JPH04144967A - 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法

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JPH04144967A
JPH04144967A JP2268212A JP26821290A JPH04144967A JP H04144967 A JPH04144967 A JP H04144967A JP 2268212 A JP2268212 A JP 2268212A JP 26821290 A JP26821290 A JP 26821290A JP H04144967 A JPH04144967 A JP H04144967A
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JP
Japan
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aluminum nitride
sintered body
nitride sintered
boron
weight
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JP2268212A
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English (en)
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Akira Yamakawa
晃 山川
Koichi Sogabe
浩一 曽我部
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、ICの絶縁基板材料、パッケージ材料等に
使用される窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
に関し、特に高熱伝導性を有し、かつ低い誘電率を有す
る窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法に関する
ものである。
[従来の技術] 最近、大規模集積回路装置(LSI)に関する技術の進
歩は目覚ましく、特に集積度の向上は著しいものである
。この集積度の向上と、さらにICチップサイズの大型
化に伴って、ICチップが搭載されるパッケージあたり
の発熱量が増大している。このため、半導体装置用パッ
ケージ等に用いられる基板材料の放熱性が重要視される
ようになってきた。また、従来、ICの絶縁基板として
広く用いられてきたアルミナ焼結体の熱伝導率では、そ
の放熱性が十分ではなく、ICチップの発熱量の増大に
対応できなくなりつつある。このため、このアルミナ焼
結体に代わるものとして、高熱伝導性を有するベリリア
(B e O)が検討されているが、ベリリアは毒性が
強く、その取扱いが困難であるという欠点を有する。
一方、窒化アルミニウム(A L N)焼結体は、本来
、材質的に高熱伝導性、高絶縁性を有し、毒性もないた
め、半導体装置用の回路基板材料あるいはパッケージ材
料として注目を集めている。
しかしながら、窒化アルミニウム焼結体はべりリアに比
べ、その誘電率が大きい。そのため、特に高周波、高速
度の半導体素子が搭載される絶縁基板の材料として窒化
アルミニウム焼結体を用いることは困難であった。
これに対して、窒化アルミニウム焼結体の誘電率を低く
するための製造方法が特開昭61−286267号公報
において提案されている。この公報に開示された窒化ア
ルミニウム焼結体の製造方法によれば、窒化アルミニウ
ム粉末にホウ素含有添加剤を添加して混合した後、加圧
焼結することによって誘電率が低減された窒化アルミニ
ウム焼結体が得られている。
なお、窒化アルミニウム粉末にホウ素化合物を添加する
ことによって窒化アルミニウム焼結体を製造する方法は
、特開昭58−32073号公報、特開昭59−131
583号公報、特開平1−242468号公報に開示さ
れている。しかしながら、これらの公報には、窒化アル
ミニウム粉末にホウ素化合物を添加することが窒化アル
ミニウムの焼結を促進することが示されているが、得ら
れる窒化アルミニウム焼結体の誘電率が低減されること
については何ら教示も示唆もなされていない。
[発明が解決しようとする課題] 窒化アルミニウム焼結体の誘電率は、10MH2の高周
波が付与された状態において8.5〜15程度の範囲内
の大きな値を示し、そのばらつきが大きい。このことは
、まず、窒化アルミニウム自体の誘電率が8.5程度と
大きいことに起因する。また、得られる窒化アルミニウ
ム焼結体の誘電率のばらつきが大きいことは、焼結助剤
として添加される化合物(アルカリ土類、希土類元素の
酸化物)と窒化アルミニウム中に存在するアルミナ(A
 I203 )とが焼結過程において反応し、その生成
物が高い誘電率を有することに起因する。
このことに着目し、特開昭61−286267号公報で
提案された窒化アルミニウム焼結体の製造方法において
は、窒化アルミニウム粉末に予めホウ素含有添加剤を添
加した後、その混合粉を加圧焼結(いわゆるホットプレ
ス焼結)することにより、窒化アルミニウム粒界に存在
する酸化物層を減少させる効果が示されている。これに
より、得られた窒化アルミニウム焼結体の誘電率が低減
