KR101877458B1 - 측정 유닛을 구비한 증발 시스템 - Google Patents

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Abstract

재료를 기판 상으로 증발시키기 위한 증발기가 개시된다. 증발기는 적어도 하나의 개구부 노즐을 향해서 재료를 안내하기 위한 안내 수단을 포함한다. 안내 수단은 재료의 부분을 위한 측정 배출구를 포함한다. 증발기는 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 1 신호를 생성하도록 그리고 재료에 의해서 코팅되도록 배치된 제 1 검출기를 가지도록 구성된 제 1 측정 시스템, 및 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성하는 제 2 광학적 측정 시스템을 더 포함하고, 상기 제 2 신호는 측정 배출구의 재료의 부분을 기초로 한다.

Description

측정 유닛을 구비한 증발 시스템{EVAPORATION SYSTEM WITH MEASUREMENT UNIT}
본원 발명의 실시예들은 진공 설비에서 이용하기 위한 증발 시스템, 증발 시스템을 포함하는 코팅 설비, 및 그 이용 방법에 관한 것이다. 본원 발명의 실시예들은 특히 코팅 레이트(rate)를 측정하기 위한 측정 시스템을 가지는, 전형적으로 유기 재료를 위한 증발 시스템, 그러한 증발 시스템을 가지는 코팅 설비, 및 그 이용 방법에 관한 것이다.
유기 증발기들은 유기 발광 다이오드들(OLED)을 생산하는데 있어서 필수적인 도구이다. OLEDs는, 발광 층이 특정 유기 화합물들의 박막을 포함하는 특별한 타입의 발광 다이오드들이다. 그러한 시스템들은 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 디스플레이들, 휴대용 시스템 스크린들 등에서 이용될 수 있다. OLEDs는 또한 일반적인 공간 조명을 위해서 이용될 수 있다. OLED 디스플레이들에서 가능한 색채들, 밝기, 및 가시 각도의 범위는 통상적인 LCD 디스플레이들의 범위보다 넓은데, 이는 OLED 픽셀들이 직접적으로 빛을 방출하고 그리고 백 라이트를 필요로 하지 않기 때문이다. 그에 따라, OLED 디스플레이들의 에너지 소모는 통상적인 LCD 디스플레이들의 에너지 소모보다 상당히 적다. 또한, OLEDs가 가요성 기판들 상으로 제조될 수 있다는 사실은 롤-업 디스플레이들 또는 심지어 의류에 내장되는(embedded) 디스플레이들과 같은 새로운 적용예들에 대해 가능성을 제시한다.
OLED의 기능성은 유기 재료의 코팅 두께에 의존한다. 이러한 두께는 미리 결정된 범위 이내가 되어야 한다. 그에 따라, OLEDs의 생산에서, 유기 재료를 이용한 코팅이 실시되는 코팅 레이트가 미리 결정된 공차 범위 내에 있는 것이 중요하다. 다시 말해서, 유기 증발기의 코팅 레이트가 생산 프로세스에서 완전하게 제어되어야 한다.
그에 의해서, OLED 적용예들뿐만 아니라 다른 증발 프로세스들을 위한 증착 레이트가 비교적 긴 시간에 걸친 높은 정확도의 레이트를 전형적으로 필요로 한다. 증발기들의 증착 레이트를 온라인으로(online) 측정하기 위한 복수의 측정 시스템들이 존재한다. 그러나, 이러한 측정들은 원하는 시간 기간에 걸친 불충분한 정확도 및/또는 불충분한 안정성 문제를 겪는다.
대안적으로, 코팅 레이트를 결정하기 위해서, 증착이 완료된 후에, 프로세싱된 기판의 증착된 층을 분석하는 것이 당 업계에 공지되어 있다. 이러한 경우에, 증착 시스템의 피드백 제어는 특정의 지연 상태에서만 가능하다. 특히, 이러한 공정은 제어가 수정 작용(corrective action)을 할 수 있기 전에 하나 또는 둘 이상의 기판들이 범위를 벗어난 층으로 코팅되는 결과를 초래할 수 있다.
이상의 내용을 고려하여, 본원 발명의 목적은 당 업계에서의 문제점들의 적어도 일부를 극복하는 기판에 대한 증발 레이트를 측정하기 위한, 증발 시스템, 코팅 설비, 및 방법을 제공하는 것이다.
이상의 내용을 고려하여, 독립항 제 1 항에 따른 증발 시스템, 및 독립항 제 12 항에 따른 방법이 제공된다. 본원 발명의 추가적인 양태들, 장점들, 및 특징들이 종속항들, 상세한 설명, 및 첨부 도면들로부터 명확해진다.
일 실시예에 따라서, 재료, 예를 들어, 유기 재료를 기판 상으로 증발시키기 위한 증발기가 제공된다. 증발기는 적어도 하나의 개구부 노즐(opening nozzle)을 향해서 재료를 안내하기 위한 안내 수단을 포함하고, 안내 수단은, 특히 적어도 하나의 개구부 노즐의 증발 방향과 상이한 증발 방향을 가지는, 재료의 부분을 위한 측정 배출구를 포함한다. 증발기는 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 1 신호를 생성하고 그리고 재료에 의해서 코팅되도록 위치된 제 1 검출기를 가지도록 구성된 제 1 측정 시스템, 및 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성하는 제 2 광학적 측정 시스템을 더 포함하고, 제 2 신호는 측정 배출구의 재료의 부분을 기초로 한다.
일 실시예에 따라서, 기판 상에 재료를 증착하기 위한 증발 장치가 제공된다. 그러한 장치는 기판 상에 재료를 증착하기 위한 챔버 및 증발기를 포함하고, 증발기는 챔버 내에 제공된다. 증발기는 적어도 하나의 개구부 노즐을 향해서 재료를 안내하기 위한 안내 수단을 포함하고, 안내 수단은, 특히 적어도 하나의 개구부 노즐의 증발 방향과 상이한 증발 방향을 가지는, 재료의 부분을 위한 측정 배출구를 포함한다. 증발기는 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 1 신호를 생성하고 그리고 재료에 의해서 코팅되도록 위치된 제 1 검출기를 가지도록 구성된 제 1 측정 시스템, 및 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성하기 위한 제 2 광학적 측정 시스템을 더 포함하고, 제 2 신호는 측정 배출구의 재료의 부분을 기초로 한다.
추가적인 실시예에 따라서, 재료, 예를 들어, 유기 재료를 위한 증발 장치의 동작 방법이 제공된다. 그러한 방법은 개구부 노즐들을 통해서 기판 상으로 증발된 재료의 제 1 부분을 안내하는 단계, 측정 배출구를 통해서 제 1 검출기 상으로 증발된 재료의 제 2 부분을 안내하는 단계, 테스트 기판 부분을 증발된 재료의 제 2 부분으로 증착하기 위해서 측정 배출구와 제 1 검출기 사이로 테스트 기판 부분을 이동시키는 단계, 측정 배출구를 통해서 증발된 재료의 제 2 부분을 제 1 검출기 상으로 다시 안내하기 위해서 측정 배출구와 제 1 검출기 사이로부터 테스트 기판 부분을 제거하는 단계, 테스트 기판 부분 상에 증착된 증발된 재료의 층의 층 두께에 상응하는 신호를 광학적 측정 시스템으로 측정하는 단계, 및 제 1 검출기의 교정(calibration)을 위해서 신호를 이용하는 단계를 포함한다.
당업자에 대한, 최적 모드를 포함하는, 전체적이고 실현가능한 개시 내용이, 첨부 도면들에 대한 참조를 포함하여, 명세서의 나머지 부분에서 더 구체적으로 기술된다.
도 1 내지 8은 코팅될 기판으로부터 보여지는 바와 같은 증발 시스템의 여러 가지 실시예들을 도시한다.
도 9는 증발 시스템의 여러 가지 실시예들을의 측면 사시도를 도시한다.
도 10은 본원에서 기술된 실시예들에 따른 증발기의 동작 방법의 흐름도를 도시한다.
이제, 발명의 여러 가지 실시예들에 대해서 상세하게 참조가 이루어질 것이고, 실시예들의 하나 또는 둘 이상의 예들이 도면들에 도시된다. 각각의 예는 발명의 설명 방법으로 제공된 것이고, 발명의 제한으로서 의도되는 것은 아니다. 예를 들어, 하나의 실시예의 일부로서 도시되거나 설명된 특징들이 또한 추가적인 실시예를 산출하기 위해 다른 실시예들 상에서 또는 다른 실시예들과 관련하여 이용될 수 있다. 본원 발명이 그러한 변경들(modifications) 및 변형들(variations)을 포함하도록 의도된다.
본원 발명의 실시예들은, 진공 챔버의 기판으로 증기를 코팅 레이트로 도포(apply)하기 위한, 이하에서 또한 증발기로 지칭되는, 증발 시스템을 제공한다. 증발기는 증기를 수용하기 위한 유입구 및 증기를 기판에 도포하기 위한 제 1 배출구를 가지는 증발 섹션을 포함하는 분배 매니폴드를 가진다. 증발 섹션은 유입구로부터 제 1 배출구까지 진행하는 증기에 대한 제 1 유체(fluidal) 경로를 규정한다(define).
증발기의 코팅 레이트는 분배 파이프 내에서 증발될 재료의 압력에 의존한다. 이러한 압력은 재료의 증기 압력에 상응한다. 그에 따라, 증기의 특성적인 성질의 중요한(significant) 신호의 측정을 가능하게 하기에 충분히 높은 압력이 존재한다. 본원에서 설명된 실시예들은 유기 재료를 기판에 도포하는 것에 관한 것이다. 그러나, 본원 발명의 실시예들은 비-유기 물질들, 즉 무기 물질들의 코팅에도 또한 적용될 수 있다.
도 1은 증발기(100)의 제 1 실시예를 도시한다. 증발기의 분배 매니폴드(60)는, 함께 제 1 배출구(110)를 형성하는, 전형적으로 복수의 노즐 배출구들 형태의 증착 배출구를 포함한다. 전형적인 실시예들에 따라서, 분배 매니폴드가 분배 파이프 또는 샤워헤드일 수 있다. 증발기 적용예들의 경우에, 특히 분배 파이프가 이용될 수 있다. 본원 발명에 따른 전형적인 분배 파이프의 직경은 1 cm 내지 10 cm, 더 전형적으로 4 cm 내지 6 cm이다. 유기 재료로 기판을 증발시킬 때, 외부 압력보다 높은 분배 파이프 내의 압력에 의해서, 유기 증기가 분배 매니폴드의 외부로 기판을 향해서 스트리밍된다(도 1에 미도시). 도 1에 도시된 도면에서, 기판은 지면 위에 배치될 것이다. 기판을 코팅하기 위한 전형적인 방법들에서, 유기 증기가 진공 분위기(vacuum atmosphere)에서 기판으로 도포된다. 진공이라는 용어는 1 Pa 및 그 미만의 압력을 지칭할 것이다. 전형적으로, 하나의 노즐 배출구의 유동이 다음의 이웃하는 노즐 배출구의 증기의 유동과 기판 표면에서 중첩되도록, 노즐 배출구들이 성형되고 배열된다.
