JPH0616477A - 半導体装置実装用低温焼結型磁器の製造方法 - Google Patents
半導体装置実装用低温焼結型磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPH0616477A JPH0616477A JP4191398A JP19139892A JPH0616477A JP H0616477 A JPH0616477 A JP H0616477A JP 4191398 A JP4191398 A JP 4191398A JP 19139892 A JP19139892 A JP 19139892A JP H0616477 A JPH0616477 A JP H0616477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- glass
- sintered body
- particles
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低誘電率かつ高熱伝導率を有し、低温焼結可
能な半導体装置実装用の低温焼結型磁器を製造する方法
を提供する。 【構成】 窒化アルミニウム焼結体の粉砕粒子あるいは
表面を酸化処理した窒化アルミニウム焼結体の粉砕粒子
と、ガラスとを原料として用いる。
能な半導体装置実装用の低温焼結型磁器を製造する方法
を提供する。 【構成】 窒化アルミニウム焼結体の粉砕粒子あるいは
表面を酸化処理した窒化アルミニウム焼結体の粉砕粒子
と、ガラスとを原料として用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板、多層配線基
板、半導体パッケージ材料等に使用される低温焼結型磁
器の製造方法に関する。
板、半導体パッケージ材料等に使用される低温焼結型磁
器の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】近年ＬＳＩの高集積化、
高密度化、高速化、高出力化に伴い、ＬＳＩから発生す
る熱量はますます増加している。また、基板内部での信
号伝播の遅延も問題となっている。現在、アルミナ焼結
体、窒化アルミニウム焼結体、低温焼成ガラス含有アル
ミナ磁器等が絶縁基板、多層配線基板、半導体パッケー
ジ等の材料に使用されている。アルミナ基板は、熱伝導
率は２０Ｗ／ｍＫと比較的大きいが、比誘電率が１０前
後と比較的大きいという欠点を有する。また、焼成温度
が１５００℃前後と高いため、同時焼成により配線基板
を作製する場合には、Ｗ，Ｍｏ等の高価で電気抵抗のや
や大きい導体を使用しなければならないという欠点と焼
成コストが高くなるという欠点を有する。窒化アルミニ
ウム基板は、熱伝導率が１００〜２６０Ｗ／ｍＫと極め
て大きいが、焼成温度が１７００〜２０００℃程度と高
いため、アルミナ基板と同様にＷ，Ｍｏ等の導体材料を
使用しなければならず、焼成コストもアルミナ以上に高
くなるという欠点を有する。低温焼成ガラス含有のアル
ミナ磁器基板は、８５０℃〜１１００℃程度の低温で焼
成できるため、Ａｇ，Ａｕ等の電気抵抗の低い導体、さ
らにはＡｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等の安価で低電気抵抗の導体も
同時焼成により形成できる。また、誘電率も低く、焼成
コストも安いという長所を有する。しかし、熱伝導率は
１．５〜３．５Ｗ／ｍＫ程度と小さい欠点がある。ま
た、近年窒化アルミニウム２０〜８０重量％とガラス２
０〜８０％から成る絶縁材料と、銅の導体材料の組合わ
せによる多層セラミックス基板が特開昭６３−３０７１
８２号公報「セラミックス回路基板」に報告されている
が、熱伝導率は３．０Ｗ／ｍＫと十分なものではない。
以上述べたように、絶縁基板，多層配線基板，半導体パ
ッケージ用の材料系では、低温焼結化，低温誘電率化，
高熱伝導率化のすべてを満足することは不可能であっ
た。
高密度化、高速化、高出力化に伴い、ＬＳＩから発生す
る熱量はますます増加している。また、基板内部での信
号伝播の遅延も問題となっている。現在、アルミナ焼結
体、窒化アルミニウム焼結体、低温焼成ガラス含有アル
ミナ磁器等が絶縁基板、多層配線基板、半導体パッケー
ジ等の材料に使用されている。アルミナ基板は、熱伝導
率は２０Ｗ／ｍＫと比較的大きいが、比誘電率が１０前
後と比較的大きいという欠点を有する。また、焼成温度
が１５００℃前後と高いため、同時焼成により配線基板
を作製する場合には、Ｗ，Ｍｏ等の高価で電気抵抗のや
や大きい導体を使用しなければならないという欠点と焼
成コストが高くなるという欠点を有する。窒化アルミニ
