KR102165216B1 - 방사선 화상 검출 장치 - Google Patents

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도시히로 오이카와
히로키 스즈키
유이치 미야모토
나오토 사쿠라이
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하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
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Abstract

방사선 화상 검출 장치(20)는 형광광을 검출하는 광 검출 소자(10)와, 이미징 플레이트(IP)를 향하는 여기광(EL)의 광로상이면서 또한 광 검출 소자(10)와 이미징 플레이트(IP)의 사이에 배치된 프리즘(5)을 구비하고 있다. 프리즘(5)은 표면으로서, 이미징 플레이트(IP)와 대향하는 측면(5c)과, 측면(5c)에 대해서 경사져 있는 측면(5a) 및 측면(5b)을 가지고 있다. 프리즘(5)은 측면(5a)으로부터 입사되는 여기광(EL)이 내부를 전파하여 측면(5c)으로부터 출사하고 또한 측면(5c)으로부터 입사되는 이미징 플레이트(IP)로부터의 반사광이 내부를 전파하여 측면(5b)으로부터 출사하도록 배치되어 있다. 광 검출 소자(10)는 프리즘(5)의 표면에 있어서의, 이미징 플레이트(IP)로부터의 반사광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향해서 배치되어 있다.

Description

방사선 화상 검출 장치{RADIATION IMAGE DETECTION DEVICE}
본 발명은 방사선 화상 검출 장치에 관한 것이다.
축적성(蓄積性) 형광체(螢光體)는 축적성 형광체에 조사된 레이저광에 의해 여기(勵起)되어, 광을 방출(放出)한다. 축적성 형광체에 레이저광(여기광)을 조사하여, 축적성 형광체로부터 방출되는 광을 광 검출 소자에 의해서 전기 신호로 변환하는 판독 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
특허 문헌 1: 일본국 특개평 6-130526호 공보
본 발명은 광 검출 소자에서의 여기광의 검출을 억제하는 것이 가능한 방사선 화상 검출 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 하나의 관점에 따른 방사선 화상 검출 장치는, 방사선 화상이 기록되어 있는 기록 매체에 여기광이 조사됨으로써 방사선 화상이 기록되어 있는 기록 매체로부터 방출되는 형광광을 검출하는 방사선 화상 검출 장치로서, 형광광을 검출하는 광 검출 소자와, 기록 매체를 향하는 여기광의 광로(光路)상이면서 또한 광 검출 소자와 기록 매체의 사이에 위치하도록 배치된 프리즘을 구비하고, 프리즘은 표면으로서 기록 매체에 대향하는 제1 면과 제1 면에 대해 경사져 있는 제2 면 및 제3 면을 가짐과 아울러, 제2 면으로부터 입사되는 여기광이 내부를 전파하여 제1 면으로부터 출사되고 또한 제1 면으로부터 입사되는 기록 매체로부터의 반사광이 내부를 전파하여 제2 면 또는 제3 면으로부터 출사되도록 배치되고, 광 검출 소자는, 프리즘의 표면에 있어서의, 기록 매체로부터의 반사광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향해서 배치되어 있다.
본 발명의 하나의 관점에 따른 방사선 화상 검출 장치에서는, 여기광은 기록 매체와 대향하지 않는 제2 면으로부터 프리즘에 입사되어, 제1 면으로부터 출사된다. 형광광은 제1 면으로부터 프리즘에 입사하여, 프리즘 내를 전파하여, 광 검출 소자에 입사된다. 제1 면으로부터 프리즘에 입사된 반사광은, 기록 매체와 대향하지 않는 제2 면 또는 제3 면으로부터 출사된다. 광 검출 소자는 프리즘의 표면에 있어서의, 반사광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향해서 배치되어 있다. 따라서 여기광이 광 검출 소자에 입사되기 어렵다. 이 방사선 화상 검출 장치에 의하면, 광 검출 소자가 여기광을 검출하는 것을 억제할 수 있다.
제3 면은 여기광을 투과하는 면이며, 프리즘은 제1 면으로부터 입사되는 기록 매체로부터의 반사광이 제3 면으로부터 출사되도록 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 제2 면으로부터 입사된 여기광은, 제1 면으로부터 출사되어, 기록 매체에 조사된다. 제1 면으로부터 프리즘에 입사된 반사광은, 제3 면으로부터 출사된다. 광 검출 소자는, 프리즘의 표면에 있어서의, 반사광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향해서 배치되어 있으므로, 여기광이 광 검출 소자에 입사되기 어렵다. 따라서 광 검출 소자가 여기광을 검출하는 것을 확실히 억제할 수 있다.
제3 면은 여기광을 반사하는 면이며, 프리즘은 제2 면으로부터 입사되는 여기광이 제3 면에서 반사되어 제1 면으로부터 출사되고 또한 제1 면으로부터 입사되는 기록 매체로부터의 반사광이 제2 면으로부터 출사되도록 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 제2 면으로부터 입사된 여기광은, 제3 면에서 반사된 후에 제1 면으로부터 출사되어, 기록 매체에 조사된다. 제1 면으로부터 프리즘에 입사된 반사광은, 제2 면으로부터 출사된다. 광 검출 소자는, 프리즘의 표면에 있어서의, 반사광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향해서 배치되어 있으므로, 여기광이 광 검출 소자에 입사되기 어렵다. 따라서 광 검출 소자가 여기광을 검출하는 것을 확실히 억제할 수 있다.
광 검출 소자는, 제2 면에 있어서의, 여기광이 입사되는 영역과는 다른 영역에 대향하도록 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 광 검출 소자가, 제2 면에 있어서의, 여기광이 입사되는 영역과는 다른 영역에 대향하도록 배치되어 있으므로, 광 검출 소자에 여기광이 입사되기 어렵다. 따라서 광 검출 소자가 여기광을 검출하는 것을 확실히 억제할 수 있다.
