KR200456733Y1 - 센서챔버의 가스배출장치 - Google Patents

센서챔버의 가스배출장치 Download PDF

Info

Publication number
KR200456733Y1
KR200456733Y1 KR2020090011027U KR20090011027U KR200456733Y1 KR 200456733 Y1 KR200456733 Y1 KR 200456733Y1 KR 2020090011027 U KR2020090011027 U KR 2020090011027U KR 20090011027 U KR20090011027 U KR 20090011027U KR 200456733 Y1 KR200456733 Y1 KR 200456733Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
pipe
sensor chamber
inlet
outlet
Prior art date
Application number
KR2020090011027U
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110002066U (ko
Inventor
이순종
우봉주
최성진
정재훈
Original Assignee
(주)쎄미시스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)쎄미시스코 filed Critical (주)쎄미시스코
Priority to KR2020090011027U priority Critical patent/KR200456733Y1/ko
Publication of KR20110002066U publication Critical patent/KR20110002066U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200456733Y1 publication Critical patent/KR200456733Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32972—Spectral analysis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 고안은 센서챔버의 가스배출장치를 개시한다. 상기 센서챔버의 가스배출장치는 센서챔버에 공정챔버(진공을 이용하여 플라즈마 공정을 진행하는 플라즈마 공정챔버 또는 준대기압 이하의 상태로 가스가 흐르는 서멀챔버(Thermal Chamber), SACVD(SubAtomspheric Chemical Vapor Deposition))의 배기관과 연결되는 인입라인은 물론, 상기 배기관과 연결되는 인출라인을 구성한 것으로, 이에따라 공정챔버의 실시간 모니터링을 통해 챔버의 이상유무와 리크를 검출하는 단계에서 센서챔버의 내벽이나 윈도우에 공정가스에 포함되는 오염물질이 증착되는 것을 방지하고, 이를 통해 윈도우에서 수광되는 빛의 밝기가 현저하게 저하되는 문제를 개선하여 분광장치를 통해 리크의 발생여부 및 챔버의 진단결과를 오류없이 정확하고 빠르게 검출하고, 더불어 센서챔버에 유입되는 공정가스가 그대로 쌓이면서 발생하는 유지 관리의 어려움을 해소하면서 센서챔버의 수명을 연장시킬 수 있도록 한 것이다.
공정챔버, 센서챔버, 인입관, 인출관, 배기관, 압력, 분광장치

Description

센서챔버의 가스배출장치{Gas exhaust apparatus of sensor chamber}
본 고안은 진공을 이용하여 플라즈마 공정을 진행하는 플라즈마 공정챔버 또는 준대기압 이하의 상태로 가스가 흐르는 서멀챔버(Thermal Chamber)나 SACVD(SubAtomspheric Chemical Vapor Deposition)의 챔버(이하 모두의 챔버를 공정챔버 이라함)에서 센서챔버(셀프 플라즈마 챔버)로 인입되는 가스를 배출하는 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 분광장치(OES; Optical Emission Spectrometey)의 방식으로 공정챔버의 리크 검출과 챔버의 이상유무를 검출함에 있어, 공정챔버의 배기라인에 센서챔버를 연결한 후 공정챔버로부터 배기되는 가스를 주입하여 실시간 모니터링을 실시할 때 배기가스에 포함되거나 생성되는 오염물질이 센서챔버의 내벽이나 윈도우에 증착하는 것을 방지할 수 있도록 하는 센서챔버의 가스배출장치에 관한 것이다.
플라즈마를 이용한 반도체 소자의 제조 공정은 크게 건식 식각(dry etching) 공정과 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정 등의 증착공정이 있고, 또한 플라즈마를 사용하지 않고 진공상태에서 가스 등을 플로워(flow)시켜 공정이 진행될 수 있도록 하는 방식(Thermal Chamber, SACVD) 의 공정이 있다.
플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치는 플라즈마를 발생시키는 전극의 구성에 따라 마주보는 평행판 사이에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 CCP(capacitively coupled plasma) 방식, 반응관 외부의 코일에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 ICP(inductively coupled plasma) 방식, RF 전력과 자기장을 결합시켜 플라즈마를 발생시키는 MERIE(magnetically enhanced reactive ion etching) 방식, 마이크로파와 자기장을 결합시켜 플라즈마를 발생시키는 ECR(electron cyclotron resonance) 방식 등이 있다.
