JP2019016783A - 発光素子搭載用パッケージ - Google Patents

発光素子搭載用パッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP2019016783A
JP2019016783A JP2018105808A JP2018105808A JP2019016783A JP 2019016783 A JP2019016783 A JP 2019016783A JP 2018105808 A JP2018105808 A JP 2018105808A JP 2018105808 A JP2018105808 A JP 2018105808A JP 2019016783 A JP2019016783 A JP 2019016783A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
hole
emitting element
light emitting
back surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018105808A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6935362B2 (ja
Inventor
雅仁 森田
Masahito Morita
雅仁 森田
鈴木 健司
Kenji Suzuki
健司 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to US16/029,738 priority Critical patent/US10177528B1/en
Priority to DE102018211294.0A priority patent/DE102018211294A1/de
Priority to CN201810750524.0A priority patent/CN109244041A/zh
Publication of JP2019016783A publication Critical patent/JP2019016783A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6935362B2 publication Critical patent/JP6935362B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】追って搭載される発光素子に対する投入電力を容易に増大でき、パッケージ内の気密性を確実に維持できる発光素子搭載用パッケージを提供する。【解決手段】表面4と裏面5を有する基板3と、該基板3に支持されるリードピン30と、基板3の表面4に対向する対向表面13と、これに対向する対向裏面14とを有するセラミック板(絶縁部材)12とを備え、基板3はリードピン30を貫通させる第1貫通穴11を有し、セラミック板12はリードピン30を貫通させる第2貫通穴15を有し、リードピン30は第1・第2貫通穴11,15を貫通する軸部31と、その一端に設けた頭部33と、軸部31から径方向に延びた鍔部34とを有し、該リードピン30は、鍔部34を介してセラミック板12の対向裏面14における第2貫通穴15の開口部の周辺に固定され、セラミック板12は、基板3の表面4における第1貫通穴11の開口部の周辺に固定されている、発光素子搭載用パッケージ1a。【選択図】 図5

Description

本発明は、レーザーダイオードなどの発光素子を搭載するための発光素子搭載用パッケージに関する。
例えば、金属製のベースプレートと、その表面上に接合され金属製で且つ平面視が矩形枠状のフレームと、該フレームの一側壁に形成され、且つ光ファイバーの一端に装着されたホルダーを貫通させるホルダー挿入部と、前記フレームの前記一側壁に隣接し且つ対向する一対の側壁に配置され、該一対の側壁を個別に貫通する一対のセラミック基板と、該セラミック基板ごとを貫通して形成され、且つ上記フレームの内外方向に沿ったタングステンやモリブデンからなる複数の導体部と、該複数の導体部の外端側に個別に接合される複数のリードと、を備えた光通信用パッケージが開示されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、前記光通信用パッケージのように、前記導体部を介して発光素子に電力を投入する場合、タングステンなどからなる前記導体部の電気抵抗が高いため、前記発光素子に投入すべき電力を十分に増加させることができなかった。
更に、前記導体部を有するセラミック基板を、前記フレームの側壁に空けた矩形状の貫通孔に挿入して固着するため、該貫通孔の内寸法と上記セラミック基板の外寸法との寸法公差を厳しく管理しないと、該セラミック基板の挿入が困難となったり、あるいは、該セラミック基板と上記貫通孔との間に隙間が過度に形成され、パッケージ内部の気密性が維持できなくなる、という問題があった。
一方、金属製で且つ直方体状の箱形パッケージにおいて対向する一対の側面に空けた複数の貫通穴に、複数の中継端子を水平姿勢で個別に貫通させ、該中継端子と前記貫通穴との隙間ごとをガラス半田などで封止した半導体レーザポンプモジュールの気密パッケージ構造も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
しかし、上記気密パッケージ構造によれば、上記箱形パッケージの側面に空けた貫通穴ごとに、挿入した中継端子の周囲にガラス半田個別に充填するための煩雑な工程が必要となり、且つ安定した気密性を保ちにくい、という問題があった。
特開平11−126840号公報(第1〜5頁、図1〜5) 特開平04−88475号公報(第1〜5頁、図1〜8)