ウム基板は、熱伝導率が１００〜２６０Ｗ／ｍＫと極め
て大きいが、焼成温度が１７００〜２０００℃程度と高
いため、アルミナ基板と同様にＷ，Ｍｏ等の導体材料を
使用しなければならず、焼成コストもアルミナ以上に高
くなるという欠点を有する。低温焼成ガラス含有のアル
ミナ磁器基板は、８５０℃〜１１００℃程度の低温で焼
成できるため、Ａｇ，Ａｕ等の電気抵抗の低い導体、さ
らにはＡｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等の安価で低電気抵抗の導体も
同時焼成により形成できる。また、誘電率も低く、焼成
コストも安いという長所を有する。しかし、熱伝導率は
１．５〜３．５Ｗ／ｍＫ程度と小さい欠点がある。ま
た、近年窒化アルミニウム２０〜８０重量％とガラス２
０〜８０％から成る絶縁材料と、銅の導体材料の組合わ
せによる多層セラミックス基板が特開昭６３−３０７１
８２号公報「セラミックス回路基板」に報告されている
が、熱伝導率は３．０Ｗ／ｍＫと十分なものではない。
以上述べたように、絶縁基板，多層配線基板，半導体パ
ッケージ用の材料系では、低温焼結化，低温誘電率化，
高熱伝導率化のすべてを満足することは不可能であっ
た。
【０００３】本発明の目的は、このような従来の欠点を
除去して、低誘電率かつ高熱伝導率を有し、低温焼成可
能な半導体装置実装用低温焼結型磁器の製造方法を提供
することにある。
除去して、低誘電率かつ高熱伝導率を有し、低温焼成可
能な半導体装置実装用低温焼結型磁器の製造方法を提供
することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、窒化アルミニ
ウム焼結体の粉砕粒子よりなる結晶粒子とガラスを原料
として用いることを特徴とする半導体実装用低温焼結型
磁器の製造方法である。
ウム焼結体の粉砕粒子よりなる結晶粒子とガラスを原料
として用いることを特徴とする半導体実装用低温焼結型
磁器の製造方法である。
【０００５】
【作用】ガラス中に結晶が分散した低温焼結型磁器にお
いては、結晶の熱伝導率が高いほど、この低温焼結型磁
器の熱伝導率は高くなる。本発明においては、熱伝導率
の低い窒化アルミニウム粉末ではなく、高熱伝導率化し
た窒化アルミニウム焼結体の粉砕粒子を使用しているた
めに、結果として熱伝導率の高い低温焼結型磁器を作製
することができる。一方、この低温焼結型磁器において
は、結晶の体積比率が大きいほど、熱伝導率は大きくな
る。窒化アルミニウム焼結体中の粒子は、図１に示す正
六八面体に類似した形状を有し、粒子が密に詰まった状
態となっている。窒化アルミニウム焼結体は、粒界破壊
するため、粉砕粒子も正六八面体類似の構造を有してい
る。均一な粒子径からなる球状の窒化アルミニウム粒子
では最密に詰まった場合でも磁器中において７４体積％
の空間占有率しかとりえないのに対して、窒化アルミニ
ウム焼結体の粉砕粒子では、磁器中において７４体積％
以上の空間の占有が可能となる。したがって、焼結体の
粉砕粒子を使用することにより、窒化アルミニウム結晶
の体積比率も向上させることができ、高熱伝導率の低温
焼結型磁器の作製が可能となった。このように窒化アル
ミニウム焼結体の粉砕粒子が磁器中において５０体積％
を超えるような場合、窒化アルミニウムのガラスに対す
る濡れ性を向上させるために、あらかじめ熱酸化等によ
り粉砕粒子表面に酸化層を形成しておくことが、さらに
有効である。
いては、結晶の熱伝導率が高いほど、この低温焼結型磁
器の熱伝導率は高くなる。本発明においては、熱伝導率
の低い窒化アルミニウム粉末ではなく、高熱伝導率化し
た窒化アルミニウム焼結体の粉砕粒子を使用しているた
めに、結果として熱伝導率の高い低温焼結型磁器を作製
することができる。一方、この低温焼結型磁器において
は、結晶の体積比率が大きいほど、熱伝導率は大きくな
る。窒化アルミニウム焼結体中の粒子は、図１に示す正
六八面体に類似した形状を有し、粒子が密に詰まった状
態となっている。窒化アルミニウム焼結体は、粒界破壊
するため、粉砕粒子も正六八面体類似の構造を有してい
る。均一な粒子径からなる球状の窒化アルミニウム粒子
では最密に詰まった場合でも磁器中において７４体積％
の空間占有率しかとりえないのに対して、窒化アルミニ
ウム焼結体の粉砕粒子では、磁器中において７４体積％
以上の空間の占有が可能となる。したがって、焼結体の
粉砕粒子を使用することにより、窒化アルミニウム結晶
の体積比率も向上させることができ、高熱伝導率の低温
焼結型磁器の作製が可能となった。このように窒化アル
ミニウム焼結体の粉砕粒子が磁器中において５０体積％
を超えるような場合、窒化アルミニウムのガラスに対す