즉, 상기의 공정에서 사용되는 플라즈마 장치는 통상 반응공간을 형성하는 공정챔버(proecss chamber), 공정가스를 공급하기 위한 샤워 헤드, 기판이 안착되는 전극, 샤워 헤드에 전원을 공급하기 위한 전원장치, 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 진공펌프와 배기관 등을 포함하는 것이다.
이에따라, 밀폐된 공간을 제공하는 공정챔버에 반응가스를 공급하여, 상기 공정챔버 내부에 전극에 RF(radio frequency) 전력을 인가하여 전기장을 형성하면, 상기 반응가스는 전기장에 의해 활성화되면서 플라즈마 상태로 변환되고, 플라즈마 상태의 이온은 전극에 위치하는 웨이퍼 상의 박막과 반응하여 이 웨이퍼 상의 박막이 원하는 소정의 형상으로 식각될 수 있도록 한 것이다.
이때, 플라즈마를 이용하거나, 준대기압상태에서 플라즈마 없이 공정을 진행하는 반도체 제조장치에 있어서, 공정(플라즈마)이 원하는 데로 진행되도록 하기 위해서는 실시간으로 공정을 모니터링하고 제어하는 것이 필요한데, 이는 플라즈마 를 사용하거나 또는 플라즈마를 사용하지 않는 식각, CVD 공정에서 많은 반응부산물이 생성되며, 상기 생성되는 반응부산물들은 사용되는 반응가스나 포토레지스트 등과 반응하여 고분자물질(polymer)을 생성시키게 되고, 이러한 고분자물질이 기판 표면이나 공정챔버의 내벽에도 부착되기 때문에 공정 파라미터의 변동 및 파티클 발생을 초래하고, 이에따라 반도체 제조공정 수행 중 기판의 디펙트 요인이 되어 수율 저하를 초래하기 때문이다.
따라서, 상기와 같은 디펙트 요인을 감소시키도록 광학방출분광계(OES)를 통해 플라즈마를 분석하고 그 분석으로부터 리크의 발생여부 및 챔버의 이상유무를 검출하도록 하였으며, 이러한 종래의 모니터링 시스템은 공정챔버와 별도로 공정챔버의 배기관에 연결되는 센서기능을 하는 셀프 플라즈마 챔버를 마련하고, 이에 분광장치를 설치하여 공정의 상태를 모니터링한 것이다.
그러나, 상기 공정챔버의 배기관에서 배출되는 탄소(C, Carbon)와 같은 비금속성 공정물질과 텅스텐(W, Tungsten)과 같은 금속성의 공정물질들이 셀프 플라즈마 챔버의 내벽과 윈도우에 달라붙어 오염을 유발할 수 있음은 물론, 상기와 같은 오염 유발 물질은 셀프 플라즈마 챔버의 유전율을 변화시켜 플라즈마 방전이나 챔버의 특성에 영향을 주는 바, 이러한 내부 오염에 의해 셀프 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전이 영향을 받고, 셀프 플라즈마 챔버 윈도우의 투과율이 저하되기 때문에 셀프 플라즈마 챔버를 이용한 신호 측정이 어렵다는 문제가 발생하면서 정확한 오염도 측정값을 얻는 것이 불가능하고 실제로는 정상 상태인 때에도 이상 상태인 것으로 잘못 판단하는 문제가 발생하였다.
또한, 셀프 플라즈마 챔버가 급속도로 오염되면서 수명을 단축시키는 문제가 발생하였다.
이에 종래에는 특허출원 제 2008-74212 호(이하 선행기술 이라함)를 통해 상기의 문제를 개선하도록 하였다.
즉, 선행기술은 셀프 플라즈마 챔버의 양단에 선택적으로 오염 방지를 위한 전자기장 발생부를 설치함은 물론, 차단벽을 구성하는 것으로, 이를 통해 공정챔버를 통해 셀프 플라즈마 챔버로 유입되는 공정가스에 포함되는 오염유발물질을 차단하도록 한 것이다.
그러나, 선행기술은 공정챔버의 배기관에 인입관을 연결한 후, 상기 인입관에 폐쇄형의 셀프 플라즈마 챔버를 연결 구성한 것으로, 이는 상기 셀프 플라즈마 챔버로 공정가스의 유입이 이루어질 때 그 공정가스에 포함되는 오염유발물질만을 차단할 수는 있는 반면, 오염유발물질이 아닌 공정가스의 물질은 셀프 플라즈마 챔버내에 그대로 쌓일 수 밖에 없다.
