KR20030069271A - 반도체 제조 공정에서의 혼합 가스 모니터링 시스템 및그의 제어 방법 - Google Patents

반도체 제조 공정에서의 혼합 가스 모니터링 시스템 및그의 제어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20030069271A
KR20030069271A KR1020020008738A KR20020008738A KR20030069271A KR 20030069271 A KR20030069271 A KR 20030069271A KR 1020020008738 A KR1020020008738 A KR 1020020008738A KR 20020008738 A KR20020008738 A KR 20020008738A KR 20030069271 A KR20030069271 A KR 20030069271A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mixed gas
composition ratio
gas
process chamber
supply system
Prior art date
Application number
KR1020020008738A
Other languages
English (en)
Inventor
김일우
박윤세
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020020008738A priority Critical patent/KR20030069271A/ko
Publication of KR20030069271A publication Critical patent/KR20030069271A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정에서 공정 챔버로 공급되는 다수의 가스들을 공급 상태를 모니터링하기 위한 혼합 가스 모니터링 시스템 및 그의 혼합 가스를 공정 챔버로 정확한 조성비로 공급하기 위한 제어 방법에 관한 것이다. 다수의 소스 가스들로부터 적정의 조성비에 따른 혼합 가스를 공급하는 가스 공급 시스템과, 혼합 가스를 사용하는 공정 챔버 사이에 구비되는 혼합 가스 모니터링 시스템은 IR(Infrared) 레이저를 출력하는 IR 광원부와, IR 광원부로부터 IR 레이저를 받아서, 가스 공급 시스템으로부터 공급되는 혼합 가스에 대한 검출 정보를 출력하는 IR 검출부 및 IR 검출부로부터 검출 정보를 받아들이고, 검출 정보로부터 공급되는 혼합 가스 조성비를 판별하여, 공정 챔버에 적합한 혼합 가스 조성비가 아니면 가스 공급 시스템으로 혼합 가스의 조성비를 재조정하여 공급하도록 하는 모니터링 장치를 포함한다. 이 때 IR 광원부 및 IR 검출부는 FT-IR(Fourier Transform-Infrared Spectrometry) 방식으로 구비된다.

Description

반도체 제조 공정에서의 혼합 가스 모니터링 시스템 및 그의 제어 방법{MORNITORING SYSTEM IN SEMICONDUCTOR FABRICATION AND CONTROL METHOD OF THE SAME}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 반도체 제조 공정에서 공정 챔버로 공급되는 다수의 가스들을 공급 상태를 모니터링하기 위한 혼합 가스 모니터링 시스템 및 그의 혼합 가스를 공정 챔버로 정확한 조성비로 공급하기 위한 제어 방법에 관한 것이다.
하나 이상의 액체 소스를 이용하는 화학 기상 증착 시스템에서는 기화된 혼합 소스 가스의 공급량을 일정 조성으로 조절해주는 것이 중요하다.
현재는 LFC 와 기화기로 이루어진 시스템에서 공급 액체의 유량을 조절하는 방법으로 소스 가스의 공급량을 조절하고 있지만, 실제 공정 챔버 내로 유입되는 혼합 가스의 조성을 모니터링할 수 있는 방법은 전무한 실정이다.
본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 반도체 제조 공정에서 공정 챔버로 공급되는 다수의 가스들을 공급 상태를 모니터링하기 위한 혼합 가스 모니터링 시스템을 제공하는데 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 반도체 제조 공정에서 공정 챔버로 공급되는 다수의 가스들을 공급 상태를 모니터링하기 위한 혼합 가스 모니터링 시스템의 정확한 조성비로 혼합 가스를 공급하기 위한 제어 방법을 구현하는데 있다.