本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、追ってパッケージ内部に搭載される発光素子に対する投入電力を容易に増大でき、且つパッケージ内部の気密性を確実に維持できる発光素子搭載用パッケージを提供する、ことを課題とする。
課題を解決するための手段および発明の効果
本発明は、前記課題を解決するため、パッケージ本体を構成する基板を貫通する第1貫通孔内にリードピンを貫通させると共に、該リードピンを支持し且つ外部から電気的に絶縁する絶縁部材を、上記第1貫通孔における何れか一方の開口部の周辺に接合する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の発光素子搭載用パッケージ(請求項1)は、対向する表面および裏面ならびに前表面側に発光素子の搭載部を有する基板と、該基板に支持されるリードピンと、前記基板の表面または裏面の何れかに対向する対向表面および該対向表面に対向する対向裏面を有する絶縁部材と、を備えた発光素子搭載用パッケージであって、上記基板の表面と裏面との間には、上記リードピンを貫通させる第1貫通穴が形成され、上記絶縁部材は、上記対向表面と対向裏面との間を貫通する第2貫通穴を有しており、上記リードピンは、上記第1貫通穴および第2貫通穴を貫通する軸部と、該軸部から径方向に延びた鍔部と、前記軸部の軸方向の一端に設けられた頭部と、を有し、該リードピンの鍔部の直径は、上記軸部の直径よりも大きく、且つ、当該リードピンの頭部の直径は、前軸部の直径よりも大きく形成されており、該リードピンは、上記鍔部を介して、上記絶縁部材の対向裏面における第2貫通穴の開口部の周辺に固定されていると共に、上記絶縁部材は、上記基板の表面または裏面における第1貫通穴の開口部の周辺に固定されている、ことを特徴とする。
前記発光素子搭載用パッケージは、以下の効果(1)〜(3)を有している。
(1)前記リードピンは、前記基板に設けた第1貫通穴と、前記絶縁部材に設けた第2貫通穴とを連続して貫通しているので、前記基板の表面側の前記搭載部に追って搭載される発光素子との電気的接続を、ボンディングワイヤーなどを介して直接得ることができる。従って、上記発光素子に投入すべき電力の増加に伴った十分な電流を給電することが可能となる。
(2)前記リードピンは、その径方向に延びた前記鍔部を介して、前記絶縁部材の第2貫通穴における対向裏面側の開口部の周辺に固定され、且つ該絶縁部材は、前記基板に設けた第1貫通穴の周辺に固定されている。そのため、上記リードピンは、上記鍔部とセラミック部材の対向裏面との接合面、および、該絶縁部材の対向表面と前記基板の表面または裏面との接合面、という2つの接合面(平面)を介して前記基板に支持されるので、従来のような厳しい寸法交差の管理をすることなく、パッケージ内部の気密性を確実且つ容易に維持することができる。
(3)前記リードピンの頭部の直径が前記軸部の直径よりも大きく設定されているので、前記搭載部に追って搭載される発光素子との電気的接続をボンディングワイヤーなどで得る際に、該ボンディングワイヤーの接続領域を十分に大きくできることにより、容易で確実な接合が可能となる。
尚、前記基板には、後述するフレームを備えていても良く、該基板とフレームとの両者を接合(ロウ付けや溶接など)した形態のほか、金属製の平板をプレス加工や絞り加工などの塑性加工により一体に成形した一体物であっても良い。あるいは、基板とは別体であり、天井面を一体に有する箱状体のフレームを発光素子の搭載後に接合しても良い。
また、前記発光素子は、例えば、レーザーダイオード(LD)や発光ダイオード(LED)などが例示される。
更に、発光素子の前記搭載部は、前記フレームの内側面に囲まれた前記基板の表面における任意の位置であるほか、後述する放熱体の本体の上面も含まれる。
また、前記基板、リードピン、および後述するフレームは、例えば、コバール(Fe−29%Ni−17%Co)、所謂42アロイ(Fe−42%Ni)、所謂194合金(Cu−2.3%Fe−0.03%P)などの金属からなる。
更に、前記基板、リードピン、後述するフレーム、および後述する蓋板の表面には、所要の厚みのニッケル膜を介して、所要の厚みの金膜が順次被覆されている。
また、前記第1貫通穴は、上記基板の表面と裏面との間に、複数個が並列状で且つ直線状に形成されている。該第1貫通穴は、円形または矩形(正方形または長方形)状の断面を有する。あるいは、複数のリードピンが貫通可能で、且つ前記絶縁部材の外形よりも小さい単一の長円形または長方形状としても良い、
加えて、前記絶縁部材は、セラミック部材、樹脂部材、あるいは、ガラス部材で構成することができる。
即ち、本発明には、前記絶縁部材は、セラミック部材である、発光素子搭載用パッケージ(請求項2)も含まれる。
更に、前記絶縁部材が前記セラミック部材である場合、該セラミック部材は、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどの高温焼成セラミック、あるいは、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる。
また、前記セラミック部材の対向裏面には、複数の第2貫通穴の開口部ごとから離間した位置に該開口部を囲む前記同様のメタライズ層が形成されている。
加えて、前記第2貫通穴は、上記セラミック部材に複数個が並列状で且つ直線状に形成され、円形または矩形状の形状を有していると共に、該第2貫通穴ごとの開口部は、上記メタライズ層から離間している。
また、前記リードピンは、その径方向に延びた前記鍔部を介して、前記セラミック部材の第2貫通穴における対向裏面側の開口部の周辺に固定され、且つ該セラミック部材は、前記メタライズ層を介して、前記基板に設けた第1貫通穴の周辺に固定されている。そのため、上記リードピンは、上記鍔部とセラミック部材の対向裏面との接合面、および、該セラミック部材の対向表面と前記基板の表面または裏面との接合面、という2つの接合面(平面)を介して、前記基板に接合される。従って、従来のような厳しい寸法公差の管理をすることなく、パッケージ内部の気密性を確実且つ容易に維持することができる。
