JP6161800B2

JP6161800B2 - レーザ部品およびその製造方法

Info

Publication number: JP6161800B2
Application number: JP2016513266A
Authority: JP
Inventors: ホアンマークス; シュヴァーツトーマス; ブライデナッセルアンドレアス; アウエンカーステン; シュトイェッツベアンハート
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2013-05-13
Filing date: 2014-04-28
Publication date: 2017-07-12
Anticipated expiration: 2034-04-28
Also published as: WO2014183981A1; DE102013224420A1; US20150055667A1; US20180062346A1; CN105453353A; DE112014002391A5; US9831632B2; KR20160005774A; DE112014002391B4; KR102156737B1; JP2016518726A

Description

本発明は、請求項１に記載したレーザ部品、および、請求項１７に記載した、レーザ部品を製造するための方法に関する。

この出願は、独国特許出願第１０２０１３２２４４２０．７号明細書および独国特許出願第１０２０１３２０８６７０．９号明細書に優先権を主張するものであり、その開示内容は、引用によってここに取り込まれるものとする。

レーザ部品を製造する際にはレーザチップをケーシング内に配置することが公知であり、ここでは各ケーシング内に丁度１つのチップが配置される。より高い光出力を得るためには、これらのような複数のケーシングを組み合わせることが必要であるが、これによって取付コストが増大する。達成可能なパワー密度は、ケーシングサイズによって制限される。例えばプロジェクション応用のようないくつかの技術的な適用分野に対し、この程度で達成可能なパワー密度は十分でない。圧縮光学系を使用することにより、達成可能な光パワー密度をさらに増大させることが公知であるが、この際には複雑さ、コストおよび全体システムの空間的なサイズがさらに増大してしまう。

本発明の課題は、レーザ部品を提供することである。この課題は、請求項１に記載した特徴的構成を有するレーザ部品によって解決される。本発明の別の課題は、レーザ部品を製造する方法を提供することである。この課題は、請求項１７に記載した特徴的構成を備えた方法によって解決される。従属請求項には、種々異なる発展形態が示されている。

本発明のレーザ部品は、第１支持ブロックが配置されているケーシングを有している。第１支持ブロックの長手方向面には、所定の放射方向を有する第１レーザチップが配置されている。この第１レーザチップは、第１支持ブロックに配置された第１コンタクト領域と、第１支持ブロックに配置された第２コンタクト領域とに導電的に接続されている。第１コンタクト領域と、ケーシングの第１コンタクトピンとの間、および、第２コンタクト領域と、ケーシングの第２コンタクトピンとの間には１つずつの導電性接続部が設けられている。有利には、このレーザ部品において第１レーザチップにおいて発生する排熱は、第１支持ブロックを介して排出することができる。これにより、過剰な発熱およびこれによって発生する寿命の短縮または第１レーザチップの破壊を回避することができる。温度上昇がした際のレーザ部品の熱的なオーバーランに起因する最大総出力の低減も回避することができる。

レーザ部品の一実施形態において、第１レーザの放射方向は、長手方向面に対して平行に配向されており、かつ、第１支持ブロックの長手方向に対して垂直に配向されている。これにより、有利にもコンパクトな装置が得られる。

レーザ部品の一実施形態において、第１支持ブロックは、ケーシングの底面に配置されている。この際に第１レーザチップの放射方向は、上記底面に対して垂直に配向される。このレーザ部品においてケーシングの底面に対して放射方向が垂直になることにより、偏向光学系を設ける必要がなくなる。これにより、このレーザ部品において後置される１次光学系を第１レーザチップのレーザ面に近接して配置することができ、これによってコンパクトな空間サイズが得られる。

レーザ部品の一実施形態において、第１支持ブロックの長手方向面に第１ヒートシンクが配置される。ここでは第１レーザチップが第１ヒートシンクに配置される。第１ヒートシンクにより、有利にもレーザチップを第１支持ブロックから電気的に絶縁することができる。第１レーザチップで発生した発熱は、第１ヒートシンクおよび第１支持ブロックを介して排出することができる。

レーザ部品の一実施形態では、第１支持ブロックの長手方向面に第２ヒートシンクが配置される。第２ヒートシンクには第２レーザチップが配置される。第２レーザチップの放射方向は、第１レーザチップの放射方向に対して平行に配向される。第１レーザチップおよび第２レーザチップは、第１コンタクト領域と第２コンタクト領域との間で電気的に直列接続される。第２レーザチップを設けることによって有利にも、ただ１つのレーザチップを備えたレーザ部品に比べてレーザ部品の光パワー密度が高められる。第１レーザチップおよび第２レーザチップは有利にも、別々に２つのケーシングに配置されるレーザチップの場合に可能であるよりも互いに近接して配置することができる。これにより、複雑な圧縮光学系を必要とすることなく一層高いパワー密度が可能になる。第１レーザチップおよび第２レーザチップにおいて発生する排熱は有利にも、上記のヒートシンクおよび支持ブロックを介して効率的に排出することができ、これによってレーザチップを高い出力パワーで駆動することができ、この際にこの高い出力パワーによってレーザチップの寿命が縮まるまたはこれが破壊されることがない。

レーザ部品の一実施形態において、ケーシング内に第２支持ブロックが配置されており、この第２支持ブロックには、別のレーザチップを備えた少なくとも１つの別のヒートシンクが配置される。第２支持ブロックは、別のレーザチップの放射方向が、第１レーザチップの放射方向に対して平行になるように配置される。第２レーザブロックに配置された第３コンタクト領域と、ケーシングの第３コンタクトピンとの間、および、第２支持ブロックに配置された第４コンタクト領域と、ケーシングの第４コンタクトピンとの間には１つずつの導電性接続部が設けられている。有利にもこのレーザ部品では上記の別のレーザチップにより、ただ１つのレーザチップを備えたレーザ部品の場合に比べて高いパワーを得ることができる。この際には別々のケーシングにあるレーザチップを使用する場合に可能であるよりも第１レーザチップおよび別のレーザチップを一層空間的に接近させて配置することができる。これにより有利にも、このために複雑な圧縮光学系を必要とすることなく、高い光パワー密度を得ることができる。第１レーザチップおよび別のレーザチップは、このレーザ部品において電気的に並列接続され、ケーシングの複数の４個のコンタクトピンを介して別々に駆動制御することができる。これにより、このレーザ部品は有利にも高いフレキシビリティを有する。

レーザ部品の一実施形態において、第１ヒートシンクは、セラミックプレート片として構成されている。第１ヒートシンクは、サブマウントと称することも可能である。セラミックプレート片として構成することにより、第１ヒートシンクは、コスト的に有利に入手可能であり、加工が容易であり、また第１レーザチップにおいて発生する熱を効果的に排出することができる。

レーザ部品の一実施形態において、上記ケーシングは、第１レーザチップの放射方向に対して垂直に配向されたガラス窓によって閉じられる。ここではこのケーシングをこのガラス窓によって気密に閉じることができる。有利にもこれにより、ケーシング内部に配置される第１レーザチップの経年変化の進行および破壊を阻止することができる。

レーザ部品の一実施形態において、第１支持ブロックは銅製直方体として構成される。この場合に第１支持ブロックは高い熱伝導性を有し、これによって支持ブロックは、第１レーザチップにおいて発生した排熱を効果的に排出することができる。

レーザ部品の一実施形態において、第１コンタクト領域は、少なくとも部分的にメタライゼーションされた表面を備えた直方向として構成される。この場合にはこの直方体の互いに垂直な２つの表面に、第１コンタクト領域からまたは第１コンタクト領域への導電的な接続部を配置することができ、これにより、簡単、確実かつコスト的に有利なレーザ部品の製造が可能になる。

レーザ部品の一実施形態において、第１コンタクト領域はピンとして構成される。このピンの長手方向端部は、第１支持ブロックの開口部内に配置される。このピンは、第１支持ブロックに対して電気的に絶縁される。有利にはこのピンは、簡単かつコスト的に有利な仕方で支持ブロックの開口部内に配置することができる。第１支持ブロックの開口部内におけるピンの配置は有利には機械的に頑強に行われる。

