CN112483911B - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光装置，其即使在透镜阵列从规定的朝向稍微旋转地被安装的情况下，光源与透镜部的位置关系也难以产生大的偏移，从透镜阵列射出的光的强度分布不易发生变化。该发光装置具备：基体；矩阵状地具有多个透镜部的透镜阵列；以及被配置于上述基体上的多个半导体激光元件，上述多个半导体激光元件分别射出激光，各激光在上述多个透镜部的各光射入面具有与行方向上相比列方向上宽度变宽的光束形状，上述多个透镜部具有比各个透镜部的最大外径和列方向的顶点间距离中的任一个都小的行方向的顶点间距离，并且在行方向和列方向上具有相同的曲率。

Description

发光装置
本申请为专利申请号为201610330335.9(申请日：2016年05月18日，发明名称为“发光装置”)的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及发光装置。
背景技术
公知有通过准直透镜阵列使从多个光源射出的光准直的光源装置(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2014-102367号公报。
然而，在上述以往的光源装置中，构成准直透镜阵列的各透镜要素根据射入各透镜要素的激光的剖面形状而具有多个曲率。因此，只要准直透镜阵列从规定的朝向稍微旋转地被安装，就有光源与透镜要素的位置关系产生大的偏移，从准直透镜阵列射出的光的强度分布发生变化的可能。
另外，若激光在透镜的光射入面中的扩散较大，则只要准直透镜阵列从规定的朝向稍微旋转地被安装，就有光源与透镜要素的位置关系产生大的偏移，从准直透镜阵列射出的光的强度分布发生变化的可能。
发明内容
上述课题例如能够通过以下手段解决。一种发光装置，其具备：基体、矩阵状地具有多个透镜部的透镜阵列以及被配置于上述基体上的多个半导体激光元件，该发光装置的特征在于，上述多个半导体激光元件分别射出激光，各激光在上述多个透镜部的各光射入面具有与行方向上相比列方向上宽度变宽的光束形状，上述多个透镜部具有比各个透镜部的最大外径与列方向的顶点间距离中的任一个都小的行方向的顶点间距离，并且在行方向与列方向上具有相同的曲率。
根据上述发光装置，能够提供如下发光装置，其即使在透镜阵列从规定的朝向稍微旋转地被安装的情况下，光源与透镜部的位置关系也不易产生大的偏移，从透镜阵列射出的光的强度分布也不易发生变化。
附图说明
图1A是实施方式1所涉及的发光装置的示意俯视图。
图1B是图1A中的A-A剖视图。
图1C是图1A中的B-B剖视图。
图1D是图1A中的C-C剖视图。
图2A是基体的示意俯视图。
图2B是图2A中的D-D剖视图。
图2C是图2A中的E-E剖视图。
图3A是透镜阵列的示意俯视图。
图3B是图3A中的F-F剖视图。
图3C是图3A中的G-G剖视图。
图3D是图3A中的H-H剖视图。
图4A是被配置于基体上的半导体激光元件的示意俯视图。
图4B是图4A中的I-I剖视图。
图4C是图4A中的J-J剖视图。
图4D是将图4C中用虚线包围的部分放大表示的图。
图5A是密封部件的示意俯视图。
图5B是图5A中的K-K剖视图。
图5C是图5A中的L-L剖视图。
图6A是实施方式2所涉及的发光装置的示意俯视图。
图6B是图6A中的M-M剖视图。
图6C是图6A中的N-N剖视图。
图6D是图6A中的O-O剖视图。
图7是实施方式3所涉及的发光装置的示意俯视图。
图8是实施方式4所涉及的发光装置的示意俯视图。
附图标记说明
1、2、3、4…发光装置；10…基体；10a…凹部；12…基部；12a…凸部；14…侧壁；20、20A、20B、20C、20D…透镜阵列；22…透镜部；24…连接部；30…半导体激光元件；40…载置体；50…反射镜；60…金属丝；70…中继部件；80…密封部件；82…主体部；82a…窗部；82b…凹部；84…透光性部件；90…布线；PX…行方向的顶点间距离；PY…列方向的顶点间距离；WX…行方向的光束宽度；WY…列方向的光束宽度；LA…光射入面；LB…光射出面；E…最大外径；F…贯通孔；G…开口部；X…行方向；Y…列方向。
具体实施方式
[实施方式1所涉及的发光装置]
图1A是实施方式1所涉及的发光装置的示意俯视图。另外，图1B是图1A中的A-A剖视图，图1C是图1A中的B-B剖视图，图1D是图1A中的C-C剖视图。在图1A中，为了便于理解，透视地示出了被配置于最靠左上的透镜部下方的半导体激光元件30等。如图1A至图1D所示，实施方式1所涉及的发光装置1具备：基体10；矩阵状地具有多个透镜部22的透镜阵列20；以及被配置于基体10上的多个半导体激光元件30，多个半导体激光元件30分别射出激光，各激光在多个透镜部22的各光射入面LA具有与行方向相比在列方向上宽度宽的光束形状，多个透镜部22具有比各个透镜部22的最大外径E和列方向的顶点间距离PY中的任一个都小的行方向的顶点间距离PX，并且，在行方向和列方向上具有相同的曲率。下面按顺序进行说明。
(基体10)
图2A是基体的示意俯视图。另外，图2B是图2A中的D-D剖视图，图2C是图2A中的E-E剖视图。如图2A至图2C所示，基体10例如具有：基部12；从基部12突出的侧壁14；以及由基部12和侧壁14形成的凹部10a。基部12具有凸部12a，凸部12a被形成于凹部10a内。如果使用具有像这样的凸部12a的基部12，则能够抑制因基体10具有凹部10a而可能产生的基部12的翘曲(该翘曲特别是在基部12与侧壁14由不同材料构成的情况下容易产生。)，因此，半导体激光元件30等向基部12的安装变得容易。另外，通过在凸部12a上配置半导体激光元件30等部件，能够使这些部件靠近透镜阵列20，因此还能抑制激光在透镜阵列20(透镜部22)的光射入面LA的扩散。此外，基体10、基部12以及侧壁14的形状、厚度并不特别限定，例如，基体10除了能使用具有凹部10a的部件外，还能使用例如平板状的部件(例：不具有侧壁14而仅由基部12构成的部件)。
基体10(基部12、侧壁14)能够使用例如铁、铁合金或铜等金属材料、AlN、SiC或SiN等陶瓷材料、或者将这些材料组合而成的材料。
