KR20170064485A - 스퍼터 장치, 막의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

스퍼터 장치, 막의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 Download PDF

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사토시 나카무라
히데하루 하야시
다카시 다케미
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캐논 톡키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 복수의 광도입부에 대하여 하나의 발광 강도 검출기 및 하나의 제어 기구를 이용하여 PEM 제어를 행할 수 있는 스퍼터 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
진공 챔버 내에서 피성막 부재에 막을 형성하는 스퍼터 장치로서, 타깃이 설치되는 캐소드와, 진공 챔버 내에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 막을 형성할 때에 발생시키는 플라즈마의 발광 강도를 검출하는 발광 강도 검출기와, 상기 플라즈마의 광을 상기 발광 강도 검출기에 도입하는 복수의 광도입부와, 상기 발광 강도 검출기를, 상기 복수의 광도입부 중 어느 하나와 선택적으로 접속하기 위한 전환 스위치부를 구비한다.

Description

스퍼터 장치, 막의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법{SPUTTERING APPARATUS, AND METHOD FOR PRODUCING FILM AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 스퍼터 장치에 관한 것이다.
최근, 디스플레이나 조명, 전자 기판, 건재 등의 수요가 높아지고 있고, 특히 열에 약한 플렉시블 기판 등에 대한 성막은, 반응성 스퍼터링에 있어서의 천이 모드에서의 고속 성막이 요구되고 있다.
천이 모드에서의 성막을 행할 때에는, 플라즈마 발광을 모니터링하고 반응성 가스 유량을 PID 제어하여 발광 강도를 일정하게 유지하는, PEM(플라즈마 이미션 모니터)이라고 불리는 제어 수법을 이용하여 행하고 있다(특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-124811호 공보
그러나, 대면적 기판에 대하여 특허문헌 1에 기재된 PEM 제어 수법을 이용하여 반응성 스퍼터링에 의한 성막을 행하는 경우에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 캐소드의 장척 방향으로 복수 개의 광도입부(예컨대 콜리메이터)를 배치하고, 각 광도입부 각각에 발광 강도 검출기(분광기· 광전자 증배관·포토멀티플라이어관 등)를 접속하며, 검출기마다 독립적으로 PEM 제어계를 설치할 필요가 있다. 여기서, 도 1에 있어서의 PEM 제어계는, 검출한 발광 강도에 따라 반응성 가스의 공급량을 조정하는 하위 PC(퍼스널 컴퓨터) 및 하위 PC에 접속된 MFC(매스 플로우 컨트롤러)로 구성되어 있다. 또한, 도 1에 있어서는, 하위 PC를 통괄하기 위한 상위 PC가 설치되어 있다.
게다가, 각 검출기 사이에 개체차(감도차)가 존재하기 때문에, 각 검출기 사이의 개체차 보정이 필요하므로, 제어 시스템이나 제어 소프트는 복잡해지는 경향이 있다. 그 때문에, 제어 오차·보정 오차 등에 따른 막질이나 막 두께 분포의 악화나, 장치 비용의 앙등을 초래해 버릴 우려가 있다.
본 발명은, 전술한 바와 같은 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 대면적 기판에 대하여 천이 모드에서의 성막을 행할 때에, 복수의 광도입부에 대해 하나의 발광 강도 검출기 및 하나의 제어 기구를 이용하여 PEM 제어를 행할 수 있는 스퍼터 장치를 제공하는 것이다.
진공 챔버 내에서 피성막 부재에 막을 형성하는 스퍼터 장치로서,
타깃이 설치되는 캐소드와,
진공 챔버 내에 가스를 공급하는 가스 공급부와,
막을 형성할 때에 발생시키는 플라즈마의 발광 강도를 검출하는 발광 강도 검출기와,
상기 플라즈마의 광을 상기 발광 강도 검출기에 도입하는 복수의 광도입부와,
상기 발광 강도 검출기를, 상기 복수의 광도입부 중 어느 하나와 선택적으로 접속하기 위한 전환 스위치부를 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치에 관한 것이다.
