JPH10125996A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH10125996A JPH10125996A JP8279441A JP27944196A JPH10125996A JP H10125996 A JPH10125996 A JP H10125996A JP 8279441 A JP8279441 A JP 8279441A JP 27944196 A JP27944196 A JP 27944196A JP H10125996 A JPH10125996 A JP H10125996A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】この発明は、効率的で高い放熱効果を得ること
ができるとともに、半導体レーザの光学部品に対する位
置決めを高精度でしかも容易に行なうことができる半導
体レーザ装置を提供するものである。 【解決手段】半導体レーザ１１ａが設けられる本体部２
１ａと、この本体部２１ａに一体的に形成されたフラン
ジ部２１ｂとを有するヒートシンク２１を備えるととも
に、このヒートシンク２１の本体部２１ａが挿通される
挿通孔２０ａと、半導体レーザ１１ａに接続される配線
パターン２５とが形成された基板２０を備え、基板２０
の挿通孔２０ａに、ヒートシンク２１の本体部２１ａを
挿通し、フランジ部２１ｂを基板２０に取着するように
構成している。
ができるとともに、半導体レーザの光学部品に対する位
置決めを高精度でしかも容易に行なうことができる半導
体レーザ装置を提供するものである。 【解決手段】半導体レーザ１１ａが設けられる本体部２
１ａと、この本体部２１ａに一体的に形成されたフラン
ジ部２１ｂとを有するヒートシンク２１を備えるととも
に、このヒートシンク２１の本体部２１ａが挿通される
挿通孔２０ａと、半導体レーザ１１ａに接続される配線
パターン２５とが形成された基板２０を備え、基板２０
の挿通孔２０ａに、ヒートシンク２１の本体部２１ａを
挿通し、フランジ部２１ｂを基板２０に取着するように
構成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばディスク
状の記録媒体に対して光学的に情報の記録または再生を
行なうための光ヘッド装置等に使用される半導体レーザ
装置に係り、特にその駆動時の発熱による温度上昇を抑
制するための放熱構造の改良に関する。
状の記録媒体に対して光学的に情報の記録または再生を
行なうための光ヘッド装置等に使用される半導体レーザ
装置に係り、特にその駆動時の発熱による温度上昇を抑
制するための放熱構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、首記の如き光ヘッド装置
を搭載した光学式ディスクドライブ装置として、現在で
は、例えばＣＤ（Compact Disk）プレーヤ、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ（Read Only Memory）プレーヤ、ＬＤ（Laser Disk）
プレーヤ及びＤＶＤ（DiditalVideo Disk）プレーヤ等
が、主流となっている。
を搭載した光学式ディスクドライブ装置として、現在で
は、例えばＣＤ（Compact Disk）プレーヤ、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ（Read Only Memory）プレーヤ、ＬＤ（Laser Disk）
プレーヤ及びＤＶＤ（DiditalVideo Disk）プレーヤ等
が、主流となっている。
【０００３】図１１は、この種の光学式ディスクドライ
ブ装置に使用される光ヘッド装置１１の光学系の詳細を
示している。すなわち、この光ヘッド装置１１は、回転
駆動される光ディスク１２の信号記録面に対向して設置
されており、光源として半導体レーザ１１ａを備えてい
る。
ブ装置に使用される光ヘッド装置１１の光学系の詳細を
示している。すなわち、この光ヘッド装置１１は、回転
駆動される光ディスク１２の信号記録面に対向して設置
されており、光源として半導体レーザ１１ａを備えてい
る。
【０００４】そして、光ディスク１２への情報の記録時
には、半導体レーザ１１ａから照射されたレーザ光が、
回折格子１１ｂ，光軸分離用の光学素子１１ｃ，立ち上
げミラー１１ｄ，収差補正用の光学素子１１ｅ及び対物
レンズ１１ｆを介して、光ディスク１２の信号記録面上
に集光されることにより、光ディスク１２に対して情報
の記録が行なわれる。
には、半導体レーザ１１ａから照射されたレーザ光が、
回折格子１１ｂ，光軸分離用の光学素子１１ｃ，立ち上
げミラー１１ｄ，収差補正用の光学素子１１ｅ及び対物
レンズ１１ｆを介して、光ディスク１２の信号記録面上
に集光されることにより、光ディスク１２に対して情報
の記録が行なわれる。
【０００５】また、光ディスク１２からの情報の再生時
には、上記のようにして光ディスク１２の信号記録面上
に照射され反射されたレーザ光が、対物レンズ１１ｆ，
光学素子１１ｅ，ミラー１１ｄ及び光学素子１１ｃを介
して信号検出器１１ｇに受光され、電気的信号に変換さ
れることにより、光ディスク１２に記録された情報の再
生が行なわれる。
には、上記のようにして光ディスク１２の信号記録面上
に照射され反射されたレーザ光が、対物レンズ１１ｆ，
光学素子１１ｅ，ミラー１１ｄ及び光学素子１１ｃを介
して信号検出器１１ｇに受光され、電気的信号に変換さ
れることにより、光ディスク１２に記録された情報の再
生が行なわれる。
【０００６】ここで、上記半導体レーザ１１ａ及び信号
検出器１１ｇは、図１２に示すように、例えば銅等のよ
うな熱伝導性の高い材料で構成されたヒートシンク１３
に接合されている。また、このヒートシンク１３には、
半導体レーザ１１ａから照射されるレーザ光を検出する
