KR100891376B1 - 셀프 플라즈마 챔버와 결합하여 플라즈마 공정장치에서공정진행상태를 실시간으로 모니터하고 이상 여부를검출하는 복합센서 - Google Patents
셀프 플라즈마 챔버와 결합하여 플라즈마 공정장치에서공정진행상태를 실시간으로 모니터하고 이상 여부를검출하는 복합센서 Download PDFInfo
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- 플라즈마 공정 챔버내의 상태를 모니터링하기 위한 복합센서에 있어서,상기 플라즈마 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 배기관과 연결되어 상기 공정 챔버내의 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 공간을 형성하는 셀프 플라즈마 챔버;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 만드는 고주파 전원을 공급하는 고주파 발생부;상기 고주파 전원을 발생시키는 전압과 전류를 측정하는 고주파 프로브;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 파장 영역별로 방출 감도를 측정하는 분광분석기;상기 고주파 프로브 및 분광분석기의 측정결과를 분석하여 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 제어부; 및상기 공정 챔버내의 가스를 인입시키는 인입관에 부착되어 상기 셀프 플라즈마 챔버의 압력을 측정하는 압력센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합센서.
- 플라즈마 공정 챔버에서의 이상 여부를 검출하는 플라즈마 챔버의 복합센서에 있어서,상기 플라즈마 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 배기관과 연결되어 상기 공정 챔버내의 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 공간을 형성하는 셀프 플라즈마 챔버;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 고주파 특성 변화를 측정하는 광학 프로브;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 파장 영역별로 방출 감도를 측정하는 분광분석기;상기 광학 프로브 및 분광분석기의 측정결과를 분석하여 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 제어부; 및상기 공정 챔버내의 가스를 인입시키는 인입관에 부착되어 상기 셀프 플라즈마 챔버의 압력을 측정하는 압력센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합센서.
- 플라즈마 공정 챔버에서의 이상 여부를 검출하는 플라즈마 챔버의 복합센서에 있어서,상기 플라즈마 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 배기관과 연결되어 상기 공정 챔버내의 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 공간을 형성하는 셀프 플라즈마 챔버;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 만드는 고주파 전원을 공급하는 고주파 발생부;상기 고주파 전원을 발생시키는 전압과 전류를 측정하는 고주파 프로브;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 고주파 특성 변화를 측정하는 광학 프로브;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 파장 영역별로 방출 감도를 측정하는 분광분석기;상기 고주파 프로브, 광학 프로브 및 분광분석기의 측정결과를 분석하여 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 제어부; 및상기 공정 챔버내의 가스를 인입시키는 인입관에 부착되어 상기 셀프 플라즈마 챔버의 압력을 측정하는 압력센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합센서.
- 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는상기 압력센서의 측정값을 가지고 상기 고주파 프로브, 광학 프로브 또는 분광 분석기의 측정결과를 보정하여, 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 복합센서.
- 플라즈마 공정 챔버내의 상태를 모니터링하기 위한 복합센서에 있어서,상기 플라즈마 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 배기관과 연결되어 상기 공정 챔버내의 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 공간을 형성하는 셀프 플라즈마 챔버;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 만드는 고주파 전원을 공급하는 고주파 발생부;상기 고주파 전원을 발생시키는 전압과 전류를 측정하는 고주파 프로브;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 파장 영역별로 방출 감도를 측정하는 분광분석기;상기 고주파 프로브 및 분광분석기의 측정결과를 분석하여 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 제어부;상기 셀프 플라즈마 챔버를 비추는 광원; 및상기 셀프 플라즈마 챔버를 투과한 빛을 측정하여 상기 셀프 플라즈마 챔버의 오염 정도를 측정하는 광센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합센서.
- 플라즈마 공정 챔버에서의 이상 여부를 검출하는 플라즈마 챔버의 복합센서에 있어서,상기 플라즈마 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 배기관과 연결되어 상기 공정 챔버내의 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 공간을 형성하는 셀프 플라즈마 챔버;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 고주파 특성 변화를 측정하는 광학 프로브;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 파장 영역별로 방출 감도를 측정하는 분광분석기;상기 광학 프로브 및 분광분석기의 측정결과를 분석하여 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 제어부;상기 셀프 플라즈마 챔버를 비추는 광원; 및상기 셀프 플라즈마 챔버를 투과한 빛을 측정하여 상기 셀프 플라즈마 챔버의 오염 정도를 측정하는 광센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합센서.
- 플라즈마 공정 챔버에서의 이상 여부를 검출하는 플라즈마 챔버의 복합센서에 있어서,상기 플라즈마 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 배기관과 연결되어 상기 공정 챔버내의 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 공간을 형성하는 셀프 플라즈마 챔버;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 만드는 고주파 전원을 공급하는 고주파 발생부;상기 고주파 전원을 발생시키는 전압과 전류를 측정하는 고주파 프로브;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 고주파 특성 변화를 측정하는 광학 프로브;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 파장 영역별로 방출 감도를 측정하는 분광분석기;상기 고주파 프로브, 광학 프로브 및 분광분석기의 측정결과를 분석하여 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 제어부;상기 셀프 플라즈마 챔버를 비추는 광원; 및상기 셀프 플라즈마 챔버를 투과한 빛을 측정하여 상기 셀프 플라즈마 챔버의 오염 정도를 측정하는 광센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합센서.
- 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광원과 상기 셀프 플라즈마 챔버 사이에 위치하여 상기 셀프 플라즈마 챔버를 비추는 빛을 확산시키는 확산판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합센서.
- 플라즈마 공정 챔버에서의 이상 여부를 검출하는 방법에 있어서,상기 플라즈마 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 배기관과 연결된 인입관을 통해 상기 공정 챔버내의 가스를 별도의 셀프 플라즈마 챔버 내로 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 단계;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 만드는 고주파 전원을 측정하는 단계;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 파장 영역별로 방출 감도를 측정하는 단계; 및상기 측정된 고주파 전원과 상기 방출 감도를 분석하여 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 플라즈마 공정 챔버에서의 이상 여부를 검출하는 방법에 있어서,상기 플라즈마 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 배기관과 연결된 인입관을 통해 상기 공정 챔버내의 가스를 별도의 셀프 플라즈마 챔버 내로 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 단계;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 상기 플라즈마 광의 고주파 특성변화를 측정하는 단계;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 파장 영역별로 방출 감도를 측정하는 단계; 및상기 플라즈마 광의 고주파 특성 변화 및 상기 방출 감도를 분석하여 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 플라즈마 공정 챔버에서의 이상 여부를 검출하는 방법에 있어서,상기 플라즈마 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 배기관과 연결된 인입관을 통해 상기 공정 챔버내의 가스를 별도의 셀프 플라즈마 챔버 내로 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 단계;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 가스를 플라즈마 상태로 만드는 고주파 전원을 측정하는 단계;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 상기 플라즈마 광의 고주파 특성변화를 측정하는 단계;상기 셀프 플라즈마 챔버내의 플라즈마로부터의 광선 빔을 감지하여 파장 영역별로 방출 감도를 측정하는 단계; 및상기 측정된 고주파 전원, 상기 고주파 특성 변화 및 영역별 방출 감도를 분석하여 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이상여부 판단 단계는상기 셀프 플라즈마 챔버의 압력을 측정하여 상기 고주파 프로브, 광학 프로브 또는 분광 분석기의 측정결과를 보정하여, 상기 플라즈마 공정 챔버의 이상여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070027700A KR100891376B1 (ko) | 2007-03-21 | 2007-03-21 | 셀프 플라즈마 챔버와 결합하여 플라즈마 공정장치에서공정진행상태를 실시간으로 모니터하고 이상 여부를검출하는 복합센서 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080086063A KR20080086063A (ko) | 2008-09-25 |
KR100891376B1 true KR100891376B1 (ko) | 2009-04-02 |
Family
ID=40025491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100891376B1 (ko) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200456733Y1 (ko) * | 2009-08-24 | 2011-11-15 | (주)쎄미시스코 | 센서챔버의 가스배출장치 |
KR101436373B1 (ko) * | 2012-09-26 | 2014-09-02 | 주식회사 레인보우코퍼레이션 | 공정 모니터링 방법 및 시스템 |
KR20170040768A (ko) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 인피콘, 인크. | 가스 분석을 위한 국소 환경의 생성 |
KR101735158B1 (ko) | 2014-08-12 | 2017-05-12 | 서울대학교산학협력단 | 반도체 소자의 제조 장치의 공정 모니터링 방법 및 이를 이용한 모니터링 시스템 |
KR20190042818A (ko) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | 주식회사 프라임솔루션 | 보정광원을 갖는 공정 모니터링 장치 및 이를 이용한 공정 모니터링 방법 |
KR102001777B1 (ko) | 2018-04-13 | 2019-07-18 | 강수호 | 모니터링 플라즈마 셀을 이용한 공정 모니터링 장치 및 이를 이용한 공정 모니터링 방법 |
WO2020246745A1 (ko) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 한국기초과학지원연구원 | 플라즈마 oes 진단 윈도우 시스템, 플라즈마 oes 값의 보정 방법 및 플라즈마 oes 진단용 윈도우 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101663032B1 (ko) | 2010-09-10 | 2016-10-06 | 삼성전자주식회사 | 공정 모니터링 장치와 이를 구비한 반도체 공정 설비, 그리고 이를 이용한 공정 모니터링 방법 |
KR101160438B1 (ko) * | 2011-08-29 | 2012-06-26 | 차동호 | 다채널 감지 신호의 시분할 처리가 가능한 공정 이상 모니터링 장치 |
KR101288047B1 (ko) * | 2012-05-25 | 2013-07-23 | 주식회사 나노텍 | 멀티 프리퀀시를 이용한 가스 분석장치 |
KR101288055B1 (ko) * | 2012-05-25 | 2013-07-23 | 주식회사 나노텍 | 셀프 플라즈마 챔버를 포함하는 공정진행 모니터링 장치 |
JP6899693B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2021-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び制御方法 |
KR101957278B1 (ko) * | 2017-08-17 | 2019-03-13 | (주)에스엔텍 | 플라즈마 모니터링 장치 |
KR102636879B1 (ko) | 2018-09-07 | 2024-02-15 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 센싱 장치, 이를 포함하는 플라즈마 모니토링 시스템 및 플라즈마 공정 제어 방법 |
KR102236205B1 (ko) * | 2019-02-11 | 2021-04-05 | (주)지니아텍 | 플라즈마 상태 모니터링 방법 및 그 장치 |
CN114467163A (zh) * | 2019-09-30 | 2022-05-10 | 松下知识产权经营株式会社 | 等离子体处理的异常判定系统以及异常判定方法 |
KR102436148B1 (ko) * | 2020-07-22 | 2022-08-25 | 한국핵융합에너지연구원 | 플라즈마 발생 모니터링 및 제어 시스템 |
KR20230142267A (ko) * | 2022-04-01 | 2023-10-11 | 한국기계연구원 | 플라즈마 장치용 공정 모니터링 시스템 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000021854A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体製造条件設定方法、半導体製造条件設定装置、この装置を用いた半導体製造装置、及びこの半導体製造装置により製造された半導体基板 |
KR20060107662A (ko) * | 2005-04-11 | 2006-10-16 | 우범제 | 플라즈마를 이용한 가스분석장치 |
-
2007
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000021854A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体製造条件設定方法、半導体製造条件設定装置、この装置を用いた半導体製造装置、及びこの半導体製造装置により製造された半導体基板 |
KR20060107662A (ko) * | 2005-04-11 | 2006-10-16 | 우범제 | 플라즈마를 이용한 가스분석장치 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200456733Y1 (ko) * | 2009-08-24 | 2011-11-15 | (주)쎄미시스코 | 센서챔버의 가스배출장치 |
KR101436373B1 (ko) * | 2012-09-26 | 2014-09-02 | 주식회사 레인보우코퍼레이션 | 공정 모니터링 방법 및 시스템 |
KR101735158B1 (ko) | 2014-08-12 | 2017-05-12 | 서울대학교산학협력단 | 반도체 소자의 제조 장치의 공정 모니터링 방법 및 이를 이용한 모니터링 시스템 |
KR20170040768A (ko) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 인피콘, 인크. | 가스 분석을 위한 국소 환경의 생성 |
KR102619304B1 (ko) | 2015-10-05 | 2024-01-02 | 인피콘, 인크. | 가스 분석을 위한 국소 환경의 생성 |
KR20190042818A (ko) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | 주식회사 프라임솔루션 | 보정광원을 갖는 공정 모니터링 장치 및 이를 이용한 공정 모니터링 방법 |
KR102017559B1 (ko) * | 2017-10-17 | 2019-09-03 | 주식회사 프라임솔루션 | 보정광원을 갖는 공정 모니터링 장치 및 이를 이용한 공정 모니터링 방법 |
KR102001777B1 (ko) | 2018-04-13 | 2019-07-18 | 강수호 | 모니터링 플라즈마 셀을 이용한 공정 모니터링 장치 및 이를 이용한 공정 모니터링 방법 |
WO2020246745A1 (ko) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 한국기초과학지원연구원 | 플라즈마 oes 진단 윈도우 시스템, 플라즈마 oes 값의 보정 방법 및 플라즈마 oes 진단용 윈도우 |
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---|---|
KR20080086063A (ko) | 2008-09-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130108 Year of fee payment: 5 |
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Payment date: 20181229 Year of fee payment: 11 |
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