본 발명은 전술한 바와 같이 구성하였기 때문에, 대면적 기판에 대하여 천이 모드에서의 성막을 행할 때에, 복수의 광도입부에 대하여 하나의 발광 강도 검출기 및 하나의 제어 기구를 이용하여 PEM 제어를 행할 수 있는 스퍼터 장치가 된다.
도 1은 종래예의 개략 설명도이다.
도 2는 본 발명의 적합한 일 실시예에 따른 장치의 개략 설명도이다.
도 3은 광도입부(콜리메이터)의 확대 개략 설명도이다.
도 4는 전환 제어의 개략 설명도이다.
도 5는 본 발명의 적합한 별례 1에 따른 장치의 개략 설명도이다.
도 6은 도 5의 전환 스위치부의 확대 개략 설명도이다.
도 7은 본 발명의 적합한 별례 2에 따른 장치의 개략 설명도이다.
도 8은 본 발명의 적합한 별례 3에 따른 광도입부(콜리메이터)의 확대 개략 설명도이다.
적합하다고 생각하는 본 발명의 실시형태를, 도면에 기초하여 본 발명의 작용을 나타내어 간단히 설명한다.
도 2에 도시된 장치에 있어서, 피성막 부재(2)에 반응성 막을 스퍼터링에 의해 성막할 때에, 플라즈마의 발광 강도에 따라 반응성 가스의 공급량을 조정할 수 있어, 확실하게 반응성 막을 천이 모드로 성막하는 것이 가능해진다.
여기서, 플라즈마의 발광 강도는, 전환 스위치부(7)에 의해 복수의 광도입부 중 어느 하나를 선택하여, 하나의 광도입부로부터 도입되는 발광의 강도를 순차 발광 강도 검출기(5)로 검출한다. 예컨대, 복수의 광도입부를 각각 t초 간격으로 전환하여 각 광도입부로부터 도입되는 플라즈마의 발광 강도를 순차 검출하도록 구성함으로써, 광도입부마다 검출기를 설치하지 않아도, 복수의 광도입부 각각의 설치 부위에 있어서의 발광 강도를 충분한 빈도로 감시하는 것이 가능해진다.
따라서, 도 1과 같은 구성에 비하여 장치 구성을 간소화할 수 있고, 또한, 검출기 사이의 개체차 보정이 불필요해지며, 제어 시스템이나 제어 소프트의 복잡화를 억제하여 비용을 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 본 발명은, 반응성 스퍼터 장치에 있어서 특히 유효하다.
실시예
본 발명의 구체적인 실시예에 대해서 도면에 기초하여 설명한다.
본 실시예는, 진공 챔버(1) 내에, 유리 기판이나 필름 등의 피성막 부재(2)와, 타깃이 설치되는 로터리 캐소드(3)를 대향 배치하고, 진공 챔버(1) 내에 O2·N2 등의 반응성 가스를 도입하여 PEM 제어 수법을 이용하여 반응성 스퍼터링을 행하여, 반응성 막을 성막하는 반응성 스퍼터 장치이다.
구체적으로는, 본 실시예는, 도 2에 도시된 바와 같이, 반송 기구에 의해 반송되는 피성막 부재(2)의 반송 방향과 직교하는 방향을 따라 설치되는 한 쌍의 로터리 캐소드(3)와, 이 로터리 캐소드(3) 사이에 로터리 캐소드(3)를 따라 다수의 가스 방출구가 형성되는 반응성 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(4)(가스 샤워 헤드)를 3개 설치하고, 로터리 캐소드(3)를 따라 각 가스 샤워 헤드에 대응하여 3개의 광도입부(6)로서의 콜리메이터를 더 설치한 구성이다. 광도입부(6)는, 반드시 가스 공급부(4)마다 설치할 필요는 없지만, 가스 공급부마다 광도입부(6)를 설치함으로써 각 가스 공급부(4)에서 공급하는 가스를 적절하게 제어하기 쉽기 때문에 바람직하다.