ための光検出器１１ｈも接合されている。
検出器１１ｇは、図１２に示すように、例えば銅等のよ
うな熱伝導性の高い材料で構成されたヒートシンク１３
に接合されている。また、このヒートシンク１３には、
半導体レーザ１１ａから照射されるレーザ光を検出する
ための光検出器１１ｈも接合されている。
【０００７】このヒートシンク１３は、略円盤状に形成
されたステム１４の中央部に接合されている。また、上
記半導体レーザ１１ａ，信号検出器１１ｇ及び光検出器
１１ｈは、ステム１４の周縁部にガラスハーメされた複
数のピン１５，１５，……にワイヤーボンディングされ
ており、この複数のピン１５，１５，……を介して外部
との電気的接続が行なえるようになされている。
されたステム１４の中央部に接合されている。また、上
記半導体レーザ１１ａ，信号検出器１１ｇ及び光検出器
１１ｈは、ステム１４の周縁部にガラスハーメされた複
数のピン１５，１５，……にワイヤーボンディングされ
ており、この複数のピン１５，１５，……を介して外部
との電気的接続が行なえるようになされている。
【０００８】そして、上記した半導体レーザ１１ａ，信
号検出器１１ｇ，光検出器１１ｈ，ヒートシンク１３，
ステム１４及び複数のピン１５，１５，……が、ＩＯＵ
（Integrated Optical Unit ）と称される、放熱構造を
有する半導体レーザユニット１７として一体化され、図
示しないヘッド筐体内に組み込まれることになる。
号検出器１１ｇ，光検出器１１ｈ，ヒートシンク１３，
ステム１４及び複数のピン１５，１５，……が、ＩＯＵ
（Integrated Optical Unit ）と称される、放熱構造を
有する半導体レーザユニット１７として一体化され、図
示しないヘッド筐体内に組み込まれることになる。
【０００９】ところで、上記した半導体レーザ１１ａに
対する放熱構造では、複数のピン１５，１５，……をス
テム１４に対して絶縁して設置する必要がある。そし
て、この複数のピン１５，１５，……とステム１４とを
絶縁するために、従来では、図１３に示すように、ピン
１５をガラス１６によってステム１４から浮かせるよう
に構成している。
対する放熱構造では、複数のピン１５，１５，……をス
テム１４に対して絶縁して設置する必要がある。そし
て、この複数のピン１５，１５，……とステム１４とを
絶縁するために、従来では、図１３に示すように、ピン
１５をガラス１６によってステム１４から浮かせるよう
に構成している。
【００１０】しかしながら、このような構成の従来の放
熱手段では、ヒートシンク１３とステム１４とを同じ材
料で形成した場合、ガラス１６との熱膨張率の違いによ
り、変形等の不都合が生じるという問題がある。また、
上記半導体レーザ１１ａの発熱に対して、ヒートシンク
１３とステム１４との間に熱抵抗が発生するため、良好
な熱伝導が得られず放熱が妨げられるという問題も生じ
ている。
熱手段では、ヒートシンク１３とステム１４とを同じ材
料で形成した場合、ガラス１６との熱膨張率の違いによ
り、変形等の不都合が生じるという問題がある。また、
上記半導体レーザ１１ａの発熱に対して、ヒートシンク
１３とステム１４との間に熱抵抗が発生するため、良好
な熱伝導が得られず放熱が妨げられるという問題も生じ
ている。
【００１１】さらに、従来の放熱手段では、上記半導体
レーザユニット１７をヘッド筐体内に組み込む際に、同
じヘッド筐体内に支持される回折格子１１ｂ，光学素子
１１ｃ，ミラー１１ｄ，光学素子１１ｅ及び対物レンズ
１１ｆ等の各種の光学部品に対して、光軸を一致させる
ための位置決め調整を行なう必要があり、組み立て作業
性が悪いという不都合もある。
レーザユニット１７をヘッド筐体内に組み込む際に、同
じヘッド筐体内に支持される回折格子１１ｂ，光学素子
１１ｃ，ミラー１１ｄ，光学素子１１ｅ及び対物レンズ
１１ｆ等の各種の光学部品に対して、光軸を一致させる
ための位置決め調整を行なう必要があり、組み立て作業
性が悪いという不都合もある。
【００１２】なお、従来の光ヘッド装置としては、図１
４に示すように、上記半導体レーザ１１ａ，信号検出器
１１ｇ及び光検出器１１ｈ７をセラミックパッケージ１
８に取り付け、このセラミックパッケージ１８をヘッド
筐体に取着する構成のものもある。
４に示すように、上記半導体レーザ１１ａ，信号検出器
１１ｇ及び光検出器１１ｈ７をセラミックパッケージ１
８に取り付け、このセラミックパッケージ１８をヘッド
筐体に取着する構成のものもある。
【００１３】そして、このような構成の光ヘッド装置の
場合にも、セラミックパッケージ１８をヘッド筐体内に
組み込む際に、同じヘッド筐体内に支持された各種の光
学部品に対して位置決め調整を行なう必要があり、組み
立て作業性が悪くなるという上記した不都合が生じるこ
とになる。
場合にも、セラミックパッケージ１８をヘッド筐体内に
組み込む際に、同じヘッド筐体内に支持された各種の光
学部品に対して位置決め調整を行なう必要があり、組み
立て作業性が悪くなるという上記した不都合が生じるこ
とになる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、半導体
レーザに対する従来の放熱手段では、ヒートシンクとス
テムとが別部材であるため、接合部の熱抵抗により放熱
が妨げられるとともに、製造工程において細かな位置決
め作業が必要で、組み立て作業性が悪いという問題を有
している。
レーザに対する従来の放熱手段では、ヒートシンクとス
テムとが別部材であるため、接合部の熱抵抗により放熱
が妨げられるとともに、製造工程において細かな位置決
め作業が必要で、組み立て作業性が悪いという問題を有
している。
【００１５】この発明は上記事情を考慮してなされたも
ので、効率的で高い放熱効果を得ることができるととも
に、半導体レーザの光学部品に対する位置決めを高精度
でしかも容易に行なうことができる極めて良好な半導体
レーザ装置を提供することを目的とする。