レーザ部品の一実施形態において、第１支持ブロックの開口部は、貫通式開口部または止まり穴として構成される。この開口部は有利には簡単かつコスト的に有利な仕方で、穴開けによって第１支持ブロックに入れることができる。貫通式開口部として上記の開口部を構成することにより、この開口部内にピンを配置する際にこの開口部内のガスの影響を回避することができる。止まり穴として開口部を構成することにより、第１支持ブロックの反対側の面においてピンが突き出る危険性を回避することができる。

レーザ部品の一実施形態において、第１支持ブロックの開口部は、段付き貫通式開口部として構成される。開口部を段付き貫通開口部として構成することによって有利にも、ガスの望ましくない影響も、開口部に配置されるピンが第１支持ブロックの背面において不所望に突き出してしまうことも共に阻止される。

レーザ部品の一実施形態において、上記のピンは、ガラスにより、第１支持ブロックから電気的に絶縁される。これによって有利にもピンと第１支持ブロックとの間の絶縁がコスト的に有利に作製される。ガラスによって形成される、第１支持ブロックに対するピンの絶縁はさらに、有利にも確実な電気的な絶縁になる。特別な利点は、第１支持ブロックと、ガラスと、ピンとは有機化合物なしに構成することができ、これにより、気密に閉じられたケーシングにおける装置に好適である。

レーザ部品の一実施形態において、ピンの長手方向端部はスリーブ内に配置される。ここではピンは、スリーブに対して電気的に絶縁される。スリーブは、第１支持ブロックの開口部においてろう付けされる。このような配置構成によって有利にも、熱的な長さ変化によって発生する張力を低減することができる。特にこの配置構成により、第１支持ブロックに対してピンを絶縁するための絶縁材料に加わる機械的な応力を低減することができる。

レーザ部品の一実施形態において、ケーシング内には、それぞれ６個のレーザチップを備えた４個の支持ブロックが配置される。この場合、このレーザ部品は有利にも特に高い光パワー密度を有する。それぞれ６個のレーザチップを備えかつ互いに並列接続された４個の支持ブロックによって有利にも、レーザ部品を高いフレキシビリティを駆動制御することができる。

レーザ備品を製造する方法には、所定の放射方向を有する第１レーザチップを、第１支持ブロックの長手方向面に配置するステップと、第１支持ブロックに配置される第１コンタクト領域と、第１レーザチップと、第１支持ブロックに配置される第２コンタクト領域との間に導電性接続部を作製するステップと、第１支持ブロックをケーシング内に配置するステップと、第１コンタクト領域とケーシングの第１コンタクトピンとの間、および、第２コンタクト領域とケーシングの第２コンタクトピンとの間に１つずつの導電性接続部を作製するステップとを有する。この方法にしたがって得られるレーザ部品では有利にも、第１レーザチップにおいて形成された排熱を第１支持ブロックによって効果的に排出することができ、これによって熱による第１レーザチップの寿命の短縮または第１レーザチップの破壊を阻止することができる。第１レーザチップの動作可否は有利にも、この方法にしたがってレーザ部品を製造する間に、この方法の実行中の複数の加工状態において管理することができ、これにより、製造方法の歩留まりを高めることができ、この方法を実行するためのコストを低減することができる。第１レーザチップの機能管理は、第１支持ブロックに配置される第１コンタクト領域と、第１レーザチップと、第１支持ブロックに配置される第２コンタクト領域との間に導電性接続部を作製した後、ならびに、第１コンタクト領域と、ケーシングの第１コンタクトピンとの間、および、第２コンタクト領域とケーシングの第２コンタクトピンとの間に導電性接続部を作製した後に行うことができる。

上記の方法の一実施形態において、第１支持ブロックの長手方向面に第１レーザチップを配置するステップには、第１レーザチップを第１ヒートシンクに配置するステップと、第１支持ブロックの長手方向面に第１ヒートシンクを配置するステップとが含まれている。この方法の後に得られるレーザ部品では有利にも、第１レーザチップにおいて形成される排熱を第１ヒートシンクおよび第１支持ブロックにより、効果的に排出することができる。有利にもこの方法では、第１レーザチップを第１ヒートシンクに配置した後、第１レーザチップの別の機能管理を行うことができる。

この方法の一実施形態において、第１支持ブロックの長手方向面に第１ヒートシンクを配置した後、第２レーザチップを備えた第２ヒートシンクを第１支持ブロックの長手方向に配置するための別のステップを実行する。ここでは第２レーザチップの放射方向が、第１レーザチップの放射方向に対して平行になるように第２ヒートシンクを配置する。さらに、第１コンタクト領域と第２コンタクト領域との間で第１レーザチップおよび第２レーザチップを電気的に直列接続する。これによってこの方法により有利にも、ただ１つのレーサチップしか有しないレーザ部品よりも高いパワー密度を有するレーザ部品を製造することができる。

上記の方法の一実施形態において、ケーシング内に第１支持ブロックを配置した後、別のレーザチップを備えた少なくとも１つの別のヒートシンクが配置される第２支持ブロックをケーシング内に配置するための別のステップを実行する。ここでは、別のレーザチップの放射方向が、第１レーザチップの放射方向に対して平行になるように第２支持ブロックを配置する。さらに上記の方法のこの実施形態において、第２支持ブロックに配置される第３コンタクト領域と、ケーシングの第３コンタクトピンとの間、および、第２支持ブロックに配置される第４コンタクト領域と、ケーシングの第４コンタクトピンとの間に１つずつの導電性接続部を作製する別のステップを実行する。これにより、上記の方法によって有利にも、ただ１つのレーザチップを備えたレーザ部品よりも高い光パワー密度を有するレーザ部品を製造することができる。第１レーザチップおよび別のレーザチップを並列接続することにより、この方法にしたがって製造したレーザ部品の第１レーザチップおよび第２レーザチップを互いに別々に駆動制御することができ、これにより、得られるレーザ部品は高いフレキシビリティを有する。

上記の方法の一実施形態において、第１レーザチップの放射方向が、長手方向面に対して平行に、かつ、第１支持ブロックの長手方向に対して垂直に配向されるように第１レーザチップを第１支持ブロックの長手方向面に配置する。これによってこの方法により、有利にもコンパクトなサイズを有するレーザ部品を作製することができる。

上記の方法の一実施形態において、第１レーザチップの放射方向が、底面に対して垂直に配向されるように、第１支持ブロックをケーシングの底面に配置する。これによってこの方法にしたがって得られるレーザ部品は有利にも、垂直の放射方向を有し、このために偏向光学系を設ける必要がない。これにより、場合によっては必要になる１次光学系を第１レーザチップのレーザ面により近接させて配置することができる。これにより、本発明の方法によって得られるレーザ部品は全体としてコンパクトなサイズを有する。

上記の方法の一実施形態において、この方法には、第１レーザチップの放射方向に対して垂直に配向されたガラス窓によってケーシングを閉じる別のステップが含まれる。ケーシングのこの閉鎖には、ケーシングを気密に閉鎖することが含まれ得る。これによって有利にも、この方法にしたがって得られるレーザ部品の経年変化の進行および寿命の短縮が回避される。

上で説明した本発明の特徴、特徴的構成および利点、ならびに、これらがどのようにして得られるかは、以下の実施例の説明に関連付けると一層明瞭かつ明確に理解されよう。これらの実施例を図面に関連して詳しく説明する。

ヒートシンク上に配置されたレーザチップを示す図である。複数のレーザチップが配置された複数のヒートシンクを備えた支持ブロックを示す図である。電気的に直列接続された複数のレーザチップを備えた支持ブロックを示す図である。内部に複数の支持ブロックが配置されたレーザ部品のケーシングを示す図である。内部に複数の支持ブロックが配置されたケーシングの詳細図である。ガラス窓によって閉じられた、レーザ部品のケーシングを示す図である。別のレーザ部品の一部分の斜視図である。上記別のレーザ部品の支持ブロックの断面図である。支持ブロックの平面図である。別の支持ブロックの断面図である。上記別の支持ブロックの平面図である。さらに別の支持ブロックの断面図である。さらに別の支持ブロックの断面図である。さらに別の支持ブロックの断面図である。