이에따라, 상기 셀프 플라즈마 챔버내에 쌓이는 공정가스 물질로 인해, 상기 셀프 플라즈마 챔버내에서 생성되는 플라즈마에서 방출하는 빛의 파장에 따른 분광분포는 불규칙할 수 밖에 없고, 이에따라 상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우를 통해 수광되는 빛의 밝기는 현저하게 떨어질 수 밖에 없게 되면서, 상기 윈도우를 통해 분광장치가 빛의 파장별 분포도를 측정하는데에는 상당한 오류가 발생할 수 밖에 없고, 이는 곧 분광장치를 통한 리크의 발생여부 및 챔버의 이상유무를 오류없이 정확하고 빠르게 검출하는데에 장애요소로 작용하게 되었다.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 센서챔버에 공정챔버의 배기관과 연결되는 인입라인은 물론, 상기 배기관과 연결되는 인출라인을 구성함으로써, 공정챔버의 실시간 모니터링을 통해 챔버의 이상유무와 리크를 검출하는 단계에서 센서챔버의 내벽이나 윈도우에 공정챔버로부터 배기되는 가스에 포함되는 오염물질이 증착하는 것을 방지하고, 이를 통해 윈도우에서 수광되는 빛의 밝기가 현저하게 저하되는 문제를 개선하면서 분광장치를 통해 리크의 발생여부 및 챔버의 진단결과를 오류없이 정확하고 빠르게 검출할 수 있도록 하는 센서챔버의 가스배출장치를 제공함에 그 목적이 있는 것이다.
상기 목적 달성을 위한 본 고안 센서챔버의 가스배출장치는, 윈도우를 가지는 공정챔버를 진공 또는 준대기압 이하의 상태로 유지시키도록 상기 공정챔버에 연결되는 배기관; 상기 배기관에 인입관을 통해 연결되고, 플라즈마 생성을 위한 공간을 가지는 센서챔버; 상기 센서챔버내에 인입되는 배기가스를 플라즈마 상태로 만드는 고주파 전원을 공급하는 고주파 발생부; 를 포함하고, 상기 센서챔버의 타단에는 상기 배기관으로 연결되면서, 상기 인입관을 통해 인입되는 배기가스가 상기 센서챔버내에 쌓이지 않고 상기 배기관으로 배출되도록 안내하는 인출관을 구성하며, 상기 센서챔버의 윈도우에는 상기 인입관을 통해 센서챔버로 인입되는 배기가스가 인출관을 통해 배기관으로 배출되는 상태에서, 상기 고주파 발생부에서 공 급하는 고주파 전원으로부터 발생하는 플라즈마의 빛의 파장별 분포도를 측정하는 분광장치를 광섬유를 통해 연결 구성한 것이다.
또한, 상기 인입관과 인출관에는 각각 상기 인입관을 통해 센서챔버로 인입되는 배기가스가 압력차에 의해 상기 인출관으로 배출되도록 서로 다른 구경(口徑)을 가지는 제 1,2 구경조절구가 구성된다.
또한, 상기 제 1 구경조절구의 구경은 인입관측의 인입 압력이 인출관측의 인출 압력보다 높게 나타나도록 상기 제 2 구경조절구의 구경보다 작게 구성한 것이다.
또한, 상기 제 1 구경조절구의 구경은 인입관측의 인입 압력이 인출관측의 인출 압력보다 작게 나타나도록 상기 제 2 구경조절구의 구경보다 넓게 구성한 것이다.
또한, 상기 배기관에는 상기 인입관으로의 가스 인입과, 상기 인입된 가스가 인출관을 통해 배출이 압력차에 의해 이루어지도록 선형돌기를 통해 구경을 좁힌 벤츄리 유로(venturi line)를 형성한 것이다.
또한, 상기 인입관과 인출관에 의한 배기가스의 인입 또는 인출 압력은 상기 인입관 또는 인출관에 선택적으로 결합되는 압력계에 의해 조절 및 체크되도록 구성된다.