ので、効率的で高い放熱効果を得ることができるととも
に、半導体レーザの光学部品に対する位置決めを高精度
でしかも容易に行なうことができる極めて良好な半導体
レーザ装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置は、半導体レーザが設けられる本体部とこの本
体部に一体的に形成されたフランジ部とを有するヒート
シンクを備えるとともに、このヒートシンクの本体部が
挿通される挿通孔と半導体レーザに接続される配線パタ
ーンとが形成された基板を備え、基板の挿通孔に、ヒー
トシンクの本体部を挿通し、フランジ部を基板に取着す
るように構成している。
ーザ装置は、半導体レーザが設けられる本体部とこの本
体部に一体的に形成されたフランジ部とを有するヒート
シンクを備えるとともに、このヒートシンクの本体部が
挿通される挿通孔と半導体レーザに接続される配線パタ
ーンとが形成された基板を備え、基板の挿通孔に、ヒー
トシンクの本体部を挿通し、フランジ部を基板に取着す
るように構成している。
【００１７】上記のような構成によれば、ヒートシンク
のフランジ部が完全に露出した状態となるので、例えば
ヘッド筐体内等に設置した際に、フランジ部を開放した
り、または、例えば図示しない冷却素子や放熱部材を接
触させたりすることにより、効率的で高い放熱効果を得
ることができるようになる。
のフランジ部が完全に露出した状態となるので、例えば
ヘッド筐体内等に設置した際に、フランジ部を開放した
り、または、例えば図示しない冷却素子や放熱部材を接
触させたりすることにより、効率的で高い放熱効果を得
ることができるようになる。
【００１８】また、この発明に係る半導体レーザ装置
は、上記の構成において、ヒートシンクに筐体への取付
部を設け、この取付部を半導体レーザの発光点を中心に
回動可能となるように、筐体に支持させるようにしてい
る。このため、半導体レーザは、ヘッド筐体内に支持さ
れる各種の光学部品に対して、その光軸を一致させるた
めの位置決めが高精度でしかも容易に行なわれるように
なる。
は、上記の構成において、ヒートシンクに筐体への取付
部を設け、この取付部を半導体レーザの発光点を中心に
回動可能となるように、筐体に支持させるようにしてい
る。このため、半導体レーザは、ヘッド筐体内に支持さ
れる各種の光学部品に対して、その光軸を一致させるた
めの位置決めが高精度でしかも容易に行なわれるように
なる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の第１の実施の形
態について図面を参照して詳細に説明する。すなわち、
図１は、半導体レーザユニット１９を示している。この
半導体レーザユニット１９は、セラミック基板２０の表
面となる図中上面に、前述した半導体レーザ１１ａ，信
号検出器１１ｇ及び光検出器１１ｈがそれぞれ接合され
た、ヒートシンク２１を突設している。
態について図面を参照して詳細に説明する。すなわち、
図１は、半導体レーザユニット１９を示している。この
半導体レーザユニット１９は、セラミック基板２０の表
面となる図中上面に、前述した半導体レーザ１１ａ，信
号検出器１１ｇ及び光検出器１１ｈがそれぞれ接合され
た、ヒートシンク２１を突設している。
【００２０】また、このセラミック基板２０の表面に
は、半導体レーザ１１ａ（例えばレーザダイオード等で
なる）を駆動するための発振用ＩＣ（Integrated Circu
it）２２や、信号検出器１１ｇ及び光検出器１１ｈ（い
ずれも例えばフォトダイオード等でなる）から得られる
電気的信号を、電流／電圧変換するためのＩ／Ｖ変換増
幅用ＩＣ２３及びチップコンデンサ２４等の各種電子部
品が搭載されている。
は、半導体レーザ１１ａ（例えばレーザダイオード等で
なる）を駆動するための発振用ＩＣ（Integrated Circu
it）２２や、信号検出器１１ｇ及び光検出器１１ｈ（い
ずれも例えばフォトダイオード等でなる）から得られる
電気的信号を、電流／電圧変換するためのＩ／Ｖ変換増
幅用ＩＣ２３及びチップコンデンサ２４等の各種電子部
品が搭載されている。
【００２１】さらに、上記セラミック基板２０の表面に
は、ヒートシンク２１に接合された半導体レーザ１１
ａ，信号検出器１１ｇ及び光検出器１１ｈ等の各種の電
子素子や、発振用ＩＣ２２，Ｉ／Ｖ変換増幅用ＩＣ２３
及びチップコンデンサ２４等の各種の電子部品に対し
て、それらの相互間の電気的接続を行なうための配線パ
ターン２５が形成されている。
は、ヒートシンク２１に接合された半導体レーザ１１
ａ，信号検出器１１ｇ及び光検出器１１ｈ等の各種の電
子素子や、発振用ＩＣ２２，Ｉ／Ｖ変換増幅用ＩＣ２３
及びチップコンデンサ２４等の各種の電子部品に対し
て、それらの相互間の電気的接続を行なうための配線パ
ターン２５が形成されている。
【００２２】ここで、図２は、上記セラミック基板２０
とヒートシンク２１との取り付けを示している。すなわ
ち、ヒートシンク２１は、上記半導体レーザ１１ａ，信
号検出器１１ｇ及び光検出器１１ｈ等がそれぞれ接合さ
れる本体部２１ａと、この本体部２１ａの図中下部に一
体的に形成されるフランジ部２１ｂとを備えた構造とな
っている。
とヒートシンク２１との取り付けを示している。すなわ
ち、ヒートシンク２１は、上記半導体レーザ１１ａ，信
号検出器１１ｇ及び光検出器１１ｈ等がそれぞれ接合さ
れる本体部２１ａと、この本体部２１ａの図中下部に一
体的に形成されるフランジ部２１ｂとを備えた構造とな
っている。
【００２３】また、上記セラミック基板２０には、その
略中央部に、ヒートシンク２１の本体部２１ａが挿通さ
れる挿通孔２０ａが形成されている。そして、ヒートシ
ンク２１の本体部２１ａを、セラミック基板２０の裏面
となる図中下面側から、つまり、発振用ＩＣ２２，Ｉ／
Ｖ変換増幅用ＩＣ２３，チップコンデンサ２４及び配線
パターン２５等が設けられていない面側から、挿通孔２
０ａに挿通させる。
