JPH0566904B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0566904B2 JPH0566904B2 JP62154323A JP15432387A JPH0566904B2 JP H0566904 B2 JPH0566904 B2 JP H0566904B2 JP 62154323 A JP62154323 A JP 62154323A JP 15432387 A JP15432387 A JP 15432387A JP H0566904 B2 JPH0566904 B2 JP H0566904B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- group
- weight
- thermal conductivity
- stearic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 12
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 10
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- -1 stearic acid compound Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- MUJOIMFVNIBMKC-UHFFFAOYSA-N fludioxonil Chemical compound C=12OC(F)(F)OC2=CC=CC=1C1=CNC=C1C#N MUJOIMFVNIBMKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
[産業上の利用分野]
本発明は高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体
の製造方法に関する。 [従来の技術] エレクトロニクスの分野における急激な技術の
発達は、半導体デバイスの小型化ばかりでなく、
高出力化、高集積度化をも同時に可能なものとし
てきている。また、単一の基板上に、半導体デバ
イスの高密度な実装方法も研究されている。例え
ばパワーダイオード、パワートランジスタ、半導
体レーザー、LSIさらにはVLSIなどである。 高出力化、高集積度化あるいは高密度実装化す
る半導体デバイスは、単位面積、単位体積当りの
発熱量が大きくなるという問題がある。現在のと
ころ、半導体デバイスから発生する熱は、熱伝導
率の良いダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、酸化
ベリリウム、絶縁性炭化ケイ素などを、ヒートシ
ンクやパツケージ材料の一部として用いて散逸さ
せる方法がとられている。しかし、上記の良熱伝
導性材料には安全性、製造に要するコスト、生産
の絶対値などの観点から見た場合、必ずしも十分
とは言えない。 発熱量の大きい半導体デバイスの実用化に対し
て低コストで供給量の大きな高熱伝導性材料が必
要となつてきている。 [発明が解決しようとする問題点] そこで、本発明者らは低コストで供給量の大き
な高熱伝導性材料として窒化アルミニウムに着目
した。 素材としての窒化アルミニウムは、その結晶構
造から、サフアイヤの8倍近くの熱伝導率を有す
るものと考えられていたが、測定値は50W/mk
程度のものであつた。窒化アルミニウムの焼結体
の熱伝導率が、理論値(320W/mk)の1/6程度
の値を示す。この原因としては、結晶粒界や不純
物あるいは格子欠陥が影響するためと考えられて
いる。特に窒化アルミニウム結晶粒中の酸素の存
在が、熱伝導率の低下に大きな影響を与えてい
る。この問題を解決する一つの方法として、各種
の化合物を添加し、焼結を行い、主に粉末表面に
存在する酸素を添加剤によりトラツプする方法が
行われいる。しかしこの方法においても未だ不十
分であり、熱伝導率が100W/mk程度の焼結体
しか得られていないのが現状である。 本発明は熱伝導率が150W/mkを超える窒化
アルミニウム焼結体を得ることを目的とするもの
である。 [問題点を解決するための手段] 本発明は、より高伝導性の窒化アルミニウムを
安価に生産すべく検討した結果なされたもので、
酸素含有量0.7重量%以下、金属不純物0.2重量%
以下、非表面積1m2/g以上の窒化アルミニウム
粉末と、周期律表a族元素およびa族元素の
ステアリン酸化合物の少くとも1つを酸化物換算
で0.01〜20重量パーセント添加混合した粉末組成
物を成形した後、非酸化性雰囲気で1500℃〜2200
℃で常圧焼結することを特徴とする150W/mk
以上の熱伝導率を安定して有する窒化アルミニウ
ム焼結体の製造方法である。 ここでa族元素はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、
Raの中の少くとも1つである。又、a族元素
はY、Sc、Ce、Pr、Sm、Gdの中の少くとも1
つである。 これらa族、a族元素は、窒化アルミニウ
ム表面の酸化アルミニウムと結合し、複合酸化物
を形成するとともに、窒化アルミニウムの脱酸素
と焼結促進を達成すると考えられる。 本発明で用いる窒化アルミニウム粉末では、で
きるだけ高純度の微粒であることが良く、金属不
純物0.2重量パーセント以下、酸素含有量0.7重量
パーセント以下、比表面積1m2/g以上のものを
用いる。特に1600℃以上の窒化ガス下で加熱処理
した高純度AIN粉が望ましい。 添加物としてのa族、a族のステアリン酸
化合物は、[CH3(CH2)16COO]oMであらわされ、
ここでMは上記のa族、a族元素である。ス
テアリン酸化合物はアルコールに溶解あるいは粉
末状態で用いる。ステアリン酸化合物の添加量
は、a族およびa族酸化物に換算して、0.01
〜20重量パーセントとする。0.01重量パーセント
未満では緻密な焼結体が得難く、20重量パーセン
トを越えるとAlNの熱伝導率の低下が著しいか
らである。ここで公知のa族、a族の酸化
物、フツ化物等を添加する場合とステアリン酸化
合物として添加す場合との差異は、理由は明らか
ではないが、ステアリン酸化合物が均一に分散
し、少量で焼結助剤として作用し、さらにAlN
の酸素を効果的に吸着すること、またステアリン
酸中の炭素が脱酸に作用することも考えられる。 なお、得られた混合物は乾式プレス、ドクター
ブレード、押出し等の常法により成形したのち、
非酸化性雰囲気で1500〜2200℃で焼結、緻密化さ
れる。 [実施例] 実施例 1 酸素含量が0.5重量パーセントの高純度窒化ア
ルミニウム粉末(比表面積2m2/g)に酸化物換
算で2重量パーセントのBe、Mg、Ba、Sr、Ra
の各ステアリン酸化合物をそれぞれ添加し、エタ
ノール中に10時間ボールミルにて混合したのち乾
燥の後、1900℃で窒素気流中で2時間焼結した。
焼結体は表1に示すとおりいずれも相対密度99%
以上、熱伝導率150W/mk以上を得た。
の製造方法に関する。 [従来の技術] エレクトロニクスの分野における急激な技術の
発達は、半導体デバイスの小型化ばかりでなく、
高出力化、高集積度化をも同時に可能なものとし
てきている。また、単一の基板上に、半導体デバ
イスの高密度な実装方法も研究されている。例え
ばパワーダイオード、パワートランジスタ、半導
体レーザー、LSIさらにはVLSIなどである。 高出力化、高集積度化あるいは高密度実装化す
る半導体デバイスは、単位面積、単位体積当りの
発熱量が大きくなるという問題がある。現在のと
ころ、半導体デバイスから発生する熱は、熱伝導
率の良いダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、酸化
ベリリウム、絶縁性炭化ケイ素などを、ヒートシ
ンクやパツケージ材料の一部として用いて散逸さ
せる方法がとられている。しかし、上記の良熱伝
導性材料には安全性、製造に要するコスト、生産
の絶対値などの観点から見た場合、必ずしも十分
とは言えない。 発熱量の大きい半導体デバイスの実用化に対し
て低コストで供給量の大きな高熱伝導性材料が必
要となつてきている。 [発明が解決しようとする問題点] そこで、本発明者らは低コストで供給量の大き
な高熱伝導性材料として窒化アルミニウムに着目
した。 素材としての窒化アルミニウムは、その結晶構
造から、サフアイヤの8倍近くの熱伝導率を有す
るものと考えられていたが、測定値は50W/mk
程度のものであつた。窒化アルミニウムの焼結体
の熱伝導率が、理論値(320W/mk)の1/6程度
の値を示す。この原因としては、結晶粒界や不純
物あるいは格子欠陥が影響するためと考えられて
いる。特に窒化アルミニウム結晶粒中の酸素の存
在が、熱伝導率の低下に大きな影響を与えてい
る。この問題を解決する一つの方法として、各種
の化合物を添加し、焼結を行い、主に粉末表面に
存在する酸素を添加剤によりトラツプする方法が
行われいる。しかしこの方法においても未だ不十
分であり、熱伝導率が100W/mk程度の焼結体
しか得られていないのが現状である。 本発明は熱伝導率が150W/mkを超える窒化
アルミニウム焼結体を得ることを目的とするもの
である。 [問題点を解決するための手段] 本発明は、より高伝導性の窒化アルミニウムを
安価に生産すべく検討した結果なされたもので、
酸素含有量0.7重量%以下、金属不純物0.2重量%
以下、非表面積1m2/g以上の窒化アルミニウム
粉末と、周期律表a族元素およびa族元素の
ステアリン酸化合物の少くとも1つを酸化物換算
で0.01〜20重量パーセント添加混合した粉末組成
物を成形した後、非酸化性雰囲気で1500℃〜2200
℃で常圧焼結することを特徴とする150W/mk
以上の熱伝導率を安定して有する窒化アルミニウ
ム焼結体の製造方法である。 ここでa族元素はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、
Raの中の少くとも1つである。又、a族元素
はY、Sc、Ce、Pr、Sm、Gdの中の少くとも1
つである。 これらa族、a族元素は、窒化アルミニウ
ム表面の酸化アルミニウムと結合し、複合酸化物
を形成するとともに、窒化アルミニウムの脱酸素
と焼結促進を達成すると考えられる。 本発明で用いる窒化アルミニウム粉末では、で
きるだけ高純度の微粒であることが良く、金属不
純物0.2重量パーセント以下、酸素含有量0.7重量
パーセント以下、比表面積1m2/g以上のものを
用いる。特に1600℃以上の窒化ガス下で加熱処理
した高純度AIN粉が望ましい。 添加物としてのa族、a族のステアリン酸
化合物は、[CH3(CH2)16COO]oMであらわされ、
ここでMは上記のa族、a族元素である。ス
テアリン酸化合物はアルコールに溶解あるいは粉
末状態で用いる。ステアリン酸化合物の添加量
は、a族およびa族酸化物に換算して、0.01
〜20重量パーセントとする。0.01重量パーセント
未満では緻密な焼結体が得難く、20重量パーセン
トを越えるとAlNの熱伝導率の低下が著しいか
らである。ここで公知のa族、a族の酸化
物、フツ化物等を添加する場合とステアリン酸化
合物として添加す場合との差異は、理由は明らか
ではないが、ステアリン酸化合物が均一に分散
し、少量で焼結助剤として作用し、さらにAlN
の酸素を効果的に吸着すること、またステアリン
酸中の炭素が脱酸に作用することも考えられる。 なお、得られた混合物は乾式プレス、ドクター
ブレード、押出し等の常法により成形したのち、
非酸化性雰囲気で1500〜2200℃で焼結、緻密化さ
れる。 [実施例] 実施例 1 酸素含量が0.5重量パーセントの高純度窒化ア
ルミニウム粉末(比表面積2m2/g)に酸化物換
算で2重量パーセントのBe、Mg、Ba、Sr、Ra
の各ステアリン酸化合物をそれぞれ添加し、エタ
ノール中に10時間ボールミルにて混合したのち乾
燥の後、1900℃で窒素気流中で2時間焼結した。
焼結体は表1に示すとおりいずれも相対密度99%
以上、熱伝導率150W/mk以上を得た。
【表】
実施例 2
酸素含量が0.5重量パーセントの高純度窒化ア
ルミニウム粉末(比表面積2m2/g)に酸化物換
算で2重量パーセントのSc、Ce、Pr、Sm、Gd
の各ステアリン酸化合物をそれぞれ添加し、実施
例1と同様の焼結体を得た。焼結体はいずれも表
2に示すとおり相対密度99%以上、熱伝導率
150W/mk以上を得た。
ルミニウム粉末(比表面積2m2/g)に酸化物換
算で2重量パーセントのSc、Ce、Pr、Sm、Gd
の各ステアリン酸化合物をそれぞれ添加し、実施
例1と同様の焼結体を得た。焼結体はいずれも表
2に示すとおり相対密度99%以上、熱伝導率
150W/mk以上を得た。
【表】
[発明の効果]
以上説明したように、本発明は高純度の窒化ア
ルミニウム粉末に、周期律表a族族、a族の
ステアリン酸化合物を添加し、焼結することによ
つて、高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体が得
られる。この窒化アルミニウム焼結体は、IC基
板、放熱板、構造材料等に秀れた性能をもち、実
用性の高いものである。
ルミニウム粉末に、周期律表a族族、a族の
ステアリン酸化合物を添加し、焼結することによ
つて、高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体が得
られる。この窒化アルミニウム焼結体は、IC基
板、放熱板、構造材料等に秀れた性能をもち、実
用性の高いものである。
Claims (1)
- 1 酸素含有量0.7重量%以下、金属不純物0.2重
量%以下、比表面積1m2/g以上の窒化アルミニ
ウム粉末と、周期律表a族元素およびa族元
素のステアリン酸化合物の少くとも1つを酸化物
換算で0.01〜20重量パーセントをアルコールに溶
解するか又は粉末状態で添加混合した粉末組成物
を成形した後、非酸化性雰囲気で1500℃〜2200℃
で常圧焼結することを特徴とする150W/mk以
上の熱伝導率を安定して有する窒化アルミニウム
焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62154323A JPS63319265A (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62154323A JPS63319265A (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63319265A JPS63319265A (ja) | 1988-12-27 |
JPH0566904B2 true JPH0566904B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=15581626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62154323A Granted JPS63319265A (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63319265A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6317263A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | 旭硝子株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
-
1987
- 1987-06-23 JP JP62154323A patent/JPS63319265A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6317263A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | 旭硝子株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63319265A (ja) | 1988-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01203270A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法 | |
JPS63190761A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体 | |
JPH06227867A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 | |
JPH0336782B2 (ja) | ||
JPH0566904B2 (ja) | ||
JPS63134570A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
KR960001429B1 (ko) | 고열전도성 질화알루미늄 소결체 및 이의 제조방법 | |
JP2678213B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
JPH01252584A (ja) | 複合セラミックス焼結体およびその製造方法 | |
JPH0891960A (ja) | 回路基板用基材 | |
JPH0587468B2 (ja) | ||
JPS61205670A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
JPH04144967A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
JP2664063B2 (ja) | 窒化アルミニウム予備焼結体、窒化アルミニウム焼結体およびそれらの製造方法 | |
JPH01179765A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
JPS61201669A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 | |
JP2620260B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
JPS6252181A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
JPH02279568A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 | |
JPS61286266A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
JPS6236066A (ja) | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 | |
KR100310549B1 (ko) | 세라믹체,이의제조방법및이를포함하는전기부재 | |
JPS61201670A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 | |
JPH01179764A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
JPS63222074A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070922 Year of fee payment: 14 |