광 검출 소자는, 제3 면에 있어서의, 기록 매체로부터의 반사광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향하도록 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 광 검출 소자가, 제3 면에 있어서의, 반사광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향하도록 배치되어 있으므로, 광 검출 소자에 여기광이 입사되기 어렵다. 따라서 광 검출 소자가 여기광을 검출하는 것을 확실히 억제할 수 있다.
프리즘은 표면으로서 제1 면에 대향하는 제4 면을 가지고, 광 검출 소자는 제4 면에 대향하도록 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 여기광이 출사되는 제2 면 또는 제3 면과는 다른, 제4 면에 대향하도록, 광 검출 소자가 배치되므로, 광 검출 소자에 여기광이 입사되기 어렵다. 따라서 광 검출 소자가 여기광을 검출하는 것을 확실히 억제할 수 있다.
광 검출 소자는 가이거 모드(Geiger-mode)로 동작하는 복수의 애벌란시 포토 다이오드와, 각각의 애벌란시 포토 다이오드에 대해서 직렬로 접속된 ?칭 저항(quenching resistor))을 가지고 있는 포토 다이오드 어레이를 1개의 채널로 하여, 복수의 채널을 구비하고 있다. 이 경우, 복수의 애벌란시 포토 다이오드에 여기광이 입사되기 어렵다. 복수의 애벌란시 포토 다이오드에 여기광이 입사되면, 형광광뿐만이 아니라, 여기광도 애벌란시 증배된다. 복수의 애벌란시 포토 다이오드에 여기광이 입사되기 어렵기 때문에, 애벌란시 증배에 의해 증대될 수 있는 여기광의 영향을 낮게 억제할 수 있다.
본 발명에 의하면, 광 검출 소자에서의 여기광의 검출을 억제하는 것이 가능한 방사선 화상 검출 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 방사선 화상 검출 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 포토 다이오드 어레이의 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 포토 다이오드 어레이의 II－II 화살표 단면도 (a)와, 그 회로도 (b)이다.
도 4는 실시 형태에 따른 포토 다이오드 어레이의 회로도이다.
도 5는 프리즘의 단면도이다.
도 6은 프리즘의 일 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 7은 프리즘의 일 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 8은 실시 형태의 변형예에 따른 방사선 화상 검출 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 9는 프리즘의 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는, 동일 부호를 이용하는 것으로 하고, 중복하는 설명은 생략한다.
우선, 도 1을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 방사선 화상 검출 장치(20)의 구성을 설명한다. 도 1은 실시 형태에 따른 방사선 화상 검출 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
방사선 화상 검출 장치(20)는 이미징 플레이트(imaging plate)(IP)에 여기광(EL)을 조사하여, 이미징 플레이트(IP)로부터 방출되는 형광광을 검출한다. 이미징 플레이트(IP)는 방사선 화상이 기록되어 있는 기록 매체이다. 이미징 플레이트(IP)로부터 방출되는 형광광의 파장은, 여기광의 파장과는 다르다.
방사선 화상 검출 장치(20)는 여기광원(2)과, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 미러(3)와, 스캔 렌즈(4)와, 프리즘(5)과, 광 검출 소자(10)를 구비하고 있다. 광 검출 소자(10)는 프리즘(5)에 대향하도록 배치되어 있다.
여기광원(2)으로부터 발사된 여기광(EL)은, MEMS 미러(3)에서 반사되어, 스캔 렌즈(4)를 통과한다. 스캔 렌즈(4)를 통과한 여기광(EL)은, 프리즘(5)에 입사된다. 프리즘(5)은 여기광(EL)의 광로상에 배치되어 있다. 프리즘(5)에 입사된 여기광(EL)은, 프리즘(5) 내에서 굴절되어 이미징 플레이트(IP)에 조사된다.
여기광(EL)이 이미징 플레이트(IP)에 조사되면, 이미징 플레이트(IP)로부터 형광광이 방출된다. 광 검출 소자(10)는 이미징 플레이트(IP)로부터 방출된 형광광을 검출한다. 광 검출 소자(10)는 포토 다이오드 어레이(11)를 하나의 채널로 하여, 복수의 채널을 가진다. 여기서, 도 2~도 4를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 포토 다이오드 어레이(11)의 구성을 설명한다.
도 2는 포토 다이오드 어레이(11)의 사시도이다. 도 3은 도 2에 도시된 포토 다이오드 어레이의 II－II 화살표 단면도 (a)와, 그 회로도 (b)이다. 도 4는 포토 다이오드 어레이의 전체 회로도이다.
포토 다이오드 어레이(11)에서는, 복수의 포토 다이오드(D1)(도 4 참조)가 N형(제1 도전형)의 반도체 기판(1N)에 형성되어 있다.
개개의 포토 다이오드(D1)는, 반도체 기판(1N)의 한쪽 표면측에 형성된 P형(제2 도전형)의 제1 반도체 영역(1PA)과, 제1 반도체 영역(1PA) 내에 형성된 P형(제2 도전형)의 제2 반도체 영역(1PB)을 가지고 있다. 제2 반도체 영역(1PB)은 제1 반도체 영역(1PA)보다도 높은 불순물 농도를 가진다. 포토 다이오드(D1)는 반도체 기판(1N)에 전기적으로 접속된 제1 전극(E1)과, 제2 반도체 영역(1PB)상에 형성된 표면 전극(E3)을 가지고 있다. 제1 반도체 영역(1PA)의 평면 형상은 사각형이다. 제2 반도체 영역(1PB)은 제1 반도체 영역의 내측에 위치하며, 평면 형상은 사각형이다. 제1 반도체 영역(1PA)의 깊이는 제2 반도체 영역(1PB)보다도 깊다. 도 3 중의 반도체 기판(1)은 N형의 반도체 기판(1N)과, P형의 반도체 영역(1PA, 1PB)의 양쪽을 포함한 것을 나타내고 있다.
