JP6880725B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
図5に示した光学装置は、光学素子1002が、パッケージである光学装置用基体1001の凹部1011a内に搭載され、上面側に蓋部材としてカバー部材1003が設けられている。光学装置用基体1001は、土台となる絶縁体1011と、光学素子1002が搭載される領域である凹部1011aを囲むように絶縁体1011の外縁部近傍に設けられた金属リング1012とを備えている。また、カバー部材1003は、外側から順に、金属フレーム1031と、金属フレーム1031の下面側に接合材1035を用いてろう付けされた枠状部材1032と、枠状部材1032の断面視でL字状の段差部1032bにガラス接合材1034を用いて接合されたガラス部材1033と、を備えている。光学素子1002は、光学装置用基体1001の金属リング1012とカバー部材1003の金属フレーム1031とがシーム溶接されることで気密封止されている。
ここで、特許文献1に記載された光学装置において、光学素子として、発光素子、特に半導体レーザ素子や発光ダイオードなどの駆動時に多量の発熱を伴う素子をパッケージに搭載する場合について、図5を参照して説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明の実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
本開示の実施形態に係る発光装置の構成について、図1A〜図2Bを参照して説明する。
本実施形態に係る発光装置100は、略直方体形状をしており、上面側に開口する凹部1aを有するパッケージ1と、パッケージ1の開口を塞ぐように設けられる蓋部材2と、凹部1a内に配置される複数の発光素子3、サブマウント4、中継部材5、ワイヤ6及び光反射部材7と、を備えている。発光素子3が発する光は、蓋部材2の中央部に配置されている透光部材25を透過して外部に取り出される。また、発光装置100は、外部の電源と接続するための端子13が、パッケージ1の側面から突出するように設けられている。
以下、各部材について詳細に説明する。
端子13は、側壁12と導通しないように、絶縁部材14を介して側壁12の貫通孔に固定されている。また、絶縁部材14は、端子13が挿入された貫通孔を気密封止するように設けられている。
端子13としては、例えば、コバール(Fe−Ni−Co合金)やFe−Ni合金を挙げることができる。また、絶縁部材14としては、例えば、ホウ珪酸ガラスのような低融点ガラスなどのガラス接合材を挙げることができる。
金属部材21は、発光装置100の駆動時において、発光素子3の発熱による熱応力を領域21cが変形することで緩和し、セラミックス部材23、接合材24及び透光部材25に加えられる応力を低減する。このため、金属部材21の領域21cは、厚さが薄いことが好ましく、具体的には、厚さが200μm以下であることが好ましい。また、一方で領域21cは透光部材25などを保持することが可能な厚さを有することが好ましく、具体的には、領域21cの厚さは50μm以上であることが好ましい。
第1の目的は、セラミックス部材23の接合に適した活性ろう材を用いる場合において、活性ろう材による接合力を十分に発揮できるようにするためである。
金属部材21は側壁12と溶接される部材であるが、このような金属部材21とセラミックス部材23とを活性ろう材で接合する場合には十分な接合力が得られにくい。そこで、中間部材22を配置し、中間部材22とセラミックス部材23とをTi,Hf,Zr又はその水素化物などの活性金属を含有するろう材である活性ろう材によって接合することが好ましい。これにより、活性ろう材中の活性金属の成分がセラミックス部材23の表面に緻密な層を形成するため、高い接合性を得ることができる。この場合は、中間部材22は、銅を用いることが好ましく、特に高純度の銅が好ましい。高純度の銅としては、純度99.95%以上の無酸素銅や純度99.9%以上のタフピッチ銅を挙げることができる。
中間部材22は、薄いほど応力緩和に有利であると考えられる。具体的には、中間部材22の厚さは、500μm以下とすることができる。また、中間部材22の厚さは、10μm以上とすることができる。
また、セラミックス部材23は、例えば、金型を用いて粉体プレス成型することで外形を形成し、その後、焼成することで形成することができる。
セラミックス部材23の厚さは、透光部材25を保持するために十分な剛性を有するように、100μm程度以上とすることができる。また、セラミックス部材23の厚さは、蓋部材2の合計厚みの増大を抑えるために、700μm程度以下とすることができる。
また、透光部材25の厚さは、10μm〜1.5mm程度とすることができる。
また、透光部材25は、図1A〜図2Bにおいては、1つの発光装置100に1つのみ設けている。これにより、蓋部材に光取り出し窓を複数設けてそれぞれの窓に透光部材を配置する場合よりも光取り出し面を大きくすることができるが、一方で、透光部材25のサイズが大きくなるほど透光部材25に加わる応力は大きくなり易い。このため本実施形態の蓋部材2の構造とすることが適している。また、蓋部材に光取り出し窓を複数設ける場合は複数の発光素子3をそれぞれ窓から光が取り出せる位置に配置する必要があるが、透光部材25が1つのみであればその必要がない。このため、複数の発光素子3の配置はマトリクス状でなくてもよく、例えば円環状とすることもできる。