させられている。
しかしながら、上記公報に開示された窒化アルミニウム
焼結体の製造方法によれば、誘電率はIMHzの高周波
が付与された状態で5程度に低減させられているが、窒
化アルミニウム焼結体の熱伝導率は0.35cal/c
m−sec・℃(146,5W/mK)程度である。こ
のように、窒化アルミニウム粉末にホウ素含有添加剤を
添加するだけでは、窒化アルミニウム焼結体の誘電率を
低減させることができても、150W/mK以上の高い
熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体を得ることは
困難である。
そこで、この発明の目的は、低い誘電率゛を有するとと
もに、高い熱伝導率をも備えた窒化アルミニウム焼結体
およびその製造方法を提供することである。
[課題を解決するための手段] 本願発明者らは、種々検討した結果、窒化アルミニウム
焼結体中にホウ素化合物を板状結晶体で窒化アルミニウ
ム粒子と複合化させることにより、低い誘電率と高い熱
伝導率とを兼ね備えた窒化アルミニウム焼結体を得るこ
とができることを見いだした。
すなわち、この発明に従った窒化アルミニウム焼結体は
、焼結助剤成分以外に酸素を0.01重量%以上0.8
重量%以下、ホウ素化合物をホウ素換算で0.01重量
%以上10重量%以下含有し、その残部が窒化アルミニ
ウム粒子を含むものである。ホウ素化合物は板状の結晶
体を有し、かつ窒化アルミニウム粒子と複合化している
また、この発明のもう1つの局面に従った窒化アルミニ
ウム焼結体の製造方法によれば、まず窒化アルミニウム
粉末が準備される。この窒化アルミニウム粉末に金属ホ
ウ素を0,01重量%以上10重量%以下、希土類元素
およびアルカリ土類元素の少なくともいずれかの元素の
化合物をその元素換算で0.01重量%以上5.0重量
%以下添加し、混合する。この混合物は成形体に成形さ
れる。この成形体を非酸化性の窒素含有雰囲気中で16
00℃以上2000℃以下の範囲内の温度で焼結するこ
とにより、低い誘電率と高い熱伝導率を有する窒化アル
ミニウム焼結体が得られる。
[発明の作用効果] この発明においては、窒化アルミニウム焼結体は窒化ア
ルミニウム粒子と板状のホウ素化合物との複合構造を呈
する。このホウ素化合物は六方晶窒化ホウ素であること
が好ましい。少なくともホウ素化合物の大半は六方晶窒
化ホウ素であり、板状の結晶体を有するのが好ましい。
この複合構造による作用は明らかではないが、窒化アル
ミニウム焼結体の誘電率の低下に寄与するものと思われ
る。言い換えれば、この複合構造は窒化アルミニウム焼
結体中に適度な空孔を形成することが窒化アルミニウム
焼結体の誘電率の低下に寄与するものと考えられる。ホ
ウ素化合物の1種である六方晶窒化ホウ素は低い誘電率
を有する材料であり、窒化アルミニウム焼結体の誘電率
の低減に有効に作用すると考えられる。
また、窒化アルミニウム焼結体中のホウ素化合物の含有
量はホウ素換算で0.01重量%以上10重量%以下で
あることが必要である。この範囲内でホウ素化合物を含
有すると、窒化アルミニウム焼結体は低い誘電率と高い
熱伝導率(高い密度)を兼ね備えることができる。すな
わち、ホウ素化合物の含有量が0.01重量%未満では
窒化アルミニウム焼結体の誘電率が高く、10重量%を
越えると窒化アルミニウム焼結体の密度が低下し、その
熱伝導率が150 W/m K以下になるためである。
本発明の窒化アルミニウム焼結体の誘電率は、10MH
zの高周波が付与された状態において4゜5〜6の範囲
内である。特にホウ素化合物の含有量が多いほど、低い
誘電率の窒化アルミニウム焼結体が得られる。本発明の
窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率は150W/mK以
上である。好ましくは、本発明の窒化アルミニウム焼結
体は10%未満の空孔を有する。
また、この発明の窒化アルミニウム焼結体中の酸素含有
量は0.01重量%以上0.8重量%以下である。酸素
含有量が0,8重量%を越えると150W/mK以上の
熱伝導率を得ることが困難になるためである。
この発明の窒化アルミニウム焼結体を得るためには、高
純度の窒化アルミニウム粉末に金属ホウ素を0.01重
量%以上10重量%以下添加される。このホウ素の添加
において、特開昭61−286267号公報に示された
炭化ホウ素、あるいは特開昭58−32073号公報に
示された窒化ホウ素等のホウ素化合物を用いると、板状
の結晶体のホウ素化合物を窒化アルミニウム焼結体中に
おいて得ることが困難である。また、窒化アルミニウム
粉末にホウ素化合物の形態でホウ素を添加すると、得ら
れる窒化アルミニウム焼結体の密度も低下する。この原
因は明らかではないが、添加された金属ホウ素が焼結過
程中において窒化され、結晶化することにより窒化アル
ミニウム焼結体の緻密化に寄与するものと思われる。そ
れとともに、窒化アルミニウム焼結体の誘電率の低減が
もたらされるものと思われる。窒化アルミニウム粉末に
は焼結助剤が添加される。この焼結助剤としては、アル
カリ土類元素あるいは希土類元素の化合物が用いられ、
その添加量はその元素換算で0.01重量%以上5.0
重量%以下である。この焼結助剤の添加量が5.0重量
%を越えると、得られる窒化アルミニウム焼結体の誘電
率が高くなる。これらの混合物は成形された後、その成
形体は1600℃以上2000℃以下の範囲内の温度で
非酸化性の窒素含有雰囲気中で焼結される。
以上のように、この発明によれば、ホウ素化合物が所定
の含有量で窒化アルミニウム焼結体中に存在することに
より、窒化アルミニウム焼結体の誘電率の低減が図られ
る。また、そのホウ素化合物が板状の結晶体の形態で窒
化アルミニウム粒子と複合化することにより、適度な空
孔が窒化アルミニウム焼結体中に形成される。このため
、窒化アルミニウム焼結体の密度を低下させることなく
、ひいては窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率を低下さ
せることなく、その誘電率が低下させられる。
したがって、高い熱伝導率と低い誘電率とを兼ね備えた
窒化アルミニウム焼結体を得ることができるので、発熱
量が高く、高周波を発する半導1体素子が搭載される絶
縁基板材料等にこの発明の窒化アルミニウム焼結体を用
いることが可能になる。
[実施例コ 実施例1 平均粒径が0.8μm1酸素含有量が1.2重量%、金
属不純物含有量が0.1重量%以下である窒化アルミニ
ウム粉末に所定の含有量の金属ホウ素と0.5重量%の
Y2O3粉末とを添加し、十分混合した。このようにし
て得られたスラリーをガラスの上でキャスティングし、
厚み0.7mmのグリーンシートを作成した。得られた
グリーンシートを60mm角の大きさに切断し、窒素含
有雰囲気中において脱バインダ処理を施した。このグリ
ーンシートを窒素気流中において1800℃の温度で3
時間焼成することにより、窒化アルミニウム焼結体が得
られた。得られた窒化アルミニウム焼結体の誘電率、熱
伝導率、空孔率を測定した。その測定結果は第1図に示
される。
第1図によれば、ホウ素含有量が10重量%を越えると
急激に熱伝導率が低下し、150W/mK以下になるこ
とが認められる。誘電率はホウ素含有量の増加にともな
って低減することが認められる。空孔率はホウ素含有量
の増加に伴って増加することが認められる。
実施例2 窒化アルミニウム粉末に金属ホウ素単体、あるいは種々
のホウ素化合物をホウ素換算で5.0重量%添加し、実
施例1と同様の条件で混合、成形、焼結処理をすること
により、窒化アルミニウム焼結体を作製した。得られた
窒化アルミニウム焼結体の誘電率、熱伝導率、空孔率は
第1表に示される。
(以下余白) 第1表 第1表によれば、ホウ素化合物の形態でホウ素を窒化ア
ルミニウム粉末と混合すると、金属ホウ素の形態で添加
した場合と比べてその誘電率が高く、熱伝導率が低く、
かつ空孔率が高い焼結体が得られることが認められる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例1によって得られた窒化アルミニウム焼
結体の金属ホウ素の添加量と誘電率、熱伝導率、空孔率
との関係を示すグラフである。 特許出願人  住友電気工業株式会社

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)焼結助剤成分以外に酸素を0.01重量%以上0
    .8重量%以下、ホウ素化合物をホウ素換算で0.01
    重量%以上10重量%以下含有し、その残部が窒化アル
    ミニウム粒子を含み、前記ホウ素化合物は板状の結晶体
    を有し、かつ前記窒化アルミニウム粒子と複合化してい
    ることを特徴とする、窒化アルミニウム焼結体。
  2. (2)前記ホウ素化合物は、六方晶窒化ホウ素を含む、
    請求項1に記載の窒化アルミニウム焼結体。
  3. (3)当該窒化アルミニウム焼結体は、10%未満の空
    孔率を有する、請求項1または2に記載の窒化アルミニ
    ウム焼結体。
  4. (4)窒化アルミニウム粉末を準備する工程と、 前記窒化アルミニウム粉末に金属ホウ素を0.01重量
    %以上10重量%以下、希土類元素およびアルカリ土類
    元素の少なくともいずれかの元素の化合物をその元素換
    算で0.01重量%以上5.0重量%以下添加し、混合
    する工程と、 前記混合物を成形体に成形する工程と、 前記成形体を非酸化性の窒素含有雰囲気中で1600℃
    以上2000℃以下の範囲内の温度で焼結する工程とを
    備えた、窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6017485A (en) * 1996-03-28 2000-01-25 Carborundum Corporation Process for making a low electrical resistivity, high purity aluminum nitride electrostatic chuck
JP2001199769A (ja) * 2000-01-18 2001-07-24 Ibiden Co Ltd セラミック基板および窒化アルミニウム焼結体
JP2002284518A (ja) * 2001-03-27 2002-10-03 Japan Science & Technology Corp ボロン及びボロン化合物結晶とそれらの製造方法
JP2006344810A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用アルミニウム焼結体

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