在基体10设置有用于将发光装置1与外部电连接的布线90(例：导线)。布线90可以被设置于发光装置1的外周的任一处，但优选被设置于基体10的上表面或者侧表面。即，布线90优选不被设置于基体10的下表面。这样的话就能够将基体10的整个下表面作为安装面使用，因此能够像本公开那样，即使在一个基体10配置多个成为热源的半导体激光元件30的情况下，也能提供散热良好的发光装置。此外，在基体10的侧壁14设置布线90的情况下，因为侧壁14的高度需要在一定程度以上，所以与不在侧壁14设置布线90的情况相比，被配置于基部12上的半导体激光元件30等以远离透镜阵列20的方式被配置。但是，如果使用具有前述凸部12a的基部12，则即使在这样的情况下，也能将半导体激光元件30、反射镜50等靠近透镜阵列20(透镜部22)配置。
(透镜阵列20)
图3A是透镜阵列的示意俯视图。另外，图3B是图3A中的F-F剖视图，图3C是图3A中的G-G剖视图，图3D是图3A中的H-H剖视图。如图3A至图3D所示，透镜阵列20具有多个透镜部22和连接部24。各透镜部22分别具有光射入面LA与光射出面LB，射入各透镜部22的光射入面LA的各激光被折射，并分别从各透镜部22的光射出面LB射出。连接部24将在列方向(图1中的Y方向)上相邻的透镜部22彼此连接。此外，透镜阵列20也能够仅由透镜部22构成。在该情况下，例如，透镜部22不经由连接部24而相互直接连接。透镜阵列20(透镜部22、连接部24)能够使用玻璃、合成石英等具有透光性的材料形成。
(多个透镜部22)
多个透镜部22被设置为m行n列(m≥2，n≥1)的矩阵状。多个透镜部22具有比各个透镜部22的最大外径E和列方向(图1中的Y方向)的顶点间距离PY中的任一个都小的行方向(图1中的X方向)的顶点间距离PX。这样的话，各透镜部22就会在行方向(图1中的X方向)连接(连续)形成，因此能够减少行方向(图1中的X方向)上不射出激光的空间的浪费，实现透镜阵列20(进而实现发光装置1)的小型化。此外，“列方向的顶点间距离”是指列方向上相邻的透镜部的顶点间距离。另外，“行方向的顶点间距离”是指行方向上相邻的透镜部的顶点间距离。另外，“顶点”是指俯视下的透镜部的中心，“最大外径”是指俯视下的透镜部的直径中最长的部分。
列方向(图1中的Y方向)的顶点间距离PY能够优选设定为1mm以上12mm以下，更加优选设定为3mm以上9mm以下。另外，行方向(图1中的X方向)的顶点间距离PX能够优选设定为0.5mm以上9mm以下，更加优选设定为2mm以上6mm以下。通过将顶点间距离PX、顶点间距离PY设定为这些下限值以上，能够抑制来自相邻的半导体激光元件30的激光相互干扰。另外，通过将顶点间距离PX、顶点间距离PY设定为这些上限值以下，能够提供更加小型的发光装置。
各个透镜部22的最大外径E能够优选设定为顶点间距离PX的1倍以上2倍以下，更加优先设定为顶点间距离PX的1.25倍以上1.75倍以下。通过将最大外径E设定为这些下限值以上，能够抑制来自相邻的半导体激光元件30的激光相互干扰。另外，将最大外径E设定为这些上限值以下，能够提供更加小型的发光装置。
各个透镜部22在行方向(图1中的X方向)和列方向(图1中的Y方向)上具有相同的曲率。即，各个透镜部22在通过透镜部22的顶点的行方向(图1中的X方向)的剖面上具有曲率RX的曲线，并且在通过透镜部22的顶点的列方向(图1中的Y方向)的剖面上具有与曲率RX相等的曲率RY(曲率RX＝曲率RY)的曲线。这样的话，即使在透镜阵列20从规定的朝向稍微旋转地被安装的情况下，光源(半导体激光元件30。具备反射镜50的情况下为反射镜50。以下相同。)与透镜部22的位置关系也不易产生大的偏移。此外，各个透镜部22优选不仅是行方向(图1中的X方向)与列方向(图1中的Y方向)而是在通过各透镜部22的顶点的全部方向上都具有相同的曲率，即，在通过各透镜部22的顶点的全部剖面上具有相同曲率的曲线。这样的话，光源与透镜部22的位置关系更加不易产生大的偏移。
对于多个透镜部22并没有特别限定，优选具有能够使从半导体激光元件30射入的激光平行化(准直)的形状。例如，多个透镜部22优选分别至少一部分由非球面状曲面(例：光射入面LA为平面，光射出面LB为非球面状曲面)构成。这样的话，能够不改变光的强度分布就使来自半导体激光元件30的激光平行化。
多个透镜部22优选分别至少一部分周缘构成为俯视时呈圆弧状。这样的话，因为与由俯视时呈其他形状构成的情况相比，能够在透镜部22设置更多非球面状曲面，所以能够从透镜部22高效地使来自半导体激光元件30的激光射出。
透镜阵列20能够通过公知的方法固定于基体10(在基体10与透镜阵列20之间设置密封部件80的情况下，固定于密封部件80)。例如，在将透镜阵列20直接固定于基体10的情况下，能够通过粘合固定、激光焊接或者电阻焊接等方法，固定透镜阵列20与基体10。在通过激光焊接、电阻焊接等进行固定的情况下，透镜阵列20中的至少被焊接加工的部位由金属材料构成。另外，在基体10与透镜阵列20之间设置密封部件80的情况下，能够通过UV固化性粘合剂等粘合剂粘合固定透镜阵列20与密封部件80。
为了将配置有半导体激光元件30的空间设置为封闭空间，优选通过焊接在基体10固定作为盖的部件。然而，焊接容易产生位置偏移。因此，如果通过焊接将透镜阵列直接固定于基体，通过透镜阵列直接给基体盖盖，则有透镜阵列位置偏移，不能以规定的方式(例：规定的扩散角，规定的位置关系)将来自半导体激光元件的光射入透镜部。因此，在本实施方式中，设置透镜阵列20以外的部件即密封部件80，由密封部件80给基体10盖盖。这样的话，能够通过焊接将密封部件80固定于基体10，并且能够通过UV固化性粘合剂将透镜阵列20固定于密封部件80，因此能够通过密封部件80将配置有半导体激光元件30的空间设置为封闭空间，并且能够抑制透镜阵列20的位置偏移。
(多个半导体激光元件30)
图4A是被配置于基体上的半导体激光元件的示意俯视图。另外，图4B是图4A中的I-I剖视图，图4C是图4A中的J-J剖视图，图4D是将图4C中的用虚线包围的部分放大表示的图。如图4A至图4D所示，多个半导体激光元件30被配置于基体10上。如果具体加以说明，则多个半导体激光元件30被配置于行方向(图4中的X方向)以及列方向(图4中的Y方向)。半导体激光元件30，例如，能够直接配置于基体10的凹部10a底面(使用具有凸部12a的基部12的情况下，直接配置于凸部12a上)，也能够经由载置体40等进行配置。如果要经由载置体40配置，则能够经由载置体40高效地将在多个半导体激光元件30产生的热排出。
