CN108987319B - Efem及向efem导入置换气体的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种相比过去更能均匀地提高内部置换气体浓度的EFEM装置。本发明的EFEM，包括第1室，其能够导入置换气体；第2室，其经由设置有过滤器且在循环气流形成时从上述第1室流入上述置换气体的第1连通部以及在上述循环气流形成时向上述第1室流出上述置换气体的第2连通部而连接于上述第1室的下方；气流形成部，其在上述第1室和上述第2室之间形成上述循环气流；气体排出部，其从上述第1室或上述第2室排出气体；第1喷嘴，其被配置在上述第1室，具有第1开口，并将从上述气体供给源供给的上述置换气体从上述第1开口向上述第1室放出；以及第2喷嘴，其具有第2开口，并且将上述置换气体从上述第2开口放出。

Description

EFEM及向EFEM导入置换气体的方法
技术领域
本发明涉及在半导体工厂内从搬送容器内向处理室搬送晶圆 (Wafer)的EFEM以及向EFEM导入置换气体的方法。
背景技术
在半导体的制造工序中，使用被称为FOUP(前开式晶圆盒)或 FOSB(前开口运装箱)等的晶圆搬送容器进行各处理装置之间的晶圆的搬送。另外，在从这样的晶圆搬送容器向处理室搬送晶圆时，可以使用EFEM(Equipment Front End Module，设备前端模块)。EFEM中，形成被称为微环境等的比工厂内的环境更干净的空间，经由该空间在晶圆搬送容器和处理室之间搬送晶圆。因此，晶圆露出的环境在从晶圆搬送容器到处理室的搬送中也能维持清洁，保护晶圆免受氧化等的影响(参照专利文献1)。
另外，在近些年，还提出有能够在EFEM内部使气体循环的循环型的EFEM。循环型的EFEM通过在EFEM内部使例如氮气等的置换气体循环，从而能够减少气体的消耗量。
现有技术文件
专利文件
专利文件1：日本特开2010-109250号
发明内容
发明想要解决的技术问题
然而，在导入氮气的EFEM中，存在从供给部供给的氮气在EFEM 内不均匀分布的问题。特别是维护等需要将内部设为大气环境的情况下，需要再次将EFEM内部用氮气置换，然而现有的EFEM中，在这样的氮气置换时，存在很难均匀地提高EFEM的内部的氮气浓度的问题。由此，在现有的EFEM中，有时候要使EFEM内整体的氮气浓度达到规定值需要很长时间，存在半导体工厂中的装置的休止时间变长等的问题。
本发明鉴于以上问题而完成，目的在于提供一种相比过去更能均匀地提高内部置换气体的浓度的EFEM装置以及一种向EFEM导入置换气体的方法。
解决技术问题的手段
本发明的EFEM装置本发明的EFEM，包括第1室，其能够导入置换气体；第2室，其经由设置有过滤器且在循环气流形成时从上述第1室流入上述置换气体的第1连通部以及在上述循环气流形成时向上述第1室流出上述置换气体的第2连通部而连接于上述第1室的下方；气流形成部，其在上述第1室和上述第2室之间形成上述循环气流；气体排出部，其从上述第1室或上述第2室排出气体；第1喷嘴，其被配置在上述第1室，具有至少沿着作为第1方向断续或者连续地形成的第1开口，并将从上述气体供给源供给的上述置换气体从上述第1开口向上述第1室放出；以及第2喷嘴，其具有沿平行于上述第1 方向的方向断续或连续地形成的第2开口，并且将从上述置换气体供给源供给的上述置换气体从上述第2开口放出。
本发明的EFEM具有具有第1开口的第1喷嘴以及与具有平行于第1开口形成的第2开口的第2喷嘴，并能够从第1喷嘴和第2喷嘴的两方放出置换气体。此外，第1开口和第2开口沿着规定的方向断续或连续地形成，因此具有这样的开口及喷嘴的EFEM能够在EFEM 内的大范围内配置排出置换气体的开口，并能够比过去更加均匀地提高EFEM的第1室和第2室中的置换气体的浓度。
此外，例如还可以将上述第2喷嘴配置于上述第2室，并将上述置换气体放出至第2室。
这样的EFEM中，因为不仅具有在第1室放出置换气体的第1喷嘴，还具有在第2室放出置换气体的第2喷嘴，因此能够相比过去更加均匀地提高EFEM的第1室和第2室中置换气体的浓度。特别的，在这样的EFEM装置中，即便在来自设置过滤器的第1连通部的气流难以朝向的第2室的角落部分等处，通过使用第2喷嘴能够有效地将置换气体导向其，从而能够比过去更加均匀地提高第2室的氮气浓度。
