TWI605715B - Radiographic image detection device - Google Patents

Description

放射線圖像檢測裝置

本發明係關於放射線圖像檢測裝置。

蓄積性螢光體藉由照射至蓄積性螢光體之雷射光激發而放出光。眾所周知的是如下讀取裝置，其係對蓄積性螢光體照射雷射光(激發光)，並將自蓄積性螢光體放出之光藉由光檢測元件而轉換為電信號(參照例如專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平6-130526號公報

本發明之目的在於，提供一種能抑制光檢測元件檢測激發光之放射線圖像檢測裝置。

本發明之一個觀點之放射線圖像檢測裝置係檢測自記錄媒體放出之螢光光之放射線圖像檢測裝置，該記錄媒體係藉由對記錄有放射線圖像之記錄媒體照射激發光而記錄放射線圖像，且該放射線圖像檢測裝置包括：光檢測元件，其檢測螢光光；及稜鏡，其以位於朝向記錄媒體之激發光之光路上且光檢測元件與記錄媒體之間之方式配置；且稜鏡具有作為表面之與記錄媒體對向之第一面、與相對於第一面傾 斜之第二面及第三面，並且以如下方式配置：自第二面入射之激發光於內部傳輸並自第一面出射，且自第一面入射之來自記錄媒體之反射光於內部傳輸並自第二面或第三面出射，光檢測元件對向於稜鏡之表面之與來自記錄媒體之反射光出射之區域不同之區域而配置。

本發明之一個觀點之放射線圖像檢測裝置中，激發光自不與記錄媒體對向之第二面入射至稜鏡，並自第一面出射。螢光光自第一面入射至稜鏡，且於稜鏡內傳輸併入射至光檢測元件。自第一面入射至稜鏡之反射光，自不與記錄媒體對向之第二面或第三面出射。光檢測元件對向於稜鏡之表面中之與反射光出射之區域不同之區域而配置。因此，激發光不易入射至光檢測元件。根據該放射線圖像檢測裝置，可抑制光檢測元件檢測激發光。

亦可為第三面為透過激發光之面，且稜鏡以自第一面入射之來自記錄媒體之反射光自第三面出射之方式配置。該情形時，自第二面入射之激發光自第一面出射並照射至記錄媒體。自第一面入射至稜鏡之反射光自第三面出射。由於光檢測元件對向於稜鏡之表面中之與反射光出射之區域不同之區域而配置，因此激發光不易入射至光檢測元件。因此，可確實地抑制光檢測元件檢測激發光。

亦可為第三面為反射激發光之面，且稜鏡以自第二面入射之激發光於第三面反射並自第一面出射，且自第一面入射之來自記錄媒體之反射光自第二面出射之方式配置。該情形時，自第二面入射之激發光於在第三面反射之後自第一面出射並照射至記錄媒體。自第一面入射至稜鏡之反射光自第二面出射。由於光檢測元件對向於稜鏡之表面中之與反射光出射之區域不同之區域而配置，因此激發光不易入射至光檢測元件。因此，可確實地抑制光檢測元件檢測激發光。

光檢測元件亦能以對向於第二面中之與激發光入射之區域不同之區域之方式配置。該情形時，由於光檢測元件以對向於第二面中之 與激發光入射之區域不同之區域之方式配置，因此激發光不易入射至光檢測元件。因此，可確實地抑制光檢測元件檢測激發光。

光檢測元件亦能以對向於第三面中之與來自記錄媒體之反射光出射之區域不同之區域之方式配置。該情形時，由於光檢測元件以對向於第三面中之與反射光出射之區域不同之區域之方式配置，因此激發光不易入射至光檢測元件。因此，可確實地抑制光檢測元件檢測激發光。

亦可為稜鏡具有作為表面之與第一面對向之第四面，且光檢測元件以對向於第四面之方式配置。該情形時，由於以對向於與激發光出射之第二面或第三面不同之第四面之方式配置光檢測元件，因此激發光不易入射至光檢測元件。因此，可確實地抑制光檢測元件檢測激發光。

