KR102156737B1 - 레이저 컴포넌트 및 그 제조 방법 - Google Patents

레이저 컴포넌트 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102156737B1
KR102156737B1 KR1020157034906A KR20157034906A KR102156737B1 KR 102156737 B1 KR102156737 B1 KR 102156737B1 KR 1020157034906 A KR1020157034906 A KR 1020157034906A KR 20157034906 A KR20157034906 A KR 20157034906A KR 102156737 B1 KR102156737 B1 KR 102156737B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carrier block
laser
laser chip
contact
disposed
Prior art date
Application number
KR1020157034906A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160005774A (ko
Inventor
마르쿠스 호른
토마스 슈바르츠
안드레아스 브라이덴아쎌
카르스텐 아우엔
베른하르트 슈토예츠
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20160005774A publication Critical patent/KR20160005774A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102156737B1 publication Critical patent/KR102156737B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H01S5/02236
    • H01S5/02248
    • H01S5/02272
    • H01S5/02276
    • H01S5/02296
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315Support members, e.g. bases or carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345Wire-bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237Fixing laser chips on mounts by soldering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4018Lasers electrically in series
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4043Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
    • H01S5/405Two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 레이저 컴포넌트는 그 내부에 제1 캐리어 블록(carrier block)(301)이 배치되어 있는 하우징(400)을 포함한다. 상기 제1 캐리어 블록(301)의 길이 측면(330)에는 방사 방향(131)을 갖는 제1 레이저 칩(101)이 배치되어 있다. 상기 제1 레이저 칩은 제1 캐리어 블록에 배치된 제1 접촉 영역(310) 및 제1 캐리어 블록(301)에 배치된 제2 접촉 영역(320)에 전기 전도성으로 연결되어 있다. 상기 제1 접촉 영역(310)과 상기 하우징(400)의 제1 접촉 핀(contact pin)(401) 사이에, 그리고 상기 제2 접촉 영역(320)과 상기 하우징의 제2 접촉 핀(402) 사이에는 각각 전기 전도성 연결부가 존재한다. 각각의 캐리어 블록(301, 302) 상에서 레이저 칩들(101)의 선형 배치가 전기적으로 직렬 접속되어 있다. 일 캐리어 블록 상에 예비 제조된 모듈들은 상기 하우징 내에 고정 및 접촉(358)되기 이전에 자체 기능에 대해 검사될 수 있다. 각각의 레이저 칩(101)과 캐리어 블록(301, 302) 사이에는 세라믹 히트 싱크(heat sink)(201, 202)가 위치할 수 있다.

Description

레이저 컴포넌트 및 그 제조 방법 {LASER COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF}
본 발명은 청구항 1에 따른 레이저 컴포넌트 및 청구항 17에 따른 레이저 컴포넌트의 제조 방법에 관한 것이다.
본 출원서는 독일 특허 출원서 10 2013 224 420.7호 및 10 2013 208 670.9호의 우선권을 청구하며, 그에 따라 상기 출원서들의 공개 내용은 인용 방식으로 본 출원서에 수용된다.
레이저 컴포넌트의 제조시 레이저 칩들을 하우징들 내에 배치하는 것이 공지되어 있으며, 이 경우 각각의 하우징 내에 정확히 하나의 칩이 배치된다. 더 높은 광출력을 달성하기 위해 다수의 이와 같은 하우징을 조합할 필요가 있는데, 그 결과 조립의 복잡성이 증가한다. 이 경우, 달성 가능한 출력 밀도는 하우징 크기에 의해 제한되어 있다. 몇몇의 기술적 적용을 위해서, 예컨대 프로젝션 적용을 위해서는 이와 같은 방식으로 달성 가능한 출력 밀도가 충분하지 않다. 압축 광학 수단을 사용함으로써 달성 가능한 광학적 출력 밀도를 추가로 증가시키는 것이 공지되어 있다. 그러나 이 경우, 복잡성, 비용 및 전체 시스템의 공간적 치수들이 계속 증가한다.
본 발명의 일 과제는 레이저 컴포넌트를 제공하는 것이다. 이와 같은 과제의 청구항 1의 특징들을 갖는 레이저 컴포넌트에 의해 해결된다. 본 발명의 추가의 일 과제는 레이저 컴포넌트의 제조 방법을 제시하는 것이다. 이와 같은 과제는 청구항 17의 특징들을 갖는 제조 방법에 의해 해결된다. 종속 청구항들에는 상이한 개선예들이 제시되어 있다.
레이저 컴포넌트는 그 내부에 제1 캐리어 블록(carrier block)이 배치되어 있는 하우징을 포함한다. 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에는 방사 방향을 갖는 제1 레이저 칩이 배치되어 있다. 상기 제1 레이저 칩은 제1 캐리어 블록에 배치된 제1 접촉 영역 및 제1 캐리어 블록에 배치된 제2 접촉 영역에 전기 전도성으로 연결되어 있다. 상기 제1 접촉 영역과 상기 하우징의 제1 접촉 핀(contact pin) 사이에, 그리고 제2 접촉 영역과 상기 하우징의 제2 접촉 핀 사이에는 각각 전기 전도성 연결부가 존재한다. 바람직하게 이와 같은 레이저 컴포넌트의 경우, 제1 레이저 칩에서 생성되는 폐열(waste heat)은 상기 제1 캐리어 블록을 통해 방출될 수 있다. 그럼으로써 상기 제1 레이저 칩의 과도한 가열 및 그로 인한 수명 단축 또는 파손이 방지될 수 있다. 또한, 상승한 온도에서 레이저 컴포넌트의 열적 오버런(overrun)으로 인한 최대 전체 출력의 감소가 방지될 수 있다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향이 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 대해 평행하게 그리고 길이 방향에 대해 수직으로 조정되어 있다. 그럼으로써 바람직하게 콤팩트한 배치가 주어진다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 제1 캐리어 블록이 상기 하우징의 바닥 표면에 배치되어 있다. 이 경우, 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향이 상기 바닥 표면에 대해 수직으로 조정되어 있다. 바람직하게 이와 같은 레이저 컴포넌트의 경우, 상기 하우징의 바닥 표면에 대해 수직인 방사 방향에 의해 편향 광학 수단에 대한 필요성이 없어진다. 그럼으로써 이와 같은 레이저 컴포넌트의 경우, 후속하는 제1 광학 수단들이 상기 제1 레이저 칩의 레이저 단면에 더 가까이 위치하게 되고, 그 결과 콤팩트한 공간적 치수들이 주어진다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 제1 히트 싱크(heat sink)가 배치되어 있다. 이 경우, 상기 제1 레이저 칩이 상기 제1 히트 싱크에 배치되어 있다. 바람직하게 상기 제1 히트 싱크는 상기 레이저 칩을 상기 제1 캐리어 블록에 대하여 전기적으로 절연할 수 있다. 제1 레이저 칩에서 생성되는 폐열은 상기 제1 히트 싱크 및 상기 제1 캐리어 블록을 통해 방출될 수 있다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 제2 히트 싱크가 배치되어 있다. 상기 제2 히트 싱크에는 제2 레이저 칩이 배치되어 있다. 상기 제2 레이저 칩의 방사 방향은 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향에 대해 평행하게 조정되어 있다. 상기 제1 레이저 칩 및 상기 제2 레이저 칩은 상기 제1 접촉 영역과 상기 제2 접촉 영역 사이에서 전기적으로 직렬 접속되어 있다. 상기 제2 레이저 칩이 존재함으로써, 바람직하게 레이저 컴포넌트의 광학적 출력 밀도는 단지 하나의 레이저 칩만을 구비한 레이저 컴포넌트에 비해 증가한다. 상기 제1 레이저 칩 및 상기 제2 레이저 칩은 바람직하게, 분리된 2개의 하우징 내에 배치된 레이저 칩들의 경우에서보다 서로 더 가까이 배치될 수 있다. 그럼으로써 복잡한 압축 광학 수단에 대한 필요성 없이, 더 높은 출력 밀도가 구현될 수 있다. 상기 제1 레이저 칩 및 상기 제2 레이저 칩에서 생성되는 폐열은 바람직하게 상기 히트 싱크들 및 상기 캐리어 블록을 통해 효과적으로 방출될 수 있음으로써, 그 결과 상기 레이저 칩들은 수명 단축 또는 파손 없이 높은 출력 전력으로 작동될 수 있다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 하우징 내에 제2 캐리어 블록이 배치되어 있고, 상기 제2 캐리어 블록에는 추가의 레이저 칩을 구비한 적어도 하나의 추가 히트 싱크가 배치되어 있다. 상기 제2 캐리어 블록은 상기 추가의 레이저 칩의 방사 방향이 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향에 대해 평행하게 조정되도록 배치되어 있다. 제2 캐리어 블록에 배치된 제3 접촉 영역과 상기 하우징의 제3 접촉 핀 사이에, 그리고 제2 캐리어 블록에 배치된 제4 접촉 영역과 상기 하우징의 제4 접촉 핀 사이에는 각각 전기 전도성 연결부가 존재한다. 바람직하게 이와 같은 레이저 컴포넌트의 경우, 상기 추가의 레이저 칩에 의해 단지 하나의 레이저 칩만을 구비한 레이저 컴포넌트에 비해 더 높은 출력이 달성된다. 이 경우, 상기 제1 레이저 칩 및 상기 추가의 레이저 칩은 분리된 하우징들 내의 레이저 칩들을 사용하는 경우에서보다 높은 근접성으로 배치될 수 있다. 그럼으로써 바람직하게 복잡한 압축 광학 수단에 대한 필요성 없이, 높은 광학적 출력 밀도가 달성될 수 있다. 이와 같은 레이저 컴포넌트의 경우, 상기 제1 레이저 칩 및 상기 추가의 레이저 칩은 전기적으로 병렬 접속되어 있고 상기 하우징의 4개의 접촉 핀을 통해 분리되어 구동된다. 그럼으로써 상기 레이저 컴포넌트는 바람직하게 높은 유연성을 갖는다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 제1 히트 싱크가 세라믹 소형판으로서 형성되어 있다. 또한, 상기 제1 히트 싱크는 서브 마운트(submount)로서 표기될 수 있다. 