JP7239806B2 - 光源装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体レーザを備えた光源装置に関する。

従来、半導体レーザを備えた光源装置の中には、反射光学素子に反射された各光ビームの偏光方向が互いに平行となるように、予め活性層を基準軸方向と平行になるように配置することが提案されていた（例えば、特許文献１参照）。

特開２００２－１５６５９４号公報

このような偏光方向の一致が望まれる用途には、例えばプロジェクタやディスプレイ等の表示装置がある。これらの表示装置に搭載された半導体レーザから出射されるレーザ光の偏光方向が略平行でない場合、液晶ディスプレイやプロジェクタ内の偏光フィルタを透過できない光が生じ、損失につながる。
しかし、異なる波長の半導体レーザを１つの基板上に配置するような場合、半導体レーザの種類や出射光の波長域等によっては、特許文献１に記載のように、予め出射光の偏光方向が一致するように配置することが困難な場合もある。

本開示は、上記問題に鑑みてなされたものであり、各半導体レーザからの出射光の偏光方向が一致するように、各半導体レーザを配置するのが困難な場合であっても、平面視において、各半導体レーザの偏光方向が略平行な光を出射可能な光源装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の一態様に係る光源装置では、
基板の上面に配置された第１の半導体レーザ及び第２の半導体レーザと、
前記第１の半導体レーザの出射光を反射する第１の反射面、及び前記第２の半導体レーザの出射光を反射する第２の反射面と、
を備え、
前記第１の半導体レーザ及び前記第２の半導体レーザを囲む側壁部の内側に、前記第１の反射面及び前記第２の反射面が形成され、
前記第１の半導体レーザの出射方向と前記第２の半導体レーザの出射方向が略直交し、
前記第１の半導体レーザの出射光の偏光方向と前記第２の半導体レーザの出射光の偏光方向は略直行する。

以上のように本開示では、各半導体レーザからの出射光の偏光方向が一致するように、各半導体レーザを配置するのが困難な場合であっても、平面視において略平行な方向に偏光方向を有した光を出射可能な光源装置を提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係る光源装置を模式的に示す平面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ断面を示す側面断面図である。 図１のＩＩＩ－ＩＩＩ断面を示す側面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る光源装置を模式的に示す平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る光源装置を模式的に示す側面断面図である。 本発明の１つの実施形態に係るプロジェクタの構成を示す模式図である。

以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための実施形態を説明する。なお、以下に説明する光源装置は本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を以下のものに限定しない。
各図面中、同一の機能を有する部材には、同一符号を付している場合がある。後述の実施形態では、前述と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態や実施例ごとには逐次言及しないものとする。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張して示している場合もある。
なお、本明細書中において、「略」を用いて角度を説明する場合、その角度は５度以下のずれを含むことを意味する。

各図において、光の進行を点線の矢印で模式的に示す。図１から図５において、半導体レーザからの出射光の偏光方向を一点鎖線の矢印で示し、反射面からの反射光の偏光方向を二点鎖線の矢印で示す。また、基板が水平面上に載置され、平面視において、略直交する半導体レーザの出射方向にそれぞれ合わせて、Ｘ軸及びＹ軸方向を実線の矢印で示し、側面視において、高さ方向をＺ軸方向として実線の矢印で示す。矢印の方向を正（プラス）とする。ただし、Ｚ軸方向は基板の上面に対して垂直な方向であるが、このＺ軸方向は反射面で反射されたレーザ光の光軸方向と必ずしも一致する必要はない。

（第１の実施形態に係る光源装置）
はじめに、図１から図３を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る光源装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る光源装置を模式的に示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ断面を示す側面断面図である。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ断面を示す側面断面図である。