多个半导体激光元件30分别射出激光，各激光直接或者经由反射镜50等分别射入各自的透镜部22的光射入面LA。各激光在多个透镜部22的各光射入面LA上具有在列方向上(图1中的Y方向)比行方向(图1中的X方向)上宽度宽的光束形状(列方向的光束宽度WY＞行方向的光束宽度WX)。多个半导体激光元件30能够使用应用了氮化物半导体的半导体激光元件等。
多个半导体激光元件30能够通过金属丝60等相互电连接。作为金属丝60能够使用金、银、铜、铝等。连接的方式并不特别限定，但例如，能够使用金属丝60将沿行方向(图1中的X方向)设置的多个半导体激光元件30串联。
在图4A中，在各行中多个半导体激光元件30被配置于直线上，在相邻的半导体激光元件30间设置有中继部件70。而且，经由中继部件70，相邻的半导体激光元件30通过金属丝60电连接。如此，能够使各金属丝60的长度变得较短，因此能够抑制电阻变大。另外，在各行中，能够增大相邻的半导体激光元件30间的距离，因此能够减少半导体激光元件30彼此的热干扰。作为中继部件70能够使用铁、铁合金、铜等金属材料或者在上表面形成了电气布线的AlN、SiC、SiN等绝缘材料。在中继部件70上不配置半导体激光元件30。
中继部件70的上表面优选位于与载置体40的上表面或者半导体激光元件30的上表面实质上相同的高度。这样的话，便于安装金属丝60。在半导体激光元件30被设置于载置体40的情况下，中继部件70的上表面可以位于与载置体40的上表面实质上相同的高度。由此，与设定为与半导体激光元件30的上表面实际相同的高度的情况相比，能够缩小中继部件70的高度方向的厚度，能够减少部件费用。
半导体激光元件30与各透镜部相对应地被设置为m行n列(m≥2，n≥1)。此时，优选行方向的半导体激光元件30的数量多于列方向的半导体激光元件30的数量。而且，半导体激光元件30可以以来自多个半导体激光元件30的光(作为发光装置1的光)的分布是正方形的方式设置。由此，在将发光装置1作为投影仪的一部分使用的情况下，能够容易使发光强度的分布均匀化。
(反射镜50)
如图4A至图4D所示，发光装置1也可以在基体10上具备将半导体激光元件30的射出光向透镜部22反射的反射镜50。反射镜50被配置为半导体激光元件30的射出面(射出激光的面。以下相同。)与反射镜50相对。由此，能够延长从半导体激光元件30的光射出面射出的激光到透镜部22的射出面为止的距离(以下称“光路长度”。)。因此，能够减少透镜阵列20的光射出面的光密度，容易抑制透镜部22的集尘。另外，通过延长光路长度，与光路长度短的情况(例如，不配置反射镜50，从半导体激光元件30直接向透镜部22照射光的情况)相比，能够减少从透镜部22射出的光的强度分布的变化。这是因为通过延长光路长度，即使因半导体激光元件30的位置偏移，来自半导体激光元件30的光从相对于透镜部22的光射入面垂直以外的方向射入，也能够缩小通过透镜部22后的光的倾斜。
反射镜50的数量、形状等并不特别限定。例如，可以列状地配置多个在行方向(图1的X方向)上长度长的反射镜，也可以与多个透镜部22相对应地将多个反射镜50配置为m行n列(m≥2，n≥1)的矩阵状。在配置为矩阵状的情况下，因为对多个透镜部22分别设置一个反射镜50，因此即使某个半导体激光元件30与某个反射镜50的位置关系产生偏移，也不会影响其他半导体激光元件30与其他反射镜50的位置关系。因此，能够将一个反射镜50的安装偏移所产生的影响限制在最低程度。
反射镜50能够使用玻璃、合成石英、蓝宝石、铝等。反射镜50具有使半导体激光元件30的射出光(从半导体激光元件30射出的激光。以下相同。)反射的反射面。在反射面例如设置有电介质多层膜等反射膜。此外，在不使用反射镜50而使多个半导体激光元件30的各射出光直接射入透镜阵列20的情况下，则例如不是将反射镜50而是将多个半导体激光元件30以m行n列(m≥2，n≥1)的矩阵状配置于基体10上。
反射镜50并不特别限定，但优选位于透镜部22的顶点正下方。尤其优选反射镜50的反射部位于透镜部22的顶点正下方。这样的话，反射镜50能够将半导体激光元件30的射出光朝向透镜部22的顶点反射，因此从透镜阵列20(透镜部22)射出的光的强度分布不易发生变化。此外，这里所说的反射部是指被设置于反射镜50的反射面中反射半导体激光元件30的射出光的部分。
如图1A至图1D所示(例如，参照在位于图1A中的最靠左上的透镜部22透视地示出的半导体激光元件30以及反射镜50。)，半导体激光元件30以及反射镜50优选在俯视下被配置于比透镜部22的周缘靠内侧。这样的话，半导体激光元件30靠近反射镜50被配置，因此能够抑制从透镜部22射出的光的面积变大。
(密封部件80)
如图1A至图1D所示，发光装置1也可以在基体10与透镜阵列20之间具备密封部件80。通过设置密封部件80，与仅设置透镜阵列20的情况相比，能够提高气密密封的效果。特别是在作为半导体激光元件30使用氮化物半导体的情况下，有机物等容易被集尘到半导体激光元件30的射出面，因此密封部件80的气密密封的效果变得更加显著。
图5A是密封部件的示意俯视图。另外，图5B是图5A中的K-K剖视图，图5C是图5A中的L-L剖视图。在图5A中，为了便于理解，利用虚线透视地示出了窗部82a。如图5A至图5C所示，密封部件80具备主体部82和透光性部件84，其中主体部82具有多个窗部82a。主体部82能够使用玻璃、金属、陶瓷或者将这些材料组合而成的材料等，优选使用金属。由此，能够通过焊接等固定基体10和密封部件80，因此容易气密密封。另外，透光性部件84能够使用至少使半导体激光元件30的射出光透过的部件。主体部82、透光性部件84的形状并不特别限定。例如，在本实施方式中，主体部82在透镜阵列20侧具有凹部82b，但在作为基体10使用平板状的部件的情况下，也可以在基体10侧具有凹部82b。
对于主体部82而言，两个以上的半导体激光元件30具有一个窗部82a也可以，但优选多个半导体激光元件30分别具有一个窗部82a。这样的话，能够增加除窗部82a以外的主体部82与透光性部件84的接合面积，因此在为了气密密封基体10与主体部82而通过电阻焊接等接合的情况下，能够抑制因应力所导致的透光性部件84的破裂。
如上所述，根据实施方式1所涉及的发光装置1，多个透镜部22在行方向(图1的X方向)与列方向(图1的Y方向)上具有相同的曲率。因此，能够提供如下发光装置，其即使在透镜阵列20从规定的朝向稍微旋转地被安装的情况下，光源与透镜部22的位置关系也不易产生大的偏移，从透镜阵列20射出的光的强度分布不易发生变化。