세라믹 소형판으로서 형성됨으로써 상기 제1 히트 싱크는 비용 저렴하게 구입될 수 있고, 간단하게 가공될 수 있으며, 제1 레이저 칩 내에서 생성된 폐열을 효과적으로 방출시킬 수 있다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 하우징이 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향에 대해 수직으로 조정된 유리창(glass window)에 의해 폐쇄되어 있다. 이 경우, 상기 하우징은 상기 유리창에 의해 밀폐형(hermetic)으로 폐쇄될 수 있다. 그럼으로써 바람직하게 상기 하우징 내부에 배치된 제1 레이저 칩의 노화 가속화 및 파손이 방지될 수 있다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 제1 캐리어 블록이 구리 직육면체로서 형성되어 있다. 이 경우, 바람직하게 상기 제1 캐리어 블록이 높은 열 전도성을 가짐으로써, 그 결과 상기 캐리어 블록은 제1 레이저 칩 내에서 생성된 폐열을 효과적으로 방출시킬 수 있다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 제1 접촉 영역이 적어도 부분적으로 금속화된 표면을 갖는 직육면체로서 형성되어 있다. 이 경우, 바람직하게 상기 제1 접촉 영역으로부터의 전기 전도성 연결부들 및 상기 제1 접촉 영역 쪽으로의 전기 전도성 연결부들은 상기 직육면체의 서로 수직으로 조정된 2개의 표면에 배치될 수 있고, 이는 레이저 컴포넌트의 간단하고 신뢰할 만하며 비용 저렴한 제조를 가능하게 한다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 제1 접촉 영역이 핀으로서 형성되어 있다. 상기 핀의 일 길이 단부는 상기 제1 캐리어 블록의 개구 내에 배치되어 있다. 상기 핀은 상기 제1 캐리어 블록에 대해 전기적으로 절연되어 있다. 바람직하게 상기 핀은 간단하고 비용 저렴한 방식으로 상기 캐리어 블록의 개구 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 캐리어 블록의 개구 내 상기 핀의 배치는 바람직하게 기계적으로 견고하다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 제1 캐리어 블록의 개구가 관통 개구 또는 블라인드 홀(blind hole)로서 형성되어 있다. 바람직하게 상기 개구는 간단하고 비용 저렴한 방식으로 천공 공정에 의해 상기 제1 캐리어 블록 내에 구성될 수 있다. 관통 개구로서 개구의 형성예는 상기 개구 내 핀의 배치시에 이러한 개구 내에 기체의 함유를 차단하는 장점을 제공한다. 블라인드 홀로서 개구의 형성예는 상기 제1 캐리어 블록의 후방 측면에서 상기 핀의 돌출 위험성을 차단하는 장점을 제공한다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 제1 캐리어 블록의 개구가 단형 관통 개구로서 형성되어 있다. 바람직하게 단형 관통 개구로서 개구의 형성예는 의도하지 않은 기체의 함유 및 상기 제1 캐리어 블록의 후면에서 상기 개구 내에 배치된 핀의 의도하지 않은 돌출을 방지한다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 핀이 유리에 의해 상기 제1 캐리어 블록에 대하여 전기적으로 절연되어 있다. 그럼으로써 바람직하게 상기 핀과 상기 제1 캐리어 블록 간의 절연부가 비용 저렴하게 만들어진다. 그 밖에 유리에 의해 형성된 상기 제1 캐리어 블록에 대한 상기 핀의 절연부는 바람직하게 신뢰할 만한 전기적 절연부를 나타낸다. 특히, 상기 제1 캐리어 블록, 상기 유리 및 상기 핀이 유기적 연결 없이 형성될 수 있고, 그럼으로써 밀폐형으로 폐쇄된 하우징 내의 배치에 적합하다는 장점이 있다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 핀의 길이 단부가 슬리브(sleeve) 내에 배치되어 있다. 이 경우, 상기 핀은 상기 슬리브에 대하여 전기적으로 절연되어 있다. 상기 슬리브는 상기 제1 캐리어 블록의 개구 내에 납땜되어 있다. 이와 같은 배치는 바람직하게 열적 길이 변동으로 인한 장력을 감소시킨다. 특히 상기 배치는 상기 제1 캐리어 블록에 대한 상기 핀의 절연부를 위한 절연 재료에 작용하는 기계적 응력을 감소시킨다.
레이저 컴포넌트의 일 실시예에서는 상기 하우징 내에 각각 6개의 레이저 칩을 구비한 4개의 캐리어 블록이 배치되어 있다. 이 경우, 바람직하게 상기 레이저 컴포넌트는 특히 높은 광학적 출력 밀도를 갖는다. 각각 6개의 레이저 칩을 구비하고 서로 병렬 접속된 상기 4개의 캐리어 블록에 의해 상기 레이저 컴포넌트는 바람직하게 높은 유연성으로 구동될 수 있다.
레이저 컴포넌트의 제조 방법은 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 방사 방향을 갖는 제1 레이저 칩을 배치하는 단계, 제1 캐리어 블록에 배치된 제1 접촉 영역, 상기 제1 레이저 칩 그리고 제1 캐리어 블록에 배치된 제2 접촉 영역 사이에 전기 전도성 연결부를 제공하는 단계, 상기 제1 캐리어 블록을 하우징 내에 배치하는 단계 및 상기 제1 접촉 영역과 상기 하우징의 제1 접촉 핀 사이에, 그리고 상기 제2 접촉 영역과 상기 하우징의 제2 접촉 핀 사이에 각각 전기 전도성 연결부를 제공하는 단계를 포함한다. 바람직하게 이와 같은 제조 방법에 따라 얻을 수 있는 레이저 컴포넌트의 경우, 제1 레이저 칩 내에서 생성된 폐열이 상기 제1 캐리어 블록을 통해 효과적으로 방출될 수 있고, 그 결과 상기 제1 레이저 칩의 열적 수명 단축 또는 파손이 방지될 수 있다. 바람직하게 이와 같은 제조 방법에 따른 레이저 컴포넌트의 제조 동안에 상기 제1 레이저 칩의 기능성은 상기 제조 방법이 실시되는 동안의 다수의 가공 단계에서 조절될 수 있으며, 그 결과 상기 제조 방법의 수율이 증가할 수 있고 상기 제조 방법을 실시하기 위한 비용은 감소할 수 있다. 상기 제1 레이저 칩의 기능 조절은 제1 캐리어 블록에 배치된 상기 제1 접촉 영역, 상기 제1 레이저 칩 그리고 제1 캐리어 블록에 배치된 상기 제2 접촉 영역 사이에 전기 전도성 연결부가 제공된 이후에, 그리고 상기 제1 접촉 영역과 상기 하우징의 제1 접촉 핀 사이에, 그리고 상기 제2 접촉 영역과 상기 하우징의 제2 접촉 핀 사이에 전기 전도성 연결부가 제공된 이후에 이루어질 수 있다.
제조 방법의 일 실시예에서는 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 상기 제1 레이저 칩을 배치하는 단계가 상기 제1 레이저 칩을 제1 히트 싱크 상에 배치하는 단계 및 상기 제1 히트 싱크를 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 배치하는 단계를 포함한다. 바람직하게 이와 같은 제조 방법에 따라 얻을 수 있는 레이저 컴포넌트의 경우, 제1 레이저 칩 내에서 생성된 폐열이 상기 제1 히트 싱크 및 상기 제1 캐리어 블록을 통해 효과적으로 방출될 수 있다. 바람직하게 이와 같은 제조 방법에서 제1 레이저 칩을 제1 히트 싱크 상에 배치하는 단계 이후에 상기 제1 레이저 칩의 추가 기능 조절이 이루어질 수 있다.
제조 방법의 일 실시예에서는 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 상기 제1 히트 싱크를 배치하는 단계 이후에 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 제2 레이저 칩을 구비한 제2 히트 싱크를 배치하는 추가의 단계가 실시된다. 이 경우, 상기 제2 히트 싱크는 상기 제2 레이저 칩의 방사 방향이 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향에 대해 평행하도록 배치되어 있다. 그 밖에 상기 제1 레이저 칩 및 상기 제2 레이저 칩은 상기 제1 접촉 영역과 상기 제2 접촉 영역 사이에서 전기적으로 직렬 접속된다. 그럼으로써 바람직하게 상기 제조 방법은 단 하나의 레이저 칩만을 구비한 레이저 컴포넌트에 비해 더 높은 광학적 출력 밀도를 갖는 레이저 컴포넌트를 제조한다.
제조 방법의 일 실시예에서는 상기 제1 캐리어 블록을 상기 하우징 내에 배치하는 단계 이후에 추가의 레이저 칩을 구비한 적어도 하나의 추가 히트 싱크가 배치되어 있는 제2 캐리어 블록을 상기 하우징 내에 배치하는 추가의 단계가 실시된다. 이 경우, 상기 제2 캐리어 블록은 상기 추가의 레이저 칩의 방사 방향이 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향에 대해 평행하도록 배치되어 있다. 그 밖에 상기 제조 방법의 이와 같은 실시예에서는 제2 캐리어 블록에 배치된 제3 접촉 영역과 상기 하우징의 제3 접촉 핀 사이에, 그리고 제2 캐리어 블록에 배치된 제4 접촉 영역과 상기 하우징의 제4 접촉 핀 사이에 각각 전기 전도성 연결부를 제공하는 추가의 단계가 실시된다. 또한, 그럼으로써 바람직하게 상기 제조 방법은 단 하나의 레이저 칩만을 구비한 레이저 컴포넌트에 비해 더 높은 광학적 출력 밀도를 갖는 레이저 컴포넌트를 제조한다. 상기 제1 레이저 칩과 상기 추가의 레이저 칩을 병렬 접속함으로써, 이와 같은 제조 방법에 따라 제조된 레이저 컴포넌트의 제1 레이저 칩 및 제2 레이저 칩은 서로 분리되어 구동될 수 있고, 그 결과 이와 같은 방식으로 얻을 수 있는 레이저 컴포넌트는 높은 유연성을 갖는다.
제조 방법의 일 실시예에서는 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향이 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 대해 평행하게 그리고 길이 방향에 대해 수직으로 조정되도록, 상기 제1 레이저 칩이 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 배치된다. 그럼으로써 바람직하게 상기 제조 방법은 콤팩트한 치수들을 갖는 레이저 컴포넌트를 제조한다.
제조 방법의 일 실시예에서는 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향이 상기 하우징의 바닥 표면에 대해 수직으로 조정되도록, 상기 제1 캐리어 블록이 상기 하우징의 바닥 표면에 배치된다. 그럼으로써 바람직하게 이와 같은 제조 방법에 따라 얻을 수 있는 레이저 컴포넌트는 편향 광학 수단에 대한 필요성 없이, 수직 방사 방향을 갖는다. 이와 같은 사실은 경우에 따라 필요한 제1 광학 수단을 상기 제1 레이저 칩의 레이저 단면에 더 가까이 배치할 수 있도록 한다. 그럼으로써 상기 제조 방법에 따라 얻을 수 있는 레이저 컴포넌트는 전체적으로 콤팩트한 치수들을 갖는다.
제조 방법의 일 실시예에서는 이와 같은 제조 방법이 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향에 대해 수직으로 조정된 유리창에 의해 상기 하우징을 폐쇄하는 추가의 단계를 포함한다. 이 경우, 상기 하우징의 폐쇄는 이러한 하우징의 밀폐형 폐쇄를 의미할 수 있다. 그럼으로써 바람직하게 이와 같은 제조 방법에 따라 얻을 수 있는 레이저 컴포넌트의 제1 레이저 칩의 노화 가속화 및 수명 단축이 방지된다.
위에서 기술되는 본 발명의 특성들, 특징들 및 장점들, 그리고 이와 같은 특성들, 특징들 및 장점들이 달성되는 방식은 도면들과 관련하여 더 상세하게 설명되는 실시예들에 대한 다음의 설명 내용에 의해 더 분명하고 명백하게 이해된다.