更に、前記絶縁部材が樹脂部材あるいはガラス部材である場合、例えば、ポリイミドやエポキシ系樹脂、あるいは、ホウケイ酸ガラスや石英ガラスなどが用いられる。
加えて、前記リードピンは、その径方向に延びた前記鍔部を介して、前記樹脂部材またはガラス部材の第2貫通穴における対向裏面側の開口部の周辺に固定され、且つ該樹脂部材またはガラス部材は、接着剤を介して、前記基板に設けた第1貫通穴の周辺に固定されている。そのため、上記リードピンは、上記鍔部と上記樹脂部材またはガラス部材の対向裏面との接合面、および、該樹脂部材またはガラス部材の対向表面と前記基板の表面または裏面との接合面、という2つの接合面(平面)を介して、前記基板に接合される。従って、かかる場合にも、従来のような厳しい寸法公差の管理をすることなく、パッケージ内部の気密性を確実且つ容易に維持することができる。尚、上記接着剤には、例えば、樹脂系接着剤やガラス系接着剤などが適用可能である。
また、本発明には、前記基板と前記セラミック部材との固定は、該セラミック部材の対向表面における前記第2貫通穴の開口部を囲み、且つ該開口部から離間して形成されたメタライズ層と、該メタライズ層の上に沿って配設されたロウ材層と、を介して成されている、発光素子搭載用パッケージ(請求項3)も含まれる。
これによれば、上記メタライズ層およびロウ材層を介して、前記基板とセラミック部材とが強固に接合されているので、前記効果(2)と共に、更に以下の効果(4)を得ることも可能となる。
(4)前記セラミック部材の対向表面に形成されたメタライズ層は、該対向表面に開口する第2貫通穴の開口部から離間しているので、上記セラミック部材を前記基板の表面または裏面における第1貫通穴の周辺に固定する際に、上記メタライズ層の上に沿って配設されるロウ材などが前記リードピンに不用意に接触して、短絡などの不具合を生じ難くされている。
尚、前記メタライズ層は、タングステン(以下、単にWと記載する)やモリブデン(以下、単にMoと記載する)などからなる。
また、前記ロウ材層には、銀ロウ(例えば、Ag−Cu合金)が例示される。
更に、本発明には、前記基板と前記発光素子の搭載部とは、別体であり、該発光素子の搭載部は、前記基板よりも熱伝導率が大きい放熱体に含まれ、上記基板は、前記表面と裏面との間を貫通する第3貫通穴を有し、上記放熱体は、該第3貫通穴に挿入されて固定されている、発光素子搭載用パッケージ(請求項4)も含まれる。
これによれば、発光素子の搭載部を有する前記放熱体は、前記基板よりも熱伝導率が大きく、且つ前記第3貫通穴に挿入され且つ固定されているので、追って上記搭載部に搭載された発光素子が発する熱を、上記放熱体を介して、本パッケージの外部に効果的に放熱することが可能となる(以下、効果(5)という)。
尚、前記放熱体は、例えば、銅または銅合金、あるいはアルミニウム合金などからなる。
また、本発明には、前記第3貫通穴は、平面視で長方形状、正方形状、あるいは円形状であり、前記放熱体は、直方体形状、立方体形状、あるいは円柱体形状を呈し、その底面の周辺に沿って、前記基板の裏面における第3貫通穴の開口部の周辺との接合を可能とするフランジを有している、発光素子搭載用パッケージ(請求項5)も含まれる。
これによれば、前記放熱体は、本体の底面の周辺に沿って一体に有するフランジと、前記基板の裏面における第3貫通穴の開口部の周辺とを、ロウ材などを介して接合されるので、前記効果(2)および(5)を確実に奏することができる。
加えて、本発明には、前記基板と、前記セラミック部材との線膨張係数の差は、5ppm(K-1)以下である、発光素子搭載用パッケージ(請求項6)も含まれる。
これによれば、前記セラミック部材と、前記基板との線膨張係数の差は、5ppm(K-1)以下と比較的小さいため、前記セラミック部材と基板との接合部に対して加えられる熱応力が緩和されるので、前記効果(2)をより確実に得ることができる。
本発明による一形態の発光素子搭載用パッケージを斜め上方からの視角で示す斜視図。 上記発光素子搭載用パッケージを斜め下方からの視角で示す斜視図。 (A)は上記パッケージに用いるセラミック板の対向裏面側を示す斜視図、(B)は該セラミック板の対向表面側を示す斜視図。 上記発光素子搭載用パッケージに用いる放熱体を示す斜視図。 図1中のX−X線の矢視に沿った垂直断面図。 異なる形態の発光素子搭載用パッケージを示す上記同様の垂直断面図。 (A)は異なる形態のセラミック板の対向裏面側を示す斜視図、(B)は該セラミック板の対向表面側を示す斜視図。
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図1,図2は、本発明による一形態の発光素子搭載用パッケージ1aを斜め上方、あるいは、斜め下方からの視角で個別に示す斜視図である。
上記発光素子搭載用パッケージ1aは、図1,図2に示すように、全体が箱形状のパッケージ本体2と、その内側に配設された一対のセラミック板(セラミック部材、絶縁部材)12と、該セラミック板12と前記本体2の基板3とを連続して貫通し、且つ上記パッケージ本体2の内側のキャビティ9内に上端(一端)側が位置する複数のリードピン30と、を備えている。
前記パッケージ本体2は、上下に対向する表面4および裏面5を有する平板の基板3と、該基板3の表面4側における周辺から立設し、平面視が矩形(正方形または長方形)状を呈する内側面7および外側面8を有するフレーム(枠体)6とからなる。該フレーム6の内側面7に囲まれた上記基板3の表面4は、図示しない発光素子の搭載部を含有している。あるいは、該搭載部は、後述する放熱体に含まれている。
