JP2023023799A - 多波長光源モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】偏光方向が揃っており、かつ、高パワーの光を出射する多波長光源モジュールを提供する。【解決手段】多波長光源モジュール１０は、基台２０の主面２１に配置される複数の第一セット及び複数の第二セットとを備え、第一セットは、主面２１に平行な第一光軸を有し、第一波長帯の第一光を出射する第一半導体レーザチップ５１と、第一光を主面２１に垂直な方向に反射する第一ミラー６１とを有し、第二セットは、主面２１に平行な第二光軸を有し、第一波長帯と異なる第二波長帯の第二光を出射する第二半導体レーザチップ５２と、第二光を主面２１に垂直な方向に反射する第二ミラー６２とを有し、第一光軸は、第二光軸に対して垂直であり、第一半導体レーザチップ５１から第一ミラー６１へ伝搬する第一光の偏光方向と、第二半導体レーザチップ５２から第二ミラー６２へ伝搬する第二光の偏光方向とは、直交する。【選択図】図３

Description

本開示は、多波長光源モジュールに関する。

従来、互いに異なる色の光を出射する複数の半導体レーザチップを有する多波長光源モジュールが知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１に記載された多波長光源モジュールは、赤色半導体レーザチップと、緑色半導体レーザチップと、青色半導体レーザチップとを備える。一般的な赤色半導体レーザチップの出射光の偏光方向と、ファスト軸方向（つまり、光の広がり角が大きい方向）とは、平行であり、一般的な緑色半導体レーザチップ及び青色半導体レーザチップの出射光の偏光方向と、ファスト軸方向とは垂直である。

特許文献１に記載された多波長光源モジュールにおいては、赤色半導体レーザチップの光軸方向と、緑色半導体レーザチップ及び青色半導体レーザチップの光軸方向とが垂直になるように、各半導体レーザチップが配置されている。これにより、特許文献１に記載された多波長光源モジュールでは、出射光に含まれる赤色光の偏光方向と、緑色光及び青色光の偏光方向とを揃えようとしている。

特開２０２０－７２１１６号公報

しかしながら、例えば、単一の液晶を備える時分解型プロジェクタなどで用いる光には、偏光方向が揃っていることに加えて、高パワーであることも求められている。

本開示は、このような課題を解決するものであり、偏光方向が揃っていて、かつ、高パワーの光を出射する多波長光源モジュールを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本開示に係る多波長光源モジュールの一態様は、主面を有する基台と、前記主面に配置される複数の第一セット及び複数の第二セットとを備え、前記複数の第一セットの各々は、前記主面に平行な第一光軸を有し、第一波長帯の第一光を出射する第一半導体レーザチップと、前記第一光を前記主面に垂直な方向に反射する第一ミラーとを有し、前記複数の第二セットの各々は、前記主面に平行な第二光軸を有し、前記第一波長帯と異なる第二波長帯の第二光を出射する第二半導体レーザチップと、前記第二光を前記主面に垂直な方向に反射する第二ミラーとを有し、前記第一光軸は、前記主面に平行な第一方向に平行であり、前記第二光軸は、前記主面に平行な第二方向に平行であり、前記第二方向は、前記第一方向に対して垂直な方向であり、前記第一半導体レーザチップから前記第一ミラーへ伝搬する前記第一光の偏光方向と、前記第二半導体レーザチップから前記第二ミラーへ伝搬する前記第二光の偏光方向とは、直交する。

本開示によれば、偏光方向が揃っており、かつ、高パワーの光を出射する多波長光源モジュールを提供できる。

図１は、実施の形態１に係る多波長光源モジュールの平面図である。 図２は、実施の形態１に係る多波長光源モジュールの断面図である。 図３は、実施の形態１に係る多波長光源モジュールの蓋体を取り外した状態を示す平面図である。 図４は、実施の形態１に係る第一半導体レーザチップの遠視野像の概要を示す模式図である。 図５は、実施の形態１に係る第一半導体レーザチップからの第一光の伝搬の様子を示す図である。 図６は、実施の形態１に係る第二半導体レーザチップからの第二光の伝搬の様子を示す図である。 図７は、実施の形態１に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。 図８は、実施の形態２に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。 図９は、実施の形態３に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。 図１０は、実施の形態４に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。 図１１は、実施の形態５に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。 図１２は、実施の形態６に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。 図１３は、実施の形態７に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。 図１４は、実施の形態８に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。 図１５は、実施の形態９に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。 図１６は、実施の形態１の変形例に係る多波長光源モジュールの蓋体を取り外した状態を示す平面図である。 図１７は、実施の形態２の変形例に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。 図１８は、実施の形態７の変形例に係る多波長光源モジュールにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、及び、構成要素の配置位置や接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。

また、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺等は必ずしも一致していない。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

（実施の形態１）
実施の形態１に係る多波長光源モジュールについて説明する。

［１－１．全体構成］
まず、本実施の形態に係る多波長光源モジュールの全体構成について図１～図３を用いて説明する。図１及び図２は、それぞれ、本実施の形態に係る多波長光源モジュール１０の平面図及び断面図である。図２には、図１のＩＩ－ＩＩ線における断面の一部が示されている。図３は、本実施の形態に係る多波長光源モジュール１０の蓋体４０を取り外した状態を示す平面図である。なお、図３には、蓋体４０が有する各レンズの輪郭が破線で示されている。また、図２及び図３においては、多波長光源モジュール１０が備える各半導体レーザチップに電力を供給するための配線などは省略されている。

本実施の形態に係る多波長光源モジュール１０は、複数の波長帯の光を出射する装置である。多波長光源モジュール１０は、基台２０と、複数の第一セット１１ａ～１１ｊと、複数の第二セット１２ａ～１２ｄとを備える。本実施の形態では、多波長光源モジュール１０は、複数の第三セット１３ａ～１３ｄと、蓋体４０と、枠部材３０とをさらに備える。

図１～図３に示される基台２０は、複数の第一セット１１ａ～１１ｊ、及び、複数の第二セット１２ａ～１２ｄが配置される部材である。本実施の形態では、基台２０は、平面状の主面２１を有する。本実施の形態では、基台２０は、略矩形の板状の形状を有する基板である。基台２０は、熱伝導率が高い材料で形成され、複数の第一セット１１ａ～１１ｊなどで発生する熱を放散する放熱部材としても機能する。

基台２０の素材は、例えば、金属材料、セラミック材料などである。各セットで発生する熱を効率良く基台２０で放散するには、基台２０は、金属材料などの熱伝導率の高い材料によって構成されているとよい。熱伝導率が高くて基台２０として実用的な金属材料としては、例えばＣｕ又はＡｌが挙げられる。本実施の形態において、基台２０は、Ｃｕによって構成されたＣｕ基板である。

図１～図３に示される枠部材３０は、複数の第一セット１１ａ～１１ｊ、及び、複数の第二セット１２ａ～１２ｄを囲む環状部材である。枠部材３０は、基台２０の主面２１に立設され、複数の第一セット１１ａ～１１ｊ、及び、複数の第二セット１２ａ～１２ｄを収納する容器の一部として機能する。また、枠部材３０は、蓋体４０を支持する機能も有する。枠部材３０は、基台２０と、蓋体４０とに挟まれる。基台２０と、枠部材３０と、蓋体４０とで囲まれた空間内に、複数の第一セット１１ａ～１１ｊ、及び、複数の第二セット１２ａ～１２ｄが配置される。ここで、枠部材３０と、基台２０と、蓋体４０とで囲まれた空間は、気密封止されている。枠部材３０は、複数の第一セット１１ａ～１１ｊ、複数の第二セット１２ａ～１２ｄなどに電流を供給するための電流端子を有する。具体的には、図１に示されるように、枠部材３０は、２個の第一正極電流端子９１ｐと、２個の第一負極電流端子９１ｎと、１個の第二正極電流端子９２ｐと、１個の第二負極電流端子９２ｎと、１個の第三正極電流端子９３ｐと、１個の第三負極電流端子９３ｎとを有する。なお、図２及び図３のような各セットの配置などを説明するための図においては、図面の煩雑化を防ぐために、各電流端子などの電流供給のための部材の図示を省略する。各電流端子などの電流供給のための部材については、後述する。枠部材３０は、例えば、Ｆｅなどの金属、合金などで形成される。枠部材３０が、電流端子を備える場合には、電流端子の周囲には、絶縁性部材が配置される。

図３に示される複数の第一セット１１ａ～１１ｊは、基台２０の主面２１に配置される。複数の第一セット１１ａ～１１ｊの各々は、第一半導体レーザチップ５１と、第一ミラー６１とを有する。本実施の形態では、１０個の第一セット１１ａ～１１ｊの各々は、主面２１に配置され、第一半導体レーザチップ５１が配置される第一サブマウント７１をさらに有する。

複数の第一セット１１ａ～１１ｊは、主面２１に平行で互いに垂直な第一方向及び第二方向のうち、第二方向に配列されている。具体的には、第一セット１１ａ～１１ｅ、及び、第一セット１１ｆ～１１ｊが、それぞれ第二方向に配列される。言い換えると、第一セット１１ａ～１１ｊは、２行５列の行列状に配置される。

第一半導体レーザチップ５１は、主面２１に平行な第一光軸を有し、第一波長帯の第一光を出射するレーザチップである。本実施の形態では、第一光軸は、主面２１に平行な第一方向に平行である。第一波長帯は、赤色光を含む波長帯（５９０ｎｍ以上、７８０ｎｍ以下程度）の少なくとも一部を含む。つまり、第一半導体レーザチップ５１は、赤色半導体レーザチップである。赤色半導体レーザチップである第一半導体レーザチップ５１の発振波長は、５９０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下であってもよい。

図２に示されるように、第一半導体レーザチップ５１は、レーザ光である第一光Ｌ１１を出射する出射面を有する。第一光Ｌ１１の光軸（つまり第一光軸）は、基台２０の主面２１に平行である。ここで、第一光Ｌ１１は破線矢印で示されているが、この破線矢印は第一光Ｌ１１の光軸を示し、実際の第一光Ｌ１１は幅を持つ発散光である。本実施の形態では、図３に示されるように、第一半導体レーザチップ５１は、第二セット１２ａ～１２ｄ、及び、第三セット１３ａ～１３ｄが配置されている領域から遠ざかる向きに第一光Ｌ１１を出射する。

第一半導体レーザチップ５１は、第一光軸を長手方向とする長尺状である。一例として、第一半導体レーザチップ５１の第一光軸方向の長さは、１２００μｍであるが、これに限らない。

第一半導体レーザチップ５１は、第一サブマウント７１の上面（つまり、主面２１と対向する面の裏側の面）に実装される。具体的には、第一半導体レーザチップ５１は、第一サブマウント７１上のｐ側接続電極（図示せず）に実装されている。本実施の形態において、第一半導体レーザチップ５１は、ジャンクションダウン実装により第一サブマウント７１に実装されている。第一半導体レーザチップ５１のｐ側電極が、第一サブマウント７１上のｐ側接続電極に接続される。第一サブマウント７１上のｐ側接続電極は、第一半導体レーザチップ５１に電流を供給するためのｐ側接続電極の一例である。また、第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極は、第一半導体レーザチップ５１に電流を供給するためのｎ側接続電極の一例である。なお、第一半導体レーザチップ５１の実装形態は、これに限るものではなく、ジャンクションアップ実装により第一サブマウント７１に実装されていてもよい。この場合、第一サブマウント７１上のｎ側接続電極と、第一半導体レーザチップ５１のｐ側電極とから、第一半導体レーザチップ５１に電流が供給される。

このように、第一半導体レーザチップ５１と第一サブマウント７１とで第一サブモジュールを構成し、第一サブモジュールの各々は、第一半導体レーザチップ５１に電力を供給するためのｐ側接続電極及びｎ側接続電極を有する。

また、第一半導体レーザチップ５１は、第一光Ｌ１１を出射する出射面が第一サブマウント７１の光出射側の端面からはみ出すように実装されている。つまり、第一半導体レーザチップ５１は、第一サブマウント７１の端面から突出しており、第一半導体レーザチップ５１の出射面は、第一サブマウント７１の光出射側の端面よりも第一半導体レーザチップ５１の光出射側に位置している。第一半導体レーザチップ５１の突出量（つまり、第一サブマウント７１の光出射側の端面から第一半導体レーザチップ５１の出射面までの距離）は、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下であるが、これに限らない。本実施の形態において、第一半導体レーザチップ５１の突出量は、１０μｍである。

第一半導体レーザチップ５１から第一ミラー６１へ伝搬する第一光Ｌ１１の偏光方向は、主面２１に垂直な第三方向である。ここで、平行とは、完全に平行な状態に限定されず、実質的に平行な状態も含む。例えば、第一光軸が主面２１に平行な状態には、主面２１に対する第一光軸の傾きが５°以下であるような状態も含まれる。また垂直とは、完全に垂直な状態に限定されず、実質的に垂直な状態も含む。例えば、第一光Ｌ１１の偏光方向が主面２１に垂直な状態には、主面２１の法線に対する第一光Ｌ１１の偏光方向の傾きが５°以下であるような状態も含まれる。以下で用いる平行及び垂直についても同様である。ここで、第一半導体レーザチップ５１は、ＧａＩｎＰ系半導体で形成された活性層を有する半導体レーザチップである。第一半導体レーザチップ５１の活性層は、引っ張り歪の量子井戸層を含む。第一半導体レーザチップ５１は、ＴＭモードで発振する。第一半導体レーザチップ５１の活性層の主面が主面２１と平行となるように、第一半導体レーザチップ５１は実装されている。

第一ミラー６１は、第一光Ｌ１１を主面２１に垂直な方向に反射する光学素子である。第一ミラー６１は、図２に示されるように、第一半導体レーザチップ５１からの第一光Ｌ１１を反射する第一反射面６１ａを有する素子である。図２及び図３に示されるように、第一ミラー６１は、蓋体４０の第一レンズ４１と対応する位置に配置される。図２に示されるように、第一反射面６１ａは、第一半導体レーザチップ５１の出射面と対向して配置される。本実施の形態では、第一ミラー６１は、平面状の第一反射面６１ａを有する平面ミラーである。第一反射面６１ａは、第一光軸方向に対して４５°傾斜している。言い換えると、第一反射面６１ａに垂直な方向は、第一光軸方向に対して４５°傾斜している。第一反射面６１ａにおいて第一光Ｌ１１は反射され、第一反射光Ｌ１２として第一ミラー６１から蓋体４０へ向かって伝搬する。また、図２において、第一反射光Ｌ１２は破線矢印で示されているが、この破線矢印は第一反射光Ｌ１２の光軸を示すものであり、実際の第一反射光Ｌ１２は幅を持つ発散光である。

第一ミラー６１は、基台２０の主面２１に、金属系接合材で実装される。本実施の形態では、すべての第一セット１１ａ～１１ｊにおいて、第一ミラー６１と第一半導体レーザチップ５１との位置関係は同じである。言い換えると、第一半導体レーザチップ５１の出射面から第一ミラー６１までの距離はすべて同じであり、第一半導体レーザチップ５１の第一光Ｌ１１の光軸（つまり、第一光軸）の主面２１からの高さや第一反射面６１ａの主面２１からの高さはすべて同じである。

第一サブマウント７１は、主面２１に配置され、第一半導体レーザチップ５１が配置される支持部材である。第一サブマウント７１は、図２に示されるように、主面２１と、第一半導体レーザチップ５１との間に配置される。

第一サブマウント７１は、第一半導体レーザチップ５１で発生する熱を放散させるためのヒートシンクとしても機能する。したがって、第一サブマウント７１の材料は、導電性材料及び絶縁性材料のいずれによって構成されていてもよいが、熱伝導率の高い材料によって構成されているとよい。第一サブマウント７１の熱伝導率は、例えば、１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるとよい。例えば、第一サブマウント７１は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や多結晶の炭化ケイ素（ＳｉＣ）などのセラミック、Ｃｕなどの金属材料、又は、単結晶ダイヤモンドや多結晶ダイヤモンドのダイヤモンドなどによって構成されている。本実施の形態において、第一サブマウント７１は、ＡｌＮによって構成されている。なお、第一サブマウント７１の形状は、例えば、矩形板状の直方体であるが、これに限らない。導電性材料を用いる場合は、実装面に絶縁性材料を形成するなどして、半導体レーザチップと導電性の基台とが電気的に接続しないようにするとよい。

第一サブマウント７１は、例えば、基台２０の主面２１に金属系接合材を用いて接合される。つまり、第一サブマウント７１は、基台２０に固定用の穴などを形成することなく実装される。このため、基台２０における放熱特性を低下させることなく、サブマウント５０を基台２０に実装できる。

図３に示される複数の第二セット１２ａ～１２ｄは、基台２０の主面２１に配置される。複数の第二セット１２ａ～１２ｄの各々は、第二半導体レーザチップ５２と、第二ミラー６２とを有する。本実施の形態では、４個の第二セット１２ａ～１２ｄの各々は、主面２１に配置され、第二半導体レーザチップ５２が配置される第二サブマウント７２をさらに有する。複数の第二セット１２ａ～１２ｄは、第二方向に一列に配列されている。

第二半導体レーザチップ５２は、主面２１に平行な第二光軸を有し、第一波長帯と異なる第二波長帯の第二光を出射するレーザチップである。本実施の形態では、第二光軸は、第二方向に平行である。第二波長帯は、緑色光を含む波長帯（４９０ｎｍ以上、５８０ｎｍ以下程度）の少なくとも一部を含む。つまり、第二半導体レーザチップ５２は、緑色半導体レーザチップである。なお、第二波長帯は、第一波長帯と少なくとも一部が異なればよい。つまり、第二波長帯は、第一波長帯の一部を含んでもよい。