また、透光部材25の上面及び/又は下面に、ARコート(反射防止膜)を設けるようにしてもよい。これによって、発光装置100の光取り出し効率を高めることができる。
ここで、透光部材25と発光素子3との距離を短くする利点について、図5を参照して説明する。
図5に示したように、特許文献1に記載の光学装置を適用した発光装置では、段差部1032bを有する枠状部材1032によってガラス部材1033を保持している。このため、ガラス部材1033を載置する箇所の枠状部材1032の厚さの分だけ、発光素子とガラス部材1033の下面との間の距離が長くなる。そうすると、発光素子から発した光の広がりが大きくなり、一部が枠状部材1032などに遮られることがある。
また、特許文献2に記載のパッケージでは、2段構成の枠体の上段側である第1の枠体によって窓体が保持されているため、基体の凹所の底面と、窓体の下面との距離が大きくなっている。この場合、基体の凹所に発光素子を搭載すると、窓体の下面に照射される発光素子からの光の広がりが大きくなる。従って、第1の枠体又は第2の枠体で遮られ易い。また、複数の発光素子を搭載すると、窓体から出射する際に互いに隣接する発光素子からの光同士の離間距離が小さくなるため、1つの発光素子からの光に1つの光学部材(例えばレンズ)を組み合わせることが難しくなる。
また、導電層としては、導電性の良好な金属を用いることができ、例えば、Cu,Au,Agなどの金属又はこれらの金属の合金を挙げることができる。
サブマウント4は、パッケージ1の基部11に、金属接合材などを用いて接合することができる。
中継部材5の上面は、サブマウント4の上面又は発光素子3の上面と実質的に同じ高さに位置するのが好ましい。このようにすることで、ワイヤ6の配線をし易くできる。
次に、本開示の実施形態に係る発光装置における蓋部材の変形例について説明する。
なお、図1A〜図1Cに示した発光装置100において、パッケージ1の凹部1a内に発光素子3などの部材を配置し、蓋部材2に代えて、以下に示す各変形例の蓋部材を用いて凹部1aの開口を封止することで、発光装置を形成することができる。
第1変形例に係る蓋部材について、図3Aを参照して説明する。
本変形例における蓋部材2Aは、図2A及び図2Bに示した蓋部材2において、金属部材21に代えて金属部材21Aを有し、中間部材22を有さないで構成されている。金属部材21Aは、セラミックス部材23とろう付けによって接合されている。図3Aに示すように、金属部材21Aは、開口21aに沿って、すなわち内縁部に沿って、下面側に環状の凸部21Aeを有しており、凸部21Aeの下面とセラミックス部材23とが接合されている。つまり、金属部材21Aは、蓋部材2における金属部材21と中間部材22とを接合した状態の外形形状を有している。このような形状の金属部材21Aを用いることによって、幅の狭い中間部材22を用いることなく、セラミックス部材23と狭い領域で接合し、蓋部材2と同じ幅の非接合領域である領域21cを設けることができる。
他の構成は、前記した蓋部材2と同様であるから、説明は省略する。
次に、第2変形例に係る蓋部材について、図3Bを参照して説明する。
本変形例における蓋部材2Bは、図2A及び図2Bに示した蓋部材2において、セラミックス部材23に代えてセラミックス部材23Bを有し、中間部材22を有さないで構成されている。セラミックス部材23Bは、上面側の内縁部において、環状の凸部23Bbが設けられている。凸部23Bbの形状は、蓋部材2における中間部材22と同じ形状に設けられている。つまり、本変形例におけるセラミックス部材23Bは、蓋部材2のセラミックス部材23と中間部材22とを接合した状態の外形形状を有している。金属部材21は下面が平坦であるが、セラミックス部材23Bの凸部23Bbの上面と領域21bで接合されることで、領域21cが非接合な状態に構成することができる。
他の構成は、前記した蓋部材2と同様であるから、説明は省略する。
このように、透光部材25を保持するセラミックス部材23Bは段差部を有する形状であってもよい。この場合は、その段差部の一面に接合材24を形成すること、及び、その一面と交わる段差部の別の面が金属部材21(又は中間部材22)との接合面に繋がっていること、の両方を満たさないことで、接合材24の剥離や破損のおそれを低減することができる。
次に、第3変形例に係る蓋部材について、図4を参照して説明する。
本変形例における蓋部材2Cは、図2A及び図2Bに示した蓋部材2において、セラミックス部材23に代えてセラミックス部材23Cを有して構成されている。セラミックス部材23Cは、図4に示すように、外縁部において、下面側に突出する環状の側壁23Cbが設けられている。
他の構成は、前記した蓋部材2と同様であるから、説明は省略する。
1a 凹部
11 基部
11a 凸部
12 側壁
13 端子
14 絶縁部材
2,2A,2B,2C 蓋部材
21,21A 金属部材
21a 開口
21b 領域
21c 領域
21d 領域
21Ae 凸部
22 中間部材
23,23B,23C セラミックス部材
23a 開口
23Bb 凸部
23Cb 側壁
24 接合材
25 透光部材
3 発光素子
4 サブマウント