도 1은 본 발명의 본 발명에 따른 혼합 가스 모니터링 시스템을 구비하는 반도체 제조 장치의 개략적인 구성을 나타내는 블럭도;
도 2는 도 1에 도시된 혼합 가스 모니터링 시스템의 상세한 구성을 도시한 도면; 그리고
도 3은 본 발명에 따른 혼합 가스 모니터링 시스템의 동작 수순을 도시한 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
2 : 반도체 제조 장치10 : 가스 공급 시스템
20 : 혼합 가스 모니터링 시스템22 : 연결관
24a, 24b : 플랜지부26 : IR 광원부
28, 30 : IR 윈도우32 : IR 검출부
34 : 모니터링 장치40 : 공정 챔버
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 다수의 소스 가스들로부터 적정의 조성비에 따른 혼합 가스를 공급하는 가스 공급 시스템과, 상기 혼합 가스를 사용하는 공정 챔버 사이에 구비되는 혼합 가스 모니터링 시스템은, 상기 가스 공급 시스템과 상기 공정 챔버 사이의 가스 공급 통로에 구비되고, IR(Infrared) 레이저를 출력하는 IR 광원부와, 상기 IR 광원부로부터 상기 IR 레이저를 받아서, 상기 가스 공급 시스템으로부터 공급되는 혼합 가스에 대한 검출 정보를 출력하는 IR 검출부 및 상기 IR 검출부로부터 상기 검출 정보를 받아들이고, 상기 검출 정보로부터 상기 공급되는 혼합 가스 조성비를 판별하여, 상기 공정 챔버에 적합한 혼합 가스 조성비가 아니면 상기 가스 공급 시스템으로 상기 혼합 가스의 조성비를 재조정하여 공급하도록 하는 모니터링 장치를 포함한다.
여기서 상기 모니터링 장치는 상기 판별 결과, 상기 공정 챔버에 적합한 혼합 가스 조성비가 아니면, 상기 모니터링 장치와 데이터 통신 가능한 인터락 시스템으로 상기 혼합 가스의 공급을 중지시키도록 더욱 제어한다.
이 때, 상기 IR 광원부 및 상기 IR 검출부는 FT-IR(Fourier Transform-Infrared Spectrometry) 방식으로 구비된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 다수의 소스 가스들로부터 적정의 조성비에 따른 혼합 가스를 공급하는 가스 공급 시스템과, 상기 혼합 가스를 사용하는 공정 챔버 사이에 구비되며, 상기 가스 공급 시스템과 상기 공정 챔버 사이의 가스 공급 통로에 구비되는 IR(Infrared) 광원부와 IR 검출부 및 모니터링 장치를 구비하는 혼합 가스 모니터링 시스템의 제어 방법은, 상기 가스 공급 시스템으로부터 상기 혼합 가스가 공급하면, 상기 IR 검출부로부터 상기공급된 혼합 가스에 대한 검출 정보 출력하는 단계와, 상기 검출 정보로부터 상기 공급된 혼합 가스의 조성비를 판별하는 단계 및 상기 판별 결과, 상기 혼합 가스 조성비가 상기 공정 챔버의 현재 진행되는 공정에 적합한 조성비가 아니면, 상기 가스 공급 시스템으로 상기 혼합 가스 조성비를 재조절하여 공급하도록 하는 단계를 포함한다.
상기 판별하는 단계는 상기 검출 정보로부터 상기 공급된 혼합 가스의 IR 피크(peak) 신호를 샘플링하는 단계와, 상기 샘플링된 IR 피크 신호의 파형도로부터 상기 혼합 가스의 성분을 피크 면적비로 계산하는 단계 및 상기 계산 결과로부터 상기 혼합 가스에 대한 각 가스의 조성비를 산출하는 단계를 포함한다.
따라서 본 발명에 의하면, 혼합 가스 모니터링 시스템은 IR 검출부로부터 검출 정보를 모니터링 장치로 제공된다. 이어서 모니터링 장치는 검출 정보로부터 혼합 가스 조성비를 판별하여 현재 진행 중인 공정 챔버에 적합한 혼합 가스 조성비이면 공정 챔버로 혼합 가스를 공급하도록 하고, 그렇지 않으면 가스 공급 시스템으로 조성비를 재조정하여 공급하도록 요청 정보를 출력한다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 개략적인 구성을 도시한 블럭도이다.
도면을 참조하면, 상기 반도체 제조 장치(2)는 신규한 혼합 가스 모니터링 시스템(20)을 구비하고 있으며, 상기 혼합 가스 모니터링 시스템(20)은 반도체 제조 공정에 필요한 다양한 가스들을 공급하는 가스 공급 시스템(10)과, 상기 가스들을 받아서 해당 반도체 제조 공정에 따른 박막 등을 형성하기 위해 가스들을 반응시키는 공정 챔버(예를 들어,화학 기상 증착용 챔버 등)(40) 사이에 구비된다.
그리고 상기 혼합 가스 모니터링 시스템(20)은 상기 가스 공급 시스템(10)으로부터 공급되는 혼합 가스의 조성비를 검출하고, 현재 공정 중인 공정 챔버(40)에 필요한 적합한 조성비를 갖는 혼합 가스인지를 판별하여 상기 가스 공급 시스템(10) 또는 인터락 시스템(미도시됨)으로 혼합 가스 조성비를 재조정하도록 해당 정보(peedback)를 피드백하거나 가스 공급을 차단하도록 제어한다. 이 때, 상기 혼합 가스 모니터링 시스템(20)은 본 발명에 의하여 FT-IR(Fourier Transform-Infrared Spectrometry) 방식을 이용한다.