도 1은 히트 싱크 상에 배치된 레이저 칩을 도시하고,
도 2는 그 위에 레이저 칩이 배치되어 있는 다수의 히트 싱크를 구비한 캐리어 블록을 도시하며,
도 3은 전기적으로 직렬 접속된 레이저 칩들을 구비한 상기 캐리어 블록을 도시하고,
도 4는 그 내부에 다수의 캐리어 블록이 배치된 레이저 컴포넌트의 하우징을 도시하며,
도 5는 그 내부에 상기 캐리어 블록들이 배치된 상기 하우징의 상세도이고,
도 6은 유리창에 의해 폐쇄된 레이저 컴포넌트의 하우징을 도시하며,
도 7은 추가의 레이저 컴포넌트의 부분 사시도이고,
도 8은 상기 추가의 레이저 컴포넌트의 캐리어 블록의 단면도이며,
도 9는 상기 캐리어 블록에 대한 평면도이고,
도 10은 추가의 캐리어 블록의 단면도이며,
도 11은 상기 추가의 캐리어 블록의 부분 평면도이고,
도 12는 추가의 캐리어 블록의 단면도이며,
도 13은 추가의 캐리어 블록의 단면도이고, 그리고
도 14는 추가의 캐리어 블록의 단면도이다.
도 1은 히트 싱크(200) 상에 배치된 레이저 칩(100)의 사시 개략도이다. 상기 히트 싱크(200)는 서브 마운트로 표기될 수도 있다.
상기 레이저 칩(100)은 내장된 레이저 다이오드를 구비한 반도체 칩으로서 형성되어 있다. 상기 레이저 칩(100)은 예를 들어 InGaN-재료계에 기초할 수 있다. 상기 레이저 칩(100)은 상부 측면(110), 상기 상부 측면(110)에 마주 놓인 하부 측면(120) 및 단부 측면(130)을 구비한 긴 직육면체의 형태를 갖는다. 레이저 칩(100)의 상기 상부 측면(110) 및 상기 하부 측면(120)에는 각각 상기 레이저 칩(100)의 전기 접촉부가 배치되어 있다. 상기 전기 접촉부들을 통해 상기 레이저 칩(100)에는 전압이 공급될 수 있다. 상기 레이저 칩(100)은 전압의 공급시에 자체 단부 측면(130)에서 방사 방향(131)으로 레이저 빔을 방사하기 위해 형성되어 있다. 상기 방사 방향(131)은 상기 레이저 칩(100)의 단부 측면(130)에 대해 수직으로 조정되어 있다.
상기 히트 싱크(200)는 도시된 예시에서 얇은 소형판의 형태를 갖는다. 상기 히트 싱크(200)는 예를 들어 세라믹 소형판으로서 형성될 수 있다. 상기 히트 싱크(200)는 전기 절연성의 그리고 최대로 우수한 열 전도성의 재료를 포함한다. 예를 들어 상기 히트 싱크(200)는 AlN, SiC 또는 다이아몬드를 포함할 수 있다. 상기 히트 싱크(200)는 상부 측면(210) 및 상기 상부 측면(210)에 마주 놓인 하부 측면(220)을 포함한다. 상기 히트 싱크(200)의 상부 측면(210)에는 금속화층(230)이 배치되어 있고, 상기 금속화층은 상기 히트 싱크(200)의 상부 측면(210)의 일부 또는 전체 상부 측면(210)을 덮는다.
상기 히트 싱크(200)의 상부 측면(210)에 있는 금속화층(230) 상에는 상기 레이저 칩(100)이 배치되어 있다. 이 경우, 상기 레이저 칩(100)의 하부 측면(120)은 상기 히트 싱크(200)의 상부 측면(210)을 향하고 상기 금속화층(230)에 열적으로 그리고 전기 전도성으로 접촉한다. 그럼으로써 상기 레이저 칩(100)의 하부 측면(120)에 있는 전기 접촉부는 상기 히트 싱크(200)의 금속화층(230)에 전기 전도성으로 연결되어 있다. 상기 레이저 칩(100)의 하부 측면(120)은 바람직하게 상기 히트 싱크(200)의 상부 측면(210)에 있는 금속화층(230) 상에 납땜되어 있다. 예를 들어 상기 레이저 칩(100)은 대략 280℃의 온도에서 AuSn-땜납의 사용하에 상기 히트 싱크(200) 상에 납땜될 수 있다.
상기 히트 싱크(200) 상에 배치된 상기 레이저 칩(100)은 도 1에 도시된 가공 단계에서 기능 검사를 받을 수 있다. 예를 들어 상기 히트 싱크(200) 상에 배치된 레이저 칩(100)은 펄스 모드에서 검사될 수 있다.
도 2는 캐리어 블록(300)의 사시 개략도이다. 상기 캐리어 블록(300)은 길이 측면(330)을 구비한 긴 직육면체 형태를 갖고, 상기 길이 측면은 상기 캐리어 블록(300)의 길이 방향(331)에 대해 평행하게 조정되어 있다. 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 대해 수직으로는 상기 캐리어 블록(300)의 바닥 측면(340)이 배치되어 있고, 상기 바닥 측면도 길이 방향(331)에 대해 평행하게 조정되어 있다. 상기 캐리어 블록(300)은 예를 들어 1㎜×1㎜×10㎜의 치수들을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 캐리어 블록(300)은 상기 길이 방향(331)으로 바람직하게 가장 긴 길이를 가질 수 있다. 상기 캐리어 블록(300)은 높은 열 전도성을 갖는 재료를 포함한다. 예를 들어 상기 캐리어 블록(300)은 구리를 포함할 수 있다. 상기 캐리어 블록(300)을 직육면체와 다른 형태로 형성할 수도 있다.
상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에는 제1 히트 싱크(201), 제2 히트 싱크(202), 제3 히트 싱크(203), 제4 히트 싱크(204), 제5 히트 싱크(205) 및 제6 히트 싱크(206)가 배치되어 있다. 각각의 히트 싱크(201, 202, 203, 204, 205, 206)는 도 1의 히트 싱크(200)와 동일하게 형성되어 있다. 상기 제1 히트 싱크(201) 상에는 제1 레이저 칩(201)이 배치되어 있다. 상기 제2 히트 싱크(202) 상에는 제2 레이저 칩(102)이 배치되어 있다. 상기 제3 히트 싱크(203) 상에는 제3 레이저 칩(102)이 배치되어 있다. 상기 제4 히트 싱크(204) 상에는 제4 레이저 칩(104)이 배치되어 있다. 상기 제5 히트 싱크(205) 상에는 제5 레이저 칩(105)이 배치되어 있다. 상기 제6 히트 싱크(206) 상에는 제6 레이저 칩(106)이 배치되어 있다. 각각의 레이저 칩(101, 102, 103, 104, 105, 106)은 도 1의 레이저 칩(100)과 동일하게 형성되어 있다. 다음에서 상기 히트 싱크들(201, 202, 203, 204, 205, 206) 및 레이저 칩들(101, 102, 103, 104, 105, 106)이 공통적으로 히트 싱크들(200) 및 레이저 칩들(100)로서 표기된다.
상기 히트 싱크들(200)은 캐리어 블록(300)에 대해 우수하게 열적으로 접촉한다. 바람직하게 상기 히트 싱크들(200)은 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330) 상에 납땜되어 있다. 예를 들어 상기 히트 싱크들(200)은 대략 230℃의 온도에서 SnAgCu-땜납의 사용하에 상기 캐리어 블록(300) 상에 납땜될 수 있다.
모든 레이저 칩(100)의 방사 방향들(131)이 서로 평행하게 조정되도록 상기 히트 싱크들(200)은 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 서로 나란히 배치되어 있다. 이 경우, 상기 레이저 칩들(100)의 방사 방향들(131)은 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 대해 평행하게 그리고 길이 방향(331)에 대해 수직으로 조정되어 있다.
서로 이웃하는 2개의 히트 싱크(200)는 각각 서로에 대해 간격을 가지며, 상기 간격은 상기 히트 싱크들(200) 상에 배치된 각각의 레이저 칩(100)의 상호간 열적 영향이 최대한 작도록 선택된다. 동시에 상기 레이저 칩들(100)의 최대한으로 공간 절약적인 배치가 바람직하다. 예를 들어 서로 나란히 배치된 2개의 히트 싱크(200)는 서로 1㎜ 내지 5㎜의 간격을 가질 수 있다.
도시된 예시에서 레이저 칩들(100)을 구비한 6개의 히트 싱크(200)가 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 배치되어 있다. 물론 레이저 칩들(100)을 구비한 6개 미만의 또는 이상의 히트 싱크(200)를 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 제공할 수도 있다.
레이저 칩들(100)을 구비한 히트 싱크들(200)에 추가로 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에는 제1 접촉 블록(310) 및 제2 접촉 블록(320)이 배치되어 있다. 상기 제1 접촉 블록(310)은 길이 방향(331)으로 상기 길이 측면(330)의 제1 길이 단부에 배치되어 있다. 상기 제2 접촉 블록(320)은 길이 방향(331)으로 상기 길이 측면(330)의 제2 길이 단부에 배치되어 있다. 상기 히트 싱크들(200)은 상기 제1 접촉 블록(310)과 상기 제2 접촉 블록(320) 사이에 배치되어 있다.
도시된 예시에서 상기 제1 접촉 블록(310) 및 상기 제2 접촉 블록(320)은 각각 직육면체의 형상을 갖는다. 상기 제1 접촉 블록(310)은 제1 표면(311) 및 제2 표면(312)을 포함한다. 상기 제1 표면은 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 대해 평행하게 조정되어 있다. 상응하게 상기 제2 접촉 블록(320)도 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 대해 평행하게 조정된 제1 표면(321)을 포함한다. 상기 제1 접촉 블록(310)의 제2 표면(312)은 상기 캐리어 블록(300)의 바닥 측면(340)에 대해 평행하게 조정되어 있다. 이 경우, 상기 캐리어 블록(300)의 바닥 측면(340) 및 상기 제1 접촉 블록(310)의 제2 표면(312)은 반대 공간 방향으로 향한다. 상기 제2 접촉 블록(320)은 상기 제1 접촉 블록(310)의 제2 표면(312)과 동일하게 조정되어 있는 제2 표면(322)을 포함한다.
상기 제1 접촉 블록(310) 및 상기 제2 접촉 블록(320)은 상기 캐리어 블록(300)에 대해 전기적으로 절연되어 있다. 예를 들어 상기 제1 접촉 블록(310) 및 상기 제2 접촉 블록(320)은 전기 절연성 재료, 예컨대 AlN과 같은 세라믹 재료를 포함할 수 있다. 상기 제1 접촉 블록(210)의 제1 표면(311) 및 제2 표면(312)은 전기 절연성 재료, 예컨대 금속으로 코팅되어 있고 서로 전기 전도성으로 연결되어 있다. 상응하게 상기 제2 접촉 블록(220)의 제1 표면(321) 및 제2 표면(322)도 서로 연결된, 전기 전도성 코팅부를 포함한다. 상기 제1 접촉 블록(310) 및 상기 제2 접촉 블록(320)은 예컨대 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(33)에 납땜되어 있을 수 있다.