가스 샤워 헤드는 로터리 캐소드(3)의 중앙부, 좌측부, 우측부에 각각 설치하고, 중앙부는 좌우부에 비하여 장척으로 구성하고 있다. 로터리 캐소드(3)의 단부 영역은 막 불균일이 특히 발생하기 쉽기 때문에, 이러한 구성에 의해 단부에 공급하는 가스 유량을 최적화하여, 막 불균일을 저감하고 있다. 또한, 도 2에는 도시되어 있지 않지만, 중앙부의 장척의 가스 샤워 헤드로부터 균등하게 가스를 방출시키기 위해 MFC로 유량 조정된 후에 가스의 유로를 분기시켜 가스 샤워 헤드에 접속하고, 가스를 복수 지점으로부터 유입시키는 구성으로 하는 것도 바람직하다.
플라즈마의 발광을 발광 강도 검출기(5)에 도입하는 광도입부(6)는, 발광 강도 검출기(5)인 분광기에, 전환 스위치부(7)를 통해 광섬유(optical fiber)로 접속되어 있다. 구체적으로는, 전환 스위치부(7)는, 입력측의 복수의 전환 단자(도 1에서는 1ch∼3ch)에 각각 상기 광도입부(6)가 광섬유를 통해 접속되고, 출력측 공통 단자에 상기 발광 강도 검출기(5)가 광섬유를 통해 접속되며, 상기 플라즈마의 발광을 도입하는 상기 광도입부 중 어느 하나를 선택하기 위해 전환 제어된다.
또한, 광도입부(6)는, 설치 지점의 발광 상태를 주위의 영향(다른 영역으로부터 입사되는 산란광 등)이 저감된 상태에서 발광 강도 검출기(5)로 유도하기 위해, 콜리메이터 구조를 갖고 있는 것이 바람직하다. 본 실시예의 광도입부(6)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 관통 구멍을 구비하는 도입 부재와, 관통 구멍의 내부에 광섬유로 플라즈마 발광을 유도하는 콜리메이터 렌즈가 설치된, 콜리메이터 구조를 갖고 있다. 도입 부재에는, 콜리메이터 렌즈 및 도입 부재의 내주면에 스퍼터에 의한 막의 부착을 방지하는 퍼지 가스를 도입하기 위한 퍼지 가스 도입부(15)가 설치되어 있다. 퍼지 가스 도입부(15)는, 일단이 도입 부재의 내주면에 형성된 개구에 접속되고, 타단이 Ar 가스 봄베에 접속되는 Ar 가스 도입관과, 이 Ar 가스 도입관을 개폐하는 스로틀 밸브로 구성되어 있다. 따라서, 성막시에 스로틀 밸브를 조정하여 Ar 가스를 도입 부재 내로 분사함으로써, 성막 재료가 광도입부(6) 내로 침입하는 것을 억제할 수 있다.
전환 스위치부(7)의 전환 제어는 제어 기구(16)에 의해 행한다. 이 제어 기구(16)는, 일반적인 PC의 CPU부(8) 및 제어부(9)로 구성되어 있다. CPU부(8)에 의해 상기 전환 스위치부(7)의 전환 제어나, 회전수/방향 제어부(12)를 조작한 로터리 캐소드(3)의 회전수 및 회전 방향의 제어도 동시에 행한다.
또한, 발광 강도 검출기(5)로 검출된 발광 강도가 미리 설정된 발광 강도가 되도록 상기 가스 공급부(4)로부터의 반응성 가스의 공급량을 제어할 때에는, 제어부(9)를 CPU부(8)로부터의 지령에 따라 조작하여 MFC(11)를 조정하여 반응성 가스(O2나 N2)의 공급량을 제어한다. 또한, 제어부(9)에 의해 DC/AC 전원(10)을 조작하여 로터리 캐소드(3)에 가하는 전압 등을 제어할 수도 있다.
