JP2021523574A - オプトエレクトロニクス部品 - Google Patents
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 193
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 254
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 11
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 239000012772 electrical insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
21 支持体
22 絶縁層
23 第1の接触層
24 空洞
25 オプトエレクトロニクス半導体チップ
26 間隙
27 上面
28 電気接点
29 電気端子
30 下面
31 第2の接触層
32 第3の接触層
33 接着層
34 電気絶縁材料
35 ビアホール
36 第4の接触層
37 ボンディングワイヤ
L1,L2 線
x 横方向
z 鉛直方向
Claims (13)
- オプトエレクトロニクス部品(20)であって、
支持体(21)と、
オプトエレクトロニクス半導体チップ(25)と、
電気絶縁材料を含む絶縁層(22)と、
導電性材料を含む第1の接触層(23)と、を備え、
前記絶縁層(22)は、前記支持体(21)上に配置され、空洞(24)を有し、
前記半導体チップ(25)は、前記空洞(24)内に配置されており、
前記第1の接触層(23)は、前記半導体チップ(25)と前記支持体(21)との間、および前記絶縁層(22)と前記支持体(21)との間に配置され、
前記第1の接触層(23)は、少なくとも1つの間隙(26)を有し、それによって、前記空洞(24)領域内の前記支持体(21)は、少なくとも部分的に前記第1の接触層(23)から開放されている、オプトエレクトロニクス部品(20)。 - 前記空洞(24)は、前記支持体(21)とは反対側の上面(27)から前記絶縁層(22)を完全に通って前記支持体(21)まで延在する、請求項1記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 前記半導体チップ(25)および前記絶縁層(22)は、相互に接触することなく配置されている、請求項1または2記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 導電性材料を含む第2の接触層(31)が、少なくとも部分的に前記絶縁層(22)とは反対側の前記支持体(21)の下面(30)に配置され、少なくとも1つの間隙を有し、それにより、前記空洞(24)の領域内の前記支持体(21)は、少なくとも部分的に前記第2の接触層(31)から開放されている、請求項1から3までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 前記第1の接触層(23)は、前記第2の接触層(31)と導電的に接続されている、請求項1から4までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 導電性材料を含む第3の接触層(32)が、少なくとも部分的に前記支持体(21)とは反対側の前記絶縁層(22)の上面(27)に配置されている、請求項1から5までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 前記第3の接触層(32)は、前記絶縁層(22)の前記上面(27)を完全に覆っている、請求項6記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(25)は、前記支持体(21)とは反対側に電気接点(28)を有する、請求項1から7までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(25)の前記電気接点(28)は、前記絶縁層(22)とは反対側の前記支持体(21)の下面(30)における電気端子(29)と導電的に接続されている、請求項8記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 前記オプトエレクトロニクス部品(20)は、表面実装可能である、請求項1から9までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 前記オプトエレクトロニクス部品(20)は、該オプトエレクトロニクス部品(20)の全伸張面にわたって横方向(x)に延在する導電層から開放されており、前記横方向(x)は、前記オプトエレクトロニクス部品(20)の主要延在面に対して平行である、請求項1から10までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(25)は、前記絶縁層(22)から鉛直方向(z)に突出しているか、または前記絶縁層(22)と面一に終端しており、前記鉛直方向(z)は、前記オプトエレクトロニクス部品(20)の主要延在面に対して垂直である、請求項1から11までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
- 導電性材料を含む第3の接触層(32)は、少なくとも部分的に前記支持体(21)とは反対側の前記絶縁層(22)の上面(27)に配置され、さらに前記第3の接触層(32)は、前記絶縁層(22)の前記上面(27)を完全に覆い、前記オプトエレクトロニクス部品(20)は、該オプトエレクトロニクス部品(20)の全伸張面にわたって横方向(x)に延在する導電層から開放されており、前記横方向(x)は、前記オプトエレクトロニクス部品(20)の主要延在面に対して平行である、請求項1から12までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス部品(20)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018111791.4 | 2018-05-16 | ||
DE102018111791.4A DE102018111791A1 (de) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | Optoelektronisches Bauteil |
PCT/EP2019/058289 WO2019219287A1 (de) | 2018-05-16 | 2019-04-02 | Optoelektronisches bauteil |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021523574A true JP2021523574A (ja) | 2021-09-02 |
JP7458994B2 JP7458994B2 (ja) | 2024-04-01 |
Family
ID=66165922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020564081A Active JP7458994B2 (ja) | 2018-05-16 | 2019-04-02 | オプトエレクトロニクス部品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210217940A1 (ja) |
JP (1) | JP7458994B2 (ja) |
CN (1) | CN112262482A (ja) |
DE (1) | DE102018111791A1 (ja) |
WO (1) | WO2019219287A1 (ja) |
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-
2018
- 2018-05-16 DE DE102018111791.4A patent/DE102018111791A1/de active Pending
-
2019
- 2019-04-02 JP JP2020564081A patent/JP7458994B2/ja active Active
- 2019-04-02 CN CN201980032433.6A patent/CN112262482A/zh active Pending
- 2019-04-02 WO PCT/EP2019/058289 patent/WO2019219287A1/de active Application Filing
- 2019-04-02 US US17/055,040 patent/US20210217940A1/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210217940A1 (en) | 2021-07-15 |
DE102018111791A1 (de) | 2019-11-21 |
JP7458994B2 (ja) | 2024-04-01 |
CN112262482A (zh) | 2021-01-22 |
WO2019219287A1 (de) | 2019-11-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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