另外，上述气流形成部也可以在上述第1连通部与上述过滤器并列设置；也可以是配置于上述第1室中的上述第1喷嘴和配置于上述第2室中的上述第2喷嘴以从上下方向夹着上述气流形成部以及上述过滤器的方式而被配置。
这样的EFEM中，通过在气流形成部和过滤器的上下配置置换气体的喷嘴，从而在第1室和第2室的双方都能够通过喷嘴直接供给氮气，因此难以产生由过滤器的通气阻力导致的氮气浓度的偏差，能够比过去更均匀地提高EFEM内的氮气浓度。另外，通过第1喷嘴和第 2喷嘴夹持过滤器，从而能够防止过滤器的污染。
此外，例如，上述第2喷嘴还可以以位于与上述第1喷嘴相同的高度的方式配置于上述第1室中，可以将上述置换气体放出至上述第1 室。
因为这样的EFEM以放出氮气的开口具有水平方向上的宽阔面积的方式而配置，因此减少自喷嘴的置换气体难以到达的部分，能够相比过去更均匀地提高EFEM的第1室和第2室中的置换气体的浓度。
本发明所涉及的向EFEM导入置换气体的方法具有：
第1放出步骤，使用配置于第1室，并具有至少沿着作为水平方向的第1方向断续或连续地形成的第1开口的第1喷嘴，将从置换气体供给源供给的置换气体从上述第1开口放出至上述第1室；
第2放出步骤，使用具有沿着平行于上述第1方向的方向断续或连续地形成的第2开口的第2喷嘴，将从置换气体供给源供给的上述置换气体从上述第2开口放出；
排出步骤，经由设置有过滤器且在循环气流形成时从上述第1室流入上述置换气体的第1连通部和在上述循环气流形成时向上述第1 室流出上述置换气体的第2连通部，从连接于上述第1室的下方的第2 室或上述第1室排出气体；和
气流调整步骤，调整在上述第1室和上述第2室之间形成上述循环气流的气流形成部的驱动。
根据本发明所涉及的向EFEM导入置换气体的方法，通过进行由第1喷嘴进行的第1放出步骤，由第2喷嘴进行的第2放出步骤，从而能够从EFEM内的大范围内配置的开口放出置换气体，并相比过去更均匀地提高EFEM的第1室和第2室内的置换气体的浓度。此外，根据这样的置换气体的导入方法，能够通过缩短EFEM的气体置换所需要的时间，并缩短半导体工厂中的装置的休止时间，从而提高生产效率。
此外，例如，上述第1放出步骤和上述第2放出步骤也可以在上述气流调整步骤中停止上述气流形成部的驱动的状态下进行。
通过在停止了气流形成部的驱动的状态下进行置换气体的导入，使用第1喷嘴和第2喷嘴放出的置换气体能够有效地排出置换气体导入前EFEM内存在的干燥气体等。此外，还能够防止由置换气体导入前EFEM内存在的干燥空气等与新导入的置换气体混合而难以被排出的问题，缩短EFEM的气体置换所需要的时间。
此外，例如，上述第2喷嘴还可以配置在上述第2室，上述第2 放出步骤可以将上述置换气体放出至上述第2室。
通过这样的置换气体导入方法，不仅在第1室，第2室也放出置换气体，从而能够比过去更加均匀地提高EFEM的第1室和第2室中的置换气体的浓度。特别地，通过这样的向EFEM置换气体的方法，对于来自设置过滤器的第1连通部的气流难以朝向的第2室的角落部分等，通过使用第2喷嘴有效地将置换气体导向其，从而能够相比过去更加均匀地提高第2室的氮气浓度。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的EFEM中的置换气体的流动的概略图。
图2是表示图1所示的EFEM所具有的第1～第4喷嘴，以及变形例的第1～第4喷嘴的概略图。
图3是表示第2实施方式所涉及的EFEM具有的第1～第4喷嘴的概略图。
图4是表示本发明的第3实施方式所涉及的EFEM中的置换气体的流动的概略图。
图5是表示图4所示的EFEM具有的第1和第2喷嘴的概略图。
图6是表示向图1所示的EFEM导入氮气的方法的一个例子的流程图。
图7是显示伴随向图1所示的EFEM中的氮气的置换的氧气浓度的降低的图。
符号说明
50、450……EFEM
54……第1室
54a……第1前进区域
54b……第1返回区域
58……第1连通部
60……气流形成部
61……送风扇
62……过滤器
64……第2室
