JP4737760B2 - 真空蒸着装置 - Google Patents
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Description
真空槽と、
前記真空槽内に設置され電極として機能し、基板を保持する基板ドームと、
開口が形成されたモニター窓と、
前記基板ドームと前記モニター窓に高周波電力を供給し、前記真空槽内のガスをイオン化するための給電手段と、
前記モニター窓の前記開口を介して前記イオン化されたガスに曝されるモニター基板と、
成膜される材料が設置された2つの蒸発源と、を備え、
前記モニター基板に光を照射し、この光の強度の変化量を測定することによって、当該モニター基板に形成された膜の膜厚を測定し、
前記モニター窓は、小判型円錐状に形成され、この小判型の上面の一部に前記開口が設けられ、
前記モニター窓には高周波電圧が印加され、前記基板ドームと同電位である、ことを特徴とする。
ガス導入口31は、真空槽30内部にアルゴン(Ar)、酸素(O2)等の放電ガス、プロセスガス、等、任意のガスを導入する。
給電部32は、回転する基板ドーム22に高周波電圧を印加する。
基板加熱用ヒータ33は、成膜基板23を加熱する。
坩堝35には、プロセスに応じた種類の蒸着材料34が充填されている。例えばシリコン(Si)やニオブ(Nb)の酸化物等、所望の材料を用いればよく、複数の坩堝35を配置しそれぞれに異種の蒸着材料34を充填してもよい。
電子銃36は、坩堝35内の蒸着材料34に電子を衝突させ、蒸発温度まで加熱する。
ニュートラライザ38は、放電の着火と基板のチャージアップを防止するために電子を放出する。
排気口39は、真空ポンプなどの排気装置に接続され、真空槽30内のガスを排気する。
まず、基板ドーム22に成膜基板23を設置する。続いて、蒸発源には、形成する膜に応じた蒸着材料34として例えばNb2O5を充填した坩堝とSiO2を充填した坩堝を配置しておく。
続いて、また、ガス導入口31から真空槽30内にAr,O2等のガスを導入する。ガス流量を安定させ、例えば真空槽30内の圧力を10−2Pa程度の真空状態に維持する。
また、電子銃36から電子ビームを坩堝35内のNb2O5蒸着材料34へ照射し、蒸着材料34を蒸発温度まで昇温させる。
シャッター37を開くと蒸着材料34であるNb2O5は真空槽30内を飛散し、VDCに吸引されたイオンにアシストされて、成膜基板23上に堆積することで緻密なNb2O5薄膜を形成する。
成膜処理が終了すると、シャッター37を閉じると共に電子銃36、基板加熱用ヒータ33、高周波電源25、ガスの導入、およびニュートラライザ38などを停止させる。冷却後、真空槽30内に大気を導入した後、薄膜が形成された成膜基板23を取り出す。
例えば、上述した実施の形態では、モニター窓42の平面形状が楕円形である場合を例に挙げたが、蒸発源がモニター窓の真下にある場合などはこれに限られず円形等であっても良い。
21 モニター部
22 基板ドーム
23 基板
24 基板ドーム回転機構
25 高周波電源
30 真空槽
31 ガス導入口
32 給電部
33 基板加熱用ヒータ
34 蒸着材料
35 坩堝
36 電子銃
37 シャッター
38 ニュートラライザ
39 排気口
41 モニターガラス
42 モニター窓
43 投光部
44 ミラー
46 ガラス駆動部
47 受光部
Claims (1)
- 真空槽と、
前記真空槽内に設置され電極として機能し、基板を保持する基板ドームと、
開口が形成されたモニター窓と、
前記基板ドームと前記モニター窓に高周波電力を供給し、前記真空槽内のガスをイオン化するための給電手段と、
前記モニター窓の前記開口を介して前記イオン化されたガスに曝されるモニター基板と、
成膜される材料が設置された2つの蒸発源と、を備え、
前記モニター基板に光を照射し、この光の強度の変化量を測定することによって、当該モニター基板に形成された膜の膜厚を測定し、
前記モニター窓は、小判型円錐状に形成され、この小判型の上面の一部に前記開口が設けられ、
前記モニター窓には高周波電圧が印加され、前記基板ドームと同電位である、ことを特徴とする真空蒸着装置。
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