁率と同じ範囲にありうる。また、一例において、本発明の第二実施形態に係る製造方法で製造された樹脂組成物の硬化物の損失係数の範囲は、第一実施形態に係る樹脂組成物の硬化物の損失係数と同じ範囲にありうる。比透磁率及び損失係数は、第一実施形態で説明したのと同じ方法によって測定しうる。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で製造された樹脂組成物は、第一実施形態に係る樹脂組成物と同じく、優れた塗布性を有することができる。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で製造された樹脂組成物の性状に特段の制限は無いが、第一実施形態に係る樹脂組成物と同じく、流動性を有するペースト状であることが好ましい。

　本発明の第二実施形態に係る製造方法で製造された樹脂組成物は、第一実施形態に係る樹脂組成物と同じ利点を得ることができる。また、本発明の第二実施形態に係る製造方法で製造された樹脂組成物は、例えば、第一実施形態に係る樹脂組成物と同じ用途に用いうる。

＜第三実施形態に係る樹脂シート＞
　本発明の第三実施形態に係る樹脂シートは、支持体と、該支持体上に形成された樹脂組成物層と、を備える。樹脂組成物層は、樹脂組成物を含み、好ましくは樹脂組成物のみを含む。前記の樹脂組成物としては、第一実施形態に係る樹脂組成物及び第二実施形態に係る製造方法で製造された樹脂組成物の一方又はその組み合わせを用いうる。

　樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上、１０μｍ以上等でありうる。

　支持体としては、例えば、プラスチック材料のフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料のフィルム、金属箔が好ましい。

　支持体としてプラスチック材料のフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

　支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

　支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理等の表面処理を施してあってもよい。

　また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド系離型剤、ポリオレフィン系離型剤、ウレタン系離型剤、及びシリコーン系離型剤からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、シリコーン系離型剤又はアルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＰＥＴ５０１０１０」、「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」；東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。

　支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

　樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムが設けられていてもよい。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミの付着及びキズを抑制することができる。

　樹脂シートは、例えば、樹脂組成物を支持体上に塗布する工程を含む製造方法によって、製造できる。樹脂シートの製造方法は、第一実施形態又は第二実施形態で説明した製造方法によって樹脂組成物を製造する工程と、その樹脂組成物を支持体上に塗布する工程とを含む製造方法によって製造してもよい。樹脂組成物の塗布は、例えば、ダイコーター等の塗布装置を用いて行いうる。樹脂組成物の塗布により、支持体上に樹脂組成物層を形成できるので、樹脂シートを得ることができる。

　必要に応じて、樹脂組成物に有機溶剤を混合してから支持体上に塗布してもよい。有機溶剤としては、例えば、第一実施形態で説明した（Ｈ）溶剤を用いうる。有機溶剤を用いる場合、必要に応じて塗布後に乾燥を行ってもよい。乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂組成物中に含まれる成分によっても異なるが、例えば５０℃～１５０℃で３分間～１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

　樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、通常は、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

＜第四実施形態に係る回路基板＞
　本発明の第四実施形態に係る回路基板は、樹脂組成物の硬化物を含む。前記の樹脂組成物としては、第一実施形態に係る樹脂組成物及び第二実施形態に係る製造方法で製造された樹脂組成物の一方又はその組み合わせを用いうる。

　回路基板の具体的な構造は、樹脂組成物の硬化物を含む限り、制限は無い。第一の例に係る回路基板は、ホールを形成された基板と、このホールに充填された樹脂組成物の硬化物と、を含む。また、第二の例に係る回路基板は、樹脂組成物の硬化物で形成された硬化物層を含む。以下、これら第一の例及び第二の例に係る回路基板について説明する。

　（第一の例に係る回路基板）
　第一の例に係る回路基板は、ホールを形成された基板と、前記のホールに充填された樹脂組成物の硬化物と、を含む。この回路基板は、例えば、
　（１）基板のホールに樹脂組成物を充填する工程、及び、
　（２）樹脂組成物を熱硬化させ、硬化物を得る工程、
　を含む製造方法によって、製造しうる。また、第一の例に係る回路基板の製造方法は、更に、
　（３）硬化物又は樹脂組成物の表面を研磨する工程、
　（４）硬化物を粗化処理する工程、及び
　（５）硬化物を粗化処理した面に導体層を形成する工程、
　を含んでいてもよい。通常、前記の工程（１）～（５）は、工程（１）、工程（２）、工程（３）、工程（４）及び工程（５）の順で行われるが、工程（３）の後に工程（２）を行ってもよい。第一の例に係る回路基板の製造方法では、ペースト状の樹脂組成物を用いて硬化物を形成することが好ましい。以下の説明では、基板を厚み方向に貫通するホールとしてのスルーホールを形成された基板を用いた例を示して、説明する。

　－工程（１）－
　工程（１）は、通常、スルーホールが形成された基板を用意する工程を含む。基板は、市場から購入して用意してもよい。また、基板は、適切な材料を用いて製造して用意してもよい。以下、一例に係る基板の製造方法を説明する。

