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Die Erfindung betrifft eine Laserdiodenvorrichtung.
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Halbleiterlaser weisen eine starke Temperaturempfindlichkeit und eine damit verbundene Beeinträchtigung ihres Wirkungsgrades auf, was zu einer Limitierung der maximalen erzielbaren optischen Abstrahlleistung führt.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine Laserdiodenvorrichtung mit effizienter Wärmespreizung im Bauelement und einer erhöhten optischen Abstrahlleistung anzugeben.
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Diese Aufgaben werden durch eine Laserdiodenvorrichtung gemäß dem unabhängigen Patentanspruch gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
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Gemäß einer Ausgestaltung umfasst die Laserdiodenvorrichtung einen Träger mit einer Trägeroberseite.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Laserdiodenvorrichtung insbesondere zumindest einen Laserdiodenchip, welcher vorteilhaft an der Trägeroberseite angeordnet ist, wobei der Laserdiodenchip im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch eine Abstrahlfläche emittiert. Der Laserdiodenchip kann unmittelbar auf der Trägeroberseite angeordnet sein oder mittels einer Montageplatte auf der Trägeroberseite angeordnet sein. Vorzugsweise verläuft die Abstrahlfläche senkrecht zur Trägeroberseite. Die Abstrahlfläche ist beispielsweise eine Seitenfläche des Laserdiodenchips. Somit emittiert der Laserdiodenchip die Strahlung vorzugsweise in eine Abstrahlrichtung, welche parallel zur Hauptebene der Trägeroberseite verläuft.
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Die Abstrahlfläche ist diejenige Fläche des Laserdiodenchips, durch die zumindest ein Großteil der im Betrieb des Laserdiodenchips emittierten Strahlung den Laserdiodenchip verlässt. Bei dem Laserdiodenchip handelt es sich dann insbesondere um einen kantenemittierenden Laserdiodenchip.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung ist der Laserdiodenchip insbesondere dazu eingerichtet, im Betrieb elektromagnetische Strahlung im Spektralbereich zwischen UV-Strahlung und Infrarotstrahlung zu emittieren. Beispielsweise kann der Laserdiodenchip dazu eingerichtet sein, UV-Strahlung, blaues Licht, grünes Licht, rotes Licht oder Infrarotstrahlung im Betrieb zu emittieren. Insbesondere handelt es sich bei dem Laserdiodenchip um einen Laserdiodenchip, der auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert.
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Auf Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierend bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass eine Halbleiterschichtenfolge des Laserdiodenchips oder zumindest ein Teil davon, besonders bevorzugt zumindest eine aktive Zone und/oder ein Aufwachssubstratwafer, ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise AlnGamIn1-n-mN aufweist oder aus diesem besteht, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
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Der Laserdiodenchip kann insbesondere eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge aufweisen, die eine aktive Schicht umfasst, die beispielsweise auf der Basis von AlGaInN und/oder InGaN gebildet ist. Die aktive Schicht ist dann dazu eingerichtet, im Betrieb elektromagnetische Strahlung aus dem Spektralbereich von ultravioletter Strahlung bis zu grünem Licht zu emittieren. Der Laserdiodenchip kann als aktive Schicht beispielsweise einen herkömmlichen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur oder eine Quantentopfstruktur, besonders bevorzugt eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweisen. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
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Der Laserdiodenchip zeichnet sich dabei insbesondere durch eine hohe optische Ausgangsleistung aus. Beispielsweise beträgt die optische Ausgangsleistung des Laserdiodenchips mindestens 0.1 W.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Laserdiodenvorrichtung zumindest ein optisches Element, welches vorteilhaft die vom Laserdiodenchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise senkrecht zur Trägeroberseite umlenkt.
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Durch das optische Element wird vorteilhafterweise zumindest ein Teil der durch die Abstrahlfläche des Laserdiodenchips abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung aus der Laserdiodenvorrichtung mittels optischer Brechung und/oder Reflexion umgelenkt. Nach dem Auftreffen der emittierten elektromagnetischen Strahlung auf das optische Element erfolgt vorteilhaft eine Umlenkung in einem Winkel von vorzugsweise 90° zur Trägeroberseite. Ferner können durch das optische Element insbesondere Form und Richtung des abgestrahlten Lichtstrahls beeinflusst werden.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Laserdiodenvorrichtung vorteilhaft eine Montageplatte, welche vorteilhafterweise auf der Trägeroberseite angeordnet ist und diese zumindest teilweise bedeckt, wobei sich die Montageplatte zwischen dem zumindest einen Laserdiodenchip und dem Träger befindet.