도 1의 분배 매니폴드는 분리부(90)에 의해서 2개의 섹션들로 분할된다. 전형적으로, 가열된 도가니(crucible; 미도시)로부터 공급 튜브(150)를 통하는, 분배 매니폴드(60) 내로의 증기 스트리밍(유동 방향이 화살표들로 표시됨)이 분리부(90)에 의해서 분할된다. 유입 증기의 하나의 부분(170)이 증발 섹션(80) 내로 안내되고, 그러한 증발 섹션(80)으로부터 제 1 배출구(110)를 통해서 상기 부분이 분배 매니폴드(60), 예를 들어, 분배 파이프를 떠나고, 상기 제 1 배출구는 전형적으로 복수의 노즐들을 포함한다. 증기의 다른 부분(160)이 측정 섹션(70)으로 안내된다. 측정 섹션을 통과한 후에, 증기는 측정 배출구인 제 2 배출구(140)를 통해서 분배 파이프(100)를 떠난다. 여기로부터, 증기는 파이프(100)가 채택되는 코팅 설비의 외부로 전형적으로 안내된다. 증기의 더 큰 양이, 전형적으로 약 70% 내지 99.5%, 더 전형적으로 80% 내지 97%의 양이 증발 섹션(80)으로 안내되도록, 분리부(90)에 의한 증기의 분할이 전형적으로 설계된다. 각각, 훨씬 더 적은 양이 측정 섹션 내로 안내된다. 이는, 측정 섹션(70)으로 연결되는 개구부의 단면이 증발 섹션(80)으로 연결되는 개구부보다 상당히 작도록 분리부(90)를 배치함으로써 달성될 수 있다. 일반적으로, 본원에서 사용된 화살표들은 단지 증기의 유동 방향을 심볼화한 것이다. 면적당 화살표들의 수 또는 밀도는 증기 밀도와 관련되지 않고 그리고 어떠한 정량적인 매개변수도 나타내는 것이 아니다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 분배 매니폴드, 예를 들어, 분배 파이프가 약 100 ℃ 내지 700 ℃의 온도로 가열될 수 있다.
도 1에서, 전형적으로 제 1 측정 섹션 또는 제 2 측정 섹션이 측정 개구부(140)의 전방에 배치될 수 있도록, 제 1 측정 섹션(131) 및 제 2 측정 섹션(132)이 지지부(30)에 의해서 지지된다. 도 1에서, 이러한 것이 화살표(35)로 표시되어 있다. 대안적인 해결책에 따라서, 제 2 측정 섹션이 측정 개구부(140)와 제 1 측정 섹션 사이에 배치되도록, 제 2 측정 섹션이 이동될 수 있다. 그에 의해서, 제 1 측정 섹션은 이동될 필요가 없다.
본원에서 개시된 실시예들에 따라서, 제 1 측정 시스템은 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 1 측정 신호를 생성하도록 구성된다. 전형적으로, 제 1 측정 시스템은, +- 3% 또는 더 양호한 값, 특히 +- 1% 또는 더 양호한 값과 같이 높은 정확도를 제공하는, 증착 레이트에 대한 하나 또는 둘 이상의 검출기들을 포함한다. 이는, 예를 들어, 석영(Quartz) 결정 측정 시스템일 수 있고, 발진하는(oscillating) 석영 결정은 증기의 측정 부분으로 증발되고 그리고 발진 주파수는 석영 결정 상에 증착되는 재료의 양에 의존한다. 이는 일반적으로 이용되는 측정 시스템이며; 예를 들어, Inficon으로부터의 CygnusTM 이 이용될 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 4개 또는 그 초과, 예를 들어, 10개 또는 12개 또는 더 많은 검출기들(예를 들어, 석영 결정들)이 제 1 측정 시스템 내에 제공될 수 있다. 전형적으로, 석영 결정 커러셀(carousel)이 이용될 수 있다.
비록 제 1 측정 시스템이 원하는 정확도를 제공할 수도 있지만, 하나 초과의 검출기가 제공되는 경우에도 동작 수명이 충분하지 않다. 이는, 결정들에 대해서 증착되고 그리고, 정확도가 원하는 범위 내에서 유지되어야 하는 경우에, 검출기 상으로 증착되는 재료의 양이 제한된다는 사실 때문이다. 또한, 짧은 시간 척도(scale)에 원하는 정확도를 가지는 제 1 측정 시스템의 검출기들이 신호의 급격한 강하 또는 상승을 경험할 수 있는데, 이는 증착 레이트의 강하 또는 상승에 대해 수정되지 않는다. 또한 추가적으로, 만약 제 1 검출 시스템의 더 긴 동작 수명을 위해서 하나보다 많은 검출기가 이용된다면, 검출기의 변경이 생성된 신호의 강하 또는 상승을 초래할 수 있다.
전술한 내용을 고려하여, 본원에서 개시된 실시예들에 따라서, 제 2 측정 시스템(132)이 제공된다. 제 2 측정 시스템은 증발 장치의 챔버 내에 제공되고 그리고 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성할 수 있다. 따라서, 만약 제 1 측정 시스템의 신호의 급격한 강하 또는 상승이 제공된다면, 독립적인 측정 시스템으로부터의 교정을 위해서 제 2 측정 시스템의 제 2 신호를 이용할 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 제 2 측정 시스템이 광학적 측정 시스템이 될 수 있다. 예를 들어, 광학적 측정 시스템(132)은, 테스트 기판이 증발된 재료로 코팅되도록 측정 배출구(140)의 전방에 테스트 기판을 배치하도록 구성된, 테스트 기판 홀더 또는 테스트 기판 지지부를 포함할 수 있다. 또한, 광학적 측정 시스템이 증착된 층의 두께를 측정하기 위한 광학적 측정 유닛을 포함한다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 광학적 측정 시스템을 이용한 측정은: 광학적 흡수 측정; 간섭계 측정; 타원편광(ellipsometry) 측정; 광학적 반사 측정(optical reflection measurement); 광학적 투과 측정(optical transmission measurement); 포토루미네슨스(photoluminescence) 측정; 400 nm 미만의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 반사 측정; 400 nm 미만의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 투과 측정; 및 이들의 조합들로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
전형적으로, 제 2 측정 시스템은, 전자기 복사선을 위한 공급원, 예를 들어, 광 공급원을 포함하고, 상기 광 공급원은, 예를 들어, 레이저 또는 통상적인 백색 또는 특정 스펙트럼 분포를 가지는 색광(colored light) 공급원일 수 있다. 또한, 광 공급원은, 넓은 분포를 가지는 발광 유닛 및 특정 파장 범위만이 통과하도록 허용하는 전방의 필터를 포함할 수 있다. 또한, 광 공급원이 광섬유 케이블의 단부를 나타낼 수 있다. 다시 말해서, 본원 발명의 실시예들에서, 광을 제 2 측정 유닛으로 전달하도록 배열된 광섬유들이 존재할 수 있다. 검출기들은 또한 광섬유들을 통해 연결될 수 있다. 이는, 그렇지 않으면 특정 환경들에서 적절하게 기능하지 않을 수도 있는 특정 검출기들의 이용을 가능하게 한다.
도 2는 다른 실시예를 도시한다. 도가니(250)가, 기판 상에 코팅하고자 하는 유기 재료와 같은, 증발시키고자 하는 재료로 충진되거나 부분적으로 충진된다. 도가니는 공급 튜브(150)를 통해서 개구부 노즐들(110)을 가지는 분배 매니폴드(60)와 유체 소통된다. 공급 튜브(150) 및 분배 매니폴드(60)는, 기판(120)을 향해서 지향되는, 증발된 재료를 위한 안내 수단을 제공한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 측정 배출구가 안내 수단 내에 제공된다. 도 2는 도가니(250)로부터 분배 매니폴드(60)로 증발된 재료를 안내하도록 구성된 공급 튜브 내에 위치되는 측정 배출구를 도시한다. 그에 의해서, 적어도 제 2 측정 시스템이 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성하도록 구성되고, 상기 제 2 신호는 측정 배출구의 재료의 부분을 기초로 한다. 그에 의해서, 제 2 측정 신호는, 기판(120)이 코팅되는 증착 지역으로부터 원격지에, 즉 거리를 두고 위치될 수 있다.
증발기(100)의 분배 매니폴드(60)는, 함께 제 1 배출구(110)를 형성하는, 전형적으로 복수의 노즐 배출구들 형태의 증착 배출구를 포함한다. 기판을 코팅하기 위한 전형적인 방법들에서, 본원에서 개시된 바와 같이, 유기 증기가 진공 분위기에서 기판으로 도포된다. 진공이라는 용어는 1 Pa 및 그 미만의 압력을 지칭할 것이다. 전형적으로, 하나의 노즐 배출구의 증기의 유동이 이웃하는 노즐 배출구의 증기의 유동과 기판 표면에서 중첩하도록, 노즐 배출구들이 성형되고 배열된다.
증기 안내 수단 즉, 공급 튜브(150) 및 분배 매니폴드(60)에 측정 배출구가 제공되고, 그에 따라 유입 증기의 일 부분(170)이 분배 매니폴드(60)로, 예를 들어, 분배 파이프로 안내된다. 증기의 다른 부분(160)은 측정 시스템들(131 및 132)을 향해서 안내된다. 증기의 더 큰 양이, 전형적으로 약 70% 내지 99.5%, 더 전형적으로 80% 내지 97%의 양이 증발 섹션(80)으로 안내되도록, 증기의 분할이 전형적으로 설계된다. 각각, 훨씬 더 적은 양이 측정 섹션 내로 안내된다. 이는, 예를 들어, 0.5 mm 내지 4 mm로 충분히 작은 개구부 크기를 가지는 측정 배출구(140)를 제공함으로써 달성될 수 있다.