光檢測元件係將光電二極體陣列作為1個通道而具備複數個通道，且該光電二極體陣列包括：複數個崩潰光電二極體，其等以蓋格模式動作；及淬滅電阻，其對各個崩潰光電二極體串聯連接。該情形時，激發光不易入射至複數個崩潰光電二極體。若激發光入射至複數個崩潰光電二極體，則不僅螢光光，而且激發光亦被崩潰倍增。由於激發光不易入射至複數個崩潰光電二極體，因此可將會藉由崩潰倍增而增大之激發光之影響抑制於較低。

根據本發明，可提供一種能抑制光檢測元件檢測激發光之放射線圖像檢測裝置。

1‧‧‧半導體基板

1N‧‧‧半導體基板

1PA‧‧‧第1半導體區域

1PB‧‧‧第2半導體區域

2‧‧‧激發光源

3‧‧‧MEMS鏡片

4‧‧‧掃描透鏡

5‧‧‧稜鏡

5a‧‧‧側面

5b‧‧‧側面

5c‧‧‧側面

10‧‧‧光檢測元件

11‧‧‧光電二極體陣列

20‧‧‧放射線圖像檢測裝置

AVC‧‧‧附近區域

D1‧‧‧光電二極體

EL‧‧‧激發光

E1‧‧‧第1電極

E2‧‧‧第1反射體

E3‧‧‧表面電極

E21‧‧‧反射體

FL‧‧‧螢光光

IP‧‧‧成像板

L‧‧‧絕緣層

TL‧‧‧信號讀出線

R1‧‧‧電阻層

V1‧‧‧電位

V2‧‧‧電位

II‧‧‧箭頭

圖1係表示實施形態之放射線圖像檢測裝置之概略構成圖。

圖2係實施形態之光電二極體陣列之立體圖。

圖3之(a)係圖2所示之光電二極體陣列之II-II箭頭剖面圖，(b)係 其電路圖。

圖4係實施形態之光電二極體陣列之電路圖。

圖5係稜鏡之剖面圖。

圖6係表示稜鏡之一變化例之剖面圖。

圖7係表示稜鏡之一變化例之剖面圖。

圖8係表示實施形態之變化例之放射線圖像檢測裝置之概略構成圖。

圖9係稜鏡之剖面圖。

以下，參照隨附圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。再者，於說明中，對同一要素或具有同一功能之要素使用同一符號，並省略重複之說明。

首先，參照圖1對本實施形態之放射線圖像檢測裝置20之構成進行說明。圖1係表示實施形態之放射線圖像檢測裝置之概略構成圖。

放射線圖像檢測裝置20檢測對成像板IP照射激發光EL而自成像板IP放出之螢光光。成像板IP為記錄放射線圖像之記錄媒體。自成像板IP放出之螢光光之波長與激發光之波長不同。

放射線圖像檢測裝置20包括激發光源2、MEMS(Micro Electro Mechanical System，微機電系統)鏡片3、掃描透鏡4、稜鏡5、及光檢測元件10。光檢測元件10以與稜鏡5對向之方式配置。

自激發光源2發出之激發光EL於MEMS鏡片3反射，並通過掃描透鏡4。通過掃描透鏡4之激發光EL入射至稜鏡5。稜鏡5配置於激發光EL之光路上。入射至稜鏡5之激發光EL於稜鏡5內折射並照射至成像板IP。

當激發光EL照射至成像板IP時，自成像板IP放出螢光光。光檢測元件10檢測自成像板IP放出之螢光光。光檢測元件10係將光電二極 體陣列11作為一個通道而具有複數個通道。此處，參照圖2~圖4對本實施形態之光電二極體陣列11之構成進行說明。

