JPH06135771A - 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法 - Google Patents

高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法

Info

Publication number
JPH06135771A
JPH06135771A JP5192561A JP19256193A JPH06135771A JP H06135771 A JPH06135771 A JP H06135771A JP 5192561 A JP5192561 A JP 5192561A JP 19256193 A JP19256193 A JP 19256193A JP H06135771 A JPH06135771 A JP H06135771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon nitride
less
sintered body
weight
thermal conductivity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5192561A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2871410B2 (ja
Inventor
Michiyasu Komatsu
通泰 小松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5192561A priority Critical patent/JP2871410B2/ja
Publication of JPH06135771A publication Critical patent/JPH06135771A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2871410B2 publication Critical patent/JP2871410B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】窒化けい素焼結体が本来備える高強度特性に加
えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素焼結体
およびその製造方法を提供する。 【構成】希土類元素を酸化物に換算して2.0〜7.5
重量%、窒化アルミニウムおよびアルミナの少なくとも
一方を2.0重量%以下、その他Li,Na,K,F
e,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bなどの不純物陽
イオン元素を0.3重量%以下含有し、β相型窒化けい
素結晶および粒界相から成ることを特徴とする。また、
粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する面
積比を20%以上に設定し、さらに気孔率を容量比で
1.5%以下、熱伝導率を60W/m・K以上、三点曲
げ強度を室温で80kg/mm2 以上に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高熱伝導性窒化けい素焼
結体およびその製造方法に係り、特に窒化けい素本来の
高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れてお
り、半導体用基板や各種放熱板として好適な高熱伝導性
窒化けい素焼結体およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】窒化けい素を主成分とするセラミックス
焼結体は、1000℃以上の高温度環境下でも優れた耐
熱性を有し、かつ低熱膨張係数のため耐熱衝撃性も優れ
ている等の諸特性を持つことから、従来の耐熱性超合金
に代わる高温構造材料としてガスタービン用部品、エン
ジン用部品、製鋼用機械部品等の各種高強度耐熱部品へ
の応用が試みられている。また、金属に対する耐食性が
優れていることから溶融金属の耐溶材料としての応用も
試みられ、さらに耐摩耗性も優れていることから、軸受
等の摺動部材、切削工具への実用化も図られている。
【0003】従来より窒化けい素セラミックス焼結体の
焼結組成としては窒化けい素−酸化イットリウム−酸化
アルミニウム系、窒化けい素−酸化イットリウム−酸化
アルミニウム−窒化アルミニウム系、窒化けい素−酸化
イットリウム−酸化アルミニウム−チタニウム、マグネ
シウムまたはジルコニウムの酸化物系等が知られてい
る。
【0004】上記焼結組成における酸化イットリウム
(Y2 3 )などの希土類元素の酸化物は、従来から焼
結助剤として一般に使用されており、焼結性を高めて焼
結体を緻密化し高強度化をするために添加されている。
【0005】従来の窒化けい素焼結体は、窒化けい素粉
末に上記のような焼結助剤を添加物として加えて成形