本実施形態に係る光源装置２は、基板４及び基板４の上面４ａに取り付けられた側壁部１０により構成されたパッケージ６を備える。基板４の上面４ａ及び側壁部１０の４つの内側面１０ａ及び１０ｂにより、凹部が形成されている。後述するように、側壁部１０の上側に、凹部を塞ぐようにリッドを配置することもできる。基板４の上面４ａには、２つの第１の半導体レーザ２２と１つの第２の半導体レーザ２４とが配置されている。これら第１の半導体レーザの出射光の方向と第２の半導体レーザの出射光の方向は互いに略直交している。各レーザ光の出射光の波長について更に詳細に述べれば、青色の波長域の光を出射する第１の半導体レーザ２２Ｂと、緑色の波長域の光を出射する第１の半導体レーザ２２Ｇと、赤色の波長域の光を出射する第２の半導体レーザ２４Ｒとが配置されている。側壁部１０の内側面１０ａが第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇからの出射光を反射する第１の反射面１２として機能し、内側面１０ｂが第２の半導体レーザ２４Ｒからの出射光を反射する第２の反射面１４として機能する。

図１に示すように、平面視において、側壁部１０の内側面１０ａ及び１０ｂ並びに上面１０ｃの境界となる４つの上辺が略長方形の形状を形成する。同様に、側壁部１０の内側面１０ａ及び１０ｂ並びに基板４の境界である４つの下辺が略長方形の形状を形成する。よって、基板４及び側壁部１０の４つの内側面１０a及び１０ｂにより、上辺よりも下辺が短い下側が狭まった略錐台状の凹部が形成されている。

このように、パッケージ６を構成する側壁部１０の内側面１０ａが反射面１２、内側面１０ｂが反射面１４として機能するため、別途立ち上げミラー等を用いる必要がない。よって、別途立ち上げミラーをパッケージ内部に設けるよりも光源装置２を安価に製造することができる。なお、本実施形態では、平面視において、基板４の外形と側壁部１０の外形が一致しているが、これに限られるものではない。側壁部１０が半導体レーザ２２、２４を囲むように形成されれば、基板４が側壁部１０の外形の更に外側にまで伸びている場合もあり得る。また、１つの基板４に複数の側壁部１０が形成されている場合もあり得る。

本実施形態では、基板４及び側壁部１０が個別の部材で形成されており、それぞれ別の材料を採用することができる。
基板４の材料として、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、アルミナジルコニア、窒化ケイ素、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）等のセラミック材料を用いることができる。放熱性の観点からは窒化アルミニウムが基板の材料として好ましい。窒化アルミニウムは熱伝導率が高いので、半導体レーザから生じた熱を効率よく排熱することができる。また、コスト低減の観点からはＬＴＣＣが好ましい。ただし、これらの材料に限られるものではなく、シリコンなどの単結晶、絶縁層を備えた金属材料等を用いることもできる。

側壁部１０の材料は、異方性エッチングが可能な材料であることが好ましい。材料毎に特定の面方向から異方性エッチングを行うことで所定の結晶方位を得ることができる。つまり、異方性エッチングによって、側壁部１０から基板４の上面４ａに対する内側面１０ａ又は内側面１０ｂの傾斜角度を特定の角度で精度よく形成することができる。その他として、プレスなどで側壁部を形成することも可能である。例えばガラスなどを用いることができる。

製造工程簡略化の観点から、側壁部１０の材料はシリコン単結晶を用いることが好ましい。シリコン単結晶は、異方性エッチングを用いると特定の結晶面を内側面１０ａ及び内側面１０ｂとして形成可能である。これらに反射膜を設けることで、第１の反射面１２及び第２の反射面１４を容易に得ることができる。

更に、異方性エッチングによって形成される内側面１０ａ及び１０ｂは、単結晶シリコンの（１１１）面または（１００）面であることが好ましい。
単結晶シリコンの（１００）面を異方性エッチングすると、基板４の上面４ａに対して略５４．７度の角度を有する（１１１）面が内側面１０ａ及び１０ｂとして一括形成される。これにより、略５４．７度の傾斜角度を有する第１の反射面１２及び第２の反射面１４を容易に得ることができる。
また、シリコン単結晶の（１１０）面を異方性エッチングすると、基板４の上面４ａに対して略４５度の角度を有する（１００）面及び基板４の上面４ａに対して略３５．３度の角度を有する（１１１）面を形成し、これらを内側面１０ａ及び１０ｂとして利用することが可能である。

