JPS6236066A - 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 - Google Patents
炭化珪素質焼結体およびその製造方法Info
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- JPS6236066A JPS6236066A JP60175143A JP17514385A JPS6236066A JP S6236066 A JPS6236066 A JP S6236066A JP 60175143 A JP60175143 A JP 60175143A JP 17514385 A JP17514385 A JP 17514385A JP S6236066 A JPS6236066 A JP S6236066A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、小型化あるいは高集積化に適した配線板用材
料としての炭化珪素質焼結体とその製造方法に関し、特
に本発明は、緻密で電気絶縁性に優れた炭化珪素質焼結
体とその製造方法に関する。
料としての炭化珪素質焼結体とその製造方法に関し、特
に本発明は、緻密で電気絶縁性に優れた炭化珪素質焼結
体とその製造方法に関する。
最近、電子工業技術の発達に伴って半導体等の電子部品
材料は、小型化あるいは高集積化が進められており、そ
のため、集積回路内における発熱量の増加に対して集積
回路の性能を確保し、高い信頼性を維持することのでき
る放熱特性に優れた配線板用材料が要求されたり、より
大きなシリコン集積回路等の半導体素子を直接載置する
ことが可能な半導体素子と熱膨張係数が近い配線板用材
料が要求されている。
材料は、小型化あるいは高集積化が進められており、そ
のため、集積回路内における発熱量の増加に対して集積
回路の性能を確保し、高い信頼性を維持することのでき
る放熱特性に優れた配線板用材料が要求されたり、より
大きなシリコン集積回路等の半導体素子を直接載置する
ことが可能な半導体素子と熱膨張係数が近い配線板用材
料が要求されている。
ところで、前述の如き要求に適応させることを目的とす
る配線板用材料に係る提案が種々なされてお□す、例え
ば、特開昭５９−６９４７４号公報に「炭化ケイ素の粉
末０〜８５重量％（ただし、０は含まず。）と、酸化カ
ルシウム、酸化ノ（リウム、酸化ストロンチウムの群か
ら選ばれる少なくとも１種の酸化物又は熱分解してそれ
ぞれの該酸化物に転化する少なくとも１揮の化合物の粉
末００１〜５重量％と、残部が窒化アルミニウムの粉末
とから成る混合粉末を、成形し、得られた成形体を１６
００〜１８２０″Ｃの温度域で焼結することを特徴とす
る高熱伝導性セラミックスの製造方法。」に係る発明が
、また特開昭５９−１１１９７８号公報に「α相の８ｉ
Ｃ原料粉に１０重量％以下のＡｌＮ粉を添加し、焼結し
てなる電気絶縁性放熱基板材料。」に係る発明が開示さ
れている。
る配線板用材料に係る提案が種々なされてお□す、例え
ば、特開昭５９−６９４７４号公報に「炭化ケイ素の粉
末０〜８５重量％（ただし、０は含まず。）と、酸化カ
ルシウム、酸化ノ（リウム、酸化ストロンチウムの群か
ら選ばれる少なくとも１種の酸化物又は熱分解してそれ
ぞれの該酸化物に転化する少なくとも１揮の化合物の粉
末００１〜５重量％と、残部が窒化アルミニウムの粉末
とから成る混合粉末を、成形し、得られた成形体を１６
００〜１８２０″Ｃの温度域で焼結することを特徴とす
る高熱伝導性セラミックスの製造方法。」に係る発明が
、また特開昭５９−１１１９７８号公報に「α相の８ｉ
Ｃ原料粉に１０重量％以下のＡｌＮ粉を添加し、焼結し
てなる電気絶縁性放熱基板材料。」に係る発明が開示さ
れている。
しかしながら、前述の発明において使用されている炭化
珪素粉末は、いずれもα型炭化珪素であって、β型炭化
珪素粉末を出発原料として使用し、緻密で電気絶縁性に
優れた炭化硅素質焼結体を製造する方法については何ら
記載されていない。
珪素粉末は、いずれもα型炭化珪素であって、β型炭化
珪素粉末を出発原料として使用し、緻密で電気絶縁性に
優れた炭化硅素質焼結体を製造する方法については何ら