　図１は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において用意されるコア基板１０を模式的に示す断面図である。基板を用意する工程は、図１に示す例のように、コア基板１０を用意する工程を含んでいてもよい。コア基板１０は、通常、支持基板１１を含む。支持基板１１としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。また、該支持基板１１上には、金属層が設けられていてもよい。金属層は、支持基板１１の片面に設けられていてもよく、両面に設けられていてもよい。ここでは、支持基板１１の両表面に第１金属層１２及び第２金属層１３が設けられた例を示す。第１金属層１２及び第２金属層１３としては、銅等の金属によって形成された層が挙げられる。第１金属層１２及び第２金属層１３は、例えば、キャリア付銅箔等の銅箔であってもよく、後述する導体層の材料で形成された金属層であってもよい。

　図２は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、スルーホール１４を形成されたコア基板１０を模式的に示す断面図である。基板を用意する工程は、図２に示す例のように、コア基板１０にスルーホール１４を形成する工程を含んでいてもよい。スルーホール１４は、例えば、ドリル加工、レーザー照射、プラズマ照射等の方法により形成することができる。通常は、コア基板１０に貫通穴を形成することにより、スルーホール１４を形成することができる。具体例を挙げると、スルーホール１４の形成は、市販されているドリル装置を用いて実施することができる。市販されているドリル装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＮＤ－１Ｓ２１１」等が挙げられる。

　図３は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、スルーホール１４内にめっき層２０を形成されたコア基板１０を模式的に示す断面図である。基板を用意する工程は、必要に応じてコア基板１０に粗化処理を施した後、図３に示すようにめっき層２０を形成する工程を含んでいてもよい。前記の粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。めっき層２０は、めっき法により形成されうる。めっき法によりめっき層２０が形成される手順は、後述する工程（５）における導体層の形成と同じでありうる。ここでは、スルーホール１４内、第１金属層１２の表面、及び、第２金属層１３の表面にめっき層２０を形成した例を示して説明する。

　図４は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法において、コア基板１０のスルーホール１４内に樹脂組成物３０ａを充填した様子を模式的に示す断面図である。工程（１）は、前記のようにスルーホール１４を形成されたコア基板１０を用意した後で、図４に示すように、コア基板１０のスルーホール１４に、樹脂組成物３０ａを充填することを含む。充填は、例えば印刷法で行いうる。印刷法としては、例えば、スキージを介してスルーホール１４へ樹脂組成物３０ａを印刷する方法、カートリッジを介して樹脂組成物３０ａを印刷する方法、マスク印刷して樹脂組成物３０ａを印刷する方法、ロールコート法、インクジェット法等が挙げられる。通常は、余剰の樹脂組成物３０ａがスルーホール１４の外に突出又は付着する。よって、樹脂組成物３０ａは、スルーホール１４内だけでなく、スルーホール１４の外にも設けられうる。

　－工程（２）－
　図５は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（２）を説明するための模式的な断面図である。工程（２）は、スルーホール１４内に樹脂組成物３０ａを充填した後で、樹脂組成物３０ａを硬化して、図５に示すように、硬化物３０を形成することを含む。

　樹脂組成物３０ａの硬化は、通常、熱硬化によって行う。樹脂組成物３０ａの熱硬化条件は、樹脂組成物３０ａの硬化が進行する範囲で、適切に設定しうる。硬化温度は、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１１０分以下、さらに好ましくは１００分以下である。

　工程（２）で得られる硬化物３０の硬化度は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。硬化度は、例えば示差走査熱量測定装置を用いて測定できる。

　第一の例に係る回路基板の製造方法は、樹脂組成物３０ａをスルーホール１４に充填した後、樹脂組成物３０ａを硬化させる前に、樹脂組成物３０ａを硬化温度よりも低い温度で加熱する工程（予備加熱工程）を含んでいてもよい。例えば、樹脂組成物３０ａを硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物３０ａを、通常５分間以上（好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間）、予備加熱してもよい。

　－工程（３）－
　図６は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（３）を説明するための模式的な断面図である。工程（３）は、コア基板１０から突出又は付着している余剰の硬化物３０を図６に示すように研磨することを含む。研磨により、余剰の硬化物３０が除去されるので、硬化物３０の表面を平坦化することができる。研磨によって平坦化された硬化物３０の表面（研磨面）３１は、通常、当該研磨面３１の周囲の面２１（例えば、コア基板１０の表面、めっき層２０の表面）と面一な平面を形成しうる。

　研磨方法としては、コア基板１０から突出又は付着している余剰の硬化物３０を除去できる方法を採用しうる。このような研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨、セラミック研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては、例えば、石井表記社製「ＮＴ－７００ＩＭ」等が挙げられる。

　硬化物３０の研磨面（硬化物層の熱硬化後）３１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、導体層との間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

　工程（２）の後に工程（３）を行う場合、回路基板の製造方法は、工程（２）後工程（３）前に、硬化物３０の硬化度をさらに高める目的で、硬化物３０に熱処理を施す工程を含んでいてもよい。前記熱処理における温度は、上記した硬化温度に準じうる。具体的な熱処理温度は、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。

　また、工程（２）の前に工程（３）を行う場合、回路基板の製造方法は、工程（３）の前に、樹脂組成物の硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を樹脂組成物層に施す工程を含んでいてもよい。前記予備加熱処理における温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。