圖2係光電二極體陣列11之立體圖。圖3之(a)係圖4所示之光電二極體陣列之II-II箭頭剖面圖，(b)係其電路圖。圖4係光電二極體陣列之整體之電路圖。

於光電二極體陣列11中，複數個光電二極體D1(參照圖4)形成於N型(第1導電型)之半導體基板1N上。

各個光電二極體D1包括：P型(第2導電型)之第1半導體區域1PA，其形成於半導體基板1N之一表面側；及P型(第2導電型)之第2半導體區域1PB，其形成於第1半導體區域1PA內。第2半導體區域1PB具有較第1半導體區域1PA更高之雜質濃度。光電二極體D1包括：第1電極E1，其電性連接於半導體基板1N；及表面電極E3，其形成於第2半導體區域1PB上。第1半導體區域1PA之平面形狀為四邊形。第2半導體區域1PB位於第1半導體區域之內側，且平面形狀為四邊形。第1半導體區域1PA之深度較第2半導體區域1PB更深。圖3中之半導體基板1示為包含N型半導體基板1N、及P型半導體區域1PA、1PB之雙方者。

光電二極體陣列11針對各個光電二極體D1之每一個，而包括由金屬層構成之第1反射體E2、及電阻層(淬滅電阻)R1。

第1反射體E2隔著絕緣層L(參照圖3)而形成於第1半導體區域1PA外側之半導體基板1N上。電阻層R1係其一端連接於表面電極E3，且沿第1半導體區域1PA上之絕緣層L之表面延伸。圖2中，為使構造明確化而省略圖3所示之絕緣層L之記載。

第1反射體E2包含反射體E21，該反射體E21包含平面形狀為L字型之金屬層。位於半導體基板1N上之第1反射體E21(E2)、與具有第1開口之環狀之表面電極E3電性隔離。即，於光電二極體D1之陽極與陰極分別設置有電極，但一表面電極E3與第1反射體E2電性分離。藉 此，第1反射體E2明確區別於表面電極E3，從而用於將該第1反射體E2配置於適於反射之部位之設計自由度增加。與各個光電二極體D1連接之電阻層R1之另一端，視需要經由與電阻層R1連接之配線電極而電性連接於共用之信號讀出線TL。

圖2中，沿行方向鄰接之一對光電二極體(半導體區域1PA正下方之區域)，均經由電阻層R1而連接於沿列方向延伸之信號讀出線TL。複數對光電二極體分別經由電阻層R1而連接於1條信號讀出線TL。沿列方向延伸之信號讀出線TL沿行方向整齊排列有複數條。亦同樣地，複數對光電二極體分別經由電阻層R1而連接於各個信號讀出線TL。圖4所示之各信號讀出線TL最終全部加以連接，於電路上作為1條信號讀出線TL而構成圖4所示之電路。

電阻層R1之電阻率較其連接之表面電極E3高，又電阻率較第1反射體E2高。具體而言，電阻層R1包含多晶矽，其餘之電極及反射體均包含鋁等金屬。於半導體基板1包含Si之情形時，作為電極材料，除鋁之外，亦可較佳地使用AuGe/Ni等。作為使用Si之情形時之P型雜質而使用B等3族元素，作為N型雜質而使用N、P或As等5族元素。半導體之導電型即N型與P型即便相互置換來構成元件，亦可使該元件發揮功能。作為該等雜質之添加方法，可使用擴散法或離子注入法。

作為絕緣層L之材料，可使用SiO₂或SiN。作為絕緣層L之形成方法，於其包含例如SiO₂之情形時，可使用熱氧化法或濺鍍法。

於上述構造之情形時，於N型半導體基板1N與P型第1半導體區域1PA之間構成PN接面，藉此形成有光電二極體D1。半導體基板1N電性連接於形成於基板背面之第1電極E1。第1半導體區域1PA經由第2半導體區域1PB而連接於表面電極E3。電阻層R1相對於光電二極體D1而串聯連接(參照圖3之(b))。

於光電二極體陣列11中，使各個光電二極體D1以蓋格模式動 作。蓋格模式中，將較光電二極體D1之擊穿電圧大之反向電圧(反向偏壓電圧)施加至光電二極體D1之陽極/陰極間。即，對陽極施加(-)電位V1，對陰極施加(+)電位V2。該等電位之極性相對，亦可使一電位為接地電位。