도 1과 유사하게, 제 1 측정 섹션(131) 및 제 2 측정 섹션(132)이, 도 2에서, 지지부(30)에 의해서 지지되고, 그에 따라 전형적으로 제 1 측정 섹션 또는 제 2 측정 섹션이 측정 개구부(140)의 전방에 배치될 수 있다. 이는 화살표(35)로 표시되어 있다. 대안적인 해결책에 따라서, 제 2 측정 섹션이 측정 개구부(140)와 제 1 측정 섹션 사이에 배치되도록, 제 2 측정 섹션이 이동될 수 있다. 그에 의해서, 제 1 측정 섹션은 이동될 필요가 없다.
본원에서 개시된 실시예들에 따라서, 제 1 측정 시스템은 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 1 측정 신호를 생성하도록 구성된다. 전형적으로, 제 1 측정 시스템은, +- 3% 또는 더 양호한 값, 특히 +- 1% 또는 더 양호한 값과 같이 높은 정확도를 제공하는, 증착 레이트에 대한 하나 또는 둘 이상의 검출기들을 포함한다. 이는, 예를 들어, 석영 결정 측정 시스템일 수 있고, 발진하는 석영 결정은 증기의 측정 부분으로 증발되고 그리고 발진 주파수는 석영 결정 상에 증착되는 재료의 양에 의존한다. 또한, 제 2 측정 시스템(132)이 제공된다. 제 2 측정 시스템은 증발 장치 내에 및/또는 증발기의 일부로서 제공되고 그리고 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성할 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 제 2 측정 시스템이 광학적 측정 시스템이 될 수 있다. 예를 들어, 광학적 측정 시스템(132)이, 테스트 기판이 증발된 재료로 코팅되도록 측정 배출구(140)의 전방에 테스트 기판을 배치하도록 구성된, 테스트 기판 홀더 또는 테스트 기판 지지부를 포함할 수 있다. 또한, 광학적 측정 시스템이 증착된 층의 두께를 측정하기 위한 광학적 측정 유닛을 포함한다.
전형적인 실시예들에서, 제 2 측정 시스템의 측정은 비-접촉 방식으로 실시된다. 전자기 복사선에 대한 검출기 및 전자기 복사선을 위한 공급원과 같은 측정 장치의 요소들, 예를 들어 광원 및 검출기가 전형적으로 분배 파이프의 외부에 배열된다. 전형적인 실시예들에서, 측정 장치가 하나 또는 둘 이상의, 예를 들어, 2개의 검출기들 및 하나 또는 둘 이상의, 예를 들어, 2개의 광 공급원들을 포함한다. 일반적으로, 본 출원내의 "광"이라는 용어는 전자기 복사선의 모든 종류들을 지칭한다. 전형적인 실시예들에서, 방출되는 광은 적어도 400 nm 미만의, 그리고 특히 400 nm 미만 및 300 nm 초과의 파장 부분을 가진다. 400 nm 내지 700 nm의 가시적인 광이 또한 종종 이용되고, 그리고 또한 0.7㎛ 내지 20 ㎛, 더 전형적으로 2 ㎛ 내지 16 ㎛ 파장의 적외선 복사선이 빈번하게 인가된다. 후자인 적외선 복사선의 주파수들은 유기 재료들의 전형적인 진동 스펙트럼들을 커버하고, 이는 유기 재료들의 도포 중에 레이트 측정을 위해서 편리하게 이용될 수 있다. 적어도 하나의 광 공급원이 레이저, 또는 백색 광 램프 등일 수 있다. 전형적인 실시예에서, 튜닝가능한 파장의 레이저가 인가된다. 적어도 하나의 검출기가 포토다이오드, pin-다이오드, 또는 광전자 증배관(photo multiplier) 등이 될 수 있다. 또한, 전자기 스펙트럼을 분석하기 위해서 분광계를 제공할 수 있다.
전형적으로, 안내 수단 즉, 공급 튜브(150) 및 분배 매니폴드(60)가 석영 유리로 제조될 수 있다. 일반적으로, 분배 매니폴드가 증기를 기판으로 도포하기 위한 적어도 하나의 제 1 배출구를 가지는 중공형 본체일 수 있는 분배 파이프일 수 있고, 상기 제 1 배출기는 바람직하게 노즐, 전형적으로 복수의 노즐들이다. 전형적으로, 분배 파이프에 증기를 피드(feed)하기 위해서, 분배 파이프가 도가니 및 공급 튜브와 같은 피딩 유닛과 연결된다. 전형적으로 피딩 유닛은 유입구를 통해서 분배 파이프의 내부에 연결되고, 그에 의해서 피딩 유닛 또는 공급 튜브가 분배 매니폴드의 일체형 부분일 수 있다. 전형적으로, 분배 파이프는 15개 내지 200개, 더 전형적으로 20개 내지 100개의 노즐 배출구들을 포함한다. 노즐 배출구들의 직경은 전형적으로 0.1 mm 내지 5 mm, 더 특히 1 mm 내지 2 mm이다. 분배 파이프는 튜브 등으로서 성형될 수 있다. 다른 실시예들에서, 분배 파이프가 샤워헤드이다. 전형적으로, 파이프 내에서의 증기의 응축을 피하기 위해서, 도포 프로세스 중에 파이프가 가열된다. 이러한 목적을 위해서, 전기적 가열 요소들이 파이프의 외측 표면에 배열될 수 있다.
만약 노즐들의 수들 및 그들 각각의 개구부들의 면적이 분배 파이프/튜브의 전체 크기/부피에 비해서 작다면, 파이프가 폐쇄형 부피인 것으로 간주된다. 튜브 내의 압력이 더 안정적이고 그리고 더 양호한 코팅 프로세스들 및 압력 측정들을 초래한다. 전형적으로, 제 1 배출구, 각각의 노즐들, 및 측정 배출구의 조합된 면적이 파이프의 내측 면적보다 10%, 더 전형적으로 5% 더 작다.
안내 수단 즉, 공급 튜브 및 분배 매니폴드는 전형적으로 2개의 섹션들을 포함한다. 증발 섹션은 증기를 기판으로 도포하기 위해서 제 1 배출구, 전형적으로 복수의 노즐들을 포함한다. 이러한 섹션은 증기를 위한 제 1 유체적 경로, 다시 말해서 제 1 배출구에 대한 유입구, 및 후속하여 코팅하고자 하는 기판으로 공급되는 경로를 형성한다. 두 번째로, 분배 파이프는 제 2 배출구로서 측정 개구부를 포함한다. 제 2 배출구는 측정 섹션으로부터 증기를 변위시키기 위한 것이고, 증기는 전형적으로 코팅 설비의 증착 영역의 외부로 변위된다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 측정 배출구의 증발 방향은 제 1 배출구의 적어도 하나의 개구부 노즐의 증발 방향과 상이하다. 그에 의해서, 증착 레이트 측정을 위해서 제공된 증기의 일부로 기판이 코팅되는 것을 피할 수 있고 및/또는 증발기의 배열이, 예를 들어, 유지보수 목적들을 위해서, 단순화될 수 있다. 따라서, 측정 섹션은 유입구로부터 제 2 배출구까지 증기를 위한 제 2 유체적 경로를 형성한다. 전형적으로, 측정 섹션으로부터의 증기가 기판으로 도포되지 않도록, 제 2 배출구가 구성된다. 증착 레이트 측정 후에, 증착 레이트 측정을 위해서 제공된 증기의 부분이 전형적으로 코팅 설비 내의 진공 펌프의 개구부로 안내되거나, 또한 후속 처리(disposal)를 위한 설비 내에서 수집될 수 있다. 즉, 측정 섹션으로부터의 증기가 추후의 처리를 위해서 코팅 설비 내부의 기판 이외의 표면으로 도포될 수 있다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 다른 실시예들에 따라서, 측정 배출구의 증발 방향이 또한 제 1 배출구의 적어도 하나의 개구부 노즐의 증발 방향과 실질적으로 유사할 수 있다. 그러나, 그에 의해서, 측정 배출구로부터 증기를 수용하는 측정 유닛이 프로세스되는 기판으로부터 멀리 배치되지 않을 수 있다.
도 3은 또 다른 추가적인 실시예들 및 본원에서 개시된 실시예들의 추가적인 또는 대안적인 수정예들을 도시한다. 도가니(250)가, 기판 상에 코팅하고자 하는 유기 재료와 같은, 증발시키고자 하는 재료로 충진되거나 부분적으로 충진된다. 도가니는 공급 튜브(150)를 통해서 개구부 노즐들(110)을 가지는 분배 매니폴드(60)와 유체 소통된다. 전술한 바와 같이, 공급 튜브(150) 및 분배 매니폴드(60)는, 기판(120)을 향해서 지향되는, 증발된 재료를 위한 안내 수단을 제공한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 측정 배출구(140)가 공급 튜브(150) 내에 제공된다. 그에 의해서, 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성하도록 구성된 적어도 제 2 측정 시스템이, 기판(120)이 코팅되는 증착 지역으로부터 원격지에, 즉 거리를 두고 위치될 수 있고, 상기 제 2 신호는 측정 배출구의 재료의 부분을 기초로 한다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 측정 배출구(140)로부터의 증기의 부분을 차단하기 위한 셔터(310)가 제공된다. 셔터는 측정 배출구와 대면하여 배치될 수 있다. 그에 의해서, 제 1 측정 시스템의 검출기, 예를 들어, 발진하는 결정이 증착되는 시간 기간이 감소될 수 있다. 예를 들어, 셔터가 5초 내지 120초, 예를 들어 약 60초 내지 90초의 측정 시간에 대해서 1분에 한번 또는 매 3분 또는 5분마다 한번 개방될 수 있다. 따라서, 제 1 측정 시스템의 동작 수명이 증가될 수 있는데, 이는 더 적은 재료가 제 1 측정 시스템의 검출기에 증착되기 때문이다. 또한, 셔터는 제 1 및 제 2 측정 시스템 사이의 전환 중에 폐쇄될 수 있다. 예를 들어, 테스트 기판(333)이 측정 배출구(140)로부터의 증기의 부분에 의해서 증착되기 위해서 배치되는 시간 기간(a time period) 동안 셔터가 폐쇄될 수 있다. 그에 의해서, 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호의 정확도를 높이기 위해서, 테스트 기판에 대한 규정된 증착 시간이 제공될 수 있다.