[实施方式2所涉及的发光装置2]
图6A是实施方式2所涉及的发光装置的示意俯视图，图6B是图6A中的M-M剖视图，图6C是图6A中的N-N剖视图，图6D是图6A中的O-O剖视图。在图6A中，为了便于理解，透视地示出了被配置于最靠左上的透镜部下方的半导体激光元件30等。如图6A至图6D所示，实施方式2所涉及的发光装置2在多个透镜阵列20A、20B、20C、20D排列于列方向(图1的Y方向)并且多个透镜阵列20A、20B、20C、20D分别在行方向(图1的X方向)具有多个透镜部22这一点上与实施方式1所涉及的发光装置1不同。即使根据实施方式2，与实施方式1相同，也能够提供如下发光装置，其即使在透镜阵列20从规定的朝向稍微旋转地被安装的情况下，光源与透镜部22的位置关系也不易产生大的偏移，从透镜阵列20射出的光的强度分布不易发生变化。
[实施方式3所涉及的发光装置3]
图7表示实施方式3所涉及的发光装置3的示意俯视图。图7中用虚线表示凹部82b的外缘。另外，在图7中，对透镜阵列20被粘合剂固定于密封部件80的区域施加了阴影线。如图7所示，在发光装置3中，透镜阵列20具备将透镜部22与透镜部22彼此连接的连接部24，并且在连接部24被粘合剂固定于密封部件80。密封部件80具有朝向基体10的载置有多个半导体激光元件30的区域凹陷的凹部82b。透镜阵列20在俯视下在凹部82b的内侧具有贯通孔F，并且，在凹部82b的外侧被粘合剂固定于密封部件80。
如果透镜阵列与密封部件之间的空间为封闭空间，则在透镜阵列被含有有机物的粘合剂(例如，UV固化性粘合剂)固定的情况下，从粘合剂气化了的气体会滞留在透镜阵列与密封部件之间的空间。此时，气化了的气体所含有的有机物有与激光反应，堆积在透光性部件、透镜阵列的可能性。相对于此，如果在连接部24设置贯通孔F，则透镜阵列20与密封部件80之间的空间成为开放空间，因此容易使从粘合剂气化了的气体逸散到该空间外，并且容易抑制有机物的堆积(集尘)。开放空间是指被打开的空间。
贯通孔F优选被设置多个。而且，多个贯通孔F优选相对于透镜阵列20的中心线被线对称地设置。这样的话，因为容易在透镜阵列20与密封部件80之间的空间内形成空气流动(例如，在线对称地设置了两个贯通孔的情况下，容易形成空气从一方贯通孔流入空间内，并且空气从另一方贯通孔向该空间外流出的空气流动。)，所以能够进一步使从粘合剂气化了的气体逸散到该空间外，并且能够抑制该空间内的有机物的堆积(集尘)。另外，还能够抑制透镜阵列20与密封部件80之间的空间内的结露的产生。UV固化性粘合剂等含有有机物的粘合剂是容易吸收水分的材料，因此在透镜阵列20被UV固化性粘合剂固定的情况下，从大气中被吸收至粘合剂的水分容易滞留在密封部件80与透镜阵列20之间的空间，有可能会因使用状况而在空间内产生结露。因此，在空间内形成空气流动的上述结构能够特别优选适用于用UV固化性粘合剂等含有有机物的粘合剂将透镜阵列20固定于密封部件80的情况。
[实施方式4所涉及的发光装置4]
图8表示实施方式4所涉及的发光装置4的示意俯视图。在图8中，用实线及虚线表示凹部82b的外缘。另外，在图8中，对透镜阵列20被粘合剂固定于密封部件80的区域施加有阴影线。如图8所示，在发光装置4中，密封部件80具有朝向基体10的载置有多个半导体激光元件30的区域凹陷的凹部82b。透镜阵列20被配置为在俯视下透镜阵列20的外缘的一部分位于凹部82b的内侧(参照图8中的开口部G)，并且在凹部82b的外侧被粘合剂固定于密封部件80。即使在发光装置4中，透镜阵列20与密封部件80之间的空间也为开放空间，因此容易抑制有机物的堆积(集尘)、结露的产生。
开口部G的数量及配置只要使透镜阵列20的外缘的一部分位于凹部82b的内侧即可，并不限定于在图8中图示的数量及配置。但是，开口部G优选在俯视下被设置于透镜阵列20的外缘的两处以上(并不局限于四角。)。而且，在该情况下，这些开口部G优选被设置于相对于透镜阵列20的中心点对称的位置。这样的话，与相对于透镜阵列20的中心线被线对称地设置多个贯通孔F的情况相同，容易在透镜阵列20与密封部件80之间的空间内形成空气流动。因此，能够进一步抑制有机物的堆积(集尘)、结露的产生。
以上对实施方式3、4进行了说明，但贯通孔F、开口部G是将透镜阵列20与密封部件80之间的空间设置为开放空间的具体结构的一个例子。透镜阵列20与密封部件80之间的空间只要被打开而能够供在空间内产生的气体逸散到外部即可，并不特别限定具体如何构成这样的被打开的空间(即开放空间)。
以上对实施方式进行了说明，但技术方案所记载的结构并不被这些说明所限定。

Claims (11)

1.一种发光装置，其具备：基体；m行n列的矩阵状地具有多个透镜部的透镜阵列；以及被配置于上述基体上的多个半导体激光元件，其特征在于，
上述基体具有基部、和从上述基部突出的侧壁，由上述基部和上述侧壁形成凹部，上述基部具有形成于上述凹部内的凸部，
上述多个半导体激光元件配置于上述基部的凸部上，上述多个半导体激光元件的每一个分别与各个上述透镜部相对应地设置为m行n列的矩阵状，
上述多个半导体激光元件分别射出激光，各激光分别向各个透镜部的光射入面射入，
其中，m≥2，n≥1，
上述发光装置还具备设置于上述基体与上述透镜阵列之间的密封部件，
上述密封部件具有：
主体部，该主体部在上述透镜阵列侧具有凹部；以及
透光性部件，该透光性部件使从上述半导体激光元件射出的激光透过。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述基部由金属材料制成。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，
上述基部的金属材料为铁、铁合金、铜、或者它们的组合。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述透镜阵列在上述密封部件的上述主体部的上述凹部的外侧被粘合剂固定于密封部件。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述密封部件的主体部由金属材料制成。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述透镜部在行方向与列方向上具有相同的曲率。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