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Die Montageplatte ist vorzugsweise so auf der Trägeroberseite angeordnet, dass eine Hauptebene der Montageplatte parallel zur Trägeroberseite verläuft. Bevorzugt weist die Montageplatte eine ebene Oberfläche auf, wodurch eine vorteilhaft ebene Anordnung von Bauteilen der Laserdiodenvorrichtung auf der Montageplatte ermöglicht wird.
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Der Laserdiodenchip wird vorzugsweise mit seiner größten Außenfläche auf der Montageplatte angeordnet. Somit ergibt sich vorteilhaft der größtmöglichste Flächenkontakt des Laserdiodenchips mit der Montageplatte, wodurch die Ableitung der Wärme vom Laserdiodenchip zur Montageplatte vergrößert wird. Einen solche Ausführung ermöglicht eine direkte Wärmeableitung vom Laserdiodenchip zur Montageplatte. Damit wird eine sehr gute thermische Anbindung des Laserdiodenchips an die Montageplatte und den Träger bewirkt. Durch die vorteilhaft erzielte Effizienzsteigerung des Wärmeabtransports vom Laserdiodenchip ist eine Anwendung mehrerer Laserdiodenchips im Bauelement ermöglicht, ohne dass nennenswerte Kopplungseffekte zwischen den Laserdiodenchips auftreten. Weiterhin ist dadurch der Laserdiodenchip so ausgerichtet, dass eine Abstrahlrichtung der elektromagnetische Strahlung parallel zur Hauptebene der Montageplatte verläuft, wodurch die Abstrahlfläche des Laserdiodenchips senkrecht zur Montageplatte steht.
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Weiterhin zeichnet sich die Montageplatte vorteilhaft durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus, was zu einer effizienten Wärmespreizung in der Montageplatte führt.
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Somit tritt vorteilhaft durch die hohe Wärmeleitfähigkeit der Montageplatte ein verstärkter Wärmetransport vom im Betrieb wärmeabgebenden Laserdiodenchip zum Träger auf.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung wird die Montageplatte durch eine Cu-Platte gebildet.
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Die Montageplatte kann vorteilhaft eine Dicke von 100 µm bis wenigen mm aufweisen.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung weist die Montageplatte bevorzugt eine Dicke von mindestens 0.5 mm und höchstens 2 mm auf.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung ist der zumindest eine Laserdiodenchip auf einem Chipträger angeordnet.
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Der Chipträger ist vorzugsweise als dünne Platte mit einer ebenen Oberfläche ausgebildet und dient dem jeweiligen Laserdiodenchip als Unterbau bei der Montage. Vorteilhaft ist der Chipträger aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit ausgebildet. Dadurch ist vorteilhafterweise weiterhin ein effizienter Abtransport von Wärme vom Laserdiodenchip zum Träger gewährleistet. Der Chipträger bewirkt vorzugsweise eine elektrische Isolation des Laserdiodenchips vom Träger. Hierzu ist das Material des Chipträgers vorzugsweise ein dielektrisches Material und umfasst insbesondere kein Metall. Beispielsweise umfasst das Chipträgermaterial eine Keramik wie beispielsweise AlN. Auf jedem Chipträger ist vorzugsweise nur ein Laserdiodenchip angeordnet. Durch die Anwendung von Chipträgern können Laserdiodenchips vorteilhafterweise schnell, einfach und gut fixiert montiert werden, wobei sich vorteilhafterweise mehrere Laserdiodenchips auf der Trägeroberseite anordnen und auf das optische Element richten lassen.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung ist das optische Element ein Prisma. Die Anwendung eines Prismas kann vorteilhaft zur Lichtstrahlumlenkung durch Brechung genutzt werden. Beispielsweise können Lichtstrahlen von mehreren Laserdiodenchips vorteilhafterweise derart durch ein oder mehrere Prismen umgelenkt werden, dass die Lichtstrahlen räumlich getrennt voneinander verlaufen oder sich teilweise oder ganz überlagern.