第二半導体レーザチップ５２は、レーザ光である第二光を出射する出射面を有する。第二光は、第一光と同様に幅を持つ発散光である。本実施の形態では、第二半導体レーザチップ５２は、図３の左側から右側に向かう向きに第二光を出射する。

第二半導体レーザチップ５２は、第二光軸を長手方向とする長尺状である。一例として、第二半導体レーザチップ５２の第二光軸方向の長さは、１２００μｍであるが、これに限らない。

第二半導体レーザチップ５２は、第二サブマウント７２の上面に実装される。具体的には、第二半導体レーザチップ５２は、第二サブマウント７２上のｐ側接続電極（図示せず）に実装されている。本実施の形態において、第二半導体レーザチップ５２は、ジャンクションダウン実装により第二サブマウント７２に実装されている。第二半導体レーザチップ５２のｐ側電極が、第二サブマウント７２上のｐ側接続電極に接続される。第二サブマウント７２上のｐ側接続電極は、第二半導体レーザチップ５２に電流を供給するためのｐ側接続電極の一例である。また、第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極は、第二半導体レーザチップ５２に電流を供給するためのｎ側接続電極の一例である。なお、第二半導体レーザチップ５２の実装形態は、これに限るものではなく、ジャンクションアップ実装により第二サブマウント７２に実装されていてもよい。このように、第二半導体レーザチップ５２と第二サブマウント７２とで第二サブモジュールを構成し、第二サブモジュールの各々は、第二半導体レーザチップ５２に電力を供給するためのｐ側接続電極及びｎ側接続電極を有する。

また、第二半導体レーザチップ５２は、第一半導体レーザチップ５１と同様に、出射面が第二サブマウント７２の光出射側の端面からはみ出すように実装されている。第二半導体レーザチップ５２から第二ミラー６２へ伝搬する第二光の偏光方向は、主面２１に平行な第一方向である。ここで、第二半導体レーザチップ５２は、ＧａＩｎＮ系半導体で形成された活性層を有する半導体レーザチップである。第二半導体レーザチップ５２は、ＴＥモードで発振する。第二半導体レーザチップ５２の活性層の主面が主面２１と平行となるように、第二半導体レーザチップ５２は実装されている。

第二ミラー６２は、第二光を主面２１に垂直な方向に反射する光学素子である。第二ミラー６２は、図３に示されるように、第二半導体レーザチップ５２からの第二光を反射する第二反射面６２ａを有する素子である。図３に示されるように、第二ミラー６２は、蓋体４０の第二レンズ４２と対応する位置に配置される。第二反射面６２ａは、第二半導体レーザチップ５２の出射面と対向して配置される。本実施の形態では、第二ミラー６２は、平面状の第二反射面６２ａを有する平面ミラーである。第二反射面６２ａは、第二光軸方向に対して４５°傾斜している。言い換えると、第二反射面６２ａに垂直な方向は、第二光軸方向に対して４５°傾斜している。第二反射面６２ａにおいて第二光は反射され、第二反射光として第二ミラー６２から蓋体４０へ向かって伝搬する。第二反射光は発散光である。

第二ミラー６２は、基台２０の主面２１に実装される。本実施の形態では、すべての第二セット１２ａ～１２ｄにおいて、第二ミラー６２と第二半導体レーザチップ５２との位置関係は同じである。言い換えると、第二半導体レーザチップ５２の出射面から第二ミラー６２までの距離はすべて同じであり、第二半導体レーザチップ５２の第二光の光軸の主面２１からの高さや第二反射面６２ａの主面２１からの高さはすべて同じである。

第二サブマウント７２は、主面２１に配置され、第二半導体レーザチップ５２が配置される支持部材である。第二サブマウント７２は、主面２１と、第二半導体レーザチップ５２との間に配置される。

第二サブマウント７２は、第一サブマウント７１と同様に、ヒートシンクとしても機能する。第二サブマウント７２の材料及び形状、並びに、主面２１への実装構成は、第一サブマウント７１と同様である。

図３に示される複数の第三セット１３ａ～１３ｄは、基台２０の主面２１に配置される。複数の第三セット１３ａ～１３ｄの各々は、第三半導体レーザチップ５３と、第三ミラー６３とを有する。本実施の形態では、４個の第三セット１３ａ～１３ｄの各々は、主面２１に配置され、第三半導体レーザチップ５３が配置される第三サブマウント７３をさらに有する。複数の第三セット１３ａ～１３ｄは、第二方向に一列に配列されている。

第三半導体レーザチップ５３は、主面２１に平行な第三光軸を有し、第一波長帯及び第二波長帯と異なる第三波長帯の第三光を出射するレーザチップである。本実施の形態では、第三光軸は、第二方向に平行である。第三波長帯は、青色光を含む波長帯（３８０ｎｍ以上、４９０ｎｍ以下程度）の少なくとも一部を含む。つまり、第三半導体レーザチップ５３は、青色半導体レーザチップである。なお、第三波長帯は、第一波長帯及び第二波長帯と少なくとも一部が異なればよい。つまり、第三波長帯は、第一波長帯及び第二波長帯の少なくとも一方の一部を含んでもよい。

第三半導体レーザチップ５３は、レーザ光である第三光を出射する出射面を有する。第三光は、第一光及び第二光と同様に幅を持つ発散光である。本実施の形態では、第三半導体レーザチップ５３は、図３の左側から右側に向かう向きに第三光を出射する。

第三半導体レーザチップ５３は、第三光軸を長手方向とする長尺状である。一例として、第三半導体レーザチップ５３の第三光軸方向の長さは、１２００μｍであるが、これに限らない。

第三半導体レーザチップ５３は、第三サブマウント７３の上面に実装される。具体的には、第三半導体レーザチップ５３は、第三サブマウント７３上のｐ側接続電極（図示せず）に実装されている。本実施の形態において、第三半導体レーザチップ５３は、ジャンクションダウン実装により第三サブマウント７３に実装されている。第三半導体レーザチップ５３のｐ側電極が、第三サブマウント７３上のｐ側接続電極に接続される。第三サブマウント７３上のｐ側接続電極は、第三半導体レーザチップ５３に電流を供給するためのｐ側接続電極の一例である。また、第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極は、第三半導体レーザチップ５３に電流を供給するためのｎ側接続電極の一例である。なお、第三半導体レーザチップ５３の実装形態は、これに限るものではなく、ジャンクションアップ実装により第三サブマウント７３に実装されていてもよい。このように、第三半導体レーザチップ５３と第三サブマウント７３とで第三サブモジュールを構成し、第三サブモジュールの各々は、第三半導体レーザチップ５３に電力を供給するためのｐ側接続電極及びｎ側接続電極を有する。

また、第三半導体レーザチップ５３は、第一半導体レーザチップ５１及び第二半導体レーザチップ５２と同様に、出射面が第三サブマウント７３の光出射側の端面からはみ出すように実装されている。第三半導体レーザチップ５３から第三ミラー６３へ伝搬する第三光の偏光方向は、主面２１に平行な第一方向である。ここで、第三半導体レーザチップ５３は、ＧａＩｎＮ系半導体で形成された活性層を有する半導体レーザチップである。第三半導体レーザチップ５３は、ＴＥモードで発振する。第三半導体レーザチップ５３の活性層の主面が主面２１と平行となるように、第三半導体レーザチップ５３は実装されている。

第三ミラー６３は、第三光を主面２１に垂直な方向に反射する光学素子である。第三ミラー６３は、図３に示されるように、第三半導体レーザチップ５３からの第三光を反射する第三反射面６３ａを有する素子である。図３に示されるように、第三ミラー６３は、蓋体４０の第三レンズ４３と対応する位置に配置される。第三反射面６３ａは、第三半導体レーザチップ５３の出射面と対向して配置される。本実施の形態では、第三ミラー６３は、平面状の第三反射面６３ａを有する平面ミラーである。第三反射面６３ａは、第三光軸方向に対して４５°傾斜している。言い換えると、第三反射面６３ａに垂直な方向は、第三光軸方向に対して４５°傾斜している。第三反射面６３ａにおいて第三光は反射され、第三反射光として第三ミラー６３から蓋体４０へ向かって伝搬する。第三反射光は発散光である。

第三ミラー６３は、基台２０の主面２１に実装される。本実施の形態では、すべての第三セット１３ａ～１３ｄにおいて、第三ミラー６３と第三半導体レーザチップ５３との位置関係は同じである。言い換えると、第三半導体レーザチップ５３の出射面から第三ミラー６３までの距離はすべて同じであり、第三半導体レーザチップ５３の第三光の光軸の主面２１からの高さや第三反射面６３ａの主面２１からの高さはすべて同じである。

第三サブマウント７３は、主面２１に配置され、第三半導体レーザチップ５３が配置される支持部材である。第三サブマウント７３は、主面２１と、第三半導体レーザチップ５３との間に配置される。

第三サブマウント７３は、第一サブマウント７１と同様に、ヒートシンクとしても機能する。第三サブマウント７３の材料及び形状、並びに、主面２１への実装構成は、第一サブマウント７１と同様である。

図１及び図２に示される蓋体４０は、少なくとも一部が透光性を有する光学部材である。蓋体４０は、枠部材３０に支持され、枠部材３０で囲まれる領域の蓋として機能する。蓋体４０は、例えばガラスなどの透光性の部材で構成される。本実施の形態では、蓋体４０は、複数の第一レンズ４１と、複数の第二レンズ４２と、複数の第三レンズ４３とを有する。各レンズは一体的に形成されていてもよいし、蓋体４０から着脱自在に形成されていてもよい。蓋体４０と枠部材３０との間は、気密シールされる。なお、本実施の形態では、蓋体４０と枠部材３０との間は、気密シールされたが、必ずしも気密シールされなくてもよい。また、蓋体４０は、必ずしも枠部材３０の開口部の全体を覆わなくてもよい。

複数の第一レンズ４１の各々には、図２に示されるように、第一ミラー６１で反射された第一光Ｌ１１が入射する。言い換えると、複数の第一レンズ４１の各々は、第一ミラー６１の第一反射面６１ａで反射された第一光Ｌ１１である第一反射光Ｌ１２を受ける。本実施の形態では、複数の第一レンズ４１の各々は、第一反射光Ｌ１２をコリメートし、第一出力光Ｌ１３として出力する。複数の第一レンズ４１は、すべて同一の焦点距離を有する球面レンズである。複数の第一レンズ４１の個数は、第一セット１１ａ～１１ｊの個数と等しい。本実施の形態では、複数の第一レンズ４１の個数は１０個である。複数の第一レンズ４１の各々は、第一反射面６１ａと対向する位置に配置される。したがって、複数の第一レンズ４１は、複数の第一セット１１ａ～１１ｊと同様に、第二方向に２列に配列される。

複数の第二レンズ４２の各々には、第二ミラー６２で反射された第二光が入射する。言い換えると、複数の第二レンズ４２の各々は、第二ミラー６２の第二反射面６２ａで反射された第二光である第二反射光を受ける。本実施の形態では、複数の第二レンズ４２の各々は、第二反射光をコリメートし、第二出力光として出力する。複数の第二レンズ４２は、すべて同一の焦点距離を有する球面レンズである。複数の第二レンズ４２の個数は、第二セット１２ａ～１２ｄの個数と等しい。本実施の形態では、複数の第二レンズ４２の個数は４個である。複数の第二レンズ４２の各々は、第二反射面６２ａと対向する位置に配置される。したがって、複数の第二レンズ４２は、複数の第二セット１２ａ～１２ｄと同様に、第二方向に１列に配列される。

複数の第三レンズ４３の各々には、第三ミラー６３で反射された第三光が入射する。言い換えると、複数の第三レンズ４３の各々は、第三ミラー６３の第三反射面６３ａで反射された第三光である第三反射光を受ける。本実施の形態では、複数の第三レンズ４３の各々は、第三反射光をコリメートし、第三出力光として出力する。本実施の形態では、複数の第三レンズ４３は、すべて同一の焦点距離を有する球面レンズである。複数の第三レンズ４３の個数は、第三セット１３ａ～１３ｄの個数と等しい。本実施の形態では、複数の第三レンズ４３の個数は４個である。複数の第三レンズ４３の各々は、第三反射面６３ａと対向する位置に配置される。したがって、複数の第三レンズ４３は、複数の第三セット１３ａ～１３ｄと同様に、第二方向に１列に配列される。

蓋体４０は、図１に示されるように、複数の第一レンズ４１、複数の第二レンズ４２、及び複数の第三レンズ４３が配置されているレンズ領域４４を有する。本実施の形態では、レンズ領域４４は、矩形状の形状を有する。レンズ領域４４は、例えば、各レンズが配置される面積が占める割合が、９０％以上である任意の領域で定義されてもよい。またレンズ領域４４は、複数の第一レンズ４１、複数の第二レンズ４２、及び、複数の第三レンズ４３の包絡線で囲まれる領域で定義されてもよい。

［１－２．偏光方向］
本実施の形態に係る多波長光源モジュール１０が出射する光の偏光方向について説明する。まず、第一半導体レーザチップ５１が出射する第一光の偏光方向について図４及び図５を用いて説明する。図４は、本実施の形態に係る第一半導体レーザチップ５１の遠視野像（ＦＦＰ）の概要を示す模式図である。図５は、本実施の形態に係る第一半導体レーザチップ５１からの第一光Ｌ１１の伝搬の様子を示す図である。図５には、第一光軸を通り、第二方向に垂直な断面が示されている。また、図５には、第一光Ｌ１１及び第一反射光Ｌ１２の光軸が破線矢印で示されている。

第一半導体レーザチップ５１は、図４に示される第三方向に積層された半導体積層体を含む。第一半導体レーザチップ５１の出射面から出射された第一光Ｌ１１は、積層方向に平行な第三方向における広がり角が、積層方向に垂直な第二方向における広がり角より大きくなる。第一光Ｌ１１の広がり角が大きい第三方向に沿った軸がファスト軸Ａｆであり、第一光Ｌ１１の第一光軸及びファスト軸Ａｆに垂直な第二方向に平行な軸がスロー軸Ａｓである。赤色半導体レーザチップである第一半導体レーザチップ５１においては、偏光方向がファスト軸Ａｆに平行である。つまり、第一半導体レーザチップ５１から第一ミラー６１へ伝搬する第一光Ｌ１１の偏光方向は、第三方向に平行である。図５に示されるように、第一半導体レーザチップ５１から第一ミラー６１へ伝搬する第一光Ｌ１１のファスト軸Ａｆ及び偏光方向は、基台２０の主面２１に垂直である。

このような第一光Ｌ１１は、第一ミラー６１の第一反射面６１ａで反射され、第一反射光Ｌ１２として主面２１に垂直な第三方向に伝搬する。第一光Ｌ１１の第一ミラー６１での反射に伴い、ファスト軸Ａｆの方向も変わる。第一反射光Ｌ１２のファスト軸Ａｆは、図５に示されるように第一方向に平行である。第一反射光Ｌ１２の偏光方向は、ファスト軸Ａｆに平行であるため、第一方向に平行な方向となる。

続いて、第二半導体レーザチップ５２が出射する第二光の偏光方向について図６を用いて説明する。図６は、本実施の形態に係る第二半導体レーザチップ５２からの第二光Ｌ２１の伝搬の様子を示す図である。図６には、第二光軸を通り、第一方向に垂直な断面が示されている。また、図６には、第二光Ｌ２１及び第二反射光Ｌ２２の光軸が破線矢印で示されている。

第二半導体レーザチップ５２は、第三方向に積層された半導体積層体を含む。第二半導体レーザチップ５２の出射面から出射された第二光Ｌ２１は、積層方向に平行な第三方向における広がり角が、積層方向に垂直な第二方向における広がり角より大きくなる。第二光Ｌ２１の広がり角が大きい第三方向に沿った軸がファスト軸Ａｆであり、第二光Ｌ２１の第二光軸及びファスト軸Ａｆに垂直な第一方向に平行な軸がスロー軸Ａｓである。緑色半導体レーザチップである第二半導体レーザチップ５２においては、偏光方向がスロー軸Ａｓに平行である。つまり、第二半導体レーザチップ５２から第二ミラー６２へ伝搬する第二光Ｌ２１の偏光方向は、第一方向に平行である。このように、第一半導体レーザチップ５１から第一ミラー６１へ伝搬する第一光Ｌ１１の偏光方向と、第二半導体レーザチップ５２から第二ミラー６２へ伝搬する第二光Ｌ２１の偏光方向とは、直交する。図６に示されるように、第二半導体レーザチップ５２から第二ミラー６２へ伝搬する第二光Ｌ２１のスロー軸Ａｓ及び偏光方向は、基台２０の主面２１に平行である。

このような第二光Ｌ２１は、第二ミラー６２の第二反射面６２ａで反射され、第二反射光Ｌ２２として主面２１に垂直な第三方向に伝搬する。第二光Ｌ２１の第二ミラー６２での反射に伴い、ファスト軸Ａｆの方向は変わるが、スロー軸Ａｓの方向は変化しない。第二反射光Ｌ２２のスロー軸Ａｓは、図６に示されるように第一方向に平行である。第二反射光Ｌ２２の偏光方向は、スロー軸Ａｓに平行であるため、第一方向に平行な方向となる。

青色半導体レーザチップである第三半導体レーザチップ５３から出射された第三光のスロー軸Ａｓ及び偏光方向は、第二半導体レーザチップ５２と同様に、第一方向に平行な方向である。このように、第一半導体レーザチップ５１から第一ミラー６１へ伝搬する第一光Ｌ１１の偏光方向と、第三半導体レーザチップ５３から第三ミラー６３へ伝搬する第三光の偏光方向とは、直交する。また、第三光が、第三ミラー６３の第三反射面６３ａで反射され、第三反射光として主面２１に垂直な第三方向に伝搬する。ここで、第三光の第三ミラー６３での反射に伴い、ファスト軸Ａｆの方向は変わるが、スロー軸Ａｓの方向は変化しないため、第三反射光の偏光方向は、第二反射光Ｌ２２と同様に、第一方向に平行な方向となる。