FT-IR 방식은 미켈슨(michelson) 간섭계(interferometer)를 이용하여 시간 지배 스펙트럼인 인터페로그램(interferogram)을 얻은 뒤, 이를 푸리에(Fourier) 변환시켜 주파수 지배 스펙트럼을 얻는 방법이다. 또한 FT-IR 방식은 기존의 분산형(dispersive) IR에 비해 스펙트럼을 얻는 시간과 감도면에서 많은 이점을 가지고 있을 뿐만 아니라, 푸리에 변환을 위하여 컴퓨터를 이용하는 등의 많은 장점들을 포함하고 있다.
구체적으로 도 2를 참조하면, 상기 혼합 가스 모니터링 시스템(20)은 신규한 IR 광원부(26)와, IR 검출부(32)와, 제 1 및 제 2 IR 윈도우들(예를 들어, IR 발광부와 IR 수광부)(28, 30) 및 모니터링 장치(34)를 포함한다. 또한 상기 혼합 가스 모니터링 시스템(20)은 상기 가스 공급 시스템(10)과 상기 공정 챔버(40)를 이어주는 연결관(22)을 잇는 다수 예컨대, 제 1 및 제 2 플랜지 부(24a, 24b)를 포함한다.
상기 IR 광원부(26)와 상기 IR 검출부(32)는 FT-IR 방식으로 처리되며, 상기 IR 광원부(26)는 제 1 IR 윈도우(28)를 통하여 IR 레이저를 외부로 출력한다.
상기 IR 검출부(32)는 상기 IR 광원부(26)로부터 출력되는 IR 레이저를 제 2 IR 윈도우(30)를 통하여 받아들이고, 상기 가스 공급 시스템(10)으로부터 상기 제 1 플랜지부(24a)를 경유하여 유입되는 혼합 가스의 조성비에 따른 검출 정보(detect)를 상기 모니터링 장치(34)로 제공한다.
그리고 상기 모니터링 장치(34)는 예컨대, 전형적인 컴퓨터 시스템의 구성 요소들(제어부, 저장부, 디스플레이부 및 입출력부 등, 미도시됨)을 구비하며, 상기 IR 검출부(32)와 연결되어 혼합 가스 조성비에 대한 검출 정보(detect)를 받아들인다. 또한 상기 모니터링 장치(34)는 상기 가스 공급 시스템(10) 및 상기 인터락 시스템(미도시됨)과 상호 데이터 통신이 가능하도록 구비된다.
따라서 상기 혼합 가스 모니터링 시스템(2)은 상기 IR 검출부(32)로부터 검출 정보(detect)를 상기 모니터링 장치(34)로 제공된다. 이어서 상기 모니터링 장치(34)는 상기 검출 정보(detect)로부터 혼합 가스 조성비를 판별하여 현재 진행 중인 공정 챔버(40)에 적합한 혼합 가스 조성비이면 제 2 플랜지부(24b)를 경유하여 상기 공정 챔버(40)로 혼합 가스를 공급하도록 하고, 그렇지 않으면 상기 가스 공급 시스템(10)으로 조성비를 재조정하여 공급하도록 요청 정보를 출력한다.
또한 상기 모니터링 시스템(20)은 판별 결과, 적합한 혼합 가스 조성비가 아니면, 인터락 시스템(미도시됨)으로 부적합한 혼합 가스의 공급을 중지시키도록 요청할 수 있다.
그리고 도 3은 본 발명에 따른 혼합 가스 모니터링 시스템의 동작 수순을 도시한 흐름도이다. 이 수순은 상기 모니터링 장치(34)의 저장부(미도시됨)에 저장되는 프로그램으로, 상기 모니터링 장치(34)의 제어부(미도시됨)가 수행한다.
도면을 참조하면, 상기 모니터링 장치(34)의 제어부는 단계 S52에서 상기 가스 공급 시스템(10)으로부터 다수의 가스들이 포함된 혼합 가스가 공급하면, 단계 S54에서 IR 검출부(32)에 의하여 공급된 혼합 가스에 대한 검출 정보(detect)를 상기 모니터링 장치(34)로 출력한다. 단계 S56에서 상기 모니터링 장치(34)는 검출 정보(detect)를 받아서 상기 가스 공급 시스템(10)으로부터 공급되는 혼합 가스의 조성비를 검출한다.