陽極為P型半導體區域1PA，陰極為N型半導體基板1N。光電二極體D1作為崩潰光電二極體發揮功能。若向光電二極體D1入射光(光子)，則於基板內部前進光電轉換而產生光電子。於圖3(a)所示之P型半導體區域1PA之PN接面界面之附近區域AVC前進崩潰倍增，而使放大之電子群向電極E1流動。

第1反射體E2設置於相對於第2半導體區域1PB而雜質濃度相對低之第1半導體區域1PA之外側之半導體基板1N之表面上。半導體基板1N之露出面之區域係幾乎無助於對光入射前進檢測之死角。第1反射體E2使入射之光反射且入射至第2反射體(例如，金屬封裝內表面等)。第2反射體使入射之光再次反射，且將再反射之光有效地導引至光電二極體D1。

連接於各個光電二極體D1之電阻層R1之另一端係沿著半導體基板1N之表面而與共用之信號讀出線TL電性連接。複數個光電二極體D1以蓋格模式動作，各光電二極體D1連接於共用之信號讀出線TL。因此，於同時向複數個光電二極體D1入射光子之情形時，複數個光電二極體D1之輸出全部被輸入至共用之信號讀出線TL中，整體作為與入射光子數對應之高強度之信號予以測量。亦可將產生信號讀出用之電壓降之負載電阻連接於信號讀出線TL。

上述結構為表面入射型之光電二極體陣列之結構，但亦可採用背面入射型之光電二極體陣列之結構。於該情形時，只要使半導體基板1N之厚度變薄，且將背面側之電極E1設為透明電極即可。亦可將背面側之電極E1配置於半導體基板1N之其他位置(例如基板表面側)。

接下來，參照圖5對稜鏡5之構成進行說明。圖5係稜鏡之剖面圖。如圖5所示般，稜鏡5之剖面為梯形形狀。稜鏡5作為表面而包括：一對側面5c、5d，其等相互對向且平行；及一對側面5a、5b，其等相互對向，且以連結一對側面5c、5d之方式延伸。各側面5a、5b、5c、5d構成稜鏡5之剖面形狀即梯形之對應之邊。側面5c構成上述梯形中之相互平行之一對邊中之長度較長之邊。側面5d構成上述梯形中之相互平行之一對邊中之長度較短之邊。成像板IP以與稜鏡5對向之方式配置。即，稜鏡5與成像板IP對向。詳細而言，稜鏡5之側面5c(第一面)與成像板IP對向。稜鏡5之側面5d(第四面)與光檢測元件10對向。對側面5d實施有用以防止激發光EL自稜鏡5出射之塗覆(激發光截止塗覆)。

激發光EL自側面5a(第二面)入射至稜鏡5。即，側面5a為激發光EL之入射面。側面5a不與成像板IP對向。對側面5a實施有用以防止激發光EL反射之反射防止塗覆。側面5a相對於側面5c傾斜。與側面5a對向之側面5b(第三面)為透過激發光EL之面。側面5b亦相對於側面5c傾斜。光檢測元件10以與稜鏡5之側面5d對向之方式配置。光檢測元件10檢測該螢光光FL。

於放射線圖像檢測裝置20中，於激發光EL自側面5a入射至稜鏡5內之情形時，激發光EL於稜鏡5之內部傳輸並自側面5c出射。即，稜鏡5以使自側面5a入射之激發光EL自側面5c出射之方式構成。自側面5c(稜鏡5)出射之激發光EL照射至成像板IP。當激發光EL照射至成像板IP時，自成像板IP放出螢光光FL。光檢測元件10以與稜鏡5之側面5d對向之方式配置。螢光光FL自側面5c入射至稜鏡5內。入射至稜鏡5內之螢光光FL於稜鏡5之內部傳輸並自側面5d出射。即，稜鏡5亦以使自側面5c入射之螢光光FL自側面5d出射之方式構成。自側面5d(稜鏡5)出射之螢光光FL入射至光檢測元件10，並由光檢測元件10予以檢 測。作為來自成像板IP之反射光之激發光EL，自側面5c入射至稜鏡5內。入射至稜鏡5內之反射光(激發光EL)，於稜鏡5之內部傳輸並自側面5b出射。即，稜鏡5亦以使自側面5c入射之反射光(激發光EL)自側面5b出射之方式構成。