略中央部に、ヒートシンク２１の本体部２１ａが挿通さ
れる挿通孔２０ａが形成されている。そして、ヒートシ
ンク２１の本体部２１ａを、セラミック基板２０の裏面
となる図中下面側から、つまり、発振用ＩＣ２２，Ｉ／
Ｖ変換増幅用ＩＣ２３，チップコンデンサ２４及び配線
パターン２５等が設けられていない面側から、挿通孔２
０ａに挿通させる。
【００２４】その後、ヒートシンク２１のフランジ部２
１ｂを、セラミック基板２０の裏面にろう付けして固定
する。これにより、ヒートシンク２１は、図１に示した
ように、その本体部２１ａがセラミック基板２０の表面
側に突出されるようにして、セラミック基板２０に取着
されることになる。このとき、セラミット基板２０上の
配線と、ヒートシンク２１とは、特別な位置決めや処理
を供なうことなく、絶縁されている。
１ｂを、セラミック基板２０の裏面にろう付けして固定
する。これにより、ヒートシンク２１は、図１に示した
ように、その本体部２１ａがセラミック基板２０の表面
側に突出されるようにして、セラミック基板２０に取着
されることになる。このとき、セラミット基板２０上の
配線と、ヒートシンク２１とは、特別な位置決めや処理
を供なうことなく、絶縁されている。
【００２５】なお、上記セラミック基板２０の表面側に
設置される、半導体レーザ１１ａ，信号検出器１１ｇ，
光検出器１１ｈ，発振用ＩＣ２２，Ｉ／Ｖ変換増幅用Ｉ
Ｃ２３及びチップコンデンサ２４等の各種の電子素子や
電子部品は、窒素雰囲気中に図示しない金属円筒によっ
て一体的に封止される構成とすることによって、シール
ド効果を得られるようになされている。
設置される、半導体レーザ１１ａ，信号検出器１１ｇ，
光検出器１１ｈ，発振用ＩＣ２２，Ｉ／Ｖ変換増幅用Ｉ
Ｃ２３及びチップコンデンサ２４等の各種の電子素子や
電子部品は、窒素雰囲気中に図示しない金属円筒によっ
て一体的に封止される構成とすることによって、シール
ド効果を得られるようになされている。
【００２６】上記した第１の実施の形態のような構成に
よれば、ヒートシンク２１のフランジ部２１ｂの底面が
完全に露出しているので、半導体レーザユニット１９を
図示しないヘッド筐体内に設置した際に、フランジ部２
１ｂの底面を開放したり、または、例えば図示しない冷
却素子や放熱部材を接触させたりすることにより、効率
的で高い放熱効果を得ることができるようになる。
よれば、ヒートシンク２１のフランジ部２１ｂの底面が
完全に露出しているので、半導体レーザユニット１９を
図示しないヘッド筐体内に設置した際に、フランジ部２
１ｂの底面を開放したり、または、例えば図示しない冷
却素子や放熱部材を接触させたりすることにより、効率
的で高い放熱効果を得ることができるようになる。
【００２７】また、同一セラミック基板２０上に、ヒー
トシンク２１を介して、半導体レーザ１１ａ，信号検出
器１１ｇ及び光検出器１１ｈ等の各種の電子素子を設置
するとともに、発振用ＩＣ２２，Ｉ／Ｖ変換増幅用ＩＣ
２３及びチップコンデンサ２４等の各種の電子部品を、
それぞれ設置するようにしている。
トシンク２１を介して、半導体レーザ１１ａ，信号検出
器１１ｇ及び光検出器１１ｈ等の各種の電子素子を設置
するとともに、発振用ＩＣ２２，Ｉ／Ｖ変換増幅用ＩＣ
２３及びチップコンデンサ２４等の各種の電子部品を、
それぞれ設置するようにしている。
【００２８】このため、半導体レーザ１１ａとそれを駆
動する発振用ＩＣ２２とが近接して設置されるので、発
振用ＩＣ２２が伝送経路による高周波損失なく半導体レ
ーザ１１ａを駆動することができる。また、信号検出器
１１ｇ及び光検出器１１ｈとＩ／Ｖ変換増幅用ＩＣ２３
とも近接して設置されるので、やはり伝送経路による信
号損失を低減することができる。
動する発振用ＩＣ２２とが近接して設置されるので、発
振用ＩＣ２２が伝送経路による高周波損失なく半導体レ
ーザ１１ａを駆動することができる。また、信号検出器
１１ｇ及び光検出器１１ｈとＩ／Ｖ変換増幅用ＩＣ２３
とも近接して設置されるので、やはり伝送経路による信
号損失を低減することができる。
【００２９】次に、図３は、この発明の第２の実施の形
態を示すもので、第１の実施の形態と同一部分には同一
符号を付して示している。すなわち、上記セラミック基
板２０には、その裏面に沿って取付用フランジ部２１ｃ
が設置されている。この取付用フランジ部２１ｃは、そ
の両端部が、セラミック基板２０の長手方向の両端部か
らはみだすような長さに設定されている。
態を示すもので、第１の実施の形態と同一部分には同一
符号を付して示している。すなわち、上記セラミック基
板２０には、その裏面に沿って取付用フランジ部２１ｃ
が設置されている。この取付用フランジ部２１ｃは、そ
の両端部が、セラミック基板２０の長手方向の両端部か
らはみだすような長さに設定されている。
【００３０】ここで、この取付用フランジ部２１ｃは、
図４に示すように、ヒートシンク２１のフランジ部２１
ｂの底面に一体的に形成されているものである。また、
この取付用フランジ部２１ｃの長手方向の両端部には、
後述するヘッド筐体への取り付けに利用される、位置決
め用の透孔２１ｃ１，２１ｃ２がそれぞれ形成されてい
る。
図４に示すように、ヒートシンク２１のフランジ部２１
ｂの底面に一体的に形成されているものである。また、
この取付用フランジ部２１ｃの長手方向の両端部には、
後述するヘッド筐体への取り付けに利用される、位置決
め用の透孔２１ｃ１，２１ｃ２がそれぞれ形成されてい
る。
【００３１】そして、前述したように、ヒートシンク２
１の本体部２１ａをセラミック基板２０の挿通孔２０ａ
に挿通し、フランジ部２１ｂをセラミック基板２０にろ
う付けして、ヒートシンク２１をセラミック基板２０に
取着することによって、図５に示されるように、取付用
フランジ部２１ｃがセラミック基板２０と一体化される
ことになる。
１の本体部２１ａをセラミック基板２０の挿通孔２０ａ
に挿通し、フランジ部２１ｂをセラミック基板２０にろ