る濡れ性を向上させるために、あらかじめ熱酸化等によ
り粉砕粒子表面に酸化層を形成しておくことが、さらに
有効である。
【０００６】また、窒化アルミニウムはアルミナよりも
誘電率が小さいために誘電率の小さいガラスと組み合わ
せることにより、信号伝播の高速化に必要な低誘電率化
も同時に達成している。さらには、一般に、窒化アルミ
ニウムおよび窒化アルミニウムを含有する複合材料にお
いては空気中での焼成は、窒化アルミニウムが分解して
しまうため主に不活性ガス中での脱脂および焼成が行わ
れている。本発明においては、空気中においても１２０
０℃程度まで安定な窒化アルミニウム焼結体粉砕粒子を
使用しているため、空気中での脱脂および焼成が可能と
なっている。このことにより、焼成温度の低減と共に、
焼成コストの低減および焼成の簡便化を達成している。
誘電率が小さいために誘電率の小さいガラスと組み合わ
せることにより、信号伝播の高速化に必要な低誘電率化
も同時に達成している。さらには、一般に、窒化アルミ
ニウムおよび窒化アルミニウムを含有する複合材料にお
いては空気中での焼成は、窒化アルミニウムが分解して
しまうため主に不活性ガス中での脱脂および焼成が行わ
れている。本発明においては、空気中においても１２０
０℃程度まで安定な窒化アルミニウム焼結体粉砕粒子を
使用しているため、空気中での脱脂および焼成が可能と
なっている。このことにより、焼成温度の低減と共に、
焼成コストの低減および焼成の簡便化を達成している。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。粉
砕する窒化アルミニウム焼結体は固溶酸素が十分に除去
されており、高熱伝導率化されたものが望ましい。粉砕
に際しては、不純物が混入しないように注意することが
必要である。粉砕粒子の粒径は３〜６０μｍ程度が良
く、種々の粒径の粒子が混在していても良い。平均粒径
は、１０〜４０μｍ程度が望ましい。ガラスは、ホウケ
イ酸系ガラスが望ましいが、これに限定されるものでは
ない。ガラスの粒径は１〜２０μｍ程度が良く、平均粒
径３μｍ程度が望ましい。焼結は空気中あるいは窒素中
で行うことが望ましいが、他の雰囲気として水蒸気ガ
ス，アルゴンガス，ヘリウムガス，一酸化炭素ガス，水
素ガス，アンモニアガス等あるいはこれらの混合ガスま
たは真空中等も使用される。焼成温度は８００〜１６０
０℃が良く、特に９００〜１１００℃が好ましい。
砕する窒化アルミニウム焼結体は固溶酸素が十分に除去
されており、高熱伝導率化されたものが望ましい。粉砕
に際しては、不純物が混入しないように注意することが
必要である。粉砕粒子の粒径は３〜６０μｍ程度が良
く、種々の粒径の粒子が混在していても良い。平均粒径
は、１０〜４０μｍ程度が望ましい。ガラスは、ホウケ
イ酸系ガラスが望ましいが、これに限定されるものでは
ない。ガラスの粒径は１〜２０μｍ程度が良く、平均粒
径３μｍ程度が望ましい。焼結は空気中あるいは窒素中
で行うことが望ましいが、他の雰囲気として水蒸気ガ
ス，アルゴンガス，ヘリウムガス，一酸化炭素ガス，水
素ガス，アンモニアガス等あるいはこれらの混合ガスま
たは真空中等も使用される。焼成温度は８００〜１６０
０℃が良く、特に９００〜１１００℃が好ましい。
【０００８】実施例１ 窒化アルミニウム焼結体は、焼結助剤に酸化イットリウ
ムを使用し、窒素気流中、１９００℃で５時間焼成して
製造した熱伝導率２００Ｗ／ｍＫのものを使用した。こ
の焼結体を粉砕し、平均粒径１０μｍとした。この粉砕
粒子とホウケイ酸ガラスを６０：４０の重量比で混合し
た。用いたガラスの組成は、表１に示した。次にバイン
ダを加えシート成形し、成形体を空気中で加熱し、バイ
ンダを除去した。その後、この成形体を空気中、９００
℃で１０分間焼成して焼成体を得た。得られた焼成体は
緻密で体積抵抗率１０13Ω・ｃｍ以上の高絶縁性を示し
た。この焼成体についてアルキメデス法による密度の測
定、周波数１ＭＨｚにおける比誘電率の測定およびレー
ザーフラッシュ法による熱伝導率の測定を行い、その結
果を表２に示した。
ムを使用し、窒素気流中、１９００℃で５時間焼成して
製造した熱伝導率２００Ｗ／ｍＫのものを使用した。こ
の焼結体を粉砕し、平均粒径１０μｍとした。この粉砕
粒子とホウケイ酸ガラスを６０：４０の重量比で混合し
た。用いたガラスの組成は、表１に示した。次にバイン
ダを加えシート成形し、成形体を空気中で加熱し、バイ
ンダを除去した。その後、この成形体を空気中、９００
℃で１０分間焼成して焼成体を得た。得られた焼成体は
緻密で体積抵抗率１０13Ω・ｃｍ以上の高絶縁性を示し
た。この焼成体についてアルキメデス法による密度の測