如此，放射線圖像檢測裝置20中，稜鏡5位於成像板IP與光檢測元件10之間。稜鏡5以使自側面5a入射至稜鏡5之激發光EL自側面5c出射，並且自側面5c入射之反射光自側面5b出射之方式配置。自側面5c出射之激發光EL照射至成像板IP。自成像板IP放出之螢光光FL，自側面5c入射至稜鏡5。稜鏡5以使自側面5c入射之螢光光FL自側面5d出射之方式配置。稜鏡5使激發光EL與螢光光FL自不同之側面5b、5c、5d出射。稜鏡5使激發光EL朝向不與光檢測元件10對向之側面5b前進，而不是朝向光檢測元件10所對向之側面5d前進。激發光EL自稜鏡5向與螢光光FL出射之方向不同之方向出射。由於光檢測元件10以不與激發光EL出射之側面5b對向，而是與螢光光FL出射之側面5d對向之方式配置，因此激發光不易入射至光檢測元件10。因此，可抑制光檢測元件10檢測激發光EL。由於對稜鏡5之側面5d實施有激發光截止塗覆，因此可更進一步抑制光檢測元件10檢測激發光EL。

以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態。

例如，如圖6所示般，側面5b亦可為反射激發光EL之面。藉由對側面5b實施用以反射激發光EL之塗覆(反射塗覆)，側面5b可作為反射激發光EL之面。該情形時，於激發光EL自側面5a入射至稜鏡5內之情形時，激發光EL亦於稜鏡5之內部傳輸並於側面5b反射。於側面5b反射之激發光EL自側面5c出射。即，稜鏡5以使自側面5a入射之激發光EL於側面5b反射且自側面5c出射之方式構成。自側面5c(稜鏡5)出射之激發光EL照射至成像板IP。當激發光EL照射至成像板IP時，自成 像板IP放出螢光光FL。入射至稜鏡5內之螢光光FL於稜鏡5之內部傳輸，並自側面5d出射。自側面5d(稜鏡5)出射之螢光光FL入射至光檢測元件10，由光檢測元件10檢測。作為來自成像板IP之反射光之激發光EL，自側面5c入射至稜鏡5內。入射至稜鏡5內之反射光(激發光EL)於稜鏡5之內部傳輸，並自側面5a出射。即，稜鏡5亦以使自側面5c入射之反射光(激發光EL)自側面5a出射之方式構成。稜鏡5以使自側面5a入射至稜鏡5之激發光EL自側面5c出射，並且自側面5c入射之反射光自側面5a出射之方式配置。稜鏡5使激發光EL與螢光光FL自不同之側面5a、5c、5d出射。稜鏡5使激發光EL朝向不與光檢測元件10對向之側面5a前進，而不是朝向光檢測元件10所對向之側面5d前進。激發光EL自稜鏡5向與螢光光FL出射之方向不同之方向出射。光檢測元件10以不與激發光EL出射之側面5a對向，而是與螢光光FL出射之側面5d對向之方式配置，因此激發光不易入射至光檢測元件10。因此，可抑制光檢測元件10檢測激發光EL。

例如，如圖7所示般，側面5d亦可呈現透鏡形狀。即便於該情形時，稜鏡5亦使激發光EL朝向不與光檢測元件10對向之側面5b前進，而不是朝向光檢測元件10所對向之側面5d前進。激發光EL自稜鏡5向與螢光光FL出射之方向不同之方向出射。光檢測元件10以不與激發光EL出射之側面5b對向，而是與螢光光FL出射之側面5d對向之方式配置，因此激發光不易入射至光檢測元件10。由於側面5d呈現透鏡形狀，因此可使螢光光FL之聚光效率提高。