ただし、内側面はこれらの結晶面に限られるものではなく、異方性エッチングによって形成可能な面であればよい。
また、ここまで側壁部１０の材料としてシリコン単結晶を例に挙げたが、側壁部１０の材料はシリコン単結晶に限られるものではなく、異方性エッチングによって加工できる材料であれば他の材料も利用することができる。
なお、基板４及び側壁部１０が一体成型されている場合もあり得る。

側壁部１０の内側面１０ａ及び内側面１０ｂには、反射膜として誘電体多層膜が形成されており、半導体レーザの発振波長に対して高い反射率を有する第１の反射面１２及び第２の反射面１４が得られる。ただし、これに限られるものではなく、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む反射膜を用いることもできるし、それらを組み合わせて用いることもできる。

このような構成において、第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇ並びに第２の半導体レーザ２４Ｒから、基板４の上面４ａと略平行な方向に光が出射される。更に詳細に述べれば、図１において、第１の半導体レーザ２２Ｂから図面左側（－Ｘ軸方向）に光が出射され側壁部１０の内側面１０ａである第１の反射面１２に入射する。第１の半導体レーザ２２Ｇから図面右側（＋Ｘ軸方向）に光が出射され側壁部１０の内側面１０ａである第１の反射面１２に入射する。第２の半導体レーザ２４Ｒから図面下側（－Ｙ軸方向）に光が出射され側壁部１０の内側面１０ｂである第２の反射面１４に入射する。

本実施形態では、第１の反射面１２及び第２の反射面１４が、基板４の上面４ａに対して略５４．７度の角度で傾斜しており、第１の反射面１２及び第２の反射面１４からの反射光は、基板４の上面４ａに対して上方進むようになっている。
つまり、第１の半導体レーザ光源２２Ｂ及び２２Ｇから出射された光が第１の反射面１２により上方に反射される。同様に、第２の半導体レーザ光源２４Ｒから出射された光が第２の反射面１４により上方に反射される（破線の矢印参照）。

＜偏光方向＞
第１の半導体レーザ２２Ｂ、２２Ｇからの出射光は、それぞれ一点鎖線の矢印Ｂ１、Ｇ１に示すように、基板４の上面４ａに対して略平行な方向（Ｙ軸方向）に偏光方向を有している。一方、第２の半導体レーザ２４Ｒからの出射光は、紙面に対して垂直上向きを表す一点鎖線の記号及び紙面に対して垂直下向きを表す一点鎖線の記号Ｒ１に示すように、基板４の上面４ａに対して略垂直な方向（Ｚ軸方向）に偏光方向を有している。なお、図１における記号Ｒ１が示す偏光方向と図３における矢印Ｒ１の偏光方向は共に第２の半導体レーザ２４Ｒの出射光の偏光方向を表しており、同じ方向を示している。

第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇからの出射光の偏光方向が基板４の上面４ａと略平行なので、第1の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇから出射されるレーザ光は入射面である第１の反射面１２に対してＴＥモード（Ｓ偏光）で発振する。よって、図１に示す上面図及び図２に示すＩＩ－ＩＩ断面方向から観察した場合、Ｙ軸方向に偏光方向を有する出射光（矢印Ｂ１及びＧ１参照）は、反射されても偏光方向は変わらない（矢印Ｂ２及びＧ２参照）。図２について、記号Ｂ１は、第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇから出射されたレーザ光が紙面に対して垂直方向に偏光方向を有することを表したものである。そのために、図１の記号Ｒ１の場合と同様に、紙面に対して垂直上向きを表す一点鎖線の記号及び紙面に対して垂直下向きを表す一点鎖線の記号を併記し、合わせて記号Ｂ１としている。記号Ｇ１も同様である。また、図２における記号Ｂ２及び記号Ｇ２も同様であり、反射後のレーザ光の偏光方向を表すため二点鎖線で表記してある。図２において、前記した記号Ｂ１が表す偏光方向は、図１における矢印Ｂ１が表す偏光方向と対応するものである。図１及び図２の間には、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２に関してもＢ１と同様の対応関係がある。

