JPS61251575A - 炭化珪素質焼結体とその製造方法 - Google Patents

炭化珪素質焼結体とその製造方法

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JPS61251575A
JPS61251575A JP60094479A JP9447985A JPS61251575A JP S61251575 A JPS61251575 A JP S61251575A JP 60094479 A JP60094479 A JP 60094479A JP 9447985 A JP9447985 A JP 9447985A JP S61251575 A JPS61251575 A JP S61251575A
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JP
Japan
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silicon carbide
sintered body
weight
powder
parts
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JP60094479A
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山内 英俊
枝 和男
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、小型化あるいは高集積化に適した配線板用材
料としての炭化珪素質焼結体とその製造方法に関し、特
に本発明は、緻密で電気絶縁性に優れた炭化珪素質焼結
体とその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
最近、電子工業技術の発達に伴って半導体等の電子部品
材料は、小型化あるいは高集積化が進められており、そ
のため、集積回路内における発熱量の増加に対して集積
回路の性能を確保し、高い信頼性を維持することのでき
る放熱特性に優れた配線板用材料が要求されたり、シリ
コン集積回路などを直接載置することができ、パラケー
ジを使用することなく*=することのできる配線板用材
料が要求されている。
ところで、前述の如き要求に適応させることを目的とす
る配線板用材料に係る提案が種々なされており、例えば
、特開昭59−69474号公報に[炭化ケイ素の粉末
0〜85重量%(ただし、0は含まず。)と、酸化力y
シウム、酸化バリウム、酸化ストロンチウムの群から選
ばれる少なくとも1種の酸化物又は熱分解してそれぞれ
の該酸化物に転化する少なくとも1種の化合物の粉末0
.1〜5重量%と、残部が窒化アルミニウムの粉末とか
ら成る混合粉末を、成形し、得られた成形体を1600
〜1820℃の温度域で焼結することを特徴とする高熱
伝導性セラミックスの製造方法。」に係る発明が、また
特開昭59−111978号公報に「α相のSiC原料
粉に10重量%以下のAJN粉を添加し、焼結してなる
電気絶縁性放熱基板材料。」に係る発明が開示されてい
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、前述の発明において使用されている炭化
珪素粉末は、いずれもα型炭化珪素であって、β型脚化
珪素粉末を出発原料として使用し、緻密で電気絶縁性に
優れた炭化珪素質焼結体を製造する方法については何ら
記載されていない。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者は、β型炭化珪素を主として含有する炭化珪素
粉末を出発原料として使用し、電気絶縁性を有する配線
板に適した炭化珪素質焼結体を製造すべく種々研究した
結果、β型炭化珪素を主として含有する炭化珪素粉末に
特定量のAJNおよび焼結助剤を配合した混合粉末を出
発原料として使用することによって、緻密で電気絶縁性
に優れた炭化珪素質焼結体を製造できることを新規に知
見し、本発明を完成した。
本発明は、AJNを2〜30重量%含有し、密度が18
υ−以上、電気抵抗率が10”01以上・熱膨張係数が
8〜5 X 10−’/”0の範囲内であることを特徴
とする炭化珪素質焼結体とその製造方法である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の炭化珪素質焼結体は、klNを2〜30重量%