예를 들어, 상기 모니터링 장치(34)는 상기 검출 정보(detect)를 통해 공급되는 혼합 가스의 FT-IR 피크(peak) 신호를 샘플링한다. 샘플링된 FT-IR 파형도로부터 해당 혼합 가스 성분의 피크 면적비를 획득하고, 이를 통해 혼합 가스에 대한 각 가스의 조성비를 산출한다. 그리고 각 가스의 조성비의 신호를 상기 가스 공급 시스템(10)으로 보내어 PID 제어가 이루어지게 한다.
이어서 상기 모니터링 장치(34)는 단계 S58에서 상기 검출된 혼합 가스 조성비가 공정 챔버(40)에 적합한 조성비인지를 판별한다. 즉, 공급되는 혼합 가스의 조성비가 현재 진행 중인 공정 챔버(40)에 필요한 혼합 가스의 조성비이면, 이 수순은 단계 S60으로 진행하여 혼합 가스를 상기 공정 챔버(40)로 공급하여 증착 공정 등을 실시한다.
그리고 판별 결과, 혼합 가스의 조성비가 잘못되었으면, 이 수순은 단계 S62로 진행하여 상기 가스 공급 시스템(10)으로 혼합 가스 조성비를 재조절하여 공급하도록 제어하거나 인터락 시스템(미도시됨)으로 인터락을 수행하도록 요청한다.
물론, 도면에는 도시되지 않았지만, 가스 공급 시스템(10)으로부터 혼합 가스 재조절, 공급에 따른 검출 정보를 피드백하므로서 가스 공급 시스템(10)은 다시 미세한 혼합 가스 조정비에 따른 유량 조절을 통하여 정확한 혼합 가스를 공정 챔버(40)로 공급할 수 있다.
또한, 본 발명은 이러한 혼합 가스 조절 뿐만 아니라, 증착 공정 도중에 혼합 가스 유입을 계속적으로 모니터링하여 이상 조성비의 혼합 가스 공급시, 설비적으로 인터락(interlock)을 수행한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 혼합 가스를 이용한 화학 기상 증착 시스템에서 소스 가스가 공정 챔버 내로 유입되는 부분에 FT-IR 을 이용한 모니터링 시스템을 장착시켜 공정 챔버로 유입되는 혼합 가스의 조성을 모니터링할 수 있다.
이와 같이 모니터링된 데이터들은 다시 시스템에 피드백되어 효과적이고 정밀한 공정 제어를 행할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명의 FT-IR 방식을 이용한 혼합 가스 모니터링 시스템을 구현함으로써, 가스 공급 장치에 정량적인 피드백을 실시하고 이를 통해 정확하고 직접적인 소스 가스의 조절이 가능하여 양질의 박막을 얻을 수 있다.

Claims (5)

  1. 다수의 소스 가스들로부터 적정의 조성비에 따른 혼합 가스를 공급하는 가스 공급 시스템과, 상기 혼합 가스를 사용하는 공정 챔버 사이에 구비되는 혼합 가스 모니터링 시스템에 있어서:
    상기 가스 공급 시스템과 상기 공정 챔버 사이의 가스 공급 통로에 구비되고, IR(Infrared) 레이저를 출력하는 IR 광원부와;
    상기 IR 광원부로부터 상기 IR 레이저를 받아서, 상기 가스 공급 시스템으로부터 공급되는 혼합 가스에 대한 검출 정보를 출력하는 IR 검출부 및;
    상기 IR 검출부로부터 상기 검출 정보를 받아들이고, 상기 검출 정보로부터 상기 공급되는 혼합 가스 조성비를 판별하여, 상기 공정 챔버에 적합한 혼합 가스 조성비가 아니면 상기 가스 공급 시스템으로 상기 혼합 가스의 조성비를 재조정하여 공급하도록 하는 모니터링 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합 가스 모니터링 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 모니터링 장치는 상기 판별 결과, 상기 공정 챔버에 적합한 혼합 가스 조성비가 아니면, 상기 모니터링 장치와 데이터 통신 가능한 인터락 시스템으로 상기 혼합 가스의 공급을 중지시키도록 하는 것을 특징으로 하는 혼합 가스 모니터링 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 IR 광원부 및 상기 IR 검출부는 FT-IR(Fourier Transform-Infrared Spectrometry) 방식으로 구비되는 것을 특징으로 하는 혼합 가스 모니터링 시스템.