う付けして、ヒートシンク２１をセラミック基板２０に
取着することによって、図５に示されるように、取付用
フランジ部２１ｃがセラミック基板２０と一体化される
ことになる。
【００３２】上記のように構成された半導体レーザユニ
ット１９は、図６に示すように、ヘッド筐体に取り付け
られている。すなわち、ヘッド筐体には、上記取付用フ
ランジ部２１ｃの長手方向の両端部に対応する位置に、
台座部２６ａ，２６ｂがそれぞれ形成されている。これ
ら台座部２６ａ，２６ｂには、位置決め用のピン２６ａ
１，２６ｂ１がそれぞれ突設されている。
ット１９は、図６に示すように、ヘッド筐体に取り付け
られている。すなわち、ヘッド筐体には、上記取付用フ
ランジ部２１ｃの長手方向の両端部に対応する位置に、
台座部２６ａ，２６ｂがそれぞれ形成されている。これ
ら台座部２６ａ，２６ｂには、位置決め用のピン２６ａ
１，２６ｂ１がそれぞれ突設されている。
【００３３】そして、上記取付用フランジ部２１ｃの両
端部に形成された透孔２１ｃ１，２１ｃ２に、台座部２
６ａ，２６ｂのピン２６ａ１，２６ｂ１をそれぞれ挿通
させた状態で、取付用フランジ部２１ｃの両端部を台座
部２６ａ，２６ｂに接着またはねじ２７ａ，２７ｂによ
り螺着することによって、半導体レーザユニット１９が
ヘッド筐体内に取り付けられるようになる。
端部に形成された透孔２１ｃ１，２１ｃ２に、台座部２
６ａ，２６ｂのピン２６ａ１，２６ｂ１をそれぞれ挿通
させた状態で、取付用フランジ部２１ｃの両端部を台座
部２６ａ，２６ｂに接着またはねじ２７ａ，２７ｂによ
り螺着することによって、半導体レーザユニット１９が
ヘッド筐体内に取り付けられるようになる。
【００３４】上記した第２の実施の形態のような構成に
よれば、半導体レーザユニット１９をヘッド筐体内に設
置した際に、第１の実施の形態と同様に、取付用フラン
ジ部２１ｃの底面を開放したり、または、例えば図示し
ない冷却素子や放熱部材を接触させたりすることによっ
て、効率的で高い放熱効果を得ることができるようにな
る。
よれば、半導体レーザユニット１９をヘッド筐体内に設
置した際に、第１の実施の形態と同様に、取付用フラン
ジ部２１ｃの底面を開放したり、または、例えば図示し
ない冷却素子や放熱部材を接触させたりすることによっ
て、効率的で高い放熱効果を得ることができるようにな
る。
【００３５】また、半導体レーザユニット１９は、その
取付用フランジ部２１ｃの透孔２１ｃ１，２１ｃ２に、
台座部２６ａ，２６ｂのピン２６ａ１，２６ｂ１をそれ
ぞれ挿通させることによって、同じヘッド筐体内に支持
される各種の光学部品に対して、光軸を一致させるため
の位置決めが行なわれるので、半導体レーザユニット１
９の位置決めが高精度でしかも容易に行なわれることに
なる。
取付用フランジ部２１ｃの透孔２１ｃ１，２１ｃ２に、
台座部２６ａ，２６ｂのピン２６ａ１，２６ｂ１をそれ
ぞれ挿通させることによって、同じヘッド筐体内に支持
される各種の光学部品に対して、光軸を一致させるため
の位置決めが行なわれるので、半導体レーザユニット１
９の位置決めが高精度でしかも容易に行なわれることに
なる。
【００３６】次に、図７は、この発明の第３の実施の形
態を示すもので、第２の実施の形態と同一部分には同一
符号を付して示している。すなわち、上記取付用フラン
ジ部２１ｃの底面には、半導体レーザ１１ａの発光点に
対応する仮想中心点Ｏ１が設定される。
態を示すもので、第２の実施の形態と同一部分には同一
符号を付して示している。すなわち、上記取付用フラン
ジ部２１ｃの底面には、半導体レーザ１１ａの発光点に
対応する仮想中心点Ｏ１が設定される。
【００３７】この仮想中心点Ｏ１は、半導体レーザユニ
ット１９がヘッド筐体内に取り付けられた状態で、同じ
ヘッド筐体内に支持された図示しない各種の光学部品の
光軸に対応した仮想中心点Ｏ２と一致されるように設定
されている。そして、取付用フランジ部２１ｃの長手方
向の一方の端面は、仮想中心点Ｏ１から半径Ｒ１の円弧
状に形成されている。
ット１９がヘッド筐体内に取り付けられた状態で、同じ
ヘッド筐体内に支持された図示しない各種の光学部品の
光軸に対応した仮想中心点Ｏ２と一致されるように設定
されている。そして、取付用フランジ部２１ｃの長手方
向の一方の端面は、仮想中心点Ｏ１から半径Ｒ１の円弧
状に形成されている。
【００３８】また、ヘッド筐体内には、この半径Ｒ１の
円弧状に形成された端面をガイドするガイド部２８ａが
形成されている。さらに、取付用フランジ部２１ｃの長
手方向の他方の端面は、仮想中心点Ｏ１から半径Ｒ２の
円弧状に形成されている。そして、ヘッド筐体内には、
この半径Ｒ２の円弧状に形成された端面をガイドするガ
イド部２８ｂが形成されている。
円弧状に形成された端面をガイドするガイド部２８ａが
形成されている。さらに、取付用フランジ部２１ｃの長
手方向の他方の端面は、仮想中心点Ｏ１から半径Ｒ２の
円弧状に形成されている。そして、ヘッド筐体内には、
この半径Ｒ２の円弧状に形成された端面をガイドするガ
イド部２８ｂが形成されている。
【００３９】このため、上記半導体レーザユニット１９
は、ヘッド筐体内に取り付けられる際に、取付用フラン
ジ部２１ｃの長手方向の両端面がそれぞれガイド部２８
ａ，２８ｂによって、仮想中心点Ｏ１を中心に回動する
ようにガイドされるので、半導体レーザ１１ａの光学部
品に対する位置を決めるための微調整を行なうことがで
きるようになる。
は、ヘッド筐体内に取り付けられる際に、取付用フラン
ジ部２１ｃの長手方向の両端面がそれぞれガイド部２８
ａ，２８ｂによって、仮想中心点Ｏ１を中心に回動する
ようにガイドされるので、半導体レーザ１１ａの光学部
品に対する位置を決めるための微調整を行なうことがで
きるようになる。
【００４０】次に、図８（ａ），（ｂ）は、この発明の
第４の実施の形態を示すもので、第１の実施の形態と同
一部分には同一符号を付して示している。すなわち、ヒ