尚、上記基板3とフレーム6とは、例えば、コバールからなり、互いにロウ付けなどにより接合されて、前記パッケージ本体2を形成しており、該パッケージ本体2の全表面には、所要の厚みを有するニッケル膜と金膜とが順次被覆されている。また、上記基板3の表面4とフレーム6の内側面7とに囲まれた内側には、全体が直方体状のキャビティ9が形成されている。
前記基板3には、平面視で対向する一対の辺ごとに沿って、3つずつの第1貫通穴11が水平に整列し且つ互いに平行に表面4と裏面5との間を貫通している。
また、前記基板3のうち、図1,図2の後方(奥)側には、平面視が長方形状の第3貫通穴19が前記フレーム6の側壁との間で形成され、該第3貫通穴19には、放熱体20の本体21が基板3の裏面5側から挿入され且つ固定されている。
上記放熱体20は、例えば、前記基板3よりも熱伝導率が大きい銅などの金属からなり、図4に示すように、直方体状の本体21と、発光素子の搭載部を一部に含む該本体21の上面22と、かかる本体21の底面の周辺に沿って外側に張り出したフランジ23とからなり、該フランジ23を図示しないロウ材を介して、前記基板3の裏面5に接合している。
更に、前記フレーム6において、図1,図2で前方側に位置する側壁の内側面7と外側面8との間には、レーザーなどの光を通過させたり、あるいは図示しない光ファイバーを挿通するための透孔10が穿設されている。
一方、前記セラミック板(セラミック部材)12は、例えば、アルミナなどのセラミックからなり、図3(A),(B)に示すように、前記基板3の表面4に対向して用いる対向表面13と、該対向表面13に対向する対向裏面14と、これらの間を貫通し且つ丸い断面を有する3つの第2貫通穴15と、を有している。
上記対向裏面14には、図3(A)に示すように、第2貫通穴15ごとの開口部の周囲にアルミナの表面が露出するリング形状の離間部17と、該離間部17ごとを個別に囲む矩形状で且つWまたはMoからなる複数のメタライズ層16とが形成されている。また、上記対向表面13には、図3(B)に示すように、第2貫通穴15ごとの開口部の周囲に位置する上記同様の離間部17と、該離間部17を除いた対向表面13のほぼ全面に配設したメタライズ層16とが形成されている。即ち、上記メタライズ層16は、何れも、第2貫通穴15ごとの開口部から離間して形成されていると共に、隣接する第2貫通穴15同士の間にも該メタライズ層16が形成されている。
尚、上記セラミック板12を構成するアルミナと、前記基板3およびフレーム6を構成するコバールとの線膨張係数の差は、5ppm(K-1)以下である。
また、前記リードピン30は、例えば、コバールからなり、図1,図2,図5に示すように、丸棒状の軸部31と、該軸部31の下端に位置する半球形状の先端部32と、前記軸部31の上端(一端)に設けられた円柱形の頭部33と、該頭部33に近接する軸部31から径方向に延びた円盤形状の鍔部34と、を一体に有している。図5に示ように、上記リードピン30において、上記鍔部34の直径D3は、上記軸部31の直径D1よりも大きく、且つ上記頭部33の直径D2も、前記軸部31の直径D1よりも大きく設定されている。
尚、前記リードピン30の表面にも、前記同様のニッケル膜と金膜とが順次被覆されている。
図1,図2,図5に示すように、前記基板3における左右3つずつの第1貫通穴11の表面4側における開口部の周辺には、一対の前記セラミック板12が、その対向表面13に形成された前記メタライズ層16と、該メタライズ層16の上(図示では下側)に沿って配設されたロウ材層28とを介して、接合されることで個別に固定されている。
更に、図5に示すように、上記セラミック板12の第2貫通穴15ごとの中心部には、前記リードピン30の軸部31が貫通するように、該リードピン30の鍔部34が、上記セラミック板12の第2貫通穴15の開口部ごとの周辺に前記離間部17を挟んで形成された前記メタライズ層16と、該メタライズ層16の上に沿って配設されたロウ材層28とを介して、上記セラミック板12の対向裏面14に接合されて固定されている。
尚、上記ロウ材層28は、例えば、銀ロウ(Ag−Cu系合金)からなる。
その結果、複数の前記リードピン30は、前記基板3の第1貫通穴11ごとの中心部と、前記セラミック板12の第2貫通穴15ごとの中心部とを、連続して貫通した姿勢で、各セラミック板12を介して、上記基板3に支持されている。
図1,図2,図5に示すように、前記基板3に設けた第3貫通穴19には、前記放熱体20の本体21が該基板3の裏面5側から挿入され、該放熱体20のフランジ23と基板3の裏面5との間に配置した前記同様のロウ材(図示せず)を介して、上記放熱体20が基板3などに固定されている。
更に、図5に示すように、上記発熱体20の本体21における上面22には、追って搭載されるレーザーダイオード(発光素子)25の搭載部が含まれ、該搭載部に搭載された前記レーザーダイオード25は、その上面に有する複数の外部電極(図示せず)と、複数の前記リードピン30の頭部33との間をボンディングワイヤー29を介して、各リードピン30と電気的に接続される。
そして、前記フレーム6の上側の開口部に、コバールなどからなる蓋板35をロウ付けなどにより接合することで、搭載された上記レーザーダイオード25を含むパッケージ本体2のキャビティ9内を外部から封止することができる。
図6は、前記パッケージ1aとは異なる形態の発光素子搭載用パッケージ1bを示す前記図5と同様な垂直断面図である。
上記発光素子搭載用パッケージ1bは、図6に示すように、前記同様の基板3およびフレーム6からなるパッケージ本体2と、前記基板3の表面4と裏面5との間を前記同様に貫通する複数の第1貫通穴11と、該第1貫通穴11の前記基板3における裏面5側の開口部の周辺に前記同様に接合される一対のセラミック板12と、該セラミック板12ごとに空けた複数の第2貫通穴15の中心部と、上記第1貫通穴11ごとの中心部とを連続して個別に貫通する複数のリードピン30と、を備えている。