도 3에서, 제 1 측정 섹션(131) 및 제 2 측정 섹션(132)이 도시되어 있다. 제 1 측정 시스템(131)은 다른 실시예들과 관련하여 더 구체적으로 설명된 바와 같은 발진하는 결정을 포함할 수 있다. 제 2 측정 시스템은 테스트 기판(333) 및 상기 테스트 기판(333) 상에 증착된 층의 두께를 측정하기 위한 광학적 측정 시스템을 포함한다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 광학적 측정 시스템을 이용한 측정이: 광학적 흡수 측정; 간섭계 측정; 타원편광 측정; 광학적 반사 측정; 광학적 투과 측정; 포토루미네슨스 측정; 400 nm 미만의, 특히 400 nm 미만 및 300 nm 초과의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 반사 측정; 400 nm 미만의, 특히 400 nm 미만 및 300 nm 초과의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 투과 측정; 및 이들의 조합들로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 전형적으로, 제 2 측정 시스템은, 예를 들어, 레이저 또는 통상적인 백색 또는 특정 스펙트럼 분포를 가지는 색광 공급원일 수 있는 광 공급원, 그리고 광 검출기를 포함한다. 이러한 광 공급원 및 검출기가 도 3에서 요소(332)에 의해서 도시되어 있다. 또한, 광 공급원이 광섬유 케이블의 단부로서 제공될 수 있다. 다시 말해서, 본원 발명의 실시예들에서, 광을 테스트 기판(333)으로 전달하도록 배열된 광섬유들이 존재할 수 있다. 검출기들이 또한 광섬유들을 통해서 연결될 수 있다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 증발기가 제어기(330)를 더 포함할 수 있다. 제어기는 제 2 측정 시스템에 또는 제 2 측정 시스템의 검출기에 각각 연결된 제 1 유입구를 가지고, 그리고 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 2 측정 시스템의 신호를 수신하도록 구성된다. 제어기는 제 1 측정 시스템(131)에 연결된 제 1 배출구를 가진다. 그에 의해서, 제 1 측정 시스템의 온라인 교정을 위한 신호가 제공될 수 있다. 대안적으로, 제 1 측정 시스템(131)으로부터 제어기로 신호를 제공하기 위해서 제 1 측정 시스템과 제어기 사이의 연결이 이용될 수 있고, 그리고 제 1 측정 시스템의 교정을 포함하는 제 1 측정 시스템으로부터의 신호의 평가가 제어기(330) 내에서 실시될 수 있다.
본원에서 개시된 실시예들에 따라서, 제 1 측정 시스템은 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 1 측정 신호를 생성하도록 구성된다. 전형적으로, 제 1 측정 시스템은 , +- 3% 또는 더 양호한 값, 특히 +- 1% 또는 더 양호한 값과 같이 높은 정확도를 제공하는, 증착 레이트에 대한 하나 또는 둘 이상의 검출기들을 포함한다. 이는, 예를 들어, 석영 결정 측정 시스템일 수 있고, 발진하는 석영 결정은 증기의 측정 부분으로 증발되고 그리고 발진 주파수는 석영 결정 상에 증착되는 재료의 양에 의존한다. 또한, 제 2 측정 시스템(132)이 제공된다. 제 2 측정 시스템은 증발 장치 내에 및/또는 증발기의 일부로서 제공되고 그리고 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성할 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 제 2 측정 시스템이 광학적 측정 시스템이 될 수 있다. 예를 들어, 광학적 측정 시스템(132)이, 테스트 기판이 증발된 재료로 코팅되도록 측정 배출구(140)의 전방에 테스트 기판을 배치하도록 구성된, 테스트 기판 홀더 또는 테스트 기판 지지부를 포함할 수 있다. 또한, 광학적 측정 시스템이 증착된 층의 두께를 측정하기 위한 광학적 측정 유닛을 포함한다.
도 4는 본원에서 개시된 증발기(100)의 또 다른 추가적인 실시예들을 도시한다. 증발시키고자 하는 재료, 예를 들어, 유기 재료가 도가니(250) 내에 제공되고 그리고 그 내부에서 증발된다. 증발된 재료의 부분(170)이 공급 튜브(150)를 통해서 분배 매니폴드(60)로 안내된다. 증발된 재료는 노즐 개구부들(110)을 통해서 기판(120) 상으로 지향된다. 증발된 재료의 다른 부분이 공급 튜브(150)에 의해서 측정 배출구(140)로 안내된다. 증발된 재료의 제 2 부분 즉, 측정 개구부(140)를 통과하는 부분은, 증발기들(100)의 해당 증착 레이트와 상호관련된 신호들을 생성하기 위해서 이용된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 일부 실시예들에 따라서, 제 1 측정 시스템(131)이 복수의 검출기들(431)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 검출기들(431)이 지지부(31) 상에 제공될 수 있다. 전형적으로, 지지부는, 하나의 검출기(431)가 한 차례(at a time) 증착 레이트를 측정할 수 있도록 그리고 특정 시간 후에 다음 검출기가 측정 배출구(140)와 대면하기 위한 위치로 이동되어 다음 검출기(431)가 증착 레이트 측정을 위해서 이용될 수 있도록 회전될 수 있는 커러셀일 수 있다. 증착 레이트를 측정하기 위한 하나 또는 둘 이상의 검출기들은 +- 3% 또는 더 양호한 값, 특히 +- 1% 또는 더 양호한 값과 같이 높은 정확도를 제공한다. 이는, 예를 들어, 석영 결정 측정 시스템일 수 있고, 발진하는 석영 결정은 증기의 측정 부분으로 증발되고 그리고 발진 주파수는 석영 결정 상에 증착되는 재료의 양에 의존한다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 4개 또는 그 초과, 예를 들어, 10개 또는 12개 또는 더 많은 검출기들(예를 들어, 석영 결정들)이 제 1 측정 시스템 내에 제공될 수 있다. 전형적으로, 석영 결정 커러셀이 지지부(31)로서 이용될 수 있다.
제 2 측정 시스템은 테스트 기판(333) 및 상기 테스트 기판(333) 상에 증착된 층의 두께를 측정하기 위한 광학적 측정 시스템을 포함한다. 도 4에서, 테스트 기판이 코팅 위치 내에서 하향 이동될 수 있고 그리고 코팅된 층 두께가 도 4에 도시된 측정 위치에서 결정될 수 있다. 전형적으로, 본원에서 설명한 바와 같이, 제 2 측정 시스템이, 예를 들어, 레이저 또는 통상적인 백색 또는 특정 스펙트럼 분포를 가지는 색광 공급원일 수 있는 광 공급원(432), 그리고 광 검출기(434)를 포함한다. 또한, 참조 번호 '432'로서 언급된 광 공급원이 광섬유 케이블의 단부일 수 있다. 다시 말해서, 본원 발명의 실시예들에서, 광을 테스트 기판(333)으로 전달하도록 배열된 광섬유들이 존재할 수 있다. 검출기들이 또한 광섬유들을 통해서 연결될 수 있다.
도 5는 증발기(100)의 또 다른 추가적인 실시예를 도시한다. 증기 안내 수단은 분배 매니폴드(60) 및 공급 튜브(150)를 포함한다. 증발기는, 함께 제 1 배출구(110)를 형성하는, 전형적으로 복수의 노즐 배출구들 형태의 증착 배출구를 포함한다. 전형적인 실시예들에 따라서, 분배 매니폴드가 분배 파이프 또는 샤워헤드일 수 있다. 증발기 적용예들의 경우에, 특히 분배 파이프가 이용될 수 있다. 유기 재료로 기판(120)을 증발시킬 때, 외부 압력보다 높은 안내 수단 내의 압력으로 인해서, 유기 증기가 분배 매니폴드의 외부로 기판(120)을 향해서 스트리밍된다. 증기 안내 수단 즉, 공급 튜브(150) 및 분배 매니폴드(60)에 측정 배출구가 추가적으로 제공된다. 유입 증기의 일 부분이 분배 매니폴드(60), 예를 들어, 분배 파이프로 안내된다. 증기의 다른 부분이 측정 시스템들을 향해서 안내된다. 증기의 더 큰 양이, 전형적으로 약 70% 내지 99.5%, 더 전형적으로 80% 내지 97%의 양이 증발 섹션(80)으로 안내되도록, 증기의 분할이 전형적으로 설계된다. 각각, 훨씬 더 적은 양이 측정 섹션 내로 안내된다. 이는, 예를 들어, 0.5 mm 내지 4 mm로 충분히 작은 개구부 크기를 가지는 측정 배출구(140)를 제공함으로써 달성될 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 분배 매니폴드, 예를 들어, 분배 파이프, 그리고 공급 튜브가 약 100 ℃ 내지 700 ℃의 온도로 가열될 수 있다.
도 5에서, 제 1 측정 섹션(131) 및 측정 디바이스(332) 및 테스트 기판(333)을 포함하는 제 2 측정 섹션이 제공된다. 전형적으로 제 1 측정 섹션 또는 제 2 측정 섹션의 테스트 기판(333)이 측정 개구부(140)의 전방에 배치될 수 있도록, 측정 시스템들 및 측정 배출구(140)가 배치된다.
본원에서 개시된 실시예들에 따라서, 제 1 측정 시스템이 하나 또는 둘 이상의, 예를 들어 6개 내지 18개의 석영 결정 측정 검출기들을 포함할 수 있고, 발진하는 석영 결정은 증기의 측정 부분으로 증발되고 그리고 발진 주파수는 석영 결정 상에 증착되는 재료의 양에 의존한다. 이는 일반적으로 이용되는 측정 시스템이며; 예를 들어, Inficon으로부터의 CygnusTM 이 이용될 수 있다.
비록 제 1 측정 시스템이 원하는 정확도를 제공할 수도 있지만, 하나 초과의 검출기가 제공되는 경우에도 동작 수명이 일반적으로 충분하지 않다. 이는, 결정들이 증착되고 그리고, 정확도가 원하는 범위 내에서 유지되어야 하는 경우에, 검출기 상으로 증착되는 재료의 양이 제한된다는 사실 때문이다. 또한, 짧은 시간 척도에 원하는 정확도를 가지는 제 1 측정 시스템의 검출기들이 신호의 급격한 강하 또는 상승을 경험할 수 있는데, 이는 증착 레이트의 강하 또는 상승에 대해 수정되지 않는다. 또한 추가적으로, 만약 제 1 검출 시스템의 더 긴 동작 수명을 위해서 하나보다 많은 검출기가 이용된다면, 검출기의 변경이 생성된 신호의 강하 또는 상승을 초래할 수 있다.
전술한 내용을 고려하여, 본원에서 개시된 실시예들에 따라서, 테스트 기판(333) 및 층 두께 측정 디바이스(332)를 가지는 제 2 측정 시스템(132)이 제공된다. 제 2 측정 시스템은 증발 장치의 챔버 내에 제공되고 그리고 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성할 수 있다. 따라서, 만약 제 1 측정 시스템의 신호의 급격한 강하 또는 상승이 제공된다면, 독립적인 측정 시스템으로부터의 교정을 위해서 제 2 측정 시스템의 제 2 신호를 이용할 수 있다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 제 2 측정 시스템은 테스트 기판(333) 상에 증착된 층 두께를 측정하도록 구성된 광학적 측정 시스템일 수 있다. 본원에서 개시된 실시예들의 전형적인 선택적 수정예들에 따라서, 제 2 측정 시스템, 예를 들어, 광학적 측정 디바이스 및 특히 광학적 센서가, 광학적 측정 디바이스가 열 복사선에 노출되는 것을 감소시키도록 구성된 차폐부로 차폐될 수 있다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 층 두께의 증가가 측정될 수 있다. 그에 의해서, 예를 들어, 테스트 기판이 측정 개구부(140)의 전방으로 이동되기에 앞서서 코팅된 층의 두께가 측정될 수 있고, 기판(133)이 측정 개구부(140) 전방으로 이동되고, 증발된 재료가 테스트 기판(133) 상에 증착되고, 그리고 테스트 기판이 측정 배출구의 증기에 노출되는 시간 동안의 증착 레이트를 결정하기 위해서 층의 두께가 다시 측정될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 측정 개구부가 배출구 노즐들(110)의 증발 방향에 반대되는 증발 방향을 가지도록 배향될 수 있다. 그에 의해서, 유지보수-친화적인(friendly) 구성이 제공될 수 있다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 광학적 측정 시스템을 이용한 측정이: 광학적 흡수 측정; 간섭계 측정; 타원편광 측정; 광학적 반사 측정; 광학적 투과 측정; 포토루미네슨스 측정; 400 nm 미만의, 특히 400 nm 미만 및 300 nm 초과의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 반사 측정; 400 nm 미만의, 특히 400 nm 미만 및 300 nm 초과의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 투과 측정; 및 이들의 조합들로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
도 5에 도시된 증발기(100)가 측정 배출구(140)로부터의 증기의 부분을 차단하기 위한 셔터(310)를 포함한다. 셔터는 측정 배출구와 대면하여 배치될 수 있다. 그에 의해서, 제 1 측정 시스템(131)의 검출기, 예를 들어, 발진하는 결정이 증착되는 시간 기간이 감소될 수 있다. 예를 들어, 셔터가 5초 내지 120초, 예를 들어 약 60초 내지 90초의 측정 시간에 대해서 1분에 한번 또는 매 3분 또는 5분마다 한번 개방될 수 있다. 따라서, 제 1 측정 시스템의 동작 수명이 증가될 수 있는데, 이는 적은 재료가 제 1 측정 시스템의 검출기에 증착되기 때문이다. 또한, 테스트 기판(333)이 측정 배출구(140)로부터의 증기의 부분에 의해서 증착되기 위해서 배치되는 시간 기간 동안 셔터가 폐쇄될 수 있다. 그에 의해서, 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호의 정확도를 높이기 위해서, 테스트 기판에 대한 규정된 증착 시간이 제공될 수 있다.
도 5에 도시된 증발기(100)는 하우징 부분(502), 밸브(520), 및 도가니 챔버(252)를 더 포함한다. 하우징 부분(502)은, 예를 들어, 내부에 제공된 기판들(120) 상으로 증발된 재료를 증착하기 위해서 진공 챔버 부분에 연결될 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 도가니(250)가 도가니 챔버(252)의 내외로 이동될 수 있고, 상기 도가니 챔버는 도가니 밸브 셔터 조립체(510)에 의해서 록킹될 수 있다. 예를 들어, 도가니 셔터 조립체는 셔터 하우징(513)을 포함할 수 있고, 상기 셔터 하우징 내에서 셔터(511)가 액추에이터(512)에 의해서 이동될 수 있다. 일부 실시예들에 따라서, 도가니 챔버(252) 및 챔버 부분(502)의 인클로져(enclosure)는, 도가니(250)가 통과할 수 있게 하는, 즉 도가니 챔버(252) 내의 위치로부터 도가니가 공급 튜브에 연결되는 위치까지 통과할 수 있게 하는 개구부를 가진다. 그에 의해서, 시스템이, 도가니 및/또는 증착하고자 하는 재료의 교환 중에 진공배기된(evacuated) 상태로 유지될 수 있다. 만약 도가니가 도가니 챔버 내의 위치(도 5의 하부 위치)에 제공된다면, 도가니 챔버(252)가 도가니의 교환 및/또는 그 내부의 재료의 재-충진을 위해서 개방될 수 있도록, 셔터(511), 전형적으로 진공 밸브가 폐쇄될 수 있다. 또한, 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 밸브(520)가 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 액추에이터(521)에 의해서 이동될 수 있다. 만약 밸브(520)가 폐쇄 위치에 있다면, 공급 튜브로 그리고, 그에 따라, 분배 매니폴드(60) 및 측정 영역 각각으로, 증기가 진입할 수 없거나 극히 적은 증기만이 진입된다. 밸브(520)의 개방 위치에서, 도가니(252) 내에서 증발된 재료가, 기판(120)을 향해서 그리고 측정 영역을 향해서 안내되도록 공급 튜브(150)로 진입될 수 있다.
도 6은 증발기(100)의 또 다른 추가적인 실시예들을 도시한다. 증기 안내 수단은 분배 매니폴드(60) 및 공급 튜브(150)를 포함한다. 증발기는, 제 1 배출구(110)를 함께 형성하는, 전형적으로 복수의 노즐 배출구들의 형태인 증착 배출구를 포함한다. 전형적인 실시예들에 따라서, 분배 매니폴드가 분배 파이프 또는 샤워헤드일 수 있다. 도 5에 도시된 실시예와 비교할 때, 제 1 측정 시스템이 분배 매니폴드(60)와 대면하여 제공된다. 그에 의해서, 증발기의 증발 레이트가, 예를 들어, 증발된 재료로 코팅하고자 하는 기판에 밀접한 인접부의, 예를 들어, 직접적인 근처의 위치에서 측정된다. 제 1 측정 시스템의 검출기 상으로 증착되는 증발된 재료의 방향은, 이러한 구성에서, 기판을 코팅하기 위한 증발 방향과 동일한 방향일 수 있다. 추가적으로, 제 1 검출 유닛이 복수의 노즐 배출구들의 하나의 부분의 전방에 제공되도록, 증발된 재료를 기판(120)을 향해서 안내하도록 구성된 복수의 노즐 배출구들(110)이 제공될 수 있다. 본원에서 개시된 실시예들에 따라서, 제 1 측정 시스템이 하나 또는 둘 이상의, 예를 들어 6개 내지 18개의 석영 결정 측정 검출기들을 포함할 수 있고, 발진하는 석영 결정은 증기의 측정 부분으로 증발되고 그리고 발진 주파수는 석영 결정 상에 증착되는 재료의 양에 의존한다. 이는 일반적으로 이용되는 측정 시스템이며; 예를 들어, Inficon으로부터의 CygnusTM 이 이용될 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 추가적인 실시예들에 따라서, 추가적인 셔터(미도시)가 제 1 측정 시스템(131)과 분배 매니폴드 사이에 제공될 수 있다.
제 2 측정 시스템은 측정 배출구(140)와 대면하여 즉, 노즐 배출구들과 상이한 증발 방향을 가지는 방향으로 제공된다. 전술한 차이들을 넘어서, 제 1 측정 섹션(131) 그리고 측정 디바이스(332) 및 테스트 기판(333)을 포함하는 제 2 측정 섹션이 도 1 내지 4, 특히 도 5와 유사하게 제공될 수 있다. 제 2 측정 시스템은 증발기 시스템 내에, 또한 증발기의 외부에 제공되고, 그리고 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성할 수 있다. 따라서, 만약 제 1 측정 시스템의 급격한 강하 또는 상승이 제공된다면, 제 2 측정 시스템의 제 2 신호를 이용하여 독립적인 측정 시스템으로부터의 교정을 실시할 수 있다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 제 2 측정 시스템이 테스트 기판(333) 상에 증착된 층 두께를 측정하도록 구성된 광학적 측정 시스템일 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 층 두께의 증가가 측정될 수 있다. 그에 의해서, 예를 들어, 테스트 기판이 측정 개구부(140)의 전방으로 이동되기에 앞서서 코팅된 층의 두께가 측정될 수 있고, 기판(133)이 측정 개구부(140) 전방으로 이동되고, 증발된 재료가 테스트 기판(133) 상에 증착되고, 그리고 테스트 기판이 측정 배출구의 증기에 노출되는 시간 동안의 증착 레이트를 결정하기 위해서 층의 두께가 다시 측정될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 측정 개구부가 배출구 노즐들(110)의 증발 방향에 반대되는 증발 방향을 가지도록 배향될 수 있다. 그에 의해서, 유지보수-친화적인 구성이 제공될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제어기(330)가 제 1 측정 시스템(131) 그리고, 예를 들어, 테스트 기판(333) 및 층 두께 측정 디바이스(332)를 포함할 수 있는 제 2 측정 시스템에 연결될 수 있다. 그에 의해서, 높은 정확도의 제 1 측정 시스템의 교정이 제공될 수 있고 그에 따라 또한 충분히 긴 동작 수명, 예를 들어, 적어도 1주, 전형적으로 2주 또는 그 초과, 또는 심지어 3주 또는 그 초과의 동작 수명이 제공될 수 있다. 그에 의해서, 동작 수명이 다른 유지보수 기간들과 동기화되도록 연장될 수 있다. 또 다른 추가적인 실시예들에 따라서, 제어기가 또한 도가니에 연결되어 그 가열을 제어할 수 있고, 그에 따라, 시스템 내의 증기 압력을 제어할 수 있다. 이는, 예를 들어, 증착 레이트 측정이 증착 레이트의 드리프트(drift)를 나타낼 때 이루어질 수 있다. 제어기는 증발과 유사한 다른 동작 모드들을 위해서 액추에이터들 및 셔터들의 조화된 동작을 허용하도록 액추에이터들(252, 512, 및 521) 및 셔터(310)의 작용을 제어하기 위해서 추가적으로 이용될 수 있고, 증발은 교정, 도가니 교환, 또는 다른 유지보수 단계들을 포함한다.