64a……第2前进区域
64b……第2返回区域
65……第2连通部
66……氧浓度计
67……下部连通部
68……气体排出部
69……中间壁
71、271……第1喷嘴
71a、271a……第1开口
72、272、472……第2喷嘴
72a、272a、472a……第2开口
73……第3喷嘴
73a……第3开口
74……第4喷嘴
74a……第4开口
75、175、275、375、475……配管
78……置换气体供给源
90……箭头
L1、L2、L3、L4……长度
L5、L6……间隔
具体实施方式
下面基于附图所示的实施方式说明本发明。
图1是本发明的第1实施方式所涉及的EFEM50的概略图。 EFEM50(设备前端模块，Equipment Front End Module)是半导体工厂中用于在作为搬送晶圆的晶圆搬送容器的FOUP(前开式晶圆盒)(未图示)和相对于晶圆进行处理的处理室(未图示)之间交接晶圆所使用的装置。
EFEM50具有在内部形成被称为微环境的清洁空间的第2室64，被收纳于FOUP的晶圆通过第2室64被搬送至处理室。
图1中的箭头90是表示在EFEM50的第2室64中进行晶圆的搬送等的通常运转状态下，形成于EFEM50内的循环气流的状态。本实施方式所涉及的EFEM50中，可以向设置于第2室64的上方(如果将第2室64作为一级部分则为二级部分)的第1室54、以及连接于第1 室54的下方的第2室64两方导入作为置换气体的氮气。此外，在 EFEM50的说明中，将上下方向作为Z轴方向，将与Z轴垂直并且与 EFEM50中的一个墙面平行的方向作为X轴方向，将与Z轴和Y轴垂直的方向作为Y轴方向对进行说明。
如图1所示，第1室54和第2室64之间设置有第1连通部58和第2连通部65两个连通部，第1连通部58以及第2连通部65与第1 室54和第2室64连接。
正常工作状态时，被导入第1室54和第2室64的氮气经由第1 连通部58以及第2连通部65而移动，如图1中箭头90所示，形成在第1室54和第2室64之间循环的循环气流。如图1所示，在FOUP 和处理室之间的晶圆的搬送是在形成了在第1室54和第2室64之间循环的氮气的循环气流的状态下进行的。
EFEM50除了第1室54和第2室64之外，还具有第1喷嘴71、第2喷嘴72、第3喷嘴73、第4喷嘴74、气流形成部60、过滤器62、气体排出部68和氧浓度计66等。此外，图1中虽然没有显示，EFEM50 具有设置于第2室64且用于搬送晶圆的搬运机器人，或者用于连接 FOUP或第2室64的载入埠装置等。
如图1所示，可以经由第1喷嘴71以及第3喷嘴73(参照图2) 直接向第1室54导入氮气。此外，图1虽然没有显示，第1室54具备导入干燥空气的干燥空气导入喷嘴。此外，EFEM50中，也可以经由第2喷嘴72和第4喷嘴74向第2室64直接导入氮气。
图2(a)是表示图1所示的EFEM50具有的第1～第4喷嘴71～74 的概略图。第1～第4喷嘴经由配管75与置换气体供给源78(参照图1) 连接，经由配管75向各第1～第4喷嘴供给氮气。置换气体供给源78 例如由氮气罐构成。连接置换气体供给源78和第1～第4喷嘴71～74 的配管75的形状不限定于向第1～第4喷嘴71～74连接的部分独立地分支。例如，也可以如图2(b)所示的变形例的配管175一样，是具有连接第2喷嘴72和第1喷嘴71、第4喷嘴74和第3喷嘴73的部分的形状，没有特别限定。另外，作为EFEM50使用的置换气体，并不仅限定于本实施方式使用的氮气，也可以是氮气以外的惰性或还原性气体等。
如图1和图2所示，第1喷嘴71沿着作为水平方向的第1方向(图 1中与X轴平行的方向)延伸，并具有沿着第1方向断续的形成的多个第1开口71a。第1喷嘴71将由置换气体供给源78供给的氮气从在第 1方向上直线状排列的第1开口71a放出至第1室54。第1开口71a 朝向下方开口，第1喷嘴71将氮气朝向配置过滤器62的第1连通部 58侧放出。