含有することが必要である。前記AA’Nを含有せしめ
る理由は、klNを炭化珪素質焼結体く含有せしめるこ
とによって電気絶縁性に優れた炭化珪素質焼結体を製造
することができるからであり、また前記AlNの含有量
を2〜aO重量%の範囲内に限定する理由は、klNの
含有量が2重量%よりも低いと炭化珪素質焼結体に電気
絶縁性を付与することが困難になるからであり、一方3
0重量%よりも多いと炭化珪素質焼結体の熱膨張係数が
大きくなるため、シリコン集積回路を直接載置する配線
板としての適用が困難になるからである。
本発明の炭化珪素質焼結体は、熱膨張係数が8〜5 X
 10−’/℃の範囲内であることが必要である。
その理由は、シリコン集積回路の熱膨張係数が約8×1
0″″γ℃であることから、炭化珪素質焼結体の熱膨張
係数が前記8〜5×10−γ℃の範囲外であるとシリコ
ン集積回路を直接載置することが困難になるからである
なお前記熱膨張係数は0℃から400℃の範囲内の値で
ある。
本発明の炭化珪素質焼結体は、電気抵抗率がl Q ”
 Qx以上であることが必要である。その理由は、前記
配線板用炭化珪素質焼結体の電気抵抗率が100mより
低いと電気絶縁性を維持することが困難であるからであ
り、特に信頼性の要求される用途に対しては10”Ωc
m以上の電気抵抗率を有するものであることが有利であ
る。
本発明の炭化珪素質焼結体は、密度が2.8か8以上で
あることが必要である。その理由は、前記密度がL8 
f/dより低いと熱伝導率が低くなるため熱放散特性が
劣化するばかりでなく、配線板とじて不可欠な気体不透
過性を維持することが困難であるからである。
次に本発明の炭化珪素質焼結体の製造方法について説明
する。
本発明によれば、炭化珪素粉末100重量部と2〜45
重量部のAlN粉末と0.5〜20重量部の焼結助剤を
均質混合した混合粉末を成形し、得られた成形体を16
00〜2200℃の温度範囲内で焼結することによって
、密度が2.8g/cm3以上、電気抵抗率が10’m
以上、熱膨張係数が8〜5×10ブ/Cの範囲内の炭化
珪素質焼結体を製造することができる。
本発明によれば、炭化珪素粉末100重量部と2〜45
重量部のAlN粉末と0.5〜20重量部の焼結助剤を
均質混合した混合粉末を成形して焼結することが必要で
ある。
前記klN粉末を炭化珪素粉末100重量部に対して2
〜45重量部配置部る理由は、前記人lN粉末の配合量
が2重量部より少ないと電気絶縁性を有する炭化珪素質
焼結体を製造することが困難であるからであり、一方4
5重量部より多いと得られる炭化珪素質焼結体の熱膨張
係数が大きくなるため、シリコン集積回路を直接載置す
る配線板としての適用が困難になるからである。前記A
lN粉末としては、粒径が20μm程度以下のものが有
利に使用できる。
前記焼結助剤を炭化珪素粉末100重鳳部に対して0.
5〜20重量部配置部る理由は、前記焼結助剤の配合量
が0.6重量部より少ないと焼結助剤としての効果が充
分発揮されないため高密度の焼結体となすことが困難で
あるからであり、一方20重量部より多いと焼結体中に
残存する不純物量が多くなるため、炭化珪素質焼結体の
物性が低下するからである。前記焼結助剤としてはk1
20s、8i(h、ZrO2,BuzzsあるいはAl
から選ばれるいずれか少なくとも1種を使用することが
好ましい。
本発明によれば、前記炭化珪素粉末は、α型、β型およ
び非晶質のいずれの結晶系であっても使用することがで
きるが、特に電気抵抗率や熱膨張係数を所望の範囲内に
制御した焼結体を製造する場合には、β型炭化珪素を5
0重量%以上含有する炭化珪素粉末を使用することが好
ましい。その理由は、β型炭化珪素は焼結性に極めて優
れており、比較的容易に高密度の焼結体を得ることがで
きるからである。なお、前記炭化珪素粉末は平均粒径が
5μm程度以下のものが特に有利である。
本発明によnば、前記成形体を1600〜2200℃の
温度範囲内で焼結することが必要である。その理由は、
焼結温度が1600℃よゆも低いと本発明の2.8g/
cm3以上の密度を有する焼結体を得ることが困難であ
るからであり、一方2200°Cより高いと焼結体の電
気抵抗率が低下するため、本発明の目的とする電気絶縁
性を有する焼結体を製造することが困難になるからであ
る。
焼結時の雰囲気は、炭化珪素およびAlNと反応しない
非酸化性雰囲気であればよ(、例えばアルゴンガス雰囲
気とすることが有利である。
焼結方法としては、例えばカーボン質の型に成形体を入
れてこnを加圧しながら焼結するホットプレス法を適用
することが有利であり、またホットアイソスタテイクジ
レス法を適用することもできる。
次に本発明を実施例によって説明する。
実施例1 平均粒径が0.28μm、β型結晶の含有率が94.6
重量%の炭化珪素粉末100重量部に対し、平均粒径が
約6μm f) AlN粉末を25重量部と平均粒径が
0.5μmのA/zOs粉末を12重量部、ポリビニル
アルコール5重量部、ベンゼン450重量部を配合し、
ボールミル中で5時間混合した後噴霧乾燥した。なお、
前記炭化珪素粉末は遊離炭素を0.29重量%、酸素を
0.17重量%、鉄を0.08重量%、アVミニウムt
−o、oa重量%含有しており、また前記AIINは酸
素t−1,0重量%含有していた。
この乾燥物を適量採取し、金属製押し型を用いて300
に9f/dの圧力で成形し成形体とした。この成形体を
カーボン族の型に装入し、アルゴンガス雰囲気中で20
00℃、3004f肩の条件で2時間加圧焼結した。
得られた焼結体の密度は8.20f/e4. を気抵抗
率は9 X 10”Ωα、熱膨張係数は4. OX 1
0−’/℃であり、配線板用材料として極めて好適な特
性を有していた。
実施例2 実施例1と同様であるが、第1表に示したように配合殴
合、配合割合、焼結条件を変えて焼結体を製造した。
得られた焼結体の特性は第り表に示した。第1表に示し
た結果よりわかるように1、発明の名称例において製造
された焼結体はいずれも配線板用材料とじて好適な特性
を有していた。
冥施例8 実施例1と同様であるが、平均粒径が0.8μmで純度
が99重量%以上のα型次化珪素粉末を使用し、焼成温
度を2100°Cに高めて焼結体を製造した。
得られた焼結体の密度は8.19 Vd、電気抵抗率は
8×lθ町−1熱膨張係数は4. OX 10”−’/
”Cであり、配線板用材料として好適な特性を有してい
た。
〔発明の効果〕
以上述べた如く、本発明の炭化珪素質焼結体は、緻密で
電気抵抗率が高く電気絶縁性に優れており、シリコン集
積回路を直接に載置することができるものであって、電
子部品の小型化あるいは高集積化に極めて適している材
料であり、産業上極めて有用である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、AlNを2〜30重量%含有し、密度が2.8g/
    cm^3以上、電気抵抗率が10^8Ωcm以上、熱膨
    張係数が3〜5×10^−^6/Cの範囲内であること
    を特徴とする炭化珪素質焼結体。 2、炭化珪素粉末100重量部と2〜45重量部のAl
    N粉末と0.5〜20重量部の焼結助剤を均質混合した
    混合粉末を成形し、得られた成形体を1600〜220
    0℃の温度範囲内で焼結し、密度が2.8g/cm^3
    以上、電気抵抗率が10^8Ωcm以上、熱膨張係数が
    3〜5×10^−^6/℃の範囲内の炭化珪素質焼結体
    となすことを特徴とする炭化珪素質焼結体の製造方法。 3、前記炭化珪素粉末は、β型炭化珪素を50重量%以
    上含有する炭化珪素粉末である特許請求の範囲第1項記
    載の製造方法。 4、前記焼結助剤は、Al_2O_3、SiO_2、Z
    rO_2、Eu_2O_3あるいはAlより選ばれるい
    ずれか少なくとも1種である特許請求の範囲第1項記載
    の製造方法。
JP60094479A 1985-04-30 1985-04-30 炭化珪素質焼結体とその製造方法 Pending JPS61251575A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6236066A (ja) * 1985-08-08 1987-02-17 イビデン株式会社 炭化珪素質焼結体およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6236066A (ja) * 1985-08-08 1987-02-17 イビデン株式会社 炭化珪素質焼結体およびその製造方法

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