TWI829991B - 感測器流入氣流的穩定化系統 - Google Patents
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- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 87
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 86
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 41
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
本發明提供一種感測器流入氣流的穩定化系統，在設置製程腔；以去除製程腔的內部氣體方式設置的製程腔用真空泵；通過感測器連接配管而接收所傳輸的製程腔的內部氣體，而進行成分檢測的感測器裝置的製造設備中，包括：感測器連接配管；旁通管，從該感測器連接配管分支，而使一部分氣體未被投入感測器裝置，並直接排出至外部，另外，與製程腔的壓力狀態變化無關，向感測器裝置在每小時既定範圍內穩定提供內部一體的一部分。
Description
本發明涉及半導體裝置等製造相關設備，更具體地涉及一種用於流入製程腔的內部氣體而附加在檢測工藝狀態的感測器裝置，而將向感測器裝置的流入氣體量穩定在合理水準的感測器流入氣流的穩定化系統。
半導體裝置或顯示裝置等製造設備是指營造各種環境而用於多種多樣的製造工藝。在各種工藝中，PVD、CVD等沉積工藝、乾法蝕刻等蝕刻工藝等大多數在低壓真空環境中進行。
在該環境中，進行沉積或蝕刻的程度直接關係到要完成的半導體裝置的性能合格與否，因而，需進行非常嚴密地管制，時間、溫度、供應的氣源的量等幾乎所有要素都要予以非常精密地調節。
並且，為了檢測工藝的結束時間點，或為了確認其它工藝的重要狀態及時間點，而按工藝使用各種種類的感測器。
感測器的一部分被設置在製程腔本身，一部分設置在除了製程腔之外另外空間，對於該情況，能夠檢測在製程腔進行的工藝狀態的檢測物件要素需傳輸至感測器。
圖1顯示用於現有的一個半導體裝置製造設備的製程腔及用於該製程腔的檢測用感測器裝置的結合構成例的一個概念構成圖。
在此，揭示製程腔(process chamber)10和向該製程腔提供真空的渦輪分子泵13、乾式泵14、為了將內部氣體從製程腔10排出至外部而與真空泵連接的泵連接配管15。在此，乾式泵或渦輪分子泵的結合結構為真空泵的一個例子，並非排除其它形式及結構的真空泵。
附圖符號11是指殘餘氣體分析儀(residual gas analyzer)，P1是指製程腔的真空壓力計，該檢測的資訊在被傳輸至工藝氣體調節系統(Process gas control system：40)的情況下，工藝氣體調節系統向附屬有A、B、C三種氣體供應源配管的流量調節器(MFC)50的配管調節閥等發出調節信號而調節流入製程腔的氣體比例及流量。
在製程腔10連接用於排出內部氣體而將內部空間保持高真空的渦輪分子泵(TMP：turbo molecular pump)13及乾式泵14，在泵連接配管15通過連接埠(port)31而分支一個感測器連接配管30，從而，內部氣體的一部分流入感測器裝置20。
在感測器裝置入口設置針型閥(needle valve，未圖示)，在內部為了準確測定而以保持10-6Torr程度的高真空的方式設置由渦輪分子泵和乾式泵組合構成的真空泵及用於測定內部真空程度或氣壓的真空壓力計P2(22)。
在此，使用質譜分析儀(MS：mass spectrometer)作為感測器裝置20。TOF(飛行時間；Time of Flight)型、QMS(四極質譜儀Quadrupole mass spectrometer)等當前眾所周知的各種不同種類作為MS，假設，目標物質通過離子化質譜分析器(Mass Analyzer)而分離樣品，從而，能夠獲取樣品物質的元素
構建的資訊、化學分子的結構資訊，廣泛用於要分析的物質的定量及定性分析。
圖2為顯示該MS的一個形式的結構概念的方塊概念圖。