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung ist das optische Element ein Spiegel. Als eine alternative Möglichkeit zur Umlenkung von emittierten Lichtstrahlen des zumindest einen Laserdiodenchips, ermöglicht die Anwendung von zumindest einem Spiegel als optisches Element vorteilhaft eine Ausrichtungsmöglichkeit der umgelenkten Lichtstrahlen durch Reflexion. Der Spiegel zeichnet sich vorteilhaft durch eine hohe Reflektivität aus, so dass bei der Umlenkung des Laserlichts durch Reflexion nahezu keine Verluste auftreten.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung ist das optische Element ein Polarisationswürfel. Um unterschiedlich polarisiertes Laserlicht von der Abstrahlrichtung der Laserdiodenchips abzulenken und zumindest teilweise zu überlagern, wird beispielsweise ein Polarisationswürfel als optisches Element genutzt.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung ist zwischen dem Laserdiodenchip und dem optischen Element zumindest eine Verzögerungsplatte angeordnet. Eine Verzögerungsplatte kann vorteilhaft zwischen einem Laserdiodenchip und dem optischen Element auf der Trägeroberseite angeordnet sein. Die Verzögerungsplatte kann beispielsweise auch als Folie ausgebildet sein und vorteilhaft auf das optische Element aufgebracht werden. Durch die Anwendung von zumindest einer Verzögerungsplatte ist vorteilhaft die Erzeugung von unterschiedlich polarisierten Licht mittels baugleicher Laserdiodenchips erzielbar.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung ist die Verzögerungsplatte eine λ/2-Platte.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung sind auf der Trägeroberseite mehrere Laserdiodenchips angeordnet.
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Eine Kombination mehrerer Laserdiodenchips ermöglicht vorteilhafterweise eine Steigerung der abgestrahlten Lichtintensität, indem das emittierte Licht jedes einzelnen Laserdiodenchips durch ein optisches Element in eine vorzugsweise gemeinsame Abstrahlrichtung umgelenkt wird. Vorteilhaft können Laserdiodenchips gleicher Bauart verwendet werden. Beispielsweise kann so Licht der selben Wellenlänge aus mehreren Laserdiodenchips zu einem Gesamtemissionsstrahl hoher Intensität zusammengeführt werden. Alternativ dazu ist es vorteilhafterweise auch möglich Verzögerungselemente, Wellenplatten, Wellenfolien oder Konversionselemente zwischen die jeweiligen Laserdiodenchips und das optische Element zur Umlenkung des Emissionsstrahls zu positionieren. Dadurch kann vorteilhafterweise eine Überlagerung von mehreren Wellenlängen erreicht werden.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung sind die Laserdiodenchips so auf das optische Element gerichtet, dass sich durch das optische Element umgelenkte Lichtstrahlenbündel der Laserdiodenchips zumindest teilweise überschneiden.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung sind die Laserdiodenchips so auf das optische Element gerichtet, dass sich durch das optische Element umgelenkte Lichtstrahlenbündel der Laserdiodenchips nicht überschneiden.
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Bei dieser Anordnung der Laserdiodenchips, ergibt eine Umlenkung durch das optische Element räumlich voneinander getrennte Lichtstrahlenbündel. Dabei sind die Umlenkflächen des optischen Elements nicht auf den selben Abstrahlpunkt gerichtet.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung weisen die Laserdiodenchips verschiedene Emissionswellenlängen auf.
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Zusätzlich zu der Anwendung von Verzögerungsplatten können zum Erzeugen unterschiedlicher Emissionswellenlängen der Laserdiodenvorrichtung vorteilhafterweise auch die Laserdiodenchips selbst unterschiedliche Wellenlängen emittieren. Dies bietet insbesondere die Möglichkeit, auf ein breites Spektrum an Wellenlängen zurückzugreifen.
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Es setzen sich somit vorteilhaft die getrennten Lichtstrahlenbündel jeweils aus dem Licht mehrerer Laserdiodenchips zusammen. Dabei können die Lichtstrahlenbündel zumindest teilweise aus Licht jeweils der selben Wellenlänge/Polarisation oder unterschiedlicher Wellenlängen/Polarisation überlagert sein.