ートシンク２１のフランジ部２１ｂの底面で、半導体レ
ーザ１１ａの発光点に対応する部分に、略円筒形状の凹
部２１ｄを形成している。
第４の実施の形態を示すもので、第１の実施の形態と同
一部分には同一符号を付して示している。すなわち、ヒ
ートシンク２１のフランジ部２１ｂの底面で、半導体レ
ーザ１１ａの発光点に対応する部分に、略円筒形状の凹
部２１ｄを形成している。
【００４１】また、略平板状の取付板２９が用意されて
いる。この取付板２９は、その両端部がヘッド筐体に支
持されることにより固定されている。そして、この取付
板２９の略中央部には、ヒートシンク２１の凹部２１ｄ
に遊挿される略円柱形状の突部２９ａが形成されてい
る。
いる。この取付板２９は、その両端部がヘッド筐体に支
持されることにより固定されている。そして、この取付
板２９の略中央部には、ヒートシンク２１の凹部２１ｄ
に遊挿される略円柱形状の突部２９ａが形成されてい
る。
【００４２】このため、ヘッド筐体内に固定された取付
板２９の突部２９ａに、ヒートシンク２１の凹部２１ｄ
を遊挿させることにより、半導体レーザユニット１９が
取付板２９の平面に沿って回動される。これにより、半
導体レーザ１１ａの、ヘッド筐体内に支持された各種の
光学部品に対する位置を決めるための微調整を行なうこ
とができるようになる。
板２９の突部２９ａに、ヒートシンク２１の凹部２１ｄ
を遊挿させることにより、半導体レーザユニット１９が
取付板２９の平面に沿って回動される。これにより、半
導体レーザ１１ａの、ヘッド筐体内に支持された各種の
光学部品に対する位置を決めるための微調整を行なうこ
とができるようになる。
【００４３】この場合、半導体レーザ１１ａの回動中心
部上である、半導体レーザ１１ａが出射するレーザ光の
光軸延長線上のヒートシンク２１の一部に、凹部２１ｄ
による回動基準部を設けるようにしたので、同じ形状精
度で図７のように周縁部に回動基準を設ける場合に比し
て、部材の形状精度による軸ずれを緩和することがで
き、回動の精度を手軽に向上させることができる。ま
た、回動基準の構造を小形化することもできる。
部上である、半導体レーザ１１ａが出射するレーザ光の
光軸延長線上のヒートシンク２１の一部に、凹部２１ｄ
による回動基準部を設けるようにしたので、同じ形状精
度で図７のように周縁部に回動基準を設ける場合に比し
て、部材の形状精度による軸ずれを緩和することがで
き、回動の精度を手軽に向上させることができる。ま
た、回動基準の構造を小形化することもできる。
【００４４】次に、図９は、この発明の第５の実施の形
態を示している。すなわち、セラミック基板３０には、
ヒートシンク３１が取り付けられている。このヒートシ
ンク３１は、前記半導体レーザ１１ａ等の電子素子が接
合される本体部３１ａと、この本体部３１ａの一方面か
ら突出して、セラミック基板３０の中央部に形成された
透孔３０ａを挿通する脚部３１ｂとを備えた構造となっ
ている。
態を示している。すなわち、セラミック基板３０には、
ヒートシンク３１が取り付けられている。このヒートシ
ンク３１は、前記半導体レーザ１１ａ等の電子素子が接
合される本体部３１ａと、この本体部３１ａの一方面か
ら突出して、セラミック基板３０の中央部に形成された
透孔３０ａを挿通する脚部３１ｂとを備えた構造となっ
ている。
【００４５】そして、このヒートシンク３１は、その脚
部３１ｂがセラミック基板３０の透孔３０ａを挿通した
状態で、その本体部３１ａがセラミック基板３２にろう
付けされて固定されている。また、ヒートシンク３１の
脚部３１ｂの中央部には、略円柱形状の突部３１ｃが形
成されている。
部３１ｂがセラミック基板３０の透孔３０ａを挿通した
状態で、その本体部３１ａがセラミック基板３２にろう
付けされて固定されている。また、ヒートシンク３１の
脚部３１ｂの中央部には、略円柱形状の突部３１ｃが形
成されている。
【００４６】ここで、図９において、符号３２はヘッド
筐体である。このヘッド筐体３２には、その一端部に、
ヒートシンク３１の脚部３１ｂに対向する台座３２ａが
形成されており、この台座３２ａの略中央部には、ヒー
トシンク３１の突部３１ｃが遊挿される挿通孔３２ｂが
形成されている。
筐体である。このヘッド筐体３２には、その一端部に、
ヒートシンク３１の脚部３１ｂに対向する台座３２ａが
形成されており、この台座３２ａの略中央部には、ヒー
トシンク３１の突部３１ｃが遊挿される挿通孔３２ｂが
形成されている。
【００４７】そして、ヒートシンク３１の突部３１ｃを
ヘッド筐体３２の挿通孔３２ｂに挿通させ、ヒートシン
ク３１の脚部３１ｂをヘッド筐体３２の台座３２ａに接
触させた状態で、セラミック基板３０に対して、脚部３
１ｂを台座３２ａに圧接させる付勢力が、板ばね３３に
よって与えられている。
ヘッド筐体３２の挿通孔３２ｂに挿通させ、ヒートシン
ク３１の脚部３１ｂをヘッド筐体３２の台座３２ａに接
触させた状態で、セラミック基板３０に対して、脚部３
１ｂを台座３２ａに圧接させる付勢力が、板ばね３３に
よって与えられている。
【００４８】このような構成によれば、まず、ヒートシ
ンク３１の脚部３１ｂが、板ばね３３によってヘッド筐
体３２の台座３２ａに圧接されるため、脚部３１ｂと台
座３２ａとの間の熱抵抗が低くなり、効率的で高い放熱
効果を得ることができる。また、突部３１ｃを中心とし
てヒートシンク３１を回転させることにより、半導体レ
ーザ１１ａのヘッド筐体３２内における位置調整を行な
うことができるが、圧接されているので位置を決めた後
にぐらついてずれることがない。
ンク３１の脚部３１ｂが、板ばね３３によってヘッド筐
体３２の台座３２ａに圧接されるため、脚部３１ｂと台
座３２ａとの間の熱抵抗が低くなり、効率的で高い放熱
効果を得ることができる。また、突部３１ｃを中心とし
てヒートシンク３１を回転させることにより、半導体レ
ーザ１１ａのヘッド筐体３２内における位置調整を行な