도 7과 관련하여 설명된 또 다른 추가적인 실시예에 따라서, 제 1 측정 시스템 및 제 2 측정 시스템이 제 1 측정 배출구(140) 및 제 2 측정 배출구(740)에 대향하여 제공될 수 있다. 그에 의해서, 제 1 및 제 2 측정 배출구가 증기를 위한 안내 수단 내에서 그리고 특히 공급 튜브(150) 내에서 제공될 수 있다. 도 7에 추가적으로 도시된 바와 같이, 제 1 셔터(310) 및 제 2 셔텨(710)가 제공될 수 있고, 이들 각각의 셔터는 증착 레이트 측정 목적들을 위해서 안내 수단으로부터 제공되는 각각의 부분을 차단하기 위한 것이다. 그에 의해서, 셔터(710)가 이용될 수 있고, 제 1 측정 시스템(131)의 검출기, 예를 들어, 발진하는 결정이 증착되는 시간 기간이 감소될 수 있다. 예를 들어, 셔터가 5초 내지 120초, 예를 들어 약 60초 내지 90초의 측정 시간에 대해서 1분에 한번 또는 매 3분 또는 5분마다 한번 개방될 수 있다. 따라서, 제 1 측정 시스템의 동작 수명이 증가될 수 있는데, 이는 더 적은 재료가 제 1 측정 시스템의 검출기에 증착되기 때문이다. 또한, 추가적인 셔터(310)는 테스트 기판(333)이 측정 배출구(140)로부터 멀리 배치되는 시간 기간 동안에 폐쇄될 수 있고 그리고 테스트 기판(333)이 증착 위치에 있을 때 미리 결정된 시간 기간 동안에 개방될 수 있다. 그에 의해서 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호의 정확도를 높이기 위해서, 테스트 기판에 대한 규정된 증착 시간이 제공될 수 있다. 전술한 바와 같이, 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 광학적, 제 2 측정 시스템을 이용한 측정이: 광학적 흡수 측정; 간섭계 측정; 타원편광 측정; 광학적 반사 측정; 광학적 투과 측정; 포토루미네슨스 측정; 400 nm 미만의, 특히 400 nm 미만 및 300 nm 초과의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 반사 측정; 400 nm 미만의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 투과 측정; 및 이들의 조합들로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
도 8은 증발기(100)의 추가적인 실시예를 또한 도시한다. 증기 안내 수단은 분배 매니폴드(60) 및 공급 튜브(150)를 포함한다. 증발기는, 제 1 배출구(110)를 함께 형성하는, 전형적으로 복수의 노즐 배출구들의 형태인 증착 배출구를 포함한다. 전형적인 실시예들에 따라서, 분배 매니폴드가 분배 파이프 또는 샤워헤드일 수 있다. 증발기 적용예들의 경우에, 특히 분배 파이프가 이용될 수 있다. 유기 재료로 기판(120)을 증발시킬 때, 외부 압력보다 높은 안내 수단 내의 압력으로 인해서, 유기 증기가 분배 매니폴드의 외부로 기판(120)을 향해서 스트리밍된다. 증기 안내 수단 즉, 공급 튜브(150) 및 분배 매니폴드(60)에 측정 배출구가 추가적으로 제공된다. 유입 증기의 일 부분이 분배 매니폴드(60), 예를 들어, 분배 파이프로 안내된다. 증기의 다른 부분이 측정 시스템들을 향해서 안내된다. 증기의 더 큰 양이, 전형적으로 약 70% 내지 99.5%, 더 전형적으로 80% 내지 97%의 양이 증발 섹션(80)으로 안내되도록, 증기의 분할이 전형적으로 설계된다. 각각, 훨씬 더 적은 양이 측정 섹션 내로 안내된다. 이는, 예를 들어, 0.5 mm 내지 4 mm로 충분히 작은 개구부 크기를 가지는 측정 배출구(140)를 제공함으로써 달성될 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 분배 매니폴드, 예를 들어, 분배 파이프, 그리고 공급 튜브가 약 100 ℃ 내지 700 ℃의 온도로 가열될 수 있다.
도 8에서, 제 1 측정 섹션(131) 그리고 측정 디바이스(332) 및 테스트 기판(833)을 포함하는 제 2 측정 섹션이 제공된다. 전형적으로 제 1 측정 섹션 또는 제 2 측정 섹션의 테스트 기판(833)이 측정 개구부(140)의 전방에 배치될 수 있도록, 측정 시스템들 및 측정 배출구(140)가 배치된다. 제 2 측정 시스템은 증발기 시스템의 하우징 부분(502) 내에 제공되고 그리고 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성할 수 있다. 따라서, 만약 제 1 측정 시스템의 신호의 급격한 강하 또는 상승이 제공된다면, 독립적인 측정 시스템으로부터의 교정을 위해서 제 2 측정 시스템의 제 2 신호를 이용할 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 제 2 측정 시스템이 테스트 기판(833) 상에 증착된 층 두께를 측정하도록 구성된 광학적 측정 시스템일 수 있다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 축(833a)을 중심으로 회전되도록 구성된 회전가능한 테스트 기판(833)으로서 테스트 기판(833)이 제공된다. 또한, 테스트 기판(833)은 개구부 구멍(opening aperture; 834)을 가진다. 제 1 각도 위치에서, 증착 레이트 측정을 위해서 의도된 증발된 재료의 부분에 대해서 제 1 측정 시스템(131)을 노출시키기 위해서 측정 배출구(140)로부터의 재료가 개구부 구멍을 통과할 수 있도록, 구멍(834)이 제공된다. 회전 가능한 테스트 기판(833)의 하나 또는 둘 이상의 다른 각도 위치들에서, 테스트 기판의 코팅을 위해서 테스트 기판의 부분이 측정 배출구의 전방에 위치된다. 그에 의해서, 테스트 기판 상의 코팅된 층의 층 두께 또는 테스트 기판 상의 코팅된 층의 층 두께 증가가 측정 디바이스(332)에 의해서 측정될 수 있다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 층 두께의 증가가 측정될 수 있다. 그에 의해서, 예를 들어, 코팅하고자 하는 테스트 기판(833)의 부분이 측정 개구부(140)의 전방으로 이동되기에 앞서서 코팅된 층의 두께가 측정될 수 있고, 그런 다음에 코팅하고자 하는 테스트 기판(833)의 부분이 측정 개구부(140) 전방으로 이동되고, 증발된 재료가 테스트 기판 상에 증착되고, 코팅된 테스트 기판(833)의 일부가 측정 디바이스의 전방으로 이동 즉, 회전되고, 그리고 테스트 기판의 부분이 측정 배출구의 증기에 노출되는 시간 동안의 증착 레이트를 결정하기 위해서 층의 두께가 다시 측정될 수 있다.
도 9는 본원에서 개시된 실시예들 중 임의의 실시예에 따른 증발기(100)를 포함하는 증발 장치(900)를 도시한다. 장치(900)는 증발기의 하우징 부분(502)과 함께 진공 지역(910)을 형성하는 제 1 하우징 부분(904)을 포함한다. 전형적으로, O-링들과 같은 하나 또는 둘 이상의 시일들(905)이 제공될 수 있다. 또한, 진공 플랜지(906)가 진공 펌프와 같은 진공배기 시스템에 연결되도록 제공될 수 있다. 전형적으로, 유기 증기가 진공 분위기에서 기판(120)으로 도포된다. 진공이라는 용어는 1 Pa 및 그 미만의 압력을 지칭할 것이다. 장치(900)는 추가적인 하우징 부분(902)을 선택적으로 더 포함할 수 있고, 그러한 추가적인 하우징 부분은 반드시 진공배기될 필요가 없고 그리고 전기적 캐비넷 및 전술한, 제어기(330)와 같은, 다른 제어 조립체들의 부분들을 에워싸기 위해서 이용될 수 있다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 도가니(250)가 도가니 챔버(252)의 내외로 이동될 수 있고, 상기 도가니 챔버는 도가니 밸브 셔터 조립체(510)에 의해서 록킹될 수 있다. 예를 들어, 도가니 셔터 조립체는 셔터 하우징(513)을 포함할 수 있고, 상기 셔터 하우징 내에서 셔터(511)가 액추에이터(512)에 의해서 이동될 수 있다. 일부 실시예들에 따라서, 도가니 챔버(252) 및 챔버 부분(502)의 인클로져는, 도가니(250)가 통과할 수 있게 하는, 즉 도가니 챔버(252) 내의 위치로부터 도가니가 공급 튜브에 연결되는 위치까지 통과할 수 있게 하는 개구부를 가진다. 그에 의해서, 시스템이, 도가니 및/또는 증착하고자 하는 재료의 교환 중에 진공배기된 상태로 유지될 수 있다. 만약 도가니가 도가니 챔버 내의 위치(도 9의 하부 위치)에 제공된다면, 도가니 챔버(252)가 도가니의 교환 및/또는 그 내부의 재료의 재-충진을 위해서 개방될 수 있도록, 셔터(511), 전형적으로 진공 밸브가 폐쇄될 수 있다. 또한, 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 밸브(520)가 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 액추에이터(521)에 의해서 이동될 수 있다. 만약 밸브(520)가 폐쇄 위치에 있다면, 공급 튜브로 그리고, 그에 따라, 분배 매니폴드(60) 및 측정 영역 각각으로, 증기가 진입할 수 없거나 극히 적은 증기만이 진입된다. 밸브(520)의 개방 위치에서, 도가니(252) 내에서 증발된 재료가, 기판(120)을 향해서 그리고 측정 영역을 향해서 안내되도록 공급 튜브(150)로 진입될 수 있다.
