KR102164687B1 - Efem 및 efem으로의 치환 가스 도입 방법 - Google Patents

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Abstract

내부의 치환 가스의 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있는 EFEM를 제공한다. 치환 가스를 도입 가능한 제1 챔버; 필터가 마련되어 있으며 순환 기류의 형성시에 상기 제1 챔버로부터 상기 치환 가스가 유입되는 제1 연통부와, 상기 순환 기류의 형성시에 상기 제1 챔버로 상기 치환 가스가 유출되는 제2 연통부를 개재하여, 상기 제1 챔버의 하방에 접속하는 제2 챔버; 상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 사이에 상기 순환 기류를 형성하는 기류 형성부; 상기 제1 챔버 또는 상기 제2 챔버로부터 기체를 배출하는 기체 배출부; 상기 제1 챔버에 배치되어 있으며, 제1 개구를 가지고 있고, 치환 가스 공급원으로부터 공급된 상기 치환 가스를 상기 제1 개구로부터 상기 제1 챔버에 방출하는 제1 노즐; 및 제2 개구를 가지고 있으며, 상기 치환 가스를 상기 제2 개구로부터 방출하는 제2 노즐;을 가지는 EFEM.

Description

EFEM 및 EFEM으로의 치환 가스 도입 방법{EFEM AND METHOD OF INTRODUCING REPLACEMENT GAS THEREINTO}
본 발명은 반도체 공장 내에서 반송 용기내로부터 처리실로 웨이퍼를 반송하는 EFEM 및 EFEM에 치환 가스를 도입하는 방법에 관한 것이다.
반도체의 제조 공정에서는 FOUP(Front Opening Unified Pod)이나 FOSB(Front Opening Shipping Box) 등으로 불리는 웨이퍼 반송 용기를 이용하여, 각 처리 장치 사이의 웨이퍼 반송이 이루어진다. 또한, 이러한 웨이퍼 반송 용기로부터 처리실로 웨이퍼를 반송할 때, EFEM(Equipment Front End Module)이 이용된다. EFEM은 미니 인바이런먼트(mini-environment) 등으로 불리는 공장내의 환경보다 청정한 공간을 형성하고, 이 공간을 통하여 웨이퍼 반송 용기와 처리실 사이에 웨이퍼를 반송한다. 따라서, 웨이퍼가 노출되는 환경은 웨이퍼 반송 용기로부터 처리실까지의 반송중에도 청정하게 유지되어 산화 등으로부터 웨이퍼를 보호할 수 있다(특허문헌 1 등 참조).
또한, 최근에는 EFEM의 내부에서 기체를 순환시킬 수 있는 순환형 EFEM도 제안되었다. 순환형 EFEM은, 예를 들면 질소 등의 치환 가스를 EFEM 내부에서 순환시킴으로써 가스의 소비량을 감소시킬 수 있다.
일본 공개 특허 제2010-109250호 공보
그러나, 질소를 도입하는 EFEM에서는 공급부로부터 공급되는 질소가 EFEM 내에 편재한다는 문제가 있다. 특히, 메인테넌스 등을 위해 내부를 대기 환경으로 만들 필요가 생긴 경우 다시 EFEM 내부를 질소 가스로 치환할 필요가 있지만, 종래의 EFEM에서는 이러한 질소 가스 치환시, EFEM 내부의 질소 농도를 균일하게 높이기 어려운 문제를 가지고 있다. 이에 따라, 종래의 EFEM에서는 EFEM 내 전체의 질소 가스 농도를 소정값까지 상승시키기 위해 긴 시간을 필요로 하는 경우가 있으며, 반도체 공장에서 장치의 휴지 시간이 길어지는 등의 문제가 생겼다.
본 발명은 이러한 실상을 감안한 것으로, 내부의 치환 가스의 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있는 EFEM 및 EFEM에 치환 가스를 도입하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 EFEM은,
치환 가스를 도입 가능한 제1 챔버;
필터가 마련되어 있으며 순환 기류의 형성시에 상기 제1 챔버로부터 상기 치환 가스가 유입되는 제1 연통부, 및 상기 순환 기류의 형성시에 상기 제1 챔버로 상기 치환 가스가 유출되는 제2 연통부를 개재하여, 상기 제1 챔버의 하방에 접속되는 제2 챔버;
상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 사이에 상기 순환 기류를 형성하는 기류 형성부;
상기 제1 챔버 또는 상기 제2 챔버로부터 기체를 배출하는 기체 배출부;
상기 제1 챔버에 배치되어 있으며, 적어도 수평 방향인 제1 방향을 따라 단속적 또는 연속적으로 형성되는 제1 개구를 가지고 있고, 치환 가스 공급원으로부터 공급된 상기 치환 가스를 상기 제1 개구로부터 상기 제1 챔버에 방출하는 제1 노즐; 및
상기 제1 방향에 평행한 방향을 따라 단속적 또는 연속적으로 형성되는 제2 개구를 가지고 있으며, 상기 치환 가스 공급원으로부터 공급된 상기 치환 가스를 상기 제2 개구로부터 방출하는 제2 노즐;을 갖는다.
본 발명에 따른 EFEM은 제1 개구를 가지는 제1 노즐 및 제1 개구와 평행하게 형성되는 제2 개구를 가지는 제2 노즐을 가지고 있으며, 제1 노즐과 제2 노즐 쌍방으로부터 치환 가스를 방출하는 것이 가능하다. 또한, 제1 개구 및 제2 개구는 소정의 방향을 따라 단속적 또는 연속적으로 형성되어 있기 때문에, 이러한 개구 및 노즐을 가지는 EFEM은 EFEM 내의 넓은 범위에 치환 가스를 배출하는 개구를 배치할 수 있어, EFEM의 제1 챔버 및 제2 챔버에서의 치환 가스의 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있다.
또한, 예를 들면, 상기 제2 노즐은 상기 제2 챔버에 배치되어 있으며 상기 치환 가스를 상기 제2 챔버에 방출할 수 있다.
이와 같은 EFEM에서는 제1 챔버에 치환 가스를 방출하는 제1 노즐뿐만 아니라 제2 챔버에 치환 가스를 방출하는 제2 노즐을 가지기 때문에, EFEM의 제1 챔버 및 제2 챔버에서의 치환 가스의 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있다. 특히, 이러한 EFEM에서는 필터가 마련되는 제1 연통부로부터의 기류가 향하기 힘든 제2 챔버의 코너 부분 등에도 제2 노즐을 이용하여 치환 가스를 효과적으로 가이드함으로써, 제2 챔버의 질소 가스 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있다.
