JP4079044B2 - 光半導体装置用気密端子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は光半導体装置用気密端子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の光半導体装置用気密端子としては、半導体素子搭載面を有したヒートシンクとベースとを接触する接着面積を大きく確保することで放熱性を良くしているものがあった(例えば、特許文献1 参照)。
【0003】
図2(a)は、前記特許文献1に記載された従来の光半導体装置用気密端子を示した上面図であり、図2(b)は図2(a)のY−Y’線に沿った断面図である。
【0004】
図2(a)、(b)において、光半導体装置用気密端子101は、鉄あるいは鉄−ニッケル合金からなるベース102と、銅あるいは銅合金例えば銅−タングステン合金からなるヒートシンク103と、ベース102底面に溶接されたアースリード104と、ベース102に形成された貫通孔105に絶縁リード106が絶縁ガラス107により気密絶縁的に封着されていた。
【0005】
ヒートシンク103には半導体素子搭載面108と、絶縁リード106の逃げ溝109と、逃げ溝109の外側面110とが設けられており、半導体素子搭載面108とその両側の外側面110とが同一平面に形成されている。
【0006】
ヒートシンク103は銀ろう(図示せず。)によりベース102上面に接合されている。
【0007】
ベース102に形成された貫通孔105の両外側に広がるヒートシンク103が接合されることとなり、ベース102とヒートシンク103との接触面積を大きく確保しベース102とヒートシンク103との間の熱抵抗を大幅に低減し、半導体素子(図示せず。)の発熱を放熱していた。
【0008】
【特許文献1】
特開2000−183440号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の構成では、高輝度、高波長など、さらなる出力増加に対応する外形寸法が大きな半導体素子を搭載することが困難であり、外形寸法が大きな半導体素子を搭載する場合、ヒートシンク103を上方に拡大する必要がある。この場合、ベース102上面を基準とする半導体素子の発光点が従来に比べ上方に移動することから、光半導体装置自体の光学特性を設計変更したり、光半導体装置を搭載するピックアップを設計変更する必要がある。また、光半導体装置用気密端子自体も大型化するという課題を有していた。
【0010】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、光学特性の設計変更を行うこと無く外形寸法が大きな半導体素子を搭載することを可能とし、且つ半導体装置用気密端子自体が大型化することを防いだ光半導体装置用気密端子を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の光半導体装置用気密端子は、鉄又は鉄合金よりなるベースに設けた貫通孔に絶縁ガラスを介して鉄又は鉄−ニッケル合金からなる絶縁リードが気密性や絶縁性を保つように封着され、銅又は銅合金よりなり、一方の面に半導体素子を搭載する半導体素子搭載部を形成したヒートシンクを備え、ベース上面側に設けた開口部を有した有底凹部にヒートシンクが銀ろうを介して固着してなり、少なくともヒートシンクの半導体素子搭載部である該ヒートシンクの側面と有底凹部の側壁との間に半導体素子搭載部に搭載された半導体素子が入り込む為の間隙が設けられ、ベースの下面に貫通孔を外囲した突起部を形成して封着のパスが0.8mm以上確保され、ベースの底面に鉄又は鉄−ニッケル合金からなるアースリードが溶接されたことを特徴とする。
【0012】
本構成によって、光学特性の設計変更を行うこと無く外形寸法が大きな半導体素子を搭載することを可能とし、且つ半導体装置用気密端子自体が大型化することを防ぐことができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【0014】
(実施の形態)
本発明の実施の形態における光半導体装置用気密端子として例えば、レーザーダイオード(以下、LDと称する)用気密端子を用いて説明する。図1(a)は、本発明の実施の形態におけるLD用気密端子の上面図であり、図1(b)は図1(a)のX−X’線に沿った断面図である。
【0015】
図1(a)、(b)において、LD用気密端子1は、鉄あるいは鉄−ニッケル合金からなるベース2と、銅あるいは銅合金例えば無酸素銅からなるヒートシンク3と、ベース2底面に溶接された鉄あるいは鉄−ニッケル合金からなるアースリード4と、ベース2に形成された貫通孔5に鉄あるいは鉄−ニッケル合金からなる絶縁リード6が絶縁ガラス7により気密絶縁的に封着され、ヒートシンク3には半導体素子搭載面8が形成されている。
【0016】
ベース2にはヒートシンク3を装着するために上面に開口部を有する凹部9が設けられると共に、ベース2下面中心部から貫通孔5周縁に連続した突起部10が形成されている。凹部9には銀ろう(図示せず。)を介してヒートシンク3が接続されている。これによれば、凹部9の有底面まで半導体素子搭載面8の面積を拡大するものである。
【0017】
凹部9は搭載される半導体素子(図示せず。)寸法に合わせて深さを適宜設定すれば良い。
【0018】
また、凹部9を深く設けた場合、絶縁ガラス7を適正に封着するのに必要なベース2と絶縁ガラス7とが接する面積(以下、封着パスと称する)が減少し、気密性や絶縁性の低下などの不具合が発生することがある。しかしながら、本実施の形態によれば、ベース2下面に形成した突起部10により適正な封着パスを得ることができ、気密性や絶縁性の低下などの不具合の発生を防ぐものであり、さらに、ヒートシンク3を上方に拡大する必要がなく、気密端子が大型化することを防いでいる。このとき、封着パスは少なくとも0.8mm以上あることが望ましい。
【0019】
以上、本発明による光半導体装置用気密端子について説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。
【0020】