以上のように、第一反射光、第二反射光、及び第三反射光の偏光方向は、いずれも第一方向に平行な方向となる。なお、第一出力光、第二出力光、及び第三出力光の偏光方向も、いずれも、第一方向に平行な方向となる。また、本実施の形態に係る多波長光源モジュール１０からは、複数の第一半導体レーザチップ５１、複数の第二半導体レーザチップ５２、及び、複数の第三半導体レーザチップ５３からの各光が出射されるため、単一の第一半導体レーザチップ５１、単一の第二半導体レーザチップ５２、及び、単一の第三半導体レーザチップ５３だけを備える多波長光源モジュールより、高パワーの光を出射できる。したがって、本実施の形態に係る多波長光源モジュール１０は、偏光方向が揃っていて、かつ、高パワーな光を出射できる。このような、多波長光源モジュール１０は、例えば、単一の液晶を備える時分解型プロジェクタ用の光源に適している。多波長光源モジュール１０を用いることで、偏光方向が揃った光が得られるため、多波長光源モジュール１０からの光を偏光フィルタによってフィルタリングする際に発生する光損失を低減できる。また、多波長光源モジュール１０を用いることで、高パワーの光を得られるため、より明るい画像を投影できる時分解型プロジェクタを実現できる。

［１－３．各レンズの形状］
本実施の形態に係る各レンズの形状について説明する。図４に示されるように、第一光Ｌ１１は、ファスト軸Ａｆ方向の方がスロー軸Ａｓ方向よりビーム径が大きい。第一反射光Ｌ１２も、第一光Ｌ１１と同様に、ファスト軸Ａｆ方向の方がスロー軸Ａｓ方向よりビーム径が大きい。このため、図１及び図３に示されるように、第一反射光Ｌ１２が入射する第一レンズ４１のスロー軸Ａｓ方向（つまり、第二方向）の寸法をファスト軸Ａｆ方向（つまり、第一方向）の寸法より小さくしてもよい。つまり、複数の第一レンズ４１の各々の、第二方向における幅は、第一方向における幅より小さくてもよい。第一レンズ４１の第一反射光Ｌ１２のファスト軸Ａｆ方向における寸法と、スロー軸Ａｓ方向における寸法との比は、例えば、２：１から６：１程度である。このように、スロー軸Ａｓ方向における第一レンズ４１の寸法を小さくすることができる。第二レンズ４２、及び第三レンズ４３についても第一レンズ４１と同様に、それぞれ、第二反射光、及び第三反射光のスロー軸Ａｓ方向の寸法を小さくしてもよい。つまり、複数の第二レンズ４２の各々の、第一方向における幅は、第二方向における幅より小さくてもよい。また、複数の第三レンズ４３の各々の、第一方向における幅は、第二方向における幅より小さくてもよい。これにより、各レンズの外部に光が入射することを抑制しつつ、多波長光源モジュール１０の寸法を小型化することが可能となる。

また、図１及び図３に示されるように、第一レンズ４１と、第二レンズ４２及び第三レンズ４３との第二方向における寸法が異なる。これに伴い、第二方向に一列に配列される第一レンズ４１の個数は、第二方向に一列に配列される第二レンズ４２の個数、及び、第二方向に一列に配列される第三レンズ４３の個数と異なってもよい。

［１－４．配線］
本実施の形態に係る各半導体レーザチップへ電力を供給するための配線のレイアウトについて図７を用いて説明する。図７は、本実施の形態に係る多波長光源モジュール１０における各セット及び配線のレイアウトを示す平面図である。図７には、多波長光源モジュール１０の蓋体４０を取り除いた状態を示す平面図が示されている。

図７に示されるように、枠部材３０は、枠部材３０の外部から枠部材３０の内部に配置された各セットに電流を供給するための２個の第一正極電流端子９１ｐと、２個の第一負極電流端子９１ｎと、１個の第二正極電流端子９２ｐと、１個の第二負極電流端子９２ｎと、１個の第三正極電流端子９３ｐと、１個の第三負極電流端子９３ｎとを有する。２個の第一正極電流端子９１ｐと、１個の第二正極電流端子９２ｐと、１個の第三正極電流端子９３ｐとは、枠部材３０の第二方向における一方の端部（図７の左側の端部）に配置される。２個の第一負極電流端子９１ｎと、１個の第二負極電流端子９２ｎと、１個の第三負極電流端子９３ｎとは、枠部材３０の第二方向における他方の端部（図７の右側の端部）に配置される。このように、正極電流端子と、負極電流端子とを分離して配置することで、多波長光源モジュール１０を含む回路設計を容易化することができる。また、正極電流端子と負極電流端子との配置を識別しやすくなるため、多波長光源モジュール１０への配線接続時の接続ミスの発生を抑制できる。各電流端子は、枠部材３０の外部から内部に貫通する導電性部材である。枠部材３０が導電性材料で形成される場合には、各電流端子と枠部材３０との間が電気的に絶縁される。このような各電流端子を用いて、多波長光源モジュール１０の外部から、各半導体レーザチップに電流が供給される。

また、本実施の形態では、多波長光源モジュール１０は、４個の第一セット用中継部材８１と、１個の第二セット用中継部材８２と、１個の第三セット用中継部材８３とをさらに備える。

第一セット用中継部材８１は、複数の第一セット１１ａ～１１ｊと隣り合う位置に配置される部材である。本実施の形態では、４個の第一セット用中継部材８１は、それぞれ、第一セット１１ａ、１１ｅ、１１ｆ、及び１１ｊと第二方向において隣り合う位置に配置される。第一セット用中継部材８１は、導電性部材８１ｅを含む。導電性部材８１ｅの構成は特に限定されない。導電性部材８１ｅとして、例えば、Ａｕ膜などを用いることができる。本実施の形態では、第一セット用中継部材８１は、絶縁性部材８１ｄをさらに含む。絶縁性部材８１ｄは、絶縁性材料を含む部材であり、基台２０の主面２１に配置される。絶縁性部材８１ｄは、基台２０と導電性部材８１ｅとの間の電気的絶縁を維持できる部材であれば特に限定されない。絶縁性部材８１ｄとして、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、アルミナなどの絶縁性材料を用いることができる。導電性部材８１ｅは、絶縁性部材８１ｄを介して基台２０の主面２１に配置される。これにより、導電性部材８１ｅと基台２０との間の電気的絶縁を維持できる。本実施の形態では、導電性部材８１ｅは、絶縁性部材８１ｄの上面に配置され、金属系接合材で基台２０に接合される。

第二セット用中継部材８２は、複数の第二セット１２ａ～１２ｄと隣り合う位置に配置される部材である。本実施の形態では、第二セット用中継部材８２は、複数の第二セット１２ａ～１２ｄと第一方向において隣り合う位置に配置され、複数の導電性部材８２ｅ１～８２ｅ５を含む。導電性部材８２ｅ１～８２ｅ５の各々の材質などは、導電性部材８１ｅと同様である。本実施の形態では、第二セット用中継部材８２は、絶縁性部材８２ｄをさらに含む。絶縁性部材８２ｄは、絶縁性材料を含む部材であり、基台２０の主面２１に配置される。絶縁性部材８２ｄの構成は、絶縁性部材８１ｄの構成と同様である。本実施の形態では、絶縁性部材８２ｄは、第二方向に延在する長尺状の形状を有する。絶縁性部材８２ｄの上面には、複数の導電性部材８２ｅ１～８２ｅ５が互いに電気的に絶縁された状態で配置される。

複数の導電性部材８２ｅ１～８２ｅ５は、第二方向に配列されている。導電性部材８２ｅ１は、第二正極電流端子９２ｐ及び第二セット１２ａと隣り合う位置に配置される。導電性部材８２ｅ２は、第二セット１２ａ及び第二セット１２ｂと隣り合う位置に配置される。導電性部材８２ｅ３は、第二セット１２ｂ及び第二セット１２ｃと隣り合う位置に配置される。導電性部材８２ｅ４は、第二セット１２ｃ及び第二セット１２ｄと隣り合う位置に配置される。導電性部材８２ｅ５は、第二セット１２ｄ及び第二負極電流端子９２ｎと隣り合う位置に配置される。

なお、第二セット用中継部材８２は、複数の絶縁性部材を含んでもよい。例えば、第二セット用中継部材８２は、複数の導電性部材８２ｅ１～８２ｅ５が、それぞれ配置される複数の絶縁性部材を含んでもよい。

第三セット用中継部材８３は、複数の第三セット１３ａ～１３ｄと隣り合う位置に配置される部材である。本実施の形態では、第三セット用中継部材８３は、複数の第三セット１３ａ～１３ｄと第一方向において隣り合う位置に配置され、複数の導電性部材８３ｅ１～８３ｅ５を含む。導電性部材８３ｅ１～８３ｅ５の各々の材質は、導電性部材８１ｅと同様である。本実施の形態では、第三セット用中継部材８３は、絶縁性部材８３ｄをさらに含む。絶縁性部材８３ｄは、絶縁性材料を含む部材であり、基台２０の主面２１に配置される。絶縁性部材８３ｄの構成は、絶縁性部材８１ｄの構成と同様である。本実施の形態では、絶縁性部材８３ｄは、第二方向に延在する長尺状の形状を有する。絶縁性部材８３ｄの上面には、複数の導電性部材８３ｅ１～８３ｅ５が互いに電気的に絶縁された状態で配置される。

複数の導電性部材８３ｅ１～８３ｅ５は、第二方向に配列されている。導電性部材８３ｅ１は、第三正極電流端子９３ｐ及び第三セット１３ａと隣り合う位置に配置される。導電性部材８３ｅ２は、第三セット１３ａ及び第三セット１３ｂと隣り合う位置に配置される。導電性部材８３ｅ３は、第三セット１３ｂ及び第三セット１３ｃと隣り合う位置に配置される。導電性部材８３ｅ４は、第三セット１３ｃ及び第三セット１３ｄと隣り合う位置に配置される。導電性部材８３ｅ５は、第三セット１３ｄ及び第三負極電流端子９３ｎと隣り合う位置に配置される。

なお、第三セット用中継部材８３は、複数の絶縁性部材を含んでもよい。例えば、第三セット用中継部材８３は、複数の導電性部材８３ｅ１～８３ｅ５が、それぞれ配置される複数の絶縁性部材を含んでもよい。

複数の第一セット１１ａ～１１ｊは、複数の第一ワイヤＷ１を用いて電気的に直列接続されている。第一ワイヤＷ１は、導電性のワイヤである。第一ワイヤＷ１は、導電性のワイヤであれば特に限定されない。本実施の形態では、第一ワイヤＷ１は、Ａｕを含むワイヤである。具体的には、第一セット１１ａの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極（図示せず）と、隣接する第一セット１１ｂの第一サブマウント７１上に形成されたｐ側接続電極７１ｅとの間が、１本以上の第一ワイヤＷ１で接続される。ｐ側接続電極７１ｅは、第一サブマウント７１に実装された第一半導体レーザチップ５１のｐ側電極（図示せず）と電気的に接続されている。このように、第一セット１１ａの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極と、第一セット１１ｂの第一半導体レーザチップ５１のｐ側電極とが、電気的に接続される。同様に、第一セット１１ｂ、１１ｃ、及び１１ｄの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極と、それぞれに隣接される第一セット１１ｃ、１１ｄ、及び１１ｅの第一サブマウント７１のｐ側接続電極７１ｅとが、それぞれ、電気的に接続される。また、第一セット１１ｆ、１１ｇ、１１ｈ及び１１ｉの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極と、それぞれに隣接する第一セット１１ｇ、１１ｈ、１１ｉ及び１１ｊの第一サブマウント７１のｐ側接続電極７１ｅとが、それぞれ、電気的に接続される。

２個の第一正極電流端子９１ｐのうち一方の第一正極電流端子９１ｐと、第一セット１１ａのｐ側接続電極７１ｅとは、第一ワイヤＷ１と、１個の第一セット用中継部材８１とを用いて電気的に接続される。当該１個の第一セット用中継部材８１は、当該第一正極電流端子９１ｐ及び第一セット１１ａと隣り合う位置に配置される。第一正極電流端子９１ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第一セット用中継部材８１の導電性部材８１ｅとが、１本以上の第一ワイヤＷ１を用いて電気的に接続される。また、第一セット用中継部材８１の導電性部材８１ｅと、第一セット１１ａのｐ側接続電極７１ｅとが１本以上の第一ワイヤＷ１を用いて電気的に接続される。同様に、２個の第一正極電流端子９１ｐのうち他方の第一正極電流端子９１ｐと、第一セット１１ｆのｐ側接続電極７１ｅとは、１個の第一セット用中継部材８１と第一ワイヤＷ１とを用いて電気的に接続される。

２個の第一負極電流端子９１ｎのうち一方の第一負極電流端子９１ｎと、第一セット１１ｅの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極とは、１個の第一セット用中継部材８１と第一ワイヤＷ１とを用いて電気的に接続される。当該１個の第一セット用中継部材８１は、当該第一負極電流端子９１ｎ及び第一セット１１ｅと隣り合う位置に配置される。第一負極電流端子９１ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第一セット用中継部材８１の導電性部材８１ｅとが、１本以上の第一ワイヤＷ１を用いて電気的に接続される。また、第一セット用中継部材８１の導電性部材８１ｅと、第一セット１１ｅの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極とが１本以上の第一ワイヤＷ１を用いて電気的に接続される。同様に、２個の第一負極電流端子９１ｎのうち他方の第一負極電流端子９１ｎと、第一セット１１ｊの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極とは、１個の第一セット用中継部材８１と第一ワイヤＷ１とを用いて電気的に接続される。

以上のような構成により、１個の第一正極電流端子９１ｐ及び１個の第一負極電流端子９１ｎから、電気的に直列接続された５個の第一セット１１ａ～１１ｅに、電流を供給できる。また、１個の第一正極電流端子９１ｐ及び１個の第一負極電流端子９１ｎから、電気的に直列接続された５個の第一セット１１ｆ～１１ｊに、電流を供給できる。

複数の第二セット１２ａ～１２ｄは、複数の第二ワイヤＷ２と第二セット用中継部材８２とを用いて電気的に直列接続されている。第二ワイヤＷ２は、第一ワイヤＷ１と同様の構成を有する。本実施の形態では、第二セット１２ａの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極（図示せず）と、第二セット１２ｂの第二サブマウント７２上に形成されたｐ側接続電極７２ｅとの間が、１本以上の第二ワイヤＷ２と、第二セット用中継部材８２の導電性部材８２ｅ２とを用いて電気的に接続される。具体的には、第二セット１２ａの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極（図示せず）と、導電性部材８２ｅ２とが、１本以上の第二ワイヤＷ２で接続される。また、導電性部材８２ｅ２と、第二セット１２ｂのｐ側接続電極７２ｅとが、１本以上の第二ワイヤＷ２で接続される。ｐ側接続電極７２ｅは、第二サブマウント７２に実装された第二半導体レーザチップ５２のｐ側電極（図示せず）と電気的に接続されている。このように、第二セット１２ａの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極と、第二セット１２ｂの第二半導体レーザチップ５２のｐ側電極とが、電気的に接続される。同様に、第二セット１２ｂの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極と、第二セット１２ｃの第二半導体レーザチップ５２のｐ側電極とが、第二ワイヤＷ２と、導電性部材８２ｅ３とを用いて電気的に接続される。第二セット１２ｃの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極と、第二セット１２ｄの第二半導体レーザチップ５２のｐ側電極とが、第二ワイヤＷ２と、導電性部材８２ｅ４とを用いて電気的に接続される。

第二正極電流端子９２ｐと、第二セット１２ａのｐ側接続電極７２ｅとは、第二ワイヤＷ２と、第二セット用中継部材８２とを用いて電気的に接続される。具体的には、第二正極電流端子９２ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第二セット用中継部材８２の導電性部材８２ｅ１とが、１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。また、導電性部材８２ｅ１と、第二セット１２ａのｐ側接続電極７２ｅとが１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。

第二負極電流端子９２ｎと、第二セット１２ｄの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極とは、第二ワイヤＷ２と、第二セット用中継部材８２とを用いて電気的に接続される。具体的には、第二負極電流端子９２ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第二セット用中継部材８２の導電性部材８２ｅ５とが、１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。また、導電性部材８２ｅ５と、第二セット１２ｄの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極とが１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。

以上のような構成により、第二正極電流端子９２ｐ及び第二負極電流端子９２ｎから、電気的に直列接続された４個の第二セット１２ａ～１２ｄに、電流を供給できる。

複数の第三セット１３ａ～１３ｄは、複数の第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材８３とを用いて電気的に直列接続されている。第三ワイヤＷ３は、第一ワイヤＷ１と同様の構成を有する。本実施の形態では、第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極（図示せず）と、第三セット１３ｂの第三サブマウント７３上に形成されたｐ側接続電極７３ｅとの間が、１本以上の第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材８３の導電性部材８３ｅ２とを用いて電気的に接続される。具体的には、第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極（図示せず）と、導電性部材８３ｅ２とが、１本以上の第三ワイヤＷ３で接続される。また、導電性部材８３ｅ２と、第三セット１３ｂのｐ側接続電極７３ｅとが、１本以上の第三ワイヤＷ３で接続される。ｐ側接続電極７３ｅは、第三サブマウント７３に実装された第三半導体レーザチップ５３のｐ側電極（図示せず）と電気的に接続されている。このように、第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極と、第三セット１３ｂの第三半導体レーザチップ５３のｐ側電極とが、電気的に接続される。同様に、第三セット１３ｂの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極と、第三セット１３ｃの第三半導体レーザチップ５３のｐ側電極とが、第三ワイヤＷ３と、導電性部材８３ｅ３とを用いて電気的に接続される。第三セット１３ｃの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極と、第三セット１３ｄの第三半導体レーザチップ５３のｐ側電極とが、第三ワイヤＷ３と、導電性部材８３ｅ４とを用いて電気的に接続される。