5 中継部材
6 ワイヤ
7 光反射部材
7a 光反射面
100 発光装置
LB レーザ光
Claims (10)
- 金属からなり、上側に開口する凹部を有するパッケージと、
前記凹部内に配置される複数の発光素子と、
前記凹部の開口を塞ぐように設けられる蓋部材と、を備え、
前記蓋部材は、
透光部材と、
前記透光部材の一方の主面に接合材を用いて接合される、環状のセラミックス部材と、
前記セラミックス部材の、前記透光部材と接合される面と反対側の面の側に接合される環状の金属部材と、を有し、
前記金属部材は、平面視において、前記セラミックス部材に接合された部分よりも外側で前記凹部を構成する前記パッケージの側壁の上面と接合され、
平面視において、前記金属部材と前記セラミックス部材とが接合される領域は、前記セラミックス部材の外縁よりも内側の領域である、発光装置。 - 前記セラミックス部材は、前記透光部材の上面に接合され、
前記セラミックス部材及び前記透光部材が前記凹部内に配置されている、請求項1に記載の発光装置。 - 前記透光部材は、ガラスからなり、
前記接合材は、ガラス接合材である、請求項1又は請求項2に記載の発光装置。 - 前記接合材は、軟化点が前記透光部材の軟化点よりも低い低融点ガラスである、請求項3に記載の発光装置。
- 前記金属部材と前記セラミックス部材とは、平面視において前記セラミックス部材よりも外形の小さな環状の金属からなる中間部材を間に挟んで接合される、請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記金属部材は、Fe−Ni−Co合金又はFe−Ni合金を母材とし、少なくとも前記パッケージと接合される部分の表面に金属メッキが施されてなり、
前記中間部材は、銅からなり、
前記セラミックス部材は、アルミナからなり、
前記金属部材と前記パッケージとは溶接されており、
前記セラミックス部材と前記中間部材とは活性ろう材を用いてろう付けされている、請求項5に記載の発光装置。 - 前記発光素子は、半導体レーザ素子又は紫外光を発する発光ダイオードである、請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記発光素子が6個以上搭載される、請求項1乃至請求項7の何れか一項に記載の発光装置。
- 前記発光素子と電気的に接続される端子が、前記パッケージの前記側壁を貫通して外部に突出するように設けられている、請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載に発光装置。
- 金属からなり、上側に開口する凹部を有するパッケージと、
前記凹部内に配置される複数の発光素子と、
前記凹部の開口を塞ぐように設けられる蓋部材と、を備え、
前記蓋部材は、
透光部材と、
前記透光部材の一方の主面に接合材を用いて接合される、環状のセラミックス部材と、
前記セラミックス部材の、前記透光部材と接合される面と反対側の面の側に接合される環状の金属部材と、を有し、
前記金属部材は、平面視において、前記セラミックス部材に接合された部分よりも外側で前記凹部を構成する前記パッケージの側壁の上面と接合され、
前記金属部材と前記セラミックス部材とは、平面視において前記セラミックス部材よりも外形の小さな環状の金属からなる中間部材を間に挟んで接合され、
前記金属部材は、Fe−Ni−Co合金又はFe−Ni合金を母材とし、少なくとも前記パッケージと接合される部分の表面に金属メッキが施されてなり、
前記中間部材は、銅からなり、
前記セラミックス部材は、アルミナからなり、
前記金属部材と前記パッケージとは溶接されており、
前記セラミックス部材と前記中間部材とは活性ろう材を用いてろう付けされている、発光装置。
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JP6504193B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2019-04-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6711333B2 (ja) * | 2017-08-16 | 2020-06-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10914451B2 (en) * | 2018-02-07 | 2021-02-09 | Ricoh Company, Ltd. | Optical unit and optical apparatus |
JP6939690B2 (ja) | 2018-04-23 | 2021-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
JP6848931B2 (ja) * | 2018-04-23 | 2021-03-24 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
US10811581B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-10-20 | Nichia Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