이 같은 본 고안은, 센서챔버에 공정챔버의 배기관과 연결되는 인입라인은 물론, 상기 배기관과 연결되는 인출라인을 구성한 것으로, 이에따라 공정챔버의 실 시간 모니터링을 통해 챔버의 이상유무와 리크를 검출하는 단계에서 센서챔버의 내벽이나 윈도우에 공정챔버에서 배기되는 가스에 포함되는 오염물질이 증착되는 것을 방지하고, 이를 통해 윈도우에서 수광되는 빛의 밝기가 현저하게 저하되는 문제를 개선하여 분광장치를 통해 리크의 발생여부 및 챔버의 진단결과를 오류없이 정확하고 빠르게 검출하는 한편, 센서챔버에 유입되는 배기가스가 그대로 쌓이면서 발생하는 유지 관리의 어려움을 해소하면서 센서챔버의 수명을 연장시키는 효과를 기대할 수 있는 것이다.
이하, 첨부된 도면에 의하여 본 고안의 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 고안의 실시예에 따른 센서챔버의 가스배출장치에 대한 구성도를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 본 고안의 실시예에 따른 센서챔버의 가스배출장치는, 공정챔버(10), 센서챔버(20), 고주파 발생부(30), 분광장치(40)를 포함한다.
상기 공정챔버(10)는 기판 처리가 이루어지도록 진공 또는 준대기압 이하의 상태에서 일정한 압력과 온도를 유지하는 반응공간이 형성되며, 이를 위해 상기 공정챔버(10)의 일측에는 배기관(11)과 이에 연결되는 펌프(100)가 연결 구성된다.
상기 센서챔버(20)는 상기 배기관(11)의 일측에 인입관(21)과 인출관(22)을 통해 연결된 것으로, 상기 센서챔버(20)는 상기 배기관(11)을 경유하는 배기가스의 성분을 인입하여 플라즈마 상태로 만드는 공간이 형성되며, 상기 공간의 일측에는 윈도우(W)가 구성된다.
이때, 상기 인입관(21)을 통해 상기 센서챔버(20)로 인입되는 배기가스의 성분은 상기 배기관(11)의 배기가스 성분과 실질적으로 동일한 것이고, 상기 인입관(21)과 인출관(22)에는 각각 상기 인입관(21)을 통해 센서챔버(20)로 인입되는 배기가스 성분이 압력차에 의해 상기 인출관(22)으로 배출되도록 서로 다른 구경(口徑)을 가지는 제 1,2 구경조절구(21a)(22a)가 구성된다.
즉, 상기 제 1,2 구경조절구(21a)(22a)는 상기 배기관(11)과의 연결부위에 형성된 것으로, 상기 제 1 구경조절구(21a)의 구경은 상기 인입관(21)에 의한 인입측의 압력이 상기 인출관(22)에 의한 인출측의 압력보다 높게 나타나도록 상기 제 2 구경조절구(22a)의 구경보다 작게 구성하거나, 또는 상기 제 1 구경조절구(21a)의 구경은 상기 인입관(21)에 의한 인입측의 압력이 상기 인출관(22)에 의한 인출측의 압력보다 낮게 나타나도록 상기 제 2 구경조절구(22a)의 구경보다 넓게 구성한 것이다.
이때, 상기 인입관(21)과 인출관(22)에는 배기가스의 인입 또는 인출 압력의 조절 및 체크하는 압력계(23)를 선택적으로 적용될 수 있으나, 반드시 이러한 것에 한정하는 것은 아니며, 압력 조절을 위한 또 다른 수단(예; 밸브)의 적용도 가능하다.
즉, 상기 제 1,2 구경조절구는 상기 압력계(23)에 의해 나타나는 압력값을 보면서 인입측과 인출측의 압력차를 조절하도록 수동밸브 또는 전자밸브로 구성할 수도 있으며, 상기 전자밸브의 경우에는 별도의 제어패널을 두어 전자적인 신호에 의해 구경 조절이 이루어지도록 한 것이다.
따라서, 상기 배기관(11)에서 인입관(21)을 통해 센서챔버(20)로 인입되는 배기가스 성분은 상기 제 1,2 구경조절구(21a)(22a)의 구경차이에 의한 압력차로 인해 상기 인출관(22)을 통해 상기 배기관(11)으로 인출이 이루어져, 상기 센서챔버(20)내에는 가스성분이 쌓이지 않도록 한 것이다.
상기 고주파 발생부(30)는 상기 인입관(21)을 통해 센서챔버(20)로 인입되는 배기가스 성분이 인출관(22)을 통해 배출시, 상기 센서챔버(20)에 고주파 전원을 공급하여, 상기 센서챔버(20)의 내부를 배기가스 성분이 통과되는 시점에 상기 배기가스 성분을 플라즈마 상태로 생성시키도록 구성된다.
