WO2021199532A1 - サブマウント、発光装置、および光学モジュール - Google Patents

サブマウント、発光装置、および光学モジュール Download PDF

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WO2021199532A1
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electrode
semiconductor laser
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submount
light emitting
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高弘 冨安
栄作 鍛治
大木　泰
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古河電気工業株式会社
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    • H01S5/4018—Lasers electrically in series

Definitions

  • the present invention relates to a submount, a light emitting device, and an optical module.
  • a semiconductor laser module as an optical module including a semiconductor laser chip as a light emitting device and an optical fiber optically coupled to the semiconductor laser chip is known.
  • the assembly is performed by the following procedure. First, the semiconductor laser chip is mounted on the submount. At this time, the semiconductor laser chip is joined and mounted on the submount with solder such as a gold-tin (AuSn) alloy (Patent Document 1). In addition, another bonding agent such as a conductive adhesive may be used instead of the solder.
  • a submount on which such a semiconductor laser chip is mounted is an example of a light emitting device, and is also referred to as a chip-on-submount.
  • the chip-on-sub mount is joined and mounted on a metal housing directly or via a metal base, an electronic cooling element, or the like with solder such as tin-bismuth (SnBi) alloy. Further, other optical components such as a lens are mounted on the housing to perform optical coupling between the semiconductor laser chip and the optical fiber.
  • One of both end faces in the longitudinal direction of the end face emitting type semiconductor laser chip is a rear end face on which an HR (high reflection) coating having high reflectance at the laser oscillation wavelength is formed.
  • the other end face is an exit end face on which an AR (anti-reflection) coating having a low reflectance is formed.
  • a laser resonator is formed by a rear end surface and an emission end surface, and the oscillated laser light is mainly emitted from the emission end surface.
  • a semiconductor laser chip is mounted on a submount by die bonding.
  • die bonding a semiconductor laser chip is vacuum-chucked with a collet, and the semiconductor laser chip is mounted on a submount heated to a temperature equal to or higher than the melting point of a bonding agent such as solder.
  • wiring by a bonding wire is established between the semiconductor laser chip and the electrode on the submount. It is formed.
  • wiring by bonding wires may be formed between the submounts.
  • semiconductor laser chips are becoming more and more optical output. Along with this, it is becoming more and more important to effectively dissipate the heat generated by the semiconductor laser chip to the submount.
  • one of the problems of the present invention is to obtain, for example, a submount, a light emitting device, and an optical module in which wiring can be more easily joined on an electrode and the required heat dissipation can be easily obtained.
  • the submount of the present invention is a submount on which a light emitting device is mounted, and has a base and the first surface having a first surface extending in a first direction and a second surface orthogonal to the first direction.
  • the first which extends above in the first direction and the second direction, has a first end in the second direction and a second end in the opposite direction of the second direction extending in the first direction.
  • An electrode and a third end in the opposite direction of the second direction extending on the first surface in the first direction and the second direction and separated from the first end in the second direction with a gap.
  • a second electrode having a fourth end in the second direction extending in the first direction, and the second electrode between the third end and the fourth end of the second electrode.
  • the second width in the two directions depends on the position in the first direction.
  • the first width of the first electrode between the first end and the second end in the second direction differs depending on the position in the first direction.
  • the light emitting device of the present invention has the sub-mount, the back surface mounted on the first electrode and electrically connected to the first electrode, and the second electrode and the conductor on the side opposite to the back surface.
  • the surface comprises an electrically connected surface, and a light emitting element extending in the first direction closer to the first end than the second end.
  • the light emitting element is a semiconductor laser element having gallium arsenide or indium phosphide.
  • the optical module of the present invention includes a housing having a base and at least one light emitting device as the light emitting device provided on the base.
  • the optical module includes a plurality of light emitting devices arranged in the second direction as the light emitting device.
  • the present invention it is possible to obtain a submount, a light emitting device, and an optical module in which wiring can be more easily joined on an electrode and the required heat dissipation can be easily obtained.
  • FIG. 1 is an exemplary and schematic plan view of the optical module of the first embodiment.
  • FIG. 2 is an exemplary and schematic side view (partial cross-sectional view) of the optical module of the first embodiment.
  • FIG. 3 is an exemplary and schematic plan view of the optical device of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG.
  • FIG. 6 is an exemplary and schematic plan view of the optical module of the second embodiment.
  • FIG. 7 is an exemplary and schematic plan view of the optical module of the third embodiment.
  • FIG. 8 is an exemplary and schematic plan view of the optical module of the fourth embodiment.
  • the X direction is represented by an arrow X
  • the Y direction is represented by an arrow Y
  • the Z direction is represented by an arrow Z.
  • the X, Y, and Z directions intersect and are orthogonal to each other.
  • the X direction is the emission direction of the laser beam from the light emitting element and the optical device, and the longitudinal direction of the light emitting element (longitudinal direction of the resonator).
  • the Y direction is the width direction of the light emitting element.
  • the Z direction is the thickness direction (height direction) of the submount.
  • FIG. 1 is a plan view of the semiconductor laser module 100
  • FIG. 2 is a side view (partial cross-sectional view) of the semiconductor laser module 100.
  • the semiconductor laser module 100 is an example of an optical module.
  • the semiconductor laser module 100 includes a housing 1 having a lid 1a (see FIG. 2) and a case 1b.
  • Housing 1 can be made of, for example, a metallic material. Note that, in FIG. 1, for convenience of explanation, the illustration of the lid 1a is omitted. In other words, FIG. 1 is a plan view showing an internal configuration in which the lid 1a of the semiconductor laser module 100 is removed.
  • the semiconductor laser module 100 includes a step-shaped module base 2, a plurality of submounts 3, and a plurality of semiconductor laser chips 4.
  • the module base 2 is made of a metal material such as copper, which has high thermal conductivity.
  • the semiconductor laser chip 4 is an example of a light emitting element.
  • the subassembly including the submount 3 mounted on the module base 2 and the semiconductor laser chip 4 is a chip-on-submount 16.
  • the chip-on-submount 16 is an example of a light emitting device.
  • the semiconductor laser module 100 includes two lead pins 5.
  • the two lead pins 5 are electrically connected to each semiconductor laser chip 4 via a submount 3, a bonding wire 18, and a bonding wire 17 (see FIG. 3) to supply electric power to each semiconductor laser chip 4.
  • the semiconductor laser module 100 includes six first lenses 6, six second lenses 7, six mirrors 8, a third lens 9, an optical filter 10, and a fourth lens 11. ..
  • Each of the first lens 6, each second lens 7, each mirror 8, third lens 9, optical filter 10, and fourth lens 11 is along the optical path of the laser light emitted by each semiconductor laser chip 4.
  • the semiconductor laser module 100 includes an optical fiber 12 arranged so as to face the fourth lens 11.
  • One end of the optical fiber 12 on the side where the laser beam is incident is housed inside the housing 1 and supported by the support member 13.
  • the bonding wires 17 and 18 can also be referred to as wiring or a conductor.