JP7311770B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2023-07-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及びプロジェクタ |
JP7039450B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2022-03-22 | 京セラ株式会社 | 光学装置用パッケージおよび光学装置ならびに光学装置の製造方法 |
JP6901153B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2021-07-14 | 株式会社高純度化学研究所 | 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。 |
JP6887688B2 (ja) | 2019-02-07 | 2021-06-16 | 株式会社高純度化学研究所 | 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム |
JP7244745B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2023-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、及び、光学装置 |
US20220320823A1 (en) * | 2019-08-09 | 2022-10-06 | Kyocera Corporation | Optical-element mounting package, electronic device, and electronic module |
CN111933577B (zh) * | 2020-07-15 | 2022-05-31 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种气密封装单元局部大面积焊接板级互连集成方法 |
CN114122902A (zh) * | 2020-08-27 | 2022-03-01 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
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---|---|---|---|---|
JP2003101042A (ja) | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用容器 |
JP2003100920A (ja) | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用容器 |
JP4429115B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2010-03-10 | 京セラ株式会社 | 蓋体およびこれを用いた光素子収納用パッケージ |
JP4890775B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2012-03-07 | パナソニック株式会社 | 発光モジュール |
WO2008096301A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-14 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Illumination system comprising composite monolithic ceramic luminescence converter |
DE102007041136A1 (de) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Gehäuse |
US8390193B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-03-05 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
US8475058B2 (en) * | 2010-08-18 | 2013-07-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module with ceramic package reducing optical coupling stress |
US8253330B2 (en) * | 2010-11-30 | 2012-08-28 | GEM Weltronics TWN Corporation | Airtight multi-layer array type LED |
US8316534B2 (en) * | 2011-01-26 | 2012-11-27 | GEM Weltronics TWN Corporation | Method for packaging airtight multi-layer array type LED |
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