在圖2中，感測器裝置20在一個殼體(envelop)21內設置孔板閥等氣體流入裝置(inlet system)23或色層分析等分析裝置、離子化裝置(ion source)24、質譜分析儀(mass analyzer)25、檢測儀(detector)26，在從外部導入樣品(sample in)的情況下，通過電子的碰撞或鐳射照射等而將樣品離子化，離子化的樣品物質通過質譜分析儀和檢測儀按品質測定每秒個數，檢測結果資料被傳輸至資料處理系統(data system)。
該構成例為當前已熟知的，在此，省略進一步的具體說明。
在該結構中，感測器裝置和製程腔在空間上直接連接，感測器裝置分析製程腔內的氣體，通過此確認工藝進行狀況、測定工藝結束時間點(end point detection，EPD)、監控附屬物的發生等，通過在工藝過程的分析而調節所注入的氣源的量、比例、時間等而獲取工藝改善及時間縮短的效果。
但在該結構中，製程腔內部當然根據工藝情況，而壓力急劇發生變化，由此，極大變動目標樣品通過感測器裝置(即MS入口)的流入量。
即，一般地，製程腔的工藝中的壓力為10-5Torr以上，MS內部真空程度或壓力按5*10-5至5*10-6Torr程度變動，對於與MS相比，製程腔為低真空的情況(壓力高的情況)，感測器裝置入口的樣品(製程腔內部氣體)流入量被過度注入，感測器分析值上升，並在管道(製程腔和感測器裝置之間的連接配管)內發生阻塞現象。相反，對於與MS相比，當製程腔為高真空的情況時(壓力低的情況)，入口的樣品流入量減少，感測器分析值減少，也能夠發生向製程腔
逆流現象，其也能夠形成製程腔的顆粒源(particle source)，因而需要預防對策。
因此，優選地，製程腔的壓力和感測器裝置內部壓力程度相似，而製程腔的壓力略高，但事實為製程腔的壓力造成通過氣體的注入量等急劇發生變化。
並且，為了提高MS感測器裝置的測定值或資料的可靠度，需要與感測器裝置的入口連接的製程腔和感測器裝置之間的管道空間的壓力保持一定。
專利文獻(現有技術文獻)：
(專利文獻1)韓國公開專利編號10-2005-0056937。
(專利文獻2)韓國公開專利編號10-2019-0068836。
本發明的目的在於提供一種感測器流入氣流的穩定化系統，具備結構以防止發生附加在上述現有的製造裝備的感測器裝置的內部壓力根據製程腔的壓力變動而急劇變化，使感測器分析值發生巨變，且降低分析值資料可靠度的情況。
本發明提供一種用於實現所述目的的感測器流入氣流的穩定化系統，適用於具有製程腔、設置使得去除所述製程腔的內部氣體的真空泵、以及通過感測器連接配管而接收所傳輸的所述製程腔的內部氣體並進行成分檢測的感測器裝置的製造設備中，所述感測器流入氣流的穩定化系統包
括：所述感測器連接配管，並且，還包括製程腔製程腔旁通管，比如使得未從感測器連接配管進入感測器裝置的氣體排出至外部。使得在所述感測器連接配管中，以與所述製程腔的壓力狀態變化無關的方式，向所述感測器裝置每小時既定範圍內穩定地提供所述製程腔的內部氣體的一部分。
在本發明中，感測器流入氣流的穩定化系統包括：感測器連接配管；孔板，連接該感測器連接配管和感測器裝置；旁通管，在連接該感測器連接配管和孔板的部分與感測器連接配管連接。
此時，感測器連接配管、旁通管及感測器裝置分別與分裂器連接管的三個分支連接，此時在三個分支中的連接分裂器連接管和感測器裝置的分支能夠固定或可替換地設置孔板。
此時，在感測器連接配管設置真空壓力計，在旁通管還設置手動操作真空泵，以作為另外的穩定化系統用真空泵。
此時，在處於設置在旁通管的穩定化系統用真空泵前端(在此“前端”是指在配管上空氣流動向前經過的部分)或孔板前端的感測器連接配管還具有調節或管制空氣流動的閥門。
在本發明中，感測器流入氣流的穩定化系統具有分裂器的結構，分裂器具有：真空壓力計，用於在所述感測器連接配管測定壓力；旁通管；真空泵，設置在該配管；調節閥門，設置在旁通管；控制器，檢測真空壓力計的壓力而對調節閥門進行調節。
此時，調節閥門通過控制器而按比例控制或通過PWM控制方式進行控制。