第1喷嘴71中，沿着形成第1开口71a的第1方向的长度L1(从一个端部的第1开口71a的一端开始到另一端部的第1开口71a的另一端的长度)虽然没有特别限定，不过从对EFEM50均匀地供给氮气的观点出发，优选为图1所示的第1室54的沿着第1方向的长度L2 三分之一以上，进一步优选为一半以上。此外，第1喷嘴71中排列第 1开口71a的第1方向优选为平行于大致长方体EFEM50中的水平方向的一边的直线方向，也可以是相对于EFEM50的边倾斜的方向之外的其它方向。此外，第1喷嘴71也可以具有沿着第1方向连续形成的细缝状的第1开口，此时，沿着形成第1开口的第1方向的长度L1以细缝装的第1开口的一端到另一端的长度来表示。
如图1所示，第2喷嘴72沿着平行于第1方向的方向(与图1中的X轴平行的方向)延伸，并且具有沿着平行于第1方向的方向断续地形成的多个第2开口72a。第2喷嘴72将从置换气体供给源78供给的氮气从第2开口72a放出。EFEM50的第2喷嘴72配置在第2室64 中，因此第2喷嘴72将氮气放出至第2室64。第2喷嘴72优选配置在第2室64的天井部，或者配制在连接第2室64和第1室54的第1 连通部58的附近，也可以在第2室64内。
第2喷嘴72形成在第1方向的平行方向上，沿着该方向的第2开口72a的形成长度L3(从一侧第2开口72a的一端开始到另一侧第2开口72a另一端的长度)没有限定。第2开口72a的形成长度L3从向第2 室64内均匀供给氮气的观点来看，优选为图1所示第2室64中的第2前进区域64a的沿着平行于第1方向的方向的长度L4的3分之1以上，进一步优选为一半以上。此外，第2开口72a的形成长度L3可以与第 1开口71a的形成长度L1相同。此外，第2喷嘴72也可以具有沿着平行于第1方向的方向连续地形成的细缝状的第2开口，此时，第2开口的沿着平行于第1方向的方向的形成长度L3以从细缝状的第2开口的一端到另一端的长度来表示。
如图2所示，FEFM50具有与第1喷嘴71同样配置于第1室54 的第3喷嘴73，与第2喷嘴72同样配置于第2室64的第4喷嘴74。第3喷嘴73以与第1喷嘴71平行且位于相同高度的方式，此外相对于第1喷嘴71在垂直于第1方向的方向(平行于Y轴的方向)上空出规定的间隔L5而配置。第3喷嘴73沿着平行于第1方向的方向(图1 中与X轴平行的方向)延伸，且具有沿着第1方向平行的方向断续地形成的多个第3开口73a。
第3喷嘴73沿着平行于第1方向的方向而形成，沿着该方向第3 开口73a的形成长度与第1开口71a的形成长度L1相同。此外，第1 喷嘴71和第3喷嘴73的间隔L5虽然没有特别限定，从对EFEM50 均匀供给氮气的观点来看，优选为图1所示的沿着第1室54的第1方向垂直的方向(平行于Y轴的方向)的长度的三分之一以上，更优选为一半以上。此外，对于第3开口73a的形状，也可以为沿着平行于第1方向的方向连续形成的细缝状。
如图2所示，第4喷嘴74以与第2喷嘴72平行且位于同一高度的方式，此外，相对于第2喷嘴72在垂直于平行于第1方向的方向的方向(平行于Y轴的方向)上隔开规定的间隔L6而配置。第4喷嘴 74沿着平行于第1方向的方向(图1中平行于X轴的方向)延伸，且具有沿着平行于第1方向的方向断续地形成的多个第4开口74a。
第4喷嘴74沿着平行于第1方向的方向而被形成，沿着该方向第 4开口74a的形成长度与第2开口72a的形成长度L2相同。此外，第 2喷嘴72和第4喷嘴74之间的间隔L6虽然没有限定，但从对EFEM50 中均匀供给氮气的观点来看，优选沿着图1所示的第2室64中的第2前进区域64a的垂直于平行于第1方向的方向的方向(平行于Y轴的方向)的长度的三分之一以上，更优选为一半以上。此外，对于第4 开口74a的形状，也可以是沿着平行于第1方向的方向连续形成的细缝状。
如图1所示，第1室54与第2室64的上方连接，第1室54配置于第2室64的正上方。第1室54的宽度没有特别的限定，例如在图2 所示的例子中，第1室54的高度方向的长度比位于下方的第2室64 的短，从第1室54的上方的投影面积与位于下方的第2室64相同。通过使第1室54的空间比第2室64的空间更狭窄，从而能够有效地从过滤器62输送置换气体或干燥空气，并且能够防止EFEM50的尺寸变大。
如图1所示，第2室64与第1室54的下方连接。第2室64具有测定第2室64的氧浓度的氧浓度计66。此外第2室64中也可以配置压力计等其它检测器，还可以具备维护时等人能够进出的开放门(未图示)。