一方、第２の半導体レーザ２４Ｒからの出射光の偏光方向が基板４の上面４ａと略垂直なので、第２の半導体レーザ２４Ｒから出射されるレーザ光は入射面である第２の反射面１４に対してＴＭモード（Ｐ偏光）で発振する。よって、図３に示すように、Ｚ軸方向に偏光していた出射光（矢印Ｒ１参照）が反射されて、反射後のレーザ光の偏光方向はＹＺ平面上となり、平面視においてＹ方向に偏光方向を有する（矢印Ｒ２参照）。本実施形態では、基板４の上面４ａに対する第１の反射面１２及び第２の反射面１４の角度は略５４．７度をなしている。よって、反射後のレーザ光の光軸とＺ軸は一致していないので、偏光方向はＹ方向成分とＺ方向成分を有している。
なお、基板４の上面４ａに対する第１の反射面１２及び／又は第２の反射面１４の角度が４５度を有する場合、反射後のレーザ光の光軸とＺ軸が一致するので、偏光はＹ方向成分のみをもつ。
基板４の上面４ａに対する第１の反射面１２及び第２の反射面１４の角度が４５度の場合も４５度でない場合のいずれにしても、第２の半導体レーザの偏光はＹ方向に成分をもつ。

よって、第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇの出射方向と第２の半導体レーザ２４Ｒの出射方向が略直交するように配置される場合、平面視において、第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇ並びに第２の半導体レーザ２４Ｒの出射光による反射光の偏光が平面視において互いに略平行になる。
ただし、上記したように本明細書中では、５度以下のずれを有していても「略」平行と呼んでいる。ずれの範囲は５度以下であればよいが、好ましくは１度以下である。また、より好ましくは０．１度以下であり、さらに好ましくは０．０２度以下であり、最も好ましくは０．０１度以下である。上記したずれの範囲内であれば、発光装置から出射されたレーザ光が偏光フィルタ等を透過した場合でも、損失を効果的に抑制することができる。

仮に、第１の半導体レーザ２２Ｂ、２２Ｇと同様に、第２の半導体レーザ２４ＲからＸ軸方向に光を出射した場合には、第２の半導体レーザ２４Ｒの出射光による反射光の偏光方向はＸ軸方向を有しており、第１の半導体レーザ２２Ｂ、２２Ｇの出射光による反射光の偏光方向に揃わない。

つまり、第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇ並びに第２の半導体レーザ２４Ｒから基板４の上面４ａと略平行な方向に光が出射され、第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇの偏光方向が基板４の上面４ａと略平行であり、第２の半導体レーザ２４Ｒの偏光方向が基板４の上面４ａと略垂直である場合において、第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇの出射方向と第２の半導体レーザ２４Ｒの出射方向が略直交するように配置することにより、第１の反射面１２及び第２の反射面１４からの反射光の偏光方向を揃えることができる。

なお、上記と逆に、第１の半導体レーザ２２Ｂ、２２Ｇの偏光方向が基板４の上面４ａと略垂直略（Ｚ軸方向）であり、第２の半導体レーザ２４Ｒの偏光方向が基板４の上面４ａと略平行（Ｘ軸方向）である場合には、反射光の偏光方向をＸ軸方向に対して略平行にすることができる。

本実施形態では、第１の反射面１２及び第２の反射面１４により、光が基板４の上面４ａに対して上方に反射されているが、これに限られるのではない。基板４の上面４ａに対して上方へ反射するのであれば、平面視において、第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇの反射光の偏光方向並びに第２の半導体レーザ２４Ｒの反射光の偏光方向が略平行なので、その他の傾斜角度を有する反射面を採用することもできる。更に、上記の実施形態では、第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇ並びに第２の半導体レーザ２４Ｒから基板４の上面４ａと略平行な方向に光が出射されているが、これに限られるものではない。第１の半導体レーザ２２及び第２の半導体レーザ２４から、光が基板４の上面４ａに対して角度の付いた方向に出射される場合もあり得る。