【発明の効果】
以上のように、本発明の光半導体装置用気密端子によれば、光学特性の設計変更を行うこと無く外形寸法が大きな半導体素子を搭載することを可能とする。
【0021】
半導体装置用気密端子自体が大型化することを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の実施の形態における光半導体装置用気密端子の上面図
(b)は図1(a)のX−X’線に沿った断面図
【図2】(a)は従来の光半導体装置用気密端子の上面図
(b)は図2(a)のY−Y’線に沿った断面図
【符号の説明】
1 光半導体装置用気密端子
2 ベース
3 ヒートシンク
4 アースリード
5 貫通孔
6 絶縁リード
7 絶縁ガラス
8 半導体素子搭載面
9 凹部
10 突起部
101 光半導体装置用気密端子
102 ベース
103 ヒートシンク
104 アースリード
105 貫通孔
106 絶縁リード
107 絶縁ガラス
108 半導体素子搭載面
Claims (1)
- 鉄又は鉄合金よりなるベースに設けた貫通孔に絶縁ガラスを介して鉄又は鉄−ニッケル合金からなる絶縁リードが気密性や絶縁性を保つように封着され、銅又は銅合金よりなり、一方の面に半導体素子を搭載する半導体素子搭載部を形成したヒートシンクを備え、前記ベース上面側に設けた開口部を有した有底凹部に前記ヒートシンクが銀ろうを介して固着してなり、少なくとも前記ヒートシンクの前記半導体素子搭載部である該ヒートシンクの側面と前記有底凹部の側壁との間に前記半導体素子搭載部に搭載された半導体素子が入り込む為の間隙が設けられ、前記ベースの下面に前記貫通孔を外囲した突起部を形成して前記封着のパスが0.8mm以上確保され、前記ベースの底面に鉄又は鉄−ニッケル合金からなるアースリードが溶接されたことを特徴とする光半導体装置用気密端子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003173203A JP4079044B2 (ja) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | 光半導体装置用気密端子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003173203A JP4079044B2 (ja) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | 光半導体装置用気密端子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005011926A JP2005011926A (ja) | 2005-01-13 |
JP4079044B2 true JP4079044B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=34097099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003173203A Expired - Fee Related JP4079044B2 (ja) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | 光半導体装置用気密端子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4079044B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5086006B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2012-11-28 | 新光電気工業株式会社 | 光半導体素子用ステムの製造方法 |
WO2017158816A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | Necディスプレイソリューションズ株式会社 | 発光素子、発光素子の冷却構造と方法、および、投写型表示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54134585A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-19 | Int Standard Electric Corp | Injection laser mount |
DE4318329A1 (de) * | 1992-06-09 | 1993-12-16 | Whitaker Corp | Überwachungsdetektor in Halbleiterausbildung |
JP2000183440A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子用ステムおよびその製造方法 |
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2003
- 2003-06-18 JP JP2003173203A patent/JP4079044B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005011926A (ja) | 2005-01-13 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050708 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070524 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070605 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070723 |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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