上述實施形態中，稜鏡5之剖面為梯形形狀，但稜鏡5之剖面形狀並不限定於梯形。例如，亦可如圖8所示般，稜鏡5之剖面為三角形狀。該情形時，稜鏡5為三稜柱狀。圖8所示之放射線圖像檢測裝置20包括激發光源2、MEMS鏡片3、掃描透鏡4、稜鏡5、及複數個光檢測元件10。本變化例中，放射線圖像檢測裝置20包括一對光檢測元件 10。

圖9表示稜鏡5之剖面圖。稜鏡5具有三個側面5a、5b、5c。各側面5a、5b、5c構成稜鏡5之剖面形狀即三角形之對應之邊。側面5c構成上述三角形中之長度最長之邊。側面5c與成像板IP對向。激發光EL自側面5a入射至稜鏡5。即，側面5a為激發光EL之入射面。一對光檢測元件10配置於側面5a與側面5b之連接部分附近(與成像板IP對向之位置)。一個光檢測元件10配置於側面5a中之由側面5a與側面5b所形成之角部附近。光檢測元件10以對向於側面5a中之與激發光入射之區域不同之區域之方式配置。另一光檢測元件10以對向於側面5b中之與激發光出射之區域不同之區域之方式配置。

於激發光EL自側面5a入射至稜鏡5內之情形時，激發光EL於稜鏡5之內部傳輸，並自側面5c出射。即，稜鏡5以使自側面5a入射之激發光EL自側面5c出射之方式構成。自側面5c(稜鏡5)出射之激發光EL照射至成像板IP。當激發光EL照射至成像板IP時，自成像板IP放出螢光光FL。螢光光FL自側面5c入射至稜鏡5內。入射至稜鏡5內之螢光光FL於稜鏡5之內部傳輸，並自側面5a及側面5b出射。即，稜鏡5亦以使自側面5c入射之螢光光FL自側面5a及側面5b出射之方式構成。自側面5a及側面5b(稜鏡5)出射之螢光光FL入射至對應之光檢測元件10，由各光檢測元件10檢測。作為來自成像板IP之反射光之激發光EL，自側面5c入射至稜鏡5內。入射至稜鏡5內之反射光(激發光EL)於稜鏡5之內部傳輸，並自側面5b出射。即，稜鏡5亦以使自側面5c入射之反射光(激發光EL)自側面5b出射之方式構成。

如此，本變化例中，稜鏡5亦以使自側面5a入射至稜鏡5之激發光EL自側面5c出射，並且入射至稜鏡5內之反射光自側面5b出射之方式配置。自側面5c出射之激發光EL照射至成像板IP。自成像板IP放出之螢光光FL自側面5c入射至稜鏡5。稜鏡5使自側面5c入射之螢光光FL 自各側面5a、5b出射。稜鏡5使激發光EL與螢光光FL自不同之側面5a、5b、5c出射。稜鏡5使激發光EL朝向側面5b中之不與光檢測元件10對向之區域前進，而不是朝向側面5b中之與光檢測元件10對向之區域前進。激發光EL自稜鏡5向與螢光光FL出射之方向不同之方向出射。光檢測元件10於側面5b以不與激發光EL出射之區域對向而與螢光光FL出射之區域對向之方式配置，因此激發光不易入射至光檢測元件10。光檢測元件10於側面5a亦以不與激發光EL出射之區域對向而與螢光光FL出射之區域對向之方式配置，因此激發光不易入射至光檢測元件10。因此，可抑制光檢測元件10檢測激發光EL。一對光檢測元件10配置於稜鏡5中之側面5a與側面5b之連接部分附近(由側面5a與側面5b構成之角部附近)。