도 3은 도 2의 도시 내용에 시간적으로 후속하는 가공 상태에서 캐리어 블록(300)의 개략적인 사시도이다. 도 3의 가공 상태에서는 레이저 칩들(100)이 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 배치되어 있고, 그리고 상기 제1 접촉 블록(310) 및 상기 제2 접촉 블록(320)은 전기 전도성 연결부들을 통해 전기 직렬 회로(350) 내에 배치되어 있다. 제1 전도성 연결부(351)는 상기 제1 접촉 블록(310)의 제1 표면(311)으로부터 상기 제1 히트 싱크(201)의 상부 측면(210)에 있는 금속화층(230)으로 뻗는다. 제2 전도성 연결부(352)는 상기 제1 레이저 칩(101)의 상부 측면(110)과 상기 제2 히트 싱크(202)의 금속화층(230) 사이에서 뻗는다. 제3 전도성 연결부(353)는 상기 제2 레이저 칩(120)의 상부 측면(110)으로부터 상기 제3 히트 싱크(203)의 상부 측면(210) 상의 금속화층(230)으로 뻗는다. 제4 전도성 연결부(354)는 상기 제3 레이저 칩(103)의 상부 측면(110)으로부터 상기 제4 히트 싱크(204)의 금속화층(230)으로 뻗는다. 제5 전도성 연결부(355)는 상기 제4 레이저 칩(104)의 상부 측면(110)으로부터 상기 제5 히트 싱크(205)의 금속화층(230)으로 뻗는다. 제6 전도성 연결부(356)는 상기 제5 레이저 칩(105)의 상부 측면(110)으로부터 상기 제6 히트 싱크(206)의 금속화층(230)으로 뻗는다. 제7 전도성 연결부(357)는 상기 제6 레이저 칩(106)의 상부 측면(110)으로부터 상기 제2 접촉 블록(320)의 제1 표면(321)으로 뻗는다. 상기 전도성 연결부들(351, 352, 353, 354, 355, 356, 357)은 예컨대 와이어 본딩-연결부들 또는 리본 본딩-연결부들로서 형성될 수 있다.
도 3에 도시된 가공 단계에서는 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 배치된 레이저 칩들(100)이 추가의 기능 검사를 받을 수 있다. 예를 들어 레이저 칩들(103)은 도 3에 도시된 가공 단계시 연속 전파-모드에서 기능 검사를 받을 수 있다.
히트 싱크들(200)을 생략할 수도 있다. 이 경우, 레이저 칩들(100)의 하부 측면들은 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 직접 배치된다. 이와 같은 경우에 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 전기 절연성 층이 배치될 수 있다.
대안적으로 상기 캐리어 블록(300)의 길이 측면(330)에 직접 배치된 레이저 칩들(100)의 하부 측면(120)에 있는 전기 접촉부들이 상기 캐리어 블록을 통해 전기적으로 단락(short-circuit)될 수 있다. 이와 같은 경우에 상기 레이저 칩들(100)은 상기 제1 접촉 블록(310)과 상기 제2 접촉 블록(320) 사이에서 병렬 회로 내에 배치될 수 있다.
도 4는 하우징(400)의 개략적인 사시도이다. 상기 하우징(400)은 개방되어 있음으로써, 결과적으로 하우징(400)의 바닥 표면(411)을 구비한 상기 하우징(400)의 내부 공간(410)은 가시적이면서 접근하기 용이하다. 도 5는 상기 하우징(400)의 부분 확대도이다.
상기 하우징(400)은 도시된 예시에서 제1 접촉 핀(401), 제2 접촉 핀(402), 제3 접촉 핀(403), 제4 접촉 핀(404), 제5 접촉 핀(405), 제6 접촉 핀(406), 제7 접촉(407) 및 제8 접촉 핀(408)을 포함한다. 상기 접촉 핀들(401, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408)은 각각 하나의 전기 전도성 재료를 포함하고 하우징(400)의 외부 측면으로부터 하우징(400)의 벽부들 내에 배치된 관통 개구들(420)을 통해 상기 하우징(400)의 내부 공간(410)으로 안내된다. 상기 관통 개구들(420)은 바람직하게 밀봉 방식으로 구현되어 있고, 예를 들어 유리 관통 개구들로서 형성될 수 있다.
상기 하우징(400)의 내부 공간(410) 내에는 제1 캐리어 블록(301), 제2 캐리어 블록(302), 제3 캐리어 블록(303) 및 제4 캐리어 블록(304)이 배치되어 있다. 상기 제1 캐리어 블록(301) 및 상기 제2 캐리어 블록(302)은 도 3의 캐리어 블록(300)과 동일하게 형성되어 있다. 상기 제3 캐리어 블록(303) 및 상기 제4 캐리어 블록(304)은 제2 캐리어 블록(302) 및 제1 캐리어 블록(301)에 대해 반사 대칭적으로 형성되어 있고 배치되어 있다. 상기 제1 캐리어 블록(301), 상기 제2 캐리어 블록(302), 상기 제3 캐리어 블록(303), 상기 제4 캐리어 블록(304)은 다음에서 공통적으로 캐리어 블록들(300)로도 표기된다.
캐리어 블록들(300)의 바닥 측면들(340)이 하우징(400)의 바닥 표면(411)을 향하도록, 상기 캐리어 블록들(300)은 상기 하우징(400)의 내부 공간(410)의 바닥 표면에 배치되어 있다. 바람직하게 상기 캐리어 블록들(300)의 바닥 측면들(40)은 상기 하우징(400)의 내부 공간(410)의 바닥 표면(411)에 납땜되어 있다. 상기 납땜 공정은 예를 들어 180℃의 온도에서 연랍(soft solder) 또는 예비 성형품을 이용하여 이루어질 수 있다. 상기 캐리어 블록들(300)은 바람직하게 상기 하우징(400)의 바닥 표면(411)에 대해 우수하게 열적으로 접촉한다.
상기 캐리어 블록들(300)의 바닥 측면들(340)이 상기 하우징(400)의 바닥 표면들(411)을 향하고 있기 때문에, 상기 캐리어 블록들(300)에 배치된 모든 레이저 칩(100)의 방사 방향들(331)은 상기 바닥 표면(411)에 대해 수직으로 조정되어 있다.
상기 캐리어 블록들(300)에 배치된 모든 레이저 칩(100)의 방사 방향들(331)을 상기 바닥 표면(411)에 대해 수직이 아닌 다른 방향으로 조정할 수도 있다. 이와 같은 방식으로 상기 레이저 칩들(100)의 방사 방향들(331)은 상기 바닥 표면(411)에 대해 고정 각을 형성할 수 있다. 상기 방사 방향은 예를 들어 상기 캐리어 블록들(300)의 형상이 비-직육면체일 경우 달성될 수 있으며, 이 경우 바닥 측면(340)은 길이 측면(330)에 대해 수직으로 조정되어 있지 않다.
대안적으로 캐리어 블록들(300)에 배치된 개별 레이저 칩들(100)의 방사 방향들(331)이 서로 평행하게 조정되어 있지 않을 수도 있다. 이와 같은 방식으로 상기 개별 레이저 칩들(100)의 방사 방향들(331)은 예를 들어 포커스 라인 또는 포커스 점에서 만날 수 있다.
각각의 캐리어 블록(300)은 상기 하우징(400)의 2개의 접촉 핀(401, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408) 사이에 있는 전기 전도성 연결부들에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 예를 들어 제1 캐리어 블록(301)은 제8 전도성 연결부(358)에 의해 상기 하우징(400)의 제1 접촉 핀(401)에 전기 전도성으로 연결되어 있고, 그리고 제9 전도성 연결부(359)에 의해 상기 하우징(400)의 제2 접촉 핀(402)에 전기 전도성으로 연결되어 있다. 상기 제8 전도성 연결부(358)는 상기 제1 접촉 핀(401)으로부터 상기 제1 캐리어 블록(301)의 제1 접촉 블록(310)의 제2 표면(312)으로 뻗는다. 상기 제9 전도성 연결부(359)는 상응하게 상기 제1 캐리어 블록(301)의 제2 접촉 블록(320)의 제2 표면(322)으로부터 제2 접촉 핀(402)으로 뻗는다. 상기 제8 전도성 연결부(358) 및 상기 제9 전도성 연결부(359)는 예를 들어 와이어 본딩-연결부들 또는 리본 본딩-연결부들로서 형성될 수 있다.
상기 제8 전도성 연결부(358) 및 상기 제9 전도성 연결부(359)의 제공은 상기 제1 접촉 블록(310)의 제2 표면(312) 및 상기 제2 접촉 블록(320)의 제2 표면(322)이 상기 하우징(400)의 바닥 표면(411)에 대해 평행하게 조정되어 있고 방사 방향(131)으로 향하는 경우에 용이해진다.
상기 제1 캐리어 블록(300)의 직렬 회로(350)는 상기 하우징(400)의 제1 접촉 핀(401)과 제2 접촉 핀(402) 사이에 배치되어 있다. 상응하게 상기 제2 캐리어 블록(302)의 직렬 회로(350)는 상기 하우징(400)의 제3 접촉 핀(403)과 제4 접촉 핀(404) 사이에 배치되어 있다. 상기 제3 캐리어 블록(303)의 직렬 회로(250)는 상기 하우징(400)의 제5 접촉 핀(405)과 제6 접촉 핀(406) 사이에 배치되어 있다. 상기 제4 캐리어 블록(304)의 직렬 회로(350)는 상기 제7 접촉 핀(407)과 상기 제8 접촉 핀(408) 사이에서 전기적으로 배치되어 있다.
상기 접촉 핀들(401, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408)을 통해 상기 4개의 캐리어 블록(301, 302, 303, 304)의 직렬 회로들(350)은 서로 분리되어 구동될 수 있다. 물론 4개보다 많거나 적은 캐리어 블록(300)이 하우징(400) 내에 제공될 수 있다. 또한, 각각의 캐리어 블록(300)은 6개보다 많거나 적은 레이저 칩(100)을 포함할 수도 있다.
도 4에 도시된 가공 단계에서는 레이저 칩들(100)이 추가의 기능 검사를 받을 수 있다. 예를 들어 상기 캐리어 블록들(300)에 있는 레이저 칩들(100)의 기능성을 연속 전파-모드에서 검사할 수 있다.
도 6은 도 4의 도시 내용에 시간적으로 후속하는 가공 단계에서 하우징(400)의 사시도이다. 상기 하우징(400)은 도 6의 도면에서 유리창(430)에 의해 폐쇄되었다. 상기 유리창(430)에 의해 폐쇄된 하우징(400)은 그 내부에 배치된 캐리어 블록들(300)과 함께 레이저 컴포넌트(500)를 형성한다.
상기 유리창(430)은 상기 하우징(400)의 바닥 표면(411)에 대해 평행하게 조정되어 있다. 상기 레이저 칩들(100)로부터 방사 방향(131)으로 방사된 레이저 빔은 상기 유리창(430)을 통해 상기 레이저 컴포넌트(500)의 하우징(400)으로부터 방출될 수 있다. 이를 위해 상기 유리창(430)은 상기 레이저 칩들(100)에 의해 방출된 레이저 빔에 대해 투과성을 갖는다.
상기 유리창(430)은 상기 하우징(400)의 내부 공간(410)을 선택적으로 밀폐형으로 밀봉하며 폐쇄할 수 있다. 상기 목적을 위해 상기 유리창(430)은 예컨대 용접 공정에 의해 상기 하우징 내에 삽입될 수 있다. 상기 하우징(400)이 밀폐형으로 밀봉되어 폐쇄된 경우, 상기 내부 공간(410)은 의도한 대기로, 예를 들어 건조한 공기로 충전될 수 있다.
도 7은 레이저 컴포넌트(1500)의 부분 개략 사시도이다. 도 7의 상기 레이저 컴포넌트(1500)는 도 1 내지 도 6에 의해 설명된 레이저 컴포넌트(500)와 큰 공통점을 갖는다. 도 7에서 공통적인 부품들에는 도 1 내지 도 6에서와 동일한 도면 부호들이 제공되어 있고 다음에서 새로 상세하게 설명되지 않는다. 다음에서는 대체로 상기 레이저 컴포넌트(1500)와 상기 레이저 컴포넌트(500)의 차이점들이 설명된다.
하우징(400)의 내부 공간(410) 내에 캐리어 블록들(300) 대신에 캐리어 블록들(1300)이 배치되어 있음으로써, 상기 레이저 컴포넌트(1500)는 상기 레이저 컴포넌트(500)와 구분된다. 도 7에 도시된 상기 레이저 컴포넌트(1500)의 컷-아웃(cut-out)에서는 상기 레이저 컴포넌트(500)의 제1 캐리어 블록(301) 및 제2 캐리어 블록(302)을 대체하는 제1 캐리어 블록(1301) 및 제2 캐리어 블록(1302)을 확인할 수 있다.
제1 접촉 블록(310) 대신에 제1 핀(1310)이 존재하고 제2 접촉 블록(320) 대신에 제2 핀(1320)이 존재함으로써, 상기 캐리어 블록들(1300)은 상기 레이저 컴포넌트(500)의 캐리어 블록들(300)과 구분된다.
도 8은 상기 캐리어 블록들(1300)의 단면에 대한 개략도이다. 상기 캐리어 블록(1300)은 이러한 캐리어 블록(1300)의 길이 측면(330)에 대해 수직으로 조정되어 있고 상기 제1 핀(1310)을 통해 진행하는 평면에서 절단되어 있다. 도 9는 캐리어 블록(1300)의 길이 측면(330)에 대한 개략적인 평면도이다.
상기 핀들(1310, 1320)은 각각 전기 전도성 재료를 포함하는데, 예컨대 금속을 포함한다. 상기 핀들(1310, 1320)은 각각 원통형 핀들로서 형성되어 있다. 상기 제1 핀(1310)은 외부의 길이 단부(1313) 및 내부의 길이 단부(1314)를 포함한다. 상기 제2 핀(1320)은 상응하게 형성되어 있다. 상기 제1 핀(1310)은 상기 캐리어 블록(1300)의 개구(1340) 내에 배치되어 있다. 상기 개구(1340)는 원통형 관통 개구로서 형성되어 있고 상기 캐리어 블록(1300)의 길이 측면(330)에 대해 수직 방향으로 캐리어 블록(1300)의 길이 측면(330)으로부터 상기 길이 측면(330)에 마주 놓인 캐리어 블록(1300)의 측면까지 뻗는다. 상기 제1 핀(1310)의 내부의 길이 단부(1314)는 상기 캐리어 블록(1300)의 개구(1340) 내에 배치되어 있다. 상기 제1 핀(1310)의 외부의 길이 단부(1313)는 상기 캐리어 블록(1300)의 길이 측면(330)에서 상기 캐리어 블록(1300)의 개구(1340)로부터 밖으로 돌출한다. 상기 제2 핀(1320)도 상응하는 방식으로 상기 캐리어 블록(1300)의 추가의 개구(1340) 내에 배치되어 있다.
상기 원통형 제1 핀(1310)은 하나의 재킷 표면 및 2개의 커버 표면을 포함한다. 상기 제1 핀(1310)의 제1 커버 표면은 외부의 길이 단부(1313)에 배치되어 있다. 상기 제1 핀(1310)의 제2 커버 표면은 내부의 길이 단부(1314)에 배치되어 있다. 상기 제1 핀(1310)의 내부의 길이 단부(1314)에 있는 상기 제2 커버 표면은 바람직하게 예컨대 상기 캐리어 블록(1300)의 길이 측면(330)에 마주 놓인 상기 캐리어 블록(1300)의 외부 측면과 동일 평면에서 종료한다.
상기 제1 핀(1310)의 외부의 길이 단부(1313)에 배치된 상기 제1 핀(1310)의 제1 커버 표면은 제1 표면(1311)을 형성하고, 상기 제1 표면의 기능은 레이저 컴포넌트(500)의 캐리어 블록(300)의 제1 접촉 블록(310)의 제1 표면(311)에 상응한다. 상기 제1 핀(1310)의 외부의 길이 단부(1313) 가까이에 배치되어 있고 상기 캐리어 블록(1300)의 바닥 측면(340)으로부터 다른 방향을 향하는 상기 원통형 제1 핀(1310)의 재킷 표면의 부분은 제2 표면(1312)을 형성하고, 상기 제2 표면의 기능은 레이저 컴포넌트(500)의 캐리어 블록(300)의 제1 접촉 블록(310)의 제2 표면(312)에 상응한다. 제2 핀(1320)은 상기 제1 핀(1310)의 제1 표면(1311)에 상응하게 배치되어 있고 형성되어 있는 제1 표면(1321)을 포함한다. 그 밖에 상기 제2 핀(1320)은 상기 제1 핀(1310)의 제2 표면(1312)에 상응하게 배치되어 있고 형성되어 있는 제2 표면(1322)을 포함한다.
상기 레이저 컴포넌트(1500)의 캐리어 블록들(1300)의 핀들(1310, 1320)의 제1 표면들(1311, 1321)은 레이저 컴포넌트(500)의 캐리어 블록들(300)의 접촉 블록들(310, 320)의 제1 표면들(311, 321)과 동일하게, 상기 레이저 컴포넌트(1500)의 하우징(400)의 접촉 핀들(401, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408)에 대한 전기 전도성 연결부들(358, 359)을 제공하기 위해 존재한다. 이 경우, 상기 전기 전도성 연결부들(358, 359)은 예를 들어 와이어 본딩-연결부들 또는 리본 본딩-연결부들로서 형성될 수 있다. 상기 레이저 컴포넌트(1500)의 캐리어 블록들(1300)의 핀들(1310, 1320)의 제2 표면들(1312, 1322)은 레이저 컴포넌트(500)의 캐리어 블록들(300)의 접촉 블록들(310, 320)의 제2 표면들(312, 322)과 동일하게, 레이저 칩들(100) 사이의 직렬 회로들(350)의 전기 전도성 연결부들(351, 357)을 제공하기 위해 존재한다. 이와 같은 전기 전도성 연결부들(351, 357)도 예를 들어 와이어 본딩-연결부들 또는 리본 본딩 연결부들로서 형성될 수 있다.
상기 핀들(1310, 1320)은 상기 캐리어 블록(1300)에 대해 전기적으로 절연되어 있다. 상기 캐리어 블록(1300)의 개구들(1340)은 상기 핀들(1310, 1320)보다 더 큰 지름을 갖는다. 상기 개구들(1340) 내에 배치된 핀들(1310, 1340)의 외부 재킷 표면들과 상기 개구들(1340)의 내벽들 사이에는 각각 전기 절연체(1330)가 배치되어 있다. 그에 따라 각각의 개구(1340) 내에 배치된 절연체(1330)는 예컨대 중공 실린더 형태를 갖는다. 상기 절연체(1330)는 예를 들어 유리에 의해 형성될 수 있다. 이와 같은 경우에 상기 캐리어 블록(1300)의 핀들(1310, 1320)은 상기 개구들(1340) 내에서 글레이징(glazing) 처리되어 있다. 예를 들어 상기 절연체들(1330)을 위해서 저용융점을 갖는 유리들이 사용될 수 있다.
상기 캐리어 블록들(1300)은 바람직하게 큰 열 전도성을 갖는 재료를 포함한다. 예를 들어 상기 캐리어 블록들(1300)은 구리를 포함할 수 있다. 상기 핀들(1310, 1320)은 예를 들어 철-니켈 합금을 포함할 수 있다. 이와 같은 경우에 상기 핀들(1310, 1320)은 바람직하게 작은 열 팽창 계수를 가짐으로써, 그 결과 열적 길이 변동으로 인한 상기 절연체들(1330)의 파괴가 방지될 수 있다.
바람직하게 상기 핀들(1310, 1320)의 상부 표면들은 납땜 가능하도록 그리고 와이어 접촉 가능하도록 코팅되어 있다. 예를 들어 상기 핀들(1310, 1320)의 상부 표면들은 NiAu, NiPbAu 또는 NiAg로 코팅될 수 있다.
도 10 내지 도 14에 의해 다음에서 상기 캐리어 블록들(1300) 대신에 레이저 컴포넌트(1500) 내에 제공될 수 있는 추가의 캐리어 블록들이 기술된다. 상기 추가의 캐리어 블록들은 도 7 내지 도 9의 캐리어 블록들(1300)과 공통점을 갖는다. 도 10 내지 도 14에서 공통적인 부품들에는 도 7 내지 도 9에서와 동일한 도면 부호들이 제공되어 있고 다음에서 새로 상세하게 설명되지 않는다. 다음에서는 오로지 상기 추가의 캐리어 블록들과 상기 캐리어 블록들(1300)의 차이점들만이 설명된다.
도 10은 캐리어 블록(2300)의 개략적인 단면도이다. 도 11은 상기 캐리어 블록(2300)의 길이 측면(330)의 부분 개략 평면도이다. 상기 캐리어 블록(2300)의 경우, 제1 핀(1310) 대신에 핀(2310)이 제공되어 있다. 상기 캐리어 블록(2300)의 경우, 제2 핀(1320) 대신에 상기 핀(2310)과 동일하게 형성되어 있는 추가의 핀이 제공될 수 있다.
상기 핀(2310)은 외부의 길이 단부(2313) 및 내부의 길이 단부(2314)를 포함한다. 상기 핀(2310)은 내부의 길이 단부(2314)에서 대체로 원통형으로 형성되어 있다. 상기 핀(2310)의 내부의 길이 단부(2314)는 상기 캐리어 블록(2300)의 개구(2340) 내에 배치되어 있고 절연체(2330)에 의해 상기 캐리어 블록(2300)에 대해 절연되어 있다.
상기 핀(2310)은 외부의 길이 단부(2313)에서 원통형 형상에 대해 추가의 평탄화부(2315)를 포함한다. 그에 따라 상기 핀(2310)은 외부의 길이 단부(2313)에서 예컨대 바(bar) 형태를 갖는다. 상기 핀(2310)의 제1 표면(2311)은 상기 핀(2310)의 외부의 길이 단부(2313)에 있는 단부 측 커버 표면에 의해 형성된다. 제2 표면(2312)은 상기 핀(2310)의 외부의 길이 단부(2313)에 있는 상기 평탄화부(2315) 영역에서 형성되어 있고 상기 캐리어 블록(2300)의 바닥 측면(340)에 마주 놓인 상기 캐리어 블록(2300)의 상부 측면에 대해 평행하게 조정되어 있다.
상기 캐리어 블록(2300)의 핀(2310)의 제1 표면(2311) 및 제2 표면(2312)은 캐리어 블록(1300)의 제1 핀(1310)의 제1 표면(1311) 및 제2 표면(1312)과 동일한 목적으로 이용된다. 그러나 상기 평탄화부(2315) 영역에 형성된 상기 캐리어 블록(2300)의 핀(2310)의 제2 표면(2312)은 캐리어 블록(1300)의 제1 핀(1310)의 제2 표면(1312)과 비교하여 평평하게 형성되어 있다는 장점, 그리고 그럼으로써 와이어 본딩-연결부 또는 리본 본딩-연결부에 더 용이하게 접촉할 수 있다는 장점을 제공한다.
도 12는 캐리어 블록(3300)의 개략적인 단면도이다. 상기 캐리어 블록(3300)은 외부의 길이 단부(3313) 및 내부의 길이 단부(3314)를 구비한 핀(3310)을 포함한다. 상기 캐리어 블록(3300)은 재차 상기 핀(3310)과 동일하게 형성되어 있는 제2 핀을 포함할 수 있다. 상기 핀(3310)은 대체로 원통의 형상을 갖는다. 그러나 상기 캐리어 블록(3300)의 핀(3310)은 캐리어 블록(1300)의 제1 핀(1310)보다 더 짧다.
상기 핀(3310)의 내부의 길이 단부(3314)는 상기 캐리어 블록(3300)의 개구(3340) 내에 배치되어 있고 절연체(3330)에 의해 상기 캐리어 블록(3300)에 대해 전기적으로 절연되어 있다. 상기 캐리어 블록(3300)의 개구(3340)는 캐리어 블록(1300)의 개구(1340)와 달리 블라인드 홀로서 형성되어 있고 상기 캐리어 블록(3300)의 길이 측면(330)으로부터 이러한 길이 측면(330)에 마주 놓인 상기 캐리어 블록(3300)의 외부 측면까지가 아닌, 오로지 상기 캐리어 블록(3300) 내부로만 뻗는다. 상기 절연체(3330)는 상기 개구(3340) 내에서 상기 핀(3310)의 외부 재킷 표면뿐만 아니라 내부의 길이 단부(3314)에 배치된 상기 핀(3310)의 커버 표면도 둘러싼다. 블라인드 홀로서 형성된 상기 캐리어 블록(3300)의 개구(3340)는 길이 측면(330)에 마주 놓인 상기 캐리어 블록(3300)의 외부 측면에서 상기 핀(3310)의 의도하지 않은 돌출이 방지된다는 장점을 제공한다.
상기 핀(3310)은 외부의 길이 단부(3313)에서 제1 표면(3311) 및 제2 표면(3312)을 포함한다. 상기 제1 표면(3311) 및 상기 제2 표면(3312)은 자체 위치, 형상 및 기능에 있어서 캐리어 블록(1300)의 제1 핀(1310)의 제1 표면(1311) 및 제2 표면(1312)에 상응한다. 그러나 상기 핀(3310)의 제1 표면(3311) 및 제2 표면(3312)을 캐리어 블록(2300)의 핀(2310)의 제1 표면(2311) 및 제2 표면(2312)과 동일하게 형성할 수도 있다.
도 13은 캐리어 블록(4300)의 개략적인 단면도이다. 상기 캐리어 블록(4300)은 외부의 길이 단부(4313) 및 내부의 길이 단부(4314)를 구비한 핀(4310)을 포함한다. 상기 캐리어 블록(4300)은 상기 핀(4310)과 동일하게 형성되어 있는 제2 핀을 포함할 수 있다.
상기 핀(4310)의 내부의 길이 단부(4314)는 상기 캐리어 블록(4300)의 개구(4340) 내에 배치되어 있다. 상기 개구(4340)는 단형 관통 개구로서 형성되어 있고 상기 캐리어 블록(4300)의 길이 측면(330)으로부터 이러한 길이 측면(330)에 마주 놓인 상기 캐리어 블록(4300)의 측면까지 뻗는다. 이 경우, 상기 개구(4340)는 길이 측면(330)으로 개방된 자체 부분에서 상기 길이 측면(330)에 마주 놓인 측면으로 개방된 자체 부분에서보다 더 큰 지름을 갖는다. 개구(4340)의 상기 2개의 부분 사이에는 상기 개구(4340)의 지름이 변경되는 단(step)(4341)이 형성되어 있다.
상기 핀(4310)은 오로지 상기 길이 측면(330)에 연결되는 큰 지름을 갖는 상기 개구(4340)의 부분 내부로만 뻗고, 이와 같은 영역에서 상기 핀(4310)을 상기 캐리어 블록(4300)에 대해 전기적으로 절연하는 절연체(4330)에 의해 둘러싸인다. 상기 핀(4310)의 내부의 길이 단부(4314)에 있는 상기 핀(4310)의 단부 표면은 예컨대 상기 개구(4340)의 단(4341) 영역에 배치되어 있다.
단형 관통 개구로서 형성된 상기 캐리어 블록(4300)의 개구(4340)는 상기 캐리어 블록(4300)의 개구(4340) 내에서 상기 핀(4310)의 글레이징 처리 동안에 상기 개구(4340) 내에 기포가 흡장되지 않도록 하는 장점을 제공한다. 동시에, 상기 개구(4340)가 단형 관통 개구로서 형성됨으로써 상기 핀(4310)의 내부의 길이 단부(4314)가 상기 길이 측면(330)에 마주 놓인 상기 캐리어 블록(4300)의 측면에서 상기 개구(4340)로부터 밖으로 돌출하는 상황이 방지된다. 상기 개구(4340)의 단(4341)은 상기 캐리어 블록(4300)의 개구(4340) 내에 상기 핀(4310) 및 상기 절연체(4330)를 배치하는 동안에 상기 절연체(4330)를 위한 정지부를 형성한다.
상기 핀(4310)은 이러한 핀(4310)의 외부의 길이 단부(4313)에서 제1 표면(4311) 및 제2 표면(4312)을 포함한다. 상기 캐리어 블록(4300)의 핀(4310)의 표면들(4311, 4312)의 위치 및 기능은 캐리어 블록(1300)의 제1 핀(1310)의 표면들(1311, 1312)의 위치 및 기능에 상응한다. 그러나 상기 핀(4310)의 제1 표면(4311) 및 제2 표면(4312)을 캐리어 블록(2300)의 핀(2310)의 제1 표면(2311) 및 제2 표면(2312)과 동일하게 형성할 수도 있다.
도 14는 캐리어 블록(5300)의 개략적인 단면도이다. 상기 캐리어 블록(5300)은 외부의 길이 단부(5313) 및 내부의 길이 단부(5314)를 구비한 핀(5310)을 포함한다. 상기 캐리어 블록(5300)은 상기 핀(5310)과 동일하게 형성되어 있는 제2 핀을 포함할 수 있다.
상기 핀(5310)의 내부의 길이 단부(5314)는 상기 캐리어 블록(5300)의 개구(5340) 내에 배치되어 있다. 상기 개구(5340)는 단형 관통 개구로서 형성되어 있고 상기 캐리어 블록(5300)의 길이 측면(330)으로부터 상기 캐리어 블록(5300)을 통해 상기 길이 측면(330)에 마주 놓인 상기 캐리어 블록(5300)의 측면까지 뻗는다. 이 경우, 상기 길이 측면(330)으로 개방된 상기 개구(5340)의 부분은 상기 길이 측면(330)에 마주 놓인 상기 캐리어 블록(5300)의 측면으로 개방된 상기 개구(5340)의 부분보다 더 큰 지름을 갖는다. 개구(5340)의 상기 2개의 부분 사이에는 상기 개구(5340)의 지름이 변경되는 단(5341)이 형성되어 있다.
상기 핀(5310)의 내부의 길이 단부(5314)는 슬리브(5350) 내에 배치되어 있다. 상기 슬리브(5350)는 중공 실린더 형태로 형성되어 있고 상기 핀(5310)의 외부 지름보다 더 큰 내부 지름을 갖는다. 상기 슬리브(5350)는 전기 전도성 재료, 예컨대 철-니켈-합금을 포함한다. 상기 핀(5310)과 상기 슬리브(5350) 사이에는 상기 핀(5310)을 상기 슬리브(5350)에 대해 전기적으로 절연하는 절연체(5330)가 배치되어 있다. 상기 절연체(5330)는 예를 들어 유리를 포함할 수 있다.
상기 슬리브(5350)의 길이는 길이 방향으로 예컨대 더 큰 지름을 갖는 상기 개구(5340)의 부분의 깊이에 상응한다. 상기 슬리브(5350)는 더 큰 지름을 갖는 상기 개구(5340)의 부분 내에 배치되어 있고 땜납(5360)에 의해 고정되어 있다. 그에 따라 상기 슬리브(5350)와 상기 캐리어 블록(5300) 사이에서 전기 전도성 연결부가 존재할 수 있다. 그러나 상기 핀(5310)은 상기 절연체(5330)에 의해 상기 슬리브(5350) 및 상기 캐리어 블록(5300)에 대해 절연되어 있다. 내부의 길이 단부(5314)에 배치된 상기 핀(5310)의 단부 측면은 예컨대 상기 개구(5340)의 단(5341) 영역에 배치되어 있다.
상기 캐리어 블록(5300)의 제조시 상기 내부의 길이 단부(5314)는 우선 상기 절연체(5330)에 의해 상기 슬리브(5350) 내에 고정될 수 있다. 후속하여 상기 슬리브(5350)는 상기 땜납(5360)에 의해 상기 캐리어 블록(5300)의 개구(5340) 내에 고정될 수 있다. 이 경우, 상기 개구(5340)의 단(5341)은 정지부로서 이용될 수 있다. 이와 같은 조치에 의해 바람직하게 열적 길이 변동으로 인한 상기 절연체(5330)의 기계적 부하가 감소한다.
상기 핀(5310)의 외부의 길이 단부(5313)에는 제1 표면(5311) 및 제2 표면(5312)이 형성되어 있다. 상기 캐리어 블록(5300)의 핀(5310)의 제1 표면(5311) 및 제2 표면(5312)의 위치 및 기능은 캐리어 블록(1300)의 제1 핀(1310)의 제1 표면(1311) 및 제2 표면(1312)의 위치 및 기능에 상응한다. 그러나 상기 핀(5310)의 제1 표면(5311) 및 제2 표면(5312)을 캐리어 블록(2300)의 핀(2310)의 제1 표면(2311) 및 제2 표면(2312)과 동일하게 형성할 수도 있다.