うことができるが、圧接されているので位置を決めた後
にぐらついてずれることがない。
【００４９】次に、図１０は、この発明の第６の実施の
形態を示している。すなわち、セラミック基板３４に
は、その透孔３４ａに裏面側からヒートシンク３５の本
体部３５ａが挿通され、フランジ部３５ｂがろう付けさ
れている。なお、セラミック基板３４の表面側に突出し
たヒートシンク３５の本体部３５ａは、セラミック基板
３４に取着されたケース３４ｂによって覆われ、図示し
ない金属円筒により窒素封止されている。
形態を示している。すなわち、セラミック基板３４に
は、その透孔３４ａに裏面側からヒートシンク３５の本
体部３５ａが挿通され、フランジ部３５ｂがろう付けさ
れている。なお、セラミック基板３４の表面側に突出し
たヒートシンク３５の本体部３５ａは、セラミック基板
３４に取着されたケース３４ｂによって覆われ、図示し
ない金属円筒により窒素封止されている。
【００５０】ここで、上記ヒートシンク３５のフランジ
部３５ｂの底面は、冷却素子であるペルチェ素子３６の
一方のプレート３６ａに接触されている。また、このペ
ルチェ素子３６の他方のプレート３６ｂは、ヘッド筐体
３７に形成された台座３７ａに接触されている。
部３５ｂの底面は、冷却素子であるペルチェ素子３６の
一方のプレート３６ａに接触されている。また、このペ
ルチェ素子３６の他方のプレート３６ｂは、ヘッド筐体
３７に形成された台座３７ａに接触されている。
【００５１】そして、プレート３６ｂの中央部には、略
円柱形状の突部３６ｃが形成され、台座３７ａには、突
部３６ｃが遊挿される挿通孔３７ｂが形成されている。
このプレート３６ｂの突部３６ｃを台座３７ａの挿通孔
３７ｂに挿通させた状態で、プレート３６ｂが台座３７
ａに圧接されるように、セラミック基板３４に付勢力が
与えられている。
円柱形状の突部３６ｃが形成され、台座３７ａには、突
部３６ｃが遊挿される挿通孔３７ｂが形成されている。
このプレート３６ｂの突部３６ｃを台座３７ａの挿通孔
３７ｂに挿通させた状態で、プレート３６ｂが台座３７
ａに圧接されるように、セラミック基板３４に付勢力が
与えられている。
【００５２】このような構成によれば、まず、ペルチェ
素子３６に一定電流を流すことにより、ヒートシンク３
５からヘッド筐体３７への熱伝達が良好に行なえるよう
になるので、効率的で高い放熱効果を得ることができ
る。また、突部３６ｃを中心としてヒートシンク３５を
回転させることにより、半導体レーザ１１ａのヘッド筐
体３７内における位置調整を行なうことができる。な
お、この発明は上記した各実施の形態に限定されるもの
ではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
素子３６に一定電流を流すことにより、ヒートシンク３
５からヘッド筐体３７への熱伝達が良好に行なえるよう
になるので、効率的で高い放熱効果を得ることができ
る。また、突部３６ｃを中心としてヒートシンク３５を
回転させることにより、半導体レーザ１１ａのヘッド筐
体３７内における位置調整を行なうことができる。な
お、この発明は上記した各実施の形態に限定されるもの
ではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
【００５３】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
効率的で高い放熱効果を得ることができるとともに、半
導体レーザの光学部品に対する位置決めを高精度でしか
も容易に行なうことができる極めて良好な半導体レーザ
装置を提供することができる。
効率的で高い放熱効果を得ることができるとともに、半
導体レーザの光学部品に対する位置決めを高精度でしか
も容易に行なうことができる極めて良好な半導体レーザ
装置を提供することができる。
【図１】この発明に係る半導体レーザ装置の第１の実施
の形態を示す斜視図。
の形態を示す斜視図。
【図２】同第１の実施の形態における半導体レーザユニ
ットを示す分解斜視図。
ットを示す分解斜視図。
【図３】この発明の第２の実施の形態を示す斜視図。
【図４】同第２の実施の形態における半導体レーザユニ
ットを示す分解斜視図。
ットを示す分解斜視図。
【図５】同半導体レーザユニットの詳細な構成を示す側
面図。
面図。
【図６】同半導体レーザユニットのヘッド筐体への取付
手段を示す分解斜視図。
手段を示す分解斜視図。
【図７】この発明の第３の実施の形態を示す分解斜視
図。
図。
【図８】この発明の第４の実施の形態を示す構成図。
【図９】この発明の第５の実施の形態を示す側断面図。
【図１０】この発明の第６の実施の形態を示す側断面
図。
図。
【図１１】光ヘッド装置の詳細を示す構成図。
【図１２】同光ヘッド装置における従来の放熱手段を示
す斜視図。
す斜視図。
【図１３】同従来の放熱手段の詳細な構成を示す側断面
図。
図。
【図１４】光ヘッド装置の他の例を示す平面図。
１１…光ヘッド装置、 １２…光ディスク、 １３…ヒートシンク、 １４…ステム、 １５…ピン、 １６…ガラス、 １７…半導体レーザユニット、 １８…セラミックパッケージ、 １９…半導体レーザユニット、 ２０…セラミック基板、 ２１…ヒートシンク、 ２２…発振用ＩＣ、 ２３…Ｉ／Ｖ変換増幅用ＩＣ、 ２４…チップコンデンサ、 ２５…配線パターン、 ２６ａ，２６ｂ…台座部、 ２７ａ，２７ｂ…ねじ、 ２８ａ，２８ｂ…ガイド部、 ２９…取付板、 ３０…セラミック基板、 ３１…ヒートシンク、 ３２…ヘッド筐体、 ３３…板ばね、 ３４…セラミック基板、 ３５…ヒートシンク、 ３６…ペルチェ素子、 ３７…ヘッド筐体。
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体レーザが設けられる本体部とこの
本体部に一体的に形成されたフランジ部とを有するヒー
トシンクを備えるとともに、このヒートシンクの本体部