10,100:製程腔
11:殘餘氣體分析儀
13:渦輪分子泵
14,330,430:乾式泵
15:泵連接配管
20,200:感測器裝置
21:殼體
22:真空壓力計
23:氣體流入裝置
24:離子化裝置
25:質譜分析儀
26:檢測儀
30,300,400:感測器連接配管
31:連接埠
40:工藝氣體調節系統
50:流量調節器(MFC)
140:製程腔用真空泵
150:製程腔真空管
160:設備真空管
230:孔板
320,435:調節閥
315,415:旁通管
451:開關閥門
452,453:自動閥
420:穩定化系統用真空壓力計(P2)
440:穩定化系統用控制器
460:操作人員介面
圖1為概念顯示適用現有的製造設備的真空的製程腔及在此連接的感測器裝置的結構概念圖；圖2為作為感測器裝置的一個MS的結構概念圖；圖3為顯示本發明的一實施例的感測器流入氣流的穩定化系統及周邊結構的概念圖；及圖4為顯示本發明的另一實施例的感測器流入氣流的穩定化系統及周邊結構的概念圖。
下面參照附圖而通過具體實施例對本發明進行更具體說明。
圖3為顯示本發明的一實施例的感測器流入氣流的穩定化系統及周邊結構的結構概念圖。
在此，在與現有的半導體裝置製造設備的情況對比時，通過埠而在連接製程腔100和感測器裝置200的感測器連接配管300末端形成孔板230，在形成孔板的配管部分設置旁通管315，在旁通管還設置手動操作的乾式泵330作為穩定化系統用構成要素。操作人員控制各個位置的真空壓力計，並通過穩定化系統用乾式泵330及附帶的閥門而調節氣體的流動與否及流動量，在此圖示的穩定化系統用乾式泵330前端還設置調節閥320，在感測器連接配管的接近孔板的部分還設置調節閥325。
在此，穩定化系統用乾式泵330的流入口通過設置有孔板230的配管部分而與感測器連接配管300連接，該乾式泵的排出口與感測器裝置的排出口一起在與製程腔100結合的製程腔用真空泵140後端與製程腔真空管150連接，而將氣體排出至設備的真空管160。
附圖中，雖未明確顯示，但此時，感測器連接配管、旁通管及感測器裝置分別與分裂器連接管的三個分支(branch)連接，此時三個分支中的連接分裂器連接管和感測器裝置的分支能夠固定地或可替換地設置孔板。
在該結構中，與感測器連接配管300連接的穩定化系統用乾式泵330將未流入感測器裝置200：MS的多餘氣體從感測器連接配管300去除，在感測器裝置200入口，在配管上設置孔板230而一定地調節從配管導入感測器裝置200的氣體流量。
根據該結構，防止因製程腔100壓力變化而導致發生資料歪曲現象，改善因感測器連接配管300的無效空間(dead space，dead volume)而導致發生資料延遲現象。
但，該實施例與當前相比，說明保持感測器裝置200的穩定性，但操作人員因手動調節穩定化系統用乾式泵330的關係，而根據製程腔100壓力條件，而需要按孔板230更換而調節尺寸，在製程腔100壓力急變時，難以快速對應。
當然，代替孔板230而在感測器裝置200入口設置無需更換而能夠調節的針型閥(未圖示)的情況下，減少該繁瑣，但仍存在無法充分快速對應的問題。
圖4為顯示在製程腔100和感測器裝置200之間的感測器連接配管400設置分裂器作為一種氣流的穩定化系統的實施例。
在此，代替設置圖3的簡單的旁通管和穩定化系統用乾式泵330的結構而設置自動調節形式的氣流的穩定化系統。作為氣流的穩定化系統，在向感測器連接配管400流入製程腔100的氣體的埠位置設置按開啟/關閉閥門形式而起到關閉(shut down)功能的第一自動閥451及流量調節閥門或壓力調節閥門形
式的第二自動閥452，該第一自動閥及第二自動閥通過獲得穩定化系統用真空壓力計P2：420的檢測信號的穩定化系統用控制器440而進行調節。
氣流的穩定化系統還設置：穩定化系統用乾式泵430，設置於在感測器連接配管400通過孔板230而分支的分支配管或旁通管415；第三自動閥453，設置在該旁通管415。穩定化系統用乾式泵430的排出口如圖3所示，與感測器裝置200的排出口一起，在與製程腔100結合的製程腔用真空泵140後端與製程腔真空管150連接，而通過設備的真空管160排出氣體。該第三自動閥及穩定化系統用乾式泵430也通過獲得穩定化系統用真空壓力計P2：420的檢測信號的穩定化系統用控制器440進行調節。
另外，穩定化系統用控制器440如圖4顯示所示，以通過處於遠端定位的操作人員而調節的方式，與操作人員介面460連接而能夠進行遠端調節(remote control)。
並且，穩定化系統用控制器440與計時器聯動而具有通過提前輸入的程式運行的日程表(scheduler)功能。對於該情況，穩定化系統用控制器440能夠在提前預約的時間內進行運行並中斷穩定化系統的閥門或真空泵等各個要素的設備運行，如圖顯示所示，通常使穩定化系統用控制器440能夠為與感測器裝置即MS收發信號，並能夠聯動而在規定時刻開始運轉，且在規定的時刻內起到結束運轉的結構。
假設，用戶在外部遠端調節時，同時控制MS和分裂器，在通過日程功能而規定的時間內打開開閉閥門451、自動閥452而僅在供應腔體氣體時，MS進行測定，此外，在完全關閉了閥門時，MS也能夠中斷測定。
在該結構中，與在製程腔中的工藝壓力變化無關，而自動調節使得取樣氣體既定地流入MS。
在感測器裝置入口設置孔板或計量閥門，也能夠既定調節流入感測器裝置的氣體量，利用與配管連接的支管(分支配管)和設置在支管的乾式泵而從樣品管去除無法流入感測器裝置的殘餘氣體，從而，具有去除無效空間，並防止發生資料延遲的效果。
並且，設置在連接配管的穩定化系統用真空壓力計持續將壓力數值傳輸至控制器，控制器調節各個自動閥，與製程腔的壓力無關，既定保持連接配管內的壓力。
對進行自動調節的本發明實施例的閥門進行更具體說明，作為該自動調節閥門而使用當前使用的能夠進行細微流量調節的ALD閥(atomic layer deposition valve)或比例控制閥。
ALD閥為當前使用的，容易選擇成品而使用，由此，存在比較容易構成系統的優點，在該自動閥調節中設置脈衝寬度調製(PWM：pulse width modulation)電路而使用。在該PWM控制中，控制器接收所輸入的配管乾式泵前端的壓力(配管內壓力)，而通過回饋確定自動閥的打開及關閉週期。
但該結構的ALD閥存在如下缺點，在不足10赫茲的情況下，壓力阻尼嚴重，並大幅度縮短閥門的壽命，且結構大且複雜。
另外，比例控制閥設置作為一種流量調節閥門的計量閥(metering valve)和用於該計量閥的流量自動調節的伺服傳動裝置。比例控制閥也與ALD閥一樣，一起設置用於測定真空程度的真空壓力計。
該比例控制閥線形控制用於開閉動作的開閉量，而不存在壓力阻尼現象，使用實證的計量閥而能夠穩定控制，使用壽命與閥門主體的壽命一樣，而不存在壽命縮短的問題，比較容易進行電熱器的安裝。但為了構成新型的比例控制閥，需要研發用於組合與此匹配的控制器。
另外，對於該實施例的結構，實施通過設置在連接配管或閥門等加熱套(heat jacket)或其它類型的加熱器而進行的連接配管及分裂器的溫度控制，從而，防止在配管內部沉積工藝附屬物，並且，能夠實現不存在因在該空間的溫度變化而造成的壓力變化的影響而導致的感測器裝置的分析值(測定值、檢測值)的變化。
通過該加熱器的配管溫度控制也能夠通過控制器進行，對於該情況，溫度感測器被設置在連接配管或感測器裝置入口的孔板閥等，需要進行將連接配管或與連接配管結合的部件主體或連接配管內的氣體的溫度傳輸至控制器的動作。
在本發明中，對自動調節所需的穩定化系統用控制器進行更具體說明，該控制器使得全部進行自動調節進行氣流的穩定化系統的構成要素，或僅自動調節限制的要素，一部分要素也進行手動調節。假設另外，從感測器連接配管接收壓力資訊而自動調節自製程腔流入的氣體量的自動閥，另外，也能夠保持手動調節設置在旁通管的真空泵或附帶的閥門。
假設，該控制器具有自動閥控制功能和加熱器控制功能，在其它方面加熱器控制被識別為溫度控制功能。並且，也通過開/關方式控制與配管結合的真空泵即乾式泵。
該控制器本身通過一台電腦思考，也能夠直接控制該構成要素，但也能夠與現有的電腦結合，通過電腦傳輸控制信號，而具有控制各個構成要素的結構。當然對於該情況，電腦需要設置軟體即相應程式，以接收控制器的信號而產生控制各個構成要素的信號，並傳輸。
綜上，通過限定的實施例而說明本發明，但僅用於例示說明，以用於幫助理解本發明，本發明並非通過該特定的實施例限定。
因此，該發明所屬領域的普通技術人員基於本發明而實施各種變更或應用例，該變形例或應用例當然屬於權利要求範圍。
根據本發明，利用氣流穩定化系統，而防止發生與適用製造設備的真空的製程腔連接的感測器裝置即MS的內部壓力根據製程腔的壓力變動而發生急劇變化，且感測器分析值發生巨變，並降低分析值資料可靠度的情況，以及在感測器裝置檢測當前的製程腔的狀態時而發生延遲的情況。
根據本發明，增加MS感測器裝置的耐用壽命，並減少維護的必要性，從而，能夠減輕管理負擔。
100:製程腔
140:製程腔用真空泵
150:製程腔真空管
160:設備真空管
200:感測器裝置
220:真空壓力計
230:孔板
400:感測器連接配管
415:旁通管
420:穩定化系統用真空壓力計(P2)
430:乾式泵
440:穩定化系統用控制器
451:開關閥
452、453:自動閥
460:操作人員介面
Claims (8)
- 一種感測器流入氣流的穩定化系統，適用於具有製程腔、用於去除所述製程腔的內部氣體的製程腔用真空泵、以及通過感測器連接配管而接收所傳輸的所述製程腔的內部氣體並進行成分檢測的感測器裝置的製造設備中，所述感測器流入氣流的穩定化系統包括：所述感測器連接配管；以及旁通管，用於使所述感測器連接配管中一部分未被投入所述感測器裝置的氣體排出至外部，其中在所述感測器連接配管中，以與所述製程腔的壓力狀態變化無關的方式，向所述感測器裝置每小時既定範圍內穩定地提供所述製程腔的內部氣體的一部分。
- 如請求項1所述的感測器流入氣流的穩定化系統，其中所述感測器連接配管和所述感測器裝置通過孔板連接，所述旁通管在設置連接所述感測器連接配管和所述感測器裝置的所述孔板的部分與所述感測器連接配管連接，在所述旁通管設置穩定化系統用真空泵。
- 如請求項2所述的感測器流入氣流的穩定化系統，還設置用於測定所述感測器連接配管內的氣體壓力的穩定化系統用真空壓力計，所述穩定化系統用真空泵設置使得觀察所述穩定化系統用真空壓力計並手動調節。
- 如請求項2所述的感測器流入氣流的穩定化系統，還設置：穩定化系統用真空壓力計，用於測定所述感測器連接配管內的氣體壓力；自動閥，設置於從所述感測器連接配管接收所述製程腔的內部氣體的入口部分； 穩定化系統用控制器，接收所述穩定化系統用真空壓力計所檢測的壓力資訊而調節通過所述自動閥的氣體流入量，並調節所述穩定化系統用真空泵的運轉。
- 如請求項4所述的感測器流入氣流的穩定化系統，其中所述自動閥通過所述穩定化系統用控制器而進行比例控制或脈衝寬度調製方式控制。
- 如請求項4或5所述的感測器流入氣流的穩定化系統，其中在所述連接配管或所述自動閥設置加熱器及溫度感測器，所述穩定化系統用控制器接收所述溫度感測器的溫度資訊而調節所述加熱器的運轉。
- 如請求項3所述的感測器流入氣流的穩定化系統，還設置：自動閥，設置於從所述感測器連接配管接收所述製程腔的內部氣體的入口部分；穩定化系統用控制器，接收所述穩定化系統用真空壓力計所檢測的壓力資訊而調節通過所述自動閥的氣體流入量。
- 如請求項2至5或7中任一項所述的感測器流入氣流的穩定化系統，所述感測器連接配管、所述旁通管及所述感測器裝置分別與分裂器連接管的三個分支連接，在連接所述分裂器連接管和所述感測器裝置的分支設置所述孔板。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2020-0006792 | 2020-01-17 | ||
| KR20200006792 | 2020-01-17 | ||
| KR10-2020-0137988 | 2020-10-23 | ||
| KR1020200137988A KR102423263B1 (ko) | 2020-01-17 | 2020-10-23 | 센서 유입 가스 흐름 안정화 시스템 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202129807A TW202129807A (zh) | 2021-08-01 |