포토 다이오드 어레이(11)는 개개의 포토 다이오드(D1) 마다, 금속층으로 이루어지는 제1 반사체(E2)와, 저항층(?칭 저항)(R1)을 구비하고 있다.
제1 반사체(E2)는 제1 반도체 영역(1PA)의 외측의 반도체 기판(1N)상에, 절연층(L)(도 3 참조)을 통해서 형성되어 있다. 저항층(R1)은 그 한쪽 단(端)이 표면 전극(E3)에 연속하며, 제1 반도체 영역(1PA)상의 절연층(L)의 표면을 따라서 연장되어 있다. 도 2에서는, 구조의 명확화를 위해서, 도 3에 도시한 절연층(L)의 기재를 생략하고 있다.
제1 반사체(E2)는 평면 형상이 L자형인 금속층으로 이루어지는 반사체(E21)로 이루어진다. 반도체 기판(1N)상에 위치하는 제1 반사체(E21)(E2)와, 제1 개구를 가지는 환상(環狀)의 표면 전극(E3)은, 전기적으로 격리되어 있다. 즉, 포토 다이오드(D1)의 애노드와 캐소드에는, 각각 전극이 마련되지만, 한쪽의 표면 전극(E3)은 제1 반사체(E2)로부터 전기적으로 분리되어 있다. 이것에 의해, 제1 반사체(E2)는 표면 전극(E3)과는 명확하게 구별되며, 반사에 적절한 지점에 이것을 배치하기 위한 설계의 자유도가 증가되어 있다. 개개의 포토 다이오드(D1)에 접속되는 저항층(R1)의 다른 쪽 단은, 필요에 따라서 저항층(R1)에 연속한 배선 전극을 통해서, 공통의 신호 판독선(TL)에 전기적으로 접속되어 있다.
도 2에 있어서는, 열 방향에 인접하는 한 쌍의 포토 다이오드(반도체 영역(1PA)의 바로 아래 영역)는, 모두, 저항층(R1)을 통해서, 행방향으로 연장되는 신호 판독선(TL)에 접속되어 있다. 1개의 신호 판독선(TL)에는, 복수 쌍의 포토 다이오드가, 각각 저항층(R1)을 통해서 접속되어 있다. 행방향으로 연장되는 신호 판독선(TL)은, 열방향을 따라서 복수 개 정렬되어 있다. 개개의 신호 판독선(TL)에 대해서도, 마찬가지로 복수 쌍의 포토 다이오드가, 각각, 저항층(R1)을 통해서 접속되어 있다. 도 4에 도시되는 각 신호 판독선(TL)은, 최종적으로는 모두 접속되고, 회로적으로는 1개의 신호 판독선(TL)으로서, 도 4에 도시되는 것 같은 회로를 구성한다.
저항층(R1)은, 이것이 접속되는 표면 전극(E3)보다도 저항율이 높고, 또, 제1 반사체(E2)보다도 저항율이 높다. 구체적으로는, 저항층(R1)은 폴리 실리콘으로 이루어지고, 나머지 전극 및 반사체는 모두 알루미늄 등의 금속으로 이루어진다. 반도체 기판(1)이 Si로 이루어지는 경우에는, 전극 재료로서는, 알루미늄 외에, AuGe/Ni 등도 잘 이용된다. Si를 이용했을 경우에 있어서의 P형 불순물로서는 B 등의 3족 원소가 이용되고, N형 불순물로서는, N, P 또는 As 등의 5족 원소가 이용된다. 반도체의 도전형인 N형과 P형은, 서로 치환하여 소자를 구성해도, 당해 소자를 기능시킬 수 있다. 이들 불순물의 첨가 방법으로서는, 확산법이나 이온 주입법을 이용할 수 있다.
절연층(L)의 재료로서는, SiO2 또는 SiN을 이용할 수 있다. 절연층(L)의 형성 방법으로서는, 이것이 예를 들면 SiO2로 이루어지는 경우에는, 열산화법이나 스패터(spatter)법을 이용할 수 있다.
상술한 구조의 경우, N형의 반도체 기판(1N)과 P형의 제1 반도체 영역(1PA)의 사이에, PN 접합이 구성됨으로써, 포토 다이오드(D1)가 형성되어 있다. 반도체 기판(1N)은, 기판 이면(裏面)에 형성된 제1 전극(E1)에 전기적으로 접속되어 있다. 제1 반도체 영역(1PA)은 제2 반도체 영역(1PB)을 통해서, 표면 전극(E3)에 접속되어 있다. 저항층(R1)은 포토 다이오드(D1)에 대해서 직렬로 접속되어 있다(도 3의 (b) 참조).
포토 다이오드 어레이(11)에 있어서는, 개개의 포토 다이오드(D1)를 가이거 모드로 동작시킨다. 가이거 모드에서는, 포토 다이오드(D1)의 브레이크다운(breakdown) 전압보다도 큰 역방향 전압(역바이어스 전압)을 포토 다이오드(D1)의 애노드/캐소드 사이에 인가한다. 즉, 애노드에는 (－) 전위 V1를, 캐소드에는 (＋) 전위 V2를 인가한다. 이들 전위의 극성은 상대적인 것이고, 한쪽의 전위를 그라운드 전위로 하는 것도 가능하다.