各激光在上述多个透镜部的各光射入面具有与行方向上相比列方向上宽度变宽的光束形状，
与相邻的上述半导体激光元件相对应的上述透镜部的行方向的顶点间距离比各个透镜部的最大外径和与相邻的上述半导体激光元件相对应的上述透镜部的列方向的顶点间距离中的任一个都小。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
还具备载置体，
上述半导体激光元件经由上述载置体配置于上述基部的凸部上。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
还具备被配置于上述基体上的多个反射镜，
上述多个反射镜的每一个被配置为分别与各个上述透镜部相对应地设置为矩阵状，并且与上述半导体激光元件的射出上述激光的射出面相面对。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，
被配置为相面对的上述半导体激光元件以及反射镜在俯视下被配置于比所对应的透镜部的周缘部靠内侧。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述发光装置被作为投影仪的一部分使用。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019504455A (ja) * 2016-01-21 2019-02-14 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ コリメータ及びコリメータ構成物
WO2018043752A1 (ja) * 2016-09-05 2018-03-08 古河電気工業株式会社 レーザ装置及び光源装置
WO2018100758A1 (ja) * 2016-11-30 2018-06-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光学系、及び光源装置
US10862276B2 (en) * 2017-08-31 2020-12-08 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device and light emitting device
US10431959B2 (en) * 2017-10-02 2019-10-01 Nichia Corporation Light emitting device and optical device
JP6737760B2 (ja) * 2017-10-20 2020-08-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれに用いる蓋体
US20190121133A1 (en) * 2017-10-23 2019-04-25 North Inc. Free space multiple laser diode modules
WO2019106549A1 (en) * 2017-11-30 2019-06-06 Corvi Led Private Limited Light assembly module and light assembly module system
JP6848931B2 (ja) 2018-04-23 2021-03-24 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
JP6939690B2 (ja) 2018-04-23 2021-09-22 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
US11226078B2 (en) * 2018-04-23 2022-01-18 Stanley Electric Co., Ltd. Vehicular lamp fitting
JP2019204878A (ja) * 2018-05-23 2019-11-28 セイコーエプソン株式会社 光源装置、プロジェクター、および光源装置の製造方法
JP7011169B2 (ja) 2018-05-29 2022-02-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10811581B2 (en) 2018-06-15 2020-10-20 Nichia Corporation Method of manufacturing semiconductor device
JP7428129B2 (ja) * 2018-08-15 2024-02-06 ソニーグループ株式会社 発光装置および投射型表示装置
JP7110851B2 (ja) * 2018-09-10 2022-08-02 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
JP7163693B2 (ja) 2018-09-26 2022-11-01 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
DE112019005205A5 (de) * 2018-10-17 2021-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laservorrichtung und verfahren zur herstellung einer laser-vorrichtung
JP7244745B2 (ja) * 2019-02-15 2023-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置、及び、光学装置
JP7332860B2 (ja) * 2019-05-29 2023-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110107861A (zh) * 2019-06-05 2019-08-09 华域视觉科技(上海)有限公司 车辆照明装置