が挿通される挿通孔と前記半導体レーザに接続される配
線パターンとが形成された基板を備え、前記基板の挿通
孔に、前記ヒートシンクの本体部を挿通し、前記フラン
ジ部を前記基板に取着するように構成してなることを特
徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記ヒートシンクには、筐体に支持され
る取付用フランジ部が設けられることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記取付用フランジ部は、前記半導体レ
ーザの発光点を中心に回動可能となるように、前記筐体
に支持されることを特徴とする請求項２記載の半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項４】 前記ヒートシンクは、筐体に固定された
取付板に対して、前記半導体レーザの発光点を中心に回
動可能となるように支持されることを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記ヒートシンクと前記取付板とは、一
方に凹部が形成され他方に突部が形成され、該凹部と突
部とを遊嵌させて回動させる構成であることを特徴とす
る請求項４記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記ヒートシンクには、前記筐体に圧接
される脚部が設けられることを特徴とする請求項１記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 前記フランジ部と筐体との間には、冷却
素子が介在されることを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項８】 前記基板の一方の面には、前記半導体レ
ーザの駆動用回路が取り付けられ、前記配線パターンを
介して前記半導体レーザに接続されることを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項９】 前記半導体レーザが出射するレーザ光の
光軸延長線上の前記ヒートシンクの一部に回動基準部を
設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27944196A JP3798483B2 (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27944196A JP3798483B2 (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125996A true JPH10125996A (ja) | 1998-05-15 |
| JP3798483B2 JP3798483B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=17611119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27944196A Expired - Fee Related JP3798483B2 (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3798483B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109244041A (zh) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | 日本特殊陶业株式会社 | 发光元件搭载用封装 |
| JP2019016783A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 発光素子搭載用パッケージ |
| JP2019016722A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 発光素子搭載用パッケージ |
| US20220181525A1 (en) * | 2020-12-09 | 2022-06-09 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Header for semiconductor package, and semiconductor package |
-
1996
- 1996-10-22 JP JP27944196A patent/JP3798483B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109244041A (zh) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | 日本特殊陶业株式会社 | 发光元件搭载用封装 |
| JP2019016783A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 発光素子搭載用パッケージ |
| JP2019016722A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 発光素子搭載用パッケージ |
| US20220181525A1 (en) * | 2020-12-09 | 2022-06-09 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Header for semiconductor package, and semiconductor package |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3798483B2 (ja) | 2006-07-19 |
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