애노드는 P형의 반도체 영역(1PA)이며, 캐소드는 N형의 반도체 기판(1N)이다. 포토 다이오드(D1)는 애벌란시 포토 다이오드로서 기능한다. 포토 다이오드(D1)에 광(포톤(photon))이 입사되면, 기판 내부에서 광전 변환이 행해져서 광전자가 발생한다. 도 3의 (a)에 도시된 P형 반도체 영역(1PA)의 PN 접합계면의 근방 영역 AVC에 있어서, 애벌란시 증배가 행해져서, 증폭된 전자 그룹은 전극(E1)을 향해서 흐른다.
제1 반사체(E2)는 제2 반도체 영역(1PB)에 대해서, 상대적으로 저불순물 농도의 제1 반도체 영역(1PA)의 외측의 반도체 기판(1N)의 표면상에 마련되어 있다. 반도체 기판(1N)의 노출면의 영역은, 광 입사에 대해서는, 거의 검출에 기여하지 않는 데드 스페이스이다. 제1 반사체(E2)는 입사된 광을 반사하여, 제2 반사체(예를 들어, 금속 패키지 내면 등)에 입사시킨다. 제2 반사체는 입사된 광을 재차 반사시켜서, 재반사된 광을, 유효하게 포토 다이오드(D1)로 안내한다.
개개의 포토 다이오드(D1)에 접속된 저항층(R1)의 다른 쪽 단은, 반도체 기판(1N)의 표면을 따라서 공통의 신호 판독선(TL)에 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 포토 다이오드(D1)는 가이거 모드로 동작하고 있고, 각 포토 다이오드(D1)는 공통의 신호 판독선(TL)에 접속되어 있다. 이 때문에, 복수의 포토 다이오드(D1)에 동시에 포톤이 입사된 경우, 복수의 포토 다이오드(D1)의 출력은 모두 공통의 신호 판독선(TL)에 입력되고, 전체적으로는 입사 포톤수에 따른 고강도의 신호로서 계측된다. 신호 판독선(TL)에는, 신호 판독용의 전압 강하가 생기는 부하 저항을 접속해도 좋다.
상술한 구조는, 표면 입사형의 포토 다이오드 어레이의 구조이지만, 이면 입사형의 포토 다이오드 어레이의 구조를 채용해도 좋다. 이 경우에는, 반도체 기판(1N)의 두께를 얇게 하고, 이면측의 전극(E1)을 투명 전극으로 하면 좋다. 이면측의 전극(E1)을, 반도체 기판(1N)의 다른 위치(예를 들면 기판 표면측)에 배치해도 좋다.
이어서, 도 5를 참조하여, 프리즘(5)의 구성을 설명한다. 도 5는 프리즘의 단면도이다. 도 5에 도시되는 것처럼, 프리즘(5)은 단면이 사다리꼴 형상이다. 프리즘(5)은 표면으로서, 서로 대향하면서 또한 평행한 한 쌍의 측면(5c, 5d)과, 서로 대향하면서 또한 한 쌍의 측면(5c, 5d)을 연결하도록 연장되는 한 쌍의 측면(5a, 5b)을 가지고 있다. 각 측면(5a, 5b, 5c, 5d)은 프리즘(5)의 단면 형상인 사다리꼴의 대응하는 변을 구성하고 있다. 측면(5c)은 상기 사다리꼴에 있어서의 서로 평행한 한 쌍의 변 중, 길이가 긴 변을 구성한다. 측면(5d)은 상기 사다리꼴에 있어서의 서로 평행한 한 쌍의 변 중, 길이가 짧은 변을 구성한다. 이미징 플레이트(IP)는 프리즘(5)과 대향하도록 배치된다. 즉, 프리즘(5)은 이미징 플레이트(IP)와 대향한다. 상세하게는, 프리즘(5)의 측면(5c)(제1 면)이, 이미징 플레이트(IP)와 대향한다. 프리즘(5)의 측면(5d)(제4 면)이, 광 검출 소자(10)와 대향하고 있다. 측면(5d)에는, 여기광(EL)이 프리즘(5)으로부터 출사하는 것을 막기 위한 코팅(여기광 컷 코팅)이 실시되어 있다.
여기광(EL)은 측면(5a)(제2 면)으로부터 프리즘(5)에 입사된다. 즉, 측면(5a)이 여기광(EL)의 입사면이다. 측면(5a)은 이미징 플레이트(IP)와 대향하고 있지 않다. 측면(5a)에는 여기광(EL)의 반사를 막기 위한 반사 방지 코팅이 실시되어 있다. 측면(5a)은 측면(5c)에 대해서 경사져 있다. 측면(5a)에 대향하는 측면(5b)(제3 면)은, 여기광(EL)을 투과하는 면이다. 측면(5b)도, 측면(5c)에 대해서 경사져 있다. 광 검출 소자(10)는 프리즘(5)의 측면(5d)과 대향하도록 배치되어 있다. 광 검출 소자(10)는 당해 형광광(FL)을 검출한다.