  • Each semiconductor laser chip 4 is composed of, for example, gallium arsenide (GaAs) or indium phosphide (InP) as a main material, and outputs laser light having a wavelength corresponding to the material and composition.
  • the thickness of each semiconductor laser chip 4 is, for example, about 0.1 mm.
  • each semiconductor laser chip 4 is mounted on each submount 3, and each submount 3 is mounted on a module base 2 so as to have different heights from each other.
  • each of the first lens 6, each second lens 7, and each mirror 8 is arranged at a height corresponding to the corresponding semiconductor laser chip 4.
  • the subassembly including the submount 3, the semiconductor laser chip 4 mounted on the submount 3, and the bonding wire 17 is a chip-on-submount 16 as a semiconductor laser chip mounting submount.
  • a loose tube 15 is provided at the insertion portion of the optical fiber 12 into the housing 1, and the boot 14 is fitted to a part of the housing 1 so as to cover a part of the loose tube 15 and the insertion portion.
  • Each semiconductor laser chip 4 operates by electric power supplied through the lead pin 5 and outputs laser light.
  • Each laser beam output from each semiconductor laser chip 4 is substantially collimated by each corresponding first lens 6 and each second lens 7, and is reflected toward the third lens 9 by each corresponding mirror 8. Further, each laser beam is focused by the third lens 9 and the fourth lens 11, is incident on the end face of the optical fiber 12, and propagates in the optical fiber 12.
  • the optical filter 10 is a bandpass filter, and when light having a wavelength different from the wavelength of the laser light is input to the semiconductor laser module 100 from the outside via the optical fiber 12, the light is transmitted to each semiconductor. Prevents input to the laser chip 4.
  • Assembling the semiconductor laser module 100 is performed by, for example, the following procedure. First, the submount 3 is heated to a bonding temperature of about 300 ° C., and the semiconductor laser chip 4 is bonded to the submount 3 with AuSn solder having a melting point of about 280 ° C. to form six chip-on-submounts 16. .. Next, the case 1b of the housing 1 on which the module base 2 is mounted is heated to the joining temperature of about 150 ° C., and each chip-on-submount 16 is joined to the module base 2 with SnBi solder having a melting point of about 140 ° C. NS. After that, other components of the semiconductor laser module 100 are attached to the housing 1.
  • Chip-on-submount configuration 3 is a plan view of the chip-on-submount 16
  • FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line V-V of FIG.
  • the chip-on-submount 16 includes a semiconductor laser chip 4, a submount 3 on which the semiconductor laser chip 4 is mounted, and a bonding wire 17.
  • the submount 3 includes a substrate 3a and an upper coating layer 3b.
  • the substrate 3a includes, for example, aluminum nitride (AlN), alumina (Al2O3), beliria (BeO), boron nitride (BN), diamond, silicon carbide (SiC), silicon nitride (Si3N4), silicon dioxide (SiO2), and zirconia (SiO2). It may include at least one of ZrO2).
  • the semiconductor laser chip 4 is a single-emitter type, but a multi-emitter type laser bar chip may also be used.
  • the substrate 3a may be a metal such as Cu.
  • the substrate 3a is made of AlN.
  • the thickness of the substrate 3a is, for example, about 0.3 to 1.0 mm.
  • the substrate 3a is an example of a base.
  • the substrate 3a has a flat rectangular parallelepiped shape that is relatively thin in the Z direction, in other words, has a quadrangular and plate-like shape.
  • the substrate 3a has a front surface 3a1, a back surface 3a2, and side surfaces 3a3, 3a4.
  • the surface 3a1 intersects and is orthogonal to the Z direction and extends in the X and Y directions.
  • the back surface 3a2 intersects and is orthogonal to the Z direction at the end in the opposite direction to the Z direction, and extends in the X and Y directions.
  • the front surface 3a1 and the back surface 3a2 are parallel.
  • the side surface 3a3 intersects with the Y direction and is orthogonal to the end portion in the opposite direction to the Y direction, and extends in the X direction and the Z direction.
  • the side surface 3a4 intersects and is orthogonal to the Y direction and extends in the X direction and the Z direction.
  • the surface 3a1 is an example of the first surface.
  • the upper coating layer 3b shown in FIGS. 3 and 4 is formed on the surface 3a1 of the substrate 3a, that is, on the surface 3a1 on the side where the semiconductor laser chip 4 is mounted.
  • the upper coating layer 3b is, for example, a metal multilayer film.
  • the thickness of the upper coating layer 3b is, for example, 1 ⁇ m or more and 80 ⁇ m or less.
  • the upper coating layer 3b is separated into a first electrode 3b1 and a second electrode 3b2 by a gap g.
  • the gap g electrically insulates the first electrode 3b1 and the second electrode 3b2.
  • the surface 3a1 of the substrate 3a is provided between the first electrode 3b1 and the second electrode 3b2 due to the provision of the gap g. Is exposed.
  • the first electrode 3b1 is another chip-on-submount 16, for example, the second electrode 3b2 of the chip-on-submount 16 adjacent in the opposite direction in the Y direction, and the bonding wire 18 (see FIG. 1, not shown in FIG. 3). ), It is electrically connected. Further, the second electrode 3b2 is electrically connected to yet another chip-on-submount 16, for example, the first electrode 3b1 of the chip-on-submount 16 adjacent in the Y direction via a bonding wire 18. Further, the second electrode 3b2 is electrically connected to the surface 4b of the semiconductor laser chip 4 via a bonding wire 17.
  • the bonding wire 17 is omitted in FIG. 4.
  • the plurality of bonding wires 17 are arranged in the X direction at regular intervals in the X direction, and the second electrode 3b2 and the surface 4b of the semiconductor laser chip 4 are electrically connected in parallel.
  • the plurality of bonding wires 17 include a relatively long bonding wire 17 and a relatively short bonding wire 17, which are arranged alternately in the X direction.
  • the illustration of the plurality of bonding wires 17 is omitted in the intermediate portion in the X direction.
  • the semiconductor laser chip 4 is bonded to the first electrode 3b1 via a precoat 3c.
  • the precoat 3c is, for example, AuSn solder, and electrically connects the first electrode 3b1 and the back surface 4a of the semiconductor laser chip 4.
  • a barrier metal layer (not shown) made of, for example, platinum (Pt) may be formed on the surface of the upper coating layer 3b in contact with the precoat 3c. In this case, the barrier metal layer can prevent a chemical reaction between the AuSn solder of the precoat 3c and the metal material below the barrier metal layer of the upper coating layer 3b.
  • Electrodes are formed on the back surface 4a and the front surface 4b of the semiconductor laser chip 4, respectively, and the semiconductor laser chip 4 is supplied with electric power from the lead pin 5 via these electrodes.
  • the n-side electrode is generally formed on the surface 4b side.
  • a p-side electrode is generally formed on the surface 4b side. It should be noted that the heat dissipation to the sub mount 3 is higher when the semiconductor laser chip 4 is mounted at the junction down.
  • the widths d11, d12, and d13 of the first electrode 3b1 in the Y direction are different depending on the position in the X direction.
