JP5992785B2 - 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
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Description
半導体装置1は、外部からの電気信号を半導体素子で信号処理して外部に出力するための装置であって、例えばIC、LSI、発光ダイオード、半導体レーザダイオードまたはフォトダイオード等の半導体素子2を実装するのに用いるものである。半導体装置1は、半導体素子収納用パッケージ3と、半導体素子収納用パッケージ3に設けられた実装領域Rに実装された半導体素子2と、半導体素子収納用パッケージ3内を覆うように設けられた蓋体4とを備えている。
成された場合、セラミック基板5と枠体6とは、例えば半田またはろう材等の接合部材を介して接合される。
以下に設定されている。金属板8の熱膨張係数は、例えば3×10−6/K以上28×10−6/K以下に設定されている。
一辺に沿った長さが、例えば4mm以上40mm以下に設定されている。
欠き部C1,C2,C4に位置する金属板8の剛性を小さくすることにより、他の切欠き部C1,C2,C4に位置するセラミック基板5と金属板8との接合部に生じる応力を低減することができるとともに分散させることができる。
ック基板5に伝わると、セラミック基板5の四隅に熱応力が集中し、セラミック基板5の四隅が金属板8と剥離しようとする。そこで、セラミック基板5の下面の四隅が金属板8から露出するようにすることで、セラミック基板5の下面の四隅と金属板8との間の熱応力を切欠き部Cにおける接合部で分散させるとともに緩和することができ、パッケージが破壊される虞を低減することができる。そして、半導体素子2から伝わる熱が、金属板8の開口部Oを除く金属板8を介して外部の部材に放熱されやすくすることで、平面透視して半導体素子2と重なる部位のセラミック基板5に生じる熱応力により、セラミック基板5や半導体素子2にクラックが発生するのを抑制することができ、半導体素子2の発する熱を外部に効率よく放熱するとともに、パッケージが破壊される虞を低減することができる。さらに、導体素子収納用パッケージ3および半導体装置1に熱が加えられるそれぞれの製造工程おいて、セラミック基板5と金属板8との熱膨張係数差に起因して生じる熱応力が開口部Oと切欠き部Cによって低減され、金属板8がセラミック基板5から剥離しようとするのを抑制することができるとともに、金属板8やセラミック基板5の変形が抑制される。
ここで、図1に示す半導体装置1の製造方法について説明する。まず、セラミック基板5を準備する。セラミック基板5は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、混合物から複数のグリーンシートを作製する。
端子7や金属板8、シールリング11が接合されるメタライズパターン、ビア導体を、それぞれ所定パターンと配置で印刷および充填し、複数のセラミックグリーンシートを積層することで、セラミック基板5を準備することができる。
2 半導体素子
3 半導体素子収納用パッケージ
4 蓋体
5 セラミック基板
6 枠体
7 リード端子
8 金属板
9 配線導体
10 コネクタ部材
11 シールリング
R 実装領域
H 貫通孔
C 切欠き部
S 螺子孔
O 開口部
Claims (3)
- 上面に半導体素子の実装領域を有する矩形状のセラミック基板と、
前記セラミック基板上に設けられた、前記実装領域を取り囲む枠体と、
前記セラミック基板の下面に設けられた、前記半導体素子と電気的に接続されるリード端子と、
前記セラミック基板の下面に設けられた、前記セラミック基板の下面と重なる領域から前記セラミック基板と重ならない領域にまで延在するとともに、前記セラミック基板の四隅および前記リード端子を露出するように切り欠かれた金属板と、を備えており、前記金属板は、前記セラミック基板の下面の中央部分を露出する開口部が形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。 - 請求項1に記載の半導体素子収納用パッケージであって、
前記金属板は、前記セラミック基板の四隅近傍であって前記セラミック基板と重ならない領域に延在された箇所に、上下方向に貫通した螺子孔が形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体素子収納用パッケージと、前記実装領域に実装された半導体素子と、前記枠体上に設けられた蓋体とを備えた半導体装置。
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