如图1所示，第2室64具有作为搬运晶圆的区域的第2前进区域 64a，以及由回风管构成的第2返回区域64b。第2前进区域64a和第 2返回区域64b在水平方向上并且配置，都连接于第1室54下方。第 2前进区域64a和第2返回区域64b被从第2室64的天井部分向下方延伸的中间壁69隔断。中间壁69的下方形成有连接第2前进区域64a 和第2返回区域64b的相互的下部的下部连通部67，第2返回区域64b 与第2前进区域64a相对，经由下部连通部67连通。
如图1所示的循环气流的形成时，第2室64的第2前进区域64a 中产生下降气流，第2返回区域64b中产生上升气流。此外，第1室 54具有与第2前进区域64a的上方连接的第1前进区域54a和与第2 返回区域64b上方连接的第1返回区域54b。如图1中箭头90所示，循环气流按照第1前进区域54a、第2前进区域64a、第2返回区域64b、第1返回区域54b、第1前进区域54a、……的顺序，在第1室54和第2室64之间循环。
如图1所示，第1室54和第2室64经由第1连通部58和第2连通部65连接。第1连通部58中，在循环气流形成时，产生从第1室 54朝向第2室64的气流(下降气流)。第1连通部58中，在第1室 54和第2室64之间设置形成循环气流的气流形成部60和过滤器62。
气流形成部60具有送风扇61以及驱动送风扇61的驱动部，受到图中未示出的控制部的控制使送风扇61旋转，在EFEM50内部形成如图1所示的循环气流。气流形成部60通过在第2室64的第2前进区域64a形成向下风流，从而能够减少第2室64内的悬浮的颗粒，提高第2室64中的第2前进区域64a的清洁度。此外，气流形成部60形成进一步从第2室64的第2返回区域64b上升，之后通过第2连通部 65返回第1室54内，进一步通过第1室54的第1返回区域54b和第 1前进区域54a返回第1连通部58的循环气流，从而在通常运转中能够抑制补充给EFEM50的氮气的消耗量。
过滤器62通过除去第1室54和第2室64内的气体中含有的颗粒或规定的成分，从而能够提高EFEM50内的清洁度。作为过滤器62，例如可以列举组合了颗粒除去过滤器和化学过滤器的过滤器，但不特别限定。第1连通部58中具备的气流形成部60和过滤器62可以是气流形成部60的送风扇61和过滤器62成为一体风扇过滤器单元(FFU)，也可以气流形成部60和过滤器62是分别的个体。在气流形成部60和过滤器62是分别的个体的情况下，例如气流形成部60的送风扇61可以配置于第1室54的天井部等。
EFEM50中，气流形成部60与过滤器62并列设置于第1连通部58。进一步，配置于第1室54中的第1喷嘴71和配置于第2室64的第2喷嘴部72以从上下方向夹持气流形成部60和过滤器62的方式配置。通过配置上下夹持气流形成部60和过滤器62而放出氮气的喷嘴 71、72，从而难以产生通过过滤器62的通气阻力导致的氮气浓度的偏差，另外，通过用氮气充满过滤器62的周边，从而可以防止过滤器的污染。
如图1所示，第2连通部65中，在循环气流的形成时，产生从第 2室64向第1室54的气流(上升气流)。第2连通部65中还可以设置改变第2连通部65的通气状态的通气状态变更部(未图示)。例如，通气状态变更部具有能够以气体能够经由第2连通部65从第2室64 向第1室54移动的状态和气体不能经由第2连通部65从第2室64向第1室54移动的状态切换第2连通部65的通气状态的阀门。
气体排出部68将第1室54或第2室64的气体排出。图1所示的气体排出部68接续于第2室64的第2返回区域64b，将第2室64的气体从第2室64排出。从气体排出部68将氮气导入前存在于EFEM50 内的空气、或通过第1～第4喷嘴71～74导入到EFEM50内的氮气、或维护时从开放门之外流入到EFEM50内的工厂内的空气等排出。在如图1所示的循环气流的形成时，也可以停止从气体排出部68排出气体，此外，也可以从气体排出部68排出相当于从第1～第4喷嘴71～ 74的气体的供给量的气体。
气体排出部68向第2室64的连接位置为比第2开口72a和第4 开口74a低的位置。EFEM50中，从位于低位置的气体排出部68排出第2室64的气体。然而，气体排出部68也可以在第2连通部65的附近与第2室64或第1室54连接。此外，本实施方式中的气体排出部 68是没有类似风扇的送风手段的自然排气机构，作为气体排出部68，也可以是具有送风手段的强制排出机构。
图6是表示图1所示的EFEM50的气体置换方法的一个例子的流程图。在步骤S001中，开始图6所施的一系列的气体置换。EFEM50 的气体置换例如在开始EFEM50的通常运转之前或者EFEM50的维护的结束之后，在再开EFEM50的通常运转之前进行。在图2所示的EFEM50的气体置换方法开始之前，EFEM50的第1室54以及第2室64为用空气充满的状态。
在图6所示的步骤S002中，进行调整在图1所示的第1室54和第2室64之间形成循环气流的气流形成部60的驱动的气流调整步骤。具体来说，通过未图示的控制部停止气流形成部60的驱动，从而气流形成部60的送风风扇61的旋转停止，停止由送风风扇61形成的循环气流。
在图6所示的步骤S003中，开始使用图1所示的第1喷嘴71在 EFEM50放出氮气的第1放出步骤、以及使用第2喷嘴72在EFEM50 放出氮气的第2放出步骤。第1放出步骤将从置换气体供给源78供给的氮气从第1开口71a放出至第1室54。此外，第1放出步骤中，不仅从第1喷嘴71的第1开口71a放出氮气，也从第3喷嘴73(参照图 2)的第3开口73a将氮气放出至第1室54。
此外，第2放出步骤将从置换气体供给源78供给的氮气从第2开口72a放出至第2室64。此外，第2放出步骤中，不仅从第2喷嘴72 的第2开口72a放出氮气，还从第4喷嘴74(参照图2)的第4开口 74a将氮气放出至第2室64。
图6所示的气体置换方法中，同时进行第1放出步骤和第2放出步骤，第1放出步骤和第2放出步骤也可以错开时间开始或终止，或者也可以任何一方断续地进行。
图6所示的步骤S004中，开始从第2室64排出第2室64的气体的排出步骤。排出步骤通过第1和第2放出步骤的开始向EFEM50内导入氮气，同时EFEM50内的气体的一部分流出向气体排出部68，从而第1和第2放出步骤联动开始。此外，在气体排出部68连接于第1 室54的EFEM中，在排出步骤从第1室54放出气体。
图6所示的步骤S005中，使用第2室64的氧浓度计66，测量 EFEM50内(第2室64)的氧浓度，判断EFEM50内的氧浓度是否达到规定值以下。步骤S005中，在测量的EFEM50内的氧浓度超过规定值时，继续第1和第2放出步骤。与此相对，步骤S005中，在检测到的EFEM50内的氧浓度低于规定值的情况下，进入步骤S006，并停止第1和第2放出步骤。
图6所示的步骤S006中，停止在步骤S003中开始的第1和第2 放出步骤。在步骤S006中，全部停止从如图1和图2所示的第1～第 4开口71a～74a的氮气的放出，从而停止向EFEM50内的氮气的放出。但是，步骤S006中不是如上所述完全停止氮气的放出，也可以减少从第1～第4开口71a～74a的氮气的放出量。这种情况下，可以继续从第1～第4喷嘴71a～74a中的一部分喷嘴放出氮气，并停止从其它一部分的喷嘴放出氮气，此外，也可以整体减少从第1～第4开口71a～ 74a的氮气的放出量。
图6所示的步骤S007中，停止步骤S004中开始的排出步骤。在步骤S006中，完全停止氮气的放出的情况下，优选也完全停止从图1 所示的气体排出部68排出气体。但是，在步骤S006中，在减少了从第1～第4开口71a～74a的氮气的放出量(每单位时间量)的情况下，也可以在步骤S007中减少从气体排出部68的排出量(每单位时间)。
图6所示的步骤S008中，开始(重新进行)在图1所示的第1室 54和第2室64之间形成循环气流的气流形成部60的驱动。具体来说，通过未图示的控制部开始(重新进行)气流形成部60的驱动，从而气流形成部60的送风扇61旋转，通过送风扇61形成循环气流。
步骤S009中，EFEM50结束一系列的气体置换。图6所示的气体置换停止后，EFEM50能够进行在第2室64内进行晶圆的搬送等的通常运转。
如以上所示，图1所示的具有第1喷嘴71、第2喷嘴72的EFEM50 能够从第1喷嘴71和第2喷嘴72的双方放出置换气体。此外，具有第1和第2喷嘴71、72的第1和第2开口71a、72a沿着第1方向或平行于第1方向的方向断续或连续地形成，因此这样的具有喷嘴71、 72的EFEM50能够在EFEM50内的大范围内配置排出置换气体的开口 71a、72a，并且能够比过去更加均等且高效地提高EFEM50的第1室 54和第2室64中的置换气体浓度。此外，通过在第1喷嘴71和第2 喷嘴72之外，并用第3喷嘴73和第4喷嘴74，能够高效地提高EFEM50 的第1室54和第2室64中的氮气的浓度，缩短气体置换所需要的时间。
此外，EFEM50不仅具有在第1室54放出置换气体的第1喷嘴71，还具有在第2室64放出置换气体的第2喷嘴72，因此相比于过去能够均匀地提高EFEM50的第1室54和第2室64中的置换气体的浓度。例如，在图1所示的EFEM50中，即便是从设置过滤器62的第1连通部58的气流难以朝向的第2室64的角落部分等，也能够使用第2喷嘴有效地导入氮气。因此，EFEM50能够相比于过去高效地提高第2 室64的氮气浓度，并缩短气体置换所需的时间。
此外，EFEM50中，如图6所示的置换方法中，通过停止气流形成部60的驱动从而进行氮气的排出，从而与一边继续气流形成部60 的驱动一边进行氮气的放出的情况相比，能够在短时间提高第2室64 内的氮气浓度。图7是显示EFEM50中停止气流形成部60的驱动来进行气体置换的情况，以及继续气流形成部60的驱动来进行气体置换的情况下的气体放出时间与EFEM50内的氧气浓度的降低的关系的图。
图7中，虚线(放出量300L/分钟)和细虚线(放出量600L/分钟) 表示的图表示了继续气流形成部60的驱动进行气体置换的结果。相对于此，实线(放出量300L/分钟)和细实线(排出量600L/分钟)表示的图表示了停止气流形成部60的驱动来进行气体置换的结果。根据图 7可知，在由EFEM50的气体置换中，如果从喷嘴的气体放出量相同，则停止气流形成部60的驱动进行气体置换的方法能够更快达到氧浓度低于1％的规定浓度。这认为是由于如果继续气流形成部60的驱动进行气体的放出，则包含被导入的氮和氧的空气被搅拌，氧的派出效率降低，相对于此，在停止气流形成部60的驱动进行气体置换的情况下能够防止这样的问题，并且能够有效地排出含有氧的空气。
此外，EFEM50具有多个第1～第4喷嘴71～74，并能够在EFEM50 内的大范围内放出氮气，因此即便停止气流形成部60的驱动进行气体置换也能够将氮气均匀地到达EFEM50内，并且能够有效地进行气体置换。
如上所述，示出实施方式来说明本发明，但是本发明不仅限于上述的实施方式，显然也包括其它的大量的实施方式和变形例。例如，图3(a)和图3(b)是表示第2实施例中的EFEM中使用的第1喷嘴和第271以及第2喷嘴272以及连接其的配管275、375，与实施方式所涉及的EFEM50的图2(a)和图2(b)对应。
第2实施方式所涉及的EFEM所具有的第1喷嘴271具有沿着作为水平方向的两个方向即X轴和Y轴方向呈面状排列的多个(4个以上)的第1开口271a。此外，第2喷嘴272与第1喷嘴271同样，具有沿着作为水平方向的2个方向即X轴和Y轴方向呈面状排列的多个 (4个以上)的第2开口272a。第1喷嘴271配置于上方的第1室54，第2喷嘴272配置于下方的第2室64。
连接第1喷嘴271以及第2喷嘴272与置换气体供给源78(参照图1)的配管275、375的形状没有特别限定，可以如图3(a)所示的配管275，具有与第1喷嘴271以及第2喷嘴272相同的Y轴方向的宽度，也可以如图3(b)所示的配管375，具有比第1喷嘴271和第2 喷嘴272更窄的Y轴方向的宽度。具有这样的第1喷嘴271和第2喷嘴272的EFEM具有与第1实施例的EFEM50相同的效果。
图4是本发明第3实施方式所涉及的EFEM450的概略图，图5是表示EFEM450中所包含的第1喷嘴71和第2喷嘴472的概略图。 EFEM450中，第1喷嘴71以及第2喷嘴472都配置于第1室54，不像图1所示的第2喷嘴72或第4喷嘴74一样在第2室64具有放出氮气的喷嘴，在这一点上与EFEM50不同，其它方面都与EFEM50同样。在EFEM450中，仅说明了与EFEM50的不同之处，对于与EFEM50 共通的部分，标注与图1和图2相同的符号并省略说明。