증기 안내 수단, 즉 공급 튜브(150) 및 분배 매니폴드(60)에 측정 배출구(140)가 추가적으로 제공된다. 동작 중에, 도가니(250)가 공급 튜브(150)에 연결될 때, 유입 증기의 일 부분이 분배 매니폴드(60), 예를 들어, 분배 파이프로 안내된다. 증기의 다른 부분이 측정 시스템들을 향해서 안내된다. 증기의 더 큰 양이, 전형적으로 약 70% 내지 99.5%, 더 전형적으로 80% 내지 97%의 양이 증발 섹션(80)으로 안내되도록, 증기의 분할이 전형적으로 설계된다. 각각, 훨씬 더 적은 양이 측정 섹션 내로 안내된다. 도 9에 도시된 바와 같이, 그리고 도 8과 유사하게, 축(833a)을 중심으로 회전되도록 구성된 회전가능한 테스트 기판(833)에 의해서 테스트 기판(833)이 제공된다. 또한, 테스트 기판(833)은 개구부 구멍(834)을 가진다. 제 1 각도 위치에서, 증착 레이트 측정을 위해서 의도된 증발된 재료의 부분에 대해서 제 1 측정 시스템(131)을 노출시키기 위해서 측정 배출구(140)로부터의 재료가 개구부 구멍을 통과할 수 있도록, 구멍(834)이 제공된다. 회전 가능한 테스트 기판(833)의 하나 또는 둘 이상의 다른 각도 위치들에서, 테스트 기판의 코팅을 위해서 테스트 기판의 부분이 측정 배출구의 전방에 위치된다. 그에 의해서, 테스트 기판 상의 코팅된 층의 층 두께 또는 테스트 기판 상의 코팅된 층의 층 두께 증가가 측정 디바이스(332)에 의해서 측정될 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제 2 측정 시스템은 전형적으로 광 공급원(432) 및 본원에서 개시한 바와 같은 광 검출기(434)를 포함하고, 상기 광 공급원은, 예를 들어, 본원에서 개시한 바와 같이, 레이저 또는 통상적인 백색 또는 특정 스펙트럼 분배를 가지는 색채를 가지는 광 공급원일 수 있다. 또한, 참조 번호 '432'로서 지칭되는 광 공급원이 광섬유 케이블의 단부일 수 있다. 다시 말해서, 본원 발명의 실시예들에서, 광을 테스트 기판(333)으로 전달하도록 배열된 광섬유들이 존재할 수 있다. 검출기들이 또한 광섬유들을 통해서 연결될 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따라서, 광학적 측정 시스템을 이용한 측정이: 광학적 흡수 측정; 간섭계 측정; 타원편광 측정; 광학적 반사 측정; 광학적 투과 측정; 포토루미네슨스 측정; 400 nm 미만의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 반사 측정; 400 nm 미만의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 투과 측정; 및 이들의 조합들로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
도 10은 재료, 예를 들어, 유기 재료의 증발을 위한 증발 장치의 동작 방법과 관련된 추가적인 실시예들을 도시한다. 단계(1002)에서, 증발된 재료의 제 1 부분이 개구부 노즐들을 통해서 기판 상으로 안내된다. 그에 의해서, 기판이 원하는대로 코팅된다. 전형적으로, 증발된 재료가 단지 미리 결정된 지역 또는 미리 결정된 지역들 내에서 기판 상으로 증착되도록, 기판이 코팅을 위해서 마스킹될(masked) 수 있다.
단계(1004)에서, 증발된 재료의 제 2 부분이 측정 배출구를 통해서 제 1 검출기 상으로 안내된다. 그 전형적인 구현예들에 따라서, 셔터가 증발된 재료의 제 2 부분을 차단하지 않는 시간 기간에만 제 1 검출기의 노출을 허용하기 위해서, 셔터가 이용될 수 있다. 그에 의해서, 예를 들어, 제 1 검출기의 더 긴 동작 수명을 제공하기 위해 제 1 검출기 상에 증착되는 증발된 재료의 양이 감소된다. 또 다른 추가적인 실시예들에 따라서, 제 1 검출기가 또한 복수의 검출기들 중 하나의 검출기일 수 있다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라서, 4개 또는 그 초과, 예를 들어, 10개 또는 12개 또는 더 많은 검출기들(예를 들어, 석영 결정들)이 제 1 측정 시스템 내에 제공될 수 있다. 동작 수명이 추가적으로 증가되도록, 이러한 검출기들이 번갈아(one after the other) 이용될 수 있다.
단계(1006)에서, 테스트 기판과 같은 제 2 측정 시스템의 구성요소 또는 제 2 검출기가 증착 레이트 측정을 위해서 제공된다. 예를 들어, 증발된 재료의 제 2 부분으로 테스트 기판 부분을 증착하기 위해서 테스트 기판 부분이 측정 배출구와 제 1 검출기 사이로 이동될 수 있고, 증발된 재료의 제 2 부분을 측정 배출구를 통해서 제 1 검출기 상으로 다시 안내하기 위해서 테스트 기판 부분이 측정 배출구와 제 1 검출기 사이로부터 제거될 수 있고, 그리고 테스트 기판 부분 상에 증착된 증발된 재료의 층의 층 두께에 상응하는 신호가, 예를 들어, 광학적 측정 시스템으로 측정될 수 있다.
단계(1008)에서, 각각, 제 2 검출기 또는 제 2 측정 시스템의 신호가 제 1 검출기의 교정을 위해서 이용될 수 있다. 비록, 제 1 측정 시스템이 원하는 정확도를 제공할 수도 있지만, 하나 초과의 검출기가 제공되는 경우에도 동작 수명이 충분하지 않다. 따라서, 만약 제 1 측정 시스템의 신호의 급격한 강하 또는 상승이 제공된다면, 독립적인 측정 시스템으로부터의 교정을 위해서 제 2 측정 시스템의 제 2 신호를 이용할 수 있다.
전형적인 실시예들에 따라서, 증발된 재료의 측정 부분을 선택적으로 차단하기 위해서 셔터가 이용될 수 있다. 셔터는, 제 1 측정 시스템을 이용한 측정이 실시될 때 미리 결정된 시간 기간들 동안 증발된 재료를 차단하기 위해서 이용될 수 있다. 또한, 셔터는, 테스트 기판이 증발된 재료의 측정 부분 내에서 이동될 때 폐쇄될 수 있고, 테스트 기판의 코팅 중에 개방될 수 있고, 그리고 테스트 기판의 제거 중에 폐쇄될 수 있다. 그에 의해서, 테스트 기판이, 예를 들어, 5초 내지 30초 범위의 미리 결정된 시간 기간 동안 코팅될 수 있다. 더 전형적으로, 증발된 재료의 제 2 부분을 제 1 검출기 상으로 안내하는 것이 적어도 매 30분에, 특히 적어도 매 10분에 실시되고; 그리고 테스트 기판의 이동 및 제거는: 제 1 검출기의 신호 강하, 제 1 검출기의 교환, 및 증발 장치의 경고 상태로 이루어진 그룹으로부터 선택된 이벤트를 기초로 실시되고 및/또는 기껏해야 매 시간마다, 특히 기껏해야 매 12 시간들마다 실시된다.
전형적으로, 광학적 측정 시스템을 이용한 측정이: 광학적 흡수 측정; 간섭계 측정; 타원편광 측정; 광학적 반사 측정; 광학적 투과 측정; 포토루미네슨스 측정; 400 nm 미만 및/또는 300 nm 초과의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 반사 측정; 400 nm 미만 및/또는 300 nm 초과의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 투과 측정; 및 이들의 조합들로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 추가적인 실시예들에 따라서, 증발된 재료의 제 2 부분을 제 1 검출기로 안내하는 것은 적어도 매 30분 마다, 특히 적어도 매 10분 마다 실시되고; 그리고 테스트 기판의 이동 및 제거는, 제 1 검출기의 신호 강하, 제 1 검출기의 교환, 및 증발 장치의 경고 상태로 이루어진 그룹으로부터 선택된 이벤트를 기초로 실시되고 및/또는 기껏해야 매 시간마다, 특히 기껏해야 매 12 시간들마다 실시된다.
본원에서 개시된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 추가적인 실시예들에 따라서, 제 2 측정 시스템을 이용한 측정이 기판의 이동 전에 그리고 기판의 제거 후에 층 두께의 층 두께 차이를 측정하는 것을 포함한다. 그에 의해서, 증착 레이트가 층 두께 차이와 관련됨에 따라, 테스트 기판이 한차례 초과로 특정 부분에 코팅될 수 있다. 또한 추가적으로, 광학적 측정 시스템을 이용한 측정이, 일부 실시예들에 따라, 광학적 흡수 측정; 간섭계 측정; 타원편광 측정; 포토루미네슨스 측정; 광학적 반사 측정; 광학적 투과 측정; 400 nm 미만의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 반사 측정; 400 nm 미만의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 투과 측정; 및 이들의 조합들로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.

Claims (17)

  1. 재료를 기판 상으로 증발시키기 위한 증발기로서:
    (i) 안내 수단으로서,
    증발 방향을 가진 하나 이상의 개구부 노즐을 포함하는 분배 매니폴드(distrubution manifold); 및
    상기 하나 이상의 개구부 노즐의 상기 증발 방향과 상이한 증발 방향을 가진, 상기 재료의 부분을 위한 측정 배출구를 포함하는, 안내수단;
    (ii) 상기 증발기의 증착 레이트(deposition rate)와 상호관련된 제 1 신호를 생성하도록 구성되는 제 1 측정 시스템으로서, 하나 이상의 제 1 검출기가 상기 재료에 의해서 코팅되게 배치되는, 제 1 측정 시스템;
    (iii) 상기 증발기의 증착 레이트와 상호관련된 제 2 신호를 생성하도록 구성되는 제 2 측정 시스템으로서, 상기 제 2 신호는 상기 측정 배출구의 재료의 부분을 기초로 하며, 상기 제 2 측정 시스템의 요소들은 상기 분배 매니폴드의 외부에 배열되고 이동할 수 있으며, 그리고 상기 측정 배출구는 상기 제 1 측정 시스템과 상기 제 2 측정 시스템을 위한 공통의 측정 배출구인, 제 2 측정 시스템; 및
    (iv) 테스트 기판을 위한 기판 지지부;를 포함하고,
    상기 기판 지지부는 상기 재료의 부분을 이용한 코팅 중에 테스트 기판을 유지하도록 구성되며, 상기 기판 지지부는 상기 측정 배출구와 상기 제 1 검출기 사이의 위치로부터 상기 제 1 검출기를 코팅하기 위한 위치로 상기 테스트 기판의 부분을 이동시키기 위한 액추에이터를 포함하는, 증발기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 분배 매니폴드는 분배 파이프를 포함하고, 상기 하나 이상의 개구부 노즐은 상기 분배 매니폴드 내에 제공되는, 증발기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 측정 시스템이 층 두께를 측정하도록 구성되는, 증발기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 신호를 수신하기 위해서 상기 제 2 측정 시스템에 연결된 제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기가 상기 제 1 측정 시스템을 교정하도록 구성되는, 증발기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 재료의 부분을 선택적으로 차단하기 위한 셔터를 더 포함하는, 증발기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정 배출구가 상기 안내 수단의 공급 튜브 내에 제공되는, 증발기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 검출기가 하나 이상의 발진하는 결정(oscillating crystal) 또는 4개 또는 그보다 많은 발진하는 결정들을 포함하고, 상기 제 2 측정 시스템이 전자기 복사선을 위한 공급원 및 전자기 복사선을 위한 제 2 검출기를 포함하는, 증발기.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 측정 시스템이 전자기 복사선을 위한 공급원 및 전자기 복사선을 위한 제 2 검출기를 포함하고 테스트 기판 상의 재료의 층의 두께를 측정하도록 구성되는, 증발기.