図１には、ヒートシンク２００上に配置されているレーザチップ１００のやや概略的な斜視図が示されている。ヒートシンク２００はサブマウントと称することも可能である。

レーザチップ１００は、レーザダイオードが組み込まれた半導体チップとして構成されている。レーザチップ１００は、例えば、ＩｎＧａＮ材料系をベースとすることが可能である。レーザチップ１００は、長く伸ばした直方体の形状を有する。この直方体は、上面１１０と、上面１１０とは反対側の下面１２０と、端面１３０とを有する。レーザチップ１００の上面１１０および下面１２０には１つずつの、レーザチップ１００の電気コンタクトが配置されている。これらの電気コンタクトを介し、レーザチップ１００に電圧を印加することができる。レーザチップ１００は、電圧を印加した際に端面１３０において放射方向１３１にレーザビームを放射するように構成されている。放射方向１３１は、レーザチップ１００の端面１３０に対して垂直方向に配向されている。

ヒートシンク２００は、図示の実施例において薄いプレート片の形状を有する。ヒートシンク２００は、例えばセラミックプレート片として構成することが可能である。ヒートシンク２００は、電気絶縁性でありかつ可能な限り熱伝導性である材料を有する。ヒートシンク２００は、例えばＡｌＮ，ＳｉＣまたはダイヤモンドを有し得る。ヒートシンク２００は、上面２１０と、上面２１０とは反対側の下面２２０とを有する。ヒートシンク２００の上面２１０にはメタライゼーション部２３０が配置されており、このメタライゼーション部は、ヒートシンク２００の上面２１０の一部または上面２１０の全体を覆う。

ヒートシンク２００の上面２１０におけるメタライゼーション部２３０上にはレーザチップ１００が配置されている。レーザチップ１００の下面１２０は、ヒートシンク２００の上面２１０を向いており、メタライゼーション部２３０と熱伝導および導電的に接触接続している。これにより、レーザチップ１００の下面１２０における電気的なコンタクトは、ヒートシンク２００のメタライゼーション部２３０と導電的に接続される。レーザチップ１００の下面１２０は有利には、ヒートシンク２００の上面２１０におけるメタライゼーション部２３０にろう付けされる。例えばレーザチップ１００は、ＡｕＳｎはんだを使用し、約２８０℃の温度においてヒートシンク２００にろう付けすることができる。

ヒートシンク２００に配置されたレーザチップ１００には、図１に示した加工状態において機能テストを行うことができる。例えば、ヒートシンク２００に配置されたレーザチップ１００は、パルス動作において検査することができる。

図２には、支持ブロック３００のやや概略的な斜視図が示されている。支持ブロック３００は、長手方向面３３０を備えた長く伸ばした直方体の形状を有しており、長手方向面３３０は、支持ブロック３００の長手方向３３１に平行に配向されている。支持ブロック３００の長手方向面３３０に対して垂直方向に、支持ブロック３００の底面３４０が配置されており、この底面も長手方向３３１に対して平行に配向されている。支持ブロック３００は、例えば１ｍｍ×１ｍｍ×１０ｍｍのサイズを有し得る。支持ブロック３００は、有利には長手方向３３１において最大の長さを有し得る。支持ブロック３００は、熱伝導性の高い材料を有する。例えば、支持ブロック３００は銅を有し得る。支持ブロック３００が直方体とは異なる別の形状で構成されることも可能である。

支持ブロック３００の長手方向面３３０には第１ヒートシンク２０１，第２ヒートシンク２０２，第３ヒートシンク２０３，第４ヒートシンク２０４，第５ヒートシンク２０５および第６ヒートシンク２０６が配置されている。各ヒートシンク２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６は、図１のヒートシンク２００と同様に構成されている。第１ヒートシンク２０１上には第１レーザチップ１０１が配置されている。第２ヒートシンク２０２上には第２レーザチップ１０２が配置されている。第３ヒートシンク２０３上には第３レーザチップ１０３が配置されている。第４ヒートシンク２０４上には第４レーザチップ１０４が配置されている。第５ヒートシンク２０５上には第５レーザチップ１０５が配置されている。第６ヒートシンク２０６上には第６レーザチップ１０６が配置されている。各レーザチップ１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６は、図１のレーザチップ１００と同様に構成されている。以下ではヒートシンク２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６およびレーザチップ１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６をまとめてそれぞれヒートシンク２００およびレーザチップ１００と称する。

ヒートシンク２００は、支持ブロック３００と良好に熱的に接触接続している。ヒートシンク２００は有利には支持ブロック３００の長手方向面３３０にろう付けされる。例えばヒートシンク２００は、ＳｎＡｇＣｕはんだを使用して、約２３０℃の温度で支持ブロック３００にろう付けすることができる。

ヒートシンク２００は、すべてのレーザチップ１００の放射方向１３１が互いに平行に配向されるように、支持ブロック３００の長手方向面３３０に並んで配置される。レーザチップ１００の放射方向１３１は、長手方向面３３０に対して平行であり、かつ、支持ブロック３００の長手方向３３１に垂直に配向されている。

互いに隣り合った２つのヒートシンク２００はそれぞれ、ヒートシンク２００上にそれぞれ配置されたレーザチップ１００の相互の熱の影響ができる限り小さくなるように定められた相互の間隔を有する。同時に可能な限りにスペースを節約してレーザチップ１００を配置することが望ましい。互いに隣り合って配置される２つのヒートシンク２００は、例えば１ｍｍ〜５ｍｍの相互の間隔を有し得る。

図示の実施例では、レーザチップ１００を備えた６個のヒートシンク２００が支持ブロック３００の長手方向面３３０に配置されている。当然のことながら、６個よりも少ないまたは多くの、レーザチップ１００を備えたヒートシンク２００を支持ブロック３００の長手方向面３３０に設けることができる。

複数のレーザチップ１００を備えた複数のヒートシンク２００に加えて、支持ブロック３００の長手方向面３３０には第１コンタクトブロック３１０および第２コンタクトブロック３２０が配置されている。第１コンタクトブロック３１０は、長手方向３３１において、長手方向面３３０の第１長手方向端部に配置されている。第２コンタクトブロック３２０は、長手方向３３１において、長手方向面３３０の第２長手方向端部に配置されている。複数のヒートシンク２００は、第１コンタクトブロック３１０と第２コンタクトブロック３２０との間に配置されている。

図示の実施例において、第１コンタクトブロック３１０および第２コンタクトブロック３２０はそれぞれ直方体の形状を有する。第１コンタクトブロック３１０は、第１面３１１および第２面３１２を有する。第１面３１１は、支持ブロック３００の長手方向面３３０に対して平行に配向されている。これに相応して第２コンタクトブロック３２０も、支持ブロック３００の長手方向面３３０に対して平行に配向された第１面３２１を有する。第１コンタクトブロック３１０の第２面３１２は、支持ブロック３００の底面３４０に対して平行に配向されている。支持ブロック３００の底面３４０と、第１コンタクトブロック３１０の第２面３１２とは逆方向を向いている。第２コンタクトブロック３２０は、第１コンタクトブロック３１０の第２面３１２と同様に配向されている第２面３２２を有する。

第１コンタクトブロック３１０および第２コンタクトブロック３２０は、支持ブロック３００に対して電気的に絶縁されている。例えば、第１コンタクトブロック３１０および第２コンタクトブロック３２０は電気絶縁性材料を、例えばＡｌＮのようなセラミック材料を有し得る。第１コンタクトブロック３１０の第１面３１１および第２面３１２は、導電性材料によって、例えば金属によってコーティングされ、互いに電気的に接続される。これに相応して第２コンタクトブロック３２０の第１面３２１および第２面３２２も、互いに接続される導電性コーティングを有する。第１コンタクトブロック３１０および第２コンタクトブロック３２０は、例えば、支持ブロック３００の長手方向面３３０にろう付けすることができる。