| TWI829991B true TWI829991B (zh) | 2024-01-21 |
Family
ID=77125521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110101749A TWI829991B (zh) | 2020-01-17 | 2021-01-15 | 感測器流入氣流的穩定化系統 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102423263B1 (zh) |
| TW (1) | TWI829991B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117026220B (zh) * | 2023-10-09 | 2023-12-15 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 压力调节装置及包含其的沉积设备、系统及压力控制方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1200262C (zh) * | 2003-01-10 | 2005-05-04 | 清华大学 | 测量粉末吸附气体量的方法和设备 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2390935A (en) | 2002-07-16 | 2004-01-21 | Anatoli Nicolai Verentchikov | Time-nested mass analysis using a TOF-TOF tandem mass spectrometer |
| JP3844723B2 (ja) * | 2002-08-05 | 2006-11-15 | 本田技研工業株式会社 | ガスセンサの結露防止構造 |
| KR100934794B1 (ko) * | 2007-12-22 | 2009-12-31 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 제조설비의 배기압력조절장치 |
| KR102090057B1 (ko) | 2017-12-11 | 2020-03-17 | 주식회사 이엘 | 반도체 공정 챔버 및 가스라인의 가스분석을 위한 tof ms 가스질량분석 모니터링 시스템 |
| KR102096162B1 (ko) * | 2018-04-26 | 2020-04-01 | 이무남 | 대기압 전용 잔류가스 분석장치에 연결되는 잔류가스 공급장치 |
-
2020
- 2020-10-23 KR KR1020200137988A patent/KR102423263B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-01-15 TW TW110101749A patent/TWI829991B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1200262C (zh) * | 2003-01-10 | 2005-05-04 | 清华大学 | 测量粉末吸附气体量的方法和设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210093148A (ko) | 2021-07-27 |
| KR102423263B1 (ko) | 2022-07-21 |
| TW202129807A (zh) | 2021-08-01 |
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