如图5所示，EFEM450的第2喷嘴472沿着平行于第1方向的方向(平行于图1中的X轴的方向)延伸，并具有沿着平行于第1方向的方向断续地形成的多个第2开口472a。第1喷嘴71和第2喷嘴472 经由配管475与置换气体供给源78连接，第2喷嘴472与第1喷嘴71 同样，将从置换气体供给源78供给的氮气从第2开口472a放出。第2 喷嘴472以位于与第1喷嘴71相同高度的方式配置于第1室54，并将氮气放出至第1室54。
第3实施方式所涉及的EFEM450与第1实施方式所涉及的 EFEM50同样，也可以在EFEM450中的第1室54内的大范围内配置排出置换气体的开口71、472，并能够相比于过去更加均匀并且高效地提高EFEM450内的置换气体的浓度。
此外，实施方式中说明的气体置换，不仅是在维护后重新进行正常运转时能够进行，在通常运转中想要提高第2室64内的氮气浓度的情况等通常运转中也可以进行。

Claims (4)

1.一种EFEM，其特征在于，
具有：
第1室，其能够导入置换气体；
第2室，其经由第1连通部以及第2连通部而连接于所述第1室的下方，所述第1连通部设置有过滤器且在循环气流形成时从所述第1室流入上述置换气体，所述第2连通部在所述循环气流形成时向所述第1室流出所述置换气体；
气流形成部，其在所述第1室和第2室之间形成所述循环气流；
气体排出部，其从所述第1室或所述第2室排出气体；
第1喷嘴，其配置于所述第1室，具有至少沿着作为水平方向的第1方向断续或连续地形成的第1开口，并将从置换气体供给源供给的所述置换气体从所述第1开口向所述第1室放出；
第2喷嘴，其具有沿着平行于所述第1方向的方向断续或连续地形成的第2开口，并将从置换气体供给源供给的所述置换气体从所述第2开口放出，
配置于所述第1室的所述第1喷嘴的沿着所述第1方向的长度为所述第1室的沿着所述第1方向的长度的一半以上，
所述第2喷嘴配置于所述第2室，且将所述置换气体放出至所述第2室，
所述气流形成部在所述第1连通部与所述过滤器并列设置，
所述气流形成部和所述过滤器位于所述第1室的正下方并且位于所述第2室的正上方，配置于所述第1室的所述第1喷嘴和配置于所述第2室的所述第2喷嘴以从上下方向夹着所述气流形成部和所述过滤器的方式而配置。
2.如权利要求1记载的EFEM，其特征在于，
所述第2喷嘴以与所述第1喷嘴位于相同高度的方式配置于所述第1室，并将所述置换气体放出至所述第1室。
3.一种向EFEM导入置换气体的方法，其中，
具有：
第1放出步骤，使用配置于第1室、并具有至少沿着作为水平方向的第1方向断续或连续地形成的第1开口的第1喷嘴，将从置换气体供给源供给的置换气体从所述第1开口放出至所述第1室，所述第1喷嘴的沿着所述第1方向的长度为所述第1室的沿着所述第1方向的长度的一半以上；
第2放出步骤，使用配置于第2室、并具有沿着平行于所述第1方向的方向断续或连续地形成的第2开口的第2喷嘴，将从置换气体供给源供给的所述置换气体从所述第2开口放出至所述第2室；
排出步骤，经由设置有过滤器且在循环气流形成时从所述第1室流入所述置换气体的第1连通部以及在所述循环气流形成时向所述第1室流出所述置换气体的第2连通部，从连接于所述第1室的下方的第2室或所述第1室排出气体；和
气流调整步骤，调整在所述第1室和所述第2室之间形成所述循环气流的气流形成部的驱动，
所述气流形成部在所述第1连通部与所述过滤器并列设置，
所述气流形成部和所述过滤器位于所述第1室的正下方并且位于所述第2室的正上方，配置于所述第1室的所述第1喷嘴和配置于所述第2室的所述第2喷嘴以从上下方向夹着所述气流形成部和所述过滤器的方式而配置。
4.如权利要求3记载的向EFEM导入置换气体的方法，其中，
所述第1放出步骤和所述第2放出步骤在所述气流调整步骤中停止了所述气流形成部的驱动的状态下进行。
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