본 실시예에 있어서는, 미리 설정된 전환 시간에 따라 자동적으로 미리 정해진 순회 주기로 반복하여 전환 제어되도록 구성하고 있다. 구체적으로는, 도 4에 도시된 바와 같이, Tsec 주기로 각 발광 강도 검출기(5)에 의한 검출을 행하도록 전환 스위치부(7), CPU부(8) 및 제어부(9)를 구성하고 있다.
즉, 예컨대, 전환 스위치부(7)를 1ch로 전환한 후, t1sec로 발광 강도 검출기(5)로부터 발광 강도를 취입하여, 이 발광 강도치를 제어부(9)로 전송하고, PEM 제어를 행하여, 다음 1주기(Tsec)분의 MFC 1ch의 유량치를 세트한다. 다른 ch에 대해서도 순차 동일하게 행한다(또한, 본 실시예에서는 t1=t2=t3). 따라서, 본 실시예에 있어서는 Tsec 주기로 PEM 제어를 행하게 되지만, 양호하게 천이 모드에서의 성막을 지속할 수 있는 것을 확인하고 있다.
이상과 같이, 전환 스위치부(7)에 의해 상기 발광 강도 검출기(5)에 상기 플라즈마의 발광을 도입하는 상기 광도입부(6)를 자동적으로 순차 전환함으로써, 하나의 상기 발광 강도 검출기(5)로 복수의 상기 광도입부(6)가 설치되는 복수 위치에서의 상기 플라즈마의 발광 강도를 검출할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서는, 전환 스위치부(7)의 전환 단자(4ch)에 교정 광원(14)을 접속하고, 이 교정 광원(14)과 상기 발광 강도 검출기(5)를 접속할 수 있도록 구성하여, 교정 광원(14)으로부터의 광을 발광 강도 검출기(5)로 검출함으로써 발광 강도 검출기(5)의 교정을 행할 수 있도록 하고 있다. 따라서, 전환 단자를 4ch로 전환함으로써, 발광 강도 검출기(5)의 시간 경과에 따른 감도 오차를 검출하여 보정할 수 있다. 또한, 본 실시예의 전환 스위치부(7)에는, 계측치에 보정 범위를 설정하고, 계측치가 보정 범위 밖이 되었을 경우에는 경보를 발하여, 확인을 재촉하는 경보 기능을 구비한 구성으로 하고 있다.
또한, 예컨대, 도 5, 도 6에 도시된 별례 1과 같이 광도입부(6)를 포함시킨 광로 전체의 감도 오차를 검출하여 감도 보정을 하도록 구성하여도 좋다. 구체적으로는, 광도입부(6)와 광사출부(17)가 대향하도록 배치하여, 광도입부(6)를 발광 강도 검출기(5)와 접속 가능하게 하고, 광사출부(17)를 교정 광원(14)과 접속 가능하게 하여, 교정 광원(14)으로부터의 광이 광사출부(17), 광도입부(6)를 통해 발광 강도 검출기(5)에 도입되도록 구성하여도 좋다. 이 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 채널마다 광사출부(17)와 광도입부(6)를 쌍으로 배치한다. 또한, 별례 1도, 상기 동일하게 전환 스위치부(7)에는, 계측치에 보정 범위를 설정하고, 계측치가 보정 범위 밖이 되었을 경우에는 경보를 발하여, 확인을 재촉하는 경보 기능을 구비하는 구성으로 한다. 이에 따라, 시스템 전체의 감도 오차를 검출하여 감도 보정을 하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 제어 기구(16)는, 자동적으로 반응성 가스를 증감하여 그 때의 지정 파장의 발광 강도를 자동 취득하고, CPU부(8)에 접속한 모니터 상에 그래프화하여 표시하는 히스테리시스 특성 취득 수단을 구비하는 구성으로 하여도 좋다. 히스테리시스 특성 취득 수단을 이용함으로써, 천이 모드에서의 성막을 행할 때의 대략적인 반응 가스 공급량을 미리 알 수 있다.
또한, 본 실시예는 로터리 캐소드(3)를 이용하고 있지만, 예컨대 도 7에 도시된 별례 2와 같이, 캐러셀형 스퍼터 장치에 본 발명을 적용하는 경우도 동일하다. 도 7은, 피성막 부재(2)가 둘레면에 다수 설치되는 드럼을 회전시키면서, 진공 챔버(1) 내면의 3지점에 각각 캐소드(3)(타깃)를 설치하여 성막을 행하는 구성이다. 도 7에서는, 3개의 타깃의 근방 위치에 각각 광도입부(6)를 배치하여, 각 타깃 근방에서 발생하는 플라즈마의 발광을 각각 검출할 수 있도록 구성하고 있다. 도 7 중, 부호 13은 제어부(9)에 의해 제어되는 캐소드(3)의 전원이다. 그 나머지는 본 실시예와 동일하다.
상기 실시예에 기재된 장치를 이용하여, 피성막 부재에 막을 형성하는 경우, 막 형성 중에, 하나의 발광 강도 검출기로 플라즈마의 발광 강도를 복수 지점에서 순차 검출하고, 검출 결과가 미리 정해진 발광 강도가 되도록 가스 유량을 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 막 형성 전에 조정을 행하여도 좋고, 그 경우, 조정 후에 피성막 부재를 장치 내에 설치하거나 혹은 조정 후에 셔터를 개방하여 성막을 시작한다고 하는 방법을 채용할 수 있다. 또한, 본 발명의 장치를 이용하여, 전극 등에 이용하는 막을 형성하고, 그 밖의 막을 증착, CVD(화학 기상 성막), 도포 등의 수법으로 형성함으로써 전자 디바이스를 제조할 수도 있다.
또한, 광도입부(6)의 별례 3으로서, 설치 지점의 발광 상태를 주위의 영향(다른 영역으로부터 입사되는 산란광 등)이 저감된 상태에서 광섬유를 통해 플라즈마 발광을 발광 강도 검출기(5)로 유도하기 때문에, 도 8에 도시된 바와 같은 콜리메이터 구조를 갖고 있는 것도 바람직하다. 본 별례 3의 광도입부(6)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 관통 구멍(20)을 갖는 도입 부재와, 플라즈마의 광을 상기 발광 강도 검출기로 유도하는 광섬유에 접속되는 접속부(22)를 갖고 있고, 관통 구멍(20)의 상기 접속부측의 직경이 상기 플라즈마의 광이 입사되는 쪽의 직경보다 작게 되어 있다. 그리고, 관통 구멍(20)과 접속부(22) 사이에 방착(防着) 부재(21)가 설치되어 있다. 보다 상세하게는, 광도입부(6)가, 플라즈마 발광을 취입하는 취입구인 제1 취입구(18)와, 그 제1 취입구(18) 속에 상기 제1 취입구(18)보다 작은 취입구인 제2 취입구(19)를 구비하고 있고, 제2 취입구(19)로부터 취입된 플라즈마 발광이, 관통 구멍(20)을 통해 방착 부재(21)를 투과한 후, 광섬유로 유도된다. 상기 방착 부재(21)는, 광섬유에 대하여 성막 재료의 부착을 방지하는 부재이며, 재질은, 발광 강도 검출기(5)로 계측하는 파장이 투과하는 재질이면 좋고, 유리나 수지라도 좋다.
또한, 광도입부(6)에는 방착 부재(21)와, 관통 구멍(20)과, 제1 취입구(18)와, 제2 취입구(19)와의 내주면 등에 성막 재료가 부착되는 것을 방지하는 퍼지 가스를 도입하기 위한 퍼지 가스 도입부(15)가 설치되어 있다. 퍼지 가스 도입부(15)는, 일단이 도입로의 내주면에 형성된 개구에 접속되고, 타단이 Ar 가스 봄베에 접속되는 Ar 가스 도입관과, 이 Ar 가스 도입관을 개폐하는 스로틀 밸브로 구성되어 있다. 따라서, 성막시에 스로틀 밸브를 조정하여 Ar 가스를 광도입부(6) 내로 분사함으로써, 성막 재료가 광도입부(6) 내로 침입하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명은, 본 실시예에 한정되지 않고, 각 구성 요건의 구체적 구성은 적절하게 설계할 수 있는 것이다.
1 : 진공 챔버 2 : 피성막 부재
3 : 캐소드 4 : 가스 공급부
5 : 발광 강도 검출기 6 : 광도입부
7 : 전환 스위치부 8 : CPU부
14 : 교정 광원 15 : 퍼지 가스 도입부
16 : 제어 기구

Claims (13)

  1. 진공 챔버 내에서 피성막 부재에 막을 형성하는 스퍼터 장치에 있어서,
    타깃이 설치되는 캐소드;
    진공 챔버 내에 가스를 공급하는 가스 공급부;
    막을 형성할 때에 발생시키는 플라즈마의 발광 강도를 검출하는 발광 강도 검출기;
    상기 플라즈마의 광을 상기 발광 강도 검출기에 도입하는 복수의 광도입부; 및
    상기 발광 강도 검출기를, 상기 복수의 광도입부 중 어느 하나와 선택적으로 접속하기 위한 전환 스위치부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 강도 검출기로 검출되는 발광 강도가 미리 설정된 발광 강도가 되도록 상기 가스 공급부로부터의 가스의 공급량을 제어하는 제어 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광 강도 검출기는 주기적으로 복수의 상기 광도입부 중 어느 하나와 순차 접속하도록 상기 전환 스위치부를 제어하는 스위치 제어 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 발광 강도 검출기는 주기적으로 복수의 상기 광도입부 중 어느 하나와 순차 접속하도록 상기 전환 스위치부를 제어하는 스위치 제어 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광도입부는, 콜리메이터 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 광도입부는, 관통 구멍을 갖는 도입 부재와, 상기 관통 구멍에 설치된 콜리메이터 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 광도입부는, 관통 구멍을 갖는 도입 부재와, 상기 플라즈마의 광을 상기 발광 강도 검출기로 유도하는 광섬유에 접속되는 접속부를 포함하고,
    상기 관통 구멍의 상기 접속부 측의 직경이 상기 플라즈마의 광이 입사되는 쪽의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 도입 부재와 상기 접속부 사이에 방착(防着) 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 광도입부는, 상기 도입 부재의 내부에 퍼지 가스를 도입하기 위한 퍼지 가스 도입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 항에 있어서,
    상기 전환 스위치부는, 상기 발광 강도 검출기를 교정 광원에 접속하기 위한 전환 단자를 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  11. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 기구는, 자동적으로 가스를 증감하여 그 때의 지정 파장의 발광 강도를 자동 취득하고, 제어 기구의 CPU부에 접속한 모니터 상에 그래프화하여 표시하는 히스테리시스 특성 취득 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.
  12. 피성막 부재에 스퍼터법을 이용하여 막을 형성하는 막의 제조 방법에 있어서,
    피성막 부재를 진공 챔버 내에 설치하는 공정;
    상기 진공 챔버 내에 도입하는 가스 유량을 조정하는 공정; 및
    타깃이 설치되는 캐소드에 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 공정
    을 포함하고,
    하나의 발광 강도 검출기로 상기 플라즈마의 발광 강도를 복수 지점에서 순차 검출하고, 검출 결과가 미리 정해진 발광 강도가 되도록 상기 가스 유량을 조정하는 것을 특징으로 하는 막의 제조 방법.
  13. 진공 챔버 내에서 스퍼터법을 이용하여 막을 형성하는 공정과, 증착, CVD, 도포로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 방법으로 막을 형성하는 공정을 적어도 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법에 있어서,
    상기 스퍼터법을 이용하여 막을 형성하는 공정 중에,
    하나의 발광 강도 검출기로 플라즈마의 발광 강도를 복수 지점에서 순차 검출하고, 검출 결과가 미리 정해진 발광 강도가 되도록 상기 진공 챔버로의 도입 가스 유량을 조정하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
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