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Somit ist es vorteilhafterweise möglich, dass eine einzige Laserdiodenvorrichtung die Rolle mehrerer Lichtquellen übernimmt.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung, umfasst die Laserdiodenvorrichtung ein Gehäuse, welches ein TO-Gehäuse ist.
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Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiodenvorrichtung ist das TO-Gehäuse dicht gegenüber der Umgebung und insbesondere hermetisch verschlossen. Dabei ist das Gehäuse vorteilhaft mit einem Schutzgas befüllt oder evakuiert.
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Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
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Die 1, 1a, 2, 2a, 3, 3a, 3b und 4 zeigen jeweils eine Laserdiodenvorrichtung gemäß den Ausführungsbeispielen der Erfindung.
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Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die in den Figuren dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
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1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer hier beschriebenen Laserdiodenvorrichtung 10 in einer schematischen Seitendarstellung. Die Laserdiodenvorrichtung 10 umfasst einen Träger 1, welcher vorliegend aus Stahl gebildet ist. Eine Montageplatte 3 ist auf einer Trägeroberseite 11 befestigt, wobei die Montageplatte 3 die Trägeroberseite 11 teilweise abdeckt. Vorliegend ist die Montageplatte 3 aus Kupfer ausgebildet, wodurch eine hohe Wärmeleitfähigkeit gegeben ist. Weiterhin durchstoßen insbesondere zwei elektrisch voneinander und vorteilhaft von dem Träger 1 sowie von der Montageplatte 3 isolierte Kontaktstäbe 9a und 9b den Träger 1 und die Montageplatte 3, wobei sich diese in der schematischen Seitenansicht der 1 gegenseitig verdecken und daher in der 1 nur der Kontaktstab 9a gezeigt wird. Die beispielhafte Position beider Kontaktstäbe 9a und 9b wird in einer Draufsicht auf die Montageplatte 3 in 3 gezeigt.
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Die Laserdiodenvorrichtung 10 weist einen Laserdiodenchip 4 auf, welcher insbesondere ein aus epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichten gebildeter InGaN-Laser ist. Vorteilhaft handelt es sich um einen Kantenemitter, welcher im Betrieb elektromegnatische Strahlung durch eine Abstrahlfläche 5 emittiert, wobei es sich bei der Abstrahlfläche 5 um eine Seitenfläche des Laserdiodenchips 4 handelt. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel emittiert der Laserdiodenchip 4 elektromagnetische Strahlung parallel zu einer Hauptebene der Montageplatte 3.
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Der Laserdiodenchip 4 ist derart ausgebildet, dass er mit einer Längsseite auf einem Chipträger 7 aufgebracht ist, wobei diese Längsseite vorteilhafterweise die größte Oberfläche des Laserdiodenchips 4 bildet. Weiterhin ist die Abstrahlfläche 5 senkrecht auf dem Chipträger 7 stehend.
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Der Chipträger 7 dient insbesondere als Unterbau für den Laserdiodenchip 4, isoliert den Laserdiodenchip 4 vorteilhafterweise elektrisch von dem Träger und ist zum Beispiel aus AlN ausgebildet. Weiterhin kann eine elektrische Kontaktierung des Laserdiodenchips 4 mittels Bonddrahtverbindungen von den Kontaktstäben 9a und 9b aus erfolgen, was jedoch nicht in der 1 dargestellt ist. Die Ausbildung des Chipträgers 7 aus AlN zeichnet sich durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und somit eine effektive thermische Anbindung des Laserdiodenchips 4 an die Montageplatte 3 aus. Somit wird im Betrieb eine effiziente Wärmeableitung vom Laserdiodenchip 4 auf die Montageplatte 3 und eine weitere Wärmespreizung in der Montageplatte 3 erzielt, wobei weiterhin eine Wärmeableitung aus der Montageplatte 3 in den Träger 1 stattfindet.
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Auf der Montageplatte 3 ist ein optisches Element 6 angeordnet, welches insbesondere ein Prisma umfasst. Das Prisma dient vorteilhaft zur Umlenkung der vom Laserdiodenchip 4 emittierten elektromagnetischen Strahlung mittels Brechung. Die Umlenkung erfolgt vorzugsweise in eine der Montageplatte 3 und der Trägeroberseite 11 abgewandte Richtung A.
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Die 1a zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung das Ausführungsbeispiel der 1, wobei auf dem Träger 1 ein Gehäuse 2 angebracht ist. Das Gehäuse 2 weist vorteilhaft eine Öffnung in Abstrahlrichtung über dem optischen Element 6 auf.
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In Verbindung mit der 2 ist anhand einer schematischen Schnittdarstellung ein Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 1 zwei Laserdiodenchips 4 und eine Verzögerungsplatte 8 auf der Montageplatte 3 angeordnet sind. Die Laserdiodenchips 4 können vorteilhaft baugleich sein und elektromagnetische Strahlung der selben Wellenlänge emittieren oder alternativ dazu in Bauweise verschieden sein und unterschiedliche Emissionswellenlängen aufweisen. Vorteilhaft ist jeder der beiden Laserdiodenchips 4 mit seinem eigenen Chipträger 7 auf der Montageplatte 3 montiert und emittiert durch die Abstrahlfläche 5 Strahlung in Richtung des optischen Elements 6. Bei dem optischen Element 6 kann es sich vorteilhaft um ein Prisma handeln, das vorzugsweise achsensymmetrisch bezüglich seiner Mittelachse von zwei gegenüberliegenden Laserdiodenchips 4 bestrahlt wird, wobei zwischen einem Laserdiodenchip 4 und dem Prisma eine Verzögerungsplatte 8 auf der Montageplatte 3 montiert ist. Alternativ dazu kann es sich bei dem optischen Element 6 auch um zwei Spiegel handeln, wobei die zwei Spiegelflächen jeweils die zwei Umlenkflächen des Prismas ersetzen. Bei der Verzögerungsplatte 8 handelt es sich insbesondere um eine λ/2-Platte, welche derart vor dem Laserdiodenchip 4 positioniert ist, dass die Verzögerungsplatte 8 die gesamte emittierte Strahlung des einen Laserdiodenchips 4 erfasst. Die Umlenkung der Strahlung der Laserdiodenchips in die der Trägeroberseite 11 abgewandte Richtung kann vorteilhaft zu einer zumindest teilweisen Überlagerung oder einer räumlich getrennten Abstrahlung der zwei umgelenkten Laserstrahlenbündel unterschiedlicher Wellenlänge und Polarisation führen.
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2a zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung ein Ausführungsbeispiel, welches sich dadurch von dem Ausführungsbeispiel der 2 unterscheidet, dass kein Verzögerungselement 8 zwischen einem der beiden Laserdiodenchips 4 und dem optischen Element 6 angeordnet ist. Das optische Element 6, bei welchem es sich vorliegend um ein Prisma handelt, lenkt die Lichtstrahlenbündel der beiden Laserdiodenchips 4 in eine Abstrahlrichtung A um. Die beiden Laserdiodenchips 4 können vorteilhafterweise so mit den Abstrahlflächen 5 auf das optische Element 6 gerichtet sein, dass sich die umgelenkten Lichtstrahlenbündel zumindest teilweise überdecken oder räumlich getrennt voneinander verlaufen. Eine mögliche zumindest teilweise Überdeckung der umgelenkten Lichtstrahlenbündel der selben Emissionswellenlänge ergibt vorteilhafterweise eine Verstärkung der abgestrahlten optischen Leistung der Laserdiodenvorrichtung 10. Alternativ dazu ist es möglich zwei Lichtstrahlenbündel unterschiedlicher Wellenlänge zumindest teilweise zu überlagern oder räumlich getrennt voneinander abzustrahlen.