図３には、図２の図に時間的に続く加工状態における支持ブロック３００の概略斜視図が示されている。図３の加工状態において支持ブロック３００の長手方向面３３０の複数のレーザチップ１００と、第１コンタクトブロック３１０と、第２コンタクトブロック３２０とは、複数の導電性接続部によって電気的に直列回路３５０に配置されている。第１導電性接続部３５１は、第１コンタクトブロック３１０の第１面３１１から、第１ヒートシンク２０１の上面２１０におけるメタライゼーション部２３０に延在している。第２導電性接続部３５２は、第１レーザチップ１０１の上面１１０と、第２ヒートシンク２０２のメタライゼーション部２３０との間に延在している。第３導電性接続部３５３は、第２レーザチップ１０２の上面１１０から、第３ヒートシンク２０３の上面２１０上のメタライゼーション部２３０に延在している。第４導電性接続部３５４は、第３レーザチップ１０３の上面１１０から、第４ヒートシンク２０４のメタライゼーション部２３０に延在している。第５導電性接続部３５５は、第４レーザチップ１０４の上面１１０から、第５ヒートシンク２０５のメタライゼーション部２３０に延在している。第６導電性接続部３５６は、第５レーザチップ１０５の上面１１０から、第６ヒートシンク２０６のメタライゼーション部２３０に延在している。第７導電性接続部３５７は、第６レーザチップ１０６の上面１１０から、第２コンタクトブロック３２０の第１面３２１に延在している。導電性接続部３５１，３５２，３５３，３５４，３５５，３５６，３５７は、例えばボンディングワイヤ接続部またはボンディングリボン接続部として構成することができる。

図３には示した加工状態において、支持ブロック３００の長手方向面３３０に配置された複数のレーザチップ１００には別の機能テストを行うことができる。例えば、レーザチップ１０３には、図３に示した加工状態において連続波動作における機能検査を行うことができる。

ヒートシンク２００を省略することも可能である。この際にはレーザチップ１００の下面は、支持ブロック３００の長手方向面３３０に直接配置される。この場合、支持ブロック３００の長手方向面３３０に電気絶縁性層を配置することができる。

択一的には、支持ブロック３００の長手方向面３３０に直接配置されるレーザチップ１００の下面１２０における電気コンタクトを、支持ブロックによって電気的に短絡することも可能である。この場合には、複数のレーザチップ１００は、第１コンタクトブロック３１０と第２コンタクトブロック３２０との間で並列回路に配置される。

図４には、ケーシング４００の概略斜視図が示されている。ケーシング４００は開けられているため、ケーシング４００の底面４１１を有する、ケーシング４００の内部空間４１０を見ることができ、これにアクセスすることができる。図５にはケーシング４００の一部分の拡大図が示されている。

ケーシング４００は、図示の例において第１コンタクトピン４０１と、第２コンタクトピン４０２と、第３コンタクトピン４０３と、第４コンタクトピン４０４と、第５コンタクトピン４０５と、第６コンタクトピン４０６と、第７コンタクトピン４０７と、第８コンタクトピン４０８とを有する。コンタクトピン４０１，４０２，４０３，４０４，４０５，４０６，４０７，４０８は、１つずつの導電性材料を有しており、かつ、ケーシング４００の外側から、ケーシング４００の壁部に配置されたフィードスルー４２０を通して、ケーシング４００の内部空間４１０に導かれている。これらのフィードスルー４２０は有利には気密に実施されており、例えばガラスフィードスルーとして構成することができる。

ケーシング４００の内部空間４１０には、第１支持ブロック３０１と、第２支持ブロック３０２と、第３支持ブロック３０３と、第４支持ブロック３０４とが配置されている。第１支持ブロック３０１および第２支持ブロック３０２は、図３の支持ブロック３００と同様に構成されている。第３支持ブロック３０３および第４支持ブロック３０４はそれぞれ、第１支持ブロック３０１および第２支持ブロック３０２に対して鏡映対称に構成されかつ配置されている。第１支持ブロック３０１、第２支持ブロック３０２、第３支持ブロック３０３および第４支持ブロック３０４は、以下ではまとめて支持ブロック３００とも称される。

支持ブロック３００は、支持ブロック３００の底面３４０が、ケーシング４００の底面４１１を向くように、ケーシング４００の内部空間４１０の底面に配置されている。支持ブロック３００の底面３４０は有利には、ケーシング４００の内部空間４１０の底面４１１にろう付けされる。このろう付けは、例えば軟鑞またはプレフォームを用い、１８０℃の温度において行うことができる。支持ブロック３００は有利には、ケーシング４００の底面４１１と熱的に良好に接触接続している。

支持ブロック３００の底面３４０は、ケーシング４００の底面４１１を向いているため、支持ブロック３００に配置されたすべてのレーザチップ１００の放射方向３３１は、底面４１１に対して垂直に配向されている。

支持ブロック３００に配置されるすべてのレーザチップ１００の放射方向３３１を、底面４１１に対して垂直方向以外に配向することも可能である。これにより、レーザチップ１００の放射方向３３１は、底面４１１に対して固定の角度を取り得る。これは、例えば支持ブロック３００を直方体ではない形状に構成することによって得られ、この際には底面３４０は、長手方向面３３０に対して垂直に配向されない。

択一的には、支持ブロック３００に配置される個々のレーザチップ１００の放射方向３３１を互いに平行に配向しないことも可能である。これにより、個々のレーザチップ１００の放射方向３３１を、例えば集束線または集束点において合焦させることができる。

各支持ブロック３００は、導電性接続部により、ケーシング４００のコンタクトピン４０１，４０２，４０３，４０４，４０５，４０６，４０７，４０８のうちの２つのコンタクトピンの間で電気的に接続することができる。例えば第１支持ブロック３０１は、第８導電性接続部３５８により、ケーシング４００の第１コンタクトピン４０１に導電的に接続され、第９導電性接続部３５９により、第２コンタクトピン４０２に導電的に接続される。第８導電性接続部３５８は、第１コンタクトピン４０１から、第１支持ブロック３０１の第１コンタクトブロック３１０の第２面３１２に向かって延在している。これに相応して第９導電性接続部３５９は、第１支持ブロック３０１の第２コンタクトブロック３２０の第２面３２２から第２コンタクトピン４０２に延在している。第８導電性接続部３５８および第９導電性接続部３５９は、例えば、ボンディングワイヤ接続部またはボンディングリボン接続部として構成することが可能である。

第８導電性接続部３５８および第９導電性接続部３５９の作製は、第１コンタクトブロック３１０の第２面３１２および第２コンタクトブロック３２０の第２面３２２が、ケーシング４００の底面４１１に対して平行に配向されて放射方向１３１を向くことによって容易になる。

第１支持ブロック３００の直列回路３５０は、ケーシング４００の第１コンタクトピン４０１と、第２コンタクトピン４０２との間に配置される。これに相応して第２支持ブロック３０２の直列回路３５０が、ケーシング４００の第３コンタクトピン４０３と、第４コンタクトピン４０４との間に配置される。第３支持ブロック３０３の直列回路２５０は、ケーシング４００の第５コンタクトピン４０５と、第６コンタクトピン４０６との間に配置される。第４支持ブロック３０４の直列回路３５０は、第７コンタクトピン４０７と第８コンタクトピン４０８との間に電気的に配置されている。

コンタクトピン４０１，４０２，４０３，４０４，４０５，４０６，４０７，４０８を介し、４つの支持ブロック３０１，３０２，３０３，３０４の複数の直列回路３５０を互いに別々に駆動制御することができる。当然のことながら、４個よりも多くのまた少ない支持ブロック３００をケーシング４００内に設けることができる。また各支持ブロック３００は、６個よりも多くのまたは少ないレーザチップ１００を有し得る。

図４に示した加工状態において、レーザチップ１００には別の機能検査を行うことができる。例えば、レーザチップ１００の動作の可否を支持ブロック３００において連続波動作でテストすることができる。

図６には、図４に示した図に時間的に続く加工状態におけるケーシング４００の斜視図が示されている。ケーシング４００は、図６に示した図ではガラス窓４３０によって閉じられている。ガラス窓４３０によって閉じられたケーシング４００は、その中に配置された複数の支持ブロック３００と共にレーザ部品５００を構成している。

ガラス窓４３０は、ケーシング４００の底面４１１に対して平行に配向されている。複数のレーザチップ１００から放射方向１３１に放射されたレーザビームは、ガラス窓４３０を通ってレーザ部品５００のケーシング４００から出射することができる。ガラス窓４３０はこのために、レーザチップ１００から放射されるレーザビームに対して透過性を有する。

ガラス窓４３０は、ケーシング４００の内部空間４１０を選択的に気密に閉じることができる。このためにガラス窓４３０は、例えば、溶接過程を用いてケーシング４００内に収容することができる。ケーシング４００を気密に閉じる場合、内部空間４１０は、所望の雰囲気で、例えば乾燥空気で充填することができる。

図７には、レーザ部品１５００の一部分の概略斜視図が示されている。図７のレーザ部品１５００は、図１〜６に基づいて説明したレーザ部品５００と一致する点が多い。一致しているコンポーネントには図７において、図１〜６と同じ参照符号が付されており、以下では改めて詳しく説明しない。以下では実質的にレーザ部品１５００とレーザ部品５００との間の違いを説明する。

レーザ部品１５００は、ケーシング４００の内部空間４１０に支持ブロック３００の代わりに支持ブロック１３００が配置されている点がレーザ部品５００と異なっている。レーザ部品１５００の図７に示した部分において、第１支持ブロック１３０１および第２支持ブロック１３０２が識別され、これらはレーザ部品５００の第１支持ブロック３０１および第２支持ブロック３０２を置き換えるものである。

支持ブロック１３００は、第１コンタクトブロック３１０の代わりに第１ピン１３１０が、または第２コンタクトブロック３２０の代わりに第２ピン１３２０が設けられている点がレーザ部品５００の支持ブロック３００と異なる。

図８には、複数の支持ブロック１３００のうちの１つの支持ブロックの断面部分図が略示されている。支持ブロック１３００は、支持ブロック１３００の長手方向面３３０に対して垂直に配向されておりかつ第１ピン１３１０を通る面で切断されている。図９には、支持ブロック１３００の長手方向面３３０の平面図が略示されている。

ピン１３１０，１３２０は１つずつの導電性材料、例えば金属を有している。ピン１３１０，１３２０はそれぞれ円柱状ピンとして構成されている。第１ピン１３１０は、外側の長手方向端部１３１３および内側の長手方向端部１３１４を有する。第２ピン１３２０も対応して構成されている。第１ピン１３１０は、支持ブロック１３００の開口部に配置されている。開口部１３４０は、円柱形貫通式開口部として構成されており、支持ブロック１３００の長手方向面３３０に対して垂直な方向に、支持ブロック１３００の長手方向面３３０から、長手方向面３３０とは反対側の、支持ブロック１３００の面まで延在している。第１ピン１３１０の内側の長手方向端部１３１４は、支持ブロック１３００の開口部１３４０内に配置されている。第１ピン１３１０の外側の長手方向端部１３１３は、支持ブロック１３００の長手方向面３３０において、支持ブロック１３００の開口部１３４０から突き出ている。第２ピン１３２０も同様に支持ブロック１３００の別の開口部１３４０内に配置されている。

円柱状の第１ピン１３１０は、１つの側面ならびに２つの底面を有する。第１ピン１３１０の第１底面は、外側の長手方向端部１３１３に配置されている。第１ピン１３１０の第２底面は内側の長手方向端部１３１４に配置されている。第１ピン１３１０の内側の長手方向端部１３１４における第２底面は有利には、支持ブロック１３００の長手方向面３３０とは反対側にある、支持ブロック１３００の外側面とほぼ面一である。

第１ピン１３１０の外側の長手方向端部１３１３に配置された第１ピン１３１０の第１底面は、第１面１３１１を構成しており、その機能は、レーザ部品５００の支持ブロック３００の第１コンタクトブロック３１０の第１面３１１の機能に対応する。第１ピン１３１０の外側の長手方向端部１３１３の近傍に配置されかつ支持ブロック１３００の底面３４０から前方に突き出ている、円柱形の第１ピン１３１０の側面の部分は、第１面１３１２を構成し、その機能は、レーザ部品５００の支持ブロック３００の第１コンタクトブロック３１０の第２面３１２の機能に対応する。第２ピン１３２０は、第１面１３２１を有しており、この面は、第１ピン１３１０の第１面１３１１に対応して配置および構成されている。さらに第２ピン１３２０は、第２面１３２２を有しており、この面は、第１ピン１３１０の第２面１３１２に対応して配置および構成されている。

レーザ部品１５００の支持ブロック１３００のピン１３１０，１３２０の第１面１３１１，１３２１は、レーザ部品５００の支持ブロック３００のコンタクトブロック３１０，３２０の第１面３１１，３２１と同様に、レーザ部品１５００のケーシング４００のコンタクトピン４０１，４０２，４０３，４０４，４０５，４０６，４０７，４０８への導電性接続部３５８，３５９を形成するために設けられている。導電性接続部３５８，３５９は、例えばボンディングワイヤ接続部またはボンディングリボン接続部として構成することができる。レーザ部品１５００の支持ブロック１３００のピン１３１０，１３２０の第２面１３１２，１３２２は、レーザ部品５００の支持ブロック３００のコンタクトブロック３１０，３２０の第２面３１２，３２２と同様に、レーザチップ１００間の直列回路３５０の導電性接続部３５１，３５７を形成するために設けられている。これらの導電性接続部３５１，３５７も、例えばボンディングワイヤ接続部またはボンディングリボン接続部として構成することができる。

ピン１３１０，１３２０は、支持ブロック１３００に対して電気的に絶縁されている。支持ブロック１３００の開口部１３４０は、ピン１３１０，１３２０よりも大きな直径を有している。これらの開口部１３４０内に配置されるピン１３１０，１３４０の外側の側面と、開口部１３４０の内側壁部との間にはそれぞれ電気絶縁体１３３０が配置されている。したがって各開口部１３４０に配置される絶縁体１３３０は、ほぼ中空円筒形の形状を有する。絶縁体１３３０は、例えばガラスによって構成することができる。この場合、支持ブロック１３００のピン１３１０，１３２０は、開口部１３４０にはめ込まれる。例えば、絶縁体１３３０に対して低温で溶融するガラスを使用することができる。

支持ブロック１３００は有利には熱伝導性の高い材料を有する。例えば支持ブロック１３００を銅を有することができる。ピン１３１０，１３２０は、例えば鉄・ニッケル合金を有し得る。この場合、ピン１３１０，１３２０は有利には熱膨張率が小さく、これにより、熱的な長さ変化によって発生する絶縁体１３３０の破損を阻止することができる。

有利にはピン１３１０，１３２０の表面をコーティングして、これがろう付け可能かつワイヤ接触接続できるようにする。例えばピン１３１０，１３２０の表面をＮｉＡｕ，ＮｉＰｂＡｕまたはＮｉＡｇによってコーティングすることができる。

以下では図１０〜１４に基づき、レーザ部品１５００内の支持ブロック１３００の代わりに設けることのできる複数の別の支持ブロックを説明する。これらの別の支持ブロックは、図７〜９の支持ブロック１３００と複数の一致点を有する。一致するコンポーネントは図１０〜１４において、図７〜９と同じ参照符号が付されており、以下では改めて詳しく説明しない。以下では、これらの別の支持ブロックと、支持ブロック１３００との違いだけを説明する。

図１０には支持ブロック２３００の概略断面図が示されている。図１１には、支持ブロック２３００の長手方向面３３０の一部分の概略平面図が示されている。例えば支持ブロック２３００では、第１ピン１３１０の代わりにピン２３１０が設けられている。支持ブロック２３００では第２ピン１３２０の代わりに別のピンが設けられており、これはピン２３１０と同様に構成されている。

ピン２３１０は、外側の長手方向端部２３１３と、内側の長手方向端部２３１４とを有する。内側の長手方向端部２３１４においてピン２３１０は実質的に円筒形に構成されている。ピン２３１０の内側の長手方向端部２３１４は、支持ブロック２３００の開口部２３４０に配置されており、絶縁体２３３０によって支持ブロック２３００対して絶縁されている。

外側の長手方向端部２３１３においてピン２３１０は、円筒形の形状に対し、付加的な平坦部２３１５を有する。これによってピン２３１０は、外側の長手方向端部２３１３においておおよそ角材形状を有する。ピン２３１０の第１面２３１１は、ピン２３１０の外側の長手方向端部２３１３において端面側の底面によって形成される。第２面２３１２は、平坦部２３１５の領域において、ピン２３１０の外側の長手方向端部２３１３に形成され、かつ、支持ブロック２３００の底面３４０とは反対側の、支持ブロック２３００の上面に平行に配向される。

支持ブロック２３００のピン２３１０の第１面２３１１および第２面２３１２は、支持ブロック１３００の第１ピン１３１０の第１面１３１１および第２面１３１２と同じ目的に使用される。しかしながら平坦部２３１５の領域に形成される、支持ブロック２３００のピン２３１０の第２面２３１２は、支持ブロック１３００の第１ピン１３１０の第２面１３１２とは異なって平坦に形成されており、これによってボンディングワイヤ接続部またはボンディングリボン接続部と容易に接触接続可能である。

図１２には、支持ブロック３３００の概略断面図が示されている。支持ブロック３３００は、外側の長手方向端部３３１３および内側の長手方向端部３３１４を備えたピン３３１０を有する。支持ブロック３３００はここでも第２ピンを有することができ、この第２ピンは第１ピン３３１０と同様に形成される。ピン３３１０は、実質的に円筒形の形状を有する。しかしながら支持ブロック３３００のピン３３１０は、支持ブロック１３００の第１ピン１３１０よりも短い。

ピン３３１０の内側の長手方向端部３３１４は、支持ブロック３３００の開口部３３４０に配置されており、かつ、絶縁体３３３０により、支持ブロック３３００に対して電気的に絶縁されている。支持ブロック３３００の開口部３３４０は、支持ブロック１３００の開口部１３４０とは異なり、止まり穴として形成されており、支持ブロック３３００の長手方向面３３０から、支持ブロック３３００内に延在しているだけであり、長手方向面３３０とは反対側の、支持ブロック３３００の外側面まで延在していない。絶縁体３３３０は、開口部３３４０において、ピン３３１０の外側の側面も、内側の長手方向端部３３１４に配置された、ピン３３１０の底面も共に取り囲んでいる。支持ブロック３３００の開口部３３４０を止まり穴として構成することにより、長手方向面３３０とは反対側の、支持ブロック３３００の外側面においてピン３３１０が意図せずに突き出てしまうことが確実に阻止されるという利点が得られる。

外側の長手方向端部３３１３にピン３３１０は第１面３３１１および第２面３３１２を有する。第１面３３１１および第２面３３１２の位置、構成および機能は、支持ブロック１３００の第１ピン１３１０の第１面１３１１および第２面１３１２に対応する。しかしながら、ピン３３１０の第１面３３１１および第２面３３１２を、支持ブロック２３００のピン２３１０の第１面２３１１および第２面２３１２と同様に構成することも可能である。

図１３には支持ブロック４３００の概略断面図が示されている。支持ブロック４３００は、外側の長手方向端部４３１３および内側の長手方向端部４３１４を備えたピン４３１０を有する。支持ブロック４３００は、ピン４３１０と同様に構成されている第２ピンを有し得る。

ピン４３１０の内側の長手方向端部４３１４は、支持ブロック４３００の開口部４３４０内に配置されている。開口部４３４０は、段付き貫通式開口部として構成されており、かつ、支持ブロック４３００の長手方向面３３０から、長手方向面３３０とは反対側の、支持ブロック４３００の面にまで延在している。開口部４３４０は、長手方向面３３０に向かって開いている部分において、長手方向面３３０とは反対側の面に向かって開放されている部分よりも大きい直径を有する。開口部４３４０のこれらの２つの部分の間には段４３４１が形成されており、この段において開口部４３４０の直径が変化している。

ピン４３１０は、長手方向面３３０に続きかつ大きい方の直径を有する開口部４３４０の部分においてのみ延在しており、かつ、この領域において、ピン４３１０を支持ブロック４３００に対して電気的に絶縁する絶縁体４３３０によって包囲されている。ピン４３１０の内側の長手方向端部４３１４におけるピン４３１０の端面はおおよそ、開口部４３４０の段４３４１の領域に配置されている。

支持ブロック４３００の開口部４３４０を段付き貫通式開口部として構成することにより、支持ブロック４３００の開口部４３４０にピン４３１０をはめる間に、開口部４３４０に気泡が閉じ込められることがないようにするという利点が得られる。同時に開口部４３４０を段付き貫通式開口部として構成することによって阻止されるのは、ピン４３１０の内側の長手方向端部４３１４が、長手方向面３３０とは反対側の、支持ブロック４３００の面において開口部４３４０から突き出ることである。開口部４３４０の段４３４１は、支持ブロック４３００の開口部４３４０にピン４３１０および絶縁体４３３０を配置する間に絶縁体４３３０に対するストッパを構成する。

ピン４３１０の外側の長手方向端部４３１３にピン４３１０は第１面４３１１および第２面４３１２を有する。支持ブロック４３００のピン４３１０の面４３１１，４３１２の位置および機能は、支持ブロック１３００の第１ピン１３１０の面１３１１，１３１２のそれに対応する。しかしながらピン４３１０の第１面４３１１および第２面４３１２を、支持ブロック２３００のピン２３１０の第１面２３１１および第２面２３１２と同様に形成することも可能である。

図１４には、支持ブロック５３００の概略断面側面図が示されている。支持ブロック５３００は、外側の長手方向端部５３１３および内側の長手方向端部５３１４を備えたピン５３１０を有する。支持ブロック５３００は、ピン５３１０と同様に構成されている第２ピンを有し得る。

ピン５３１０の内側の長手方向端部５３１４は、支持ブロック５３００の開口部５３４０に配置されている。開口部５３４０は、段付きの貫通式開口部として構成されており、かつ、支持ブロック５３００の長手方向面３３０から、支持ブロック５３００を通って、長手方向面３３０とは反対側の、支持ブロック５３００の面にまで延在している。長手方向面３３０に向かって開いている開口部５３４０の部分は、長手方向面３３０とは反対側の、支持ブロック５３００の面に向かっている開いている、開口部５３４０の部分よりも直径が大きい。この開口部のこれらの２つの部分間に段５３４１が構成されており、この段において開口部５３４０の直径が変化する。

ピン５３１０の内側の長手方向端部５３１４は、スリーブ５３５０内に配置されている。スリーブ５３５０は、中空円筒形として構成されており、かつ、ピン５３１０の外径よりも大きい内径を有する。スリーブ５３５０は、導電性材料を有しており、例えば鉄・ニッケル合金を有する。ピン５３１０とスリーブ５３５０との間には絶縁体５３３０が配置されており、この絶縁体は、スリーブ５３５０に対してピン５３１０を電気的に絶縁する。絶縁体５３３０は例えばガラスを有し得る。

軸方向においてスリーブ５３５０の長さはおおよそ、大きい方の直径を有する、開口部５３４０の部分の深さに等しい。スリーブ５３５０は、開口部５３４０の大きい方の直径を有する部分内に配置されており、はんだ５３６０によって固定されている。これにより、スリーブ５３５０と支持ブロック５３００との間に導電性の接続を得ることができる。しかしながらピン５３１０は、絶縁体５３３０により、スリーブ５３５０および支持ブロック５３００に対して絶縁されている。内側の長手方向端部５３１４に配置される、ピン５３１０の端面はおおよそ開口部５３４０の段５３４１の領域に配置される。

支持ブロック５３００を作製する際、内側の長手方向端部５３１４はまず、絶縁体５３３０によってスリーブ５３５０内に固定することができる。引き続き、スリーブ５３５０は、はんだ５３６０によって支持ブロック５３００の開口部５３４０に固定することができる。この際に開口部５３４０の段５３４１はストッパとして使用することができる。このようにすることによって有利にも、熱的な長さ変化によって発生する絶縁体５３３０の機械的な負荷が低減される。

ピン５３１０の外側の長手方向端部５３１３には第１面５３１１および第２面５３１２が形成されている。支持ブロック５３００のピン５３１０の第１面５３１１および第２面５３１２の位置および機能は、支持ブロック１３００の第１ピン１３１０の第１面１３１１および第２面１３１２のそれに対応する。しかしながらピン５３１０の第１面５３１１および第２面５３１２を、支持ブロック２３００のピン２３１０第１面２３１１および第２面２３１２と同様に形成することも可能である。

ここでまで本発明を有利な実施例に基づいて詳しく説明してきた。しかしながら本発明は、開示した実施例に限定されない。むしろ当業者は、本発明の権利保護範囲を逸脱することなく、別の複数の変化形態をここから導出することができる。

１００レーザチップ、１０１第１レーザチップ、１０２第２レーザチップ、１０３第３レーザチップ、１０４第４レーザチップ、１０５第５レーザチップ、１０６第６レーザチップ、１１０上面、１２０下面、１３０端面、１３１放射方向、２００ヒートシンク、２０１第１ヒートシンク、２０２第２ヒートシンク、２０３第３ヒートシンク、２０４第４ヒートシンク、２０５第５ヒートシンク、２０６第６ヒートシンク、２１０上面、２２０下面、２３０メタライゼーション部、３００支持ブロック、３０１第１支持ブロック、３０２第２支持ブロック、３０３第３支持ブロック、３０４第４支持ブロック、３１０第１コンタクトブロック、３１１第１面、３１２第２面、３２０第２コンタクトブロック、３２１第１面、３２２第２面、３３０長手方向面、３３１長手方向、３４０底面、３５０直列回路、３５１第１導電性接続部、３５２第２導電性接続部、３５１第１導電性接続部、３５３第３導電性接続部、３５４第４導電性接続部、３５５第５導電性接続部、３５６第６導電性接続部、３５７第７導電性接続部、３５８第８導電性接続部、３５９第９導電性接続部、４００ケーシング、４０１第１コンタクトピン、４０２第２コンタクトピン、４０３第３コンタクトピン、４０４第４コンタクトピン、４０５第５コンタクトピン、４０６第６コンタクトピン、４０７第７コンタクトピン、４０８第８コンタクトピン、４１０内部空間、４１１底面、４２０フィードスルー、４３０ガラス窓、５００レーザ部品、１３００支持ブロック、１３０１第１支持ブロック、１３１０第１ピン、１３０２第２支持ブロック、１３１１第１面、１３１２第２面、１３１３外側の長手方向端部、１３１４内側の長手方向端部、１３２０第２ピン、１３２１第１面、１３２２第２面、１３３０絶縁体、１３４０開口部、１５００レーザ部品、２３００支持ブロック、２３１０ピン、２３１１第１面、２３１２第２面、２３１３外側の長手方向端部、２３１４内側の長手方向端部、２３１５平坦部、２３３０絶縁体、２３４０開口部、３３００支持ブロック、３３１０ピン、３３１１第１面、３３１２第２面、３３１３外側の長手方向端部、３３１４内側の長手方向端部、３３３０絶縁体、３３４０開口部、４３００支持ブロック、４３１０ピン、４３１１第１面、４３１２第２面、４３１３外側の長手方向端部、４３１４内側の長手方向端部、４３３０絶縁体、４３４０開口部、４３４１段、５３００支持ブロック、５３１０ピン、５３１１第１面、５３１２第２面、５３１３外側の長手方向端部、５３１４内側の長手方向端部、５３３０絶縁体、５３４０開口部、５３４１段、５３５０スリーブ、５３６０はんだ

Claims

底面（４１１）を備えた内部空間（４１０）を有するケーシング（４００）を備えたレーザ部品（５００，１５００）において、
前記ケーシング（４００）は、当該ケーシング（４００）の壁を通してそれぞれ延在する少なくとも第１コンタクトピン（４０１）、第２コンタクトピン（４０２）、第３コンタクトピン（４０３）および第４コンタクトピン（４０４）を有しており、
前記底面（４１１）には少なくとも第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）および第２支持ブロック（３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）が配置されており、
前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の長手方向面（３３０）には第１レーザチップ（１０１）が配置されており、前記第２支持ブロック（３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）には別のレーザチップ（１００）が配置されており、
前記第１レーザチップ（１０１）および前記別のレーザチップ（１００）は、前記底面（４１１）に対して垂直に配向されている放射方向（１３１）を有しており、
前記支持ブロック（３０１，１３０１，３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面（３３０）には、１つずつの第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）および第２コンタクト領域（３２０，１３２０）が配置されており、
前記第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）および第２コンタクト領域（３２０，１３２０）は、各支持ブロック（３０１，１３０１，３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）に対して電気的に絶縁されており、
前記第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）および第２コンタクト領域（３２０，１３２０）は、それぞれ第１面（３１１，３２１，１３１１，１３２１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）と、当該第１面（３１１，３２１，１３１１，１３２１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）に対して垂直に配向されかつ前記第１面（３１１，３２１，１３１１，１３２１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）に導電的に接続された第２面（３１２，３２２，１３１２，１３２２，２３１２，３３１２，４３１２，５３１２）を有しており、
前記レーザチップ（１０１，１００）はそれぞれ導電的に、各第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）および各第２コンタクト領域（３２０，１３２０）の第１面（３１１，３２１，１３１１，１３２１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）に接続されており、
前記第１コンタクトピン（４０１）および前記第２コンタクトピン（４０２）は、前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記第１および第２コンタクト領域（３１０，３２０，１３１０，１３２０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）の前記第２面（３１２，３２２，１３１２，１３２２，２３１２，３３１２，４３１２，５３１２）に導電的に接続されており、
前記第３コンタクトピン（４０３）および前記第４コンタクトピン（４０４）は、前記第２支持ブロック（３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記第１および第２コンタクト領域（３１０，３２０，１３１０，１３２０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）の前記第２面（３１２，３２２，１３１２，１３２２，２３１２，３３１２，４３１２，５３１２）に導電的に接続されている、
ことを特徴とするレーザ部品（５００，１５００）。
前記第１レーザチップ（１０１）の前記放射方向（１３１）は、前記長手方向面（３３０）に対して平行に配向されており、かつ、前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の長手方向（３３１）に対して垂直に配向されている、
請求項１に記載のレーザ部品（５００，１５００）。
前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面（３３０）に第１ヒートシンク（２０１）が配置されており、
前記第１レーザチップ（１０１）は、前記第１ヒートシンク（２０１）に配置されている、
請求項１または２に記載のレーザ部品（５００，１５００）。
前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面（３３０）に第２ヒートシンク（２０２）が配置されており、
前記第２ヒートシンク（２０２）に第２レーザチップ（１０２）が配置されており、
前記第２レーザチップ（１０２）の放射方向（１３１）は、前記第１レーザチップ（１０１）の前記放射方向（１３１）に対して平行に配向されており、
前記第１レーザチップ（１０１）および前記第２レーザチップ（１０２）は、前記第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）と、前記第２コンタクト領域（３２０，１３２０）との間で電気的に直列接続（３５０）されている、
請求項３に記載のレーザ部品（５００，１５００）。
前記第１ヒートシンク（２０１）および前記第２ヒートシンク（２０２）は互いに１ｍｍから５ｍｍまでの間隔を有する、
請求項４に記載のレーザ部品（５００，１５００）。
前記第１ヒートシンク（２０１）は、セラミックプレート片として構成されている、
請求項３から５までのいずれか１項に記載のレーザ部品（５００，１５００）。
前記支持ブロック（３０１，１３０１，３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）はそれぞれ前記長手方向面（３３０）に対して垂直に配向された底面（３４０）を有しており、
前記支持ブロック（３０１，１３０１，３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記底面（３４０）は、前記ケーシングの前記底面（４１１）にろう付けされている、
請求項１から６までのいずれか１項に記載のレーザ部品（５００，１５００）。
前記ケーシング（４００）は、前記第１レーザチップ（１０１）の前記放射方向（１３１）に対して垂直に配向されたガラス窓（４３０）によって閉じられている、
請求項１から７までのいずれか１項に記載のレーザ部品（５００，１５００）。
前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）は、銅製直方体として構成されている、
請求項１から８までのいずれか１項に記載のレーザ部品（５００，１５００）。
前記第１コンタクト領域（３１０）は、少なくとも部分的にメタライゼーションされた表面（３１１，３１２）を備えた直方体として構成されている、
請求項１から９までのいずれか１項に記載のレーザ部品（５００）。
前記第１コンタクト領域（１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）はピンとして構成されており、
前記ピン（１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）の長手方向端部（１３１４，２３１４，３３１４，４３１４，５３１４）は、前記第１支持ブロック（１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の開口部（１３４０，２３４０，３３４０，４３４０，５３４０）内に配置されている、
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のレーザ部品（１５００）。
前記第１支持ブロック（１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記開口部（１３４０，２３４０，３３４０，４３４０，５３４０）は、貫通式開口部（１３４０，２３４０，４３４０，５３４０）または止まり穴（３３４０）として構成されている、
請求項１１に記載のレーザ部品（１５００）。
前記第１支持ブロック（４３００，５３００）の前記開口部（４３４０，５３４０）は、段付き貫通式開口部として構成されている、
請求項１２に記載のレーザ部品（１５００）。
前記ピン（１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）は、ガラス（１３３０，２３３０，３３３０，４３３０，５３３０）により、前記第１支持ブロック（１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）に対して電気的に絶縁されている、
請求項１１から１３までのいずれか１項に記載のレーザ部品（１５００）。
前記ピン（５３１０）の前記長手方向端部（５３１４）はスリーブ（５３５０）内に配置されており、
前記ピン（５３１０）は、前記スリーブ（５３５０）に対して電気的に絶縁されており、
前記スリーブ（５３５０）は、前記第１支持ブロック（５３００）の前記開口部（５３４０）内にろう付けされている、
請求項１１から１４までのいずれか１項に記載のレーザ部品（１５００）。
前記ケーシング（４００）内に、それぞれ６個のレーザチップ（１００）を有する４個の支持ブロック（３００，１３００，２３００，３３００，４３００，５３００）が配置されている、
請求項１から１５までのいずれか１項に記載のレーザ部品（５００，１５００）。
レーザ部品（５００，１５００）を製造する方法において、
以下の複数のステップ、すなわち、
・第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）および第２支持ブロック（３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）を準備するステップを有しており、前記支持ブロック（３０１，１３０１，３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）の長手方向面（３３０）に１つずつの第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）および第２コンタクト領域（３２０，１３２０）を配置し、前記第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）および前記第２コンタクト領域（３２０，１３２０）は、各支持ブロック（３０１，１３０１，３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）に対して電気的に絶縁されており、前記第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）および前記第２コンタクト領域（３２０，１３２０）はそれぞれ第１面（３１１，３２１，１３１１，１３２１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）と、当該第１面（３１１，３２１，１３１１，１３２１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）に対して垂直に配向されかつ前記第１面（３１１，３２１，１３１１，１３２１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）に導電的に接続された第２面（３１２，３２２，１３１２，１３２２，２３１２，３３１２，４３１２，５３１２）とを有しており、
前記方法はさらに、
・前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面（３３０）に前記第１レーザチップ（１０１）を配置するステップと、
・前記第２支持ブロック（３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面（３３０）に別のレーザチップ（１００）を配置するステップと、
・前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）に配置された第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）の前記第１面（３１１，１３１１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）と、前記第１レーザチップ（１０１）と、前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）に配置された第２コンタクト領域（３２０，１３２０）の前記第１面（３２１，１３２１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）との間に導電性接続部（３５０）を作製するステップと、
・前記第２支持ブロック（３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）に配置された第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）の前記第１面（３１１，１３１１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）と、前記別のレーザチップ（１００）と、前記第２支持ブロック（３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）に配置された前記第２コンタクト領域（３２０，１３２０）の第１面（３２１，１３２１，２３１１，３３１１，４３１１，５３１１）との間に導電性接続部（３５０）を作製するステップと、
・底面（４１１）を備えた内部空間（４１０）を有するケーシング（４００）を準備するステップとを有しており、前記ケーシング（４００）は、当該ケーシング（４００）の壁を通してそれぞれ延在する少なくとも第１コンタクトピン（４０１）、第２コンタクトピン（４０２）、第３コンタクトピン（４０３）および第４コンタクトピン（４０４）を有しており、
前記方法はさらに、
・前記第１レーザチップ（１０１）および前記別のレーザチップ（１００）の放射方向が、前記底面（４１１）に対して垂直に配向されるように、前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）および前記第２支持ブロック（３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）を前記ケーシング（４００）の前記底面（４１１）に配置するステップと、
・前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）の前記第２面（３１２，１３１２，２３１２，３３１２，４３１２，５３１２）と、第１コンタクトピン（４０１）との間、および、前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記第２コンタクト領域（３２０，１３２０）の前記第２面（３２２，１３２２，２３１２，３３１２，４３１２，５３１２）と、前記第２コンタクトピン（４０２）との間に１つずつの導電性接続部（３５８，３５９）を作製するステップと、
・前記第２支持ブロック（３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）の前記第２面（３１２，１３１２，２３１２，３３１２，４３１２，５３１２）と、前記第３コンタクトピン（４０３）との間、および、前記第２支持ブロック（３０２，１３０２，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記２コンタクト領域（３２０，１３２０）の前記第２面（３２２，１３２２，２３１２，３３１２，４３１２，５３１２）と、前記第４コンタクトピン（４０４）との間に１つずつの導電性接続部（３５８，３５９）を作製するステップを有する、
ことを特徴とする方法。
前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面（３３０）に前記第１レーザチップ（１０１）を配置する前記ステップには、
・前記第１レーザチップ（１０１）を第１ヒートシンク（２０１）に配置するステップと、
・前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面（３３０）に前記第１ヒートシンク（２０１）を配置するステップとが含まれている、
請求項１７に記載の方法。
前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面に前記第１ヒートシンク（２０１）を配置した後、以下の別のステップを、すなわち、
・前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面（３３０）に、第２レーザチップ（１０２）を備えた第２ヒートシンク（２０２）を配置するステップを実行し、ただし、前記第２レーザチップ（１０２）の放射方向（１３１）が、前記第１レーザチップ（１０１）の前記放射方向（１３１）に対して平行になるように前記第２ヒートシンク（２０２）を配置し、
前記第１コンタクト領域（３１０，１３１０，２３１０，３３１０，４３１０，５３１０）と、前記第２コンタクト領域（３２０，１３２０）との間で、前記第１レーザチップ（１０１）および前記第２レーザチップ（１０２）を電気的に直列接続（３５０）する、
請求項１８に記載の方法。
前記第１レーザチップ（１０１）の前記放射方向（１３１）が、前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面（３３０）に対して平行に配向され、かつ、長手方向（３３１）に対して垂直に配向されるように、前記第１レーザチップ（１０１）を前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の前記長手方向面（３３０）に配置する、
請求項１７から１９までのいずれか１項に記載の方法。
以下の別のステップを、すなわち、
・前記第１レーザチップ（１０１）の前記放射方向（１３１）に対して垂直に配向されたガラス窓（４３０）によって、前記ケーシング（４００）を閉じるステップを実行する、
請求項１７から２０までのいずれか１項に記載の方法。
前記第１支持ブロックの前記長手方向面（３３０）における前記第１レーザチップ（１０１）の配置、および／または、前記ケーシング（４００）内における前記第１支持ブロック（３０１，１３０１，２３００，３３００，４３００，５３００）の配置をろう付けによって行う、
請求項１７から２１までのいずれか１項に記載の方法。