상기 분광장치(40)는 상기 인입관(21)을 통해 센서챔버(20)로 인입되는 배기가스가 인출관(22)을 통해 배기관(11)으로 배출되는 상태에서, 상기 고주파 발생부(30)에서 공급하는 고주파 전원으로부터 발생하는 플라즈마에서 방출하는 빛의 파장별 분포도를 측정하여 상기 공정챔버(10)내의 물리적, 화학적 상태를 실시간 모니터링하는 것으로, 상기 센서챔버(20)의 윈도우(W)에 광섬유(41)를 통해 연결 구성된 것이다.
이와같이 본 발명의 실시예에 따른 센서챔버의 가스배출장치는 첨부된 도 1에서와 같이, 우선 배기관(11)에 연결되는 펌프(100)의 동작으로부터 플라즈마 또는 플라즈마가 없는 상태에서 공정이 진행되는 공정챔버(10)에서 배기관(11)을 통해 배기가스 성분을 배기시킬 때, 상기 배기관(11)을 통해 배기되는 가스성분은 제 1 구경조절부(21a)를 가지는 인입관(21)을 통해 센서챔버(20)로 인입된다.
그러면, 상기 센서챔버(20)에는 제 2 구경조절부(22a)를 가지는 인출관(22) 의 일단이 연결되고, 상기 인출관(22)의 타단은 상기 배기관(11)에 연결되어 있는 바, 상기 센서챔버(20)로 인입되는 배기가스 성분은 상기 인출관(22)을 통해 배기관(11)으로 리턴이 이루어지는 것이다.
즉, 상기 서로 다른 구경을 가지는 제 1,2 구경 조절부(21a)(22a)에 의해 상기 인입관(21)의 인출 압력과, 상기 인출관(22)의 인출 압력은 서로 다르게 나타나게 되면서, 상기 인입관(21)을 통해 센서챔버(20)의 반응공간으로 인입되는 배기가스 성분은 상기 인출관(22)을 통해 상기 배기관(11)으로의 리턴 인출이 이루어질 수 있는 것이다.
이때, 상기 센서챔버(20)로 배기가스 성분이 인입된 후 상기 인출관(22)을 통해 배기관(11)으로 리턴되는 과정에서, 상기 센서챔버(20)에는 고주파 발생부(30)에서 고주파 전원을 상기 센서챔버(20)에 공급하게 되는 바,
상기 센서챔버(20)를 통과하는 배기가스 성분은 상기 공급되는 고주파 전원에 의해 플라즈마 상태로 만들어지고, 이에따라 상기 센서챔버(20)의 윈도우(W)에 광섬유(41)를 통해 연결되는 분광장치(40)는 상기 플라즈마에서 방출하는 빛의 파장별 분포도를 측정하면서, 상기 공정챔버(10)내의 물리적, 화학적 상태를 실시간 모니터링하게 되는 것이다.
즉, 본 고안은 배기관(11)→인입관(21)→센서챔버(20)→인출관(22)→배기관(11)으로 배기가스 성분의 흐름이 안내되는 상태에서, 상기 센서챔버(20)에 고주파 전원을 공급하여 플라스마를 생성하고, 상기 생성된 플라즈마에서 방출되는 빛의 파장별 분포도를 측정하는 것이며, 이에따라 상기 센서챔버(20)의 내부에는 배 기가스 성분이 쌓이는 것을 방지할 수 있는 것이고, 이는 다음의 측정공정에서 상기 배기가스 성분에 의한 리크 및 챔버의 진단결과에 대한 측정 오류를 방지하는 한편, 상기 센서챔버(20)로부터 가스성분을 제거해야 하는 작업을 생략할 수 있는 효과를 기대할 수 있게 되는 것이다.
한편, 도 2는 본 고안의 다른실시예로, 이는 상기 배기관(11)에 상기 인입관(21)으로의 배기가스 인입과, 상기 인입된 배기가스가 인출관(22)을 통해 배출될 때 그 배출이 압력차에 의해 이루어지도록 선형돌기(51)를 통해 구경을 좁힌 벤츄리 유로(venturi line)(U1)를 형성한 상태를 도시한 것이다.
