JP2017063215A - ロードポート - Google Patents
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Abstract
Description
を半導体製造装置内に順次払い出す。具体的には、ロードポート1のドア部3がFOUP9の扉に密着した状態で閉止位置3(Y)から開放位置3(X)となり、開口部21をFOUP9の搬出入口91に連通させた状態でマッピング処理を行い、チャンバ7を遮蔽位置7(X)からチャンバ開放位置7(Y)に移動させた後に、半導体製造装置の移送室内に設けた移送機によりFOUP9内のウェーハを半導体製造装置内に順次移送する。移送室内に移送されたウェーハは引き続いて半導体製造装置本体内に移送されて半導体製造装置本体による半導体製造処理工程に供される。半導体製造装置本体により半導体製造処理工程を終えたウェーハは移送機により移送室内を経由してFOUP9内に順次格納される。
2…フレーム
21…開口部
3…ドア部
5…ボトムパージ部
6…フロントパージ部
7…チャンバ
71…チャンバ本体部
72…固定部
7(X)…遮蔽位置
7(Y)…チャンバ退避位置
8…マッピング装置
9…FOUP
91…搬出入口
G…ガイド部
Claims (6)
- クリーンルーム内において半導体製造装置に隣接して設けられ、搬送されてきたFOUPが載置台に載置された状態で、前記FOUP内に格納されているウェーハを前記半導体製造装置内と当該FOUP内との間でFOUPの前面に形成した搬出入口を介して出し入れするロードポートであって、
前記搬出入口と連通し得る開口部を有するフレームと、
前記フレームのうち前記開口部よりも前記半導体製造装置側に設けられるチャンバとを有し、
前記チャンバ内側に設けられるガス供給ノズルから不活性ガス又は乾燥空気が供給可能に設定し、
前記チャンバは、
前記FOUP内を前記半導体装置側のチャンバ外空間に直接開放不能とする第一チャンバ位置と、前記FOUP内を前記半導体製造装置側の前記チャンバ外空間に直接開放可能とする第二チャンバ位置との間で昇降可能な起立壁と、
前記フレームに対して移動不能な固定壁と、
前記チャンバの下方を前記チャンバ外空間に連通させる排気部とを有し、
前記起立壁が前記第二チャンバ位置に位置する際に、前記起立壁は前記チャンバ外空間に露出することを特徴とするロードポート。 - 前記FOUP内に格納されたウェーハの枚数や位置をマッピングするマッピング装置を備え、
前記マッピング装置によるマッピング処理時には、前記ガス供給ノズルから前記不活性ガス又は乾燥空気が供給され、前記載置台に設けたボトムパージ注入用ポートから前記FOUPに不活性ガス又は乾燥空気が注入される請求項1に記載のロードポート。 - 前記FOUP内に格納されたウェーハの枚数や位置をマッピングするマッピング装置を備え、
前記マッピング装置は、前記チャンバにより形成されるチャンバ内空間に格納可能に設けられ、前記開口部に臨むマッピング可能位置と、前記開口部よりも下方に位置付けられて当該開口部に臨まないマッピング退避位置との間で昇降移動可能に設定されている請求項1又は2に記載のロードポート。 - 前記FOUP内に格納されたウェーハの枚数や位置をマッピングするマッピング装置を備え、
前記起立壁が前記第一チャンバ位置に位置する際に、前記マッピング装置によりマッピング処理を行う請求項1から3いずれかに記載のロードポート。 - 前記FOUPが前記載置台に載置された状態で、
前記載置台に設けたボトムパージ注入用ポートとボトムパージ排出用ポートとが、前記FOUPの底面部に形成されている注入口と排出口に連結され、
前記ボトムパージ注入用ポートから不活性ガス又は乾燥空気を前記FOUP内に注入し、
前記FOUP内に充満していた気体を前記ボトムパージ排出用ポートから排出し、
前記ガス供給ノズルからの前記不活性ガス又は乾燥空気の供給及び前記ボトムパージ注入用ポートからの前記不活性ガス又は乾燥空気の注入は、前記搬出入口からの前記ウェーハの搬出又は搬入中に実施される請求項1から4いずれかに記載のロードポート。 - 前記FOUPが前記載置台に載置された状態で、前記載置台に設けたボトムパージ注入用ポートとボトムパージ排出用ポートとが、前記FOUPの底面部に形成されている注入口と排出口に連結されるように構成し、
前記載置台に設けられたセンサにより、前記FOUPが前記載置台に載置されたことを検出した際に、前記注入口に連結した前記ボトムパージ注入用ポートから前記不活性ガス又は乾燥空気を前記FOUPに注入するとともに、前記排出口に連結した前記ボトムパージ排出用ポートから前記FOUP内に充満していた空気を排出する請求項1から5のいずれかに記載のロードポート。
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