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Das Ausführungsbeispiel der 3 zeigt eine Laserdiodenvorrichtung 10 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 2 in einer Draufsicht entgegen der Emissionsrichtung A. Die Montageplatte 3 deckt zumindest einen Teil der Trägeroberseite 11 ab. Die beiden Laserdiodenchips 4 sind auf ihren jeweiligen Chipträgern 7 montiert und vorteilhafterweise einander gegenüberliegend bezüglich der Mittelachse des optischen Elements 6 auf einer Verbindungslinie D angeordnet. Ein genaues Gegenüberliegen der Laserdiodenchips 4 auf einer Achse D ergibt nach Umlenkung der Lichtstrahlenbündel durch ein optisches Element 6 eine zumindest teilweise Überlagerung der Lichtstrahlenbündel. Vorliegend ist zwischen einem der Laserdiodenchips 4 und dem optischen Element 6 eine Verzögerungsplatte 8 auf der Montageplatte 3 positioniert. Alternativ zu der vorliegenden Anwendung eines Prismas, kann vorteilhaft auch ein Polarisationswürfel als optisches Element 6 verwendet werden. Durch einen Polarisationswürfel ist es möglich die umgelenkten Lichtstrahlenbündel als unterschiedlich polarisierte Lichtstrahlenbündel vollständig miteinander zu überdecken.
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Die elektrische Kontaktierung der Laserdiodenchips 4 wird vorteilhaft mittels zweier Kontaktstäbe 9a und 9b erzielt. Vorliegend durchstoßen beide Kontaktstäbe 9a und 9b den Träger 1 und die Montageplatte 3 vorzugsweise seitlich beabstandet vom optischen Element 6 und einander bezüglich der Achse D gegenüberliegend, wobei sie elektrisch isoliert von dem Träger 1 und der Montageplatte 3 sind. Weiterhin kann eine Kontaktierung durch die Kontaktstäbe 9a und 9b mit den Laserdiodenchips 4 und mit den Chipträgern 7 vorzugsweise mittels Bonddrahtverbindungen erfolgen.
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3a zeigt eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer Laserdiodenvorrichtung 10, welches sich von der 3 in der Anzahl der Laserdiodenchips 4 und der Chipträger 7 unterscheidet. Vorliegend sind vier Laserdiodenchips 4 auf vier Chipträgern 7 mit den Abstrahlflächen 5 auf ein optisches Element 6, vorzugsweise ein Prisma, gerichtet. Eine Verzögerungsplatte 8 umfasst das Ausführungsbeispiel der 3a nicht. Die vier Laserdiodenchips können gleicher Bauart sein und gleiche Emissionswellenlängen aufweisen oder verschiedener Bauart sein und unterschiedlichen Emissionswellenlängen aufweisen.
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Durch die effektive Ableitung der Wärme aus den Laserdiodenchips 4 und die Wärmespreizung in der Montageplatte 3, ergeben sich an den Laserdiodenchips keine Kopplungseffekte sowie Beeinträchtigungen durch überschüssige Wärme. Je nach der Ausrichtung des optischen Elements ist es somit möglich die umgelenkten Lichtstrahlenbündel der einzelnen Laserdiodenchips zumindest teilweise zu überlagern oder räumlich getrennt abzustrahlen.
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3b zeigt eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels gemäß einer Abwandlung der Laserdiodenvorrichtung 10 gemäß der 3, wobei die zwei Laserdiodenchips 4 auf ihren Chipträgern 7 sich auf gegenüberliegenden Seiten bezüglich des optischen Elements 6 befinden, jedoch einander vorteilhaft nicht direkt gegenüberliegend sind und somit nicht auf der Verbindungsachse D liegen. Eine Umlenkung der Lichtstrahlenbündel durch ein Prisma ergibt daher zwei räumlich voneinander getrennte Lichtstrahlenbündel.
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4 zeigt eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels gemäß einer weiteren Abwandlung der Laserdiodenvorrichtung 10 gemäß 3, wobei zwei optische Elemente 6 auf der Montageplatte 3 angeordnet sind. Vorzugsweise handelt es sich bei den zwei optischen Elementen um zwei Prismen oder Spiegel. Bevorzugt liegen die Frontflächen der optischen Elemente, welche die von den Laserdiodenchips 4 emittierte Strahlung umlenken, für beide optische Elemente parallel nebeneinander und sind auf den jeweiligen Laserdiodenchip ausgerichtet, somit liegen sie zwischen den Randlinien K und L. Weiterhin weisen beide Frontflächen der optischen Elemente vorzugsweise den gleichen Anstellwinkel bezüglich der Montageplatte auf. Die daraus resultierende Umlenkung der emittierten Strahlung der Laserdiodenchips 4 ergibt zwei Lichtstrahlenbündel, welche räumlich getrennt und parallel nebeneinander liegen.
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Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