  • the widths d21, d22, and d23 of the second electrode 3b2 in the Y direction are also different depending on the position in the X direction.
  • the gap g is bent.
  • the width dg of the gap g in the Y direction is constant regardless of the position in the X direction, but is not limited to this.
  • the widths d11, d12, and d13 are examples of the first width
  • the widths d21, d22, and d23 are examples of the second width.
  • the width of the first electrode 3b1 is the width between the first end 3d1 and the second end 3d2 of the first electrode 3b1.
  • the first end 3d1 is the end of the first electrode 3b1 in the Y direction and faces the gap g.
  • the second end 3d2 is an end portion of the first electrode 3b1 in the direction opposite to the Y direction, and extends along the X direction. As shown in FIGS. 4 and 5, the second end 3d2 overlaps the side surface 3a3 in the Z direction, but the present invention is not limited to this, and the second end 3d2 may be positioned so as to deviate from the side surface 3a3 in the Y direction.
  • the width of the second electrode 3b2 is the width between the third end 3d3 and the fourth end 3d4 of the second electrode 3b2.
  • the third end 3d3 is an end portion of the second electrode 3b2 in the opposite direction to the Y direction, and faces the gap g and faces and is separated from the first end 3d1 of the first electrode 3b1 with the gap g interposed therebetween.
  • the fourth end 3d4 is an end portion of the second electrode 3b2 in the Y direction and extends along the X direction. As shown in FIGS. 4 and 5, the fourth end 3d4 overlaps the side surface 3a4 in the Z direction, but is not limited to this, and is positioned so as to be offset from the side surface 3a4 in the opposite direction in the Y direction. May be good.
  • the width d13 is larger (wider) than the width d11, and the width d23 is smaller (narrower) than the width d21. Further, the width d12 gradually increases (widens) from the width d11 to the width d13 toward the X direction, and the width d22 gradually decreases (narrows) from the width d21 to the width d23 toward the X direction. There is.
  • the bonding wire 18 electrically connected to the second electrode 3b2 is mounted in the mounted region A having a width d21 larger than the widths d22 and d23. As shown in FIG. 3, the bonding wire 18 is electrically connected to the second electrode 3b2 via the solder 19. Now, if the gap g extends straight along the X direction and the width of the second electrode 3b2 is constant at a relatively narrow width d23, the mounted area A as a region where the solder 19 can spread is narrow. Therefore, the bonding wire 18 and the solder 19 may interfere with the bonding wire 17 and may be difficult to mount on the second electrode 3b2.
  • the widths d21, d22, and d23 differ depending on the position in the X direction, and the area of the mounted area A extending in the X direction with the width d21 larger than the widths d22 and d23 is relatively large. Since it can be set, the bonding wire 18 can be easily bonded onto the second electrode 3b2 without interfering with the bonding wire 17.
  • the widths d21, d22, and d23 of the second electrode 3b2 With the change in the X direction, the widths d11, d12, and d13 of the first electrode 3b1 also change in the X direction.
  • the widths of the substrate 3a, the upper coating layer 3b, and the submount 3 in the Y direction are substantially constant along the X direction, the larger the width of the first electrode 3b1, the smaller the width of the second electrode 3b2. Therefore, the smaller the width of the first electrode 3b1, the larger the width of the second electrode 3b2.
  • the semiconductor laser chip 4 and the first end 3d1 are at positions where the bonding wire 18 can be easily mounted, as shown in FIG.
  • the distance in the Y direction is relatively short. Therefore, the amount of heat H (thin broken line in the lower right direction in FIG. 4) transferred from the semiconductor laser chip 4 to the opposite directions in the Y direction and the Z direction via the precoat 3c and the first electrode 3b1 is the semiconductor laser chip 4.
  • the amount of heat transferred from the laser to the precoat 3c and the first electrode 3b1 in the opposite direction in the Y direction and in the opposite direction in the Z direction is less than the amount of heat H (thick broken line pointing downward to the left in FIG. 4).
  • the width of the second electrode 3b2 in the Y direction changes along the X direction, and at the cross-sectional position of FIG. 5, the semiconductor laser chip 4 is more than the cross-sectional position of FIG.
  • the distance between the first end 3d1 and the first end 3d1 in the Y direction is relatively long. Therefore, at this position, the amount of heat H (thick broken line pointing downward to the right in FIG.
  • the mounted region A of the bonding wire 18 of the first electrode 3b1 (see FIG. 1, not shown in FIG. 3) is aligned with the mounted region A of the second electrode 3b2 in the Y direction. Not limited.
  • the width of the second electrode 3b2 in the Y direction differs depending on the position in the X direction.
  • a relatively wide mounted area A can be set at a portion having a width d21 larger than the widths d22 and d23.
  • the Y of the semiconductor laser chip 4 and the first end 3d1 is formed at a portion having a width d22 and d23 smaller than the width d21, that is, a portion having a width larger than the width d11 and d12 at the first electrode 3b1.
  • the distance in the direction can be relatively long.
  • the submount 3 and the submount 3 are provided so that the bonding wire 18 can be more easily bonded onto the second electrode 3b2 of the submount 3 and the required heat dissipation can be easily obtained.
  • the chip-on-submount 16 and the semiconductor laser module 100 provided with the chip-on-submount 16 can be obtained.
  • the width of the first electrode 3b1 in the Y direction differs depending on the position in the X direction.
  • FIG. 6 is a plan view of the chip-on-submount 16A of the present embodiment.
  • the gap g is inclined with respect to the X direction and extends straight. Therefore, the width d1 of the first electrode 3b1 gradually becomes larger (wider) toward the X direction, and the width d2 of the second electrode 3b2 gradually becomes smaller (narrower) toward the X direction.
  • a relatively wide mounted area A can be set in a portion of the second electrode 3b2 having a width d2 larger than that of the other portion.
  • the distance between the semiconductor laser chip 4 and the first end 3d1 in the Y direction can be made relatively long in the portion of the first electrode 3b1 whose width d1 is larger than that of the other portions. Therefore, also in this embodiment, the bonding wire 18 can be more easily bonded onto the second electrode 3b2 of the submount 3A, and the required heat dissipation can be easily obtained.
  • An on-submount 16A and a semiconductor laser module 100 having the chip-on-submount 16A can be obtained.
  • FIG. 7 is a plan view of the chip-on-submount 16B of the present embodiment.
  • the width d13 of the end portion of the first electrode 3b1 in the X direction is larger (wider) than the widths d11 and d12, and is the first.
  • the width d23 of the end portion of the two electrodes 3b2 in the X direction was smaller (narrower) than the widths d21 and d22.
  • the present embodiment as shown in FIG.
  • the width d13 of the end portion of the first electrode 3b1 in the X direction is smaller (narrower) than the widths d11 and d12, and the width d13 of the second electrode 3b2.
  • the width d23 of the end portion in the X direction is larger (wider) than the widths d21 and d22.
  • a relatively wide mounted area A can be set in a portion of the second electrode 3b2 having a width d23 larger than the widths d21 and d22.