WO2021029371A1 (ja) * 2019-08-09 2021-02-18 京セラ株式会社 光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュール
JP7295426B2 (ja) 2019-09-13 2023-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN112825410A (zh) * 2019-11-19 2021-05-21 青岛海信激光显示股份有限公司 激光器
CN112825411A (zh) * 2019-11-19 2021-05-21 青岛海信激光显示股份有限公司 激光器
CN116195147A (zh) * 2020-08-27 2023-05-30 青岛海信激光显示股份有限公司 激光器
US11751298B2 (en) 2022-01-07 2023-09-05 Nichia Corporation Light-emitting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203192797U (zh) * 2013-02-20 2013-09-11 东芝照明技术株式会社 发光装置以及照明装置
CN103389614A (zh) * 2012-05-11 2013-11-13 优志旺电机株式会社 光源装置及投影仪

Family Cites Families (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381992A (ja) 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Tobu Semiconductor Ltd 光電子装置
US5139609A (en) 1991-02-11 1992-08-18 The Aerospace Corporation Apparatus and method for longitudinal diode bar pumping of solid state lasers
JPH06230203A (ja) 1993-02-04 1994-08-19 Omron Corp 光学素子及びその製造方法、当該光学素子を製造するためのスタンパ並びに当該光学素子を使用した画像表示装置
JP2746809B2 (ja) 1993-02-24 1998-05-06 京セラ株式会社 光半導体素子収納用パッケージ
JPH07174997A (ja) 1993-12-17 1995-07-14 Fuji Xerox Co Ltd 光走査装置
JP3327042B2 (ja) 1995-04-17 2002-09-24 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置
TW434444B (en) 1996-10-30 2001-05-16 Seiko Epson Corp Projection display and illuminating optical system for it
JPH10256648A (ja) 1997-03-13 1998-09-25 Hitachi Ltd レーザダイオード・モジュール
TW457732B (en) * 1999-08-27 2001-10-01 Lumileds Lighting Bv Luminaire, optical element and method of illuminating an object
US20030043582A1 (en) 2001-08-29 2003-03-06 Ball Semiconductor, Inc. Delivery mechanism for a laser diode array
US6975659B2 (en) * 2001-09-10 2005-12-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser diode array, laser device, wave-coupling laser source, and exposure device
WO2003077389A1 (fr) 2002-03-08 2003-09-18 Sharp Kabushiki Kaisha Appareil a source lumineuse et module de communication optique le comprenant
US6960035B2 (en) * 2002-04-10 2005-11-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser apparatus, exposure head, exposure apparatus, and optical fiber connection method
JP4213402B2 (ja) 2002-05-23 2009-01-21 富士フイルム株式会社 集光レンズ、合波レーザー光源および露光装置
DE102004051362A1 (de) 2004-10-21 2006-04-27 Harvatek Corp. Gehäuseaufbau fotoelektrischer Halbleiter
US8097221B2 (en) * 2005-01-21 2012-01-17 Multisorb Technologies, Inc. Lamp assembly
WO2006095949A1 (en) 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
JP2006284851A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd レンズホルダおよびそれを用いたレーザアレイユニット
JP4503497B2 (ja) * 2005-06-20 2010-07-14 日立マクセル株式会社 照明装置及び表示装置
JP2007019301A (ja) 2005-07-08 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp 合波レーザ光源およびその調整方法