  9. 기판 상에 재료를 증착하기 위한 증발 장치로서:
    상기 기판 상에 상기 재료를 증착하기 위한 챔버; 및
    제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 증발기를 포함하고,
    상기 증발기가 상기 챔버 내에 제공되는, 증발 장치.
  10. 재료를 증발시키기 위한 제 9 항에 따른 증발 장치의 동작 방법으로서:
    (i) 개구부 노즐들을 통해서 기판 상으로 증발된 재료의 제 1 부분을 안내하는 단계;
    (ii) 측정 배출구를 통해서 제 1 검출기 상으로 증발된 재료의 제 2 부분을 안내하는 단계;
    (iii) 증발된 재료의 증착 레이트에 상응하는 신호가 생성될 수 있도록 상기 증발된 재료의 제 2 부분에 대해서 제 2 측정 시스템을 배치하는 단계로서, 제 2 검출기를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 검출기를 제공하는 단계는:
    테스트 기판 부분을 상기 증발된 재료의 제 2 부분으로 증착하기 위해서 상기 측정 배출구와 상기 제 1 검출기 사이에 상기 테스트 기판 부분을 이동시키는 단계,
    상기 측정 배출구를 통해서 상기 증발된 재료의 제 2 부분을 상기 제 1 검출기 상으로 다시 안내하기 위해서 상기 측정 배출구와 상기 제 1 검출기 사이로부터 상기 테스트 기판 부분을 제거하는 단계, 및
    광학적 측정 시스템으로 상기 테스트 기판 부분 상에 증착된 증발된 재료의 층의 층 두께에 상응하는 신호를 측정하는 단계를 포함하는, 제 2 측정 시스템을 배치하는 단계;
    (iv) 상기 제 1 검출기의 교정을 위해서 상기 신호를 이용하는 단계; 및
    (v) 상기 재료의 제 2 부분을 선택적으로 차단하기 위해서 셔터를 이동시키는 단계;를 포함하는, 증발 장치의 동작 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 측정하는 단계가, 상기 테스트 기판을 이동시키기 전의 층 두께와 상기 테스트 기판을 제거한 후의 층 두께의 층 두께 차이를 측정하는 단계를 포함하는, 증발 장치의 동작 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 광학적 측정 시스템을 이용하여 측정하는 단계가: 광학적 흡수 측정; 간섭계 측정; 타원편광 측정; 광학적 반사 측정; 광학적 투과 측정; 포토루미네슨스(photoluminescence) 측정; 400 nm 미만의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 반사 측정; 400 nm 미만의 파장을 포함하는 파장 범위 내의 광학적 투과 측정; 및 이들의 조합들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 증발 장치의 동작 방법.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100233353A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-16 Applied Materials, Inc. Evaporator, coating installation, and method for use thereof
KR20120061394A (ko) * 2010-12-03 2012-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 증발원 및 유기물 증착 방법
US9064740B2 (en) * 2011-04-20 2015-06-23 Koninklijke Philips N.V. Measurement device and method for vapour deposition applications
KR101938365B1 (ko) * 2012-07-31 2019-04-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착량 측정 방법
US9062368B2 (en) * 2012-10-16 2015-06-23 The Regents Of The University Of Michigan Method of monitoring photoactive organic molecules in-situ during gas-phase deposition of the photoactive organic molecules
EP3068922A1 (en) * 2013-11-16 2016-09-21 Nuvosun, Inc. Method for monitoring se vapor in vacuum reactor apparatus
JP6704348B2 (ja) * 2014-03-21 2020-06-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 有機材料用の蒸発源
WO2015171149A1 (en) * 2014-05-08 2015-11-12 Halliburton Energy Services, Inc. Optical transmission/reflection mode in-situ deposition rate control for ice fabrication
DE102014014970B4 (de) * 2014-10-14 2020-01-02 NICE Solar Energy GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Schichtdickenmessung für Dampfabscheideverfahren
JP6594986B2 (ja) * 2014-11-07 2019-10-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 真空堆積のための材料源アレンジメント及び材料分配アレンジメント
JP6640879B2 (ja) * 2015-06-17 2020-02-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法
KR101950959B1 (ko) * 2015-06-17 2019-02-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증착률을 측정하기 위한 방법 및 증착률 제어 시스템
JP6815390B2 (ja) * 2016-05-10 2021-01-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 堆積装置を操作する方法、蒸発した源材料を基板に堆積する方法、及び堆積装置
US10100410B2 (en) * 2016-08-05 2018-10-16 Industrial Technology Research Institute Film thickness monitoring system and method using the same
JP2020502778A (ja) * 2016-12-14 2020-01-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 堆積システム
CN107779822B (zh) * 2017-10-30 2019-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀装置与蒸镀方法
KR102662181B1 (ko) * 2018-11-28 2024-04-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증발 재료를 증착하기 위한 증착 소스, 증착 장치, 및 이를 위한 방법들
WO2020122944A1 (en) * 2018-12-14 2020-06-18 Applied Materials, Inc. Measurement assembly for measuring a deposition rate and method therefore
KR102245087B1 (ko) * 2019-07-08 2021-04-28 엘지전자 주식회사 증착 장비용 박막 두께 측정장치
EP3869534A1 (en) * 2020-02-20 2021-08-25 Bühler Alzenau GmbH In-situ etch rate or deposition rate measurement system
WO2021230859A1 (en) * 2020-05-12 2021-11-18 Applied Materials, Inc. Evaporation source, evaporation system, and method of monitoring material deposition on a substrate
CN111549319B (zh) * 2020-05-20 2022-03-29 武汉天马微电子有限公司 一种真空蒸镀系统及真空蒸镀方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3298682B2 (ja) * 1992-01-17 2002-07-02 松下電器産業株式会社 多層膜の成膜装置並びに光学特性の測定方法及び成膜方法
US20020153247A1 (en) * 2000-08-11 2002-10-24 Rtc Systems Ltd. Apparatus and method for coating substrates
JP2005001699A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 S T Chem Co Ltd 容器体
US20070248751A1 (en) * 2001-10-26 2007-10-25 Hermosa Thin Film Co., Ltd. Dynamic film thickness control system/method and its utilization
JP2008051699A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Showa Shinku:Kk 有機薄膜の膜厚測定装置及び有機薄膜形成装置
JP2009228090A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Canon Inc 蒸着装置及び蒸着源
US20100316788A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Applied Materials, Inc. Deposition rate monitor device, evaporator, coating installation, method for applying vapor to a substrate and method of operating a deposition rate monitor device

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH634424A5 (fr) * 1978-08-18 1983-01-31 Nat Res Dev Procede et appareil de detection et de commande de depot d'une pellicule fine.
JPS5751262A (en) * 1980-09-08 1982-03-26 Nec Corp Detection of thickness of vapor deposited film
DD202897A1 (de) * 1981-07-31 1983-10-05 Ulrike Ehrlich Einrichtung zum wechseln von testglaesern in vakuum-bedampfungsanlagen
JPS62142766A (ja) * 1985-12-16 1987-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成方法
DE3604624A1 (de) * 1986-02-14 1987-08-20 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Testglaswechsler zur optischen messung von schichteigenschaften in vakuumbeschichtungsanlagen
DE69309505T2 (de) * 1992-01-17 1997-07-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren und Gerät zur Herstellung mehrschichtiger Filme
JPH074922A (ja) * 1993-06-21 1995-01-10 Jasco Corp 半導体多層薄膜膜厚測定装置およびその測定方法
US6338775B1 (en) * 2000-08-07 2002-01-15 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Apparatus and method for uniformly depositing thin films over substrates
US6558735B2 (en) * 2001-04-20 2003-05-06 Eastman Kodak Company Reusable mass-sensor in manufacture of organic light-emitting devices
US6798499B2 (en) * 2001-07-18 2004-09-28 Alps Electric Co., Ltd. Method of forming optical thin films on substrate at high accuracy and apparatus therefor
DE10204075B4 (de) * 2002-02-01 2006-09-07 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung für Einrichtungen zur Bestimmung von Eigenschaften aufgebrachter Schichten
JP3802846B2 (ja) * 2002-06-20 2006-07-26 株式会社エイコー・エンジニアリング 薄膜堆積用分子線源セル
CN100482856C (zh) * 2005-05-24 2009-04-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜设备及其镀膜方法
JP2007051347A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Pentax Corp 多層膜とその形成装置及び形成方法、及び多層膜を有する光学素子
JP4737760B2 (ja) * 2006-03-31 2011-08-03 株式会社昭和真空 真空蒸着装置
JP2008115410A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Canon Inc 蒸着装置
JP5024075B2 (ja) * 2008-01-28 2012-09-12 パナソニック株式会社 真空蒸着装置
KR101018644B1 (ko) * 2008-09-05 2011-03-03 에스엔유 프리시젼 주식회사 증착장치 및 이를 이용한 증착방법
EP2469268A1 (en) * 2010-12-23 2012-06-27 Applied Materials, Inc. Evaporation system with measurement unit

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3298682B2 (ja) * 1992-01-17 2002-07-02 松下電器産業株式会社 多層膜の成膜装置並びに光学特性の測定方法及び成膜方法
US20020153247A1 (en) * 2000-08-11 2002-10-24 Rtc Systems Ltd. Apparatus and method for coating substrates
US20070248751A1 (en) * 2001-10-26 2007-10-25 Hermosa Thin Film Co., Ltd. Dynamic film thickness control system/method and its utilization
JP2005001699A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 S T Chem Co Ltd 容器体
JP2008051699A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Showa Shinku:Kk 有機薄膜の膜厚測定装置及び有機薄膜形成装置
JP2009228090A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Canon Inc 蒸着装置及び蒸着源
US20100316788A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Applied Materials, Inc. Deposition rate monitor device, evaporator, coating installation, method for applying vapor to a substrate and method of operating a deposition rate monitor device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
일본 특허공보 특허 제 3298682호(2002.07.02.) 1부. *

Also Published As

Publication number Publication date
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JP6140681B2 (ja) 2017-05-31
EP2508645A1 (en) 2012-10-10

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