  4. 다수의 소스 가스들로부터 적정의 조성비에 따른 혼합 가스를 공급하는 가스 공급 시스템과, 상기 혼합 가스를 사용하는 공정 챔버 사이에 구비되며, 상기 가스 공급 시스템과 상기 공정 챔버 사이의 가스 공급 통로에 구비되는 IR(Infrared) 광원부와 IR 검출부 및 모니터링 장치를 구비하는 혼합 가스 모니터링 시스템의 제어 방법에 있어서:
    상기 가스 공급 시스템으로부터 상기 혼합 가스가 공급하면, 상기 IR 검출부로부터 상기 공급된 혼합 가스에 대한 검출 정보 출력하는 단계와;
    상기 검출 정보로부터 상기 공급된 혼합 가스의 조성비를 판별하는 단계 및;
    상기 판별 결과, 상기 혼합 가스 조성비가 상기 공정 챔버의 현재 진행되는 공정에 적합한 조성비가 아니면, 상기 가스 공급 시스템으로 상기 혼합 가스 조성비를 재조절하여 공급하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합 가스 모니터링 시스템의 제어 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 판별하는 단계는;
    상기 검출 정보로부터 상기 공급된 혼합 가스의 IR 피크(peak) 신호를 샘플링하는 단계와,
    상기 샘플링된 IR 피크 신호의 파형도로부터 상기 혼합 가스의 성분을 피크 면적비로 계산하는 단계 및,
    상기 계산 결과로부터 상기 혼합 가스에 대한 각 가스의 조성비를 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합 가스 모니터링 시스템의 제어 방법.
KR1020020008738A 2002-02-19 2002-02-19 반도체 제조 공정에서의 혼합 가스 모니터링 시스템 및그의 제어 방법 KR20030069271A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020008738A KR20030069271A (ko) 2002-02-19 2002-02-19 반도체 제조 공정에서의 혼합 가스 모니터링 시스템 및그의 제어 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020008738A KR20030069271A (ko) 2002-02-19 2002-02-19 반도체 제조 공정에서의 혼합 가스 모니터링 시스템 및그의 제어 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030069271A true KR20030069271A (ko) 2003-08-27

Family

ID=32221801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020008738A KR20030069271A (ko) 2002-02-19 2002-02-19 반도체 제조 공정에서의 혼합 가스 모니터링 시스템 및그의 제어 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030069271A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190068836A (ko) 2017-12-11 2019-06-19 주식회사 이엘 반도체 공정 챔버 및 가스라인의 가스분석을 위한 tof ms 가스질량분석 모니터링 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190068836A (ko) 2017-12-11 2019-06-19 주식회사 이엘 반도체 공정 챔버 및 가스라인의 가스분석을 위한 tof ms 가스질량분석 모니터링 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101255873B1 (ko) 멀티 챔버 툴을 위한 오존 시스템
KR100579148B1 (ko) 성막 장치 및 이것을 사용하는 원료 공급 장치, 가스 농도검출 방법
US6192287B1 (en) Method and apparatus for fault detection and control
KR100190418B1 (ko) 건식 에칭 장치 및 방법
US6442736B1 (en) Semiconductor processing system and method for controlling moisture level therein
KR101113776B1 (ko) 반도체 제조 가스 유량 분할기 시스템 및 방법
KR100709360B1 (ko) 플라즈마처리장치 및 처리방법
US20050173375A1 (en) Apparatus and method for use of optical system with a plasma processing system
EP1132504B1 (en) Thin film depositing process using an FTIR gas analyzer and a mixed gas supplying device
KR100891376B1 (ko) 셀프 플라즈마 챔버와 결합하여 플라즈마 공정장치에서공정진행상태를 실시간으로 모니터하고 이상 여부를검출하는 복합센서
US20040035529A1 (en) Monitoring a process and compensating for radiation source fluctuations
US7869968B2 (en) Diagnosis and calibration system for ICP-MS apparatus
JP2000077394A (ja) 半導体製造装置
EP0469437B1 (en) Method of and apparatus for preparing calibration gas
JP6297161B2 (ja) 同位体比の測定方法
US6987565B2 (en) Organometallic compound vaporizing/feeding system
JP2006241516A (ja) 混合ガスによる薄膜作製方法とその装置
KR20030069271A (ko) 반도체 제조 공정에서의 혼합 가스 모니터링 시스템 및그의 제어 방법
JPH04212414A (ja) プラズマ処理装置
US5130537A (en) Plasma analyzer for trace element analysis
JP4749823B2 (ja) フッ素ガス濃度測定方法
TWI829991B (zh) 感測器流入氣流的穩定化系統
JP4567009B2 (ja) 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置
KR20020060817A (ko) 플라즈마 공정 제어 장치 및 그 방법
JPS6128293B2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination