JP2000095569A - 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法 - Google Patents

高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法

Info

Publication number
JP2000095569A
JP2000095569A JP11288316A JP28831699A JP2000095569A JP 2000095569 A JP2000095569 A JP 2000095569A JP 11288316 A JP11288316 A JP 11288316A JP 28831699 A JP28831699 A JP 28831699A JP 2000095569 A JP2000095569 A JP 2000095569A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon nitride
weight
sintered body
nitride sintered
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11288316A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiyasu Komatsu
通泰 小松
Tatsuya Imaizumi
辰弥 今泉
Kazuyuki Kondo
和行 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11288316A priority Critical patent/JP2000095569A/ja
Publication of JP2000095569A publication Critical patent/JP2000095569A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01011Sodium [Na]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01025Manganese [Mn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01038Strontium [Sr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0104Zirconium [Zr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01041Niobium [Nb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01042Molybdenum [Mo]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01056Barium [Ba]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01072Hafnium [Hf]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01073Tantalum [Ta]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/011Groups of the periodic table
    • H01L2924/01105Rare earth metals

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】窒化けい素焼結体が本来備える高強度特性に加
えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素焼結体
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】少なくとも2種類の希土類元素を酸化物に
換算して7.5重量%を超え17.5重量%以下、必要
に応じて窒化アルミニウムおよびアルミナの少なくとも
一方を1.0重量%以下、必要に応じてTi,Zr,H
f,V,Nb,Ta,Cr,Mo,Wの酸化物、炭化
物、窒化物、けい化物、硼化物からなる群より選択され
る少なくとも1種を0.1〜3.0重量%、その他不純
物陽イオン元素としてLi,Na,K,Fe,Ca,M
g,Sr,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下含
有し、β相型窒化けい素結晶および粒界相から成ること
を特徴とする。この焼結体は粒界相中における結晶化合
物相の粒界相全体に対する割合が20%以上であり、さ
らに気孔率が容量比で2.5%以下、熱伝導率が80W
/m・K以上、三点曲げ強度が室温で650MPa以上
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高熱伝導性窒化けい
素焼結体およびその製造方法に係り、特に窒化けい素本
来の高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れ
ており、半導体用基板や各種放熱板として好適な高熱伝
導性窒化けい素焼結体およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】窒化けい素を主成分とするセラミックス
焼結体は、1000℃以上の高温度環境下でも優れた耐
熱性を有し、かつ低熱膨張係数のため耐熱衝撃性も優れ
ている等の諸特性を持つことから、従来の耐熱性超合金
に代わる高温構造材料としてガスタービン用部品、エン
ジン用部品、製鋼用機械部品等の各種高強度耐熱部品へ
の応用が試みられている。また、金属に対する耐食性が
優れていることから溶融金属の耐溶材料としての応用も
試みられ、さらに耐摩耗性も優れていることから、軸受
等の摺動部材、切削工具への実用化も図られている。
【0003】従来より窒化けい素セラミックス焼結体の
焼結組成としては窒化けい素−酸化イットリウム−酸化
アルミニウム系、窒化けい素−酸化イットリウム−酸化
アルミニウム−窒化アルミニウム系、窒化けい素−酸化
イットリウム−酸化アルミニウム−チタニウム、マグネ
シウムまたはジルコニウムの酸化物系等が知られてい
る。
【0004】上記焼結組成における酸化イットリウム
(Y)などの希土類元素の酸化物は、従来から焼
結助剤として一般に使用されており、焼結性を高めて焼
結体を緻密化し高強度化をするために添加されている。
【0005】従来の窒化けい素焼結体は、窒化けい素粉
末に上記のような焼結助剤を添加物として加えて成形
し、得られた成形体を1600〜1900℃程度の高温
度の焼成炉で所定時間焼成した後に炉冷する製法で量産
されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来方法によって製造された窒化けい素焼結体では、靭性
値などの機能的強度は優れているものの、熱伝導特性の
点では、他の窒化アルミニウム(AlN)焼結体、酸化
ベリリウム(BeO)焼結体や炭化けい素(SiC)焼
結体などと比較して著しく低いため、特に放熱性を要求
される半導体用基板などの電子用材料としては実用化さ
れておらず、用途範囲が狭い難点があった。
【0007】一方上記窒化アルミニウム焼結体は他のセ
ラミックス焼結体と比較して高い熱伝導率と低熱膨張係
数の特長を有するため、高速化、高出力化、多機能化、
大型化が進展する半導体回路基板材料やパッケージ材料
として普及しているが、機械的強度の点で充分に満足で
きるものは得られていない。そこで高強度を有するとと
もに高い熱伝導率も併せ持ったセラミックス焼結体の開
発が要請されている。
【0008】本発明は上記のような課題要請に対処する
ためになされたものであり、窒化けい素焼結体が本来備
える高強度特性に加えて、特に熱伝導率が高く放熱性に
優れた窒化けい素焼結体およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を達
成するため、従来の窒化けい素焼結体を製造する際に、
一般的に使用されていた窒化けい素粉末の種類、焼結助
剤や添加物の種類および添加量、焼結条件等を種々変え
て、それらの要素が最終製品としての焼結体の特性に及
ぼす影響を実験により確認した。
【0010】その結果、微細で高純度を有する窒化けい
素粉末に希土類元素、必要に応じて窒化アルミニウム、
アルミナやTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,
Mo,Wの酸化物、炭化物、窒化物、けい化物、硼化物
からなる群より選択される少なくとも1種を所定量ずつ
添加した原料混合体を成形脱脂し、得られた成形体を所
定温度で一定時間加熱保持して緻密化焼結を実施した
後、所定の冷却速度で徐冷したときに熱伝導率が大きく
向上し、かつ高強度を有する窒化けい素焼結体が得られ
ることが判明した。
【0011】また酸素や不純物陽イオン元素含有量を低
減した高純度の窒化けい素原料粉末を使用し、窒化けい
素成形体の厚さを小さく設定して焼結することにより、
粒界相におけるガラス相(非晶質相)の生成が効果的に
防止でき、希土類元素酸化物のみを原料粉末に添加した
場合においても80W/m・K以上の高熱伝導率を有す
る窒化けい素焼結体が得られるという知見を得た。
【0012】また、従来、焼結操作終了後に焼成炉の加
熱用電源をOFFとして焼結体を炉冷していた場合に
は、冷却速度が毎時400〜800℃と急速であった
が、本発明者の実験によれば、特に冷却速度を毎時10
0℃以下に緩速に制御することにより、窒化けい素焼結
体組織の粒界相が非結晶質状態から結晶相を含む相に変
化し、高強度特性と高伝熱特性とが同時に達成されるこ
とが判明した。
【0013】このような高熱伝導性窒化けい素焼結体自
体は、その一部が既に本発明者により特許出願されてお
り、さらに特開平6−135771号公報および特開平
7−48174号公報によって出願公開されている。そ
して、これらの特許出願において記載されている窒化け
い素焼結体は、希土類元素を酸化物に換算して2.0〜
7.5重量%含有するものである。しかしながら、本発
明者はさらに改良研究を進めた結果、含有される希土類
元素は酸化物に換算して7.5重量%を超えた場合の方
が焼結体の高熱伝導化がさらに進み、焼結性も良いこと
を見い出し、本願発明を完成したものである。特に希土
類元素がランタノイド系列の元素である場合に、その効
果は顕著である。ちなみに粒界相中における結晶化合物
相の粒界相全体に対する割合が60〜70%である場合
においても、焼結体は110〜120W/m・K以上の
高熱伝導率を達成することができる。
【0014】本発明は上記知見に基づいて完成されたも
のである。すなわち本発明に係る高熱伝導性窒化けい素
焼結体は、少なくとも2種類の希土類元素を酸化物に換
算して7.5重量%を超え17.5重量%以下、不純物
陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,M
g,Sr,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下含
有し、熱伝導率が80W/m・K以上であることを特徴
とする。
【0015】また他の態様として少なくとも2種類の希
土類元素を酸化物に換算して7.5重量%を超え17.
5重量%以下、不純物陽イオン元素としてのLi,N
a,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合
計で0.3重量%以下含有し、窒化けい素結晶および粒
界相から成るとともに粒界相中における結晶化合物相の
粒界相全体に対する割合が20%以上であることを特徴
とする。
【0016】また、その他の態様として少なくとも2種
類の希土類元素を酸化物に換算して7.5重量%を超え
17.5重量%以下含有し、窒化けい素結晶および粒界
相から成るとともに粒界相中における結晶化合物相の粒
界相全体に対する割合が20%以上であり、熱伝導率が
80W/m・K以上であることを特徴とする。
【0017】さらに希土類元素としてはランタノイド系
列の元素が熱伝導率を向上させるために、特に好まし
い。
【0018】また、窒化アルミニウムまたはアルミナを
1.0重量%以下添加して構成してもよい。さらにアル
ミナを1.0重量%以下と窒化アルミニウムを1.0重
量%以下とを併用してもよい。
【0019】また本発明の高熱伝導性窒化けい素焼結体
は、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,
Wからなる群より選択される少なくとも1種を酸化物に
換算して0.1〜3.0重量%含有することが好まし
い。このTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,M
o,Wから成る群より選択される少なくとも1種は、酸
化物、炭化物、窒化物、けい化物、硼化物として窒化け
い素粉末に添加することにより含有させることができ
る。
【0020】さらに本発明に係る高熱伝導性窒化けい素
焼結体の製造方法は、酸素を1.7重量%以下、不純物
陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,M
g,Sr,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下、
α相型窒化けい素を90重量%以上含有し、平均粒径
1.0μm以下の窒化けい素粉末に、少なくとも2種類
の希土類元素を酸化物に換算して7.5重量%を超え1
7.5重量%以下と、必要に応じてアルミナおよび窒化
アルミニウムの少なくとも一方を1.0重量%以下添加
した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成
形体を脱脂後、温度1800〜2100℃で雰囲気加圧
焼結し、上記焼結温度から、上記希土類元素により焼結
時に形成された液相が凝固する温度までに至る焼結体の
冷却速度を毎時100℃以下にして徐冷することを特徴
とする。
【0021】上記製造方法において、窒化けい素粉末
に、さらにアルミナおよび窒化アルミニウムの少なくと
も一方を1.0重量%以下添加するとよい。
【0022】さらに窒化けい素粉末に、さらにTi,Z
r,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,Wの酸化物、
炭化物、窒化物、けい化物、硼化物からなる群より選択
される少なくとも1種を0.1〜3.0重量%添加する
とよい。
【0023】上記製造方法によれば、窒化けい素結晶組
織中に希土類元素等を含む粒界相が形成され、気孔率が
2.5%以下、熱伝導率が80W/m・K以上、三点曲
げ強度が室温で650MPa以上の機械的特性および熱
伝導特性が共に優れた窒化けい素焼結体が得られる。
【0024】本発明方法において使用され、焼結体の主
成分となる窒化けい素粉末としては、焼結性、強度およ
び熱伝導率を考慮して、酸素含有量が1.7重量%以
下、好ましくは0.5〜1.5重量%、Li,Na,
K,Fe,Mg,Ca,Sr,Ba,Mn,Bなどの不
純物陽イオン元素含有量が合計で0.3重量%以下、好
ましくは0.2重量%以下に抑制されたα相型窒化けい
素を90重量%以上、好ましくは93重量%以上含有
し、平均粒径が1.0μm以下、好ましくは0.4〜
0.8μm程度の微細な窒化けい素粉末を使用すること
ができる。
【0025】平均粒径が1.0μm以下の微細な原料粉
末を使用することにより、少量の焼結助剤であっても気
孔率が2.5%以下の緻密な焼結体を形成することが可
能であり、また焼結助剤が熱伝導特性を阻害するおそれ
も減少する。
【0026】またLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,
Sr,Ba,Mn,Bの不純物陽イオン元素も熱伝導性
を阻害する物質となるため、80W/m・K以上の熱伝
導率を確保するためには、上記不純物陽イオン元素の含
有量は合計で0.3重量%以下とすることにより達成可
能である。特に同様の理由により、上記不純物陽イオン
元素の含有量は合計で0.2重量%以下とすることが、
さらに好ましい。ここで通常の窒化けい素焼結体を得る
ために使用される窒化けい素粉末には、特にFe,C
a,Mgが比較的に多く含有されているため、Fe,C
a,Mgの合計量が上記不純物陽イオン元素の合計含有
量の目安となる。
【0027】さらに、β相型と比較して焼結性に優れた
α相型窒化けい素を90重量%以上含有する窒化けい素
原料粉末を使用することにより、高密度の焼結体を製造
することができる。
【0028】また窒化けい素原料粉末に焼結助剤として
添加する希土類元素としては、Ho,Er,Yb,Y,
La,Sc,Pr,Ce,Nd,Dy,Sm,Gdなど
の酸化物もしくは焼結操作により、これらの酸化物とな
る物質を少なくとも2種類組み合せたものがよく、特に
酸化ホルミウム(Ho),酸化エルビウム(Er
)を用いることが好ましい。特に希土類元素とし
てランタノイド系列の元素であるHo,Er,Ybを使
用することにより、焼結性が良好になり、1850℃程
度の低温度領域においても十分に緻密な焼結体が得られ
る。したがって焼成装置の設備費およびランニングコス
トを低減できる効果も得られる。これらの焼結助剤は、
窒化けい素原料粉末と反応して液相を生成し、焼結促進
剤として機能する。
【0029】上記焼結助剤の添加量は、酸化物換算で原
料粉末に対して7.5重量%を超え17.5重量%以下
の範囲とする。この添加量が7.5重量%以下の場合
は、焼結体の緻密化あるいは高熱伝導化が不十分であ
り、特に希土類元素がランタノイド系元素のように原子
量が大きい元素の場合には、比較的低強度で比較的に低
熱伝導率の焼結体が形成される。一方、添加量が17.
5重量%を超える過量となると、過量の粒界相が生成
し、熱伝導率の低下や強度が低下し始めるので上記範囲
とする。特に同様の理由により8〜15重量%とするこ
とが望ましい。
【0030】また本発明において他の選択的な添加成分
として使用するTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,C
r,Mo,Wの酸化物,炭化物、窒化物、けい化物、硼
化物は、上記希土類元素の焼結促進剤の機能を促進する
と共に、結晶組織において分散強化の機能を果しSi
焼結体の機械的強度を向上させるものであり、特
に、Hf,Tiの化合物が好ましい。これらの化合物の
添加量が0.1重量%未満の場合においては添加効果が
不充分である一方、3.0重量%を超える過量となる場
合には熱伝導率および機械的強度や電気絶縁破壊強度の
低下が起こるため、添加量は0.1〜3.0重量%の範
囲とする。特に0.2〜2重量%とすることが望まし
い。
【0031】また上記Ti,Zr,Hf等の化合物は窒
化けい素焼結体を黒色系に着色し不透明性を付与する遮
光剤としても機能する。そのため、特に光によって誤動
作を生じ易い集積回路等を搭載する回路基板を製造する
場合には、上記Ti等の化合物を適正に添加し、遮光性
に優れた窒化けい素基板とすることが望ましい。
【0032】さらに本発明において、他の選択的な添加
成分としてのアルミナ(Al)は、上記希土類元
素の焼結促進剤の機能を助長する役目を果すものであ
り、特に加圧焼結を行なう場合に著しい効果を発揮する
ものである。このAlの添加量が0.1重量%未
満の場合においては、より高温度での焼結が必要になる
一方、1.0重量%を超える過量となる場合には過量の
粒界相を生成したり、または窒化けい素に固溶し始め、
熱伝導の低下が起こるため、添加量は1重量%以下、好
ましくは0.1〜0.75重量%の範囲とする。特に強
度、熱伝導率共に良好な性能を確保するためには添加量
を0.1〜0.5重量%の範囲とすることが望ましい。
【0033】また、後述するAlNと併用する場合に
は、その合計添加量は1.0重量%以下にすることが望
ましい。
【0034】さらに他の添加成分としての窒化アルミニ
ウム(AlN)は焼結過程における窒化けい素の蒸発な
どを抑制するとともに、上記希土類元素の焼結促進剤と
しての機能をさらに助長する役目を果すものである。
【0035】AlNの添加量が0.1重量%未満(アル
ミナと併用する場合では0.05重量%未満)の場合に
おいては、より高温度での焼結が必要になる一方、1.
0重量%を超える過量となる場合には過量の粒界相を生
成したり、または窒化けい素に固溶し始め、熱伝導率の
低下が起こるため、添加量は0.1〜1.0重量%の範
囲とする。特に焼結性,強度,熱伝導率共に良好な性能
を確保するためには添加量を0.1〜0.5重量%の範
囲とすることが望ましい。なお前記Alと併用す
る場合には、AlNの添加量は0.05〜0.5重量%
の範囲が好ましい。
【0036】また焼結体の気孔率は熱伝導率および強度
に大きく影響するため2.5%以下となるように製造す
る。気孔率が2.5%を超えると熱伝導の妨げとなり、
焼結体の熱伝導率が低下するとともに、焼結体の強度低
下が起こる。
【0037】また、窒化けい素焼結体は組織的に窒化け
い素結晶と粒界相とから構成されるが、粒界相中の結晶
化合物相の割合は焼結体の熱伝導率に大きく影響し、本
発明に係る焼結体においては粒界相の20%以上とする
ことが必要であり、より好ましくは50%以上が結晶相
で占めることが望ましい。結晶相が20%未満では熱伝
導率が80W/m・K以上となるような放熱特性に優
れ、かつ高温強度に優れた焼結体が得られないからであ
る。
【0038】さらに上記のように窒化けい素焼結体の気
孔率を2.5%以下にし、また窒化けい素結晶組織に形
成される粒界相の20%以上が結晶相で占めるようにす
るためには、窒化けい素成形体を温度1800〜210
0℃で2〜10時間程度、加圧焼結し、かつ焼結操作完
了直後における焼結体の冷却速度を毎時100℃以下に
して徐冷することが重要である。
【0039】焼結温度を1800℃未満とした場合に
は、焼結体の緻密化が不充分で気孔率が2.5vol%
以上になり機械的強度および熱伝導性が共に低下してし
まう。一方焼結温度が2100℃を超えると窒化けい素
成分自体が蒸発分解し易くなる。特に加圧焼結ではな
く、常圧焼結を実施した場合には、1800℃付近より
窒化けい素の分解蒸発が始まる。
【0040】上記焼結操作完了直後における焼結体の冷
却速度は粒界相を結晶化させるために重要な制御因子で
あり、冷却速度が毎時100℃を超えるような急速冷却
を実施した場合には、焼結体組織の粒界相が非結晶質
(ガラス相)となり、焼結体に生成した液相が結晶相と
して粒界相に占める割合が20%未満となり、強度およ
び熱伝導性が共に低下してしまう。
【0041】上記冷却速度を厳密に調整すべき温度範囲
は、所定の焼結温度(1800〜2100℃)から、前
記の焼結助剤の反応によって生成する液相が凝固するま
での温度範囲で充分である。ちなみに前記のような焼結
助剤を使用した場合の液相凝固点は概略1600〜15
00℃程度である。そして少なくとも焼結温度から上記
液相凝固温度に至るまでの焼結体の冷却速度を毎時10
0℃以下、好ましくは50℃以下、さらに好ましくは2
5℃以下に制御することにより、粒界相の20%以上、
特に好ましくは50%以上が結晶相になり、熱伝導率お
よび機械的強度が共に優れた焼結体が得られる。
【0042】本発明に係る窒化けい素焼結体は、例えば
以下のようなプロセスを経て製造される。すなわち前記
所定の微細粒径を有し、また不純物含有量が少ない微細
な窒化けい素粉末に対して所定量の焼結助剤、有機バイ
ンダ等の必要な添加剤および必要に応じてAl
AlN,Ti化合物等を加えて原料混合体を調整し、次
に得られた原料混合体を成形して所定形状の成形体を得
る。原料混合体の成形法としては、汎用の金型プレス
法、ドクターブレード法のようなシート成形法などが適
用できる。上記成形操作に引き続いて、成形体を非酸化
性雰囲気中で温度600〜800℃、または空気中で温
度400〜500℃で1〜2時間加熱して、予め添加し
ていた有機バインダ成分を充分に除去し、脱脂する。次
に脱脂処理された成形体を窒素ガス、水素ガスやアルゴ
ンガスなどの不活性ガス雰囲気中で1800〜2100
℃の温度で所定時間雰囲気加圧焼結を行う。
【0043】上記製法によって製造された窒化けい素焼
結体は気孔率が2.5%以下、80W/m・K(25
℃)以上の熱伝導率を有し、また三点曲げ強度が常温で
650MPa以上と機械的特性にも優れている。
【0044】なお、低熱伝導性の窒化けい素に高熱伝導
性のSiC等を添加して焼結体全体としての熱伝導率を
80W/m・K以上にした窒化けい素焼結体は本発明の
範囲には含まれない。しかしながら、熱伝導率が80W
/m・K以上である窒化けい素焼結体に高熱伝導性のS
iC等を複合させた窒化けい素系焼結体の場合には、本
発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
【0045】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施形態を以下に示
す参考例,実施例および比較例を参照して具体的に説明
する。
【0046】参考例1〜3 酸素を1.3重量%、不純物陽イオン元素としてLi,
Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを
合計で0.15重量%含有し、α相型窒化けい素97%
を含む平均粒径0.55μmの窒化けい素原料粉末に対
して、焼結助剤として平均粒径0.9μmのHo
(酸化ホルミウム)粉末12.5重量%を添加し、エチ
ルアルコール中で窒化けい素製ボールを用いて72時間
湿式混合した後に乾燥して原料粉末混合体を調整した。
次に得られた原料粉末混合体に有機バインダを所定量添
加して均一に混合した後に、1000kg/cmの成
形圧力でプレス成形し、長さ50mm×幅50mm×厚
さ5mmの成形体を多数製作した。次に得られた成形体
を700℃の雰囲気ガス中において2時間脱脂した後
に、この脱脂体を窒素ガス雰囲気中9気圧にて1950
℃で6時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、焼結炉
に付設した加熱装置への通電量を制御して焼結炉内温度
が1500℃まで降下するまでの間における焼結体の冷
却速度がそれぞれ100℃/hr(参考例1)、50℃
/hr(参考例2)、25℃/hr(参考例3)となる
ように調整して焼結体を徐冷し、それぞれ参考例1〜3
に係る窒化けい素セラミックス焼結体を調製した。
【0047】比較例1 一方、緻密化焼結完了直後に、加熱装置電源をOFFに
し、従来の炉冷による冷却速度(約500℃/hr)で
焼結体を冷却した点以外は参考例1と同一条件で焼結処
理して比較例1に係る窒化けい素焼結体を調製した。
【0048】比較例2 酸素を1.5重量%、前記不純物陽イオン元素を合計で
0.6重量%含有し、α相型窒化けい素93%を含む平
均粒径0.60μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以
外は参考例1と同一条件で処理し、比較例2に係る窒化
けい素セラミックス焼結体を調製した。
【0049】比較例3 酸素を1.7重量%、前記不純物陽イオン元素を合計で
0.7重量%含有し、α相型窒化けい素91%を含む平
均粒径1.2μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以外
は参考例1と同一条件で処理し、比較例3に係る窒化け
い素焼結体を調製した。
【0050】こうして得た参考例1〜3および比較例1
〜3に係る窒化けい素焼結体について気孔率、熱伝導率
(25℃)、室温での三点曲げ強度の平均値を測定し
た。さらに、各焼結体をX線回折法によって粒界相に占
める結晶相の割合(面積比)を測定し、下記表1に示す
結果を得た。
【0051】
【表1】
【0052】表1に示す結果から明らかなように参考例
1〜3に係る窒化けい素セラミックス焼結体において
は、比較例1と比較して緻密化焼結完了直後における焼
結体の冷却速度を従来より低く設定しているため、粒界
相に結晶相を含み、結晶相の占める割合が高い程、高熱
伝導率を有する放熱性の高い高強度焼結体が得られた。
【0053】一方、比較例1のように焼結体の冷却速度
を大きく設定し、急激に冷却した場合は粒界相において
結晶相が占める割合が10%以下と少なく熱伝導率が低
下した。また、比較例2のように前記不純物陽イオン元
素を合計量の0.6重量%と多く含有した窒化けい素粉
末を用いた場合は焼結体の冷却速度を参考例1と同一に
しても粒界相の大部分が非結晶質で形成され熱伝導率が
低下した。
【0054】さらに比較例3のように平均粒径が1.2
μmと粗い窒化けい素粉末を用いた場合は、焼結におい
て緻密化が不充分で強度、熱伝導率とも低下した。
【0055】参考例4〜17および比較例4〜7 参考例4〜17として参考例1において使用した窒化け
い素粉末とHo 粉末とを表2に示す組成比となる
ように調合して原料混合体をそれぞれ調製した。
【0056】次に得られた各原料混合体を参考例1と同
一条件で成形脱脂処理した後、表2に示す条件で焼結処
理してそれぞれ参考例4〜17に係る窒化けい素セラミ
ックス焼結体を製造した。
【0057】一方比較例4〜6として表2に示すように
Hoを過量に添加したもの(比較例4)、Ho
を過少量に添加したもの(比較例5)、Ho
を過量に添加したもの(比較例6)の原料混合体をそれ
ぞれ調製し、参考例1と同一条件で原料混合から焼結操
作を実施してそれぞれ比較例4〜6に係る焼結体を製造
した。
【0058】また、比較例7として焼結温度を1750
℃にした点以外は参考例1と同一条件で原料混合から焼
結操作を実施して比較例7に係る焼結体を製造した。
【0059】こうして製造した参考例4〜17および比
較例4〜7に係る各窒化けい素セラミックス焼結体につ
いて参考例1と同一条件で気孔率、熱伝導率(25
℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回折法によ
る粒界相に占める結晶相の割合を測定し、下記表2に示
す結果を得た。
【0060】
【表2】
【0061】表2に示す結果から明らかなように、Ho
を所定量含有し、焼結後の冷却速度を所定に設定
した参考例4〜17に係る焼結体は、いずれも高熱伝導
率で高強度値を有している。一方、比較例4〜6に示す
ように、Ho成分が過少量、あるいは過量添加さ
れた場合は、緻密化が不充分であったり、粒界相が過量
あるいは粒界相に占める結晶相の割合が低過ぎるため
に、曲げ強度が低下したり、または熱伝導率が劣ること
が確認された。また焼結温度を1750℃に設定した比
較例7に係る焼結体は緻密化が不十分であり、強度およ
び熱伝導率が共に低下した。
【0062】参考例18〜44および実施例1〜4 参考例18〜44および実施例1〜4として参考例1に
おいて使用したHo 粉末に置き換えて表3に示す
希土類酸化物を表3に示す組成比となるように配合した
以外は参考例1と同一条件で処理して参考例18〜44
および実施例1〜4に係る窒化けい素セラミックス焼結
体を製造した。
【0063】こうして得た各参考例および実施例に係る
焼結体について参考例1と同一条件で気孔率、熱伝導率
(25℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回折
による粒界相に占める結晶相の割合を測定し下記表3に
示す結果を得た。
【0064】
【表3】
【0065】表3に示す結果から明らかなようにHo
に置き換えて他の希土類元素を使用した参考例18
〜44および実施例1〜4に係る焼結体はHo
加のものと同等の性能を有することが確認された。
【0066】参考例45〜56および比較例8〜11 参考例45〜56として参考例1において使用した窒化
けい素粉末とHo粉末とAl粉末とを表4
に示す組成比となるように調合して原料混合体をそれぞ
れ調製した。
【0067】次に得られた各原料混合体を参考例1と同
一条件で成形脱脂処理した後、表4に示す条件で焼結処
理してそれぞれ参考例45〜56に係る窒化けい素セラ
ミックス焼結体を製造した。
【0068】一方比較例8〜11として表4に示すよう
にHoを過量に添加したもの(比較例8)、Ho
を過少量に添加したもの(比較例9)、Al
を過量に添加したもの(比較例10)、Ho
過量に添加したもの(比較例11)の原料混合体をそれ
ぞれ調製し、参考例1と同一条件で原料混合から焼結操
作を実施してそれぞれ比較例8〜11に係る焼結体を製
造した。
【0069】こうして製造した各参考例および比較例に
係る各窒化けい素セラミックス焼結体について参考例1
と同一条件で気孔率、熱伝導率(25℃)、室温での三
点曲げ強度の平均値、X線回折法による粒界相に占める
結晶相の割合を測定し、下記表4に示す結果を得た。
【0070】
【表4】
【0071】表4に示す結果から明らかなように、Ho
,Alを所定量含有し、焼結後の冷却速度
を所定に設定した参考例45〜56に係る焼結体は、い
ずれも高熱伝導率で高強度値を有している。一方、比較
例8〜11に示すように、Ho,Alの少
なくとも1種の成分が過少量、あるいは過量添加された
場合は、緻密化が不充分であったり、粒界相が過量ある
いは粒界相に占める結晶相の割合が低過ぎるために、曲
げ強度が低下したり、または熱伝導率が劣ることが確認
された。
【0072】参考例57〜76および実施例5〜8 参考例57〜76および実施例5〜8として参考例50
において使用したHo粉末に置き換えて表5に示
す希土類酸化物を表5に示す組成比となるように配合し
た以外は参考例50と同一条件で処理して参考例57〜
76および実施例5〜8に係る窒化けい素セラミックス
焼結体を製造した。
【0073】こうして得た各参考例および実施例に係る
焼結体について参考例50と同一条件で気孔率、熱伝導
率(25℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回
折による粒界相に占める結晶相の割合を測定し下記表5
に示す結果を得た。
【0074】
【表5】
【0075】表5に示す結果から明らかなようにHo
に置き換えて他の希土類元素を使用した参考例57
〜76および実施例5〜8に係る焼結体はHo
加のものと同等の性能を有することが確認された。
【0076】次に添加剤として窒化アルミニウム(Al
N)を使用した場合について、以下に示す参考例を参照
して具体的に説明する。
【0077】参考例77〜79 酸素を1.3重量%、前記不純物陽イオン元素を合計で
0.15重量%含有し、α相型窒化けい素97%を含む
平均粒径0.55μmの窒化けい素原料粉末に対して、
焼結助剤として平均粒径0.9μmのHo(酸化
ホルミウム)粉末12.5重量%、平均粒径0.8μm
のAlN(窒化アルミニウム)粉末0.25重量%を添
加し、エチルアルコール中で窒化けい素製ボールを用い
て72時間湿式混合した後に乾燥して原料粉末混合体を
調整した。次に得られた原料粉末混合体に有機バインダ
を所定量添加して均一に混合した後に、1000kg/
cmの成形圧力でプレス成形し、長さ50mm×幅5
0mm×厚さ5mmの成形体を多数製作した。次に得ら
れた成形体を700℃の雰囲気ガス中において2時間脱
脂した後に、この脱脂体を窒素ガス雰囲気中9気圧にて
1900℃で6時間保持し、緻密化焼結を実施した後
に、焼結炉に付設した加熱装置への通電量を制御して焼
結炉内温度が1500℃まで降下するまでの間における
焼結体の冷却速度がそれぞれ100℃/hr(参考例7
7)、50℃/hr(参考例78)、25℃/hr(参
考例79)となるように調整して焼結体を徐冷し、それ
ぞれ参考例77〜79に係る窒化けい素セラミックス焼
結体を調製した。
【0078】比較例12 一方、緻密化焼結完了直後に、加熱装置電源をOFFに
し、従来の炉冷による冷却速度(約500℃/hr)で
焼結体を冷却した点以外は参考例77と同一条件で焼結
処理して比較例12に係る窒化けい素焼結体を調製し
た。
【0079】比較例13 酸素を1.5重量%、前記不純物陽イオン元素を合計で
0.6重量%含有し、α相型窒化けい素93%を含む平
均粒径0.60μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以
外は参考例77と同一条件で処理し、比較例13に係る
窒化けい素セラミックス焼結体を調製した。
【0080】比較例14 酸素を1.7重量%、前記不純物陽イオン元素を合計で
0.7重量%含有し、α相型窒化けい素91%を含む平
均粒径1.2μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以外
は参考例77と同一条件で処理し、比較例14に係る窒
化けい素焼結体を調製した。
【0081】こうして得た各参考例、実施例および比較
例に係る窒化けい素焼結体について気孔率、熱伝導率
(25℃)、室温での三点曲げ強度の平均値を測定し
た。さらに、各焼結体をX線回折法によって粒界相に占
める結晶相の割合(面積比)を測定し、下記表6に示す
結果を得た。
【0082】
【表6】
【0083】表6に示す結果から明らかなように参考例
77〜79に係る窒化けい素セラミックス焼結体におい
ては、比較例12と比較して緻密化焼結完了直後におけ
る焼結体の冷却速度を従来より低く設定しているため、
粒界相に結晶相を含み、結晶相の占める割合が高い程、
高熱伝導率を有する放熱性の高い高強度焼結体が得られ
た。
【0084】一方、比較例12のように焼結体の冷却速
度を大きく設定し、急激に冷却した場合は粒界相におい
て結晶相が占める割合が少なく熱伝導率が低下した。ま
た、比較例13のように不純物陽イオン元素を0.6重
量%と多く含有した窒化けい素粉末を用いた場合は焼結
体の冷却速度を参考例77と同一にしても粒界相の大部
分が非結晶質で形成され熱伝導率が低下した。
【0085】さらに比較例14のように平均粒径が1.
2μmと粗い窒化けい素粉末を用いた場合は、焼結にお
いて緻密化が不充分で強度、熱伝導率とも低下した。
【0086】参考例80〜93および比較例15〜21 参考例80〜93として参考例77において使用した窒
化けい素粉末とHo 粉末とAlN粉末と平均粒径
0.5μmのAl粉末とを表7に示す組成比とな
るように調合して原料混合体をそれぞれ調製した。
【0087】次に得られた各原料混合体を参考例77と
同一条件で成形脱脂処理した後、表7に示す条件で焼結
処理してそれぞれ参考例80〜93に係る窒化けい素セ
ラミックス焼結体を製造した。
【0088】一方比較例15〜21として表7に示すよ
うにHoを過量に添加したもの(比較例15)、
Hoを過少量に添加したもの(比較例16)、A
lNを過量に添加したもの(比較例17)、Ho
を過量に添加したもの(比較例18),AlNとAl
との合計添加量を過量に設定したもの(比較例19
および20),上記合計添加量を過少に設定したもの
(比較例21)の原料混合体をそれぞれ調製し、参考例
77と同一条件で原料混合から焼結操作を実施してそれ
ぞれ比較例15〜21に係る焼結体を製造した。
【0089】こうして製造した各参考例および比較例に
係る各窒化けい素セラミックス焼結体について参考例7
7と同一条件で気孔率、熱伝導率(25℃)、室温での
三点曲げ強度の平均値、X線回折法による粒界相に占め
る結晶相の割合を測定し、下記表7に示す結果を得た。
【0090】
【表7】
【0091】表7に示す結果から明らかなように、H
、必要に応じてAlN,Alを所定量含有
し、焼結後の冷却速度を所定の低速度に設定した参考例
80〜93に係る焼結体は、いずれも高熱伝導率で高強
度値を有している。一方、比較例15〜21に示すよう
に、Ho,AlNの少なくとも1種の成分または
AlNとAl成分の合計量が過少量、あるいは過
量添加された場合は、緻密化が不充分であったり、粒界
相が過量あるいは粒界相に占める結晶相の割合が低過ぎ
るために、曲げ強度が低下、または熱伝導率が劣ること
が確認された。
【0092】参考例95〜107および実施例9〜10 参考例95〜107および実施例9〜10として参考例
77において使用したHo粉末に置き換えて表8
に示す希土類酸化物を表8に示す組成比となるように配
合した以外は参考例77と同一条件で処理して参考例9
5〜107および実施例9〜10に係る窒化けい素セラ
ミックス焼結体を製造した。
【0093】こうして得た各参考例および実施例に係る
焼結体について参考例77と同一条件で気孔率、熱伝導
率(25℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回
折による粒界相に占める結晶相の割合を測定し下記表8
に示す結果を得た。
【0094】
【表8】
【0095】表8に示す結果から明らかなようにHo
に置き換えて他の希土類元素を使用した参考例95
〜107および実施例9〜10に係る焼結体はHo
添加のものと同等の性能を有することが確認された。
【0096】次にHf化合物等を添加したSi
結体について以下に示す実施例を参照して具体的に説明
する。
【0097】参考例108〜110 酸素を1.3重量%、前記不純物陽イオン元素を合計で
0.15重量%含有し、α相型窒化けい素97%を含む
平均粒径0.55μmの窒化けい素原料粉末に対して、
焼結助剤として平均粒径0.9μmのHo(酸化
ホルミウム)粉末12.5重量%、平均粒径1μmのH
fO(酸化ハフニウム)粉末1.5重量%を添加し、
エチルアルコール中で窒化けい素製ボールを用いて72
時間湿式混合した後に乾燥して原料粉末混合体を調整し
た。次に得られた原料粉末混合体に有機バインダを所定
量添加して均一に混合した後に、1000kg/cm
の成形圧力でプレス成形し、長さ50mm×幅50mm
×厚さ5mmの成形体を多数製作した。次に得られた成
形体を700℃の雰囲気ガス中において2時間脱脂した
後に、この脱脂体を窒素ガス雰囲気中9気圧にて190
0℃で6時間保持し、緻密化焼結を実施した後に、焼結
炉に付設した加熱装置への通電量を制御して焼結炉内温
度が1500℃まで降下するまでの間における焼結体の
冷却速度がそれぞれ100℃/hr(参考例108)、
50℃/hr(参考例109)、25℃/hr(参考例
110)となるように調整して焼結体を徐冷し、それぞ
れ参考例108〜110に係る窒化けい素セラミックス
焼結体を調製した。
【0098】比較例22 一方、緻密化焼結完了直後に、加熱装置電源をOFFに
し、従来の炉冷による冷却速度(約500℃/hr)で
焼結体を冷却した点以外は参考例108と同一条件で焼
結処理して比較例22に係る窒化けい素焼結体を調製し
た。
【0099】比較例23 酸素を1.5重量%、前記不純物陽イオン元素を合計で
0.6重量%含有し、α相型窒化けい素93%を含む平
均粒径0.60μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以
外は参考例1と同一条件で処理し、比較例23に係る窒
化けい素セラミックス焼結体を調製した。
【0100】比較例24 酸素を1.7重量%、前記不純物陽イオン元素を合計で
0.7重量%含有し、α相型窒化けい素91%を含む平
均粒径1.2μmの窒化けい素原料粉末を用いた点以外
は参考例108と同一条件で処理し、比較例24に係る
窒化けい素焼結体を調製した。
【0101】こうして得た各参考例および比較例に係る
窒化けい素焼結体について気孔率、熱伝導率(25
℃)、室温での三点曲げ強度の平均値を測定した。さら
に、各焼結体をX線回折法によって粒界相に占める結晶
相の割合(面積比)を測定し、下記表9に示す結果を得
た。
【0102】
【表9】
【0103】表9に示す結果から明らかなように参考例
108〜110に係る窒化けい素セラミックス焼結体に
おいては、比較例22と比較して緻密化焼結完了直後に
おける焼結体の冷却速度を従来より低く設定しているた
め、粒界相に結晶相を含み、結晶相の占める割合が高い
程、高熱伝導率を有する放熱性の高い高強度焼結体が得
られた。
【0104】一方、比較例22のように焼結体の冷却速
度を大きく設定し、急激に冷却した場合は粒界相におい
て結晶相が占める割合が少なく熱伝導率が低下した。ま
た、比較例23のように前記不純物陽イオン元素を合計
で0.6重量%と多く含有した窒化けい素粉末を用いた
場合は焼結体の冷却速度を参考例108と同一にしても
粒界相の大部分が非結晶質で形成され熱伝導率が低下し
た。
【0105】さらに比較例24のように平均粒径が1.
2μmと粗い窒化けい素粉末を用いた場合は、焼結にお
いて緻密化が不充分で強度、熱伝導率とも低下した。
【0106】参考例111〜164,実施例11〜13
および比較例25〜31 参考例111〜164および実施例11〜13として参
考例108において使用した窒化けい素粉末と、Ho
粉末と、HfO粉末の他に表10〜表12に示す
各種希土類酸化物粉末および各種金属化合物粉末と、さ
らにAl 粉末と、AlN粉末とを表10〜表12
に示す組成比となるように調合して原料混合体をそれぞ
れ調製した。
【0107】次に得られた各原料混合体を参考例107
と同一条件で成形脱脂処理した後、表10〜表12に示
す条件で焼結処理してそれぞれ参考例111〜164お
よび実施例11〜13に係る窒化けい素セラミックス焼
結体を製造した。
【0108】一方比較例25〜31として表12に示す
ようにHfOを過少量に添加したもの(比較例2
5)、Hoを過少量に添加したもの(比較例2
6)、HfOを過量に添加したもの(比較例27)、
Hoを過量に添加したもの(比較例28),Ti
を過量に添加したもの(比較例29)、AlNを過
量に添加したもの(比較例30)、アルミナを過量に添
加したもの(比較例31)の原料混合体をそれぞれ調製
し、参考例108と同一条件で原料混合から焼結操作を
実施してそれぞれ比較例25〜31に係る焼結体を製造
した。
【0109】こうして製造した各参考例、実施例および
比較例に係る各窒化けい素セラミックス焼結体について
参考例108と同一条件で気孔率、熱伝導率(25
℃)、室温での三点曲げ強度の平均値、X線回折法によ
る粒界相に占める結晶相の割合を測定し、下記表10〜
表12に示す結果を得た。
【0110】
【表10】
【0111】
【表11】
【0112】
【表12】
【0113】表10〜表12に示す結果から明らかなよ
うに、Ho,希土類酸化物,HfO等の各種金
属化合物、必要に応じてAl、AlNを所定量含
有し、焼結後の冷却速度を所定に設定した各参考例およ
び実施例に係る焼結体は、いずれも高熱伝導率で高強度
値を有している。一方、比較例25〜31に示すよう
に、Ho,HfO,TiO,Al,A
lNの少なくとも1種の成分が過少量、あるいは過量添
加された場合は、緻密化が不充分であったり、粒界相が
過量あるいは粒界相に占める結晶相の割合が低過ぎるた
めに、曲げ強度が低下、または熱伝導率が劣ることが確
認された。
【0114】また、上記参考例および実施例の他に、窒
化けい素粉末にHo粉末12.5重量%と、Zr
C,VC,NbC,TaC,Cr,MoC,T
iN,ZrN,VN,TaN,CrN,MoN,W
N,HfSi,TiSi,ZrSi,VSi
NbSi,TaSi,CrSi,MoSi,W
Si,ZrB,VB,NbB,TaB,Cr
,MoB,WB からなる群より選択された少な
くとも1種を1重量%添加した組成の原料混合体を参考
例107と同一条件で処理して各種Si焼結体を
製造した。これら焼結体について参考例108と同一条
件で気孔率、熱伝導率(25℃)、室温での三点曲げ強
度の平均値、X線回折による粒界相に占める結晶相の割
合を測定したところ、参考例108〜164および実施
例11〜13とほぼ同様な結果が得られた。
【0115】
【発明の効果】以上説明の通り、本発明に係る高熱伝導
性窒化けい素焼結体およびその製造方法によれば、高強
度かつ高い熱伝導率を有する窒化けい素焼結体が得られ
る。したがって、この窒化けい素焼結体は半導体用基板
ならびに放熱板などの基板として極めて有用である。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも2種類の希土類元素を酸化物
    に換算して7.5重量%を超え17.5重量%以下、不
    純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,C
    a,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%
    以下含有し、熱伝導率が80W/m・K以上であること
    を特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体。
  2. 【請求項2】 少なくとも2種類の希土類元素を酸化物
    に換算して7.5重量%を超え17.5重量%以下、不
    純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,C
    a,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%
    以下含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成るとと
    もに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対す
    る割合が20%以上であることを特徴とする高熱伝導性
    窒化けい素焼結体。
  3. 【請求項3】 少なくとも2種類の希土類元素を酸化物
    に換算して7.5重量%を超え17.5重量%以下含有
    し、窒化けい素結晶および粒界相から成るとともに粒界
    相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が
    20%以上であり、熱伝導率が80W/m・K以上であ
    ることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体。
  4. 【請求項4】 希土類元素がランタノイド系列の元素で
    あることを特徴とする請求項1,2または3記載の高熱
    伝導性窒化けい素焼結体。
  5. 【請求項5】 高熱伝導性窒化けい素焼結体は、アルミ
    ニウムをアルミナに換算して1.0重量%以下含有する
    ことを特徴とする請求項1,2または3記載の高熱伝導
    性窒化けい素焼結体。
  6. 【請求項6】 高熱伝導性窒化けい素焼結体は、窒化ア
    ルミニウムを1.0重量%以下含有することを特徴とす
    る請求項1,2または3記載の高熱伝導性窒化けい素焼
    結体。
  7. 【請求項7】 高熱伝導性窒化けい素焼結体は、Ti,
    Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,Wからなる
    群より選択される少なくとも1種を酸化物に換算して
    0.1〜3.0重量%含有することを特徴とする請求項
    1,2または3記載の高熱伝導性窒化けい素焼結体。
  8. 【請求項8】 気孔率が容量比で2.5%以下、熱伝導
    率が80W/m・K以上、三点曲げ強度が室温で650
    MPa以上である請求項1,2または3記載の高熱伝導
    性窒化けい素焼結体。
  9. 【請求項9】 酸素を1.7重量%以下、不純物陽イオ
    ン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,S
    r,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下、α相型
    窒化けい素を90重量%以上含有し、平均粒径1.0μ
    m以下の窒化けい素粉末に、少なくとも2種類の希土類
    元素を酸化物に換算して7.5重量%を超え17.5重
    量%以下添加した原料混合体を成形して成形体を調製
    し、得られた成形体を脱脂後、温度1800〜2100
    ℃で雰囲気加圧焼結し、上記焼結温度から、上記希土類
    元素により焼結時に形成された液相が凝固する温度まで
    に至る焼結体の冷却速度を毎時100℃以下にして徐冷
    することを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体の製
    造方法。
  10. 【請求項10】 窒化けい素粉末に、アルミナおよび窒
    化アルミニウムの少なくとも一方を1.0重量%以下添
    加することを特徴とする請求項9記載の高熱伝導性窒化
    けい素焼結体の製造方法。
  11. 【請求項11】 窒化けい素粉末に、Ti,Zr,H
    f,V,Nb,Ta,Cr,Mo,Wからなる群より選
    択される少なくとも1種を酸化物に換算して0.1〜
    3.0重量%添加することを特徴とする請求項9記載の
    高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法。
JP11288316A 1999-10-08 1999-10-08 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法 Pending JP2000095569A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11288316A JP2000095569A (ja) 1999-10-08 1999-10-08 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11288316A JP2000095569A (ja) 1999-10-08 1999-10-08 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07344237A Division JP3100892B2 (ja) 1995-06-23 1995-12-28 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000095569A true JP2000095569A (ja) 2000-04-04

Family

ID=17728611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11288316A Pending JP2000095569A (ja) 1999-10-08 1999-10-08 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000095569A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002171037A (ja) * 2000-09-22 2002-06-14 Toshiba Corp セラミックス回路基板およびその製造方法
KR20230099878A (ko) * 2021-12-28 2023-07-05 (주) 존인피니티 질화규소 분말 및 질화규소 소결체의 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002171037A (ja) * 2000-09-22 2002-06-14 Toshiba Corp セラミックス回路基板およびその製造方法
KR20230099878A (ko) * 2021-12-28 2023-07-05 (주) 존인피니티 질화규소 분말 및 질화규소 소결체의 제조방법
KR102641152B1 (ko) 2021-12-28 2024-02-27 (주) 존인피니티 질화규소 분말 및 질화규소 소결체의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4346151B2 (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびそれを用いた回路基板並びに集積回路
US5439856A (en) High thermal conductive silicon nitride sintered body and method of producing the same
JP5444387B2 (ja) 半導体装置用放熱板
JPH0925166A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
KR960016070B1 (ko) 질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법
JP2871410B2 (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
JP3100892B2 (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
JP2774761B2 (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
US6143677A (en) Silicon nitride sinter having high thermal conductivity and process for preparing the same
JPH05238830A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JP2003313079A (ja) 窒化ケイ素質焼結体および窒化ケイ素質焼結体の製造方法、並びにそれを用いた回路基板
JP3537241B2 (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JP2000095569A (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
JPH09268069A (ja) 高熱伝導性材料およびその製造方法
JP5289184B2 (ja) 高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法
JP2001181053A (ja) 窒化ケイ素焼結体及びその製造方法
JP2008156142A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPH03177361A (ja) β―サイアロン―窒化硼素系複合焼結体の製造方法
JP2000044351A (ja) 窒化珪素質放熱部材及びその製造方法
JPH11322438A (ja) 高熱伝導性窒化ケイ素質焼結体及びその製造方法
JP3895211B2 (ja) 窒化けい素配線基板の製造方法
JP4221006B2 (ja) 窒化けい素セラミックス回路基板
JP2541150B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP2000191376A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JP4516057B2 (ja) 窒化けい素配線基板およびその製造方法