또한, 예를 들면, 상기 기류 형성부는 상기 제1 연통부에 상기 필터와 함께 마련되어 있을 수 있으며,
상기 제1 챔버에 배치되어 있는 상기 제1 노즐 및 상기 제2 챔버에 배치되어 있는 상기 제2 노즐은 상기 기류 형성부 및 상기 필터를 상하 방향으로부터 개재하도록 배치되어 있을 수 있다.
이와 같은 EFEM에서는, 기류 형성부 및 필터의 상하에 치환 가스의 노즐을 배치함으로써, 제1 챔버와 제2 챔버 쌍방에 노즐로부터 직접 질소 가스를 공급할 수 있으므로, 필터의 통기 저항에 의한 질소 가스 농도의 편중이 생기기 어려워 EFEM 내의 질소 가스 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있다. 또한, 필터를 제1 노즐과 제2 노즐 사이에 배치함으로써 필터의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 예를 들면, 상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐과 동일한 높이에 위치하도록 상기 제1 챔버에 배치되어 있을 수 있으며, 상기 치환 가스를 상기 제1 챔버에 방출할 수 있다.
이와 같은 EFEM은 질소 가스를 방출하는 개구가 수평 방향으로 면적적인 확대를 가지도록 배치되어 있기 때문에 노즐로부터의 치환 가스가 도달하기 어려운 부분이 감소하여, EFEM의 제1 챔버 및 제2 챔버에서의 치환 가스의 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있다.
본 발명에 따른 EFEM으로의 치환 가스의 도입 방법은,
제1 챔버에 배치되어 있으며 적어도 수평 방향인 제1 방향을 따라 단속적 또는 연속적으로 형성되는 제1 개구를 가지는 제1 노즐을 이용하여, 치환 가스 공급원으로부터 공급된 치환 가스를 상기 제1 개구로부터 상기 제1 챔버에 방출하는 제1 방출 단계;
상기 제1 방향에 평행한 방향을 따라 단속적 또는 연속적으로 형성되는 제2 개구를 가지는 제2 노즐을 이용하여, 상기 치환 가스 공급원으로부터 공급된 상기 치환 가스를 상기 제2 개구로부터 방출하는 제2 방출 단계;
필터가 마련되어 있으며 순환 기류의 형성시에 상기 제1 챔버로부터 상기 치환 가스가 유입되는 제1 연통부 및 상기 순환 기류의 형성시에 상기 제1 챔버로 상기 치환 가스가 유출되는 제2 연통부를 개재하여 상기 제1 챔버의 하방에 접속하는 제2 챔버, 또는 상기 제1 챔버로부터 기체를 배출하는 배출 단계; 및
상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 사이에 상기 순환 기류를 형성하는 기류 형성부의 구동을 조정하는 기류 조정 단계;를 갖는다.
본 발명에 따른 EFEM으로의 치환 가스의 도입 방법에 따르면, 제1 노즐에 의한 제1 방출 단계와 제2 노즐에 의한 제2 방출 단계를 행함으로써, EFEM 내의 넓은 범위에 배치된 개구로부터 치환 가스를 방출하여 EFEM의 제1 챔버 및 제2 챔버에서의 치환 가스의 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있다. 또한, 이러한 치환 가스의 도입 방법에 의하면, EFEM의 가스 치환에 필요로 하는 시간을 단축하여 반도체 공장에서의 장치의 휴지 시간을 단축함으로써 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 예를 들면, 상기 제1 방출 단계 및 상기 제2 방출 단계는, 상기 기류 조정 단계에서 상기 기류 형성부의 구동을 정지한 상태에서 이루어질 수 있다.
기류 형성부의 구동을 정지한 상태에서 치환 가스의 도입을 행함으로써, 제1 및 제2 노즐을 이용하여 방출되는 치환 가스가 치환 가스의 도입전에 EFEM 내에 존재하고 있던 건조 공기 등을 효과적으로 배출할 수 있다. 또한, 치환 가스의 도입전에 EFEM 내에 존재하고 있던 건조 공기 등이, 새롭게 도입된 치환 가스와 서로 섞임으로써 배출되기 어려워지는 문제를 방지하여 EFEM의 가스 치환에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.
또한, 예를 들면, 상기 제2 노즐은 상기 제2 챔버에 배치되어 있을 수 있으며, 상기 제2 방출 단계는 상기 치환 가스를 상기 제2 챔버에 방출할 수 있다.
이와 같은 치환 가스의 도입 방법은, 제1 챔버뿐만 아니라 제2 챔버에도 치환 가스를 방출함으로써 EFEM의 제1 챔버 및 제2 챔버에서의 치환 가스의 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있다. 특히, 이러한 EFEM으로의 가스 치환 방법에 의하면, 필터가 마련되는 제1 연통부로부터의 기류가 향하기 어려운 제2 챔버의 코너 부분 등에도 제2 노즐을 이용하여 치환 가스를 효과적으로 가이드 함으로써, 제2 챔버의 질소 가스 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 EFEM에서의 치환 가스의 흐름을 나타내는 개략도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 EFEM이 가지는 제1~제4 노즐 및 변형예에 따른 제1~ 제4 노즐을 나타내는 개략도이다.
도 3은 제2 실시 형태에 따른 EFEM이 가지는 제1~제4 노즐을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 EFEM에서의 치환 가스의 흐름을 나타내는 개략도이다.
도 5는 도 4에 나타내는 EFEM이 가지는 제1 및 제2 노즐을 나타내는 개략도이다.
도 6은 도 1에 나타내는 EFEM으로의 질소 가스의 도입 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 7은 도 1에 나타내는 EFEM에서의 질소 가스로의 치환에 수반하는 산소 농도의 저하를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명을 도면에 나타내는 실시 형태에 기초하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 EFEM(50)의 개략도이며, EFEM(50)(Equipment Front End Module)은, 반도체 공장에서 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송 용기인 FOUP(도시 생략)와 웨이퍼에 대해 처리를 행하는 처리 챔버(도시 생략) 사이에서 웨이퍼를 전달하기 위해 이용되는 장치이다.
EFEM(50)은 미니-인바이런먼트로 불리는 청정 공간을 내부에 형성하는 제2 챔버(64)를 가지고 있고, FOUP에 수납된 웨이퍼는 제2 챔버(64)를 지나 처리실로 반송된다.