방사선 화상 검출 장치(20)에 있어서, 여기광(EL)이 측면(5a)으로부터 프리즘(5) 내에 입사된 경우, 여기광(EL)이 프리즘(5)의 내부를 전파하여, 측면(5c)으로부터 출사된다. 즉, 프리즘(5)은 측면(5a)으로부터 입사된 여기광(EL)을 측면(5c)으로부터 출사시키도록 구성되어 있다. 측면(5c)(프리즘(5))으로부터 출사된 여기광(EL)은 이미징 플레이트(IP)에 조사된다. 여기광(EL)이 이미징 플레이트(IP)에 조사되면, 이미징 플레이트(IP)로부터 형광광(FL)이 방출된다. 광 검출 소자(10)는 프리즘(5)의 측면(5d)과 대향하도록 배치되어 있다. 형광광(FL)은 측면(5c)으로부터 프리즘(5) 내에 입사된다. 프리즘(5) 내에 입사된 형광광(FL)은, 프리즘(5)의 내부를 전파하여, 측면(5d)으로부터 출사된다. 즉, 프리즘(5)은 측면(5c)으로부터 입사된 형광광(FL)을 측면(5d)으로부터 출사시키도록도 구성되어 있다. 측면(5d)(프리즘(5))으로부터 출사된 형광광(FL)은, 광 검출 소자(10)에 입사되어, 광 검출 소자(10)로 검출된다. 이미징 플레이트(IP)로부터의 반사광인 여기광(EL)은, 측면(5c)으로부터 프리즘(5) 내에 입사된다. 프리즘(5) 내에 입사된 반사광(여기광(EL))은, 프리즘(5)의 내부를 전파하여, 측면(5b)으로부터 출사된다. 즉, 프리즘(5)은 측면(5c)으로부터 입사된 반사광(여기광(EL))을 측면(5b)으로부터 출사시키도록도 구성되어 있다.
이와 같이, 방사선 화상 검출 장치(20)에서는, 프리즘(5)은 이미징 플레이트(IP)와 광 검출 소자(10)의 사이에 위치한다. 프리즘(5)은 측면(5a)으로부터 프리즘(5)에 입사된 여기광(EL)이 측면(5c)으로부터 출사함과 아울러, 측면(5c)으로부터 입사된 반사광이 측면(5b)으로부터 출사하도록, 배치되어 있다. 측면(5c)으로부터 출사된 여기광(EL)은, 이미징 플레이트(IP)에 조사된다. 이미징 플레이트(IP)로부터 방출된 형광광(FL)은, 측면(5c)으로부터 프리즘(5)에 입사된다. 프리즘(5)은 측면(5c)으로부터 입사된 형광광(FL)이 측면(5d)으로부터 출사하도록, 배치되어 있다. 프리즘(5)은 여기광(EL)과 형광광(FL)을, 다른 측면(5b, 5c, 5d)으로부터 출사시킨다. 프리즘(5)은 여기광(EL)을, 광 검출 소자(10)가 대향하는 측면(5d)이 아니라, 광 검출 소자(10)가 대향하고 있지 않은 측면(5b)을 향해서 진행시킨다. 여기광(EL)은 프리즘(5)으로부터, 형광광(FL)이 출사되는 방향과는 다른 방향으로 출사된다. 광 검출 소자(10)는 여기광(EL)이 출사되는 측면(5b)이 아니라, 형광광(FL)이 출사되는 측면(5d)에 대향하도록 배치되어 있으므로, 광 검출 소자(10)에 여기광이 입사되기 어렵다. 따라서 광 검출 소자(10)에서의 여기광(EL)의 검출을 억제할 수 있다. 프리즘(5)의 측면(5d)에 여기광 컷 코팅이 실시되어 있으므로, 광 검출 소자(10)가 여기광(EL)을 검출하는 것을 보다 한층 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 도 6에 도시되는 것처럼, 측면(5b)은, 여기광(EL)을 반사하는 면이어도 좋다. 측면(5b)에 여기광(EL)을 반사하기 위한 코팅(반사 코팅)이 실시됨으로써, 측면(5b)은 여기광(EL)을 반사하는 면이 된다. 이 경우도, 여기광(EL)이 측면(5a)으로부터 프리즘(5) 내에 입사된 경우, 여기광(EL)이 프리즘(5)의 내부를 전파하여, 측면(5b)에서 반사된다. 측면(5b)에서 반사된 여기광(EL)은, 측면(5c)으로부터 출사된다. 즉, 프리즘(5)은 측면(5a)으로부터 입사된 여기광(EL)을 측면(5b)에서 반사하고, 또한 측면(5c)으로부터 출사시키도록 구성되어 있다. 측면(5c)(프리즘(5))으로부터 출사된 여기광(EL)은, 이미징 플레이트(IP)에 조사된다. 여기광(EL)이 이미징 플레이트(IP)에 조사되면, 이미징 플레이트(IP)로부터 형광광(FL)이 방출된다. 프리즘(5) 내에 입사된 형광광(FL)은, 프리즘(5)의 내부를 전파하여, 측면(5d)으로부터 출사된다. 측면(5d)(프리즘(5))으로부터 출사된 형광광(FL)은, 광 검출 소자(10)에 입사되어, 광 검출 소자(10)로 검출된다. 이미징 플레이트(IP)로부터의 반사광인 여기광(EL)은, 측면(5c)으로부터 프리즘(5) 내에 입사된다. 프리즘(5) 내에 입사된 반사광(여기광(EL))은, 프리즘(5)의 내부를 전파하여, 측면(5a)으로부터 출사된다. 즉, 프리즘(5)은 측면(5c)으로부터 입사된 반사광(여기광(EL))을 측면(5a)으로부터 출사시키도록도 구성되어 있다. 프리즘(5)은 측면(5a)으로부터 프리즘(5)에 입사된 여기광(EL)이 측면(5c)으로부터 출사됨과 아울러, 측면(5c)으로부터 입사된 반사광이 측면(5a)으로부터 출사하도록, 배치되어 있다. 프리즘(5)은 여기광(EL)과 형광광(FL)을, 다른 측면(5a, 5c, 5d)으로부터 출사시킨다. 프리즘(5)은 여기광(EL)을, 광 검출 소자(10)가 대향하는 측면(5d)이 아니라, 광 검출 소자(10)가 대향하고 있지 않은 측면(5a)을 향해서 진행시킨다. 여기광(EL)은 프리즘(5)으로부터, 형광광(FL)이 출사되는 방향과는 다른 방향으로 출사된다. 광 검출 소자(10)는 여기광(EL)이 출사하는 측면(5a)이 아니라, 형광광(FL)이 출사하는 측면(5d)에 대향하도록 배치되어 있으므로, 광 검출 소자(10)에 여기광이 입사되기 어렵다. 따라서 광 검출 소자(10)에서의 여기광(EL)의 검출을 억제할 수 있다.
예를 들면, 도 7에 도시되는 것처럼, 측면(5d)이 렌즈 형상을 나타내고 있어도 좋다. 이 경우에도, 프리즘(5)은 여기광(EL)을, 광 검출 소자(10)가 대향하는 측면(5d)이 아니라, 광 검출 소자(10)가 대향하고 있지 않은 측면(5b)을 향해서 진행시킨다. 여기광(EL)은 프리즘(5)으로부터, 형광광(FL)이 출사하는 방향과는 다른 방향으로 출사된다. 광 검출 소자(10)는 여기광(EL)이 출사하는 측면(5b)이 아니라, 형광광(FL)이 출사하는 측면(5d)에 대향하도록 배치되어 있으므로, 광 검출 소자(10)에 여기광이 입사되기 어렵다. 측면(5d)이 렌즈 형상을 나타내고 있으므로, 형광광(FL)의 집광 효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 프리즘(5)의 단면이 사다리꼴 형상이지만, 프리즘(5)의 단면 형상은 사다리꼴로 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 8에 도시되는 것처럼, 프리즘(5)의 단면이 삼각형 모양이어도 좋다. 이 경우, 프리즘(5)은 삼각기둥 모양이다. 도 8에 도시된 방사선 화상 검출 장치(20)는 여기광원(2)과, MEMS 미러(3)와, 스캔 렌즈(4)와, 프리즘(5)과, 복수의 광 검출 소자(10)를 구비하고 있다. 본 변형예에서는, 방사선 화상 검출 장치(20)는 한 쌍의 광 검출 소자(10)를 구비하고 있다.
도 9에 프리즘(5)의 단면도를 나타낸다. 프리즘(5)은 3개의 측면(5a, 5b, 5c)을 가지고 있다. 각 측면(5a, 5b, 5c)은 프리즘(5)의 단면 형상인 삼각형의 대응하는 변을 구성하고 있다. 측면(5c)은 상기 삼각형에 있어서의, 길이가 가장 긴 변을 구성한다. 측면(5c)이 이미징 플레이트(IP)와 대향한다. 여기광(EL)은 측면(5a)으로부터 프리즘(5)에 입사된다. 즉, 측면(5a)이 여기광(EL)의 입사면이다. 한 쌍의 광 검출 소자(10)는 측면(5a)과 측면(5b)의 접속 부분 부근(이미징 플레이트(IP)와 대향하는 위치)에 배치되어 있다. 1개의 광 검출 소자(10)는 측면(5a)에 있어서의, 측면(5a)과 측면(5b)으로 이루는 모서리부 근방에 배치되어 있다. 광 검출 소자(10)는, 측면(5a)에 있어서의, 여기광이 입사되는 영역과는 다른 영역에 대향하도록 배치되어 있다. 다른 광 검출 소자(10)는, 측면(5b)에 있어서의, 여기광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향하도록 배치되어 있다.
여기광(EL)이 측면(5a)으로부터 프리즘(5) 내에 입사된 경우, 여기광(EL)이 프리즘(5)의 내부를 전파하여, 측면(5c)으로부터 출사된다. 즉, 프리즘(5)은 측면(5a)으로부터 입사된 여기광(EL)을 측면(5c)으로부터 출사시키도록 구성되어 있다. 측면(5c)(프리즘(5))으로부터 출사된 여기광(EL)은, 이미징 플레이트(IP)에 조사된다. 여기광(EL)이 이미징 플레이트(IP)에 조사되면, 이미징 플레이트(IP)로부터 형광광(FL)이 방출된다. 형광광(FL)은 측면(5c)으로부터 프리즘(5) 내에 입사된다. 프리즘(5) 내에 입사된 형광광(FL)은, 프리즘(5)의 내부를 전파하여, 측면(5a) 및 측면(5b)으로부터 출사된다. 즉, 프리즘(5)은 측면(5c)으로부터 입사된 형광광(FL)을 측면(5a) 및 측면(5b)으로부터 출사시키도록도 구성되어 있다. 측면(5a) 및 측면(5b)(프리즘(5))으로부터 출사된 형광광(FL)은, 대응하는 광 검출 소자(10)에 입사되어, 각 광 검출 소자(10)로 검출된다. 이미징 플레이트(IP)로부터의 반사광인 여기광(EL)은, 측면(5c)으로부터 프리즘(5) 내에 입사된다. 프리즘(5) 내에 입사된 반사광(여기광(EL))은, 프리즘(5)의 내부를 전파하여, 측면(5b)으로부터 출사된다. 즉, 프리즘(5)은 측면(5c)으로부터 입사된 반사광(여기광(EL))을 측면(5b)으로부터 출사시키도록도 구성되어 있다.