前記リードピン30は、図6に示すように、前記同様の軸部31、先端部32、および頭部33を有すると共に、前記軸部31の軸方向の中間に前記同様の鍔部34を一体に有している。
図6に示すように、前記基板3における左右複数ずつの第1貫通穴11の裏面5側における開口部の周辺には、一対の前記セラミック板12が、その対向表面13に形成された前記メタライズ層16と、該メタライズ層16の上に沿って配設されたロウ材層28とを介して、接合されることで個別に固定されている。
更に、図6に示すように、上記セラミック板12の第2貫通穴15ごとの中心部には、前記リードピン30の軸部31が貫通するように、該リードピン30の鍔部34が、上記セラミック板12の対向裏面14における第2貫通穴15の開口部ごとの周辺に、前記離間部17を挟んで形成された前記メタライズ層16と、該メタライズ層16の上(図示で下側)に沿って配設されたロウ材層28とを介して、上記セラミック板12の対向裏面14に接合されて固定されている。
その結果、複数の前記リードピン30は、前記基板3の第1貫通穴11ごとの中心部と、前記セラミック板12の第2貫通穴15ごとの中心部とを、連続して貫通した姿勢で、各セラミック板12を介して、上記基板3に支持されている。
また、図6に示すように、前記基板3に設けた第3貫通穴19には、前記放熱体20の本体21が挿入され、該放熱体20のフランジ23と基板3の裏面5との間に配置した前記同様のロウ材を介して、上記放熱体20が基板3などに固定されている。
更に、図6に示すように、上記放熱体20の本体21における上面22には、追って搭載されるレーザーダイオード25の搭載部が含まれ、該搭載部に搭載された前記レーザーダイオード25は、その上面に有する複数の外部電極と、複数の前記リードピン30の頭部33との間をボンディングワイヤー29を介して、各リードピン30と電気的に接続される。
そして、前記フレーム6の上側の開口部に、コバールなどからなる蓋板35をロウ付けなどにより接合することで、搭載された上記レーザーダイオード25を含むパッケージ本体2のキャビティ9内を外部から封止することができる。
前記のような発光素子搭載用パッケージ1a,1bにおいて、前記リードピン30は、前記基板3に設けた第1貫通穴11と、前記セラミック板12に設けた第2貫通穴15とを連続して貫通しているので、前記基板3の表面4側に位置する前記放熱体20の上面22に含まれる搭載部に追って搭載されるレーザーダイオード25との電気的接続を、ボンディングワイヤー29を介して直接得ることができる。従って、上記レーザーダイオード25に投入すべき電力の増加に伴った十分な電流を給電することができる。
また、前記リードピン30は、その前記鍔部34を介して、前記セラミック板12の第2貫通穴15における対向裏面14側の開口部の周辺に固定され、且つ該セラミック板12は、前記メタライズ層16およびロウ材層28を介して、前記基板3に設けた第1貫通穴11の周辺に固定されている。そのため、上記リードピン30は、上記鍔部34とセラミック板12の対向裏面14との接合面、および、該セラミック板12の対向表面13と前記基板3の表面4または裏面5との接合面、という2つの接合面(平面)を介して前記基板に支持されるので、従来のような厳しい寸法交差の管理をすることなく、パッケージ本体2内の気密性を確実且つ容易に維持することができる。
更に、前記セラミック板12の対向表面13に形成されたメタライズ層16は、該対向表面13に開口する第2貫通穴15の開口部から離間部17を介して離間しているので、上記セラミック板12を前記基板3の表面4または裏面5における第1貫通11穴の周辺に固定する際に、上記メタライズ層16の上に沿って配設されるロウ材層28が前記リードピン30に不用意に接触して、短絡などの不具合を生じ難くされている。
また、前記レーザーダイオード25の搭載部を有する前記放熱体20は、前記基板3よりも熱伝導率が大きく、且つ前記第3貫通穴19に挿入され且つ固定されているので、追って上記搭載部に搭載されたレーザーダイオード25が発する熱を、上記放熱体20を介して外部に効果的に放熱することが可能となる。
更に、前記セラミック板12と、前記基板3およびフレーム6との線膨張係数の差は、5ppm(K-1)以下と比較的小さいため、上記セラミック板12と基板3との接合部に対して加えられる熱応力が緩和され、不用意な隙間が生じにくくなるので、本パッケージa1,1b内の気密性を確実且つ容易に維持できる。
加えて、前記リードピン30の頭部33の直径D2が、前記軸部31の直径D1よりも大きく設定されているので、前記搭載部22に追って搭載される発光素子25との電気的接続を前記ボンディングワイヤー29などで得る際に、該ボンディングワイヤー29の接続領域を十分に大きくでき、容易で確実な接合が可能となる。
従って、発光素子搭載用パッケージ1a,1bによれば、前記効果(1)〜(5)を確実に奏することができる。
また、前記発光素子搭載用パッケージ1aによれば、セラミック板12が前記キャビティ9内に配置されているため、該セラミック板12と前記基板3とを面で接合して気密性を確保する本形態においても、当該パッケージ1aの低背化が可能となる。
図7(A),(B)は、異なる形態のセラミック板(セラミック部材)12aを対向裏面14側あるいは対向表面13側からの視角で示す斜視図である。
上記セラミック板12aは、前記同様のアルミナなどからなり、図7(A),(B)に示すように、前記基板3の表面4に対向して用いる対向表面13と、該対向表面13に対向する対向裏面14と、これらの間を貫通する3つの第2貫通穴15aと、を有している。該第2貫通穴15aは、平面視が矩形状である。
上記対向裏面14には、図7(A)に示すように、第2貫通穴15aごとの開口部の周囲にアルミナの表面が露出する矩形枠状の離間部17と、該離間部17ごとを囲む矩形状で且つWまたはMoからなるメタライズ層16とが形成されている。また、上記対向表面13には、図7(B)に示すように、第2貫通穴15aごとの開口部の周囲に位置する上記同様の離間部17と、該離間部17を除いた対向表面13のほぼ全面に配設したメタライズ層16とが形成されている。