즉, 상기 벤츄리 유로(U1)를 통해 상기 인입관(21)으로 인입되는 배기가스 성분의 압력을 높게 유지함으로써, 상기 센서챔버(20)의 내부로 인입되는 배기가스 성분이 상기 인입관(21)의 압력보다 낮은 상기 인출관(22)을 통해 보다 쉽게 배기관(11)으로 배출될 수 있도록 한 것이다.
이하, 본 고안의 실시예에서와 동일부분에 대하여는 동일부호로 표시하여 그 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하, 본 고안은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와같은 변경은 청구범위 기재의 범위내에 있게 된다.
도 1은 본 고안의 실시예로 구경조절구를 가지는 센서챔버의 가스배출장치에 대한 구성도.
도 2는 본 고안의 다른실시예로 벤츄리 유로를 가지는 센서챔버의 가스배출장치에 대한 구성도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10; 공정챔버 11; 배기관
20; 센서챔버 21; 인입관
21a; 제 1 구경조절부 22; 인출관
22a; 제 2 구경조절부 30; 고주파 발생부
40; 분광장치 41; 광섬유
51; 선형돌기 W; 윈도우
U1; 벤츄리 유로

Claims (6)

  1. 윈도우를 가지는 공정챔버를 진공 또는 준대기압 이하의 상태로 유지시키도록 상기 공정챔버에 연결되는 배기관; 상기 배기관에 인입관을 통해 연결되고, 플라즈마 생성을 위한 공간을 가지는 센서챔버; 상기 센서챔버내에 인입되는 배기가스를 플라즈마 상태로 만드는 고주파 전원을 공급하는 고주파발생부; 를 포함하고,
    상기 센서챔버의 타단에는 상기 배기관으로 연결되면서, 상기 인입관을 통해 인입되는 배기가스가 상기 센서챔버내에 쌓이지 않고 상기 배기관으로 배출되도록 안내하는 인출관을 구성하며,
    상기 센서챔버의 윈도우에는 상기 인입관을 통해 센서챔버로 인입되는 배기가스가 인출관을 통해 배기관으로 배출되는 상태에서, 상기 고주파 발생부에서 공급하는 고주파전원에 의해 생성되는 플라즈마 빛의 파장별 분포도를 측정하는 분광장치를 광섬유를 통해 연결 구성하고,
    상기 인입관과 인출관에는 각각 상기 인입관을 통해 센서챔버로 인입되는 가스가 압력차에 의해 상기 인출관으로 배출되도록 서로 다른 구경(口徑)을 가지는 제 1,2 구경조절구를 구성하는 것을 특징으로 하는 센서챔버의 가스배출장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 구경조절구의 구경은 인입관측의 인입 압력이 인출관측의 인출 압력보다 높게 나타나도록 상기 제 2 구경조절구의 구경보다 작게 구성하는 것을 특징으로 하는 센서챔버의 가스배출장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 구경조절구의 구경은 인입관측의 인입 압력이 인출관측의 인출 압력보다 작게 나타나도록 상기 제 2 구경조절구의 구경보다 넓게 구성하는 것을 특징으로 하는 센서챔버의 가스배출장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 배기관에는 상기 인입관으로의 가스 인입과, 상기 인입된 가스가 인출관을 통해 배출이 압력차에 의해 이루어지도록 선형돌기를 통해 구경을 좁힌 벤츄리 유로(venturi line)를 형성하는 것을 특징으로 하는 센서챔버의 가스배출장치.
  6. 제 1 항과 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인입관과 인출관에 의한 배기가스의 인입 또는 인출 압력은 상기 인입관 또는 인출관에 선택적으로 결합되는 압력계에 의해 조절 및 체크되도록 구성하는 것을 특징으로 하는 센서챔버의 가스배출장치.