이와 같이, 본 변형예에 있어서도, 프리즘(5)은 측면(5a)으로부터 프리즘(5)에 입사된 여기광(EL)이 측면(5c)으로부터 출사됨과 아울러, 프리즘(5) 내에 입사된 반사광이 측면(5b)으로부터 출사하도록, 배치되어 있다. 측면(5c)으로부터 출사된 여기광(EL)은, 이미징 플레이트(IP)에 조사된다. 이미징 플레이트(IP)로부터 방출된 형광광(FL)은, 측면(5c)으로부터 프리즘(5)에 입사된다. 프리즘(5)은 측면(5c)으로부터 입사된 형광광(FL)을, 각 측면(5a, 5b)으로부터 출사시킨다. 프리즘(5)은 여기광(EL)과 형광광(FL)을, 다른 측면(5a, 5b, 5c)으로부터 출사시킨다. 프리즘(5)은, 여기광(EL)을, 측면(5b)에 있어서의 광 검출 소자(10)가 대향하는 영역이 아니라, 광 검출 소자(10)가 대향하고 있지 않은 영역을 향해서 진행시킨다. 여기광(EL)은 프리즘(5)으로부터, 형광광(FL)이 출사하는 방향과는 다른 방향으로 출사된다. 광 검출 소자(10)는, 측면(5b)에 있어서, 여기광(EL)이 출사되는 영역이 아니라, 형광광(FL)이 출사되는 영역에 대향하도록 배치되어 있으므로, 광 검출 소자(10)에 여기광이 입사되기 어렵다. 광 검출 소자(10)는 측면(5a)에 있어서도, 여기광(EL)이 출사되는 영역이 아니라, 형광광(FL)이 출사되는 영역에 대향하도록 배치되어 있으므로, 광 검출 소자(10)에 여기광이 입사되기 어렵다. 따라서 광 검출 소자(10)에서의 여기광(EL)의 검출을 억제할 수 있다. 프리즘(5)에 있어서의, 측면(5a)과 측면(5b)의 접속 부분 부근(측면(5a)과 측면(5b)으로 구성되는 모서리부 근방)에 한 쌍의 광 검출 소자(10)가 배치되어 있다.
상술한 실시 형태 및 변형예에서는, 광 검출 소자(10)는 가이거 모드로 동작하는 복수의 애벌란시 포토 다이오드와, 각각의 애벌란시 포토 다이오드에 대해서 직렬로 접속된 ?칭 저항을 가지고 있는 포토 다이오드 어레이(11)를 1개의 채널로 하여, 복수 채널 가지고 있다. 본 실시 형태 및 변형예의 방사선 화상 검출 장치(20)에서는, 프리즘(5)에 있어서의, 광 검출 소자(10)가 대향하는 영역에서 벗어난 영역으로부터 여기광(EL)이 출사된다. 이 때문에, 복수의 애벌란시 포토 다이오드에 여기광(EL)이 입사되기 어렵다. 복수의 애벌란시 포토 다이오드에 여기광이 입사되면, 형광광뿐만이 아니라, 여기광도 애벌란시 증배된다. 복수의 애벌란시 포토 다이오드에 여기광(EL)이 입사되기 어렵기 때문에, 애벌란시 증배에 의해 증대될 수 있는 여기광(EL)의 영향을 낮게 억제할 수 있다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명은 방사선 화상이 기록되어 있는 기록 매체로부터 방출되는 형광광을 검출하는 방사선 화상 검출 장치에 이용할 수 있다.
1 … 반도체 기판, 2 … 여기광원,
3 … MEMS 미러, 4 … 스캔 렌즈,
5 … 프리즘, 10 … 광 검출 소자,
11 … 포토 다이오드 어레이, 20 … 방사선 화상 검출 장치,
EL … 여기광, FL … 형광광,
IP … 이미징 플레이트.

Claims (12)

  1. 방사선 화상이 기록되어 있는 기록 매체에 여기광(勵起光)이 조사됨으로써 상기 기록 매체로부터 방출되는 형광광(螢光光)을 검출하는 방사선 화상 검출 장치로서,
    상기 형광광을 검출하는 광 검출 소자와,
    상기 기록 매체를 향하는 여기광의 광로(光路)상이면서 또한 상기 광 검출 소자와 상기 기록 매체의 사이에 위치하도록 배치된 프리즘을 구비하고,
    상기 프리즘은, 표면으로서 상기 기록 매체에 대향하는 제1 면과 상기 제1 면에 대해 경사져 있는 제2 면 및 제3 면을 가짐과 아울러, 상기 제2 면으로부터 입사되는 여기광이 내부를 전파하여 상기 제1 면으로부터 출사되고 또한 상기 제1 면으로부터 입사되는 상기 기록 매체로부터의 반사광이 내부를 전파하여 상기 제2 면 또는 상기 제3 면으로부터 출사되도록 배치되고,
    상기 광 검출 소자는, 상기 프리즘의 상기 표면에 있어서의, 상기 기록 매체로부터의 반사광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향해서 배치되어 있는 방사선 화상 검출 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 면은 여기광을 투과하는 면이고,
    상기 프리즘은 상기 제1 면으로부터 입사되는 상기 기록 매체로부터의 반사광이 상기 제3 면으로부터 출사되도록 배치되어 있는 방사선 화상 검출 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 면은 여기광을 반사하는 면이고,
    상기 프리즘은 상기 제2 면으로부터 입사되는 여기광이 상기 제3 면에서 반사되어 상기 제1 면으로부터 출사되고 또한 상기 제1 면으로부터 입사되는 상기 기록 매체로부터의 반사광이 상기 제2 면으로부터 출사되도록 배치되어 있는 방사선 화상 검출 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 검출 소자는, 상기 제2 면에 있어서의, 여기광이 입사되는 영역과는 다른 영역에 대향해서 배치되어 있는 방사선 화상 검출 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 검출 소자는, 상기 제3 면에 있어서의, 상기 기록 매체로부터의 반사광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향해서 배치되어 있는 방사선 화상 검출 장치.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 광 검출 소자는, 상기 제3 면에 있어서의, 상기 기록 매체로부터의 반사광이 출사되는 영역과는 다른 영역에 대향해서 배치되어 있는 방사선 화상 검출 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프리즘은 상기 표면으로서 상기 제1 면에 대향하는 제4 면을 가지고,
    상기 광 검출 소자는 상기 제4 면에 대향해서 배치되어 있는 방사선 화상 검출 장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 검출 소자는 가이거 모드로 동작하는 복수의 애벌란시 포토 다이오드와, 각각의 상기 애벌란시 포토 다이오드에 대해서 직렬로 접속된 ?칭 저항을 가지고 있는 포토 다이오드 어레이를 1개의 채널로 하여, 복수의 상기 채널을 구비하고 있는 방사선 화상 검출 장치.