上述之實施形態及變化例中，光檢測元件10將光電二極體陣列11作為1個通道而具有複數個通道，該光電二極體陣列11包括：複數個崩潰光電二極體，其等以蓋格模式動作；及淬滅電阻，其相對於各個崩潰光電二極體而串聯連接。本實施形態及變化例之放射線圖像檢測裝置20中，激發光EL自稜鏡5中之偏離光檢測元件10所對向之區域之區域出射。因此，激發光EL不易入射至複數個崩潰光電二極體。若激發光入射至複數個崩潰光電二極體，則不僅螢光光，而且激發光亦被崩潰倍增。由於激發光EL不易入射至複數個崩潰光電二極體，因此可將會藉由崩潰倍增而增大之激發光EL之影響抑制於較低。

[產業上之可利用性]

本發明可用於檢測自記錄放射線圖像之記錄媒體放出之螢光光之放射線圖像檢測裝置。

5‧‧‧稜鏡

5a‧‧‧側面

5b‧‧‧側面

5c‧‧‧側面

5d‧‧‧側面

10‧‧‧光檢測元件

EL‧‧‧激發光

IP‧‧‧成像板

Claims (11)

1. 一種放射線圖像檢測裝置，其係檢測藉由對記錄有放射線圖像之記錄媒體照射激發光而自上述記錄媒體放出之螢光光者，且包括：光檢測元件，其檢測上述螢光光；及稜鏡，其以位於朝向上述記錄媒體之激發光之光路上且上述光檢測元件與上述記錄媒體之間之方式配置；且上述稜鏡具有作為表面之對向於上述記錄媒體之第一面、與相對於上述第一面傾斜之第二面及第三面，並且以如下方式配置：自上述第二面入射之激發光於內部傳輸並自上述第一面出射，且自上述第一面入射之來自上述記錄媒體之反射光於內部傳輸，並自上述第二面或上述第三面出射，上述光檢測元件係對向於上述稜鏡之上述表面中之與來自上述記錄媒體之反射光出射之區域不同之區域而配置。
2. 如請求項1之放射線圖像檢測裝置，其中上述第三面為透過激發光之面，且上述稜鏡以自上述第一面入射之來自上述記錄媒體之反射光自上述第三面出射之方式配置。
3. 如請求項1之放射線圖像檢測裝置，其中上述第三面為反射激發光之面，且上述稜鏡以自上述第二面入射之激發光於上述第三面反射並自上述第一面出射，且自上述第一面入射之來自上述記錄媒體之反射光自上述第二面出射之方式配置。
4. 如請求項1之放射線圖像檢測裝置，其中上述光檢測元件係對向於上述第二面中之與激發光入射之區域不同之區域而配置。
5. 如請求項2之放射線圖像檢測裝置，其中上述光檢測元件係對向於上述第二面中之與激發光入射之區域不同之區域而配置。
6. 如請求項3之放射線圖像檢測裝置，其中上述光檢測元件係對向於上述第二面中之與激發光入射之區域不同之區域而配置。
7. 如請求項1至6中任一項之放射線圖像檢測裝置，其中上述光檢測元件係對向於上述第三面中之與來自上述記錄媒體之反射光出射之區域不同之區域而配置。
8. 如請求項1至3中任一項之放射線圖像檢測裝置，其中上述稜鏡具有作為上述表面之與上述第一面對向之第四面，且上述光檢測元件對向於上述第四面而配置。
9. 如請求項1至6中任一項之放射線圖像檢測裝置，其中上述光檢測元件係將光電二極體陣列作為1個通道而具備複數個上述通道，該光電二極體陣列包括：複數個崩潰光電二極體，其等以蓋格模式動作；及淬滅電阻，其對各個上述崩潰光電二極體串聯連接。
10. 如請求項7之放射線圖像檢測裝置，其中上述光檢測元件係將光電二極體陣列作為1個通道而具備複數個上述通道，該光電二極體陣列包括：複數個崩潰光電二極體，其等以蓋格模式動作；及淬滅電阻，其對各個上述崩潰光電二極體串聯連接。
11. 如請求項8之放射線圖像檢測裝置，其中上述光檢測元件係將光電二極體陣列作為1個通道而具備複數個上述通道，該光電二極體陣列包括：複數個崩潰光電二極體，其等以蓋格模式動作；及淬滅電阻，其對各個上述崩潰光電二極體串聯連接。