  • the distance between the semiconductor laser chip 4 and the first end 3d1 in the Y direction can be made relatively long at the positions where the width of the first electrode 3b1 is the widths d11 and d12 larger than the width d13. Therefore, also in this embodiment, the bonding wire 18 can be more easily bonded onto the second electrode 3b2 of the submount 3B, and the required heat dissipation can be easily obtained. Therefore, the submount 3B and the chip having the submount 3B are provided. An on-submount 16B and a semiconductor laser module 100 including the chip-on-submount 16B can be obtained.
  • FIG. 8 is a plan view of the chip-on-submount 16C of the present embodiment.
  • the width d12 of the intermediate portion of the first electrode 3b1 in the X direction is smaller (narrower) than the widths d11 and d13
  • the width d22 of the intermediate portion of the second electrode 3b2 in the X direction is the width d21.
  • the width d11 increases in the direction opposite to the X direction
  • the width d21 decreases in the direction opposite to the X direction.
  • the widths d12 and d22 are constant regardless of the position in the X direction.
  • the width d13 becomes larger in the X direction
  • the width d23 becomes smaller in the X direction.
  • a relatively wide mounted area A can be set in a portion of the second electrode 3b2 having a width d22 larger than the widths d21 and d23. Further, at a position where the width of the first electrode 3b1 is a width d11 larger than the width d12 and a position where the width of the first electrode 3b1 is a width d13 larger than the width d12, the semiconductor laser chip 4 and the first end 3d1 The distance in the Y direction can be made relatively long. Therefore, also in this embodiment, the bonding wire 18 can be more easily bonded onto the second electrode 3b2 of the submount 3C, and the required heat dissipation can be easily obtained. A semiconductor laser module 100 having an on-submount 16C and the chip-on-submount 16C can be obtained.
  • the submount and optical element of the present invention can be applied to an optical device or an optical module different from those disclosed in the above embodiment.
  • the shape of the gap, the first electrode, and the second electrode can take various forms.
  • the present invention can be used for submounts, light emitting devices, and optical modules.
  • Support member 14 ... Boots 15 ... Loose tubes 16, 16A, 16B, 16C ... Chip-on submount 17 ... Bonding wire 18 ... Bonding wire 19 ... Solder 100 ... Semiconductor laser module (optical module) A ... Mounted area d1, d11, d12, d13 ... Width (first width) d2, d21, d22, d23 ... Width (second width) dg ... width g ... gap H ... calorie (heat)

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Abstract

発光装置が実装されるサブマウントは、第一方向および当該第一方向と直交した第二方向に延びた第一面を有した、ベースと、第一面上で第一方向および第二方向に延び、当該第二方向の第一端と、第一方向に延びた第二方向の反対方向の第二端と、を有した、第一電極と、第一面上で第一方向および第二方向に延び、第一端から第二方向に隙間をあけて離間した第二方向の反対方向の第三端と、第一方向に延びた第二方向の第四端と、を有した、第二電極と、を備え、第二電極の、第三端と第四端との間の第二方向の第二幅が、第一方向の位置によって異なる。

Description

サブマウント、発光装置、および光学モジュール
　本発明は、サブマウント、発光装置、および光学モジュールに関する。