し、得られた成形体を1600〜1850℃程度の高温
度の焼成炉で所定時間焼成した後に炉冷する製法で量産
されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来方法によって製造された窒化けい素焼結体では、靭性
値などの機能的強度は優れているものの、熱伝導特性の
点では、他の窒化アルミニウム(AlN)焼結体、酸化
ベリリウム(BeO)焼結体や炭化けい素(SiC)焼結体
などと比較して著しく低いため、特に放熱性を要求され
る半導体用基板などの電子用材料としては実用化されて
おらず、用途範囲が狭い難点があった。
【0007】一方上記窒化アルミニウム焼結体は他のセ
ラミックス焼結体と比較して高い熱伝導率と低熱膨張係
数の特長を有するため、高速化、高出力化、多機能化、
大型化が進展する半導体チップの回路基板材料やパッケ
ージ材料として普及しているが、機械的強度の点で充分
に満足できるものは得られていない。そこで高強度を有
するとともに高い熱伝導率も併せ持ったセラミックス焼
結体の開発が要請されている。
【0008】本発明は上記のような課題要請に対処する
ためになされたものであり、窒化けい素焼結体が本来備
える高強度特性に加えて、特に熱伝導率が高く放熱性に
優れた窒化けい素焼結体およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段と作用】本発明者は上記目
的を達成するため、従来の窒化けい素焼結体を製造する
際に、一般的に使用されていた窒化けい素粉末の種類、
焼結助剤や添加物の種類および添加量、焼結条件等を種
々変えて、それらの要素が最終製品としての焼結体の特
性に及ぼす影響を実験により確認した。
【0010】その結果、微細で高純度を有する窒化けい
素粉末に希土類元素、および窒化アルミニウム、アルミ
ナなどのアルミニウム成分を所定量ずつ添加した原料混
合体を成形脱脂し、得られた成形体を所定温度で一定時
間加熱保持して緻密化焼結を実施した後、所定の冷却速
度で徐冷したときに熱伝導率が大きく向上し、かつ高強
度を有する窒化けい素焼結体が得られることが判明し
た。
【0011】また酸素や不純物陽イオン元素含有量を低
減した高純度の窒化けい素原料粉末を使用し、窒化けい
素成形体の厚さを小さく設定して焼結することにより、
粒界相におけるガラス相(非晶質相)の生成が効果的に
防止でき、希土類元素酸化物のみを原料粉末に添加した
場合においても60W/m・K以上の高熱伝導率を有す
る窒化けい素焼結体が得られるという知見を得た。
【0012】また、従来、焼結操作終了後に焼成炉の加
熱用電源をOFFとして焼結体を炉冷していた場合に
は、冷却速度が毎時400〜800℃と急速であった
が、本発明者の実験によれば、特に冷却速度を毎時10
0℃以下に緩速に制御することにより、窒化けい素焼結
体組織の粒界相が非結晶質状態から結晶相を含む相に変
化し、高強度特性と高伝熱特性とが同時に達成されるこ
とが判明した。
【0013】本発明は上記知見に基づいて完成されたも
のである。すなわち本発明に係る高熱伝導性窒化けい素
焼結体は、希土類元素を酸化物に換算して2.0〜7.
5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,
K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを0.3
重量%以下含有し、熱伝導率が60W/m・K以上であ
ることを特徴とする。
【0014】また他の態様として希土類元素を酸化物に
換算して2.0〜7.5重量%、アルミニウムをアルミ
ナに換算して2.0重量%以下、その他不純物陽イオン
元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,S
r,Ba,Mn,Bを0.3重量%以下含有し、窒化け
い素結晶および粒界相から成ることを特徴とする。
【0015】また、アルミニウム成分として、窒化アル
ミニウムを2.0重量%以下添加して構成してもよい。
さらにアルミニウム成分としてアルミナを2.0重量%
以下と窒化アルミニウムを2.0重量%以下とを併用し
てもよい。
【0016】また粒界相中における結晶化合物相の粒界
相全体に対する面積比が20%以上に設定するとよい。
【0017】さらに本発明に係る高熱伝導性窒化けい素
焼結体の製造方法は、酸素を1.7重量%以下、不純物
陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,M
g,Sr,Ba,Mn,Bを0.3重量%以下、α相型
窒化けい素を90重量%以上含有し、平均粒径0.8μ
m以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算
して2.0〜7.5重量%と、アルミナおよび窒化アル
ミニウムの少なくとも一方を2.0重量%以下添加した
原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体
を脱脂後、温度1800〜2000℃で雰囲気加圧焼結
し、上記焼結温度から、上記希土類元素により焼結時に
形成された液相が凝固する温度までに至る焼結体の冷却
速度を毎時100℃以下に設定したことを特徴とする。
【0018】上記製造方法によれば、窒化けい素結晶組
織中に希土類元素等を含む粒界相が形成され、気孔率が
1.5%以下、熱伝導率が60W/m・K以上、三点曲
げ強度が室温で80kg/mm2 以上の機械的特性および熱
伝導特性が共に優れた窒化けい素焼結体が得られる。
【0019】本発明方法において使用され、焼結体の主
成分となる窒化けい素粉末としては、焼結性、強度およ
び熱伝導率を考慮して、酸素含有量が1.7重量%以
下、好ましくは0.5〜1.5重量%、Li,Na,
K,Fe,Mg,Ca,Sr,Ba,Mn,Bなどの不純
物陽イオン元素含有量が合計で0.3重量%以下、好ま
しくは0.2重量%以下に抑制され、焼結性が優れたα
相型窒化けい素を90重量%以上、好ましくは93重量
%以上含有し、平均粒径が0.8μm以下、好ましくは
0.4〜0.6μm程度の微細な窒化けい素粉末を使用
する。
【0020】平均粒径が0.8μm以下の微細な原料粉
末を使用することにより、少量の焼結助剤であっても気
孔率が1.5%以下の緻密な焼結体を形成することが可
能であり、また焼結助剤が熱伝導特性を阻害するおそれ
も減少する。
【0021】またFe,Mg,Ca,Sr,Ba,M
n,B,Li,Na,Kなどの不純物陽イオン元素も熱
伝導性を阻害する物質となるため、60W/m・K以上
の熱伝導率を確保するためには、上記不純物陽イオン元
素の含有量は合計で0.3重量%以下に設定される。特
にβ相型と比較して焼結性に優れたα相型窒化けい素を
90重量%以上含有する窒化けい素原料粉末を使用する
ことにより、高密度の焼結体を製造することができる。
【0022】また窒化けい素原料粉末に焼結助剤として
添加する希土類元素としてはY,La,Sc,Pr,C
e,Nd,Dy,Ho,Gdなどの酸化物もしくは焼結
操作により、これらの酸化物となる物質が単独で、また
は2種以上の酸化物を組み合せたものを含んでもよい
が、特に酸化イットリウム(Y2 3 )が好ましい。こ
れらの焼結助剤は、窒化けい素原料粉末と反応して液相
を生成し、焼結促進剤として機能する。
【0023】上記焼結助剤の添加量は、酸化物換算で原
料粉末に対して2.0〜7.5重量%の範囲に設定され
る。この添加量が2.0重量%未満と過少の場合は、焼
結体が緻密化されず低強度で低熱伝導率の焼結体が形成
される。一方、添加量が7.5重量%を超える過量とな
ると、過量の粒界相が生成し、熱伝導率の低下や強度が
低下し始めるので上記範囲に設定される。特に好ましく
は3〜6重量%に設定することが望ましい。
【0024】さらに本発明において、他の添加成分とし
てのアルミナ(Al2 3 )は、上記希土類元素の焼結
促進剤の機能を助長する役目を果すものであり、特に加
圧焼結を行なう場合に著しい効果を発揮するものであ
る。Al2 3 の添加量が0.1重量%未満の場合にお
いては緻密化が不充分である一方、2.0重量%を超え
る過量となる場合には過量の粒界相を生成したり、また
は窒化けい素に固溶し始め、熱伝導の低下が起こるた
め、添加量は2重量%以下、好ましくは0.1〜2.0
重量%の範囲に設定される。特に強度、熱伝導率共に良
好な性能を確保するためには添加量を0.2〜1.5重
量%の範囲に設定することが望ましい。
【0025】また、後述するAlNと併用する場合に
は、その合計添加量は2.0重量%以下に設定すること
が望ましい。
【0026】さらに他の添加成分としての窒化アルミニ
ウム(AlN)は焼結過程における窒化けい素の蒸発な
どを抑制するとともに、上記希土類元素の焼結促進剤と
しての機能をさらに助長する役目を果すものである。
【0027】AlNの添加量が0.3重量%未満(アル
ミナと併用する場合では0.1重量%未満)の場合にお
いては緻密化が不充分である一方、2.0重量%を超え
る過量となる場合には過量の粒界相を生成したり、また
は窒化けい素に固溶し始め、熱伝導率の低下が起こるた
め、添加量は0.3〜2.0重量%の範囲に設定され
る。特に強度、熱伝導率共に良好な性能を確保するため
には添加量を0.5〜1.5重量%の範囲に設定するこ
とが望ましい。なお前記Al2 3 と併用する場合に
は、AlNの添加量は0.1〜2.0重量%の範囲が好
ましい。
【0028】また焼結体の気孔率は熱伝導率および強度
に大きく影響するため1.5%以下に設定される。気孔
率が1.5%を超えると熱伝導の妨げとなり、焼結体の
熱伝導率が低下するとともに、焼結体の強度低下が起こ
る。
【0029】また、窒化けい素結晶組織に形成される粒
界相は焼結体の熱伝導率に大きく影響するため、本発明
に係る焼結体においては粒界相の20%以上が結晶相で
占めるように設定される。結晶相が20%未満では熱伝
導率が60W/m・K以上となるような放熱特性に優
れ、かつ高温強度に優れた焼結体が得られないからであ
る。
【0030】さらに上記のように窒化けい素焼結体の気
孔率を1.5%以下にし、また窒化けい素結晶組織に形
成される粒界相の20%以上が結晶相で占めるようにす
るためには、窒化けい素成形体を温度1800〜200
0℃で0.5〜10時間程度、加圧焼結し、かつ焼結操
作完了直後における焼結体の冷却速度を毎時100℃以
下に調整制御することが必要である。
【0031】焼結温度を1800℃未満に設定した場合
には、焼結体の緻密化が不充分で気孔率が1.5vol%以
上になり機械的強度および熱伝導性が共に低下してしま
う。一方焼結温度が2000℃を超えると窒化けい素成
分自体が蒸発分解し易くなる。特に加圧焼結ではなく、
常圧焼結を実施した場合には、1800℃付近より窒化
けい素の分解蒸発が始まる。
【0032】上記焼結操作完了直後における焼結体の冷
却速度は粒界相を結晶化させるために重要な制御因子で
あり、冷却速度が毎時100℃を超えるような急速冷却
を実施した場合には、焼結体組織の粒界相が非結晶質
(ガラス相)となり、焼結体に生成した液相が結晶相と
して粒界相に占める面積割合が20%未満となり、強度
および熱伝導性が共に低下してしまう。
【0033】上記冷却速度を厳密に調整すべき温度範囲
は、所定の焼結温度(1800〜2000℃)から、前
記の焼結助剤の反応によって生成する液相が凝固するま
での温度範囲で充分である。ちなみに前記のような焼結
助剤を使用した場合の液相凝固点は概略1600〜15
00℃程度である。そして少なくとも焼結温度から上記
液相凝固温度に至るまでの焼結体の冷却速度を毎時10
0℃以下、好ましくは50℃以下、さらに好ましくは2
5℃以下に制御することにより、粒界相の大部分が結晶
相になり、熱伝導率および機械的強度が共に優れた焼結
体が得られる。
【0034】本発明に係る窒化けい素焼結体は、例えば
以下のようなプロセスを経て製造される。すなわち前記
所定の微細粒径を有し、また不純物含有量が少ない微細
な窒化けい素粉末に対して所定量の焼結助剤、有機バイ
ンダ等の必要な添加剤およびAl2 3 やAlNを加え
て原料混合体を調整し、次に得られた原料混合体を成形
して所定形状の成形体を得る。原料混合体の成形法とし
ては、汎用の金型プレス法、ドクターブレード法のよう
なシート成形法などが適用できる。上記成形操作に引き
続いて、成形体を非酸化性雰囲気中で温度600〜80
0℃で1〜2時間加熱して、予め添加していた有機バイ
ンダ成分を充分に除去し、脱脂する。次に脱脂処理され
た成形体を窒素ガス、水素ガスやアルゴンガスなどの不
活性ガス雰囲気中で1800〜2000℃の温度で所定
時間雰囲気加圧焼結を行う。
【0035】上記製法によって製造された窒化けい素焼
結体は気孔率1.5%以下、60W/m・K(25℃)
以上の熱伝導率を有し、また三点曲げ強度が常温で80
kg/mm2 以上と機械的特性にも優れている。
【0036】
【実施例】次に本発明を以下に示す実施例を参照して具
体的に説明する。
【0037】実施例1〜3 酸素を1.3重量%、不純物陽イオン元素を0.15重
量%含有し、α相型窒化けい素97%を含む平均粒径
0.55μmの窒化けい素原料粉末に対して、焼結助剤
として平均粒径0.7μmのY2 3 (酸化イットリウ
ム)粉末5重量%、平均粒径0.5μmのAl2
3 (アルミナ)粉末1.5重量%を添加し、エチルアル
コール中で24時間湿式混合した後に乾燥して原料粉末
混合体を調整した。次に得られた原料粉末混合体に有機
バインダを所定量添加して均一に混合した後に、100
0kg/cm2 の成形圧力でプレス成形し、長さ50mm×幅
50mm×厚さ5mmの成形体を多数製作した。次に得られ
た成形体を700℃の雰囲気ガス中において2時間脱脂
した後に、この脱脂体を窒素ガス雰囲気中7.5気圧に
て1900℃で6時間保持し、緻密化焼結を実施した後
に、焼結炉に付設した加熱装置への通電量を制御して焼
結炉内温度が1500℃まで降下するまでの間における
焼結体の冷却速度がそれぞれ100℃/hr(実施例
1)、50℃/hr(実施例2)、25℃/hr(実施例
3)となるように調整して焼結体を冷却し、それぞれ実
施例1〜3に係る窒化けい素セラミックス焼結体を調製
した。
【0038】比較例1 一方、緻密化焼結完了直後に、加熱装置電源をOFFに
し、従来の炉冷による冷却速度(約500℃/hr)で焼
結体を冷却した点以外は実施例1と同一条件で焼結処理
して比較例1に係る窒化けい素焼結体を調製した。
【0039】比較例2 酸素を1.5重量%、不純物陽イオン元素を0.6重量
%含有し、α相型窒化けい素93%を含む平均粒径0.
60μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以外は実施例
1と同一条件で処理し、比較例2に係る窒化けい素セラ
ミックス焼結体を調製した。
【0040】比較例3 酸素を1.7重量%、不純物陽イオン元素を0.7重量
%含有し、α相型窒化けい素91%を含む平均粒径1.
1μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以外は実施例1
と同一条件で処理し、比較例3に係る窒化けい素焼結体
を調製した。
【0041】こうして得た実施例1〜3および比較例1
〜3に係る窒化けい素焼結体について気孔率、熱伝導率
(25℃)、室温での三点曲げ強度の平均値を測定し
た。さらに、各焼結体をX線回折法によって粒界相に占
める結晶相の割合(面積比)を測定し、下記表1に示す
結果を得た。
【0042】
【表1】
【0043】表1に示す結果から明らかなように実施例
1〜3に係る窒化けい素セラミックス焼結体において
は、比較例1と比較して緻密化焼結完了直後における焼
結体の冷却速度を従来より低く設定しているため、粒界
相に結晶相を含み、結晶相の占める割合が高い程、高熱
伝導率を有する放熱性の高い高強度焼結体が得られた。
【0044】一方、比較例1のように焼結体の冷却速度
を大きく設定し、急激に冷却した場合は粒界相が全て非
結晶質で形成され熱伝導率が低下した。また、比較例2
のように不純物陽イオン元素を0.6重量%と多く含有
した窒化けい素粉末を用いた場合は焼結体の冷却速度を
実施例1と同一にしても粒界相が全て非結晶質で形成さ
れ熱伝導率が低下した。
【0045】さらに比較例3のように平均粒径が1.1
μmと粗い窒化けい素粉末を用いた場合は、焼結におい
て緻密化が不充分で強度、熱伝導率とも低下した。
【0046】実施例4〜12および比較例4〜7 実施例4〜12として実施例1において使用した窒化け
い素粉末とY2 3粉末とAl2 3 粉末とを表2に示
す組成比となるように調合して原料混合体をそれぞれ調
製した。
【0047】次に得られた各原料混合体を実施例1と同
一条件で成形脱脂処理した後、表2に示す条件で焼結処
理してそれぞれ実施例4〜12に係る窒化けい素セラミ
ックス焼結体を製造した。
【0048】一方比較例4〜7として表2に示すように
2 3 を過量に添加したもの(比較例4)、Y2 3
を過少量に添加したもの(比較例5)、Al2 3 を過
量に添加したもの(比較例6)、Y2 3 を過量に添加
したもの(比較例7)の原料混合体をそれぞれ調製し、
実施例1と同一条件で原料混合から焼結操作を実施して
それぞれ比較例4〜7に係る焼結体を製造した。
【0049】こうして製造した実施例4〜12および比
較例4〜7に係る各窒化けい素セラミックス焼結体につ
いて実施例1と同一条件で気孔率、熱伝導率(25
℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回折法によ
る粒界相に占める結晶相の割合を測定し、下記表2に示
す結果を得た。
【0050】
【表2】
【0051】表2に示す結果から明らかなように、Y2
3 ,Al2 3 を所定量含有し、焼結後の冷却速度を
所定に設定した実施例4〜12に係る焼結体は、いずれ
も高熱伝導率で高強度値を有している。一方、比較例4
〜7に示すように、Y2 3,Al2 3 の少なくとも
1種の成分が過少量、あるいは過量添加された場合は、
緻密化が不充分であったり、粒界相が過量あるいは粒界
相に占める結晶相の割合が低過ぎるために、曲げ強度が
低下、または熱伝導率が劣ることが確認された。
【0052】実施例13〜16 実施例13〜16として実施例1において使用したY2
3 粉末に置き換えて表3に示す希土類酸化物を使用し
た以外は実施例1と同一条件で実施例13〜16に係る
窒化けい素セラミックス焼結体を製造した。
【0053】こうして得た実施例13〜16に係る焼結
体について実施例1と同一条件で気孔率、熱伝導率(2
5℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回折によ
る粒界相に占める結晶相の割合を測定し下記表3に示す
結果を得た。
【0054】
【表3】
【0055】表3に示す結果から明らかなようにY2
3 に置き換えて他の希土類元素を使用した実施例13〜
16に係る焼結体はY2 3 添加のものと同等の性能を
有することが確認された。
【0056】次に添加剤として窒化アルミニウム(Al
N)を使用した場合について以下に示す実施例を参照し
て具体的に説明する。
【0057】実施例17〜19 酸素を1.3重量%、不純物陽イオン元素を0.15重
量%含有し、α相型窒化けい素97%を含む平均粒径
0.55μmの窒化けい素原料粉末に対して、焼結助剤
として平均粒径0.7μmのY2 3 (酸化イットリウ
ム)粉末5重量%、平均粒径0.8μmのAlN(窒化
アルミニウム)粉末1重量%を添加し、エチルアルコー
ル中で24時間湿式混合した後に乾燥して原料粉末混合
体を調整した。次に得られた原料粉末混合体に有機バイ
ンダを所定量添加して均一に混合した後に、1000kg
/cm2 の成形圧力でプレス成形し、長さ50mm×幅50
mm×厚さ5mmの成形体を多数製作した。次に得られた成
形体を700℃の雰囲気ガス中において2時間脱脂した
後に、この脱脂体を窒素ガス雰囲気中7.5気圧にて1
900℃で6時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、
焼結炉に付設した加熱装置への通電量を制御して焼結炉
内温度が1500℃まで降下するまでの間における焼結
体の冷却速度がそれぞれ100℃/hr(実施例17)、
50℃/hr(実施例18)、25℃/hr(実施例19)
となるように調整して焼結体を冷却し、それぞれ実施例
17〜19に係る窒化けい素セラミックス焼結体を調製
した。
【0058】比較例8 一方、緻密化焼結完了直後に、加熱装置電源をOFFに
し、従来の炉冷による冷却速度(約500℃/hr)で焼
結体を冷却した点以外は実施例17と同一条件で焼結処
理して比較例8に係る窒化けい素焼結体を調製した。
【0059】比較例9 酸素を1.5重量%、不純物陽イオン元素を0.6重量
%含有し、α相型窒化けい素93%を含む平均粒径0.
60μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以外は実施例
17と同一条件で処理し、比較例9に係る窒化けい素セ
ラミックス焼結体を調製した。
【0060】比較例10 酸素を1.7重量%、不純物陽イオン元素を0.7重量
%含有し、α相型窒化けい素91%を含む平均粒径1.
1μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以外は実施例1
7と同一条件で処理し、比較例10に係る窒化けい素焼
結体を調製した。
【0061】こうして得た実施例17〜19および比較
例8〜10に係る窒化けい素焼結体について気孔率、熱
伝導率(25℃)、室温での三点曲げ強度の平均値を測
定した。さらに、各焼結体をX線回折法によって粒界相
に占める結晶相の割合(面積比)を測定し、下記表4に
示す結果を得た。
【0062】
【表4】
【0063】表4に示す結果から明らかなように実施例
17〜19に係る窒化けい素セラミックス焼結体におい
ては、比較例8と比較して緻密化焼結完了直後における
焼結体の冷却速度を従来より低く設定しているため、粒
界相に結晶相を含み、結晶相の占める割合が高い程、高
熱伝導率を有する放熱性の高い高強度焼結体が得られ
た。
【0064】一方、比較例8のように焼結体の冷却速度
を大きく設定し、急激に冷却した場合は粒界相が全て非
結晶質で形成され熱伝導率が低下した。また、比較例9
のように不純物陽イオン元素を0.6重量%と多く含有
した窒化けい素粉末を用いた場合は焼結体の冷却速度を
実施例17と同一にしても粒界相が全て非結晶質で形成
され熱伝導率が低下した。
【0065】さらに比較例10のように平均粒径が1.
1μmと粗い窒化けい素粉末を用いた場合は、焼結にお
いて緻密化が不充分で強度、熱伝導率とも低下した。
【0066】実施例20〜31および比較例11〜17 実施例20〜31として実施例17において使用した窒
化けい素粉末とY2 3 粉末とAlN粉末と平均粒径
0.5μmのAl2 3 粉末とを表5に示す組成比とな
るように調合して原料混合体をそれぞれ調製した。
【0067】次に得られた各原料混合体を実施例17と
同一条件で成形脱脂処理した後、表5に示す条件で焼結
処理してそれぞれ実施例20〜31に係る窒化けい素セ
ラミックス焼結体を製造した。
【0068】一方比較例11〜17として表5に示すよ
うにY2 3 を過量に添加したもの(比較例11)、Y
2 3 を過少量に添加したもの(比較例12)、AlN
を過量に添加したもの(比較例13)、Y2 3 を過量
に添加したもの(比較例14),AlNとAl2 3
の合計添加量を過量に設定したもの(比較例15および
16),上記合計添加量を過少に設定したも(比較例1
7)の原料混合体をそれぞれ調製し、実施例17と同一
条件で原料混合から焼結操作を実施してそれぞれ比較例
11〜17に係る焼結体を製造した。
【0069】こうして製造した実施例20〜31および
比較例11〜17に係る各窒化けい素セラミックス焼結
体について実施例17と同一条件で気孔率、熱伝導率
(25℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回折
法による粒界相に占める結晶相の割合を測定し、下記表
5に示す結果を得た。
【0070】
【表5】
【0071】表5に示す結果から明らかなように、Y2
3 ,AlN,必要に応じてAl2 3 を所定量含有
し、焼結後の冷却速度を所定の低速度に設定した実施例
20〜31に係る焼結体は、いずれも高熱伝導率で高強
度値を有している。一方、比較例11〜17に示すよう
に、Y2 3 ,AlNの少なくとも1種の成分またはA
lNとAl2 3 成分の合計量が過少量、あるいは過量
添加された場合は、緻密化が不充分であったり、粒界相
が過量あるいは粒界相に占める結晶相の割合が低過ぎる
ために、曲げ強度が低下、または熱伝導率が劣ることが
確認された。
【0072】実施例32〜35 実施例32〜35として実施例17において使用したY
2 3 粉末に置き換えて表6に示す希土類酸化物を使用
した以外は実施例17と同一条件で実施例32〜35に
係る窒化けい素セラミックス焼結体を製造した。
【0073】こうして得た実施例32〜35に係る焼結
体について実施例17と同一条件で気孔率、熱伝導率
(25℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回折
による粒界相に占める結晶相の割合を測定し下記表6に
示す結果を得た。
【0074】
【表6】
【0075】表6に示す結果から明らかなようにY2
3 に置き換えて他の希土類元素を使用した実施例32〜
35に係る焼結体はY2 3 添加のものと同等の性能を
有することが確認された。
【0076】
【発明の効果】以上説明の通り、本発明に係る高熱伝導
性窒化けい素焼結体およびその製造方法によれば、所定
の純度および粒径を有する微細な窒化けい素粉末に希土
類元素,窒化アルミニウムおよび/またはアルミナを所
定量添加して成形焼結し、焼結処理完了直後における焼
結体の冷却速度を毎時100℃以下と小さく設定してい
るため、従来の炉冷のような急速冷却を実施した場合と
異なり、粒界相が非晶質から結晶相を含むものに変化
し、緻密で高強度かつ高い熱伝導率が得られる。したが
って、半導体用基板ならびに放熱板などの電子用部材と
して極めて有用である。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 希土類元素を酸化物に換算して2.0〜
    7.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,N
    a,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを
    0.3重量%以下含有し、熱伝導率が60W/m・K以
    上であることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結
    体。
  2. 【請求項2】 希土類元素を酸化物に換算して2.0〜
    7.5重量%、アルミニウムをアルミナに換算して2.
    0重量%以下、その他不純物陽イオン元素としてのL
    i,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,
    Bを0.3重量%以下含有し、窒化けい素結晶および粒
    界相から成ることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼
    結体。
  3. 【請求項3】 希土類元素を酸化物に換算して2.0〜
    7.5重量%、窒化アルミニウムを2.0重量%以下、
    その他不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,F
    e,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを0.3重量%
    以下含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成ること
    を特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体。
  4. 【請求項4】 希土類元素を酸化物に換算して2.0〜
    7.5重量%、アルミニウムをアルミナに換算して2.
    0重量%以下、窒化アルミニウムを2.0重量%以下、
    その他不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,F
    e,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを0.3重量%以
    下含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成ることを
    特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体。
  5. 【請求項5】 粒界相中における結晶化合物相の粒界相
    全体に対する面積比が20%以上であることを特徴とす
    る請求項2,3または4記載の高熱伝導性窒化けい素焼
    結体。
  6. 【請求項6】 気孔率が容量比で1.5%以下、熱伝導
    率が60W/m・K以上、三点曲げ強度が室温で80kg
    /mm2 以上である請求項2,3または4記載の高熱伝導
    性窒化けい素焼結体。
  7. 【請求項7】 酸素を1.7重量%以下、不純物陽イオ
    ン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,S
    r,Ba,Mn,Bを0.3重量%以下、α相型窒化け
    い素を90重量%以上含有し、平均粒径0.8μm以下
    の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して
    2.0〜7.5重量%と、アルミナおよび窒化アルミニ
    ウムの少なくとも一方を2.0重量%以下とを添加した
    原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体
    を脱脂後、温度1800〜2000℃で雰囲気加圧焼結
    し、上記焼結温度から、上記希土類元素により焼結時に
    形成された液相が凝固する温度までに至る焼結体の冷却
    速度を毎時100℃以下に設定したことを特徴とする高
    熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法。
JP5192561A 1992-09-08 1993-08-03 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法 Expired - Lifetime JP2871410B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5192561A JP2871410B2 (ja) 1992-09-08 1993-08-03 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23976992 1992-09-08
JP4-239769 1992-09-08
JP5192561A JP2871410B2 (ja) 1992-09-08 1993-08-03 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06135771A true JPH06135771A (ja) 1994-05-17
JP2871410B2 JP2871410B2 (ja) 1999-03-17

Family

ID=26507391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5192561A Expired - Lifetime JP2871410B2 (ja) 1992-09-08 1993-08-03 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2871410B2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07187795A (ja) * 1993-12-27 1995-07-25 Honda Motor Co Ltd 窒化珪素セラミックス材料
WO1997000837A1 (en) * 1995-06-23 1997-01-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Highly heat-conductive silicon nitride sinter, process for producing the same, and pressure-welded structure
JPH0969594A (ja) * 1995-06-23 1997-03-11 Toshiba Corp 圧接用窒化けい素放熱板およびそれを用いた圧接構造部品
JPH11100276A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Kyocera Corp 電子部品搭載用窒化ケイ素質基板及びその製造方法
EP0963965A1 (en) * 1997-09-03 1999-12-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon nitride sinter having high thermal conductivity and process for preparing the same
JP2000034172A (ja) * 1998-05-12 2000-02-02 Toshiba Corp 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
WO2005030674A1 (ja) * 2003-09-25 2005-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba 窒化けい素製耐摩耗性部材およびその製造方法
US7192899B2 (en) 2004-05-20 2007-03-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride sintered body having high heat conductivity and silicon nitride structural element
WO2008032427A1 (fr) 2006-09-13 2008-03-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Élément coulissant et palier utilisant celui-ci
JP2017202949A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 日本特殊陶業株式会社 セラミック焼結体、セラミックヒータおよびグロープラグ
CN115073186A (zh) * 2022-07-22 2022-09-20 中国科学院兰州化学物理研究所 一种氮化硅陶瓷烧结体及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03218975A (ja) * 1990-01-23 1991-09-26 Ngk Insulators Ltd 窒化珪素体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03218975A (ja) * 1990-01-23 1991-09-26 Ngk Insulators Ltd 窒化珪素体

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07187795A (ja) * 1993-12-27 1995-07-25 Honda Motor Co Ltd 窒化珪素セラミックス材料
WO1997000837A1 (en) * 1995-06-23 1997-01-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Highly heat-conductive silicon nitride sinter, process for producing the same, and pressure-welded structure
JPH0969594A (ja) * 1995-06-23 1997-03-11 Toshiba Corp 圧接用窒化けい素放熱板およびそれを用いた圧接構造部品
US5744410A (en) * 1995-06-23 1998-04-28 Kabushiki Kaisha Toshiba High thermal conductive silicon nitride sintered body, method of producing the same and press-contacted body
JP2975882B2 (ja) * 1995-06-23 1999-11-10 株式会社東芝 圧接用窒化けい素放熱板およびそれを用いた圧接構造部品
US6143677A (en) * 1997-09-03 2000-11-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon nitride sinter having high thermal conductivity and process for preparing the same
EP0963965A1 (en) * 1997-09-03 1999-12-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon nitride sinter having high thermal conductivity and process for preparing the same
JPH11100276A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Kyocera Corp 電子部品搭載用窒化ケイ素質基板及びその製造方法
JP2000034172A (ja) * 1998-05-12 2000-02-02 Toshiba Corp 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
US6242374B1 (en) 1998-05-12 2001-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba High thermal conductive silicon nitride sintered body and method of producing the same
WO2005030674A1 (ja) * 2003-09-25 2005-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba 窒化けい素製耐摩耗性部材およびその製造方法
US7521388B2 (en) 2003-09-25 2009-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Wear resistant member comprised of silicon nitride and process for producing the same
JP5002155B2 (ja) * 2003-09-25 2012-08-15 株式会社東芝 窒化けい素製耐摩耗性部材およびその製造方法
US7192899B2 (en) 2004-05-20 2007-03-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride sintered body having high heat conductivity and silicon nitride structural element
WO2008032427A1 (fr) 2006-09-13 2008-03-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Élément coulissant et palier utilisant celui-ci
US8579513B2 (en) 2006-09-13 2013-11-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Slide member and bearing utilizing the same
JP2017202949A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 日本特殊陶業株式会社 セラミック焼結体、セラミックヒータおよびグロープラグ
CN115073186A (zh) * 2022-07-22 2022-09-20 中国科学院兰州化学物理研究所 一种氮化硅陶瓷烧结体及其制备方法
CN115073186B (zh) * 2022-07-22 2023-05-23 中国科学院兰州化学物理研究所 一种氮化硅陶瓷烧结体及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2871410B2 (ja) 1999-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4346151B2 (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびそれを用いた回路基板並びに集積回路
KR960006250B1 (ko) 고열전도성 질화규소 소결체 및 그 제조방법
JP3100871B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP2871410B2 (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
JP3472585B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
WO2005049525A1 (ja) 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
JP3100892B2 (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
US6143677A (en) Silicon nitride sinter having high thermal conductivity and process for preparing the same
JP2774761B2 (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
JPH07172921A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JP5289184B2 (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法
JPH09157030A (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JP3152790B2 (ja) 窒化珪素質焼結体の製造方法
JP2938153B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2000095569A (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
JPH01252584A (ja) 複合セラミックス焼結体およびその製造方法
JPH03177361A (ja) β―サイアロン―窒化硼素系複合焼結体の製造方法
JP2541150B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP2000044351A (ja) 窒化珪素質放熱部材及びその製造方法
JPH02233560A (ja) 高強度サイアロン基焼結体
JP4702978B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP2000191376A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPH0559074B2 (ja)
JPH0678195B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP2536448B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080108

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090108

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120108

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140108

Year of fee payment: 15

EXPY Cancellation because of completion of term