尚、前記セラミック板12aを構成するアルミナと、前記基板3およびフレーム6を構成するコバールとの線膨張係数の差は、5ppm(K-1)以下である。
以上のようなセラミック板12aを前記セラミック板12に替えて、前記発光素子搭載用パッケージ1a,1bに対し前記同様に適用することができると共に、かかるセラミック板12aを用いた上記パッケージ1a,1bによっても、前記効果(1)〜(5)を奏することが可能となる。
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記基板3、フレーム6、リードピン30、および蓋板35は、42アロイ、あるいは194合金からなるものとしても良い。
また、前記セラミック板12,12aは、窒化アルミニウム、ムライト、またはガラス−セラミックの何れか1つからなるものとしたり、あるいは、樹脂板(樹脂部材)やガラス板(ガラス部材)からなるものとしても良い。該樹脂板やガラス板とした場合、前記メタライズ層16は、省略される。尚、該樹脂板やガラス板を用いる場合、前記フレーム6やリードピン30との接合には、樹脂系接着剤やガラス系接着剤を用いて接合される。
更に、前記発光素子搭載用パッケージ1a,1bにおいて、前記基板3に空ける第1貫通穴は、前記セラミック板12,12aの外形と相似形状となる長方形状の断面を有する単一のものとしても良い。
また、前記フレーム6は、予め、前記蓋板35と一体とされ、且つその底面側に前記基板3の表面4を囲む開口部を有する箱状体の一部としても良い。
更に、前記発光素子は、発光ダイオードなどとしても良い。
また、前記フレーム6の透孔10における外側面8側には、前記透孔10の内径と同じ内径を有する円筒形の光ファイバー保持用のホルダーを突設しても良い。
更に、前記第3貫通穴は、平面視で円形、楕円形、あるいは長円形とし、且つ前記放熱体20の本体も平面視で前記円形などと相似形の形態としても良い。
また、前記リードピン30の鍔部34は、平面視で矩形状を呈する形態としても良い。
加えて、前記ロウ材(接合材)層には、アルミナ、ケイ酸、酸化ボロン、酸化亜鉛、酸化鉛、カルシア、パラジウム、白金、銅、金、または炭素の何れかを用いても良い。
また、前記リードピン30における頭部33の直径D2は、前記鍔部34の直径D3よりも小さく設定しても良い。即ち、該リードピン30の鍔部34の直径D3を、最も大きくなるように設定しても良い。これにより、前記鍔部34の面積を十分に大きくできるので、該鍔部34と前記セラミック板12との間での接合を、十分に確保することが可能となり、気密封止をより確実にできる。
更に、前記リードピン30における頭部33の直径D2は、前記鍔部34の直径D3よりも大きく設定しても良い。即ち、該リードピン30の頭部33の直径D3を、最も大きくなるように設定しても良い。これよれば、前記頭部33の面積を十分に大きくできるので、追って搭載される発光素子25とリードピン30とを電気的に接続する際に、ボンディングワイヤー29などの接合が容易になる。
また、前記発光素子搭載用パッケージ1bにおいて、前記セラミック板12の厚み以上の凹部を前記基板3の裏面5側に形成し、該凹部内にセラミック板12を接合することで、該セラミック板12と前記基板3とを面で接合して、気密性を確保する形態にした場合、本パッケージ1bの低背化が可能となる。しかも、前記セラミック板12と前記基板3とを面で接合するので、上述の凹部の開口幅をセラミック板12の幅(長さ)よりも十分に大きく形成することができ、上記凹部の寸法精度を厳しく管理する必要がなくなる。
また、前記実施の形態において、セラミック部材は、板状のセラミック板12としたが、該セラミック部材は、少なくとも基板3と平面で接合できる板状部を有する構成であれば良い。例えば、セラミック板12の対向表面13から立設し、該対向表面13側の開口部を囲むように形成された筒状部を有するセラミック部材としても良い。かかる形態によれば、前記筒状部が基板3に形成された第1貫通穴11内に挿入されると共に、該セラミック部材の板状部により基板3と面で接合することで、本パッケージ内部の気密性を確保でき、且つ、第1貫通穴11を構成する内壁面と、該第1貫通穴11を貫通するリードピンとの接触による短絡を防ぐこともできる。
また、前記実施の形態において、セラミック部材と基板3との線膨張係数の差を5ppm(K-1)以下としたが、セラミック部材と基板3との接合箇所において、気密性が確保される限りにおいては、これに限るものではない。例えば、セラミック部材と基板3との面での接合部における最大直線長さが5mm以下である場合には、上記線膨張係数の差が5ppm(K-1)よりも大きくても、気密性を確保した接合が可能となる。
更に、セラミック部材と基板3との面での接合を行う際に、両者の間に応力を緩和する部材を介在させることによって、上記線膨張係数の差を5ppm(K-1)よりも大きくしても、気密性を確保した接合が可能である。
本発明によれば、追ってパッケージ内部に搭載される発光素子に対する投入電力を容易に増大でき、且つパッケージ内部の気密性を確実に維持できる発光素子搭載用パッケージを確実に提供することができる。
1a,1b…発光素子搭載用パッケージ
3…………………基板
4…………………表面
5…………………裏面
11………………第1貫通穴
12,12a……セラミック板(セラミック部材、絶縁部材)
13………………対向表面
14………………対向裏面
15,15a……第2貫通穴
16………………メタライズ層
17………………離間部
19………………第3貫通穴
20………………放熱体
22………………上面(搭載部)
23………………フランジ
28………………ロウ材層