本実施形態では、第１の半導体レーザ２２及び第２の半導体レーザ２４が同一平面である基板４の上面４ａ上に配置されているが、これに限られるものではない。第１の半導体レーザ２２及び第２の半導体レーザ２４が異なる平面上に配置されている場合もあり得る。
また、基板４の上面４ａに対する第１の反射面１２の傾斜角度、及び基板４の上面４ａに対する第２の反射面１４の傾斜角度が異なる場合もあり得る。

何れの場合においても、平面視のＸＹ平面において、第１の反射面１２と第２の反射面１４が略直交し、第１の半導体レーザ２２からの出射光及び第２の半導体レーザ２４からの出射光のうち、一方がＴＥ波で他方がＴＭ波になっていればよい。これにより、平面視において、反射光の偏光のＸＹ平面上の成分を揃えることができる。

以上のように、少なくとも、第１の半導体レーザ２２の出射光の偏光方向と第２の半導体レーザ２４の出射光の偏光方向が略直交する場合において、第１の半導体レーザ２２の出射方向と第２の半導体レーザ２４の出射方向とが略直交するように配置すれば、平面視において、第１の反射面１２及び第２の反射面１４からの反射光の偏光方向を略平行にすることができる。この揃った偏光方向に、偏光フィルタの透過方向を合わせることにより、異なる波長の光を、損失を極めて少なく透過させることができる。

以上により、出射光の偏光方向が略直交する第１の半導体レーザ２２及び第２の半導体レーザ２４を用いても、第１の反射面１２及び第２の反射面１４の配置により、同じ方向に偏光方向を揃えて出射することができる。つまり、各半導体レーザからの出射光の偏光方向が一致するように、各半導体レーザを配置するのが困難な場合であっても、平面視において略平行な方向に偏光方向を有した光を出射可能な光源装置２を提供することができる。よって、偏光フィルタ等を透過する場合であっても、光取り出し効率の低下を効果的に抑制することができる。

本実施形態のように、第１の半導体レーザ２２及び第２の半導体レーザ２４の出射光の波長が異なる場合には、第１の半導体レーザ２２の出射光の偏光方向及び第２の半導体レーザ２４の出射光の偏光方向が同一ではなく、略直交する可能性がある。そのような場合であっても、第１の半導体レーザ２２の出射方向及び第２の半導体レーザ２４の出射方向が略直交するように配置することにより、平面視において略平行な方向に偏光方向を有した光を第１の反射面１２及び第２の反射面１４からの反射光として出射することができる。

特に、第１の半導体レーザ２２が、青色光を出射する半導体レーザ２２Ｂと、緑色光を出射する半導体レーザ２２Ｇのうち、少なくともいずれか１つであって、第２の半導体レーザ２４が赤色光を出射する半導体レーザ２４Ｒである場合には、第１の半導体レーザ２２の出射光の偏光方向及び第２の半導体レーザ２４の出射光の偏光方向が略直交する可能性がある。そのような場合であっても、第１の半導体レーザ２２Ｂ（２２Ｇ）の出射方向及び第２の半導体レーザ２４Ｒの出射方向が略直交するように配置することにより、平面視において略平行な方向に偏光方向を有した光を第１の反射面１２及び第２の反射面１４からの反射光として出射することができる。

また、第１の半導体レーザ２２が青色光を出射する半導体レーザ２２Ｂと、緑色光を出射する半導体レーザ２２Ｇを含み、第２の半導体レーザ２４が赤色光を出射する半導体レーザ２４Ｒである場合には、赤色光と緑色光と青色光の偏光方向が平面視においてそれぞれ略平行な白色光を光源装置２から出射できる。

なお、赤色光を出射する半導体レーザの偏光方向が、第２の半導体レーザ２４Ｒと略直交する場合もあり得る。この場合には、その赤色光を出射する半導体レーザを第１の半導体レーザ２２Ｒとしてさらに有する光源装置２もあり得る。

（第２の実施形態に係る光源装置）
次に、図４を参照しながら、本発明の第２の実施形態に係る光源装置について説明する。図４は、本発明の第２の実施形態に係る光源装置を模式的に示す平面図である。
本実施形態に係る光源装置２では、基板４及び側壁部１０から構成されるパッケージ６の構造は、上記の第１の実施形態とほぼ同様である。

本実施形態では、基板４の上面４ａに、１つではなく、２つの第２の半導体レーザ２４が配置されている点で上記の第１の実施形態と異なる。更に詳細に述べれば、青色の波長域の光を出射する第１の半導体レーザ２２Ｂ、緑色の波長域の光を出射する第１の半導体レーザ２２Ｇ及び赤色の波長域の光を出射する第２の半導体レーザ２４Ｒに加えて、赤外線の波長域の光を出射する第２の半導体レーザ２４ＩＲが配置されている。
なお、上記の第１の実施形態では、２つの第１の半導体レーザ２２が１８０度反対側（＋Ｘ軸及び－Ｘ軸方向）に光を出射しているが、本実施形態では、２つの第１の半導体レーザ２２が同じ方向（－Ｘ軸方向）に光を出射するようになっている。

本実施形態においても、第１の半導体レーザ２２Ｂ、２２Ｇ及び第２の半導体レーザ２４Ｒ、２４ＩＲから基板４上面４ａと略平行な方向に光が出射される。図４に示すように、図面左側（－Ｘ軸方向）に第１の半導体レーザ２２Ｂと第１の半導体レーザ２２Ｇからレーザ光が出射され、第１の反射面１２に入射する。図面下側（－Ｙ軸方向）に第２の半導体レーザ２４Ｒと第２の半導体レーザ２４ＩＲからレーザ光が出射され、第２の反射面１４に入射する。

本実施形態では、青色、緑色、赤色の可視光域の光に加えて、赤外域の光を出射する第２の半導体レーザ２４ＩＲが備えられているので、例えば、赤外光をセンサとして用いることができる。
なお、第１の半導体レーザ２２として少なくとも１つの半導体レーザを備え、第２の半導体レーザ２４として少なくとも１つの半導体レーザが備えていれば、任意の数の任意の波長の半導体レーザを備えることができる。
その他の点については、上記の第１の実施形態に係る光源装置とほぼ同様なので、更なる詳細な説明は省略する。

（第３の実施形態に係る光源装置）
次に、図５を参照しながら、本発明の第３の実施形態に係る光源装置について説明する。図５は、本発明の第３の実施形態に係る光源装置を模式的に示す側面断面図であり、図１のＩＩ－ＩＩ断面に相当する側面を示す図である。
本実施形態では、側壁部１０の上側に、基板４及び側壁部１０で囲まれた凹部を塞ぐように、リッド３０が配置されている。

更に、リッド３０の上面に光インテグレータ４０が配置されている。本実施形態に係る光インテグレータ４０は、内部が中空になっており、内側面が反射面４０ａとなっている。ただし、これに限られるものではなく、例えば、中実ガラスロッド内で全反射を繰り返すタイプの光インテグレータやフライアレイレンズなどを採用することもできる。

このような構成により、第１の半導体レーザ２２Ｂ及び２２Ｇから出射された光は、第１の反射面１２で反射されて、光インテグレータ４０の反射面４０ａに入射し、光インテグレータ４０内で反射を繰り返しながら上方へ進む。第２の半導体レーザ２４Ｒから出射された光は、第２の反射面１４で反射されて、光インテグレータ４０の反射面
４０ａに入射し、光インテグレータ４０で反射を繰り返しながら上方へ進む。この間に異なる波長の光が合波される。

上記のように、第１の反射面１２及び第２の反射面１４からの反射光の偏光方向は平面視において略平行である。よって、光の出射側に光インテグレータ４０を取り付けることにより、平面視において偏光方向が略平行な合波光（例えば、白色光）を光源装置２から出射することができる。