  9. 청구항 4에 있어서,
    상기 광 검출 소자는 가이거 모드로 동작하는 복수의 애벌란시 포토 다이오드와, 각각의 상기 애벌란시 포토 다이오드에 대해서 직렬로 접속된 ?칭 저항을 가지고 있는 포토 다이오드 어레이를 1개의 채널로 하여, 복수의 상기 채널을 구비하고 있는 방사선 화상 검출 장치.
  10. 청구항 5에 있어서,
    상기 광 검출 소자는 가이거 모드로 동작하는 복수의 애벌란시 포토 다이오드와, 각각의 상기 애벌란시 포토 다이오드에 대해서 직렬로 접속된 ?칭 저항을 가지고 있는 포토 다이오드 어레이를 1개의 채널로 하여, 복수의 상기 채널을 구비하고 있는 방사선 화상 검출 장치.
  11. 청구항 6에 있어서,
    상기 광 검출 소자는 가이거 모드로 동작하는 복수의 애벌란시 포토 다이오드와, 각각의 상기 애벌란시 포토 다이오드에 대해서 직렬로 접속된 ?칭 저항을 가지고 있는 포토 다이오드 어레이를 1개의 채널로 하여, 복수의 상기 채널을 구비하고 있는 방사선 화상 검출 장치.
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 광 검출 소자는 가이거 모드로 동작하는 복수의 애벌란시 포토 다이오드와, 각각의 상기 애벌란시 포토 다이오드에 대해서 직렬로 접속된 ?칭 저항을 가지고 있는 포토 다이오드 어레이를 1개의 채널로 하여, 복수의 상기 채널을 구비하고 있는 방사선 화상 검출 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008048694A2 (en) * 2006-02-01 2008-04-24 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Geiger mode avalanche photodiode

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5548674A (en) * 1978-10-05 1980-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd Reading device for radiation picture information
JPS60194403A (ja) * 1984-03-15 1985-10-02 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線画像情報読取用集光体
JPS60194404A (ja) * 1984-03-15 1985-10-02 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線画像情報読取用集光体
JPS6165231A (ja) * 1984-09-06 1986-04-03 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線画像情報読取装置
JPS61189763A (ja) * 1985-02-18 1986-08-23 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線画像情報読取方法
JPS6412759A (en) * 1987-07-07 1989-01-17 Fuji Photo Film Co Ltd Radiograph information reader
US5107116A (en) * 1990-12-21 1992-04-21 Eastman Kodak Company Split V-roof mirror collector for photostimulable phosphor imaging system
JPH06130526A (ja) 1992-10-15 1994-05-13 Rigaku Corp 蓄積性蛍光体の読取装置
JPH07218554A (ja) 1994-02-03 1995-08-18 Ngk Insulators Ltd 光学式センサ
JPH07248554A (ja) * 1994-03-09 1995-09-26 Fujitsu Ltd 放射線画像読取装置
US5538850A (en) * 1994-04-15 1996-07-23 Hewlett-Packard Company Apparatus and method for intracavity sensing of microscopic properties of chemicals
DE69730562T2 (de) * 1996-06-18 2005-10-13 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara Bildlesegerät
JP2001337406A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線画像読取方法および装置
US6594011B1 (en) 2000-07-11 2003-07-15 Maven Technologies, Llc Imaging apparatus and method
US7518724B2 (en) * 2000-07-11 2009-04-14 Maven Technologies Image acquisition, processing, and display
EP1221631A1 (en) * 2001-01-09 2002-07-10 Agfa-Gevaert High efficient light guiding means
US20030136921A1 (en) 2002-01-23 2003-07-24 Reel Richard T Methods for fluorescence detection that minimizes undesirable background fluorescence
DE60309955T2 (de) * 2002-02-20 2007-09-20 Fujifilm Corp. Verfahren und Vorrichtung zur Reproduktion eines Strahlungsbildes
CN1712939A (zh) * 2004-06-22 2005-12-28 中国科学院大连化学物理研究所 一种基于激光诱导荧光的细胞成像方法
CN1273819C (zh) * 2004-09-15 2006-09-06 中国科学院上海光学精密机械研究所 生物全内反射式近场扫描显微镜
WO2006049284A1 (ja) 2004-11-08 2006-05-11 Tohoku Techno Arch Co., Ltd. Prを含むシンチレータ用単結晶及びその製造方法並びに放射線検出器及び検査装置
CN100529738C (zh) * 2004-11-29 2009-08-19 中国科学院大连化学物理研究所 一种单分子水平上检测分子相互作用方法及其设备
JP2008141543A (ja) 2006-12-01 2008-06-19 Nikko:Kk 映像再生装置
JP2008136963A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Nec Corp 透明保護材の製造方法及び該保護材を備える携帯端末
EP2131925A2 (en) 2007-03-30 2009-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mri-guided hifu marking to guide radiotherapy and other procedures
JP2012163396A (ja) 2011-02-04 2012-08-30 Toshiba Corp シンチレータパネル及び放射線検出器
US20140118554A1 (en) 2012-10-30 2014-05-01 Valentine A. Bucknor System of a Surveillance Camera For Identifying And Incapacitating Dangerous Intruders

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008048694A2 (en) * 2006-02-01 2008-04-24 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Geiger mode avalanche photodiode

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