　発光装置としての半導体レーザチップと、半導体レーザチップと光学結合される光ファイバとを備えている光学モジュールとしての半導体レーザモジュールが知られている。このような半導体レーザモジュールを製造する場合、例えば以下のような手順で組立が行われる。まず、半導体レーザチップをサブマウントに実装する。このとき、半導体レーザチップを、金-スズ（ＡｕＳｎ）合金などのはんだによりサブマウントに接合実装する（特許文献１）。なお、はんだに換えて導電性接着剤などの他の接合剤を用いてもよい。このような半導体レーザチップを実装したサブマウント（半導体レーザチップ実装サブマウント）は、発光装置の一例であって、チップオンサブマウントとも称される。
　次に、チップオンサブマウントを、金属製の筐体に、直接的に、または金属製の基台や電子冷却素子等を介して、スズ-ビスマス（ＳｎＢｉ）合金などのはんだにより接合実装する。さらに、筐体に、レンズなどのその他の光学部品を実装し、半導体レーザチップと光ファイバとの光学結合を行う。
　半導体レーザチップとしては、端面発光型の半導体レーザチップが多く実用されている。端面発光型の半導体レーザチップは、その長手方向における両端面の一方が、レーザ発振波長における反射率が高いＨＲ（high　reflection）コーティングが形成された後端面とされている。一方、他の端面は、反射率が低いＡＲ（anti-reflection）コーティングが形成された出射端面とされている。後端面と出射端面とでレーザ共振器を構成しており、発振したレーザ光は主に出射端面から出射される。
特許第５０７５１６５号公報
　一般的に、半導体レーザチップはダイボンディングによってサブマウントに実装される。ダイボンディングにおいては、コレットで半導体レーザチップを真空チャックし、はんだなどの接合剤の融点以上の温度に加熱されたサブマウントに半導体レーザチップを実装する。
　その後、半導体レーザチップに対して駆動電流を供給するなどのために、半導体レーザチップに対する電気的接触を確保するために、半導体レーザチップとサブマウント上の電極との間に、ボンディングワイヤによる配線が形成される。なお、半導体レーザチップ実装サブマウントが並列して配置される場合は、サブマウント間にボンディングワイヤによる配線が形成される場合がある。
　一方、近年、半導体レーザチップやサブマウントの小型化が進み、半導体レーザチップの電極上やサブマウントの電極上に、ボンディングワイヤによる配線を接合する領域を確保し難くなっている。
　また、半導体レーザチップはますます高光出力化が進んでいる。それに伴って、半導体レーザチップが発する熱を、サブマウントへ効果的に放熱することがますます重要になってきている。
　そこで、本発明の課題の一つは、例えば、電極上に配線をより容易に接合でき、かつ所要の放熱性が得られやすい、サブマウント、発光装置、および光学モジュールを得ることである。
　本発明のサブマウントは、発光装置が実装されるサブマウントであって、第一方向および当該第一方向と直交した第二方向に延びた第一面を有した、ベースと、前記第一面上で前記第一方向および前記第二方向に延び、当該第二方向の第一端と、前記第一方向に延びた前記第二方向の反対方向の第二端と、を有した、第一電極と、前記第一面上で前記第一方向および前記第二方向に延び、前記第一端から前記第二方向に隙間をあけて離間した前記第二方向の反対方向の第三端と、前記第一方向に延びた前記第二方向の第四端と、を有した、第二電極と、を備え、前記第二電極の、前記第三端と前記第四端との間の前記第二方向の第二幅が、前記第一方向の位置によって異なる。
　前記サブマウントでは、前記第一電極の、前記第一端と前記第二端との間の前記第二方向の第一幅が、前記第一方向の位置によって異なる。
　本発明の発光装置は、前記サブマウントと、前記第一電極上に載置され当該第一電極と電気的に接続された裏面と、前記裏面とは反対側で前記第二電極と導体を介して電気的に接続された表面と、を有し、前記第二端よりも前記第一端の近くで前記第一方向に延びた発光素子と、を備える。
　前記発光装置では、前記発光素子は、ヒ化ガリウムまたはリン化インジウムを有した半導体レーザ素子である。
　本発明の光学モジュールは、ベースを有したハウジングと、前記ベース上に設けられた前記発光装置としての少なくとも一つの発光装置と、を備える。
　前記光学モジュールは、前記発光装置として、前記第二方向に並んだ複数の発光装置を備える。
　本発明によれば、電極上に配線をより容易に接合でき、かつ所要の放熱性が得られやすい、サブマウント、発光装置、および光学モジュールを得ることができる。
図１は、第１実施形態の光学モジュールの例示的かつ模式的な平面図である。 図２は、第１実施形態の光学モジュールの例示的かつ模式的な側面図（一部断面図）である。 図３は、第１実施形態の光学装置の例示的かつ模式図な平面図である。 図４は、図３のIV－IV断面図である。 図５は、図３のV－V断面図である。 図６は、第２実施形態の光学モジュールの例示的かつ模式的な平面図である。 図７は、第３実施形態の光学モジュールの例示的かつ模式的な平面図である。 図８は、第４実施形態の光学モジュールの例示的かつ模式的な平面図である。
　以下、本発明の例示的な実施形態が開示される。以下に示される実施形態の構成、ならびに当該構成によってもたらされる作用および結果（効果）は、一例である。本発明は、以下の実施形態に開示される構成以外によっても実現可能である。また、本発明によれば、構成によって得られる種々の効果（派生的な効果も含む）のうち少なくとも一つを得ることが可能である。
　以下に示される実施形態は、同様の構成を備えている。よって、各実施形態の構成によれば、当該同様の構成に基づく同様の作用および効果が得られる。また、以下では、それら同様の構成には同様の符号が付与されるとともに、重複する説明が省略される場合がある。
　また、各図において、Ｘ方向を矢印Ｘで表し、Ｙ方向を矢印Ｙで表し、Ｚ方向を矢印Ｚで表している。Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに交差するとともに直交している。Ｘ方向は、発光素子および光学装置からのレーザ光の出射方向であるとともに、発光素子の長手方向（共振器の長手方向）である。Ｙ方向は、発光素子の幅方向である。また、Ｚ方向は、サブマウントの厚さ方向（高さ方向）である。
［第１実施形態］
［半導体レーザモジュールの構成］
　図１は、半導体レーザモジュール１００の平面図であり、図２は、半導体レーザモジュール１００の側面図（一部断面図）である。半導体レーザモジュール１００は、光学モジュールの一例である。
　半導体レーザモジュール１００は、蓋１ａ（図２参照）とケース１ｂとを有したハウジング１を備えている。ハウジング１は、例えば、金属材料によって作られうる。なお、図１では、説明の便宜上、蓋１ａの図示が省略されている。言い換えると、図１は、半導体レーザモジュール１００の蓋１ａを取り外した内部構成を示す平面図である。
　また、半導体レーザモジュール１００は、階段形状のモジュールベース２と、複数のサブマウント３と、複数の半導体レーザチップ４とを備えている。モジュールベース２は、熱伝導性の高い例えば銅のような金属材料で作られている。半導体レーザチップ４は、発光素子の一例である。また、モジュールベース２上に実装されたサブマウント３と半導体レーザチップ４とを含むサブアセンブリは、チップオンサブマウント１６である。チップオンサブマウント１６は、発光装置の一例である。