（１つの実施形態に係るプロジェクタ）
次に、図６を参照しながら、本発明の１つの実施形態に係るプロジェクタの説明を行う。図６は、本発明の１つの実施形態に係るプロジェクタの構成を示す模式図である。
本実施形態に係るプロジェクタ１００は、上記の実施形態に係る光源装置２と、偏光フィルタを有する光学部材６０と、投射レンズ７０とを備える。偏光フィルタを有する光学部材６０として、ここでは液晶パネルが用いられている。

このような構成により、光源装置２から出射された偏光の方向が揃った光が、液晶パネル６０に入射し、液晶パネル６０からの光が投射手段である投射レンズ１２０によって集光されて、スクリーンＳＣに投影される。
これにより、各半導体レーザ２２及び２４からの出射光の偏光方向が一致するように、各半導体レーザ２２及び２４を配置するのが困難な場合であっても、光源装置２から平面視において偏光方向が略平行な光を出射させて、液晶パネルを備えたプロジェクタ１００から出力することができる。

本発明の実施の形態を説明したが、開示内容は構成の細部において変化してもよく、実施の形態における要素の組合せや順序の変化等は請求された本発明の範囲及び思想を逸脱することなく実現し得るものである。

符合の説明

２ 光源装置
４ 基板
４ａ 上面
６ パッケージ
１０ 側壁部
１０ａ、１０ｂ 内側面
１０ｃ 上面
１２ 第１の反射面
１４ 第２の反射面
２２ 第１の半導体レーザ
２４ 第２の半導体レーザ
３０ リッド
４０ 光インテグレータ
６０ 偏光フィルタを有する光学部材（液晶パネル）
７０ 投射レンズ
１００ プロジェクタ

Claims (10)

1. 基板と、前記基板の上面に取り付けられた側壁部と、により形成される凹部と、
   前記基板の上面に配置された第１の半導体レーザ及び第２の半導体レーザと、
   前記第１の半導体レーザの出射光を反射する第１の反射面、及び前記第２の半導体レーザの出射光を反射する第２の反射面と、
   を備え、
   前記側壁部は、前記第１の半導体レーザ及び前記第２の半導体レーザを囲み、
   前記側壁部は、前記側壁部の内側に、前記第１の反射面である第１内側面及び前記第２の反射面である第２内側面を有し、
   前記第１の半導体レーザの出射方向と前記第２の半導体レーザの出射方向が略直交し、
   前記第１の半導体レーザの出射光の偏光方向と前記第２の半導体レーザの出射光の偏光方向は略直交し、
   平面視において、前記第１の反射面と前記第２の反射面とが略直交することを特徴とする光源装置。
   
2. 前記第１の半導体レーザ及び前記第２の半導体レーザから前記上面と略平行な方向に光が出射され、
   前記第１の半導体レーザの偏光方向が前記上面と略平行であり、
   前記第２の半導体レーザの偏光方向が前記上面と略垂直であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
   
3. 前記第１の半導体レーザ及び前記第２の半導体レーザの出射光の波長が異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の光源装置。
   
4. 前記第１の半導体レーザは青色光を出射する半導体レーザと、緑色光を出射する半導体レーザのうち、少なくともいずれか１つであって、
   前記第２の半導体レーザは赤色光を出射する半導体レーザであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の光源装置。
   
5. 前記第１の半導体レーザは青色光を出射する半導体レーザと、緑色光を出射する半導体レーザを含み、
   前記第２の半導体レーザは赤色光を出射する半導体レーザであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の光源装置。
   
6. 前記第２の半導体レーザは赤外光を出射する半導体レーザを含むことを特徴とする請求項４に記載の光源装置。
   
7. 前記第１の反射面及び前記第２の反射面は単結晶シリコンの結晶面であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光源装置。
   
8. 前記単結晶シリコンの結晶面は（１１１）面又は（１００）面であることを特徴とする請求項７に記載の光源装置。
   
9. 光の出射側に光インテグレータが取り付けられたことを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の光源装置。
   
10. 請求項１から８の何れか１項に記載の光源装置と、
    偏光フィルタを有する光学部材と、
    を備えたことを特徴とするプロジェクタ。

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