도 1에서 화살표(90)는 EFEM(50)의 제2 챔버(64)에서 웨이퍼 등을 반송하는 통상 운전 상태에서 EFEM(50) 내에 형성되는 순환 기류의 상태를 나타낸 것이다. 본 실시 형태에 따른 EFEM(50)에서는 제2 챔버(64)의 상방(제2 챔버(64)를 1층 부분이라고 한다면 2층 부분)에 마련된 제1 챔버(54)와, 제1 챔버(54)의 하방에 접속되는 제2 챔버(64) 모두에 치환 가스로서의 질소 가스를 도입할 수 있다. 한편, EFEM(50)의 설명에서는 상하 방향을 Z축 방향, Z축과 수직이며 EFEM(50)의 하나의 벽면에 평행한 방향을 X축 방향, Z축 및 X축과 수직한 방향을 Y축 방향으로서 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 챔버(54)와 제2 챔버(64) 사이에는 2개의 연통부인 제1 연통부(58) 및 제2 연통부(65)가 마련되어 있고, 제1 연통부(58) 및 제2 연통부(65)는 제1 챔버(54)와 제2 챔버(64)를 접속한다.
통상 운전 상태에서는 제1 챔버(54) 및 제2 챔버(64)에 도입된 질소 가스는 제1 연통부(58) 및 제2 연통부(65)를 통하여 이동하고, 도 1에서 화살표(90)로 나타낸 바와 같이, 제1 챔버(54)와 제2 챔버(64) 사이를 순환하는 순환 기류를 형성한다. FOUP과 처리실 사이의 웨이퍼의 반송은, 도 1에 나타낸 바와 같이 제1 챔버(54)와 제2 챔버(64)를 순환하는 질소 가스의 순환 기류를 형성한 상태에서 이루어진다.
EFEM(50)은 제1 챔버(54) 및 제2 챔버(64) 외에, 제1 노즐(71), 제2 노즐(72), 제3 노즐(73), 제4 노즐(74), 기류 형성부(60), 필터(62), 기체 배출부(68) 및 산소 농도계(66) 등을 갖는다. 또한, 도 1에는 나타나지 않지만, EFEM(50)은 제2 챔버(64)에 마련되어 있으며, 웨이퍼를 반송하기 위한 반송 로봇이나 FOUP과 제2 챔버(64)를 접속하기 위한 로드 포트 장치 등을 갖는다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 챔버(54)에는 제1 노즐(71) 및 제3 노즐(73)(도 2 참조)을 통하여 직접 질소 가스를 도입할 수 있다. 또한, 도 1에는 나타나지 않지만, 제1 챔버(54)는 건조 공기를 도입하는 건조 공기 도입 노즐을 구비하고 있다. 또한, EFEM(50)에서는 제2 챔버(64)에도 제2 노즐(72) 및 제4 노즐(74)을 통하여 직접 질소 가스를 도입할 수 있다.
도 2의 (a)는, 도 1에 나타내는 EFEM(50)이 가지는 제1~제4 노즐(71~74)을 나타내는 개략도이다. 제1~제4 노즐은 배관(75)을 통하여 치환 가스 공급원(78)(도 1 참조)에 접속되어 있으며, 각 제1~제4 노즐에는 배관(75)을 통하여 질소 가스가 공급된다. 치환 가스 공급원(78)은, 예를 들면 질소 가스 탱크 등으로 구성된다. 치환 가스 공급원(78)과 제1~제4 노즐(71~74)을 접속하는 배관(75)의 형상은 제1~ 제4 노즐(71~74)에 접속하는 부분이 독립하여 분기되어 있는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 2의 (b)에 나타나는 변형예에 따른 배관(175)과 같이, 제2 노즐(72)과 제1 노즐(71), 제4 노즐(74)과 제3 노즐(73)을 접속하는 부분을 가지는 것일 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 한편, EFEM(50)에 이용하는 치환 가스로서는, 본 실시 형태에서 이용하는 질소 가스에만 한정되지 않으며, 질소 가스 이외의 불활성 가스나 환원성 가스 등일 수 있다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 제1 노즐(71)은 수평 방향인 제1 방향(도 1에서 X축과 평행한 방향)을 따라 연장되어 있으며, 제1 방향을 따라 단속적으로 형성되는 복수의 제1 개구(71a)를 가지고 있다. 제1 노즐(71)은 치환 가스 공급원(78)으로부터 공급된 질소 가스를, 제1 방향으로 직선상으로 배열된 제1 개구(71a)로부터 제1 챔버(54)로 방출한다. 제1 개구(71a)는 하방을 향해 개구되어 있고, 제1 노즐(71)은 질소 가스를 필터(62)가 배치되는 제1 연통부(58) 측을 향해 방출한다.
제1 노즐(71)에서, 제1 개구(71a)가 형성되는 제1 방향을 따른 길이(L1)(일방 단부의 제1 개구(71a)의 일단에서부터 타방 단부의 제1 개구(71a)의 타단까지의 길이)는 특별히 한정되지 않지만, EFEM(50)에 고르게 질소를 공급하는 관점에서, 도 1에 나타내는 제1 챔버(54)의 제1 방향을 따른 길이(L2)의 3분의 1 이상인 것이 바람직하고, 절반 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 제1 노즐(71)에서 제1 개구(71a)가 배열되는 제1 방향은 대략 직방체인 EFEM(50)에서의 수평 방향의 한 변에 평행한 직선 방향인 것이 바람직하지만, EFEM(50)의 변에 대해서 경사 방향 등 기타 방향일 수도 있다. 한편, 제1 노즐(71)은 제1 방향을 따라 연속적으로 형성되는 슬릿 형상의 제1 개구를 가지고 있을 수 있고, 이 경우, 제1 개구가 형성되는 제1 방향에 따른 길이(L1)는 슬릿 형상의 제1 개구의 일단에서부터 타단까지의 길이로 나타내어진다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 제2 노즐(72)은 제1 방향에 평행한 방향(도 1에서 X축과 평행한 방향)을 따라 연장되어 있고, 제1 방향과 평행한 방향을 따라 단속적으로 형성되는 복수의 제2 개구(72a)를 가지고 있다. 제2 노즐(72)은 치환 가스 공급원(78)으로부터 공급된 질소 가스를 제2 개구(72a)로부터 방출한다. EFEM(50)의 제2 노즐(72)은 제2 챔버(64)에 배치되어 있기 때문에, 제2 노즐(72)은 질소 가스를 제2 챔버(64)에 방출한다. 제2 노즐(72)은 제2 챔버(64)의 천정부, 또는 제2 챔버(64)와 제1 챔버(54)를 접속하는 제1 연통부(58)의 근처에 배치되는 것이 바람직하지만, 제2 챔버(64) 내이면 특별히 한정되지 않는다.