30………………リードピン
33………………頭部
34………………鍔部
D1〜D3………直径

Claims (6)

  1. 対向する表面および裏面ならびに前表面側に発光素子の搭載部を有する基板と、該基板に支持されるリードピンと、前記基板の表面または裏面の何れかに対向する対向表面および該対向表面に対向する対向裏面を有する絶縁部材と、を備えた発光素子搭載用パッケージであって、
    上記基板の表面と裏面との間には、上記リードピンを貫通させる第1貫通穴が形成され、
    上記絶縁部材は、上記対向表面と対向裏面との間を貫通する第2貫通穴を有しており、
    上記リードピンは、上記第1貫通穴および第2貫通穴を貫通する軸部と、該軸部から径方向に延びた鍔部と、前記軸部の軸方向の一端に設けられた頭部と、を有し、
    上記リードピンの鍔部の直径は、上記軸部の直径よりも大きく、且つ、該リードピンの頭部の直径は、前軸部の直径よりも大きく形成されており、
    上記リードピンは、上記鍔部を介して、上記絶縁部材の対向裏面における第2貫通穴の開口部の周辺に固定されていると共に、
    上記絶縁部材は、上記基板の表面または裏面における第1貫通穴の開口部の周辺に固定されている、
    ことを特徴とする発光素子搭載用パッケージ。
  2. 前記絶縁部材は、セラミック部材である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子搭載用パッケージ。
  3. 前記基板と前記セラミック部材との固定は、該セラミック部材の対向表面における前記第2貫通穴の開口部を囲み、且つ該開口部から離間して形成されたメタライズ層と、該メタライズ層の上に沿って配設されたロウ材層と、を介して成されている、
    ことを特徴とする請求項2に記載の発光素子搭載用パッケージ。
  4. 前記基板と前記発光素子の搭載部とは、別体であり、該発光素子の搭載部は、前記基板よりも熱伝導率が大きい放熱体に含まれ、上記基板は、前記表面と裏面との間を貫通する第3貫通穴を有し、上記放熱体は、該第3貫通穴に挿入されて固定されている、
    ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の発光素子搭載用パッケージ。
  5. 前記第3貫通穴は、平面視で長方形状、正方形状、あるいは円形状であり、前記放熱体は、直方体形状、立方体形状、あるいは円柱体形状を呈し、その底面の周辺に沿って、前記基板の裏面における第3貫通穴の開口部の周辺との接合を可能とするフランジを有している、
    ことを特徴とする請求項4に記載の発光素子搭載用パッケージ。
  6. 前記基板と、前記セラミック部材との線膨張係数の差は、5ppm(K-1)以下である、
    ことを特徴とする請求項2乃至5の何れか一項に記載の発光素子搭載用パッケージ。
JP2018105808A 2017-07-10 2018-06-01 発光素子搭載用パッケージ Active JP6935362B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/029,738 US10177528B1 (en) 2017-07-10 2018-07-09 Package for mounting light-emitting device
DE102018211294.0A DE102018211294A1 (de) 2017-07-10 2018-07-09 Einheit zur Montage einer lichtemittierenden Vorrichtung
CN201810750524.0A CN109244041A (zh) 2017-07-10 2018-07-10 发光元件搭载用封装

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017134275 2017-07-10
JP2017134275 2017-07-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019016783A true JP2019016783A (ja) 2019-01-31
JP6935362B2 JP6935362B2 (ja) 2021-09-15

Family

ID=65356577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018105808A Active JP6935362B2 (ja) 2017-07-10 2018-06-01 発光素子搭載用パッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6935362B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113035896A (zh) * 2021-04-29 2021-06-25 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种图像传感器陶瓷封装基座内嵌螺纹结构及方法
CN113745168A (zh) * 2021-08-27 2021-12-03 济南市半导体元件实验所 用于to-252封装的金属陶瓷外壳及制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5790992A (en) * 1980-11-27 1982-06-05 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser device
JPH10125996A (ja) * 1996-10-22 1998-05-15 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
JPH11231173A (ja) * 1998-02-12 1999-08-27 Fujitsu Ltd 高速動作可能な光デバイス
JP2005175325A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Ngk Spark Plug Co Ltd 接合体
JP2015225873A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ、およびこれを備えた半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5790992A (en) * 1980-11-27 1982-06-05 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser device
JPH10125996A (ja) * 1996-10-22 1998-05-15 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
JPH11231173A (ja) * 1998-02-12 1999-08-27 Fujitsu Ltd 高速動作可能な光デバイス
JP2005175325A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Ngk Spark Plug Co Ltd 接合体
JP2015225873A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ、およびこれを備えた半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113035896A (zh) * 2021-04-29 2021-06-25 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种图像传感器陶瓷封装基座内嵌螺纹结构及方法
CN113745168A (zh) * 2021-08-27 2021-12-03 济南市半导体元件实验所 用于to-252封装的金属陶瓷外壳及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6935362B2 (ja) 2021-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6880725B2 (ja) 発光装置
US10297724B2 (en) Package for mounting light-emitting device
JP6788044B2 (ja) 熱電素子内蔵パッケージ
JP6924641B2 (ja) 発光素子搭載用パッケージおよびその製造方法
JP2019016784A (ja) 発光素子搭載用パッケージ
JPWO2015046292A1 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
WO2009130743A1 (ja) 光素子用パッケージ、半導体発光装置および照明装置
JP7284424B2 (ja) 発光装置
JP6935362B2 (ja) 発光素子搭載用パッケージ
JP6935251B2 (ja) 発光素子搭載用パッケージ
JP2013074048A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2007096004A (ja) 半導体装置
JP4325246B2 (ja) 熱電装置用パッケージおよびその製造方法
US10177528B1 (en) Package for mounting light-emitting device
JP6853034B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP5773835B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2019153762A (ja) 半導体発光装置
JP2007012718A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2012248777A (ja) 素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体モジュール
JPH1098141A (ja) セラミック端子板及び半導体気密封止容器並びに複合半導体デバイス
WO2013042627A1 (ja) 電子部品載置用基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP5992785B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2013012592A (ja) 素子収納用パッケージおよびこれを備えたモジュール
JP4514647B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JPH09275245A (ja) 半導体ldモジュール

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20200210

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210803

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210825

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6935362

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250