記載されていない。
本発明者は、β型炭化珪素を主として含有する炭化珪素
粉末を出発原料として使用し、電気絶縁性を有する配線
板に適した炭化硅素質焼結体を製造すべく種々研究した
結果、β型炭化珪素を主として含有する炭化珪素粉末に
特定量のアルミニウムオキシナイトライドを配合した混
合粉末を出発原料として使用し、緻密化後あるいは緻密
化時にアルミニウムオキシナイトライドを熱分解させ、
結晶粒界にＡｌＮ層を形成することによって、緻密で電
気絶縁性に優れた炭化珪素質焼結体を製造できることを
新規に知見し、本発明を完成した。
粉末を出発原料として使用し、電気絶縁性を有する配線
板に適した炭化硅素質焼結体を製造すべく種々研究した
結果、β型炭化珪素を主として含有する炭化珪素粉末に
特定量のアルミニウムオキシナイトライドを配合した混
合粉末を出発原料として使用し、緻密化後あるいは緻密
化時にアルミニウムオキシナイトライドを熱分解させ、
結晶粒界にＡｌＮ層を形成することによって、緻密で電
気絶縁性に優れた炭化珪素質焼結体を製造できることを
新規に知見し、本発明を完成した。
本発明は、結晶粒界にＡｌＮ層が存在し、密度が２．８
９／ｃ４以上、電気抵抗率が１０９Ωｔ’ｍ以上、熱膨
張係数が８〜５ Ｘ １０””’／’Ｃの範囲内である
ことを特徴とする炭化珪素質焼結体およびその製造方法
である。
９／ｃ４以上、電気抵抗率が１０９Ωｔ’ｍ以上、熱膨
張係数が８〜５ Ｘ １０””’／’Ｃの範囲内である
ことを特徴とする炭化珪素質焼結体およびその製造方法
である。
以下、本発明の炭化珪素質焼結体を詳細に説明する。
本発明の炭化珪素質焼結体は、結晶粒界にＡｌｌＮ層が
存在するものであることが必要である。その理由は、結
晶粒界にＡｌＮ層を存在せ□しめた炭化珪素質焼結体は
電気絶縁性に極めて優れており、配線板用材料として極
めて好適であるからである。
存在するものであることが必要である。その理由は、結
晶粒界にＡｌＮ層を存在せ□しめた炭化珪素質焼結体は
電気絶縁性に極めて優れており、配線板用材料として極
めて好適であるからである。
本発明の炭化珪素質焼結体は、ＡｌＮを２〜２０重量％
含有するものであることが好ましい。ぞの理由は、Ａ、
ｌＨの含有量が２重母゛％より低い、と炭化珪素質焼結
体に電気絶縁性を付与するととが困難になるからであり
、一方２０重量％よりも多いと炭化珪素質焼結体の熱膨
張係数が大きくな、るため、シリコン等の半′導体素子
を直接載置する配線板としての適用が困難になるからで
ある。 パ゛本発明の炭化珪素質焼結体は、熱
膨張係数が３〜５ Ｘ １０”−’ｆＣの範囲内である
ことが必要である。
含有するものであることが好ましい。ぞの理由は、Ａ、
ｌＨの含有量が２重母゛％より低い、と炭化珪素質焼結
体に電気絶縁性を付与するととが困難になるからであり
、一方２０重量％よりも多いと炭化珪素質焼結体の熱膨
張係数が大きくな、るため、シリコン等の半′導体素子
を直接載置する配線板としての適用が困難になるからで
ある。 パ゛本発明の炭化珪素質焼結体は、熱
膨張係数が３〜５ Ｘ １０”−’ｆＣの範囲内である
ことが必要である。
その理由は、シリコン集積回路の熱膨張係数が約８Ｘｌ
Ｏ／”Ｃであることから、炭化珪素質焼結体の熱膨張係
数が前記３〜５ＸｌＯ−’／’Ｃの範囲外であるとシリ
コン集積回路を直接載置することが困難になるからであ
る。
Ｏ／”Ｃであることから、炭化珪素質焼結体の熱膨張係
数が前記３〜５ＸｌＯ−’／’Ｃの範囲外であるとシリ
コン集積回路を直接載置することが困難になるからであ
る。
なお前記熱膨張係数は０℃から４００℃の範囲内の値で
ある。
ある。
本発明の炭化珪素質焼結体は、電気抵抗率が１０Ωｃｍ
以、上であることが必要である。その理由は、前記配線
板用炭化珪素質焼結体の電気抵抗率が１０Ωｃｍより低
いと電気絶縁性を維持することが困難であるからであり
、特に信頼性の要求される用途に対してはｔｏｌ（ｌΩ
ｃｍ以上の電気抵抗率を有するものであるこ主が有利で
ある。
以、上であることが必要である。その理由は、前記配線
板用炭化珪素質焼結体の電気抵抗率が１０Ωｃｍより低
いと電気絶縁性を維持することが困難であるからであり
、特に信頼性の要求される用途に対してはｔｏｌ（ｌΩ
ｃｍ以上の電気抵抗率を有するものであるこ主が有利で
ある。
本発明の炭化珪素質焼結体は、密度が２．８ｇ／ｃｍ３
以上であることが必要である。その理由は、前押密度が
２．８ｆ／ｄより低いと熱伝導率が低くなるため熱放散
特性が劣化するばかりでなく、配線板として不可欠な気
体不透過性を維持することが困難であるからである。
以上であることが必要である。その理由は、前押密度が
２．８ｆ／ｄより低いと熱伝導率が低くなるため熱放散
特性が劣化するばかりでなく、配線板として不可欠な気
体不透過性を維持することが困難であるからである。
ところで、特開昭５８−９１０６６号公報に「徽細な炭
化珪素粒子から本質的になり、これらの炭化珪素粒界に
はアルミニウムオキシナイトライド結晶が存在している
ことで特徴づけられている炭化珪素質焼結体。」及びそ
の製造法に係る発明が開示されている。しかしながら、
この発明は、結晶粒界にアルミニウムオキシナイトライ
ド結晶が存在する炭化珪素質焼結体及びその製造方法で
あるのに対して、本願発明は、結晶粒界にＡｌＮ層がひ
在する炭化珪素質焼結体およびその製造方法に係る発明
であって焼結体の組成が全く異なるものである。
化珪素粒子から本質的になり、これらの炭化珪素粒界に
はアルミニウムオキシナイトライド結晶が存在している
ことで特徴づけられている炭化珪素質焼結体。」及びそ
の製造法に係る発明が開示されている。しかしながら、
この発明は、結晶粒界にアルミニウムオキシナイトライ
ド結晶が存在する炭化珪素質焼結体及びその製造方法で
あるのに対して、本願発明は、結晶粒界にＡｌＮ層がひ
在する炭化珪素質焼結体およびその製造方法に係る発明
であって焼結体の組成が全く異なるものである。
以下、本発明の炭化珪素質焼結体の製造方法について説
明する。
明する。
本発明によれば、炭化珪素粉末１００重量部と５〜４５
重量部のアルミニウムオキシナイトライドを均質に混合
した混合粉末を成形し、得られた成形体を１６００〜２
２００℃の温度範囲内で焼成し、緻密化後あるいは緻密
化時に炭化珪素の結晶粒界等に存在するアルミニウムオ
キシナイトライドを熱分解してｋｌＮと成し、結晶粒界
にＡｇＮ層を形成せしめることにより、炭化珪素質焼結
体を製造することができる。
重量部のアルミニウムオキシナイトライドを均質に混合
した混合粉末を成形し、得られた成形体を１６００〜２
２００℃の温度範囲内で焼成し、緻密化後あるいは緻密
化時に炭化珪素の結晶粒界等に存在するアルミニウムオ
キシナイトライドを熱分解してｋｌＮと成し、結晶粒界
にＡｇＮ層を形成せしめることにより、炭化珪素質焼結
体を製造することができる。
本発明によれば、炭化珪素粉末１００重量部と５〜４５
重量部のアルミニウムオキシナイトライドを均質に混合
した混合粉末を成形して焼結することが必要である。
重量部のアルミニウムオキシナイトライドを均質に混合
した混合粉末を成形して焼結することが必要である。
前記アルミニウムオキシナイトライドを炭化硅素粉末１
００重量部に対して５〜４５重量部重間部る理由は、前
記アルミニウムオキシナイトライドの配合量が６重量部
より少ないと炭化珪素質焼結、体の緻密化を促進する効
果が不充分で緻密質の焼結体となすことが困難であり、
しかも粒界に存在させられるｋｌＮ 層の鎗が少なくな
るため、電気絶縁性に優れた炭化珪素焼結体を製造する
ことが困難であるからであり、一方４５重量部より多い
と実質的に結晶粒界に存在するＡ＃Ｊ層の瓜が多くなる
ため、焼結体の熱膨張係数が太き（なり、シリコン集積
回路を直接ａ＠する配線板としての適用が困難になるか
らである。
００重量部に対して５〜４５重量部重間部る理由は、前
記アルミニウムオキシナイトライドの配合量が６重量部
より少ないと炭化珪素質焼結、体の緻密化を促進する効
果が不充分で緻密質の焼結体となすことが困難であり、
しかも粒界に存在させられるｋｌＮ 層の鎗が少なくな
るため、電気絶縁性に優れた炭化珪素焼結体を製造する
ことが困難であるからであり、一方４５重量部より多い
と実質的に結晶粒界に存在するＡ＃Ｊ層の瓜が多くなる
ため、焼結体の熱膨張係数が太き（なり、シリコン集積
回路を直接ａ＠する配線板としての適用が困難になるか
らである。
前記アルミニウムオキシナイトライドとしては、粒径が
２０μｍ程度以下のものが有利に使用できる。
２０μｍ程度以下のものが有利に使用できる。
前述のアルミニウムオキシナイトライドが炭化珪素質焼
結体の緻密化を促進するメカニズムとしては、炭化珪素
の焼結時にアルミニウムオキシナイトライドの液相が介
在し、炭化珪素の拡散を促進させる効果によるものと考
えられる。
結体の緻密化を促進するメカニズムとしては、炭化珪素
の焼結時にアルミニウムオキシナイトライドの液相が介
在し、炭化珪素の拡散を促進させる効果によるものと考
えられる。
なお、本発明によれば、前記アルミニウムオキシナイト
ライドの他に焼結助剤としてＡｌｚＯｓ、５ｉＯｚ、Ｚ
ｒ０ｔ、ＥｕｚＯａあるいはＡｌから選択サレるいずれ
かを配合することもできる。
ライドの他に焼結助剤としてＡｌｚＯｓ、５ｉＯｚ、Ｚ
ｒ０ｔ、ＥｕｚＯａあるいはＡｌから選択サレるいずれ
かを配合することもできる。
本発明によれば、前記炭化珪素粉末は、α型、β型およ
び非晶室のいずれの結晶系であっても使用することがで
きるが、特に電気抵抗率や熱膨張係数を所望の範囲内に
制御した焼結体を製造する場合には、β型炭化珪素を５
０重量％以上含有する炭化珪素粉末を使用することが好
ましい。その理由は、β型炭化珪素は焼結性に極めて優
れており、比較的容易に高密度の焼結体を得ることがで
きるからである。なお、前記炭化珪素粉末は平均粒径が
５μｍ程度以下のものが特に有利である。
び非晶室のいずれの結晶系であっても使用することがで
きるが、特に電気抵抗率や熱膨張係数を所望の範囲内に
制御した焼結体を製造する場合には、β型炭化珪素を５
０重量％以上含有する炭化珪素粉末を使用することが好
ましい。その理由は、β型炭化珪素は焼結性に極めて優
れており、比較的容易に高密度の焼結体を得ることがで
きるからである。なお、前記炭化珪素粉末は平均粒径が
５μｍ程度以下のものが特に有利である。
本発明によれば、前記成形体を１６００〜２２００℃の
温度範囲内で焼結することが必要である。その理由は、
焼結温度が１６００℃よりも低いと本発明の目的とする
電気絶縁性に優れた焼結体を得ることが困難になるから
であり、一方２２００℃より高いとＡＪＮが揮散して結
晶粒界に存在するＡｌＮ３の量が少な（なり易いからで
ある。
温度範囲内で焼結することが必要である。その理由は、
焼結温度が１６００℃よりも低いと本発明の目的とする
電気絶縁性に優れた焼結体を得ることが困難になるから
であり、一方２２００℃より高いとＡＪＮが揮散して結
晶粒界に存在するＡｌＮ３の量が少な（なり易いからで
ある。
焼結時の雰囲気は、炭化珪素１、アルミニウムオキシナ
イトライドおよびＡｌＮと反応しない非酸化性雰囲気で
あればよく、例えばアルゴンガス雰囲気とすることが有
利であり、他に必要により減圧条件とすることができる
。
イトライドおよびＡｌＮと反応しない非酸化性雰囲気で
あればよく、例えばアルゴンガス雰囲気とすることが有
利であり、他に必要により減圧条件とすることができる
。
本発明における焼結方法としては、常圧焼結法、加圧焼
結法のいずれも適用することができるが、なかでもカー
ボン質の型に成形体を入れてこれを加圧しながら焼結す
る加圧焼結法を適用することが有利であり、またホット
アイソスタティックプレス法を適用することもできる。
結法のいずれも適用することができるが、なかでもカー
ボン質の型に成形体を入れてこれを加圧しながら焼結す
る加圧焼結法を適用することが有利であり、またホット
アイソスタティックプレス法を適用することもできる。
本発明によれば、前記成形体の緻密化後あるいは緻密化
時に炭化珪素の結晶粒界等に存在するアルミニウムオキ
シナイトライドを熱分解してＡｌＮと成し、結晶粒界に
Ａ１８層を形成せしめることが必要である。その理由は
、焼結体内にアルミニウムオキシナイトライドが多量に
存在すると本発明の目的とする電気絶縁性に優れた炭化
珪素質焼結体と成すことは困難であるが、緻密化後ある
いは緻密化時にアルミニウムオキシナイトライドを熱分
解してＡｌＮと成すことにより、極めて電気絶縁性に優
れた炭化珪素質焼結体と成すことができるからである。
時に炭化珪素の結晶粒界等に存在するアルミニウムオキ
シナイトライドを熱分解してＡｌＮと成し、結晶粒界に
Ａ１８層を形成せしめることが必要である。その理由は
、焼結体内にアルミニウムオキシナイトライドが多量に
存在すると本発明の目的とする電気絶縁性に優れた炭化
珪素質焼結体と成すことは困難であるが、緻密化後ある
いは緻密化時にアルミニウムオキシナイトライドを熱分
解してＡｌＮと成すことにより、極めて電気絶縁性に優
れた炭化珪素質焼結体と成すことができるからである。
前記緻密化後あるいは緻密化時にアルミニウムオキシナ
イトライドを熱分解せしめる方法としては、例えば緻密
化後雰囲気の温度をさらに昇温する方法あるいは緻密化
時の温度で長時間維持する方法を適用することができ、
また必要により減圧することもできる。
イトライドを熱分解せしめる方法としては、例えば緻密
化後雰囲気の温度をさらに昇温する方法あるいは緻密化
時の温度で長時間維持する方法を適用することができ、
また必要により減圧することもできる。
本発明によれば、密度が２．８１／ｃＡ以上、電気抵抗
率が１０９Ωα以上、体積膨張係数が８〜５×１０６／
／Ｃの範囲内の炭化珪素質焼結体を製造することができ
る。
率が１０９Ωα以上、体積膨張係数が８〜５×１０６／
／Ｃの範囲内の炭化珪素質焼結体を製造することができ
る。
次に本発明を実施例および比較例によって説明する。
実施例１
平均粒径が０．２８μｍ１β型結晶の含有率が９４．６
重量％の炭化珪素粉末１００重屋部に対し、平均粒径が
約１０μｍのアルミニウムオキシナイトライド粉末２５
重量部、ポリビニルアルコール５重量部、ベンゼン４５
Ｏｍｆａ部を配合し、ボールミル中で５時間混合した後
噴霧乾燥した。なお、前記炭化珪素粉末は遊離炭素を０
．２９重量％、酸素を０．１７重量％、鉄を０．０３重
量％、アルミニウムを０．０３Ｍ量％含有していた。
重量％の炭化珪素粉末１００重屋部に対し、平均粒径が
約１０μｍのアルミニウムオキシナイトライド粉末２５
重量部、ポリビニルアルコール５重量部、ベンゼン４５
Ｏｍｆａ部を配合し、ボールミル中で５時間混合した後
噴霧乾燥した。なお、前記炭化珪素粉末は遊離炭素を０
．２９重量％、酸素を０．１７重量％、鉄を０．０３重
量％、アルミニウムを０．０３Ｍ量％含有していた。
この乾燥物を適量採取し、金属製押し型を用いて８００
ｋｌｆ／ｃ１１の圧力で成形し成形体とした。この成形
体をカーボン製の型に装入し、アルゴンガス雰囲気中で
２０００℃，３００に９ｆ／ｄの条件で２時間加圧焼結
した。
ｋｌｆ／ｃ１１の圧力で成形し成形体とした。この成形
体をカーボン製の型に装入し、アルゴンガス雰囲気中で
２０００℃，３００に９ｆ／ｄの条件で２時間加圧焼結
した。
得られた焼結体の密度は８．１８ｆ／ｃ−ｊ、電気抵抗
率はＩ Ｘ １０”Ωｃｍ、熱膨張係数は４．ＯＸ ｌ
Ｏ−’／’Ｃであり、配線板用材料として極めて好適
な特性を有していた。
率はＩ Ｘ １０”Ωｃｍ、熱膨張係数は４．ＯＸ ｌ
Ｏ−’／’Ｃであり、配線板用材料として極めて好適
な特性を有していた。
」Ｑｌｌへ」」■ｕ−
実施例１と同様であるが、第１表に示したように配合割
合、焼結条件を変えて焼結体を製造した。
合、焼結条件を変えて焼結体を製造した。
得られた焼結体の特性は第１表に示した。
実施例３
実施例１と同様であるが、平均粒径が０．８μｍで純度
が９９重量％以上のα型炭化珪素を第１表に示す如き配
合割合で使用し、焼成温度を２１００℃に高めて焼結体
を製造した。
が９９重量％以上のα型炭化珪素を第１表に示す如き配
合割合で使用し、焼成温度を２１００℃に高めて焼結体
を製造した。
得られた焼結体の特性は第１表に示した。
第１表に示した結果よりわかるように、本発明の実施例
において製造された焼結体はいずれも配線板用材料とし
て好適な特性を有していた。
において製造された焼結体はいずれも配線板用材料とし
て好適な特性を有していた。
以上述べた如く、本発明の炭化珪素質焼結体は、緻密で
電気絶縁性および熱伝導性に優れており、シリコン集栢
回路等の半導体素子を直接に載置することのできるもの
であって、電子部品の小型化あるいは高集積化に極めて
適している材料であり、産業上極めて有用である。
電気絶縁性および熱伝導性に優れており、シリコン集栢
回路等の半導体素子を直接に載置することのできるもの
であって、電子部品の小型化あるいは高集積化に極めて
適している材料であり、産業上極めて有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、結晶粒界にＡｌＮ層が存在し、密度が２．８ｇ／ｃ
ｍ＾３以上、電気抵抗率が１０＾９Ωｃｍ以上、熱膨張
係数が３〜５×１０＾−＾６／℃の範囲内であることを
特徴とする炭化珪素質焼結体。 ２、前記炭化珪素質焼結体は、ＡｌＮを２〜２０重量％
含有する特許請求の範囲第１項記載の炭化珪素質焼結体
。 ３、炭化珪素粉末１００重量部と５〜４５重量部のアル
ミニウムオキシナイトライドを均質に混合した混合粉末
を成形し、得られた成形体を１６００〜２２００℃の温
度範囲内で焼成し、緻密化後あるいは緻密化時に炭化珪
素の結晶粒界等に存在するアルミニウムオキシナイトラ
イドを熱分解してＡｌＮと成し、結晶粒界にＡｌＮ層を
形成せしめることを特徴とする炭化珪素質焼結体の製造
方法。 ４、前記炭化珪素質焼結体は、密度が２．８ｇ／ｃｍ＾
３以上、電気抵抗率が１０＾９Ωｃｍ以上、熱膨張係数
が３〜５×１０＾−＾６／℃の範囲内である特許請求の
範囲第３項記載の製造方法。 ５、前記炭化珪素粉末は、β型炭化珪素を５０重量％以
上含有する炭化珪素粉末である特許請求の範囲第３ある
いは４項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175143A JPS6236066A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175143A JPS6236066A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236066A true JPS6236066A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=15991036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175143A Pending JPS6236066A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236066A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007270332A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Showa Shinku:Kk | 真空蒸着装置 |
| JP2012119675A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-06-21 | Kitagawa Ind Co Ltd | 電子回路及びヒートシンク |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5891059A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | 株式会社東芝 | 複合セラミツクス焼結体及びその製造方法 |
| JPS5921577A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-03 | 黒崎窯業株式会社 | 炭化珪素粉末成形体の焼結方法 |
| JPS59190268A (ja) * | 1983-12-16 | 1984-10-29 | 旭硝子株式会社 | 炭化ケイ素質焼結体用組成物 |
| JPS61251575A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | イビデン株式会社 | 炭化珪素質焼結体とその製造方法 |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP60175143A patent/JPS6236066A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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