DE102005036266A1 (de) 2005-07-11 2007-01-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein Laserdiodenbauelement, Laserdiodenbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserdiodenbauelements
JP2007027471A (ja) 2005-07-19 2007-02-01 Fuji Xerox Co Ltd 半導体レーザ装置およびこれを用いた光送信装置
TWI280332B (en) * 2005-10-31 2007-05-01 Guei-Fang Chen LED lighting device
EP1830443B1 (en) 2006-03-03 2016-06-08 Fraunhofer USA, Inc. High power diode laser having multiple emitters and method for its production
JP2007250817A (ja) 2006-03-16 2007-09-27 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ
JP2007266484A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Sharp Corp アイセーフレーザ光源装置およびそれを用いた通信機器ならびに照明機器
US7625103B2 (en) * 2006-04-21 2009-12-01 Cree, Inc. Multiple thermal path packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
JP2007305736A (ja) 2006-05-10 2007-11-22 Seiko Epson Corp 光モジュールの製造方法
JP4771872B2 (ja) 2006-06-15 2011-09-14 シャープ株式会社 半導体レーザ光源装置およびそれを用いた通信機器ならびに照明機器
JP2008015036A (ja) 2006-07-03 2008-01-24 Fuji Xerox Co Ltd 光サブアッセンブリ、光モジュール、および光サブアッセンブリの製造方法
JP4927763B2 (ja) 2007-03-14 2012-05-09 株式会社エンプラス 光モジュール用ホルダ、光モジュールおよび光コネクタ
JP2009080978A (ja) 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
KR20110025896A (ko) * 2008-06-23 2011-03-14 파나소닉 주식회사 발광장치, 면 발광장치 및 표시장치
JP5439764B2 (ja) 2008-08-18 2014-03-12 セイコーエプソン株式会社 固体光源装置、プロジェクタ、モニタ装置
US8957601B2 (en) * 2008-09-18 2015-02-17 Lumastream Canada Ulc Configurable LED driver/dimmer for solid state lighting applications
EP2457016B1 (en) * 2009-07-23 2014-06-04 Fraen Corporation Area lighting devices and methods
JP2011049338A (ja) 2009-08-27 2011-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置および光装置
US20110063836A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Glp German Light Products Gmbh Support structure for a plurality of lenses, lens, lens system, and optical system
US20110068354A1 (en) * 2009-09-19 2011-03-24 SHILED Group International High power LED lighting device using high extraction efficiency photon guiding structure
CN102053418A (zh) * 2009-11-05 2011-05-11 璨飞光学（苏州）有限公司 增光片及背光模块
CN102135239B (zh) * 2010-01-21 2013-01-23 财团法人工业技术研究院 照明装置及其光学元件模块
WO2011142059A1 (ja) 2010-05-12 2011-11-17 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
TWM389218U (en) * 2010-05-28 2010-09-21 Genius Electronic Optical Co Ltd Optical light-emitting device
JP5697924B2 (ja) 2010-08-26 2015-04-08 株式会社小糸製作所 発光装置
JP5881185B2 (ja) * 2010-08-31 2016-03-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 実質的に密閉されたｌｅｄを備えるｌｅｄ型照明ユニット
WO2012055046A1 (en) * 2010-10-27 2012-05-03 Dbm Reflex Enterprises Inc. Lens array assembly for solid state light sources and method
JP5636877B2 (ja) 2010-10-28 2014-12-10 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
WO2012101547A1 (en) * 2011-01-25 2012-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-based modular assembly
KR101847939B1 (ko) * 2011-03-08 2018-04-11 삼성전자주식회사 발광소자 모듈
EP2750181B1 (en) 2011-08-22 2016-06-01 Kyocera Corporation Optical semiconductor device
JP5910850B2 (ja) * 2011-09-07 2016-04-27 カシオ計算機株式会社 光源装置、プロジェクタ、及び、光源装置の製造方法
FR2983559A1 (fr) * 2011-12-05 2013-06-07 Fred & Fred Element lumineux
US20130170174A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Intematix Technology Center Corp. Multi-cavities light emitting device
JP6078956B2 (ja) 2012-02-29 2017-02-15 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター及びレンズアレイ
DE102012205513B4 (de) 2012-04-04 2021-12-09 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung und Strahlungsanordnung
US8897327B2 (en) 2012-04-16 2014-11-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode devices
JP2013236010A (ja) 2012-05-10 2013-11-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2013254889A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Idec Corp 光源装置および照明装置
US8974077B2 (en) * 2012-07-30 2015-03-10 Ultravision Technologies, Llc Heat sink for LED light source
US20140063802A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical System for LEDs for Controlling Light Utilizing Reflectors
JP6089616B2 (ja) 2012-11-20 2017-03-08 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター
CN103912820B (zh) * 2013-01-01 2018-03-06 深圳市光峰光电技术有限公司 发光装置及其相关显示系统
DE102013104728A1 (de) 2013-05-07 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung
DE102013224420A1 (de) 2013-05-13 2014-11-13 Osram Gmbh Laserbauelement und Verfahren zur seiner Herstellung
DE102013209919A1 (de) 2013-05-28 2014-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einem Gehäuse mit mehreren Öffnungen
WO2015077384A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 Robe Lighting, Inc. Luminaire with articulated leds
US9464778B2 (en) * 2014-01-21 2016-10-11 Cree, Inc. Lighting device utilizing a double fresnel lens
CN106164585B (zh) * 2014-04-04 2020-03-10 Lg伊诺特有限公司 照明模块和包括该照明模块的照明设备
PT2966346T (pt) * 2015-01-26 2017-06-29 Schreder Melhorias em arranjos matriciais de lentes ou relacionadas com arranjos matriciais de lentes
WO2016124385A1 (en) * 2015-02-05 2016-08-11 Philips Lighting Holding B.V. Led module
DE102015208171A1 (de) * 2015-05-04 2016-11-10 Osram Gmbh Bestrahlungsvorrichtung mit Strahlungseinheit
JP6737760B2 (ja) * 2017-10-20 2020-08-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれに用いる蓋体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103389614A (zh) * 2012-05-11 2013-11-13 优志旺电机株式会社 光源装置及投影仪
CN203192797U (zh) * 2013-02-20 2013-09-11 东芝照明技术株式会社 发光装置以及照明装置

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