제2 노즐(72)은 제1 방향과 평행한 방향을 따라 형성되어 있지만, 그 방향을 따라 제2 개구(72a)가 형성되는 길이(L3)(일방 단부의 제2 개구(72a)의 일단에서부터 타방 단부의 제2 개구(72a)의 타단까지의 길이)는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 제2 개구(72a)가 형성되는 길이(L3)는 제2 챔버(64)에 고르게 질소를 공급하는 관점에서, 도 1에 나타내는 제2 챔버(64)에서 제2 진행 영역(64a)의 제1 방향과 평행한 방향을 따른 길이(L4)의 3분의 1이상인 것이 바람직하고, 절반 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 제2 개구(72a)가 형성되는 길이(L3)는 제1 개구(71a)가 형성되는 길이(L1)와 동일할 수 있다. 한편, 제2 노즐(72)은 제1 방향과 평행한 방향을 따라 연속적으로 형성되는 슬릿 형상의 제2 개구를 가지고 있을 수 있으며, 이 경우, 제2 개구가 형성되는 제1 방향과 평행한 방향에 따른 길이(L3)는 슬릿 형상의 제2 개구의 일단에서부터 타단까지의 길이로 나타내어진다.
도 2에 나타낸 바와 같이, EFEM(50)은 제1 노즐(71)과 마찬가지로 제1 챔버(54)에 배치되는 제3 노즐(73), 및 제2 노즐(72)과 마찬가지로 제2 챔버(64)에 배치되는 제4 노즐(74)을 갖는다. 제3 노즐(73)은 제1 노즐(71)과 평행하며 동일한 높이에 위치하도록, 또한 제1 노즐(71)에 대해서 제1 방향과 수직인 방향(Y축과 평행한 방향)으로 소정의 간격(L5)을 두고 배치된다. 제3 노즐(73)은 제1 방향과 평행한 방향(도 1에서 X축과 평행한 방향)을 따라 연장되어 있으며, 제1 방향과 평행한 방향을 따라 단속적으로 형성되는 복수의 제3 개구(73a)를 가지고 있다.
제3 노즐(73)은 제1 방향과 평행한 방향을 따라 형성되지만, 그 방향을 따라 제3 개구(73a)가 형성되는 길이는 제1 개구(71a)가 형성되는 길이(L1)와 동일하다. 또한, 제1 노즐(71)과 제3 노즐(73)의 간격(L5)은 특별히 한정되지 않지만, EFEM(50)에 고르게 질소를 공급하는 관점에서, 도 1에 나타내는 제1 챔버(54)의 제1 방향과 수직한 방향(Y축과 평행한 방향)을 따른 길이의 3분의 1 이상인 것이 바람직하고, 절반 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 제3 개구(73a)의 형상에 대해서도, 제1 방향과 평행한 방향을 따라 연속적으로 형성되는 슬릿 형상일 수 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 제4 노즐(74)은 제2 노즐(72)과 평행하며 동일한 높이에 위치하도록, 또한 제2 노즐(72)에 대해 제1 방향에 평행한 방향과 수직인 방향(Y축과 평행한 방향)으로 소정의 간격(L6)을 두고 배치된다. 제4 노즐(74)은 제1 방향과 평행한 방향(도 1에서 X축과 평행한 방향)을 따라 연장되어 있으며, 제1 방향과 평행한 방향을 따라 단속적으로 형성되는 복수의 제4 개구(74a)를 가지고 있다.
제4 노즐(74)은 제1 방향과 평행한 방향을 따라 형성되지만, 그 방향을 따라 제4 개구(74a)가 형성되는 길이는 제2 개구(72a)가 형성되는 길이(L2)와 동일하다. 또한, 제2 노즐(72)과 제4 노즐(74)의 간격(L6)은 특별히 한정되지 않지만, EFEM(50)에 고르게 질소를 공급하는 관점에서, 도 1에 나타내는 제2 챔버(64)에서 제2 진행 영역(64a)의 제1 방향에 평행한 방향과 수직인 방향(Y축과 평행한 방향)을 따른 길이의 3분의 1 이상인 것이 바람직하고, 절반 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 제4 개구(74a)의 형상에 대해서도, 제1 방향과 평행한 방향을 따라 연속적으로 형성되는 슬릿 형상일 수 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 챔버(54)는 제2 챔버(64)의 상방에 접속되어 있으며, 제1 챔버(54)는 제2 챔버(64)의 바로 위에 배치되어 있다. 제1 챔버(54)의 넓이는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 도 2에 나타내는 예에서 제1 챔버(54)의 높이 방향의 길이는 하방에 있는 제2 챔버(64)보다 짧고, 제1 챔버(54)의 상방으로부터의 투영 면적은 하방에 있는 제2 챔버(64)와 동일하다. 제1 챔버(54)의 공간을 제2 챔버(64)의 공간보다 좁게 함으로써 효율적으로 필터(62)에 치환 가스나 건조 공기를 보낼 수 있음과 함께, EFEM(50)의 사이즈가 커지는 것을 방지할 수 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 제2 챔버(64)는 제1 챔버(54)의 하방에 접속되어 있다. 제2 챔버(64)는 제2 챔버(64)의 산소 농도를 측정하는 산소 농도계(66)를 구비한다. 또한, 제2 챔버(64)에는 압력계 등 다른 계측기가 구비되어 있을 수 있으며, 메인테넌스시 등 사람이 출입 가능한 개방 도어(도시 생략)를 구비할 수도 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 제2 챔버(64)는 웨이퍼 등을 반송하는 영역인 제2 진행 영역(64a) 및 리턴 덕트로 구성되는 제2 리턴 영역(64b)을 갖는다. 제2 진행 영역(64a)과 제2 리턴 영역(64b)은 수평 방향으로 나란히 배치되어 있으며, 모두 제1 챔버(54)의 하방에 접속되어 있다. 제2 진행 영역(64a)과 제2 리턴 영역(64b)은 제2 챔버(64)의 천정 부분으로부터 하방으로 연장되는 중간벽(69)에 의해 나누어져 있다. 중간벽(69)의 하방에는 제2 진행 영역(64a)과 제2 리턴 영역(64b) 상호의 하부를 연결하는 하부 연통부(67)가 형성되어 있고, 제2 리턴 영역(64b)은 제2 진행 영역(64a)에 대하여 하부 연통부(67)에 의해 연통되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같은 순환 기류의 형성시, 제2 챔버(64)의 제2 진행 영역(64a)에는 하강 기류가 생기고 제2 리턴 영역(64b)에는 상승 기류가 생긴다. 또한, 제1 챔버(54)는 제2 진행 영역(64a)의 상방에 접속되는 제1 진행 영역(54a)과, 제2 리턴 영역(64b)의 상방에 접속하는 제1 리턴 영역(54b)을 가지고 있다. 도 1에서 화살표(90)로 나타낸 바와 같이, 순환 기류는, 제1 진행 영역(54a), 제2 진행 영역(64a), 제2 리턴 영역(64b), 제1 리턴 영역(54b), 제1 진행 영역(54a), …순으로 제1 챔버(54)와 제2 챔버(64)를 순환한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 챔버(54)와 제2 챔버(64)는 제1 연통부(58)와 제2 연통부(65)를 통하여 접속되어 있다. 제1 연통부(58)에서는 순환 기류의 형성시, 제1 챔버(54)로부터 제2 챔버(64)를 향하는 기류(하강 기류)가 생긴다. 제1 연통부(58)에는 제1 챔버(54)와 제2 챔버(64) 사이에서 순환 기류를 형성하는 기류 형성부(60)와 필터(62)가 마련되어 있다.
기류 형성부(60)는 송풍 팬(61) 및 송풍 팬(61)을 구동하는 구동부를 가지고 있고, 도시 생략한 제어부로부터 제어를 받아 송풍 팬(61)을 회전시켜, 도 1에 나타내는 순환 기류를 EFEM(50)의 내부에 형성한다. 기류 형성부(60)는 제2 챔버(64)의 제2 진행 영역(64a)에 다운 플로우를 형성함으로써, 제2 챔버(64) 내에 부유하는 파티클을 저감시켜 제2 챔버(64)에서의 제2 진행 영역(64a)의 청정도를 높일 수 있다. 또한, 기류 형성부(60)는 제2 챔버(64)의 제2 리턴 영역(64b)을 상승한 후 제2 연통부(65)를 통과하여 제1 챔버(54)로 돌아오고, 제1 챔버(54)의 제1 리턴 영역(54b) 및 제1 진행 영역(54a)을 지나 제1 연통부(58)로 돌아오는 순환 기류를 형성함으로써, 통상 운전중에 EFEM(50)에 보충되는 질소 가스의 소비량을 억제할 수 있다.
필터(62)는 제1 챔버(54) 및 제2 챔버(64) 내의 기체에 포함되는 파티클이나 소정의 성분을 제거함으로써, EFEM(50) 내의 청정도를 높인다. 필터(62)로서는, 예를 들면 파티클 제거 필터와 케미컬 필터를 조합한 것을 들 수 있지만 특별히 한정되지 않는다. 제1 연통부(58)에 구비되는 기류 형성부(60)와 필터(62)는 기류 형성부(60)의 송풍 팬(61)과 필터(62)가 일체로 이루어진 팬 필터 유닛(FFU)일 수 있고, 기류 형성부(60)와 필터(62)가 별체일 수도 있다. 기류 형성부(60)와 필터(62)가 별체인 경우, 예를 들면 기류 형성부(60)의 송풍 팬(61)은 제1 챔버(54)의 천정부 등에 배치할 수 있다.
EFEM(50)에서, 기류 형성부(60)는 제1 연통부(58)에 필터(62)와 나란히 마련되어 있다. 또한, 제1 챔버(54)에 배치되어 있는 제1 노즐(71)과 제2 챔버(64)에 배치되어 있는 제2 노즐(72)은, 기류 형성부(60) 및 필터(62)를 상하 방향으로부터 개재하도록 배치되어 있다. 기류 형성부(60) 및 필터(62)를 사이에 두고 질소 가스를 방출하는 노즐(71, 72)을 상하로 배치함으로써, 필터(62)의 통기 저항에 의한 질소 가스 농도의 편중이 생기기 어려우며, 또한 필터(62)의 주변을 질소 가스로 채움으로써 필터의 오염을 방지할 수 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 제2 연통부(65)에서는 순환 기류의 형성시, 제2 챔버(64)로부터 제1 챔버(54)를 향하는 기류(상승 기류)가 생긴다. 제2 연통부(65)에는 제2 연통부(65)의 통기 상태를 변경하는 통기 상태 변경부(도시 생략)가 마련되어 있을 수 있다. 예를 들면, 통기 상태 변경부는 제2 연통부(65)를 통하여 제2 챔버(64)로부터 제1 챔버(54)로 기체가 이동 가능한 상태, 및 제2 연통부(65)를 통하여 제2 챔버(64)로부터 제1 챔버(54)로 기체가 이동할 수 없는 상태로, 제2 연통부(65)의 통기 상태를 절환할 수 있는 밸브를 갖는다.
기체 배출부(68)는 제1 챔버(54) 또는 제2 챔버(64)로부터 기체를 배출한다. 도 1에 나타내는 기체 배출부(68)는 제2 챔버(64)의 제2 리턴 영역(64b)에 접속되어 있고, 제2 챔버(64)의 기체를 제2 챔버(64)로부터 배출한다. 기체 배출부(68)로부터는 질소 가스 도입 전에 EFEM(50) 내에 존재하고 있던 공기나, 제1~제4 노즐(71~74)을 통과하여 EFEM(50) 내에 도입된 질소 가스나, 메인테넌스 시에 개방 도어 등으로부터 EFEM(50) 내에 유입된 공장 내의 공기 등이 배출된다. 도 1에 나타내는 순환 기류의 형성시에는 기체 배출부(68)로부터의 기체의 배출은 정지되어 있을 수 있고, 또한, 제1~제4 노즐(71~74)로부터의 가스의 공급량에 상당하는 양의 기체를 기체 배출부(68)로부터 배출할 수도 있다.
기체 배출부(68)의 제2 챔버(64)에 대한 접속 위치는 제2 개구(72a) 및 제4 개구(74a)보다 낮은 위치이며, EFEM(50)에서는 낮은 위치에 있는 기체 배출부(68)로부터 제2 챔버(64)의 기체를 배출한다. 단, 기체 배출부(68)는 제2 연통부(65)의 근방에서 제2 챔버(64) 또는 제1 챔버(54)에 접속되어 있을 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 따른 기체 배출부(68)는 팬과 같은 송풍 수단을 가지지 않는 자연 배기 기구이지만, 기체 배출부(68)는 송풍 수단을 가지는 강제 배출 기구일 수도 있다.
도 6은, 도 1에 나타내는 EFEM(50)의 가스 치환 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다. 단계 S001에서는, 도 6에 나타내는 일련의 가스 치환이 개시된다. EFEM(50)의 가스 치환은, 예를 들면, EFEM(50)의 통상 운전을 개시하기 전이나 EFEM(50)의 메인테넌스의 종료 후, EFEM(50)의 통상 운전을 재개하기 전에 이루어진다. 도 2에 나타내는 EFEM(50)의 가스 치환 방법이 시작되기 전, EFEM(50)의 제1 챔버(54) 및 제2 챔버(64)는 공기로 채워진 상태이다.
도 6에 나타내는 단계 S002에서는, 도 1에 나타내는 제1 챔버(54)와 제2 챔버(64) 사이에 순환 기류를 형성하는 기류 형성부(60)의 구동을 조정하는 기류 조정 단계가 행하여진다. 구체적으로는, 도시 생략한 제어부가 기류 형성부(60)의 구동을 정지함으로써 기류 형성부(60)의 송풍 팬(61)의 회전이 정지하고, 송풍 팬(61)에 의한 순환 기류의 형성을 정지한다.
도 6에 나타내는 단계 S003에서는, 도 1에 나타내는 제1 노즐(71)을 이용하여 EFEM(50) 내에 질소 가스를 방출하는 제1 방출 단계 및 제2 노즐(72)를 이용하여 EFEM(50) 내에 질소 가스를 방출하는 제2 방출 단계를 개시한다. 제1 방출 단계는 치환 가스 공급원(78)으로부터 공급된 질소 가스를 제1 개구(71a)로부터 제1 챔버(54)로 방출한다. 또한, 제1 방출 단계에서는 제1 노즐(71)의 제1 개구(71a)로부터 질소 가스를 방출할 뿐만 아니라, 제3 노즐(73)(도 2 참조)의 제3 개구(73a)로부터도 질소 가스를 제1 챔버(54)로 방출한다.
또한, 제2 방출 단계는, 치환 가스 공급원(78)으로부터 공급된 질소 가스를 제2 개구(72a)로부터 제2 챔버(64)로 방출한다. 또한, 제2 방출 단계에서는 제2 노즐(72)의 제2 개구(72a)로부터 질소 가스를 방출할 뿐만 아니라, 제4 노즐(74)(도 2 참조)의 제4 개구(74a)로부터도 질소 가스를 제2 챔버(64)로 방출한다.
도 6에 나타내는 가스 치환 방법에서, 제1 방출 단계와 제2 방출 단계는 동시에 이루어지나, 제1 방출 단계와 제2 방출 단계는 시간을 달리하여 개시 또는 종료될 수 있으며, 또한, 어느쪽이든 일방이 단속적으로 이루어질 수도 있다.
도 6에 나타내는 단계 S004에서는 제2 챔버(64)로부터 제2 챔버(64)의 기체를 배출하는 배출 단계를 개시한다. 배출 단계는 제1 및 제2 방출 단계의 개시에 의해 EFEM(50) 내에 질소 가스가 도입되고, 이에 수반하여 EFEM(50) 내의 기체의 일부가 기체 배출부(68)로 유출됨으로써 제1 및 제2 방출 단계의 개시에 연동하여 개시된다. 한편, 기체 배출부(68)가 제1 챔버(54)에 접속되어 있는 EFEM에서는 배출 단계에서 제1 챔버(54)로부터 기체가 방출된다.
도 6에 나타내는 단계 S005에서는, 제2 챔버(64)의 산소 농도계(66)를 이용하여 EFEM(50) 내(제2 챔버(64))의 산소 농도를 계측하고, EFEM(50) 내의 산소 농도가 소정값 이하가 되었는지 아닌지를 판단한다. 단계 S005에서는, 계측된 EFEM(50) 내의 산소 농도가 소정값을 상회하는 경우에는 제1 및 제2 방출 단계를 계속한다. 이에 대해서, 단계 S005에서, 계측된 EFEM(50) 내의 산소 농도가 소정값 이하인 경우에는 단계 S006으로 진행하여 제1 및 제2 방출 단계를 정지한다.
도 6에 나타내는 단계 S006에서는, 단계 S003에서 개시한 제1 및 제2 방출 단계를 정지한다. 단계 S006에서는, 도 1 및 도 2에 나타내는 제1~제4 개구(71a~74a)로부터의 질소 가스의 방출을 모두 정지함으로써, EFEM(50) 내로의 질소 가스의 방출을 정지한다. 단, 단계 S006에서는 상술한 바와 같이 질소 가스의 방출을 완전히 정지하는 것이 아니라, 제1~제4 개구(71a~74a)로부터의 질소 가스의 방출량을 감소시킬 수도 있다. 이 경우, 제1~제4 노즐(71~74) 중 일부의 노즐로부터의 질소의 방출을 계속하고, 다른 일부의 노즐로부터의 질소의 방출을 정지할 수 있으며, 또한 제1~제4 개구(71a~74a)로부터의 질소 가스의 방출량을 전체적으로 감소시킬 수도 있다.
도 6에 나타내는 단계 S007에서는, 단계 S004에서 개시한 배출 단계를 정지한다. 단계 S006에서 질소 가스의 방출을 모두 정지한 경우는, 도 1에 나타내는 기체 배출부(68)로부터의 기체의 배출도 완전히 정지하는 것이 바람직하다. 단, 단계 S006에서, 제1~ 제4 개구(71a~74a)로부터의 질소 가스의 방출량(단위 시간당)을 감소시킨 경우는, 단계 S007에서 기체 배출부(68)로부터의 배출량(단위 시간당)을 감소시킬 수도 있다.
도 6에 나타내는 단계 S008에서는, 도 1에 나타내는 제1 챔버(54)와 제2 챔버(64) 사이에서 순환 기류를 형성하는 기류 형성부(60)의 구동을 개시한다. 구체적으로는, 도시 생략한 제어부가 기류 형성부(60)의 구동을 개시함으로써, 기류 형성부(60)의 송풍 팬(61)이 회전하여 송풍 팬(61)에 의한 순환 기류를 형성한다.
단계 S009에서는, EFEM(50)은 일련의 가스 치환을 종료한다. 도 6에 나타내는 가스 치환이 종료된 후, EFEM(50)은 제2 챔버(64) 내에서 웨이퍼의 반송 등을 행하는 통상 운전을 행할 수 있다.
이상과 같이, 도 1에 나타내는 제1 노즐(71), 제2 노즐(72)을 가지는 EFEM(50)은 제1 노즐(71)과 제2 노즐(72)의 쌍방으로부터 치환 가스를 방출하는 것이 가능하다. 또한, 제1 및 제2 노즐(71, 72)이 가지는 제1 및 제2 개구(71a, 72a)는 제1 방향 또는 이에 평행한 방향을 따라 단속적 또는 연속적으로 형성되어 있기 때문에, 이러한 노즐(71, 72)을 가지는 EFEM(50)은 EFEM(50) 내의 넓은 범위에 치환 가스를 배출하는 개구(71a, 72a)를 배치할 수 있어, EFEM(50)의 제1 챔버(54) 및 제2 챔버(64)에서의 치환 가스의 농도를 종래보다 균일하고 효율적으로 높일 수 있다. 또한, 제1 노즐(71) 및 제2 노즐(72)뿐만 아니라 제3 노즐(73) 및 제4 노즐(74)을 함께 이용함으로써, EFEM(50)의 제1 챔버(54) 및 제2 챔버(64)에서의 질소 가스의 농도를 효율적으로 높여 가스 치환에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.
또한, EFEM(50)은 제1 챔버(54)에 치환 가스를 방출하는 제1 노즐(71)뿐만 아니라 제2 챔버(64)에 치환 가스를 방출하는 제2 노즐(72)을 가지기 때문에, EFEM(50)의 제1 챔버(54) 및 제2 챔버(64)에서의 치환 가스의 농도를 종래보다 균일하게 높일 수 있다. 예를 들면, 도 1에 나타내는 EFEM(50)에서는 필터(62)가 마련되는 제1 연통부(58)로부터의 기류가 향하기 어려운 제2 챔버(64)의 코너 부분 등에도 제2 노즐을 이용하여 질소 가스를 효과적으로 가이드할 수 있다. 따라서, EFEM(50)은 제2 챔버(64)의 질소 가스 농도를 종래보다 효율적으로 높여 가스 치환에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.
또한, EFEM(50)에서는, 도 6에 나타내는 치환 방법과 같이 기류 형성부(60)의 구동을 정지하고 질소 가스의 방출을 행함으로써, 기류 형성부(60)의 구동을 계속하면서 질소 가스의 방출을 행하는 경우에 비해 단시간에 제2 챔버(64)의 질소 가스 농도를 높일 수 있다. 도 7은 EFEM(50)에서 기류 형성부(60)의 구동을 정지하고 가스 치환을 행한 경우와 기류 형성부(60)의 구동을 계속하고 가스 치환을 행한 경우의 가스 방출 시간 및 EFEM(50) 내의 산소 농도의 저하의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 7에서, 파선(방출량 300리터/분) 및 가는 파선(방출량 600리터/분)으로 나타낸 그래프는 기류 형성부(60)의 구동을 계속하고 가스 치환을 행한 결과를 나타내고 있다. 이에 대해, 실선(방출량 300리터/분) 및 가는 실선(방출량 600리터/분)으로 나타낸 그래프는 기류 형성부(60)의 구동을 정지하고 가스 치환을 행한 결과를 나타내고 있다. 도 7로부터 이해할 수 있는 바와 같이, EFEM(50)에 의한 가스 치환에서는 노즐로부터의 가스 방출량이 동일하면, 기류 형성부(60)의 구동을 정지하고 가스 치환을 행한 쪽이 산소 농도가 1%보다 낮은 소정 농도에 보다 빠르게 도달할 수 있다. 이는, 기류 형성부(60)의 구동을 계속한 채로 가스의 방출을 행하면 도입된 질소와 산소를 포함하는 공기가 교반되어 산소의 배출 효율이 저하되는데 대하여, 기류 형성부(60)의 구동을 정지하고 가스 치환을 행하는 경우는 이러한 문제를 방지할 수 있어 산소를 포함하는 공기를 효율적으로 배출할 수 있기 때문으로 생각된다.
또한, EFEM(50)은 복수의 제1~제4 노즐(71~74)을 가지고 있으며 EFEM(50) 내의 넓은 범위에 질소 가스를 방출할 수 있기 때문에, 기류 형성부(60)의 구동을 정지하고 가스 치환을 행하여도 EFEM(50) 내에 고르게 질소 가스를 도달시킬 수 있어, 효율적으로 가스 치환을 행할 수 있는 것으로 생각된다.
이상과 같이, 실시 형태를 이용하여 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 전술한 실시 형태에만 한정되는 것은 아니며, 다른 많은 실시 형태나 변형예를 포함함은 물론이다. 예를 들면, 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)는 제2 실시 형태에 따른 EFEM에 이용되는 제1 노즐(271) 및 제2 노즐(272)과 이를 접속하는 배관(275, 375)을 나타내는 개략도이며, 실시 형태에 따른 EFEM(50)의 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 대응한다.
제2 실시 형태에 따른 EFEM이 가지는 제1 노즐(271)은 수평 방향의 두 방향인 X축 및 Y축 방향을 따라 면상으로 배열된 복수(4개 이상)의 제1 개구(271a)를 가지고 있다. 또한, 제2 노즐(272)도 제1 노즐(271)과 마찬가지로, 수평 방향의 두 방향인 X축 및 Y축 방향을 따라 면상으로 배열된 복수(4개 이상)의 제2 개구(272a)를 가지고 있다. 제1 노즐(271)은 상방의 제1 챔버(54)에 배치되고 제2 노즐(272)은 하방의 제2 챔버(64)에 배치된다.
제1 노즐(271) 및 제2 노즐(272)과 치환 가스 공급원(78)(도 1 참조)을 접속하는 배관(275, 375)의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 도 4의 (a)에 나타내는 배관(275)과 같이 제1 노즐(271) 및 제2 노즐(272)과 동일한 Y축 방향의 폭을 가지고 있을 수 있으며, 도 4의 (b)에 나타내는 배관(375)과 같이 제1 노즐(271) 및 제2 노즐(272)보다 좁은 Y축 방향의 폭을 가지고 있을 수 있다. 이러한 제1 노즐(271) 및 제2 노즐(272)을 가지는 EFEM 또한 제1 실시 형태에 따른 EFEM(50)과 동일한 효과를 갖는다.