　また、半導体レーザモジュール１００は、２つのリードピン５を備えている。２つのリードピン５は、各半導体レーザチップ４に、サブマウント３およびボンディングワイヤ１８およびボンディングワイヤ１７（図３参照）を介して電気的に接続され、各半導体レーザチップ４に電力を供給する。さらに、半導体レーザモジュール１００は、６つの第一レンズ６と、６つの第二レンズ７と、６つのミラー８と、第三レンズ９と、光フィルタ１０と、第四レンズ１１とを備えている。各第一レンズ６、各第二レンズ７、各ミラー８、第三レンズ９、光フィルタ１０、および第四レンズ１１は、各半導体レーザチップ４が出射するレーザ光の光路上に、光路に沿って順に配置されている。さらに、半導体レーザモジュール１００は、第四レンズ１１と対向して配置された光ファイバ１２を備えている。光ファイバ１２のレーザ光が入射される側の一端は、ハウジング１の内部に収容され、支持部材１３により支持されている。ボンディングワイヤ１７，１８は、配線や、導体とも称されうる。
　各半導体レーザチップ４は、例えばヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）またはリン化インジウム（ＩｎＰ）を主材料として構成されており、その材料や組成に応じた波長のレーザ光を出力する。各半導体レーザチップ４の厚さは例えば０．１ｍｍ程度である。各半導体レーザチップ４は、図２に示すように、各サブマウント３に実装され、かつ各サブマウント３は、モジュールベース２に、互いに高さが異なるように実装されている。さらに、各第一レンズ６、各第二レンズ７、各ミラー８は、それぞれ対応する半導体レーザチップ４に対応する高さに配置されている。サブマウント３、当該サブマウント３に実装された半導体レーザチップ４、およびボンディングワイヤ１７（図３参照）を備えているサブアセンブリが、半導体レーザチップ実装サブマウントとしてのチップオンサブマウント１６である。
　また、光ファイバ１２のハウジング１への挿入部には、ルースチューブ１５が設けられ、ルースチューブ１５の一部と挿入部を覆うように、ハウジング１の一部にブーツ１４が嵌められている。
　ここで、半導体レーザモジュール１００の作動について説明する。各半導体レーザチップ４は、リードピン５を介して供給された電力によって作動し、レーザ光を出力する。各半導体レーザチップ４から出力された各レーザ光は、対応する各第一レンズ６、各第二レンズ７により略コリメートされ、対応する各ミラー８により第三レンズ９に向けて反射される。さらに各レーザ光は、第三レンズ９、第四レンズ１１により集光され、光ファイバ１２の端面に入射され、光ファイバ１２中を伝搬する。なお、光フィルタ１０は、バンドパスフィルタであり、外部から光ファイバ１２を介して上記レーザ光の波長とは別の波長の光が半導体レーザモジュール１００に入力された場合に、当該光が各半導体レーザチップ４に入力することを防止する。
　半導体レーザモジュール１００の組立は、例えば以下の手順で行われる。はじめに、サブマウント３が接合温度である約３００℃に加熱され、半導体レーザチップ４が、融点が約２８０℃のＡｕＳｎはんだでサブマウント３に接合され、６つのチップオンサブマウント１６が形成される。次に、モジュールベース２が実装されたハウジング１のケース１ｂが接合温度である約１５０℃に加熱され、各チップオンサブマウント１６が、融点が約１４０℃のＳｎＢｉはんだでモジュールベース２に接合される。その後、半導体レーザモジュール１００の他の構成部品がハウジング１に取り付けられる。
［チップオンサブマウントの構成］
　図３は、チップオンサブマウント１６の平面図、図４は、図３のIV－IV断面図、また図５は、図３のV－V断面図である。上述したように、チップオンサブマウント１６は、半導体レーザチップ４と、半導体レーザチップ４が実装されるサブマウント３と、ボンディングワイヤ１７と、を備えている。
　図３，４に示されるように、サブマウント３は、基板３ａと、上部被覆層３ｂを備えている。基板３ａは、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、べリリア（ＢｅＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ダイヤモンド、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）の少なくともいずれか一つを含みうる。本実施形態では半導体レーザチップ４はシングルエミッタ型であるが、マルチエミッタ型のレーザバーチップでもよい。半導体レーザチップ４が、レーザバーチップとなる場合、基板３ａは、Ｃｕなどの金属としてもよい。本実施形態では、基板３ａはＡｌＮからなるものとする。また、基板３ａの厚さは例えば０．３～１．０ｍｍ程度である。基板３ａは、ベースの一例である。
　図３，４から明らかとなるように、基板３ａは、Ｚ方向に比較的薄い扁平な直方体状の形状を有し、言い換えると、四角形状かつ板状の形状を有している。
　図４に示されるように、基板３ａは、表面３ａ１と、裏面３ａ２と、側面３ａ３，３ａ４と、を有している。表面３ａ１は、Ｚ方向の端部において、Ｚ方向と交差するとともに直交し、Ｘ方向およびＹ方向に広がっている。裏面３ａ２は、Ｚ方向の反対方向の端部において、Ｚ方向と交差するとともに直交し、Ｘ方向およびＹ方向に広がっている。表面３ａ１と裏面３ａ２とは平行である。また、側面３ａ３は、Ｙ方向の反対方向の端部において、Ｙ方向と交差するとともに直交し、Ｘ方向およびＺ方向に広がっている。側面３ａ４は、Ｙ方向の端部において、Ｙ方向と交差するとともに直交し、Ｘ方向およびＺ方向に広がっている。表面３ａ１は、第一面の一例である。
　図３，４に示される上部被覆層３ｂは、基板３ａの表面３ａ１上、すなわち半導体レーザチップ４が実装される側の表面３ａ１上に、形成されている。上部被覆層３ｂは、例えば、金属多層膜である。上部被覆層３ｂの厚さは、例えば、１μｍ以上かつ８０μｍ以下である。
　上部被覆層３ｂは、隙間ｇにより、第一電極３ｂ１および第二電極３ｂ２に分離されている。隙間ｇは、第一電極３ｂ１および第二電極３ｂ２を電気的に絶縁している。図３のような平面視において、すなわちＺ方向の反対方向に見た場合においては、隙間ｇが設けられていることにより、第一電極３ｂ１と第二電極３ｂ２との間に基板３ａの表面３ａ１が露出している。
　第一電極３ｂ１は、別のチップオンサブマウント１６、例えば、Ｙ方向の反対方向に隣接したチップオンサブマウント１６の第二電極３ｂ２と、ボンディングワイヤ１８（図１参照、図３には不図示）を介して、電気的に接続される。また、第二電極３ｂ２は、さらに別のチップオンサブマウント１６、例えば、Ｙ方向に隣接したチップオンサブマウント１６の第一電極３ｂ１と、ボンディングワイヤ１８を介して、電気的に接続される。また、第二電極３ｂ２は、半導体レーザチップ４の表面４ｂと、ボンディングワイヤ１７を介して、電気的に接続されている。
　説明の便宜上、図３では、ボンディングワイヤ１７の一部のみが図示されるとともに、図４では、ボンディングワイヤ１７の図示が省略されている。複数のボンディングワイヤ１７は、Ｘ方向に一定の間隔で、Ｘ方向に並べられ、第二電極３ｂ２と半導体レーザチップ４の表面４ｂとを、並列に電気的に接続している。図３に示されるように、複数のボンディングワイヤ１７には、比較的長いボンディングワイヤ１７と、比較的短いボンディングワイヤ１７とが含まれており、これらがＸ方向に交互に配置されている。図３では、Ｘ方向の中間部分において、複数のボンディングワイヤ１７の図示が省略されている。
　半導体レーザチップ４は、第一電極３ｂ１上に、プリコート３ｃを介して、接合されている。プリコート３ｃは、例えば、ＡｕＳｎはんだであり、第一電極３ｂ１と、半導体レーザチップ４の裏面４ａとを、電気的に接続している。なお、上部被覆層３ｂの、プリコート３ｃと接触する表面には、例えば白金（Ｐｔ）からなるバリアメタル層（不図示）が形成されていてもよい。この場合、バリアメタル層により、プリコート３ｃのＡｕＳｎはんだと上部被覆層３ｂのバリアメタル層よりも下層の金属材料との化学反応を防止することができる。
　半導体レーザチップ４の裏面４ａおよび表面４ｂには、それぞれ電極が形成されており、半導体レーザチップ４はこれら電極を介してリードピン５から電力を供給される。なお、半導体レーザチップ４がジャンクションダウンで実装される場合には、一般的には表面４ｂ側にｎ側電極が形成されている。また、半導体レーザチップ４がジャンクションアップで実装される場合には、一般的には表面４ｂ側にｐ側電極が形成されている。なお、半導体レーザチップ４がジャンクションダウンで実装された方がサブマウント３への放熱性は高い。
［第一電極、第二電極、および隙間の形状］
　図３に示されるように、本実施形態では、第一電極３ｂ１のＹ方向の幅ｄ１１，ｄ１２，ｄ１３が、Ｘ方向の位置により、それぞれ異なっている。また、第二電極３ｂ２のＹ方向の幅ｄ２１，ｄ２２，ｄ２３も、Ｘ方向の位置により、それぞれ異なっている。また、これにともなって、隙間ｇが、折れ曲がっている。なお、隙間ｇのＹ方向の幅ｄｇは、Ｘ方向の位置によらず一定であるが、これには限定されない。幅ｄ１１，ｄ１２，ｄ１３は、第一幅の一例であり、幅ｄ２１，ｄ２２，ｄ２３は、第二幅の一例である。
　第一電極３ｂ１の幅は、第一電極３ｂ１の第一端３ｄ１と第二端３ｄ２との間の幅である。第一端３ｄ１は、第一電極３ｂ１のＹ方向の端部であり、隙間ｇに面している。また、第二端３ｄ２は、第一電極３ｂ１のＹ方向の反対方向の端部であり、Ｘ方向に沿って延びている。なお、図４，５に示されるように、第二端３ｄ２は、側面３ａ３とＺ方向に重なっているが、これには限定されず、側面３ａ３からＹ方向にずれて位置されてもよい。
　第二電極３ｂ２の幅は、第二電極３ｂ２の第三端３ｄ３と第四端３ｄ４との間の幅である。第三端３ｄ３は、第二電極３ｂ２のＹ方向の反対方向の端部であり、隙間ｇに面するとともに、隙間ｇを挟んで第一電極３ｂ１の第一端３ｄ１と面しかつ離間している。また、第四端３ｄ４は、第二電極３ｂ２のＹ方向の端部であり、Ｘ方向に沿って延びている。なお、図４，５に示されるように、第四端３ｄ４は、側面３ａ４とＺ方向に重なっているが、これには限定されず、側面３ａ４からＹ方向の反対方向にずれて位置されてもよい。
　本実施形態では、幅ｄ１１よりも幅ｄ１３が大きく（広く）、幅ｄ２１よりも幅ｄ２３が小さい（狭い）。また、幅ｄ１２は、Ｘ方向に向かうにつれて、幅ｄ１１から幅ｄ１３にかけて徐々に大きく（広く）なり、幅ｄ２２は、Ｘ方向に向かうにつれて、幅ｄ２１から幅ｄ２３にかけて徐々に小さく（狭く）なっている。
　第二電極３ｂ２と電気的に接続されるボンディングワイヤ１８は、幅ｄ２２，ｄ２３よりも大きい幅ｄ２１の被実装領域Ａ、に実装されている。図３に示されるように、ボンディングワイヤ１８は、はんだ１９を介して第二電極３ｂ２と電気的に接続される。今、仮に、隙間ｇがＸ方向に沿って真っすぐに延びるとともに、第二電極３ｂ２の幅が比較的狭い幅ｄ２３で一定であった場合、はんだ１９が広がりうる領域としての被実装領域Ａが狭くなり、ボンディングワイヤ１８やはんだ１９が、ボンディングワイヤ１７と干渉するなどにより、第二電極３ｂ２上に実装され難くなる恐れがある。この点、本実施形態では、幅ｄ２１，ｄ２２，ｄ２３がＸ方向の位置により異なっており、幅ｄ２２，ｄ２３よりも大きい幅ｄ２１でＸ方向に延びた被実装領域Ａの面積を、比較的大きく設定することができるため、ボンディングワイヤ１８を、ボンディングワイヤ１７と干渉することなく、第二電極３ｂ２上に接合し易くなる。なお、本実施形態のように隙間ｇの幅ｄｇがＸ方向に沿って一定であるか、あるいは幅ｄｇがＸ方向に沿ってそれほど変化しない場合、第二電極３ｂ２の幅ｄ２１，ｄ２２，ｄ２３のＸ方向における変化に伴って、第一電極３ｂ１の幅ｄ１１，ｄ１２，ｄ１３もＸ方向に変化することになる。ここで、基板３ａ、上部被覆層３ｂ、およびサブマウント３のＹ方向の幅は、Ｘ方向に沿って略一定であるから、第一電極３ｂ１の幅が大きいほど第二電極３ｂ２の幅は小さくなり、第一電極３ｂ１の幅が小さいほど第二電極３ｂ２の幅は大きくなる。
　しかしながら、第二電極３ｂ２の幅ｄ２１が、幅ｄ２２，ｄ２３よりも大きくなることにより、ボンディングワイヤ１８を実装しやすい位置では、図４に示されるように、半導体レーザチップ４と第一端３ｄ１とのＹ方向の距離が比較的短い。このため、半導体レーザチップ４からプリコート３ｃおよび第一電極３ｂ１を介してＹ方向かつＺ方向の反対方向に向けて伝達される熱量Ｈ（図４中右下向きの細い破線）は、半導体レーザチップ４からプリコート３ｃおよび第一電極３ｂ１を介してＹ方向の反対方向かつＺ方向の反対方向に向けて伝達される熱量Ｈ（図４中左下向きの太い破線）よりも、少なくなる。しかしながら、本実施形態では、上述したように、第二電極３ｂ２のＹ方向の幅がＸ方向に沿って変化しており、図５の断面位置では、図４の断面位置よりも半導体レーザチップ４と第一端３ｄ１とのＹ方向の距離が比較的長い。このため、当該位置では、半導体レーザチップ４からプリコート３ｃおよび第一電極３ｂ１を介してＹ方向かつＺ方向の反対方向に向けて伝達される熱量Ｈ（図５中右下向きの太い破線）は、図４の断面位置よりも大きくなる。また、当該熱量Ｈは、半導体レーザチップ４からプリコート３ｃおよび第一電極３ｂ１を介してＹ方向の反対方向かつＺ方向の反対方向に向けて伝達される熱量Ｈ（図５中左下向きの太い破線）と、略同等にすることもできる。
　なお、第一電極３ｂ１のボンディングワイヤ１８（図１参照、図３には不図示）の被実装領域Ａは、第二電極３ｂ２の被実装領域ＡとＹ方向に並んでいるが、これには限定されない。
　以上、説明したように、本実施形態では、第二電極３ｂ２のＹ方向の幅が、Ｘ方向の位置によって異なっている。
　このような構成によれば、第二電極３ｂ２において、幅ｄ２２，ｄ２３よりも大きい幅ｄ２１の部位に、比較的広い被実装領域Ａを設定することができる。また、第二電極３ｂ２において、幅ｄ２１よりも小さい幅ｄ２２，ｄ２３の部位、すなわち第一電極３ｂ１において幅ｄ１１，ｄ１２よりも大きい幅の部位で、半導体レーザチップ４と第一端３ｄ１とのＹ方向の距離を比較的長くすることができる。したがって、このような構成によれば、サブマウント３の第二電極３ｂ２上にボンディングワイヤ１８をより容易に接合でき、かつ所要の放熱性が得られやすい、サブマウント３、当該サブマウント３を有したチップオンサブマウント１６、および当該チップオンサブマウント１６を備えた半導体レーザモジュール１００を、得ることができる。
　また、本実施形態では、第一電極３ｂ１のＹ方向の幅が、Ｘ方向の位置によって異なっている。
　このような構成によれば、第一電極３ｂ１において幅ｄ１１，ｄ１２よりも大きい幅の部位で、半導体レーザチップ４からの放熱性を確保しやすい。
［第２実施形態］
　図６は、本実施形態のチップオンサブマウント１６Ａの平面図である。図６に示されるように、本実施形態では、隙間ｇが、Ｘ方向に対して傾斜して真っすぐ延びている。このため、第一電極３ｂ１の幅ｄ１は、Ｘ方向に向かうにつれて徐々に大きく（広く）なり、第二電極３ｂ２の幅ｄ２は、Ｘ方向に向かうにつれて徐々に小さく（狭く）なっている。
　このような実施形態にあっても、第二電極３ｂ２のうち他の部位よりも幅ｄ２が大きい部位に、比較的広い被実装領域Ａを設定することができる。また、第一電極３ｂ１のうち他の部位よりも幅ｄ１が大きい部位において、半導体レーザチップ４と第一端３ｄ１とのＹ方向の距離を比較的長くすることができる。したがって、本実施形態によっても、サブマウント３Ａの第二電極３ｂ２上にボンディングワイヤ１８をより容易に接合でき、かつ所要の放熱性が得られやすい、サブマウント３Ａ、当該サブマウント３Ａを有したチップオンサブマウント１６Ａ、および当該チップオンサブマウント１６Ａを備えた半導体レーザモジュール１００を、得ることができる。
［第３実施形態］
　図７は、本実施形態のチップオンサブマウント１６Ｂの平面図である。第１実施形態では、図３に示されるように、第一電極３ｂ１のＸ方向（レーザ光の出射方向）の端部の幅ｄ１３が、幅ｄ１１，ｄ１２よりも大きく（広く）、かつ、第二電極３ｂ２のＸ方向の端部の幅ｄ２３が、幅ｄ２１，ｄ２２よりも小さかった（狭かった）。これに対し、本実施形態では、図７に示されるように、第一電極３ｂ１のＸ方向の端部の幅ｄ１３が、幅ｄ１１，ｄ１２よりも小さく（狭く）、かつ、第二電極３ｂ２のＸ方向の端部の幅ｄ２３が、幅ｄ２１，ｄ２２よりも大きい（広い）。
　このような実施形態にあっても、第二電極３ｂ２のうち、幅ｄ２１，ｄ２２よりも大きい幅ｄ２３の部位に、比較的広い被実装領域Ａを設定することができる。また、第一電極３ｂ１の幅が、幅ｄ１３よりも大きい幅ｄ１１，ｄ１２である位置において、半導体レーザチップ４と第一端３ｄ１とのＹ方向の距離を比較的長くすることができる。したがって、本実施形態によっても、サブマウント３Ｂの第二電極３ｂ２上にボンディングワイヤ１８をより容易に接合でき、かつ所要の放熱性が得られやすい、サブマウント３Ｂ、当該サブマウント３Ｂを有したチップオンサブマウント１６Ｂ、および当該チップオンサブマウント１６Ｂを備えた半導体レーザモジュール１００を、得ることができる。
［第４実施形態］
　図８は、本実施形態のチップオンサブマウント１６Ｃの平面図である。本実施形態では、第一電極３ｂ１のＸ方向の中間部の幅ｄ１２が、幅ｄ１１，ｄ１３よりも小さく（狭く）、かつ、第二電極３ｂ２のＸ方向の中間部の幅ｄ２２が、幅ｄ２１，ｄ２３よりも大きい（広い）。なお、幅ｄ１１は、Ｘ方向の反対方向に向かうにつれて大きくなり、幅ｄ２１は、Ｘ方向の反対方向に向かうにつれて小さくなる。幅ｄ１２，ｄ２２は、Ｘ方向の位置によらず一定である。また、幅ｄ１３は、Ｘ方向に向かうにつれて大きくなり、幅ｄ２３は、Ｘ方向に向かうにつれて小さくなる。
　このような実施形態にあっても、第二電極３ｂ２のうち、幅ｄ２１，ｄ２３よりも大きい幅ｄ２２の部位に、比較的広い被実装領域Ａを設定することができる。また、第一電極３ｂ１の幅が幅ｄ１２よりも大きい幅ｄ１１である位置、ならびに第一電極３ｂ１の幅が幅ｄ１２よりも大きい幅ｄ１３である位置において、半導体レーザチップ４と第一端３ｄ１とのＹ方向の距離を比較的長くすることができる。したがって、本実施形態によっても、サブマウント３Ｃの第二電極３ｂ２上にボンディングワイヤ１８をより容易に接合でき、かつ所要の放熱性が得られやすい、サブマウント３Ｃ、当該サブマウント３Ｃを有したチップオンサブマウント１６Ｃ、および当該チップオンサブマウント１６Ｃを備えた半導体レーザモジュール１００を、得ることができる。
　以上、本発明の実施形態が例示されたが、上記実施形態は一例であって、発明の範囲を限定することは意図していない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、組み合わせ、変更を行うことができる。また、各構成や、形状、等のスペック（構造や、種類、方向、型式、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等）は、適宜に変更して実施することができる。
　例えば、本発明のサブマウントおよび光学素子は、上記実施形態に開示されたものとは異なる光学装置や、光モジュールに適用することができる。
　また、隙間や、第一電極、および第二電極の形状は、種々の形態をとり得る。
　本発明は、サブマウント、発光装置、および光学モジュールに利用することができる。
１ａ…蓋
１ｂ…ケース
１…ハウジング
２…モジュールベース
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ…サブマウント
３ａ…基板（ベース）
３ａ１…表面（第一面）
３ａ２…裏面
３ａ３，３ａ４…側面
３ｂ…上部被覆層
３ｂ１…第一電極
３ｂ２…第二電極
３ｃ…プリコート
３ｄ１…第一端
３ｄ２…第二端
３ｄ３…第三端
３ｄ４…第四端
４…半導体レーザチップ
４ａ…裏面
４ｂ…表面
５…リードピン
６…第一レンズ
７…第二レンズ
８…ミラー
９…第三レンズ
１０…光フィルタ
１１…第四レンズ
１２…光ファイバ
１３…支持部材
１４…ブーツ
１５…ルースチューブ
１６，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ…チップオンサブマウント
１７…ボンディングワイヤ
１８…ボンディングワイヤ
１９…はんだ
１００…半導体レーザモジュール（光学モジュール）
Ａ…被実装領域
ｄ１，ｄ１１，ｄ１２，ｄ１３…幅（第一幅）
ｄ２，ｄ２１，ｄ２２，ｄ２３…幅（第二幅）
ｄｇ…幅
ｇ…隙間
Ｈ…熱量（熱）

Claims (6)

  1. 　発光装置が実装されるサブマウントであって、
    　第一方向および当該第一方向と直交した第二方向に延びた第一面を有した、ベースと、
    　前記第一面上で前記第一方向および前記第二方向に延び、当該第二方向の第一端と、前記第一方向に延びた前記第二方向の反対方向の第二端と、を有した、第一電極と、
    　前記第一面上で前記第一方向および前記第二方向に延び、前記第一端から前記第二方向に隙間をあけて離間した前記第二方向の反対方向の第三端と、前記第一方向に延びた前記第二方向の第四端と、を有した、第二電極と、
    　を備え、
    　前記第二電極の、前記第三端と前記第四端との間の前記第二方向の第二幅が、前記第一方向の位置によって異なる、サブマウント。
  2. 　前記第一電極の、前記第一端と前記第二端との間の前記第二方向の第一幅が、前記第一方向の位置によって異なる、請求項１に記載のサブマウント。
  3. 　請求項１または２に記載のサブマウントと、
    　前記第一電極上に載置され当該第一電極と電気的に接続された裏面と、前記裏面とは反対側で前記第二電極と導体を介して電気的に接続された表面と、を有し、前記第二端よりも前記第一端の近くで前記第一方向に延びた発光素子と、
    　を備えた、発光装置。
  4. 　前記発光素子は、ヒ化ガリウムまたはリン化インジウムを有した半導体レーザ素子である、請求項３に記載の発光装置。
  5. 　モジュールベースを有したハウジングと、
    　前記モジュールベース上に設けられた請求項３または４に記載の発光装置としての少なくとも一つの発光装置と、
    　を備えた、光学モジュール。
  6. 　前記発光装置として、前記第二方向に並んだ複数の発光装置を備えた、請求項５に記載の光学モジュール。
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