본 발명은 바람직한 실시예들에 의해 더 상세하게 묘사 및 기술되었다. 그러나 본 발명은 공개된 예시들에만 한정되어 있지 않다. 오히려 본 발명의 보호 범주에서 벗어나지 않으면서 당업자에 의해 상기 공개된 예시들로부터 다른 변형예들이 도출될 수 있다.
100 레이저 칩 200 히트 싱크
101 제1 레이저 칩 201 제1 히트 싱크
102 제2 레이저 칩 202 제2 히트 싱크
103 제3 레이저 칩 203 제3 히트 싱크
104 제4 레이저 칩 204 제4 히트 싱크
105 제5 레이저 칩 205 제5 히트 싱크
106 제6 레이저 칩 206 제6 히트 싱크
110 상부 측면 210 상부 측면
120 하부 측면 220 하부 측면
130 단부 측면 230 금속화층
131 방사 방향
300 캐리어 블록 340 바닥 측면
301 제1 캐리어 블록 350 직렬 회로
302 제2 캐리어 블록 351 제1 전도성 연결부
303 제3 캐리어 블록 352 제2 전도성 연결부
304 제4 캐리어 블록 353 제3 전도성 연결부
310 제1 접촉 블록 354 제4 전도성 연결부
311 제1 표면 355 제5 전도성 연결부
312 제2 표면 356 제6 전도성 연결부
320 제2 접촉 블록 357 제7 전도성 연결부
321 제1 표면 358 제8 전도성 연결부
322 제2 표면 359 제9 전도성 연결부
330 길이 측면
331 길이 방향
400 하우징 1300 캐리어 블록
401 제1 접촉 핀 1301 제1 캐리어 블록
402 제2 접촉 핀 1302 제2 캐리어 블록
403 제3 접촉 핀 1310 제1 핀
404 제4 접촉 핀 1311 제1 표면
405 제5 접촉 핀 1312 제2 표면
406 제6 접촉 핀 1313 외부의 길이 단부
407 제7 접촉 핀 1314 내부의 길이 단부
408 제8 접촉 핀 1320 제2 핀
410 내부 공간 1321 제1 표면
411 바닥 표면 1322 제2 표면
420 관통 개구 1330 절연체
430 유리창 1340 개구
500 레이저 컴포넌트 1500 레이저 컴포넌트
2300 캐리어 블록 3300 캐리어 블록
2310 핀 3310 핀
2311 제1 표면 3311 제1 표면
2312 제2 표면 3312 제2 표면
2313 외부의 길이 단부 3313 외부의 길이 단부
2314 내부의 길이 단부 3314 내부의 길이 단부
2315 평탄화부 3330 절연체
2330 절연체 3340 개구
2340 개구
4300 캐리어 블록 5300 캐리어 블록
4310 핀 5310 핀
4311 제1 표면 5311 제1 표면
4312 제2 표면 5312 제2 표면
4313 외부의 길이 단부 5313 외부의 길이 단부
4314 내부의 길이 단부 5314 내부의 길이 단부
4330 절연체 5330 절연체
4340 개구 5340 개구
4341 단 5341 단
5350 슬리브
5360 땜납

Claims (23)

  1. 레이저 컴포넌트로서,
    바닥 표면을 갖는 내부 공간을 포함하는 하우징을 구비하고,
    상기 하우징은 적어도 하나의 제1 접촉 핀(contact pin), 제2 접촉 핀, 제3 접촉 핀 및 제4 접촉 핀을 포함하고, 상기 접촉 핀들은 각각 상기 하우징의 벽부들을 통해 뻗으며,
    상기 바닥 표면에는 적어도 하나의 제1 캐리어 블록(carrier block) 및 제2 캐리어 블록이 배치되어 있고,
    상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에는 제1 레이저 칩이 배치되어 있고, 상기 제2 캐리어 블록의 길이 측면에는 추가의 레이저 칩이 배치되어 있으며,
    상기 제1 레이저 칩 및 상기 추가의 레이저 칩은 상기 바닥 표면에 대해 수직으로 조정된 방사 방향을 갖고,
    상기 캐리어 블록들의 길이 측면들에는 제1 접촉 영역 및 제2 접촉 영역이 각각 배치되어 있으며, 상기 접촉 영역들은 각각의 캐리어 블록에 대해 전기적으로 절연되어 있고, 그리고 상기 접촉 영역들은 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대해 수직으로 조정되어 있고 상기 제1 표면에 전기 전도성으로 연결된 제2 표면을 각각 포함하며,
    상기 레이저 칩들은 각각의 제1 접촉 영역 및 각각의 제2 접촉 영역의 상기 제1 표면들에 각각 전기 전도성으로 연결되어 있고,
    상기 제1 접촉 핀 및 상기 제2 접촉 핀은 상기 제1 캐리어 블록의 접촉 영역들의 제2 표면들에 전기 전도성으로 연결되어 있으며,
    상기 제3 접촉 핀 및 상기 제4 접촉 핀은 상기 제2 캐리어 블록의 접촉 영역들의 제2 표면들에 전기 전도성으로 연결되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 레이저 칩의 방사 방향은 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 대해 평행하게 그리고 길이 방향에 대해 수직으로 조정되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 제1 히트 싱크(heat sink)가 배치되어 있고,
    상기 제1 레이저 칩은 상기 제1 히트 싱크에 배치되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 제2 히트 싱크가 배치되어 있고,
    상기 제2 히트 싱크에 제2 레이저 칩이 배치되어 있으며,
    상기 제2 레이저 칩의 방사 방향은 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향에 대해 평행하게 조정되어 있고,
    상기 제1 레이저 칩 및 상기 제2 레이저 칩은 상기 제1 접촉 영역과 상기 제2 접촉 영역 사이에서 전기적으로 직렬 접속되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 히트 싱크 및 상기 제2 히트 싱크는 서로 1㎜ 내지 5㎜의 간격을 갖는,
    레이저 컴포넌트.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제1 히트 싱크는 세라믹 소형판으로서 형성되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐리어 블록들은 상기 길이 측면들에 대해 수직으로 조정된 바닥 측면들을 각각 포함하고,
    상기 캐리어 블록들의 바닥 측면들은 상기 하우징의 바닥 표면에 납땜되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향에 대해 수직으로 조정된 유리창(glass window)에 의해 폐쇄되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 캐리어 블록은 구리 직육면체로서 형성되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  10. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 접촉 영역은 적어도 부분적으로 금속화된 상부 표면을 구비한 직육면체로서 형성되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  11. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 접촉 영역은 핀으로서 형성되어 있고,
    상기 핀의 일 길이 단부는 상기 제1 캐리어 블록의 개구 내에 배치되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 캐리어 블록의 개구는 관통 개구 또는 블라인드 홀(blind hole)로서 형성되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 캐리어 블록의 개구는 단형 관통 개구로서 형성되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 핀은 유리에 의해 상기 제1 캐리어 블록에 대해 전기적으로 절연되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 핀의 길이 단부는 슬리브(sleeve) 내에 배치되어 있고,
    상기 핀은 상기 슬리브에 대해 전기적으로 절연되어 있으며,
    상기 슬리브는 상기 제1 캐리어 블록의 개구 내에서 납땜되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  16. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징 내에 각각 6개의 레이저 칩을 구비한 4개의 캐리어 블록이 배치되어 있는,
    레이저 컴포넌트.
  17. 레이저 컴포넌트의 제조 방법으로서,
    ―제1 캐리어 블록 및 제2 캐리어 블록을 제공하는 단계로서, 상기 캐리어 블록들의 길이 측면들에는 제1 접촉 영역 및 제2 접촉 영역이 각각 배치되어 있고, 상기 접촉 영역들은 각각의 캐리어 블록에 대해 전기적으로 절연되어 있고, 그리고 상기 접촉 영역들은 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대해 수직으로 조정되어 있고 상기 제1 표면에 전기 전도성으로 연결된 제2 표면을 각각 포함하는 단계,
    ―제1 레이저 칩을 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 배치하는 단계,
    ―추가의 레이저 칩을 상기 제2 캐리어 블록의 길이 측면에 배치하는 단계,
    ―제1 캐리어 블록에 배치된 제1 접촉 영역의 상기 제1 표면, 상기 제1 레이저 칩 그리고 제1 캐리어 블록에 배치된 제2 접촉 영역의 상기 제1 표면 사이에 전기 전도성 연결부를 제공하는 단계,
    ―제2 캐리어 블록에 배치된 제1 접촉 영역의 상기 제1 표면, 상기 추가의 레이저 칩 그리고 제2 캐리어 블록에 배치된 제2 접촉 영역의 상기 제1 표면 사이에 전기 전도성 연결부를 제공하는 단계,
    ―바닥 표면을 갖는 내부 공간을 포함하는 하우징을 제공하는 단계로서, 상기 하우징은 적어도 하나의 제1 접촉 핀, 제2 접촉 핀, 제3 접촉 핀 및 제4 접촉 핀을 포함하고, 상기 접촉 핀들은 각각 상기 하우징의 벽부들을 통해 뻗는 단계,
    ―상기 제1 레이저 칩 및 상기 추가의 레이저 칩의 방사 방향이 상기 바닥 표면에 대해 수직으로 조정되도록, 상기 제1 캐리어 블록 및 상기 제2 캐리어 블록을 상기 하우징의 바닥 표면에 배치하는 단계,
    ―상기 제1 캐리어 블록의 제1 접촉 영역의 제2 표면과 상기 제1 접촉 핀 사이에, 그리고 상기 제1 캐리어 블록의 제2 접촉 영역의 제2 표면과 제2 접촉 핀 사이에 각각 전기 전도성 연결부를 제공하는 단계,
    ―상기 제2 캐리어 블록의 제1 접촉 영역의 제2 표면과 상기 제3 접촉 핀 사이에, 그리고 상기 제2 캐리어 블록의 제2 접촉 영역의 제2 표면과 제4 접촉 핀 사이에 각각 전기 전도성 연결부를 제공하는 단계를 포함하는,
    레이저 컴포넌트의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 레이저 칩을 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 배치하는 단계는:
    ―상기 제1 레이저 칩을 제1 히트 싱크 상에 배치하는 단계,
    ―상기 제1 히트 싱크를 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 배치하는 단계를 포함하는,
    레이저 컴포넌트의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 히트 싱크를 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 배치하는 단계 이후에:
    ―제2 레이저 칩을 구비한 제2 히트 싱크를 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 배치하는 단계로서,
    상기 제2 히트 싱크를 상기 제2 레이저 칩의 방사 방향이 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향에 대해 평행하도록 배치하고,
    상기 제1 레이저 칩 및 상기 제2 레이저 칩을 상기 제1 접촉 영역과 상기 제2 접촉 영역 사이에서 전기적으로 직렬 접속하는 단계를 추가로 실시하는,
    레이저 컴포넌트의 제조 방법.