第三正極電流端子９３ｐと、第三セット１３ａのｐ側接続電極７３ｅとは、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材８３とを用いて電気的に接続される。具体的には、第三正極電流端子９３ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第三セット用中継部材８３の導電性部材８３ｅ１とが、１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。また、導電性部材８３ｅ１と、第三セット１３ａのｐ側接続電極７３ｅとが１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。

第三負極電流端子９３ｎと、第三セット１３ｄの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極とは、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材８３とを用いて電気的に接続される。具体的には、第三負極電流端子９３ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第三セット用中継部材８３の導電性部材８３ｅ５とが、１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。また、導電性部材８３ｅ５と、第三セット１３ｄの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極とが１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。

以上のような構成により、第三正極電流端子９３ｐ及び第三負極電流端子９３ｎから、電気的に直列接続された４個の第三セット１３ａ～１３ｄに、電流を供給できる。

本実施の形態では、複数の第二セット１２ａ～１２ｄが第二方向に配列されており、かつ、複数の第二セット１２ａ～１２ｄの各々の第二光軸が第二方向に平行である。これに伴い、隣り合う二つの第二半導体レーザチップ５２の間に、第二ミラー６２が配置される。このため、隣り合う二つの第二半導体レーザチップ５２を電気的に接続するための第二ワイヤＷ２と、第二ミラー６２及び第二光とが干渉し得る。しかしながら、本実施の形態では、複数の第二セット１２ａ～１２ｄと第一方向において隣り合う位置に配置される第二セット用中継部材８２を介して、隣り合うに対して二つの第二半導体レーザチップ５２を電気的に接続するため、第二ワイヤＷ２と第二ミラー６２及び第二光との干渉を抑制できる。

さらに、第二セット用中継部材８２を用いることで、第二ワイヤＷ２の使用量を削減することが可能となる。特に、本実施の形態のように、第二ワイヤＷ２がＡｕを含む場合には、第二ワイヤＷ２の使用量を削減することで、コストを削減することが可能となる。

本実施の形態では、第二セット用中継部材８２及び導電性部材８２ｅ２～８２ｅ５が、第二ミラー６２と第一方向において隣り合う位置に配置される。このような導電性部材８２ｅ２～８２ｅ５を用いることで、第二ミラー６２を迂回して、隣り合う二つの第二半導体レーザチップ５２を電気的に接続できるため、より一層確実に、第二ワイヤＷ２と第二ミラー６２及び第二光との干渉を抑制できる。

また、複数の第三セット１３ａ～１３ｄについても、複数の第二セット１２ａ～１２ｄと同様に、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材８３と用いることで、第三ワイヤＷ３と第三ミラー６３及び第三光との干渉を抑制できる。また、第三セット用中継部材８３及び導電性部材８３ｅ２～８３ｅ５が、第三ミラー６３と第一方向において隣り合う位置に配置される。このような導電性部材８３ｅ２～８３ｅ５を用いることで、より一層確実に、第三ワイヤＷ３と第三ミラー６３及び第三光との干渉を抑制できる。

（実施の形態２）
実施の形態２に係る多波長光源モジュールについて説明する。本実施の形態に係る多波長光源モジュールは、主に、第二セット及び第三セットの配列方向において実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と相違する。以下、本実施の形態に係る多波長光源モジュールについて、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０との相違点を中心に図８を用いて説明する。

図８は、本実施の形態に係る多波長光源モジュール１１０における各セット及び配線のレイアウトを示す平面図である。図８には、多波長光源モジュール１１０の蓋体を取り除いた状態を示す平面図が示されている。

図８に示されるように、本実施の形態に係る多波長光源モジュール１１０は、基台２０と、複数の第一セット１１ａ～１１ｈと、複数の第二セット１２ａ～１２ｄとを備える。本実施の形態では、多波長光源モジュール１１０は、複数の第三セット１３ａ～１３ｄと、枠部材３０と、２個の第一正極電流端子９１ｐと、２個の第一負極電流端子９１ｎと、第二正極電流端子９２ｐと、第二負極電流端子９２ｎと、第三正極電流端子９３ｐと、第三負極電流端子９３ｎと、第一ワイヤＷ１と、第二ワイヤＷ２と、第三ワイヤＷ３と、４個の第一セット用中継部材８１と、第二セット用中継部材１８２ａ及び１８２ｂと、第三セット用中継部材１８３ａ及び１８３ｂとをさらに備える。なお、図８には示されないが、多波長光源モジュール１１０は、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、各セットに対応する位置に配置されるレンズを有する蓋体をさらに備える。

本実施の形態に係る複数の第一セット１１ａ～１１ｈは、実施の形態１に係る第一セット１１ａ～１１ｊと、個数において異なるが、個数以外は、同様の構成を有する。

複数の第二セット１２ａ～１２ｄの各々の第二光軸は、実施の形態１と同様に、第二方向に平行である。本実施の形態では、複数の第二セット１２ａ～１２ｄは、第一方向に一列に配列されている。複数の第二セット１２ａ～１２ｄは、第二ワイヤＷ２を用いて電気的に直列接続されている。本実施の形態では、隣り合う二つの第二半導体レーザチップ５２の間に第二ミラー６２などが配置されないため、隣り合う二つの第二半導体レーザチップ５２の間は、中継部材などを用いることなく第二ワイヤＷ２のみによって電気的に接続されている。これにより、中継部材及び第二ワイヤＷ２の使用量を削減できる。

第二正極電流端子９２ｐと、第二セット１２ｄのｐ側接続電極７２ｅとは、第二ワイヤＷ２と、第二セット用中継部材１８２ｂとを用いて電気的に接続される。第二セット用中継部材１８２ｂは、第二セット１２ｄと第二方向において隣り合う位置に配置される。第二セット用中継部材１８２ｂは、導電性部材１８２ｅ２と、絶縁性部材１８２ｄ２とを含む。導電性部材１８２ｅ２は、絶縁性部材１８２ｄ２の上面に配置される。

第二正極電流端子９２ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第二セット用中継部材１８２ｂの導電性部材１８２ｅ２とが、１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。また、導電性部材１８２ｅ２と、第二セット１２ｄのｐ側接続電極７２ｅとが１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。

第二負極電流端子９２ｎと、第二セット１２ａの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極とは、第二ワイヤＷ２と、第二セット用中継部材１８２ａとを用いて電気的に接続される。第二セット用中継部材１８２ａは、第二セット１２ａと第一方向において隣り合う位置に配置される。第二セット用中継部材１８２ａは、導電性部材１８２ｅ１と、絶縁性部材１８２ｄ１とを含む。導電性部材１８２ｅ１は、絶縁性部材１８２ｄ１の上面に配置される。

第二負極電流端子９２ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第二セット用中継部材１８２ａの導電性部材１８２ｅ１とが、１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。また、導電性部材１８２ｅ１と、第二セット１２ａの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極とが１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。このように、第二セット１２ａと第一方向において隣り合う第二セット用中継部材１８２ａを用いることにより、第二ワイヤＷ２の使用量を削減することができる。

以上のような構成により、第二正極電流端子９２ｐ及び第二負極電流端子９２ｎから、電気的に直列接続された４個の第二セット１２ａ～１２ｄに、電流を供給できる。

複数の第三セット１３ａ～１３ｄの各々の第三光軸は、実施の形態１と同様に、第二方向に平行である。本実施の形態では、複数の第三セット１３ａ～１３ｄは、第一方向に一列に配列されている。複数の第三セット１３ａ～１３ｄは、第三ワイヤＷ３を用いて電気的に直列接続されている。本実施の形態では、隣り合う二つの第三半導体レーザチップ５３の間に第三ミラー６３などが配置されないため、隣り合う二つの第三半導体レーザチップ５３の間は、中継部材などを用いることなく第三ワイヤＷ３のみによって電気的に接続されている。これにより、中継部材及び第三ワイヤＷ３の使用量を削減できる。

第三正極電流端子９３ｐと、第三セット１３ｄのｐ側接続電極７３ｅとは、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材１８３ｂとを用いて電気的に接続される。第三セット用中継部材１８３ｂは、第三セット１３ｄと第一方向において隣り合う位置に配置される。第三セット用中継部材１８３ｂは、導電性部材１８３ｅ２と、絶縁性部材１８３ｄ２とを含む。導電性部材１８３ｅ２は、絶縁性部材１８３ｄ２の上面に配置される。

第三正極電流端子９３ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第三セット用中継部材１８３ｂの導電性部材１８３ｅ２とが、１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。また、導電性部材１８３ｅ２と、第三セット１３ｄのｐ側接続電極７３ｅとが１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。このように、第三セット１３ｄの第三ミラー６３と第一方向において隣り合う第三セット用中継部材１８３ｂを用いることにより、第三ワイヤＷ３と、第三セット１３ｄの第三ミラー６３及び第三光とが干渉することを抑制できる。また、第三ワイヤＷ３の使用量を削減することができる。

第三負極電流端子９３ｎと、第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極とは、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材１８３ａとを用いて電気的に接続される。第三セット用中継部材１８３ａは、第三セット１３ａと第一方向において隣り合う位置に配置される。第三セット用中継部材１８３ａは、導電性部材１８３ｅ１と、絶縁性部材１８３ｄ１とを含む。導電性部材１８３ｅ１は、絶縁性部材１８３ｄ１の上面に配置される。

第三負極電流端子９３ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第三セット用中継部材１８３ａの導電性部材１８３ｅ１とが、１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。また、導電性部材１８３ｅ１と、第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極とが１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。このように、第三セット１３ａの第三ミラー６３と第一方向において隣り合う第三セット用中継部材１８３ａを用いることにより、第三ワイヤＷ３と、第三セット１３ａの第三ミラー６３及び第三光とが干渉することを抑制できる。また、第三ワイヤＷ３の使用量を削減することができる。

以上のような構成により、第三正極電流端子９３ｐ及び第三負極電流端子９３ｎから、電気的に直列接続された４個の第三セット１３ａ～１３ｄに、電流を供給できる。

また、本実施の形態に係る多波長光源モジュール１１０においても、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、偏光方向が揃っており、かつ、高パワーの光を出射することができる。

（実施の形態３）
実施の形態３に係る多波長光源モジュールについて説明する。本実施の形態に係る多波長光源モジュールは、主に、第三セット１３ａ～１３ｄの配置において、実施の形態２に係る多波長光源モジュール１１０と相違する。以下、本実施の形態に係る多波長光源モジュールについて、実施の形態２に係る多波長光源モジュール１１０との相違点を中心に図９を用いて説明する。

図９は、本実施の形態に係る多波長光源モジュール２１０における各セット及び配線のレイアウトを示す平面図である。図９には、多波長光源モジュール２１０の蓋体を取り除いた状態を示す平面図が示されている。

図９に示されるように、本実施の形態に係る多波長光源モジュール２１０は、基台２０と、複数の第一セット１１ａ～１１ｈと、複数の第二セット１２ａ～１２ｄとを備える。本実施の形態では、多波長光源モジュール２１０は、複数の第三セット１３ａ～１３ｄと、枠部材３０と、２個の第一正極電流端子９１ｐと、２個の第一負極電流端子９１ｎと、第二正極電流端子９２ｐと、第二負極電流端子９２ｎと、第三正極電流端子９３ｐと、第三負極電流端子９３ｎと、第一ワイヤＷ１と、第二ワイヤＷ２と、第三ワイヤＷ３と、４個の第一セット用中継部材８１と、第二セット用中継部材１８２ａ及び１８２ｂと、第三セット用中継部材１８３ｃ及び１８３ｄとをさらに備える。なお、図９には示されないが、多波長光源モジュール２１０は、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、各セットに対応する位置に配置されるレンズを有する蓋体をさらに備える。

本実施の形態に係る第三セット１３ａ～１３ｄの各々においては、第三光軸の方向において、第三半導体レーザチップ５３の方が、第三ミラー６３より、主面２１の端部に近い位置に配置される。言い換えると、第三半導体レーザチップ５３は、主面２１上の領域の外側から内側に向かって第三光を出射する。これにより、主面２１の端部に配置される第三正極電流端子９３ｐ及び第三負極電流端子９３ｎと第三半導体レーザチップ５３との間に第三ミラー６３が配置されない。したがって、各電流端子と第三半導体レーザチップ５３とを接続する第三ワイヤＷ３と、第三ミラー６３及び第三光とが干渉することを抑制できる。

本実施の形態に係る第三正極電流端子９３ｐと、第三セット１３ｄのｐ側接続電極７３ｅとは、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材１８３ｄとを用いて電気的に接続される。第三セット用中継部材１８３ｄは、第三セット１３ｄと第二方向において隣り合う位置に配置される。第三セット用中継部材１８３ｄは、導電性部材１８３ｅ４と、絶縁性部材１８３ｄ４とを含む。導電性部材１８３ｅ４は、絶縁性部材１８３ｄ４の上面に配置される。

第三正極電流端子９３ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第三セット用中継部材１８３ｄの導電性部材１８３ｅ４とが、１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。また、導電性部材１８３ｅ４と、第三セット１３ｄのｐ側接続電極７３ｅとが１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。

第三負極電流端子９３ｎと、第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極とは、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材１８３ｃとを用いて電気的に接続される。第三セット用中継部材１８３ｃは、第三セット１３ａと第一方向において隣り合う位置に配置される。第三セット用中継部材１８３ｃは、導電性部材１８３ｅ３と、絶縁性部材１８３ｄ３とを含む。導電性部材１８３ｅ３は、絶縁性部材１８３ｄ３の上面に配置される。

第三負極電流端子９３ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第三セット用中継部材１８３ｃの導電性部材１８３ｅ３とが、１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。また、導電性部材１８３ｅ３と、第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極とが１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。このように、第三セット１３ａと第一方向において隣り合う第三セット用中継部材１８３ｃを用いることにより、第三ワイヤＷ３の使用量を削減することができる。

以上のように、本実施の形態では、第三光軸の方向において、第三半導体レーザチップ５３の方が、第三ミラー６３より、主面２１の端部に近い位置に配置される。このため、各電流端子と第三半導体レーザチップ５３とを接続する第三ワイヤＷ３と、第三ミラー６３及び第三光とが干渉することを抑制できる。また、第三セット用中継部材１８３ｃ及び１８３ｄを小型化することができる。

本実施の形態では、第二セット１２ａ～１２ｄの各々においても、第三セット１３ａ～１３ｄと同様に、第二光軸の方向において、第二半導体レーザチップ５２の方が、第二ミラー６２より、主面２１の端部に近い位置に配置される。これにより、各電流端子と第二半導体レーザチップ５２とを接続する第二ワイヤＷ２と、第二ミラー６２及び第二光とが干渉することを抑制できる。

また、本実施の形態に係る多波長光源モジュール２１０においても、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、偏光方向が揃っており、かつ、高パワーの光を出射することができる。

（実施の形態４）
実施の形態４に係る多波長光源モジュールについて説明する。本実施の形態に係る多波長光源モジュールは、主に、第二セット１２ａ～１２ｄ及び第三セット１３ａ～１３ｄの配置において、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と相違する。以下、本実施の形態に係る多波長光源モジュールについて、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０との相違点を中心に図１０を用いて説明する。

図１０は、本実施の形態に係る多波長光源モジュール３１０における各セット及び配線のレイアウトを示す平面図である。図１０には、多波長光源モジュール３１０の蓋体を取り除いた状態を示す平面図が示されている。

図１０に示されるように、本実施の形態に係る多波長光源モジュール３１０は、基台２０と、複数の第一セット１１ａ～１１ｊと、複数の第二セット１２ａ～１２ｄとを備える。本実施の形態では、多波長光源モジュール３１０は、複数の第三セット１３ａ～１３ｄと、枠部材３０と、２個の第一正極電流端子９１ｐと、２個の第一負極電流端子９１ｎと、第二正極電流端子９２ｐと、第二負極電流端子９２ｎと、第三正極電流端子９３ｐと、第三負極電流端子９３ｎと、第一ワイヤＷ１と、第二ワイヤＷ２と、第三ワイヤＷ３と、４個の第一セット用中継部材８１と、第二セット用中継部材３８２ａ～３８２ｃと、第三セット用中継部材３８３ａ～３８３ｃとをさらに備える。なお、図１０には示されないが、多波長光源モジュール３１０は、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、各セットに対応する位置に配置されるレンズを有する蓋体をさらに備える。

第二セット用中継部材３８２ａは、導電性部材３８２ｅ１と、絶縁性部材３８２ｄ１とを含む。導電性部材３８２ｅ１は、絶縁性部材３８２ｄ１の上面に配置される。第二セット用中継部材３８２ａは、第二セット１２ａと第一方向において隣り合う位置に配置される。また、第二セット用中継部材３８２ａは、第二正極電流端子９２ｐと隣り合う位置に配置される。

第二セット用中継部材３８２ｂは、導電性部材３８２ｅ２と、絶縁性部材３８２ｄ２とを含む。導電性部材３８２ｅ２は、絶縁性部材３８２ｄ２の上面に配置される。第二セット用中継部材３８２ｂは、第二方向に延在し、第二セット１２ｂ、１２ｃ、及び第三セット１３ａと第一方向において、第三セット用中継部材３８３ａを介して隣り合う位置に配置される。

第二セット用中継部材３８２ｃは、導電性部材３８２ｅ３と、絶縁性部材３８２ｄ３とを含む。導電性部材３８２ｅ３は、絶縁性部材３８２ｄ３の上面に配置される。第二セット用中継部材３８２ｃは、第二方向に延在し、第二セット１２ｄ及び第三セット１３ｃと第一方向において隣り合う位置に配置される。また、第二セット用中継部材３８２ｃは、第二負極電流端子９２ｎと隣り合う位置に配置される。

第三セット用中継部材３８３ａは、導電性部材３８３ｅ１と、絶縁性部材３８３ｄ１とを含む。導電性部材３８３ｅ１は、絶縁性部材３８３ｄ１の上面に配置される。第三セット用中継部材３８３ａは、第二方向に延在し、第二セット１２ｂ及び第三セット１３ａと第一方向において隣り合う位置に配置される。また、第三セット用中継部材３８３ａは、第三正極電流端子９３ｐと隣り合う位置に配置される。

第三セット用中継部材３８３ｂは、導電性部材３８３ｅ２と、絶縁性部材３８３ｄ２とを含む。導電性部材３８３ｅ２は、絶縁性部材３８３ｄ２の上面に配置される。第三セット用中継部材３８３ｂは、第二方向に延在し、第二セット１２ｄ、第三セット１３ｂ及び１３ｃと第一方向において、第二セット用中継部材３８２ｃを介して隣り合う位置に配置される。

第三セット用中継部材３８３ｃは、導電性部材３８３ｅ３と、絶縁性部材３８３ｄ３とを含む。導電性部材３８３ｅ３は、絶縁性部材３８３ｄ３の上面に配置される。第三セット用中継部材３８３ｃは、第二方向に延在し、第三セット１３ｄと第一方向において隣り合う位置に配置される。また、第三セット用中継部材３８３ｃは、第三負極電流端子９３ｎと隣り合う位置に配置される。

本実施の形態に係る多波長光源モジュール３１０においては、複数の第二セット１２ａ～１２ｄと、複数の第三セットとが、第二方向に交互に配置されている。具体的には、図１０に示されるように、第二セット１２ａ、第三セット１３ｂ、第二セット１２ｄ、及び、第三セット１３ｃが、この順に第二方向に配列されている。また、第二セット１２ｂ、第三セット１３ａ、第二セット１２ｃ、及び、第三セット１３ｄが、この順に第二方向に配列されている。第二セット１２ａ～１２ｄ、及び、第三セット１３ａ～１３ｄをこのように配置することにより、多波長光源モジュール３１０から出射される光における第二光と第三光との強度分布の偏りを抑制できる。

また、第二セット１２ａ及び１２ｂは、第一方向に配列されており、第二セット１２ｃ及び１２ｄは、第一方向に配列されている。第三セット１３ａ及び１３ｂは、第一方向に配列されており、第三セット１３ｃ及び１３ｄは、第一方向に配列されている。このように、複数の第二セット１２ａ～１２ｄのうち、少なくとも２個の第二セットは、第一方向に配列されてもよい。また、複数の第三セット１３ａ～１３ｄのうち、少なくとも２個の第三セットは、第一方向に配列されてもよい。

本実施の形態においては、第二セット１２ａ～１２ｄは、第二ワイヤＷ２及び第二セット用中継部材３８２ａ～３８２ｃを用いて電気的に直列接続されている。具体的には、第二セット１２ａの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極と、第二セット１２ｂのｐ側接続電極７２ｅとが、１本以上の第二ワイヤＷ２で接続される。第二セット１２ｂの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極と、第二セット用中継部材３８２ｂの導電性部材３８２ｅ２とが１本以上の第二ワイヤＷ２で接続される。ここで、図１０に示されるように、第二ワイヤＷ２が、第三セット用中継部材３８３ａの上方を通過する（つまり、第三セット用中継部材３８３ａを跨ぐ）。言い換えると、第二ワイヤＷ２と主面２１との間に第三セット用中継部材３８３ａが配置される。このため、第三セット用中継部材３８３ａは、第二セット用中継部材３８２ｂより、主面２１からの高さが低くてもよい。これにより、第二ワイヤＷ２と第三セット用中継部材３８３ａとが干渉することを抑制できる。

また、第二セット用中継部材３８２ｂの導電性部材３８２ｅ２と、第二セット１２ｃのｐ側接続電極７２ｅとが１本以上の第二ワイヤＷ２で接続される。第二セット１２ｃの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極と、第二セット１２ｄのｐ側接続電極７２ｅとが、１本以上の第二ワイヤＷ２で接続される。

以上のように本実施の形態では、複数の第二セット１２ａ～１２ｄは、第二方向において隣り合う２個の第二セット１２ｂ及び１２ｃを含む。第二セット用中継部材３８２ｂは、２個の第二セット１２ｂ及び１２ｃと第一方向において隣り合う位置に配置される。２個の第二セット１２ｂ及び１２ｃのうち一方の第二セット１２ｂが有する第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極は、一方の第二セット１２ｂが有するｐ側接続電極７２ｅと第二セット用中継部材３８２ｂとの間に配置され、かつ、第二セット用中継部材３８２ｂと１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。

また、２個の第二セット１２ｂ及び１２ｃのうち他方の第二セット１２ｃが有するｐ側接続電極７２ｅは、他方の第二セット１２ｃが有する第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極と第二セット用中継部材３８２ｂとの間に配置され、かつ、第二セット用中継部材３８２ｂと電気的に接続される。

第二正極電流端子９２ｐと、第二セット１２ａのｐ側接続電極７２ｅとは、第二ワイヤＷ２と、第二セット用中継部材３８２ａとを用いて電気的に接続される。具体的には、第二正極電流端子９２ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第二セット用中継部材３８２ａの導電性部材３８２ｅ１とが、１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。また、導電性部材３８２ｅ１と、第二セット１２ａのｐ側接続電極７２ｅとが１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。

第二負極電流端子９２ｎと、第二セット１２ｄの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極とは、第二ワイヤＷ２と、第二セット用中継部材３８２ｃとを用いて電気的に接続される。具体的には、第二負極電流端子９２ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第二セット用中継部材３８２ｃの導電性部材３８２ｅ３とが、１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。また、導電性部材３８２ｅ３と、第二セット１２ｄの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極とが１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。

以上のような構成により、複数の第二セット１２ａ～１２ｄは、電気的に直列接続される。また、第二正極電流端子９２ｐ及び第二負極電流端子９２ｎから、電気的に直列接続された４個の第二セット１２ａ～１２ｄに、電流を供給できる。また、第二セット１２ｂ及び１２ｃと第一方向において隣り合う第二セット用中継部材３８２ｂと、第二セット１２ｄと第一方向において隣り合う第二セット用中継部材３８２ｃとを用いることにより、第二ワイヤＷ２の使用量を削減することができる。さらに、第二セット用中継部材３８２ｂは、第二セット１２ｂの第二ミラー６２と第一方向において隣り合う位置に配置される。また第二セット用中継部材３８２ｃは、第二セット１２ｄの第二ミラー６２と第一方向において隣り合う位置に配置される。第二セット用中継部材３８２ｂを用いることで、第二ミラー６２を迂回して、第二セット１２ｂの第二半導体レーザチップ５２と、第二セット１２ｃの第二半導体レーザチップ５２とを電気的に接続できる。また、第二セット用中継部材３８２ｃを用いることで、第二ミラー６２を迂回して、第二半導体レーザチップ５２と第二負極電流端子９２ｎとを電気的に接続できる。したがって、第二ワイヤＷ２と第二ミラー６２及び第二光との干渉を抑制できる。

本実施の形態においては、第三セット１３ａ～１３ｄは、第三ワイヤＷ３及び第三セット用中継部材３８３ａ～３８３ｃを用いて電気的に直列接続されている。具体的には、第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極と、第三セット１３ｂのｐ側接続電極７３ｅとが、１本以上の第三ワイヤＷ３で接続される。第三セット１３ｂの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極と、第三セット用中継部材３８３ｂの導電性部材３８３ｅ２とが１本以上の第三ワイヤＷ３で接続される。第三セット用中継部材３８３ｂの導電性部材３８３ｅ２と、第三セット１３ｃのｐ側接続電極７３ｅとが１本以上の第三ワイヤＷ３で接続される。第三セット１３ｃの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極と、第三セット１３ｄのｐ側接続電極７３ｅとが、１本以上の第三ワイヤＷ３で接続される。

ここで、図１０に示されるように、第三ワイヤＷ３が、第二セット用中継部材３８２ｃの上方を通過する（つまり、第二セット用中継部材３８２ｃを跨ぐ）。言い換えると、第三ワイヤＷ３と主面２１との間に第二セット用中継部材３８２ｃが配置される。このため、第二セット用中継部材３８２ｃは、第三セット用中継部材３８３ｂより、主面２１からの高さが低くてもよい。これにより、第三ワイヤＷ３と第二セット用中継部材３８２ｃとが干渉することを抑制できる。

以上のように本実施の形態では、複数の第三セット１３ａ～１３ｄは、第二方向において隣り合う２個の第三セット１３ｂ及び１３ｃを含む。第三セット用中継部材３８３ｂは、２個の第三セット１３ｂ及び１３ｃと第一方向において隣り合う位置に配置される。２個の第三セット１３ｂ及び１３ｃのうち一方の第三セット１３ｂが有する第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極は、一方の第三セット１３ｂが有するｐ側接続電極７３ｅと第三セット用中継部材３８３ｂとの間に配置され、かつ、第三セット用中継部材３８３ｂと１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。

また、２個の第三セット１３ｂ及び１３ｃのうち他方の第三セット１３ｃが有するｐ側接続電極７３ｅは、他方の第三セット１３ｃが有する第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極と第三セット用中継部材３８３ｂとの間に配置され、かつ、第三セット用中継部材３８３ｂと電気的に接続される。

第三正極電流端子９３ｐと、第三セット１３ａのｐ側接続電極７３ｅとは、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材３８３ａとを用いて電気的に接続される。具体的には、第三正極電流端子９３ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第三セット用中継部材３８３ａの導電性部材３８３ｅ１とが、１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。また、導電性部材３８３ｅ１と、第三セット１３ａのｐ側接続電極７３ｅとが１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。

第三負極電流端子９３ｎと、第三セット１３ｄの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極とは、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材３８３ｃとを用いて電気的に接続される。具体的には、第三負極電流端子９３ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第三セット用中継部材３８３ｃの導電性部材３８３ｅ３とが、１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。また、導電性部材３８３ｅ３と、第三セット１３ｄの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極とが１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。

以上のような構成により、複数の第三セット１３ａ～１３ｄは、電気的に直列接続される。また、第三正極電流端子９３ｐ及び第三負極電流端子９３ｎから、電気的に直列接続された４個の第三セット１３ａ～１３ｄに、電流を供給できる。さらに、第三セット用中継部材３８３ａ及び３８３ｂは、それぞれ、第三セット１３ａ及び１３ｃの第三ミラー６３と第一方向において隣り合う位置に配置される。このような第三セット用中継部材３８３ａを用いることで、第三ミラー６３を迂回して、第三正極電流端子９３ｐと第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３とを電気的に接続できる。また、このような第三セット用中継部材３８３ｂを用いることで、第三セット１３ｂの第三半導体レーザチップ５３と、第三セット１３ｃの第三半導体レーザチップ５３とを電気的に接続できる。したがって、第三ワイヤＷ３と第三ミラー６３及び第三光との干渉を抑制できる。

また、本実施の形態に係る多波長光源モジュール３１０においても、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、偏光方向が揃っており、かつ、高パワーの光を出射することができる。

（実施の形態５）
実施の形態５に係る多波長光源モジュールについて説明する。本実施の形態に係る多波長光源モジュールは、主に、第一セット１１ａ～１１ｊの配置において、実施の形態４に係る多波長光源モジュール３１０と相違する。以下、本実施の形態に係る多波長光源モジュールについて、実施の形態４に係る多波長光源モジュール３１０との相違点を中心に図１１を用いて説明する。

図１１は、本実施の形態に係る多波長光源モジュール４１０における各セット及び配線のレイアウトを示す平面図である。図１１には、多波長光源モジュール４１０の蓋体を取り除いた状態を示す平面図が示されている。

図１１に示されるように、本実施の形態に係る多波長光源モジュール４１０は、基台２０と、複数の第一セット１１ａ～１１ｊと、複数の第二セット１２ａ～１２ｄとを備える。本実施の形態では、多波長光源モジュール４１０は、複数の第三セット１３ａ～１３ｄと、枠部材３０と、２個の第一正極電流端子９１ｐと、２個の第一負極電流端子９１ｎと、第二正極電流端子９２ｐと、第二負極電流端子９２ｎと、第三正極電流端子９３ｐと、第三負極電流端子９３ｎと、第一ワイヤＷ１と、第二ワイヤＷ２と、第三ワイヤＷ３と、４個の第一セット用中継部材８１と、第二セット用中継部材３８２ａ～３８２ｃと、第三セット用中継部材３８３ａ～３８３ｃとをさらに備える。なお、図１１には示されないが、多波長光源モジュール４１０は、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、各セットに対応する位置に配置されるレンズを有する蓋体をさらに備える。

本実施の形態では、図１１に示されるように、複数の第一セット１１ａ～１１ｊは、複数の第一セットのうち１個以上の第一セット１１ａ～１１ｅを含む第一グループと、第一グループに含まれる１個以上の第一セット１１ａ～１１ｅと異なる１個以上の第一セット１１ｆ～１１ｊを含む第二グループとを含み、複数の第二セット１２ａ～１２ｄ及び複数の第三セット１３ａ～１３ｄは、第一グループと第二グループとの間に配置される。

このように、複数の第一セット１１ａ～１１ｊの配置を分散することができるため、第一光の強度分布における偏りを抑制できる。また、本実施の形態では、実施の形態４と同様に、第二セット１２ａ～１２ｄの各々と第三セット１３ａ～１３ｄの各々とは、第二方向に交互に配置されているため、第二光及び第三光の強度分布における偏りも抑制できる。

また、本実施の形態に係る多波長光源モジュール４１０においても、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、偏光方向が揃っており、かつ、高パワーの光を出射することができる。

（実施の形態６）
実施の形態６に係る多波長光源モジュールについて説明する。本実施の形態に係る多波長光源モジュールは、主に、第一セット１１ａ～１１ｅの配置において、実施の形態５に係る多波長光源モジュール４１０と相違する。以下、本実施の形態に係る多波長光源モジュールについて、実施の形態４に係る多波長光源モジュール４１０との相違点を中心に図１２を用いて説明する。

図１２は、本実施の形態に係る多波長光源モジュール５１０における各セット及び配線のレイアウトを示す平面図である。図１２には、多波長光源モジュール５１０の蓋体を取り除いた状態を示す平面図が示されている。

図１２に示されるように、本実施の形態に係る多波長光源モジュール５１０は、基台２０と、複数の第一セット１１ａ～１１ｊと、複数の第二セット１２ａ～１２ｄとを備える。本実施の形態では、多波長光源モジュール５１０は、複数の第三セット１３ａ～１３ｄと、枠部材３０と、２個の第一正極電流端子９１ｐと、２個の第一負極電流端子９１ｎと、第二正極電流端子９２ｐと、第二負極電流端子９２ｎと、第三正極電流端子９３ｐと、第三負極電流端子９３ｎと、第一ワイヤＷ１と、第二ワイヤＷ２と、第三ワイヤＷ３と、４個の第一セット用中継部材８１と、第二セット用中継部材３８２ａ～３８２ｃと、第三セット用中継部材３８３ａ～３８３ｃとをさらに備える。なお、図１２には示されないが、多波長光源モジュール５１０は、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、各セットに対応する位置に配置されるレンズを有する蓋体をさらに備える。

本実施の形態においても、実施の形態５に係る多波長光源モジュール４１０と同様に、複数の第一セット１１ａ～１１ｊは、複数の第一セットのうち１個以上の第一セット１１ａ～１１ｅを含む第一グループと、第一グループに含まれる１個以上の第一セット１１ａ～１１ｅと異なる１個以上の第一セット１１ｆ～１１ｊを含む第二グループとを含み、複数の第二セット１２ａ～１２ｄ及び複数の第三セット１３ａ～１３ｄは、第一グループと第二グループとの間に配置される。

このように、複数の第一セット１１ａ～１１ｊの配置を分散することができるため、第一光の強度分布における偏りを抑制できる。

また、本実施の形態では、第一方向において、第一セット１１ａ～１１ｊの各々の第一半導体レーザチップ５１は、第一ミラー６１より、基台２０の主面２１の端部に近い位置に配置されている。一般に、第一半導体レーザチップ５１を基台２０の主面２１の端部に近い位置に配置する方が、放熱特性がよい。このため、本実施の形態では、第一半導体レーザチップ５１の放熱特性を高め得ることができる。これにより、第一半導体レーザチップ５１の特性を高めることができる。

また、本実施の形態に係る多波長光源モジュール５１０では、各セットを、第二方向に延びる直線に対して線対称に配置することができる。これにより、第一光、第二光、及び第三光の強度分布の偏りをより一層抑制できる。

また、本実施の形態に係る多波長光源モジュール５１０においても、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、偏光方向が揃っており、かつ、高パワーの光を出射することができる。

（実施の形態７）
実施の形態７に係る多波長光源モジュールについて説明する。本実施の形態に係る多波長光源モジュールは、主に、各セットの配置において、実施の形態５に係る多波長光源モジュール４１０と相違する。以下、本実施の形態に係る多波長光源モジュールについて、実施の形態４に係る多波長光源モジュール４１０との相違点を中心に図１３を用いて説明する。

図１３は、本実施の形態に係る多波長光源モジュール６１０における各セット及び配線のレイアウトを示す平面図である。図１３には、多波長光源モジュール６１０の蓋体を取り除いた状態を示す平面図が示されている。

図１３に示されるように、本実施の形態に係る多波長光源モジュール６１０は、基台２０と、複数の第一セット１１ａ～１１ｈと、複数の第二セット１２ａ～１２ｄとを備える。本実施の形態では、多波長光源モジュール６１０は、複数の第三セット１３ａ～１３ｄと、枠部材３０と、２個の第一正極電流端子９１ｐと、２個の第一負極電流端子９１ｎと、２個の第二正極電流端子９２ｐと、２個の第二負極電流端子９２ｎと、２個の第三正極電流端子９３ｐと、２個の第三負極電流端子９３ｎと、第一ワイヤＷ１と、第二ワイヤＷ２と、第三ワイヤＷ３と、４個の第一セット用中継部材８１と、第二セット用中継部材３８２ａ～３８２ｆと、第三セット用中継部材３８３ａ～３８３ｆとをさらに備える。なお、図１３には示されないが、多波長光源モジュール６１０は、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、各セットに対応する位置に配置されるレンズを有する蓋体をさらに備える。

第二セット用中継部材３８２ｄ～３８２ｆは、それぞれ、第二セット用中継部材３８２ａ～３８２ｃと同様の構成を有する。

第三セット用中継部材３８３ｄ～３８３ｆは、それぞれ、第三セット用中継部材３８３ａ～３８３ｃと同様の構成を有する。

第一セット１１ａ～１１ｄは、実施の形態４に係る第一セット１１ａ～１１ｅなどと同様に、第一ワイヤＷ１と、第一セット用中継部材８１とを用いて電気的に直列接続される。第一セット１１ｅ～１１ｈも、実施の形態４に係る第一セット１１ａ～１１ｅなどと同様に、第一ワイヤＷ１と、第一セット用中継部材８１とを用いて電気的に直列接続される。

第二セット１２ａ及び１２ｂは、実施の形態４に係る第二セット１２ｂ及び１２ｃなどと同様に、第二ワイヤＷ２と、第二セット用中継部材３８２ａ～３８２ｃとを用いて電気的に直列接続される。第二セット１２ｃ及び１２ｄも、実施の形態４に係る第二セット１２ｂ及び１２ｃなどと同様に、第二ワイヤＷ２と、第二セット用中継部材３８２ｄ～３８２ｆとを用いて電気的に直列接続される。

第三セット１３ａ及び１３ｂは、実施の形態４に係る第三セット１３ｂ及び１３ｃなどと同様に、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材３８３ａ～３８３ｃとを用いて電気的に直列接続される。第三セット１３ｃ及び１３ｄも、実施の形態４に係る第三セット１３ｂ及び１３ｃなどと同様に、第三ワイヤＷ３と、第三セット用中継部材３８３ｄ～３８３ｆとを用いて電気的に直列接続される。

本実施の形態に係る多波長光源モジュール６１０は、主面２１上に行列状に配置される複数のユニットを備える。複数のユニットの各々は、複数の第一セット１１ａ～１１ｈのうち少なくとも１個の第一セットと、複数の第二セット１２ａ～１２ｄのうち少なくとも１個の第二セットと、複数の第三セット１３ａ～１３ｄのうち少なくとも１個の第三セットとを含む。図１３に示される破線枠の内部が各ユニットに相当する。多波長光源モジュール６１０は、第一セット１１ａ及び１１ｂ、第二セット１２ａ、並びに、第三セット１３ａを含むユニットと、第一セット１１ｃ及び１１ｄ、第二セット１２ｂ、並びに、第三セット１３ｂを含むユニットと、第一セット１１ｅ及び１１ｆ、第二セット１２ｃ、並びに、第三セット１３ｃを含むユニットと、第一セット１１ｇ及び１１ｈ、第二セット１２ｄ、並びに、第三セット１３ｄを含むユニットとを備える。このように、多波長光源モジュール６１０は２行２列の行列状に配置される４個のユニットを備える。このように各々が、第一光、第二光、及び第三光を出射する複数のユニットが行列状に配置されることにより、多波長光源モジュール６１０からの光の第一光、第二光、及び第三光の強度分布の偏りを抑制できる。

また、複数のユニットの各々において、第一セットから、第二セット及び第三セットが配置される領域へ向かう向きに第一光が出射されてもよい。例えば、図１３に示されるように、第一セット１１ａ及び１１ｂから、第二セット１２ａ及び第三セット１３ａが配置される領域へ向かう向きに第一光が出射されてもよい。これにより、第一セット１１ａ及び１１ｂのそれぞれの第一ミラー６１と、第二セット１２ａの第二ミラー６２及び第三セット１３ａの第三ミラー６３とを近づけることができる。つまり、多波長光源モジュール６１０から出射される第一光と、第二光及び第三光とを近づけることができる。したがって、多波長光源モジュール６１０から出射される光の強度分布の均一性を向上できる。

また、本実施の形態に係る多波長光源モジュール６１０においても、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、偏光方向が揃っており、かつ、高パワーの光を出射することができる。

また、本実施の形態では、多波長光源モジュール６１０の各セットの配置態様は、以下のようにも表現できる。多波長光源モジュール６１０は、複数の第一列と、複数の第二列とを備える。複数の第一列の各々は、複数の第一セット１１ａ～１１ｈのうち一部の第一セットを含み、当該一部の第一セットは、一列に配列されている。具体的には、多波長光源モジュール６１０は、２個の第一列を備える。一方の第一列は、第二方向に配列された第一セット１１ａ～１１ｄを含み、他方の第一列は、第二方向に配列された第一セット１１ｅ～１１ｈを含む。複数の第二列の各々は、複数の第二セット１２ａ～１２ｄのうち一部の第二セットと、複数の第三セット１３ａ～１３ｄのうち一部の第三セットとを含む。当該一部の第二セットと、当該一部の第三セットとは、複数の第一列の各々の配列方向と平行に一列に配列されている。具体的には、多波長光源モジュール６１０は、２個の第二列を備える。一方の第二列は、第二方向に配列された、第二セット１２ａ及び１２ｂ、並びに、第三セット１３ａ及び１３ｂを含み、他方の第一列は、第二方向に配列された、第二セット１２ｃ及び１２ｄ、並びに、第三セット１３ｃ及び１３ｄを含む。複数の第一列の各々と、複数の第二列の各々とは、複数の第一列の各々の配列方向と垂直な方向である第一方向において交互に配置されている。

このような配置により、多波長光源モジュール６１０からの光の第一光、第二光、及び第三光の強度分布の偏りを抑制できる。

（実施の形態８）
実施の形態８に係る多波長光源モジュールについて説明する。本実施の形態に係る多波長光源モジュールは、主に、各セットの配列方向と光軸方向との関係において、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と相違する。以下、本実施の形態に係る多波長光源モジュールについて、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１１０との相違点を中心に図１４を用いて説明する。

図１４は、本実施の形態に係る多波長光源モジュール７１０における各セット及び配線のレイアウトを示す平面図である。図１４には、多波長光源モジュール７１０の蓋体を取り除いた状態を示す平面図が示されている。

図１４に示されるように、本実施の形態に係る多波長光源モジュール７１０は、基台２０と、複数の第一セット１１ａ～１１ｃと、複数の第二セット１２ａ～１２ｃとを備える。本実施の形態では、多波長光源モジュール７１０は、複数の第三セット１３ａ～１３ｃと、枠部材３０と、第一正極電流端子９１ｐと、第一負極電流端子９１ｎと、第二正極電流端子９２ｐと、第二負極電流端子９２ｎと、第三正極電流端子９３ｐと、第三負極電流端子９３ｎと、第一ワイヤＷ１と、第二ワイヤＷ２と、第三ワイヤＷ３と、２個の第一セット用中継部材８１と、２個の第二セット用中継部材７８２と、２個の第三セット用中継部材７８３とをさらに備える。なお、図１４には示されないが、多波長光源モジュール７１０は、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、各セットに対応する位置に配置されるレンズを有する蓋体をさらに備える。なお、図１４には、蓋体が有する各レンズの輪郭が破線で示されている。

本実施の形態に係る第二セット用中継部材７８２及び第三セット用中継部材７８３は、第一セット用中継部材８１と同様の構成を有する。

本実施の形態に係る蓋体は、３個の第一レンズ７４１と、３個の第二レンズ７４２と、３個の第三レンズ７４３とを有する。

第一セット１１ａ～１１ｃの各々の第一光軸は、実施の形態１に係る第一セット１１ａ～１１ｃと同様に、第一方向に平行である。なお、図１４に示されるように、第一方向は、図１４の水平方向及び上下方向に対して傾斜している。第二セット１２ａ～１２ｃの各々の第二光軸は、実施の形態１に係る第二セット１２ａ～１２ｃと同様に、第二方向に平行である。なお、図１４に示されるように、第二方向は、図１４の水平方向及び上下方向に対して傾斜している。第三セット１３ａ～１３ｃの各々の第三光軸は、実施の形態１に係る第三セット１３ａ～１３ｃと同様に、第二方向に平行である。これにより、本実施の形態に係る多波長光源モジュール７１０においても、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、偏光方向が揃っており、かつ、高パワーの光を出射することができる。

本実施の形態では、第一セット１１ａ～１１ｃ、第二セット１２ａ～１２ｃ、及び、第三セット１３ａ～１３ｃの配列方向は、図１４の横方向（つまり、水平方向）であり、第一方向及び第二方向に対して傾斜している。言い換えると、第一セット１１ａ～１１ｃの配列方向は、第一光軸に対して傾斜している。第二セット１２ａ～１２ｃの配列方向は、第二光軸に対して傾斜している。第三セット１３ａ～１３ｃの配列方向は、第三光軸に対して傾斜している。これにより、各セットを配置するために必要な領域の面積を削減することが可能となる。したがって、多波長光源モジュール７１０を小型化することができる。

また、第二セット１２ａの第二ミラー６２は、第二セット１２ａと隣り合う第二セット１２ｂの第二サブマウント７２と第一方向において接している。第二セット１２ｂの第二ミラー６２は、第二セット１２ｂと隣り合う第二セット１２ｃの第二サブマウント７２と第一方向において接している。

また、第三セット１３ａの第三ミラー６３は、第三セット１３ａと隣り合う第三セット１３ｂの第三サブマウント７３と第一方向において接している。第三セット１３ｂの第三ミラー６３は、第三セット１３ｂと隣り合う第三セット１３ｃの第三サブマウント７３と第一方向において接している。

また、本実施の形態では、第二セット１２ｂ及び１２ｃは、それぞれ、第一セット１１ａ及び１１ｂと第一方向において接している。具体的には、第二セット１２ｂの第二サブマウント７２は、第一セット１１ａの第一ミラー６１と第一方向において接している。第二セット１２ｃの第二サブマウント７２は、第一セット１１ｂの第一ミラー６１と第一方向において接している。

また、本実施の形態では、第二セット１２ａ及び１２ｂは、それぞれ、第三セット１３ｂ及び１３ｃと第一方向において接している。具体的には、第二セット１２ａの第二ミラー６２は、第三セット１３ｂの第三サブマウント７３と第一方向において接している。第二セット１２ｂの第二ミラー６２は、第三セット１３ｃの第三サブマウント７３と第一方向において接している。

以上のようなレイアウトにより、隣り合う二つのセット間の隙間を削減できるため、各セットを配置するために必要な領域の面積をより一層削減できる。

なお、図１４に示される例では、例えば、第二セット１２ｂは、１個の第一セット１１ａ及び１個の第三セット１３ｃと接するが、２個以上の第一セット及び２個以上の第三セットと接してもよい。つまり、複数の第二セット１２ａ～１２ｃのうち少なくとも１個の第二セットは、複数の第一セット１１ａ～１１ｃのうち少なくとも１個の第一セット、及び、複数の第三セット１３ａ～１３ｃのうち少なくとも１個の第三セットと第一方向において接していてもよい。また、複数の第一セット１１ａ～１１ｃのうち少なくとも１個の第一セットは、複数の第二セット１２ａ～１２ｃのうち少なくとも１個の第二セット、及び、複数の第三セット１３ａ～１３ｃのうち少なくとも１個の第三セットと第一方向において接していてもよい。また、複数の第三セット１３ａ～１３ｃのうち少なくとも１個の第三セットは、複数の第一セット１１ａ～１１ｃのうち少なくとも１個の第一セット、及び、複数の第二セット１２ａ～１２ｃのうち少なくとも１個の第二セットと第一方向において接していてもよい。

上述したような各セットのレイアウトに合わせて、蓋体の各レンズの構成も適宜設計されてもよい。図１４に示されるように、本実施の形態に係る蓋体が有する３個の第一レンズ７４１の各々の形状は、３個の第二レンズ７４２の各々の形状、及び、３個の第三レンズ７４３の各々の形状と異なる。また、３個の第二レンズ７４２の各々の形状は、３個の第三レンズ７４３の各々の形状と異なる。

第一セット１１ａ～１１ｃは、実施の形態１に係る第一セット１１ａ～１１ｅと同様に、１本以上の第一ワイヤＷ１及び２個の第一セット用中継部材８１を用いて電気的に直列接続される。第二セット１２ａ～１２ｃは、第一セット１１ａ～１１ｃと同様に、１本以上の第二ワイヤＷ２及び２個の第二セット用中継部材７８２を用いて電気的に直列接続される。第三セット１３ａ～１３ｃは、第一セット１１ａ～１１ｃと同様に、１本以上の第三ワイヤＷ３及び２個の第三セット用中継部材７８３を用いて電気的に直列接続される。なお、図１４では、図面が煩雑化することを避けるために最小限の本数の第一ワイヤＷ１、第二ワイヤＷ２、及び第三ワイヤＷ３が示されているが、各ワイヤの本数は、図１４に示される例より多くてもよい。

（実施の形態９）
実施の形態９に係る多波長光源モジュールについて説明する。本実施の形態に係る多波長光源モジュールは、主に、各セットの配列方向において実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と相違する。以下、本実施の形態に係る多波長光源モジュールについて、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０との相違点を中心に図１５を用いて説明する。

図１５は、実施の形態９に係る多波長光源モジュール８１０における各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。図１５には、多波長光源モジュール８１０の蓋体を取り除いた状態を示す平面図が示されている。

図１５に示されるように、本実施の形態に係る多波長光源モジュール８１０は、基台２０と、複数の第一セット１１ａ～１１ｈと、複数の第二セット１２ａ～１２ｅとを備える。本実施の形態では、多波長光源モジュール８１０は、複数の第三セット１３ａ～１３ｅと、枠部材３０と、２個の第一正極電流端子９１ｐと、２個の第一負極電流端子９１ｎと、第二正極電流端子９２ｐと、第二負極電流端子９２ｎと、第三正極電流端子９３ｐと、第三負極電流端子９３ｎと、第一ワイヤＷ１と、第二ワイヤＷ２と、第三ワイヤＷ３と、２個の第一セット用中継部材８８１と、２個の第二セット用中継部材８８２と、２個の第三セット用中継部材８８３とをさらに備える。なお、図１５には示されないが、多波長光源モジュール８１０は、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様に、各セットに対応する位置に配置されるレンズを有する蓋体をさらに備える。

本実施の形態に係る複数の第一セット１１ａ～１１ｈの各々は、実施の形態１に係る各第一セットと同様に、第一半導体レーザチップ５１と、第一ミラー６１と、第一サブマウント７１とを有する。

第一半導体レーザチップ５１の第一光軸は、実施の形態１と同様に、主面２１に平行な第一方向に平行である。本実施の形態では、図１５の横方向が第一方向である。本実施の形態では、複数の第一セット１１ａ～１１ｈは、第一方向に配列される。より具体的には、４個の第一セット１１ａ～１１ｄ、及び、４個の第一セット１１ｅ～１１ｈが、それぞれ第一方向に一列に配列される。つまり、第一セット１１ａ～１１ｈは、第一方向に２列に配列される。

本実施の形態に係る複数の第二セット１２ａ～１２ｅの各々は、実施の形態１に係る各第二セットと同様に、第二半導体レーザチップ５２と、第二ミラー６２と、第二サブマウント７２とを有する。

第二半導体レーザチップ５２の第二光軸は、実施の形態１と同様に、主面２１に平行な第二方向に平行である。本実施の形態では、図１５の上下方向が第二方向である。第二方向は、第一方向に対して垂直な方向である。本実施の形態では、複数の第二セット１２ａ～１２ｅは、第一方向に配列される。より具体的には、複数の第二セット１２ａ～１２ｅは、第一方向に一列に配列される。

本実施の形態に係る複数の第三セット１３ａ～１３ｅの各々は、実施の形態１に係る各第三セットと同様に、第三半導体レーザチップ５３と、第三ミラー６３と、第三サブマウント７３とを有する。

第三半導体レーザチップ５３の第三光軸は、実施の形態１と同様に、主面２１に平行な第二方向に平行である。本実施の形態では、複数の第三セット１３ａ～１３ｅは、第一方向に配列される。より具体的には、複数の第三セット１３ａ～１３ｅは、第一方向に一列に配列される。

第一セット用中継部材８８１は、複数の第一セット１１ａ～１１ｈと隣り合う位置に配置される部材である。本実施の形態では、一方の第一セット用中継部材８８１は、複数の第一セット１１ａ～１１ｄと第二方向において隣り合う位置に配置され、他方の第一セット用中継部材８８１は、複数の第一セット１１ｅ～１１ｈと第二方向において隣り合う位置に配置される。第一セット用中継部材８８１は、複数の導電性部材８１ｅ１～８１ｅ５を含む。導電性部材８１ｅ１～８１ｅ５の各々の材質などは、導電性部材８１ｅと同様である。本実施の形態では、第一セット用中継部材８８１は、絶縁性部材８８１ｄをさらに含む。絶縁性部材８８１ｄは、絶縁性材料を含む部材であり、基台２０の主面２１に配置される。絶縁性部材８８１ｄの構成は、絶縁性部材８１ｄの構成と同様である。本実施の形態では、絶縁性部材８８１ｄは、第一方向に延在する長尺状の形状を有する。絶縁性部材８８１ｄの上面には、複数の導電性部材８２ｅ１～８１ｅ５が互いに電気的に絶縁された状態で配置される。

複数の導電性部材８１ｅ１～８１ｅ５は、第一方向に配列されている。二つの導電性部材８１ｅ１のうち一方の導電性部材８１ｅ１は、第一正極電流端子９１ｐ及び第一セット１１ａと隣り合う位置に配置される。二つの導電性部材８１ｅ１のうち他方の導電性部材８１ｅ１は、第一正極電流端子９１ｐ及び第一セット１１ｅと隣り合う位置に配置される。二つの導電性部材８１ｅ２のうち一方の導電性部材８１ｅ２は、第一セット１１ａ及び第一セット１１ｂと隣り合う位置に配置される。二つの導電性部材８１ｅ２のうち他方の導電性部材８１ｅ２は、第一セット１１ｅ及び第一セット１１ｆと隣り合う位置に配置される。二つの導電性部材８１ｅ３のうち一方の導電性部材８１ｅ３は、第一セット１１ｂ及び第一セット１１ｃと隣り合う位置に配置される。二つの導電性部材８１ｅ３のうち他方の導電性部材８１ｅ３は、第一セット１１ｆ及び第一セット１１ｇと隣り合う位置に配置される。二つの導電性部材８１ｅ４のうち一方の導電性部材８１ｅ４は、第一セット１１ｃ及び第一セット１１ｄと隣り合う位置に配置される。二つの導電性部材８１ｅ４のうち他方の導電性部材８１ｅ４は、第一セット１１ｇ及び第一セット１１ｈと隣り合う位置に配置される。二つの導電性部材８１ｅ５のうち一方の導電性部材８１ｅ５は、第一セット１１ｄ及び第一負極電流端子９１ｎと隣り合う位置に配置される。二つの導電性部材８１ｅ５のうち他方の導電性部材８１ｅ５は、第一セット１１ｈ及び第一負極電流端子９１ｎと隣り合う位置に配置される。

なお、第一セット用中継部材８８１は、複数の絶縁性部材を含んでもよい。例えば、第一セット用中継部材８８１は、複数の導電性部材８１ｅ１～８１ｅ５が、それぞれ配置される複数の絶縁性部材を含んでもよい。

第二セット用中継部材８８２は、複数の第二セット１２ａ～１２ｅと隣り合う位置に配置される部材である。本実施の形態では、２個の第二セット用中継部材８８２は、それぞれ、第二セット１２ａ及び１２ｅと第一方向において隣り合う位置に配置される。第二セット用中継部材８８２は、導電性部材８８２ｅを含む。導電性部材８８２ｅの構成は、導電性部材８１ｅと同様である。本実施の形態では、第二セット用中継部材８８２は、絶縁性部材８８２ｄをさらに含む。絶縁性部材８８２ｄの構成は、絶縁性部材８１ｄと同様である。

第三セット用中継部材８８３は、複数の第三セット１３ａ～１３ｅと隣り合う位置に配置される部材である。本実施の形態では、２個の第三セット用中継部材８８３は、それぞれ、第三セット１３ａ及び１３ｅと第一方向において隣り合う位置に配置される。第三セット用中継部材８８３は、導電性部材８８３ｅを含む。導電性部材８８３ｅの構成は、導電性部材８１ｅと同様である。本実施の形態では、第三セット用中継部材８８３は、絶縁性部材８８３ｄをさらに含む。絶縁性部材８８３ｄの構成は、絶縁性部材８１ｄと同様である。

複数の第一セット１１ａ～１１ｄは、複数の第一ワイヤＷ１と、第一セット用中継部材８８１とを用いて電気的に直列接続されている。第一セット１１ａの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極（図示せず）と、第一セット１１ｂの第一サブマウント７１上に形成されたｐ側接続電極７１ｅとの間が、１本以上の第一ワイヤＷ１と、第一セット用中継部材８８１の導電性部材８１ｅ２とを用いて電気的に接続される。具体的には、第一セット１１ａの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極（図示せず）と、導電性部材８１ｅ２とが、１本以上の第一ワイヤＷ１で接続される。また、導電性部材８１ｅ２と、第一セット１１ｂのｐ側接続電極７１ｅとが、１本以上の第一ワイヤＷ１で接続される。ｐ側接続電極７１ｅは、第一サブマウント７１に実装された第一半導体レーザチップ５１のｐ側電極（図示せず）と電気的に接続されている。このように、第一セット１１ａの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極と、第一セット１１ｂの第一半導体レーザチップ５１のｐ側電極とが、電気的に接続される。同様に、第一セット１１ｂの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極と、第一セット１１ｃの第一半導体レーザチップ５１のｐ側電極とが、第一ワイヤＷ１と、導電性部材８１ｅ３とを用いて電気的に接続される。第一セット１１ｃの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極と、第一セット１１ｄの第一半導体レーザチップ５１のｐ側電極とが、第一ワイヤＷ１と、導電性部材８１ｅ４とを用いて電気的に接続される。複数の第一セット１１ｅ～１１ｈは、複数の第一セット１１ａ～１１ｄと同様に、複数の第一ワイヤＷ１と、第一セット用中継部材８８１とを用いて電気的に直列接続されている。

第一正極電流端子９１ｐと、第一セット１１ａのｐ側接続電極７１ｅとは、第一ワイヤＷ１と、第一セット用中継部材８８１とを用いて電気的に接続される。具体的には、第一正極電流端子９１ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第一セット用中継部材８８１の導電性部材８１ｅ１とが、１本以上の第一ワイヤＷ１を用いて電気的に接続される。また、導電性部材８１ｅ１と、第一セット１１ａのｐ側接続電極７１ｅとが１本以上の第一ワイヤＷ１を用いて電気的に接続される。同様に、第一正極電流端子９１ｐと、第一セット１１ｅのｐ側接続電極７１ｅとは、第一ワイヤＷ１と、第一セット用中継部材８８１とを用いて電気的に接続される。

第一負極電流端子９１ｎと、第一セット１１ｄの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極とは、第一ワイヤＷ１と、第一セット用中継部材８８１とを用いて電気的に接続される。具体的には、第一負極電流端子９１ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第一セット用中継部材８８１の導電性部材８１ｅ５とが、１本以上の第一ワイヤＷ１を用いて電気的に接続される。また、導電性部材８１ｅ５と、第一セット１１ｄの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極とが１本以上の第一ワイヤＷ１を用いて電気的に接続される。同様に、第一負極電流端子９１ｎと、第一セット１１ｈの第一半導体レーザチップ５１のｎ側接続電極とは、第一ワイヤＷ１と、第一セット用中継部材８８１とを用いて電気的に接続される。

以上のような構成により、第一正極電流端子９１ｐ及び第一負極電流端子９１ｎから、電気的に直列接続された８個の第一セット１１ａ～１１ｈに、電流を供給できる。

複数の第二セット１２ａ～１２ｅは、複数の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に直列接続されている。具体的には、第二セット１２ａの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極（図示せず）と、隣接する第二セット１２ｂの第二サブマウント７２上に形成されたｐ側接続電極７２ｅとの間が、１本以上の第二ワイヤＷ２で接続される。ｐ側接続電極７２ｅは、第二サブマウント７２に実装された第二半導体レーザチップ５２のｐ側電極（図示せず）と電気的に接続されている。このように、第二セット１２ａの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極と、第二セット１２ｂの第二半導体レーザチップ５２のｐ側電極とが、電気的に接続される。同様に、第二セット１２ｂ、１２ｃ、及び１２ｄの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極と、それぞれに隣接される第二セット１２ｃ、１２ｄ、及び１２ｅの第二サブマウント７２のｐ側接続電極７２ｅとが、それぞれ、電気的に接続される。

第二正極電流端子９２ｐと、第二セット１２ａのｐ側接続電極７２ｅとは、第二ワイヤＷ２と、１個の第二セット用中継部材８８２とを用いて電気的に接続される。当該１個の第二セット用中継部材８８２は、当該第二正極電流端子９２ｐ及び第二セット１２ａと隣り合う位置に配置される。第二正極電流端子９２ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第二セット用中継部材８８２の導電性部材８８２ｅとが、１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。また、第二セット用中継部材８８２の導電性部材８８２ｅと、第二セット１２ａのｐ側接続電極７２ｅとが１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。

第二負極電流端子９２ｎと、第二セット１２ｅの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極とは、１個の第二セット用中継部材８８２と第二ワイヤＷ２とを用いて電気的に接続される。当該１個の第二セット用中継部材８８２は、当該第二負極電流端子９２ｎ及び第二セット１２ｅと隣り合う位置に配置される。第二負極電流端子９２ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第二セット用中継部材８８２の導電性部材８８２ｅとが、１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。また、第二セット用中継部材８８２の導電性部材８８２ｅと、第二セット１２ｅの第二半導体レーザチップ５２のｎ側接続電極とが１本以上の第二ワイヤＷ２を用いて電気的に接続される。

以上のような構成により、第二正極電流端子９２ｐ及び第二負極電流端子９２ｎから、電気的に直列接続された５個の第二セット１２ａ～１２ｅに、電流を供給できる。

複数の第三セット１３ａ～１３ｅは、複数の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に直列接続されている。具体的には、第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極（図示せず）と、隣接する第三セット１３ｂの第三サブマウント７３上に形成されたｐ側接続電極７３ｅとの間が、１本以上の第三ワイヤＷ３で接続される。ｐ側接続電極７３ｅは、第三サブマウント７３に実装された第三半導体レーザチップ５３のｐ側電極（図示せず）と電気的に接続されている。このように、第三セット１３ａの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極と、第三セット１３ｂの第三半導体レーザチップ５３のｐ側電極とが、電気的に接続される。同様に、第三セット１３ｂ、１３ｃ、及び１３ｄの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極と、それぞれに隣接される第三セット１３ｃ、１３ｄ、及び１３ｅの第三サブマウント７３のｐ側接続電極７３ｅとが、それぞれ、電気的に接続される。

第三正極電流端子９３ｐと、第三セット１３ａのｐ側接続電極７３ｅとは、第三ワイヤＷ３と、１個の第三セット用中継部材８８３とを用いて電気的に接続される。当該１個の第三セット用中継部材８８３は、当該第三正極電流端子９３ｐ及び第三セット１３ａと隣り合う位置に配置される。第三正極電流端子９３ｐのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第三セット用中継部材８８３の導電性部材８８３ｅとが、１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。また、第三セット用中継部材８８３の導電性部材８８３ｅと、第三セット１３ａのｐ側接続電極７３ｅとが１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。

第三負極電流端子９３ｎと、第三セット１３ｅの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極とは、１個の第三セット用中継部材８８３と第三ワイヤＷ３とを用いて電気的に接続される。当該１個の第三セット用中継部材８８３は、当該第三負極電流端子９３ｎ及び第三セット１３ｅと隣り合う位置に配置される。第三負極電流端子９３ｎのうち、枠部材３０で囲まれた領域内に位置する部分と、第三セット用中継部材８８３の導電性部材８８３ｅとが、１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。また、第三セット用中継部材８８３の導電性部材８８３ｅと、第三セット１３ｅの第三半導体レーザチップ５３のｎ側接続電極とが１本以上の第三ワイヤＷ３を用いて電気的に接続される。

以上のような構成により、第三正極電流端子９３ｐ及び第三負極電流端子９３ｎから、電気的に直列接続された５個の第三セット１３ａ～１３ｅに、電流を供給できる。

本実施の形態に係る多波長光源モジュール８１０においても、実施の形態１に係る多波長光源モジュール１０と同様の効果が奏される。

（変形例など）
以上、本開示に係る多波長光源モジュールについて、各実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、上記各実施の形態に限定されるものではない。

例えば、上記各実施の形態では、各多波長光源モジュールは、枠部材３０を備えるが、枠部材３０は、各発光素子の必須の構成要素ではない。例えば、各多波長光源モジュールの各蓋体が、枠部材に相当する部分を有してもよい。また、各蓋体は、枠部材３０以外の部材によって基台２０に支持されてもよい。

また、上記各実施の形態では、各セットは、一つの独立したミラーを有したが、ミラーの構成はこれに限定されない。例えば、隣り合うセットの各々が有するミラーは、一体化されていてもよい。このような変形例について、図１６～図１８を用いて説明する。図１６は、実施の形態１の変形例に係る多波長光源モジュール１０ａの蓋体を取り外した状態を示す平面図である。図１７は、実施の形態２の変形例に係る多波長光源モジュール１１０ａにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。図１８は、実施の形態７の変形例に係る多波長光源モジュール６１０ａにおける各モジュール及び配線のレイアウトを示す平面図である。

実施の形態１の変形例に係る多波長光源モジュール１０ａにおいては、図１６に示されるように、複数の第一セット１１ａ～１１ｊのうち、第二の方向に隣り合う第一セットが有する第一ミラー６１が一体化されている。言い換えると、隣り合う第一セットが有する第一ミラー６１が一体に形成されている。本変形例では、５個の第一セット１１ａ～１１ｅの第一ミラー６１、及び、５個の第一セット１１ｆ～１１ｊの第一ミラー６１が、それぞれ一体化されている。また、一体化された複数の第一ミラー６１の第一反射面６１ａは同一平面内にあってもよい。本変形例では、５個の第一セット１１ａ～１１ｅの第一ミラー６１の第一反射面６１ａ、及び、５個の第一セット１１ｆ～１１ｊの第一ミラー６１の第一反射面６１ａが、それぞれ同一平面内にある。

また、図１６に示されるように、複数の第二セット１２ａ～１２ｄのうち１個の第二セットが有する第二ミラー６２と、複数の第三セット１３ａ～１３ｄのうち、当該第二ミラー６２と第一の方向に隣り合う１個の第三セットが有する第三ミラー６３とは一体化されていてもよい。本変形例では、第二セット１２ａ～１２ｄの第二ミラー６２と、第三セット１３ａ～１３ｄの第三ミラー６３とが、それぞれ一体化されている。この場合、図１６に示されるように、第二セット用中継部材８２は、第二ミラー６２及び第三ミラーとの干渉を抑制するために、実施の形態１と同様に、第一セット１１ａ～１１ｊと、第二セット１２ａ～１２ｄとの間に配置されるとよい。

また、一体化された第二ミラー６２の第二反射面６２ａと、第三ミラー６３の第三反射面６３ａとは同一平面内にあってもよい。本変形例では、５個の第一セット１１ａ～１１ｅの第一ミラー６１の第一反射面６１ａ、及び、５個の第一セット１１ｆ～１１ｊの第一ミラー６１の第一反射面６１ａが、それぞれ同一平面内にある。

実施の形態２の変形例に係る多波長光源モジュール１１０ａにおいては、図１７に示されるように、第二の方向に隣り合う４個の第一セット１１ａ～１１ｄの第一ミラー６１、及び、第二の方向に隣り合う４個の第一セット１１ｅ～１１ｈの第一ミラー６１が、それぞれ一体化されている。本変形例では、４個の第一セット１１ａ～１１ｄの第一ミラー６１の第一反射面６１ａ、及び、４個の第一セット１１ｅ～１１ｈの第一ミラー６１の第一反射面６１ａが、それぞれ同一平面内にある。

また、図１７に示されるように、第一の方向に隣り合う４個の第二セット１２ａ～１２ｄの第二ミラー６２、及び、第一の方向に隣り合う４個の第三セット１３ａ～１３ｄの第三ミラー６３が、それぞれ一体化されている。また、本変形例では、４個の第二セット１２ａ～１２ｄの第二ミラー６２の第二反射面６２ａ、及び、４個の第三セット１３ａ～１３ｄの第三ミラー６３の第三反射面６３ａが、それぞれ同一平面内にある。

実施の形態７の変形例に係る多波長光源モジュール６１０ａにおいては、図１８に示されるように、第二の方向に隣り合う２個の第一セット１１ａ及び１１ｂの第一ミラー６１、２個の第一セット１１ｃ及び１１ｄの第一ミラー６１、２個の第一セット１１ｅ及び１１ｆの第一ミラー６１、並びに、２個の第一セット１１ｇ及び１１ｈの第一ミラー６１が、それぞれ一体化されている。本変形例では、２個の第一セット１１ａ及び１１ｂの第一ミラー６１の第一反射面６１ａ、２個の第一セット１１ｃ及び１１ｄの第一ミラー６１の第一反射面６１ａ、２個の第一セット１１ｅ及び１１ｆの第一ミラー６１の第一反射面６１ａ、並びに、２個の第一セット１１ｇ及び１１ｈの第一ミラー６１の第一反射面６１ａが、それぞれ同一平面内にある。

また、図１８に示されるように、第二セット１２ａの第二ミラー６２と第二の方向に隣り合う第三セット１３ａの第三ミラー６３とが一体化されており、第二セット１２ｂの第二ミラー６２と第三セット１３ｂの第三ミラー６３とが一体化されており、第二セット１２ｃの第二ミラー６２と第三セット１３ｃの第三ミラー６３とが一体化されており、第二セット１２ｄの第二ミラー６２と第三セット１３ｄの第三ミラー６３とが一体化されている。また、本変形例では、一体化された第二ミラー６２の第二反射面６２ａと、第三ミラー６３の第三反射面６３ａとは、異なる平面内にある。

また、他の実施の形態においても、複数のミラーを一体化してもよい。例えば、上記実施の形態４に係る多波長光源モジュール３１０において、第一セット１１ａ～１１ｅの第一ミラー６１、及び、第一セット１１ｆ～１１ｊの第一ミラー６１を、それぞれ一体化してもよい。また、第二セット１２ａ及び１２ｂの第二ミラー６２、第二セット１２ｃ及び１２ｄの第二ミラー６２、第三セット１３ａ及び１３ｂの第三ミラー６３、及び、第三セット１３ｃ及び１３ｄの第三ミラー６３を、それぞれ一体化してもよい。

以上のような各変形例に係る多波長光源モジュールにおいても、上記各実施の形態に係る多波長光源モジュールと同様の効果が奏される。さらに、上記各変形例においては、各ミラーを基台２０の主面２１に実装する際に発生する実装位置のばらつきを抑制することができる。 また、上記各実施の形態に係る多波長光源モジュールの各サブマウントは、必須の構成要素ではない。各半導体レーザチップは、基台２０に直接実装されてもよい。このように各半導体レーザチップは、基台２０の主面２１に直接、又は、サブマウントを介して実装されてもよい。

また、上記各実施の形態では、複数の第一セットの各々は、同一の構成を有したが、互いに異なる構成を有していてもよい。複数の第二セットの各々も、互いに異なる構成を有していてもよい。複数の第三セットの各々も、互いに異なる構成を有していてもよい。

また、上記各実施の形態において、配列された複数の第一セットの各々の第一半導体レーザチップは、同一の向きに第一光を出射したが、配列された複数の第一セットは、当該同一の向きと逆向きに第一光を出射する第一半導体レーザチップを含んでもよい。

また、上記各実施の形態では、各中継部材は、導電性部材は、絶縁性部材を介して主面２１に配置されたが、主面２１が絶縁性部材で形成されている場合には、主面２１に導電性部材が直接配置されてもよい。この場合、各中継部材は、絶縁性部材を含まなくてもよい。

また、上記各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で上記各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。

例えば、実施の形態５、又は、実施の形態６に係る複数の第一セット１１ａ～１１ｊのレイアウトと、実施の形態１に係る複数の第二セット１２ａ～１２ｄ、及び複数の第三セット１３ａ～１３ｄのレイアウトとを組み合わせてもよい。

また、上記各実施の形態では、多波長光源モジュールは、複数の第一セットと、複数の第二セットと、複数の第三セットとを備えたが、多波長光源モジュールは複数の第三セットを備えなくてもよい。つまり、多波長光源モジュールは、複数の第一セット、複数の第二セット、及び、複数の第三セットのうち、複数の第一セット及び複数の第二セットだけを備えてもよい。この場合、例えば、複数の第一セットの各々は、ＴＭモードの赤色レーザを出射するＧａＩｎＰ系半導体レーザチップからなる第一半導体レーザチップを有し、第二セットの各々は、ＴＥモードの青色レーザを出射するＧａＩｎＮ系半導体レーザチップからなる第二半導体レーザチップを有してもよい。あるいは、多波長光源モジュールは、複数の第一セットと、複数の第二セットと、１個だけの第三セットとを備えていてもよい。この場合、例えば、複数の第一セットの各々は、ＴＭモードの赤色レーザを出射するＧａＩｎＰ系半導体レーザチップからなる第一半導体レーザチップを有し、複数の第二セットの各々は、ＴＥモードの緑色レーザを出射するＧａＩｎＮ系半導体レーザチップからなる第二半導体レーザチップを有し、第三セットは、ＴＥモードの青色レーザを出射するＧａＩｎＮ系半導体レーザチップからなる第三半導体レーザチップを有してもよい。

本開示の多波長光源モジュールは、例えば、単一の液晶を備える時分解型プロジェクタなどに適用できる。

１０、１０ａ、１１０、１１０ａ、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、６１０ａ、７１０、８１０ 多波長光源モジュール
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇ、１１ｈ、１１ｉ、１１ｊ 第一セット
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ 第二セット
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ 第三セット
２０ 基台
２１ 主面
３０ 枠部材
４０ 蓋体
４１、７４１ 第一レンズ
４２、７４２ 第二レンズ
４３、７４３ 第三レンズ
４４ レンズ領域
５１ 第一半導体レーザチップ
５２ 第二半導体レーザチップ
５３ 第三半導体レーザチップ
６１ 第一ミラー
６１ａ 第一反射面
６２ 第二ミラー
６２ａ 第二反射面
６３ 第三ミラー
６３ａ 第三反射面
７１ 第一サブマウント
７１ｅ、７２ｅ、７３ｅ ｐ側接続電極
７２ 第二サブマウント
７３ 第三サブマウント
８１、８８１ 第一セット用中継部材
８１ｄ、８２ｄ、８３ｄ、１８２ｄ１、１８２ｄ２、１８３ｄ１、１８３ｄ２、１８３ｄ３、１８３ｄ４、３８２ｄ１、３８２ｄ２、３８２ｄ３、３８３ｄ１、３８３ｄ２、３８３ｄ３、８８１ｄ、８８２ｄ、８８３ｄ 絶縁性部材
８１ｅ、８１ｅ１、８１ｅ２、８１ｅ３、８１ｅ４、８１ｅ５、８２ｅ１、８２ｅ２、８２ｅ３、８２ｅ４、８２ｅ５、８３ｅ１、８３ｅ２、８３ｅ３、８３ｅ４、８３ｅ５、１８２ｅ１、１８２ｅ２、１８３ｅ１、１８３ｅ２、１８３ｅ３、１８３ｅ４、３８２ｅ１、３８２ｅ２、３８２ｅ３、３８３ｅ１、３８３ｅ２、３８３ｅ３、８８２ｅ、８８３ｅ 導電性部材
８２、１８２ａ、１８２ｂ、３８２ａ、３８２ｂ、３８２ｃ、３８２ｄ、３８２ｅ、３８２ｆ、７８２ 第二セット用中継部材
８３、１８３ａ、１８３ｂ、１８３ｃ、１８３ｄ、３８３ａ、３８３ｂ、３８３ｃ、３８３ｄ、３８３ｅ、３８３ｆ、７８３ 第三セット用中継部材
９１ｐ 第一正極電流端子
９１ｎ 第一負極電流端子
９２ｐ 第二正極電流端子
９２ｎ 第二負極電流端子
９３ｐ 第三正極電流端子
９３ｎ 第三負極電流端子
Ａｆ ファスト軸
Ａｓ スロー軸
Ｌ１１ 第一光
Ｌ１２ 第一反射光
Ｌ１３ 第一出力光
Ｌ２１ 第二光
Ｌ２２ 第二反射光
Ｗ１ 第一ワイヤ
Ｗ２ 第二ワイヤ
Ｗ３ 第三ワイヤ

Claims (32)

1. 主面を有する基台と、
   前記主面に配置される複数の第一セット及び複数の第二セットとを備え、
   前記複数の第一セットの各々は、
   前記主面に平行な第一光軸を有し、第一波長帯の第一光を出射する第一半導体レーザチップと、
   前記第一光を前記主面に垂直な方向に反射する第一ミラーとを有し、
   前記複数の第二セットの各々は、
   前記主面に平行な第二光軸を有し、前記第一波長帯と異なる第二波長帯の第二光を出射する第二半導体レーザチップと、
   前記第二光を前記主面に垂直な方向に反射する第二ミラーとを有し、
   前記第一光軸は、前記主面に平行な第一方向に平行であり、
   前記第二光軸は、前記主面に平行な第二方向に平行であり、
   前記第二方向は、前記第一方向に対して垂直な方向であり、
   前記第一半導体レーザチップから前記第一ミラーへ伝搬する前記第一光の偏光方向と、前記第二半導体レーザチップから前記第二ミラーへ伝搬する前記第二光の偏光方向とは、直交する
   多波長光源モジュール。
2. 前記複数の第一セットは、前記第二方向に配列されている
   請求項１に記載の多波長光源モジュール。
3. 前記複数の第一セットは、電気的に直列接続されている
   請求項１又は２に記載の多波長光源モジュール。
4. 前記複数の第二セットは、前記第二方向に配列されている
   請求項１～３のいずれか１項に記載の多波長光源モジュール。
5. 前記主面上であって、前記複数の第二セットと前記第一方向において隣り合う位置に配置される第二セット用中継部材をさらに備え、
   前記第二セット用中継部材は、導電性部材を含み、
   前記複数の第二セットは、複数の第二ワイヤ及び前記第二セット用中継部材を用いて、電気的に直列接続されている
   請求項４に記載の多波長光源モジュール。
6. 前記第二セット用中継部材は、前記第二ミラーに対して前記第一方向に隣り合う位置に配置される
   請求項５に記載の多波長光源モジュール。
7. 前記複数の第二セットは、前記第一方向に配列されている
   請求項１～３のいずれか１項に記載の多波長光源モジュール。
8. 前記主面上であって、前記複数の第二セットに対して前記第一方向に隣り合う位置に配置される第二セット用中継部材をさらに備え、
   前記第二セット用中継部材は、導電性部材を含み、
   前記複数の第二セットは、複数の第二ワイヤ及び前記第二セット用中継部材を用いて、電気的に直列接続されている
   請求項７に記載の多波長光源モジュール。
9. 前記第二セット用中継部材は、前記第二ミラーに対して前記第一方向に隣り合う位置に配置される
   請求項８に記載の多波長光源モジュール。
10. 前記主面に配置される複数の第三セットをさらに備え、
    前記複数の第三セットの各々は、
    前記第二方向に平行な第三光軸を有し、前記第一波長帯及び前記第二波長帯と異なる第三波長帯の第三光を出射する第三半導体レーザチップと、
    前記第三光を前記主面に垂直な方向に反射する第三ミラーとを有し、
    前記第一半導体レーザチップから前記第一ミラーへ伝搬する前記第一光の偏光方向と、前記第三半導体レーザチップから前記第三ミラーへ伝搬する前記第三光の偏光方向とは、直交する
    請求項１～３のいずれか１項に記載の多波長光源モジュール。
11. 前記複数の第三セットは、前記第二方向に配列されている
    請求項１０に記載の多波長光源モジュール。
12. 前記複数の第二セットの各々と、前記複数の第三セットの各々とは、前記第二方向に交互に配置されている
    請求項１１に記載の多波長光源モジュール。
13. 複数の第一列と、複数の第二列とを備え、
    前記複数の第一列の各々は、前記複数の第一セットのうち一部の第一セットを含み、
    前記一部の第一セットは、一列に配列されており、
    前記複数の第二列の各々は、前記複数の第二セットのうち一部の第二セットと、前記複数の第三セットのうち一部の第三セットとを含み、
    前記一部の第二セットと、前記一部の第三セットとは、前記複数の第一列の各々の配列方向と平行に一列に配列されており、
    前記複数の第一列の各々と、前記複数の第二列の各々とは、前記複数の第一列の各々の配列方向と垂直な方向において交互に配置されている
    請求項１２に記載の多波長光源モジュール。
14. 前記主面上であって、前記複数の第二セットと前記第一方向において隣り合う位置に配置される第二セット用中継部材をさらに備え、
    前記複数の第二セットの各々は、前記第二半導体レーザチップに電力を供給するためのｐ側接続電極及びｎ側接続電極を有し、
    前記複数の第二セットは、前記第二方向において隣り合う２個の第二セットを含み、
    前記第二セット用中継部材は、前記２個の第二セットと前記第一方向において隣り合う位置に配置され、
    前記２個の第二セットのうち一方の第二セットが有する前記ｎ側接続電極は、前記一方の第二セットが有する前記ｐ側接続電極と前記第二セット用中継部材との間に配置され、かつ、前記第二セット用中継部材と電気的に接続され、
    前記２個の第二セットのうち他方の第二セットが有する前記ｐ側接続電極は、前記他方の第二セットが有する前記ｎ側接続電極と前記第二セット用中継部材との間に配置され、かつ、前記第二セット用中継部材と電気的に接続される
    請求項１２に記載の多波長光源モジュール。
15. 前記主面上であって、前記複数の第三セットと前記第一方向において隣り合う位置に配置される第三セット用中継部材をさらに備え、
    前記複数の第二セットは、複数の第二ワイヤ及び前記第二セット用中継部材を用いて電気的に直列接続されており、
    前記複数の第三セットは、複数の第三ワイヤ及び前記第三セット用中継部材を用いて電気的に直列接続されており、
    前記第二セット用中継部材は、前記複数の第三ワイヤのうち少なくとも１本の第三ワイヤと前記主面との間に配置され、前記第三セット用中継部材より前記主面からの高さが低い
    請求項１４に記載の多波長光源モジュール。
16. 前記複数の第一セットは、前記複数の第一セットのうち１個以上の第一セットを含む第一グループと、前記第一グループに含まれる１以上の第一セットと異なる１個以上の第一セットを含む第二グループとを含み、
    前記複数の第二セット及び前記複数の第三セットは、前記第一グループと前記第二グループとの間に配置される
    請求項１０に記載の多波長光源モジュール。
17. 前記第一方向において、前記複数の第一セットの各々の前記第一半導体レーザチップは、前記第一ミラーより、前記主面の端部に近い位置に配置されている
    請求項１６に記載の多波長光源モジュール。
18. 前記複数の第二セットの各々と、前記複数の第三セットの各々とは、前記第二方向に交互に配列されている
    請求項１０、１６、１７のいずれか１項に記載の多波長光源モジュール。
19. 前記複数の第二セットの少なくとも２個の第二セットは、前記第一方向に配列される
    請求項１８に記載の多波長光源モジュール。
20. 前記多波長光源モジュールは、前記主面上に行列状に配置される複数のユニットを備え、
    前記複数のユニットの各々は、前記複数の第一セットのうち少なくとも１個の第一セットと、前記複数の第二セットのうち少なくとも１個の第二セットと、前記複数の第三セットのうち少なくとも１個の第三セットとを含む
    請求項１０に記載の多波長光源モジュール。
21. 前記複数のユニットの各々において、前記少なくとも１個の第一セットの各々から、前記少なくとも１個の第二セット及び前記少なくとも１個の第三セットが配置される領域へ向かう向きに前記第一光が出射される
    請求項２０に記載の多波長光源モジュール。
22. 複数の第一レンズと、複数の第二レンズとをさらに備え、
    前記複数の第一レンズの各々には、前記第一ミラーで反射された前記第一光が入射し、
    前記複数の第二レンズの各々には、前記第二ミラーで反射された前記第二光が入射し、
    前記複数の第一レンズの各々の、前記第二方向における幅は、前記第一方向における幅より小さく、
    前記複数の第二レンズの各々の、前記第一方向における幅は、前記第二方向における幅より小さい
    請求項１～９のいずれか１項に記載の多波長光源モジュール。
23. 複数の第一レンズと、複数の第二レンズと、複数の第三レンズとをさらに備え、
    前記複数の第一レンズ、前記複数の第二レンズ、及び、前記複数の第三レンズは、基板の主面に平行な面上に配置され、
    前記複数の第一レンズの各々には、前記第一ミラーで反射された前記第一光が入射し、
    前記複数の第二レンズの各々には、前記第二ミラーで反射された前記第二光が入射し、
    前記複数の第三レンズの各々には、前記第三ミラーで反射された前記第三光が入射し、
    前記複数の第一レンズの各々の、前記第二方向における幅は、前記第一方向における幅より小さく、
    前記複数の第二レンズの各々の、前記第一方向における幅は、前記第二方向における幅より小さく、
    前記複数の第三レンズの各々の、前記第一方向における幅は、前記第二方向における幅より小さい
    請求項１０～２１のいずれか１項に記載の多波長光源モジュール。
24. 前記複数の第一レンズと、前記複数の第二レンズと、前記複数の第三レンズとが配置される領域は、矩形状の形状を有する
    請求項２３に記載の多波長光源モジュール。
25. 前記複数の第一レンズのうち、前記第二方向に一列に配列される第一レンズの個数は、
    前記複数の第二レンズのうち、前記第二方向に一列に配列される第二レンズの個数と異なる
    請求項２２～２４のいずれか１項に記載の多波長光源モジュール。
26. 前記複数の第一セットの各々は、前記主面に配置され、前記第一半導体レーザチップが配置される第一サブマウントを有し、
    前記複数の第二セットの各々は、前記主面に配置され、前記第二半導体レーザチップが配置される第二サブマウントを有し、
    前記複数の第二セットの配列方向は、前記第一方向及び前記第二方向に対して傾斜しており、
    前記複数の第二セットのうち、少なくとも１個の第二セットが有する前記第二ミラーは、隣り合う他の第二セットが有する前記第二サブマウントと前記第一方向において接している
    請求項１に記載の多波長光源モジュール。
27. 前記複数の第二セットのうち少なくとも１個の第二セットは、前記複数の第一セットのうち少なくとも１個の第一セットと前記第一方向において接している
    請求項２６に記載の多波長光源モジュール。
28. 前記複数の第一セットの配列方向は、前記第一方向及び前記第二方向に対して傾斜している
    請求項２６又は２７に記載の多波長光源モジュール。
29. 複数の第一レンズと、複数の第二レンズとをさらに備え、
    前記複数の第一レンズ、及び前記複数の第二レンズは、前記主面に平行な面上に配置され、
    前記複数の第一レンズの各々には、前記第一ミラーで反射された前記第一光が入射し、
    前記複数の第二レンズの各々には、前記第二ミラーで反射された前記第二光が入射し、
    前記複数の第一レンズの各々の形状と、前記複数の第二レンズの各々の形状とは異なる
    請求項２６～２８のいずれか１項に記載の多波長光源モジュール。
30. 複数の第一レンズと、複数の第二レンズとをさらに備え、
    前記複数の第一レンズの各々には、前記第一ミラーで反射された前記第一光が入射し、
    前記複数の第二レンズの各々には、前記第二ミラーで反射された前記第二光が入射し、
    前記複数の第一レンズの各々の、前記第二方向における幅は、前記第一方向における幅より小さく、
    前記複数の第二レンズの各々の、前記第一方向における幅は、前記第二方向における幅より小さい
    請求項２６又は２７に記載の多波長光源モジュール。
31. 前記主面に配置される枠部材と、
    前記枠部材に配置される蓋体とをさらに備え、
    前記基台と前記枠部材と前記蓋体とで囲まれた空間内に、前記複数の第一セット及び前記複数の第二セットが配置される
    請求項１０～２１のいずれか１項に記載の多波長光源モジュール。
32. 前記蓋体は、複数の第一レンズと複数の第二レンズとを有する
    請求項３１に記載の多波長光源モジュール。

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