도 4는, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 EFEM(450)의 개략도이며, 도 5는 EFEM(450)에 포함되는 제1 노즐(71) 및 제2 노즐(472)을 나타내는 개략도이다. EFEM(450)은 제1 노즐(71) 및 제2 노즐(472)이 모두 제1 챔버(54)에 배치되어 있고, 도 1에 나타내는 제2 노즐(72) 또는 제4 노즐(74)과 같이 제2 챔버(64)에서 질소를 방출하는 노즐을 가지지 않는 점에서 EFEM(50)와 다르지만, 그 외의 점에서는 EFEM(50)과 동일하다. EFEM(450)의 설명에서는 EFEM(50)과의 차이점만을 설명하고, EFEM(50)과의 공통 요소에 대해서는 도 1 및 도 2와 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, EFEM(450)의 제2 노즐(472)은 제1 방향과 평행한 방향(도 1에서 X축과 평행한 방향)을 따라 연장되어 있고, 제1 방향과 평행한 방향을 따라 단속적으로 형성되는 복수의 제2 개구(472a)를 가지고 있다. 제1 노즐(71)과 제2 노즐(472)은 배관(475)을 통하여 치환 가스 공급원(78)에 접속되어 있고, 제2 노즐(472)은 제1 노즐(71)과 마찬가지로 치환 가스 공급원(78)으로부터 공급된 질소 가스를 제2 개구(472a)로부터 방출한다. 제2 노즐(472)은 제1 노즐(71)과 동일한 높이에 위치하도록 제1 챔버(54)에 배치되어 있고, 질소 가스를 제1 챔버(54)로 방출한다.
제3 실시 형태에 따른 EFEM(450)도, 제1 실시 형태에 따른 EFEM(50)과 마찬가지로, EFEM(450)에서의 제1 챔버(54) 내의 넓은 범위에 치환 가스를 배출하는 개구(71, 472)를 배치할 수 있으며, EFEM(450) 내의 치환 가스의 농도를 종래보다 균일하고 효율적으로 높일 수 있다.
또한, 실시 형태에서 설명한 가스 치환은 메인테넌스 등으로부터 통상 운전을 재개할 때뿐만 아니라, 통상 운전중에 제2 챔버(64) 내의 질소 농도를 높이고자 하는 경우 등, 통상 운전중에 행하는 것도 가능하다.
50, 450…EFEM 54…제1 챔버
54a…제1 진행 영역 54b…제1 리턴 영역
58…제1 연통부 60…기류 형성부
61…송풍 팬 62…필터
64…제2 챔버 64a…제2 진행 영역
64b…제2 리턴 영역 65…제2 연통부
66…산소 농도계 67…하부 연통부
68…기체 배출부 69…중간벽
71, 271…제1 노즐 71a, 271a…제1 개구
72, 272, 472…제2 노즐 72a, 272a, 472a…제2 개구
73…제3 노즐 73a…제3 개구
74…제4 노즐 74a…제4 개구
75, 175, 275, 375, 475…배관 78…치환 가스 공급원
90…화살표 L1, L2, L3, L4…길이
L5, L6…간격

Claims (7)

  1. 치환 가스를 도입 가능한 제1 챔버;
    필터가 마련되어 있으며 순환 기류의 형성시에 상기 제1 챔버로부터 상기 치환 가스가 유입되는 제1 연통부, 및 상기 순환 기류의 형성시에 상기 제1 챔버로 상기 치환 가스가 유출되는 제2 연통부를 개재하여, 상기 제1 챔버의 하방에 접속되는 제2 챔버;
    상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 사이에 상기 순환 기류를 형성하는 기류 형성부;
    상기 제1 챔버 또는 상기 제2 챔버로부터 기체를 배출하는 기체 배출부;
    상기 제1 챔버에 배치되어 있으며, 적어도 수평 방향인 제1 방향을 따라 단속적 또는 연속적으로 형성되는 제1 개구를 가지고 있고, 치환 가스 공급원으로부터 공급된 상기 치환 가스를 상기 제1 개구로부터 상기 제1 챔버에 방출하는 제1 노즐; 및
    상기 제2 챔버에 배치되어 있으며, 상기 제1 방향에 평행한 방향을 따라 단속적 또는 연속적으로 형성되는 제2 개구를 가지고 있고, 상기 치환 가스 공급원으로부터 공급된 상기 치환 가스를 상기 제2 개구로부터 상기 제2 챔버에 방출하는 제2 노즐;을 가지고,
    상기 제1 노즐의 상기 제1 방향을 따른 길이가, 상기 제1 챔버의 상기 제1 방향을 따른 길이의 절반 이상이고,
    상기 제2 노즐의 상기 제1 방향을 따른 길이가, 상기 제2 챔버의 상기 제1 방향을 따른 길이의 절반 이상인, EFEM.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기류 형성부는 상기 제1 연통부에 상기 필터와 나란히 마련되어 있으며,
    상기 제1 챔버에 배치되어 있는 상기 제1 노즐 및 상기 제2 챔버에 배치되어 있는 상기 제2 노즐은 상기 기류 형성부 및 상기 필터를 상하 방향으로부터 개재하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 EFEM.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 노즐과 동일한 높이에 위치하도록 상기 제1 챔버에 배치되어 있으며, 상기 치환 가스를 상기 제1 챔버에 방출하는 제3 노즐을 더 가지는 것을 특징으로 하는 EFEM.
  5. 제1 챔버에 배치되어 있으며 적어도 수평 방향인 제1 방향을 따라 단속적 또는 연속적으로 형성되는 제1 개구를 가지는 제1 노즐을 이용하여, 치환 가스 공급원으로부터 공급된 치환 가스를 상기 제1 개구로부터 상기 제1 챔버에 방출하는 제1 방출 단계;
    제2 챔버에 배치되어 있으며 상기 제1 방향에 평행한 방향을 따라 단속적 또는 연속적으로 형성되는 제2 개구를 가지는 제2 노즐을 이용하여, 상기 치환 가스 공급원으로부터 공급된 상기 치환 가스를 상기 제2 개구로부터 상기 제2 챔버에 방출하는 제2 방출 단계;
    필터가 마련되어 있으며 순환 기류의 형성시에 상기 제1 챔버로부터 상기 치환 가스가 유입되는 제1 연통부 및 상기 순환 기류의 형성시에 상기 제1 챔버로 상기 치환 가스가 유출되는 제2 연통부를 개재하여 상기 제1 챔버의 하방에 접속하는 제2 챔버, 또는 상기 제1 챔버로부터 기체를 배출하는 배출 단계; 및
    상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 사이에 상기 순환 기류를 형성하는 기류 형성부의 구동을 조정하는 기류 조정 단계;를 가지고,
    상기 제1 노즐의 상기 제1 방향을 따른 길이가, 상기 제1 챔버의 상기 제1 방향을 따른 길이의 절반 이상이고,
    상기 제2 노즐의 상기 제1 방향을 따른 길이가, 상기 제2 챔버의 상기 제1 방향을 따른 길이의 절반 이상인, EFEM으로의 치환 가스의 도입 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 방출 단계 및 상기 제2 방출 단계는, 상기 기류 조정 단계에서 상기 기류 형성부의 구동을 정지한 상태에서 이루어지는 EFEM으로의 치환 가스의 도입 방법.
  7. 삭제
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