定、周波数１ＭＨｚにおける比誘電率の測定およびレー
ザーフラッシュ法による熱伝導率の測定を行い、その結
果を表２に示した。
【０００９】実施例２〜６ 実施例１と同様に粉末を混合し、バインダを除去した
後、９００℃で１０分間焼成し、窒化アルミニウムとガ
ラスよりなる焼結体を得た。それぞれについての窒化ア
ルミニウム焼結体粉砕粒子とガラスの重量比と共に、密
度，比誘電率および熱伝導率の結果を表２に示した。
後、９００℃で１０分間焼成し、窒化アルミニウムとガ
ラスよりなる焼結体を得た。それぞれについての窒化ア
ルミニウム焼結体粉砕粒子とガラスの重量比と共に、密
度，比誘電率および熱伝導率の結果を表２に示した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】実施例７ 実施例１と同様に、焼結助剤に酸化イットリウムを使用
した熱伝導率２００Ｗ／ｍＫの窒化アルミニウム焼結体
を粉砕し、平均粒径１０μｍとした。この粉砕粒子を空
気中、１０００℃で熱処理した後、実施例１と同様にホ
ウケイ酸ガラスと６０：４０の重量比で混合した。次に
バインダを加えシート成形し、成形体を空気中で加熱し
バインダを除去した。その後、この成形体を空気中、９
００℃で１０分間焼成して焼成体を得た。得られた焼成
体は緻密で体積抵抗率１０13Ω・ｃｍ以上の高絶縁性を
示した。この焼成体についてアルキメデス法による密度
の測定、周波数１ＭＨｚにおける比誘電率の測定および
レーザーフラッシュ法による熱伝導率の測定を行い、そ
の結果を表３に示した。
した熱伝導率２００Ｗ／ｍＫの窒化アルミニウム焼結体
を粉砕し、平均粒径１０μｍとした。この粉砕粒子を空
気中、１０００℃で熱処理した後、実施例１と同様にホ
ウケイ酸ガラスと６０：４０の重量比で混合した。次に
バインダを加えシート成形し、成形体を空気中で加熱し
バインダを除去した。その後、この成形体を空気中、９
００℃で１０分間焼成して焼成体を得た。得られた焼成
体は緻密で体積抵抗率１０13Ω・ｃｍ以上の高絶縁性を
示した。この焼成体についてアルキメデス法による密度
の測定、周波数１ＭＨｚにおける比誘電率の測定および
レーザーフラッシュ法による熱伝導率の測定を行い、そ
の結果を表３に示した。
【００１３】実施例８〜１２ 実施例７と同様に窒化アルミニウム焼結体粉砕粒子を空
気中、１０００℃で熱処理した後、ホウケイ酸ガラスと
表３に記載した重量比で混合し、バインダを除去した
後、９００℃で１０分間焼成して焼成体を得た。それぞ
れについての窒化アルミニウム焼結体粉砕粒子とガラス
の重量比と共に、密度、比誘電率および熱伝導率の結果
を表３に示した。
気中、１０００℃で熱処理した後、ホウケイ酸ガラスと
表３に記載した重量比で混合し、バインダを除去した
後、９００℃で１０分間焼成して焼成体を得た。それぞ
れについての窒化アルミニウム焼結体粉砕粒子とガラス
の重量比と共に、密度、比誘電率および熱伝導率の結果
を表３に示した。
【００１４】
【表３】
【００１５】比較例１ 平均粒径２μｍの窒化アルミニウム粉末６０重量％と実
施例１で用いたものと同様のホウケイ酸ガラス４０重量
％を混合し、バインダを除去した後、９００℃で１０分
間焼成し、焼成体を作製した。得られた焼成体は、あま
り緻密化していなかった。また、比誘電率は低い値を示
したが、熱伝導率は十分な値ではなかった。これらの結
果を表４に示した。また、この焼成体の機械的強度は小
さいことが推定される。
施例１で用いたものと同様のホウケイ酸ガラス４０重量
％を混合し、バインダを除去した後、９００℃で１０分
間焼成し、焼成体を作製した。得られた焼成体は、あま
り緻密化していなかった。また、比誘電率は低い値を示
したが、熱伝導率は十分な値ではなかった。これらの結
果を表４に示した。また、この焼成体の機械的強度は小
さいことが推定される。
【００１６】比較例２〜６ 比較例１と同様に、平均粒径２μｍの窒化アルミニウム
とホウケイ酸ガラスを表４に記載した重量比で混合し、
バインダを除去した後、９００℃で１０分間焼成し、焼
成体を作製した。いずれも比較例１と同様に、緻密化、
熱伝導率ともに十分なものではなかった。窒化アルミニ
ウム粉末とホウケイ酸ガラスの重量比と共に、これらの
結果を表４に示した。
とホウケイ酸ガラスを表４に記載した重量比で混合し、
バインダを除去した後、９００℃で１０分間焼成し、焼
成体を作製した。いずれも比較例１と同様に、緻密化、
熱伝導率ともに十分なものではなかった。窒化アルミニ
ウム粉末とホウケイ酸ガラスの重量比と共に、これらの
結果を表４に示した。
【００１７】
【表４】
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
通常のセラミック粉末よりも熱伝導率、空間占有率、比
誘電率および耐熱性に優れた窒化アルミニウム焼結体粉
砕粒子を低温焼結型磁器の出発原料として用いることに
より、低誘電率かつ高熱伝導率を有し、低温焼成可能な
半導体装置実装用低温焼結型磁器を製造することができ
る。この製造方法による半導体装置実装用低温焼結型磁
器は、絶縁基板、ヒートシンクおよび半導体パッケージ
材料等として有用であり、その工業的価値は極めて高
い。
通常のセラミック粉末よりも熱伝導率、空間占有率、比
誘電率および耐熱性に優れた窒化アルミニウム焼結体粉
砕粒子を低温焼結型磁器の出発原料として用いることに
より、低誘電率かつ高熱伝導率を有し、低温焼成可能な
半導体装置実装用低温焼結型磁器を製造することができ
る。この製造方法による半導体装置実装用低温焼結型磁
器は、絶縁基板、ヒートシンクおよび半導体パッケージ
材料等として有用であり、その工業的価値は極めて高
い。
【図１】本発明の方法に用いられる窒化アルミニウム粉
砕粒子の形状に類似する正六八面体の形状を示す図であ
る。
砕粒子の形状に類似する正六八面体の形状を示す図であ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 窒化アルミニウム焼結体の粉砕粒子より
なる結晶粒子とガラスを原料として用いることを特徴と
する半導体実装用低温焼結型磁器の製造方法。 - 【請求項２】 窒化アルミニウム焼結体粉砕粒子が表面
酸化層を有するものである請求項１記載の半導体実装用
低温焼結型磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191398A JP2900711B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 半導体装置実装用低温焼結型磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191398A JP2900711B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 半導体装置実装用低温焼結型磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0616477A true JPH0616477A (ja) | 1994-01-25 |
| JP2900711B2 JP2900711B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=16273942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4191398A Expired - Lifetime JP2900711B2 (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 半導体装置実装用低温焼結型磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2900711B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996016916A1 (fr) * | 1994-12-01 | 1996-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Produit fritte en nitrure d'alumimium et son procede de production |
| JP2011121812A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム粉末 |
| EP2620418A1 (en) | 2012-01-26 | 2013-07-31 | NGK Insulators, Ltd. | Glass-ceramic composite material |
| WO2014038230A1 (ja) | 2012-09-10 | 2014-03-13 | 日本碍子株式会社 | ガラス－セラミックス複合材料 |
| JP2014080362A (ja) * | 2013-12-06 | 2014-05-08 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム粉末 |
| WO2014155758A1 (ja) | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 日本碍子株式会社 | ガラス－セラミックス複合材料 |
| US9212087B2 (en) | 2013-03-26 | 2015-12-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Glass-ceramics composite material |
| JP6606628B1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-11-13 | 昭和電工株式会社 | ガラス被覆窒化アルミニウム粒子の製造方法及びそのガラス被覆窒化アルミニウム粒子を含有する放熱性樹脂組成物の製造方法 |
| JP2022067865A (ja) * | 2020-10-21 | 2022-05-09 | 株式会社燃焼合成 | ＡｌＮ粒子、及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-06-26 JP JP4191398A patent/JP2900711B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996016916A1 (fr) * | 1994-12-01 | 1996-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Produit fritte en nitrure d'alumimium et son procede de production |
| JP2011121812A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム粉末 |
| US8912106B2 (en) | 2012-01-26 | 2014-12-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Glass-ceramic composite material |
| EP2620418A1 (en) | 2012-01-26 | 2013-07-31 | NGK Insulators, Ltd. | Glass-ceramic composite material |
| JP2013151399A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-08 | Ngk Insulators Ltd | ガラス−セラミックス複合材料 |
| US9212085B2 (en) | 2012-09-10 | 2015-12-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Glass-ceramics composite material |
| WO2014038230A1 (ja) | 2012-09-10 | 2014-03-13 | 日本碍子株式会社 | ガラス－セラミックス複合材料 |
| WO2014155758A1 (ja) | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 日本碍子株式会社 | ガラス－セラミックス複合材料 |
| US9212087B2 (en) | 2013-03-26 | 2015-12-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Glass-ceramics composite material |
| JP2014080362A (ja) * | 2013-12-06 | 2014-05-08 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム粉末 |
| JP6606628B1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-11-13 | 昭和電工株式会社 | ガラス被覆窒化アルミニウム粒子の製造方法及びそのガラス被覆窒化アルミニウム粒子を含有する放熱性樹脂組成物の製造方法 |
| WO2019235234A1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 昭和電工株式会社 | ガラス被覆窒化アルミニウム粒子の製造方法及びそのガラス被覆窒化アルミニウム粒子を含有する放熱性樹脂組成物の製造方法 |
| TWI690484B (zh) * | 2018-06-06 | 2020-04-11 | 日商昭和電工股份有限公司 | 玻璃被覆氮化鋁粒子之製造方法及含有其玻璃被覆氮化鋁粒子之放熱性樹脂組成物之製造方法 |
| EP3805152A4 (en) * | 2018-06-06 | 2022-03-09 | Showa Denko K.K. | METHOD FOR PRODUCING GLASS COATED ALUMINUM NITRIDE PARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING A HEAT DISSIPATING RESIN COMPOSITION CONTAINING SUCH GLASS COATED ALUMINUM NITRIDE PARTICLES |
| JP2022067865A (ja) * | 2020-10-21 | 2022-05-09 | 株式会社燃焼合成 | ＡｌＮ粒子、及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2900711B2 (ja) | 1999-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Harris | Sintered aluminum nitride ceramics for high-power electronic applications | |
| US5728470A (en) | Multi-layer wiring substrate, and process for producing the same | |
| JP2017183540A (ja) | セラミック基板及びその製造方法 | |
| JP2900711B2 (ja) | 半導体装置実装用低温焼結型磁器の製造方法 | |
| US7056853B2 (en) | Oxide ceramic material, ceramic substrate employing the same, ceramic laminate device, and power amplifier module | |
| JPH06206772A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびセラミック回路基板 | |
| JP4404602B2 (ja) | セラミックス−金属複合体およびこれを用いた高熱伝導放熱用基板 | |
| JP2004256384A (ja) | 酸化物セラミックス材料、これを用いたセラミック基板、セラミック積層デバイスとパワーアンプモジュール | |
| JP4580923B2 (ja) | 高周波用低温焼成磁器組成物、その製造方法及び電子部品 | |
| JPH02221162A (ja) | 窒化アルミニウム質焼成体の製法 | |
| JPH10297960A (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法 | |
| JP3909366B2 (ja) | 低誘電率磁器組成物とその磁器組成物を用いた電子回路用基板の製造方法 | |
| JP2003238235A (ja) | 高周波用低温焼結磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH0515668B2 (ja) | ||
| JP2004210568A (ja) | 高周波用低温焼成磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2710311B2 (ja) | セラミツク絶縁材料 | |
| JP2686446B2 (ja) | 低温焼成セラミック焼結体 | |
| JPH07187789A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体および窒化アルミニウム多層回路基板 | |
| JPS63166765A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 | |
| JPH04144967A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
| JPH10189828A (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法 | |
| JP3078415B2 (ja) | 窒化アルミニウム配線基板 | |
| JPS63222043A (ja) | 低温焼結型磁器 | |
| JPH02212363A (ja) | 窒化アルミニウム質焼成体の製造法 | |
| JPS61286267A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 14 |