KR2020090011027U 2009-08-24 2009-08-24 센서챔버의 가스배출장치 KR200456733Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020090011027U KR200456733Y1 (ko) 2009-08-24 2009-08-24 센서챔버의 가스배출장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020090011027U KR200456733Y1 (ko) 2009-08-24 2009-08-24 센서챔버의 가스배출장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110002066U KR20110002066U (ko) 2011-03-03
KR200456733Y1 true KR200456733Y1 (ko) 2011-11-15

Family

ID=44207413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020090011027U KR200456733Y1 (ko) 2009-08-24 2009-08-24 센서챔버의 가스배출장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200456733Y1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102152777B1 (ko) * 2020-03-31 2020-09-07 에스티엑스엔진 주식회사 배기가스 흡입 장치
WO2021178019A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-10 Applied Materials, Inc. System and method for managing substrate outgassing
WO2024019479A1 (ko) * 2022-07-18 2024-01-25 차동호 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101273922B1 (ko) * 2012-07-17 2013-06-11 김남식 능동형 오염방지장치를 갖는 셀프 플라즈마 발광분광기 및 이를 이용한 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법
CN102820197B (zh) * 2012-08-31 2016-03-09 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子处理系统
KR101436373B1 (ko) * 2012-09-26 2014-09-02 주식회사 레인보우코퍼레이션 공정 모니터링 방법 및 시스템
US10153141B2 (en) 2014-02-14 2018-12-11 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for monitoring gas and plasma process equipment including the same
KR101871809B1 (ko) * 2014-02-14 2018-08-03 한국전자통신연구원 가스 모니터링 장치 및 그를 포함하는 플라즈마 공정 설비
KR102046637B1 (ko) * 2018-01-30 2019-11-19 한국기계연구원 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
KR102023705B1 (ko) * 2018-01-30 2019-09-20 한국기계연구원 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기
KR102080237B1 (ko) * 2018-07-17 2020-02-21 한국기계연구원 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100891376B1 (ko) * 2007-03-21 2009-04-02 차동호 셀프 플라즈마 챔버와 결합하여 플라즈마 공정장치에서공정진행상태를 실시간으로 모니터하고 이상 여부를검출하는 복합센서

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100891376B1 (ko) * 2007-03-21 2009-04-02 차동호 셀프 플라즈마 챔버와 결합하여 플라즈마 공정장치에서공정진행상태를 실시간으로 모니터하고 이상 여부를검출하는 복합센서

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021178019A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-10 Applied Materials, Inc. System and method for managing substrate outgassing
US11817297B2 (en) 2020-03-06 2023-11-14 Applied Materials, Inc. System and method for managing substrate outgassing
KR102152777B1 (ko) * 2020-03-31 2020-09-07 에스티엑스엔진 주식회사 배기가스 흡입 장치
WO2024019479A1 (ko) * 2022-07-18 2024-01-25 차동호 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110002066U (ko) 2011-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR200456733Y1 (ko) 센서챔버의 가스배출장치
US7591923B2 (en) Apparatus and method for use of optical system with a plasma processing system
KR101169764B1 (ko) 공정챔버의 실시간 모니터링 시스템
US8083888B2 (en) Plasma processing apparatus
KR20220035230A (ko) 플라즈마 차폐 장치가 있는 플라즈마 처리 시스템
US7814796B2 (en) Partial pressure measuring method and partial pressure measuring apparatus
KR100905128B1 (ko) 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법
US9721768B2 (en) Apparatus for optical emission spectroscopy and plasma treatment apparatus
US10267728B2 (en) Systems and methods for detecting oxygen in-situ in a substrate area of a substrate processing system
US20030046976A1 (en) Gas analyzing method and gas analyzer for semiconductor treater
KR20080101968A (ko) 반도체 제조 공정에 사용되는 가스 모니터링 장치
TWI791524B (zh) 用於製造電子裝置的設備、用於製造半導體裝置的設備以及估計在半導體處理腔室中的氣體濃度之方法
KR101273922B1 (ko) 능동형 오염방지장치를 갖는 셀프 플라즈마 발광분광기 및 이를 이용한 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법
US20060228815A1 (en) Inductively coupled plasma chamber attachable to a processing chamber for analysis of process gases
KR102663185B1 (ko) 광학 방출 분광 시스템 및 그 보정 방법, 반도체 소자 제조 방법
JP4258789B2 (ja) ガス処理方法
KR20100025249A (ko) 공정챔버의 리크 검출 방법
KR102667398B1 (ko) 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템
KR20190050254A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 모니터링 방법
KR102140711B1 (ko) 고진공 플라즈마 잔류가스 분석장치 및 이를 이용한 잔류가스 분석방법
US20240068989A1 (en) Gas analyzing apparatus and control method
KR102574604B1 (ko) 반도체/디스플레이 플라즈마 화학증착공정 모니터링 전용 실시간 온도편차 보정 발광분광분석시스템
KR20240010917A (ko) 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템
KR20240010919A (ko) 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템
KR20240010918A (ko) 가스분석장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
LAPS Lapse due to unpaid annual fee