　－工程（４）－
　工程（４）は、硬化物３０の表面に粗化処理（デスミア処理）を施すことを含む。粗化処理により、硬化物３０の表面が粗化される。硬化物３０の表面が研磨されている場合は、通常、その研磨面３１に粗化処理（デスミア処理）を施すことを含む。粗化工程の手順、条件は特に限定されず、例えば、多層プリント配線板の製造方法に際して使用される手順、条件を採用することができる。粗化工程として、例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施することにより、硬化物３０の表面に粗化処理してもよい。

　粗化工程に用いられ得る膨潤液としては、例えば、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液である。膨潤液であるアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。膨潤液による膨潤処理は、例えば、３０℃～９０℃の膨潤液に硬化物３０を１分間～２０分間浸漬することにより行うことができる。硬化物３０を構成する樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃～８０℃の膨潤液に硬化物３０を５分間～１５分間浸漬させることが好ましい。

　酸化剤による粗化処理に用いられ得る酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウム又は過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃～８０℃に加熱した酸化剤の溶液に硬化物３０を１０分間～３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％～１０質量％とすることが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。

　中和処理に用いられ得る中和液としては、酸性の水溶液が好ましい。中和液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃～８０℃の中和液に５分間～３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた硬化物３０を、４０℃～７０℃の中和液に５分間～２０分間浸漬する方法が好ましい。

　硬化物３０の表面の粗化処理後の算術平均粗さ（Ｒａ）は、導体層との間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

　－工程（５）－
　図７は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。工程（５）は、図７に示すように、硬化物３０の研磨面３１上に導体層４０を形成することを含む。ここでは、硬化物３０の研磨面３１だけでなく、その周囲の面２１（例えば、コア基板１０の表面、めっき層２０の表面）にも導体層４０を形成した例を示す。また、図７では、コア基板１０の両側に導体層４０を形成した例を示すが、導体層４０は、コア基板１０の片側のみに形成してもよい。

　図８は、本発明の第四実施形態の第一の例に係る回路基板の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。図８に示すように、工程（５）は、導体層４０を形成した後、エッチング等の処理により、導体層４０、第１金属層１２、第２金属層１３、及びめっき層２０の一部を除去して、パターン導体層４１を形成することを含んでいてもよい。

　導体層４０の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって硬化物３０（及びめっき層２０）の表面にめっきして、所望の配線パターンを有するパターン導体層４１を形成しうる。導体層４０の材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ、インジウム等の単金属；金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムの群から選択される２種以上の金属の合金が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。

　ここで、硬化物３０の研磨面３１上にパターン導体層４１を形成する方法の例を、詳細に説明する。硬化物３０の研磨面３１に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その後、必要に応じて、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有するパターン導体層４１を形成できる。パターン導体層４１の形成後、パターン導体層４１の密着強度を向上させるために、必要によりアニール処理を行ってもよい。アニール処理は、例えば、１５０℃～２００℃で２０分～９０分間加熱することにより行うことができる。

　パターン導体層４１の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、更に好ましくは５μｍ以上である。

　以上の方法により、樹脂組成物３０ａの硬化物３０を含む回路基板１を製造することができる。

　（第二の例に係る回路基板）
　第二の例に係る回路基板は、樹脂組成物の硬化を含む硬化物層を含む。硬化物層は、好ましくは、樹脂組成物の硬化物のみを含む。硬化物層は、樹脂シートを用いて形成することが好ましい。この回路基板は、例えば、
　（ｉ）内層基板上に硬化物層を形成する工程、
　（ｉｉ）硬化物層に穴あけ加工を行う工程、
　（ｉｉｉ）硬化物層の表面を粗化処理する工程、及び
　（ｉｖ）硬化物層の面に導体層を形成する工程、
　を含む製造方法によって、製造できる。

　－工程（ｉ）－
　工程（ｉ）は、内層基板上に硬化物層を形成することを含む。好ましくは、工程（ｉ）は、樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、硬化物層を形成することを含む。例えば、樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、樹脂組成物層を熱硬化して硬化物層を形成する。

　図９は、本発明の第四実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉ）を説明するための模式的な断面図である。図９に示すように、支持体３３０と、この支持体３３０上に設けられた樹脂組成物層３２０ａとを含む樹脂シート３１０を用意する。そして、樹脂組成物層３２０ａが内層基板２００と接合するように、樹脂シート３１０と内層基板２００とを積層する。

　内層基板２００としては、絶縁性の基板を用いうる。内層基板２００としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。内層基板２００は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。

　本例に示す内層基板２００は、第１主表面２００ａ上に設けられた第１導体層４２０と、第２主表面２００ｂ上に設けられた外部端子２４０とを備える。第１導体層４２０は、複数の配線を含んでいてもよい。ただし、図９に示す例では、インダクタ素子のコイル状導電性構造体４００（図１２参照）を構成する配線のみが示されている。外部端子２４０は、図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子でありうる。外部端子２４０は、第２主表面２００ｂに設けられる導体層の一部として構成することができる。

　第１導体層４２０、及び外部端子２４０を構成し得る導体材料としては、例えば、第一の例で説明した導体層の材料と同じものが挙げられる。

　第１導体層４２０、及び外部端子２４０は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。また、第１導体層４２０、外部端子２４０の厚さは、後述する第２導体層４４０と同じでありうる。

　第１導体層４２０及び外部端子２４０のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる硬化物層を得る観点から、通常９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物層の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。

　内層基板２００は第１主表面２００ａから第２主表面２００ｂに至るように内層基板２００を貫通する複数のスルーホール２２０を有していてもよい。スルーホール２２０にはスルーホール内配線２２０ａが設けられている。スルーホール内配線２２０ａは、第１導体層４２０と外部端子２４０とを電気的に接続している。

　樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、例えば、支持体３３０側から、樹脂シート３１０を内層基板２００に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シート３１０を内層基板２００に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ステンレス（ＳＵＳ）鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール等）が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シート３１０に直接的に接触させてプレスするのではなく、内層基板２００の表面の凹凸に樹脂シート３１０が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材からなるシート等を介してプレスするのが好ましい。

　加熱圧着する際の温度は、好ましくは８０℃～１６０℃、より好ましくは９０℃～１４０℃、さらに好ましくは１００℃～１２０℃の範囲である。加熱圧着する際の圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着する際の時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。樹脂シートと内層基板との接合は、圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施することが好ましい。

　樹脂シート３１０の樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。

　樹脂シート３１０と内層基板２００との接合の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体３３０側からプレスすることにより、積層された樹脂シート３１０の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理とは、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

　図１０は、本発明の第四実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉ）を説明するための模式的な断面図である。樹脂シート３１０を内層基板２００に積層した後、樹脂組成物層３２０ａを熱硬化して硬化物層を形成する。本例では、図１０に示すように、内層基板２００に接合させた樹脂組成物層３２０ａを熱硬化し第１硬化物層３２０を形成する。

　樹脂組成物層３２０ａの熱硬化条件は、樹脂組成物の硬化が進行する範囲で、適切に設定しうる。硬化温度は、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１１０分以下、さらに好ましくは１００分以下である。

　支持体３３０は、工程（ｉ）の熱硬化後と工程（ｉｉ）との間に除去してもよく、工程（ｉｉ）の後に剥離してもよい。

　硬化物層の粗化処理前の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

　工程（ｉ）は、樹脂シートの代わりに樹脂組成物を、ダイコーター等の塗布装置を用いて内層基板２００上に塗布し、熱硬化させることで硬化物層を形成することを含んでいてもよい。

　－工程（ｉｉ）－
　図１１は、本発明の第四実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉｉ）を説明するための模式的な断面図である。工程（ｉｉ）は、図１１に示すように、第１硬化物層３２０に穴あけ加工をし、ビアホール３６０を形成することを含む。ビアホール３６０は、第１導体層４２０と、後述する第２導体層４４０とを電気的に接続するための経路となりうる。ビアホール３６０の形成は、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施してよい。ホールの寸法や形状は、プリント配線板のデザインに応じて適宜決定してよい。

　－工程（ｉｉｉ）－
　工程（ｉｉｉ）において、ビアホールを形成した硬化物層の表面を粗化処理する。工程（ｉｉｉ）における粗化処理は、第一の例の工程（４）で説明したのと同じ方法で行いうる。

　硬化物層の粗化処理後の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっきとの間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

　－工程（ｉｖ）－
　図１２は、本発明の第四実施形態の第二の例に係る回路基板の製造方法において、工程（ｉｖ）を説明するための模式的な断面図である。図１２に示すように、工程（ｉｖ）では、第１硬化物層３２０上に、第２導体層４４０を形成する。

　第２導体層４４０を構成し得る導体材料としては、第一の例で説明した導体層の材料と同じものが挙げられる。

　第２導体層４４０の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、更に好ましくは５μｍ以上である。

　第２導体層４４０は、めっきにより形成することができる。第２導体層４４０は、例えば、無電解めっき工程、マスクパターン形成工程、電解めっき工程、フラッシュエッチング工程を含むセミアディティブ法、フルアディティブ法等の湿式めっき法により形成されることが好ましい。湿式めっき法を用いて第２導体層４４０を形成することにより、所望の配線パターンを含む第２導体層４４０を容易に形成することができる。なお、この工程により、ビアホール３６０内にビアホール内配線３６０ａが併せて形成される。

　第１導体層４２０及び第２導体層４４０は、例えば後述する図１３～１５に一例を示すように、渦巻状に設けられていてもよい。一例において、第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端は、ビアホール内配線３６０ａにより、第１導体層４２０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端は、ビアホール内配線３６０ａにより、第１導体層４２０のランド４２０ａに電気的に接続されている。よって、第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端は、ビアホール内配線３６０ａ、ランド４２０ａ、スルーホール内配線２２０ａを経て、外部端子２４０に電気的に接続される。

　コイル状導電性構造体４００は、第１導体層４２０の一部分である渦巻状の配線部、第２導体層４４０の一部分である渦巻状の配線部、第１導体層４２０の渦巻状の配線部と第２導体層４４０の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６０ａにより構成されている。

　工程（ｉｖ）後、さらに導体層上に硬化物層を形成する工程を行ってもよい。詳細は、図１４に一例を示すように、第２導体層４４０及びビアホール内配線３６０ａが形成された第１硬化物層３２０上に第２硬化物層３４０を形成する。第２硬化物層３４０は、既に説明した工程と同様の工程により形成してもよい。以上の方法により、樹脂組成物の硬化物で形成された第１硬化物層３２０及び第２硬化物層３４０を含む回路基板１００を製造することができる。

＜第五実施形態に係るインダクタ基板＞
　本発明の第五実施形態に係るインダクタ基板は、上述した第四実施形態に係る回路基板を含む。このようなインダクタ基板は、上述した第一の例に係る回路基板を含む場合、樹脂組成物の硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタパターンを有しうる。この場合、インダクタ基板は、例えば、第１金属層１２、第２金属層１３、めっき層２０及びパターン導体層４１の少なくとも一部で形成されたインダクタパターンと、このインダクタパターンに囲まれた硬化物３０で形成された芯部とによって構成されるインダクタ素子を含みうる。このようなインダクタ基板は、例えば特開２０１６－１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。

　第二の例に係る回路基板を含む場合、インダクタ基板は、硬化物層と、この硬化物層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しうる。そして、このインダクタ基板は、導電性構造体と、硬化物層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた硬化物層のうちの一部分とによって構成されるインダクタ素子を含みうる。

　図１３は、インダクタ基板が有する回路基板１００をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図１４は、図１３に示すＩＩ－ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した回路基板１００の切断端面を示す模式的な図である。図１５は、インダクタ基板が含む回路基板１００の第１導体層４２０の構成を説明するための模式的な平面図である。

　回路基板１００は、図１３及び図１４に一例として示されるように、複数の硬化物層（第１硬化物層３２０、第２硬化物層３４０）及び複数の導体層（第１導体層４２０、第２導体層４４０）を有する基板でありうる。よって、ここに示す例において、回路基板１００は、ビルドアップ硬化物層及びビルドアップ導体層を有するビルドアップ配線板でありうる。また、回路基板１００は、内層基板２００を備えている。

　図１４に示すように、第１硬化物層３２０及び第２硬化物層３４０は一体的な硬化物層としてみることができる磁性部３００を構成している。よって、コイル状導電性構造体４００は、磁性部３００に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、この例に示す回路基板１００において、インダクタ素子は、コイル状導電性構造体４００と、磁性部３００の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４００に囲まれた磁性部３００のうちの一部分である芯部とによって構成されている。

　図１５に一例として示されるように、第１導体層４２０は、コイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２０ａと電気的に接続される矩形状のランド４２０ａとを含んでいる。ここに示す例では、渦巻状の配線部は、直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２０ａを迂回する迂回部とを含んでいる。また、第１導体層４２０の渦巻状の配線部は、全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。

　同様に、第１硬化物層３２０上には、第２導体層４４０が設けられている。第２導体層４４０は、コイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図１３又は図１４では、渦巻状の配線部は、直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図１３又は図１４では、第２導体層４４０の渦巻状の配線部は、全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。

　上述したインダクタ基板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。

　またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。

　以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。なお、以下において、量を表す「％」及び「部」は、別途明示のない限り、「質量％」及び「質量部」を意味する。特に温度の指定が無い場合の温度条件は、室温（２３℃）である。特に圧力の指定が無い場合の圧力条件は、常圧（１ａｔｍ）である。

＜（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉＞
　・エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－３８ｕｍ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金からなるナノ結晶磁性粉、１０％粒径（Ｄ_１０）５．８μｍ、平均粒径（Ｄ_５０）１５．１μｍ、９０％粒径（Ｄ_９０）３４．７μｍ、本磁性粉中の２μｍ以下の粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径の粒子の体積割合８．６ｖｏｌ％、本磁性粉中の５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径の粒子の体積割合５６．４Ｖｏｌ％、本磁性粉中の２０μｍより大きい粒径の粒子の体積割合３５．０ｖｏｌ％。
　・エプソンアトミックス社製「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１　ＰＦ１０ＦＡ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金からなるナノ結晶磁性粉、１０％粒径（Ｄ_１０）３．０μｍ、平均粒径（Ｄ_５０）６．０μｍ、９０％粒径（Ｄ_９０）１０．７μｍ、本磁性粉中の２μｍ以下の粒径の粒子の体積割合２．５ｖｏｌ％、本磁性粉中の２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径の粒子の体積割合４０．２ｖｏｌ％、本磁性粉中の５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径の粒子の体積割合５７．３ｖｏｌ％、本磁性粉中の２０μｍより大きい粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％。

＜（ａ’）２０μｍを超える平均粒径を有するナノ結晶磁性粉＞
　・エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－５３ｕｍ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金からなるナノ結晶、１０％粒径（Ｄ_１０）９．８μｍ、平均粒径（Ｄ_５０）２７．３μｍ、９０％粒径（Ｄ_９０）５９．７μｍ、本磁性粉中の２μｍ以下の粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径の粒子の体積割合２．５ｖｏｌ％、本磁性粉中の５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径の粒子の体積割合３５．４ｖｏｌ％、本磁性粉中の２０μｍより大きい粒径の粒子の体積割合６２．１ｖｏｌ％。

＜（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉＞
　・パウダーテック社製「Ｍ００１」、Ｆｅ－Ｍｎフェライト粉（ナノ結晶磁性粉以外の結晶磁性粉）、１０％粒径（Ｄ_１０）０．０５μｍ、平均粒径（Ｄ_５０）０．１２μｍ、９０％粒径（Ｄ_９０）１．１μｍ、本磁性粉中の２μｍ以下の粒径の粒子の体積割合９７．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径の粒子の体積割合３．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の２０μｍより大きい粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％。
　・ＪＦＥミネラル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粉（ナノ結晶磁性粉以外の結晶磁性粉）、１０％粒径（Ｄ_１０）０．４６μｍ、平均粒径（Ｄ_５０）０．７５μｍ、９０％粒径（Ｄ_９０）１．１２μｍ、本磁性粉中の２μｍ以下の粒径の粒子の体積割合１００．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の２０μｍより大きい粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％。

＜（ｃ）２μｍより大きく２０μｍ以下かつ（ａ）成分より小さい平均粒径を有する磁性粉＞
　・エプソンアトミックス社製「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１　ＰＦ５ＦＡ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金粉（５．５μｍ未満の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉）、１０％粒径（Ｄ_１０）２．３μｍ、平均粒径（Ｄ_５０）４．３μｍ、９０％粒径（Ｄ_９０）７．１μｍ、本磁性粉中の２μｍ以下の粒径の粒子の体積割合６．９ｖｏｌ％、本磁性粉中の２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径の粒子の体積割合７７．１ｖｏｌ％、本磁性粉中の５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径の粒子の体積割合１６．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の２０μｍより大きい粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％。
　・エプソンアトミックス社製「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１　ＰＦ３ＦＡ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金粉（５．５μｍ未満の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉）、１０％粒径（Ｄ_１０）２．０μｍ、平均粒径（Ｄ_５０）３．５μｍ、９０％粒径（Ｄ_９０）５．８μｍ、本磁性粉中の２μｍ以下の粒径の粒子の体積割合１０．４ｖｏｌ％、本磁性粉中の２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径の粒子の体積割合７３．６ｖｏｌ％、本磁性粉中の５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径の粒子の体積割合１６．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の２０μｍより大きい粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％。
　・エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粉（アモルファス粉）、１０％粒径（Ｄ_１０）１．７μｍ、平均粒径（Ｄ_５０）３．１μｍ、９０％粒径（Ｄ_９０）５．２μｍ、本磁性粉中の２μｍ以下の粒径の粒子の体積割合１３．９ｖｏｌ％、本磁性粉中の２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径の粒子の体積割合７２．１ｖｏｌ％、本磁性粉中の５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径の粒子の体積割合１４．０ｖｏｌ％、本磁性粉中の２０μｍより大きい粒径の粒子の体積割合０．０ｖｏｌ％。

＜実施例１＞
　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－３８ｕｍ」、平均粒径（Ｄ_５０）１５．１μｍ）を１０３．５質量部、（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉（パウダーテック社製「Ｍ００１」、平均粒径（Ｄ_５０）０．１２μｍ）を２４．６質量部、（ｃ）２μｍより大きく２０μｍ以下かつ（ａ）成分の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、平均粒径（Ｄ_５０）３．１μｍ）を１１．８質量部、（Ｄ）エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）を０．９質量部、（Ｄ）エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂）を０．９質量部、（Ｅ）硬化促進剤（四国化成社製「２ＭＺＡ－ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤）を０．２質量部、（Ｆ）分散剤（日油社製「ＳＣ－１０１５Ｆ」、ポリオキシアルキレン系分散剤）を０．５質量部、及び、（Ｈ）溶剤（東京化成工業社製「ブチルカルビトールアセテート」、溶剤）を３．８質量部混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜実施例２＞
　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－３８ｕｍ」）の使用量を１０３．５質量部から１２０．８質量部に変更した。また、（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉（パウダーテック社製「Ｍ００１」）の使用量を２４．６質量部から２１．３質量部に変更した。さらに、（ｃ）２μｍより大きく２０μｍ以下かつ（ａ）成分の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」）１１．８質量部を使用しなかった。以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜実施例３＞
　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－３８ｕｍ」）の使用量を１０３．５質量部から１２０．８質量部に変更した。また、（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉を、パウダーテック社製「Ｍ００１」２４．６質量部から、ＪＦＥミネラル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」（平均粒径（Ｄ_５０）０．７５μｍ）１４．４質量部に変更した。さらに、（ｃ）２μｍより大きく２０μｍ以下かつ（ａ）成分の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」）の使用量を１１．８質量部から１４．４質量部に変更した。以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜実施例４＞
　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１　ＰＦ１０ＦＡ」、平均粒径（Ｄ_５０）６．０μｍ）を５６．０質量部、（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉（ＪＦＥミネラル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」）を１８．２質量部、（Ｄ）エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」）を０．８質量部、（Ｄ）エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂）を０．８質量部、（Ｅ）硬化促進剤（四国化成社製「２ＭＺＡ－ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤）を０．２質量部、（Ｆ）分散剤（日油社製「ＳＣ－１０１５Ｆ」、ポリオキシアルキレン系分散剤）を０．４質量部、及び、（Ｈ）溶剤（東京化成工業社製「ブチルカルビトールアセテート」、溶剤）を３．１質量部混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜実施例５＞
　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－３８ｕｍ」）を５３．１質量部、（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉（ＪＦＥミネラル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」）６．３質量部、（ｃ）２μｍより大きく２０μｍ以下かつ（ａ）成分の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１　ＰＦ５ＦＡ」、平均粒径（Ｄ_５０）４．３μｍ、平均粒径５．５μｍ未満のナノ結晶磁性粉）を６．７質量部、（Ｄ）エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」）を０．８質量部、（Ｄ）エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂）を０．８質量部、（Ｅ）硬化促進剤（四国化成社製「２ＭＺＡ－ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤）を０．１質量部、（Ｆ）分散剤（日油社製「ＳＣ－１０１５Ｆ」、ポリオキシアルキレン系分散剤）を０．４質量部、及び、（Ｈ）溶剤（東京化成工業社製「ブチルカルビトールアセテート」、溶剤）を２．０質量部混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜実施例６＞
　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－３８ｕｍ」）を４９．１質量部、（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉（ＪＦＥミネラル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」）を１０．１質量部、（ｃ）２μｍより大きく２０μｍ以下かつ（ａ）成分の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する球状の磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」）を６．３質量部、（Ｄ）エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」）を０．８質量部、（Ｄ）エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂）を０．８質量部、（Ｅ）硬化促進剤（四国化成社製「２ＭＺＡ－ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤）を０．１質量部、（Ｆ）分散剤（日油社製「ＳＣ－１０１５Ｆ」、ポリオキシアルキレン系分散剤）を０．４質量部、及び、（Ｈ）溶剤（東京化成工業社製「ブチルカルビトールアセテート」、溶剤）を１．８質量部混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜比較例１＞
　（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉（パウダーテック社製「Ｍ００１」）２４．６質量部を使用しなかったこと以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜比較例２＞
　（ａ’）２０μｍを超える平均粒径を有するナノ結晶磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－５３ｕｍ」、平均粒径（Ｄ_５０）２７．３μｍ）を１０５．１質量部、（ｂ）２μｍより大きく２０μｍ以下かつ（Ａ）より平均粒径が小さい磁性粉（パウダーテック社製「Ｍ００１」）を１３．１質量部、（ｃ）２μｍより大きく２０μｍ以下かつ（ａ）成分の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する球状の磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」）を１３．１質量部、（Ｄ）エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」）を１．０質量部、（Ｄ）エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「６３０」、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂）を１．０質量部、（Ｅ）硬化促進剤（四国化成社製「２ＭＺＡ－ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤）を０．２質量部、（Ｆ）分散剤（日油社製「ＳＣ－１０１５Ｆ」、ポリオキシアルキレン系分散剤）を０．５質量部、及び、（Ｈ）溶剤（東京化成工業社製「ブチルカルビトールアセテート」、溶剤）を４．０質量部混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物を調製した。

＜比較例３＞
　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ　ＮＣ１－３８ｕｍ」）１０３．５質量部を使用せず、（ｃ）２μｍより大きく２０μｍ以下かつ（ａ）成分の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１　ＰＦ３ＦＡ」、平均粒径（Ｄ_５０）３．５μｍ、５．５μｍ未満の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉）を１０３．５質量部を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜比較例４＞
　（ｃ）２μｍより大きく２０μｍ以下かつ（ａ）成分の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する磁性粉（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」）の使用量を１１．８質量部から２３．０質量部に変更したこと以外は、比較例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。

＜５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径を有する粒子の体積割合、２μｍ以下の粒径を有する磁性粉の体積割合、２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径を有する粒子の体積割合、２０μｍより大きい粒径を有する粒子の体積割合、１０％粒径（Ｄ_１０）、平均粒径（Ｄ_５０）、及び９０％粒径（Ｄ_９０）の算出＞
　磁性粉を超音波により純水中に分散させたものを測定サンプルとし、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置（堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」）により、磁性粉の粒径分布を体積基準で作成した。この粒径分布から、５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径を有する磁性粉の体積割合、２μｍ以下の粒径を有する磁性粉の体積割合、２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径を有する粒子の体積割合、２０μｍより大きい粒径を有する粒子の体積割合、１０％粒径（Ｄ_１０）、５０％粒径（平均粒径）（Ｄ_５０）、及び９０％粒径（Ｄ_９０）を算出した。

＜試験例１：樹脂組成物の塗布性の評価＞
　実施例及び比較例で調製した樹脂組成物について、塗布性の評価を行った。支持体として、シリコーン系離型剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。各樹脂組成物を上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、樹脂シートを得た。樹脂組成物の流動性を確認し、塗布性の有無を、以下の評価基準で評価した。

　（塗布性の評価基準）
　「〇」：樹脂組成物が流動性を有するペースト状で、塗布性あり。
　「×」：樹脂組成物に流動性がなく、塗布不可。

＜試験例２：比透磁率の測定及び評価＞
　比較例１以外の実施例及び比較例では、下記の方法により、比透磁率（μ’）を測定した。
　試験例１で得た樹脂シートを１９０℃で９０分間加熱することにより、樹脂組成物層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化物を得た。得られた硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルを得た。この評価サンプルを、測定装置（Ａｇｉｌｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、「ＨＰ８３６２Ｂ」）を用いて、３ターンコイル法にて測定周波数を１０ＭＨｚとし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）を測定した。比透磁率を以下の評価基準で評価した。

　比較例１で得た樹脂組成物は、塗布性が不良であったので、他の実施例及び比較例と同じ方法では樹脂シートを製造できなかった。そこで、比較例１では、下記の方法によって比透磁率（μ’）を測定した。
　比較例１で調製した樹脂組成物に、溶剤（東京化成工業社製「ブチルカルビトールアセテート」、溶剤）を３重量％加え、高速回転ミキサーで均一に分散して、ワニスを得た。支持体として、シリコーン系離型剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。前記のワニスを上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、樹脂シートを得た。この樹脂シートを用いて、比較例１以外の実施例及び比較例と同じ方法により、シート状の硬化物を作製し、比透磁率（μ’）を測定した。比透磁率を以下の評価基準で評価した。

　（比透磁率の評価基準）
　「〇」：比透磁率が２５以上。
　「×」：比透磁率が２５未満。

＜試験例３：損失係数（ｔａｎδ）の測定及び評価＞
　試験例２で得たシート状の硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルを得た。この評価サンプルを、測定装置（Ａｇｉｌｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、「ＨＰ８３６２Ｂ」）を用いて、３ターンコイル法にて測定周波数を１０ＭＨｚとし、室温２３℃にて磁性損失（μ’’）を得た。損失係数ｔａｎδは、式「ｔａｎδ＝μ’’／μ’」から計算した。損失係数（ｔａｎδ）を以下の評価基準で評価した。

　（損失係数（ｔａｎδ）の評価基準）
　「〇」：損失係数（ｔａｎδ）が０．１以下。
　「×」：損失係数（ｔａｎδ）が０．１を超える。

＜結果＞
　実施例及び比較例の樹脂組成物の成分及びその含有量、並びに試験例の測定結果及び評価結果を下記表に示す。下記の表において、（ａ）～（ｃ）成分、（Ａ）～（Ｃ）成分及び磁性粉の全量の含有率（質量％及び体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００％とした場合の値を表す。

　１　回路基板
　１０　コア基板
　１１　支持基板
　１２　第１金属層
　１３　第２金属層
　１４　スルーホール
　２０　めっき層
　２１　研磨面の周囲の面
　３０　硬化物
　３０ａ　樹脂組成物
　３１　研磨された硬化物の面（研磨面）
　４０　導体層
　４１　パターン導体層
　１００　回路基板
　２００　内層基板
　２００ａ　第１主表面
　２００ｂ　第２主表面
　２２０　スルーホール
　２２０ａ　スルーホール内配線
　２４０　外部端子
　３１０　樹脂シート
　３２０　第１硬化物層
　３２０ａ　樹脂組成物層
　３３０　支持体
　３６０　ビアホール
　３６０ａ　ビアホール内配線
　４００　コイル状導電性構造体
　４２０　第１導体層
　４２０ａ　ランド
　４４０　第２導体層

Claims

　（Ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の粒径を有するナノ結晶磁性粉と、
　（Ｂ）２μｍ以下の粒径を有する磁性粉と、
　（Ｄ）熱硬化性樹脂と、を含み、
　（Ａ）成分の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、２３体積％以上６０体積％以下であり、
　（Ｂ）成分の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、５体積％以上３０体積％以下である、樹脂組成物。
　（Ａ）成分と（Ｂ）成分との体積比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分）が、１以上１２以下である、請求項１に記載の樹脂組成物。
　（Ｃ）磁性粉を更に含み、
　（Ｃ）磁性粉は、２μｍより大きく２０μｍ以下の粒径を有する前記（Ａ）成分以外の磁性粉である、請求項１に記載の樹脂組成物。
　（Ｄ）成分が、エポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
　（Ｅ）硬化促進剤を更に含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉と、
　（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉と、
　（Ｄ）熱硬化性樹脂と、を混合することを含む、請求項１に記載の樹脂組成物の製造方法。
　（ａ）５．５μｍ以上２０μｍ以下の平均粒径を有するナノ結晶磁性粉と、
　（ｂ）２μｍ以下の平均粒径を有する磁性粉と、
　（Ｄ）熱硬化性樹脂と、を混合することを含む、樹脂組成物の製造方法。
　（ａ）成分の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、３０体積％以上８０体積％以下である、請求項６又は７に記載の樹脂組成物の製造方法。
　（ａ）成分の１０％粒径Ｄ_１０が、２μｍよりも大きい、請求項６又は７に記載の樹脂組成物の製造方法。
　（ｂ）成分の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、５体積％以上５０体積％以下である、請求項６又は７に記載の樹脂組成物の製造方法。
　（ｂ）成分の９０％粒径Ｄ_９０が、５．５μｍ未満である、請求項６又は７に記載の樹脂組成物の製造方法。
　（ｃ）磁性粉を更に混合することを含み、
　（ｃ）磁性粉は、２μｍより大きく２０μｍ以下で且つ（ａ）成分の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する、請求項６又は７に記載の樹脂組成物の製造方法。
　（ｃ）磁性粉の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、３４体積％以下である、請求項１２に記載の樹脂組成物の製造方法。
　請求項１～５のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物。
　支持体と、該支持体上に形成された樹脂組成物層と、を備え、
　樹脂組成物層が、請求項１～５のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
　請求項６又は７に記載の製造方法によって樹脂組成物を製造する工程と、
　樹脂組成物を支持体上に塗布する工程と、を含む、樹脂シートの製造方法。
　請求項１～５のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
　スルーホールを形成された基板と、前記スルーホールに充填された樹脂組成物の硬化物と、を含む、請求項１７に記載の回路基板。
　請求項１７に記載の回路基板を含むインダクタ基板。