  20. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 레이저 칩의 방사 방향이 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 대해 평행하게 그리고 길이 방향에 대해 수직으로 조정되도록, 상기 제1 레이저 칩을 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 배치하는,
    레이저 컴포넌트의 제조 방법.
  21. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    ―상기 하우징을 상기 제1 레이저 칩의 방사 방향에 대해 수직으로 조정된 유리창에 의해 폐쇄하는 단계를 추가로 실시하는,
    레이저 컴포넌트의 제조 방법.
  22. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 레이저 칩을 상기 제1 캐리어 블록의 길이 측면에 배치하는 단계 및/또는 상기 제1 캐리어 블록을 상기 하우징 내에 배치하는 단계가 납땜 공정에 의해 이루어지는,
    레이저 컴포넌트의 제조 방법.
  23. 삭제
KR1020157034906A 2013-05-13 2014-04-28 레이저 컴포넌트 및 그 제조 방법 KR102156737B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013208670.9 2013-05-13
DE102013208670 2013-05-13
DE102013224420.7A DE102013224420A1 (de) 2013-05-13 2013-11-28 Laserbauelement und Verfahren zur seiner Herstellung
DE102013224420.7 2013-11-28
PCT/EP2014/058609 WO2014183981A1 (de) 2013-05-13 2014-04-28 Laserbauelement und verfahren zu seiner herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160005774A KR20160005774A (ko) 2016-01-15
KR102156737B1 true KR102156737B1 (ko) 2020-09-16

Family

ID=51787621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157034906A KR102156737B1 (ko) 2013-05-13 2014-04-28 레이저 컴포넌트 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9831632B2 (ko)
JP (1) JP6161800B2 (ko)
KR (1) KR102156737B1 (ko)
CN (1) CN105453353A (ko)
DE (2) DE102013224420A1 (ko)
WO (1) WO2014183981A1 (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013224420A1 (de) * 2013-05-13 2014-11-13 Osram Gmbh Laserbauelement und Verfahren zur seiner Herstellung
CN104836112B (zh) * 2015-04-17 2018-07-10 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 一种单管半导体激光器串联结构的绝缘散热装置
US9450377B1 (en) * 2015-05-04 2016-09-20 Trumpf Photonics, Inc. Multi-emitter diode laser package
CN112503404B (zh) 2015-05-20 2023-03-28 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP6288132B2 (ja) * 2015-05-20 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN108352679A (zh) * 2015-10-27 2018-07-31 三菱电机株式会社 激光源模块
JP2017098549A (ja) * 2015-11-18 2017-06-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6718224B2 (ja) * 2015-11-30 2020-07-08 フォトンリサーチ株式会社 半導体レーザー光源モジュール、レーザー光源装置、半導体レーザー光源モジュールの製造方法、及びレーザー光源装置の製造方法
WO2017106192A1 (en) * 2015-12-16 2017-06-22 Coherent, Inc. Stackable electrically-isolated diode-laser bar assembly
JP2017139444A (ja) * 2016-01-29 2017-08-10 セイコーエプソン株式会社 光源装置、光源装置の製造方法およびプロジェクター
DE102016102327B4 (de) * 2016-02-10 2018-02-08 Schott Ag Gehäuse für ein elektronisches Bauelement sowie Lasermodul
WO2017143089A1 (en) 2016-02-16 2017-08-24 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
JP6880855B2 (ja) * 2016-05-17 2021-06-02 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
KR101929465B1 (ko) * 2016-10-18 2019-03-14 주식회사 옵텔라 광학모듈
JP6980996B2 (ja) * 2016-10-27 2021-12-15 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ素子の製造方法、チップオンサブマウント素子、および半導体レーザ素子
US10283939B2 (en) * 2016-12-23 2019-05-07 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
EP3595103A4 (en) * 2017-03-06 2020-03-25 Mitsubishi Electric Corporation LASER LIGHT SOURCE UNIT
US10763640B2 (en) 2017-04-24 2020-09-01 Nlight, Inc. Low swap two-phase cooled diode laser package
JP6940750B2 (ja) * 2017-04-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 レーザ装置
JP6822451B2 (ja) * 2017-08-31 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
US10862276B2 (en) 2017-08-31 2020-12-08 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device and light emitting device
DE102018101198A1 (de) 2018-01-19 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines gehäusedeckels für ein laserbauelement und gehäusedeckel für ein laserbauelement sowie laserbauelement
US10833482B2 (en) 2018-02-06 2020-11-10 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with FAC lens out-of-plane beam steering
JP7031378B2 (ja) 2018-03-06 2022-03-08 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター
JP7110851B2 (ja) * 2018-09-10 2022-08-02 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
JP7163693B2 (ja) 2018-09-26 2022-11-01 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
JP6928271B2 (ja) * 2019-01-22 2021-09-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11714282B2 (en) 2019-03-29 2023-08-01 Meta Platforms Technologies, Llc Compact array light source for scanning display
US11366309B2 (en) 2019-03-29 2022-06-21 Facebook Technologies, Llc Scanning projector display with multiple light engines
US11229146B2 (en) 2020-04-27 2022-01-18 Illinois Tool Works Inc. Welding-type power supplies with expandable thermal interfaces
US11876343B2 (en) 2021-05-18 2024-01-16 Trumpf Photonics, Inc. Laser diode packaging platforms
US11557874B2 (en) * 2021-05-18 2023-01-17 Trumpf Photonics, Inc. Double-sided cooling of laser diodes

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120177074A1 (en) * 2011-01-11 2012-07-12 Daming Liu High reliability laser emitter modules
JP2013054386A (ja) * 2012-12-06 2013-03-21 Sharp Corp 導光部材、レーザ導光構造体、レーザ照射装置および光源装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3878556A (en) * 1973-10-03 1975-04-15 Rca Corp Modularized laser diode assembly
KR910004265B1 (ko) * 1987-03-26 1991-06-25 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 레이저 장치와 그 제조 방법 및 그것을 사용한 광 헤드
JPH0286184A (ja) * 1988-09-22 1990-03-27 Hitachi Ltd 光電子装置
JPH0758413A (ja) 1993-08-13 1995-03-03 Nec Corp 光半導体装置
US5835515A (en) * 1996-10-25 1998-11-10 Lucent Technologies Inc. High power semiconductor laser array
US6057871A (en) * 1998-07-10 2000-05-02 Litton Systems, Inc. Laser marking system and associated microlaser apparatus
DE10036283A1 (de) * 2000-07-26 2002-02-07 Bosch Gmbh Robert Laserdiodenanordnung
JP2002109774A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Ricoh Co Ltd 光ピックアップ
JP2003094716A (ja) 2001-09-20 2003-04-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置および光源ユニット
JP4121285B2 (ja) * 2002-02-18 2008-07-23 株式会社リコー 光源モジュール、光源装置、光走査装置および画像形成装置
DE10229712B4 (de) * 2002-07-02 2009-06-25 Jenoptik Laserdiode Gmbh Halbleitermodul
JP3775397B2 (ja) * 2003-03-27 2006-05-17 住友電気工業株式会社 光送信モジュール
JP2006054366A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Fuji Photo Film Co Ltd レーザモジュール
JP2007019301A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp 合波レーザ光源およびその調整方法
JP2007311680A (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Sharp Corp 半導体レーザ装置
US20080025361A1 (en) * 2006-07-19 2008-01-31 Jerman John H Linear diode-laser array with series-connected emitters
JP5227525B2 (ja) * 2007-03-23 2013-07-03 株式会社日立製作所 生体光計測装置
JP4310352B2 (ja) 2007-06-05 2009-08-05 シャープ株式会社 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法
JP5097473B2 (ja) * 2007-08-10 2012-12-12 三洋電機株式会社 レーザモジュール、照明装置および投写型映像表示装置
JP2009105284A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 回路素子パッケージ
JP2009129934A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Panasonic Corp 光半導体装置用ステム
DE102008009108A1 (de) * 2008-02-14 2009-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie Halbleiterlaser
JP5273600B2 (ja) * 2008-06-17 2013-08-28 日本オクラロ株式会社 光半導体装置
JP5155361B2 (ja) * 2010-05-12 2013-03-06 シャープ株式会社 導光部材、レーザ導光構造体、レーザ照射装置および光源装置
JP5369201B2 (ja) * 2011-04-28 2013-12-18 シャープ株式会社 投光ユニットおよび投光装置
US8897327B2 (en) * 2012-04-16 2014-11-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode devices
DE102013224420A1 (de) * 2013-05-13 2014-11-13 Osram Gmbh Laserbauelement und Verfahren zur seiner Herstellung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120177074A1 (en) * 2011-01-11 2012-07-12 Daming Liu High reliability laser emitter modules
JP2013054386A (ja) * 2012-12-06 2013-03-21 Sharp Corp 導光部材、レーザ導光構造体、レーザ照射装置および光源装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014183981A1 (de) 2014-11-20
DE102013224420A1 (de) 2014-11-13
US20150055667A1 (en) 2015-02-26
US20180062346A1 (en) 2018-03-01
CN105453353A (zh) 2016-03-30
DE112014002391A5 (de) 2016-01-21
US9831632B2 (en) 2017-11-28
KR20160005774A (ko) 2016-01-15
JP6161800B2 (ja) 2017-07-12
DE112014002391B4 (de) 2022-09-15
JP2016518726A (ja) 2016-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102156737B1 (ko) 레이저 컴포넌트 및 그 제조 방법
US9559491B2 (en) Laser diode with cooling along even the side surfaces
KR102332372B1 (ko) 광전자 반도체 부품, 및 광전자 반도체 부품을 제조하기 위한 방법
TW201320303A (zh) Led模組
US11581230B2 (en) Power semiconductor module and a method for producing a power semiconductor module
US20020158320A1 (en) Light-emitting diode and a method for its manufacture
CN103515838A (zh) 光半导体装置
JP2016532306A (ja) オプトエレクトロニクス部品、オプトエレクトロニクス装置、および、オプトエレクトロニクス装置の製造方法
JP2023089299A (ja) レーザ装置
JP5179795B2 (ja) 発光装置の製造方法
CN212062998U (zh) 一种半导体激光器阵列封装模组
JP3457916B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JPH01169986A (ja) 半導体レーザ
CN111541144A (zh) 半导体激光光源装置
JP2004356391A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP4514647B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
KR100960753B1 (ko) 레이저 다이오드 패키지 하우징의 제작 방법
JP4851287B2 (ja) 半導体装置用気密端子
EP3607591B1 (en) A solid state light emitter package, a lamp, a luminaire and a method of manufacturing a solid state light emitter package
JP4079044B2 (ja) 光半導体装置用気密端子
JPH0494582A (ja) 半導体レーザ用パッケージ
CN1393928A (zh) 用于容放光半导体器件的密封封装容器和光半导体模块
JP2021523574A (ja) オプトエレクトロニクス部品
JP4635501B2 (ja) 半導体レーザパッケージ
JP2004221505A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant