KR102046637B1 - 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기 - Google Patents

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Abstract

공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기는, 진공 배기관의 외측에 위치하는 관형의 유전체와, 유전체의 일측 단부와 진공 배기관을 연결하는 유전체 홀더와, 유전체의 타측 단부와 진공 배기관을 연결하는 접지 전극과, 유전체의 외면에서 유전체와 나란하게 위치하는 고전압 전극과, 유전체와 거리를 두고 유전체 홀더의 단부에 결합된 시창구와, 시창구와 접하는 유전체 홀더의 단부 내측에 위치하며 유전체보다 작은 내경을 가지는 관형의 스페이서를 포함한다. 고전압 전극은 접지 전극에 대해 최소 간격으로부터 최대 간격에 이르는 간격 범위를 가지며, 전원으로부터 플라즈마 발생을 위한 구동 전압을 인가받는다.

Description

공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기 {PLASMA REACTOR FOR PROCESS MONITORING}
본 발명은 공정 챔버의 배기 가스를 분석하여 공정 모니터링을 수행하는 플라즈마 반응기에 관한 것이다.
반도체, 디스플레이, 태양전지 등은 공정 챔버와 진공 펌프를 구비한 저압 공정 설비에서 제작된다. 공정 챔버에서는 증착, 식각, 세정 등의 작업이 이루어지고, 진공 펌프는 배기관을 통해 공정 챔버와 연결되어 공정 가스를 배출시킨다.
공정 모니터링은 공정 챔버의 상태를 감지하는 기술로서, 종래의 공정 모니터링은 주로 공정 챔버 내부에서 발생한 플라즈마로부터 방출되는 광학 에미션(optical emission)을 관측하여 공정 중 일어나는 화학반응을 유추하는 방식으로 이루어진다.
그런데 공정 챔버 내부에서 발생하는 플라즈마는 공간적인 비균일성을 가지고 있으므로 측정 위치에 따라 스펙트럼 강도에 큰 차이가 발생한다. 또한, 광학 에미션을 관측하는 시창구가 공정 부산물에 의해 오염되어 측정 에미션 강도가 시간에 따라 변하게 되며, 시창구에 의한 웨이퍼의 오염 방지를 위해 시창구가 존재하지 않는 다수의 공정 챔버가 존재한다.
최근, 공정 챔버 후단의 배기관에 잔류가스 분석기를 설치하거나 플라즈마 반응기를 설치하여 공정 모니터링을 수행하는 방식이 제안되었다. 그런데 유량과 압력 등 공정 조건이 스로틀 밸브에 의해 엄격히 통제되는 공정 챔버와 달리 배기관은 시간에 따라 압력이 급격하게 변하고, 다수의 공정 부산물들과 미분해 전구체가 통과하는 등 플라즈마의 발생 및 유지가 매우 어려운 영역이다.
또한, 플라즈마는 다양한 종류의 공정 부산물과 입자들을 추가로 발생시키므로, 이들에 의해 시창구가 오염될 수 있다.
본 발명은 다양한 공정 조건에서 플라즈마를 발생시켜 광학 에미션 측정이 용이하며, 안정된 플라즈마를 유지시켜 장시간 사용이 가능하고, 시창구 오염에 의한 광학 에미션의 왜곡을 최소화할 수 있는 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응기는 공정 챔버 후단의 진공 배기관에 설치되며, 진공 배기관의 공정 가스를 분석하여 공정 모니터링을 수행한다. 플라즈마 반응기는, 진공 배기관의 외측에 위치하는 관형의 유전체와, 유전체의 일측 단부와 진공 배기관을 연결하는 유전체 홀더와, 유전체의 타측 단부와 진공 배기관을 연결하는 접지 전극과, 유전체의 외면에서 유전체의 길이 방향과 나란하게 위치하는 고전압 전극과, 유전체와 거리를 두고 유전체 홀더의 단부에 결합된 시창구와, 시창구와 접하는 유전체 홀더의 단부 내측에 위치하며 유전체보다 작은 내경을 가지는 관형의 스페이서를 포함한다. 고전압 전극은 접지 전극에 대해 최소 간격으로부터 최대 간격에 이르는 간격 범위를 가지며, 전원으로부터 플라즈마 발생을 위한 구동 전압을 인가받는다.
유전체 홀더와 접지 전극은 유전체와 동일한 관형일 수 있다. 유전체 홀더의 측면과 진공 배기관은 제1 포트에 의해 연결될 수 있고, 접지 전극의 측면과 진공 배기관은 제2 포트에 의해 연결될 수 있다. 유전체 홀더의 내경은 유전체의 내경보다 클 수 있고, 제1 포트와 제2 포트 각각의 내경은 진공 배기관 내경의 절반 이하일 수 있다.
제1 포트는 공정 가스의 상류측에 위치하는 유입 포트일 수 있고, 제2 포트는 공정 가스의 하류측에 위치하는 배출 포트일 수 있으며, 진공 배기관을 흐르는 공정 가스의 일부는 유전체 홀더와 유전체 및 접지 전극의 내부를 순차적으로 관통하여 흐를 수 있다.
다른 한편으로, 제2 포트는 공정 가스의 상류측에 위치하는 유입 포트일 수 있고, 제1 포트는 공정 가스의 하류측에 위치하는 배출 포트일 수 있으며, 진공 배기관을 흐르는 공정 가스의 일부는 접지 전극과 유전체 및 유전체 홀더의 내부를 순차적으로 관통하여 흐를 수 있다.
스페이서는 유전체와 제1 포트 사이에 위치할 수 있고, 유전체와 이격될 수 있다. 다른 한편으로, 스페이서는 유전체 홀더의 내부를 채울 수 있으며, 시창구와 유전체 내부를 통하게 하는 제1 개구와, 제1 포트와 제1 개구를 통하게 하는 제2 개구를 가질 수 있다.
제1 개구는 시창구와 접하는 균일 직경부와, 유전체와 접하는 가변 직경부로 구성될 수 있다. 가변 직경부의 내경은 시창구로부터 멀어질수록 커질 수 있고, 제2 개구는 균일 직경부와 통할 수 있다.
접지 전극은 유전체와 가까운 측의 플라즈마 집중부와, 유전체와 먼 측의 포트 결합부를 포함할 수 있다. 플라즈마 집중부의 내부 공간은 균일 직경부와, 균일 직경부보다 유전체로부터 더 멀리 위치하면서 유전체로부터 멀어질수록 내경이 작아지는 가변 직경부로 구성될 수 있다.
다른 한편으로, 플라즈마 반응기는 접지 전극의 내부에서 유전체의 내부 공간과 마주하며 접지 전위를 유지하는 판형의 대향부를 더 포함할 수 있다. 대향부는 적어도 두 개의 지지체에 의해 접지 전극의 내벽에 고정될 수 있고, 지지체와 연결되지 않은 가장자리에서 접지 전극의 내벽과 이격될 수 있다.
고전압 전극은 유전체의 둘레 방향을 따라 유전체를 연속으로 둘러싸는 관형 전극일 수 있고, 전원으로부터 교류(AC) 전압 또는 고주파(RF) 전압을 인가받을 수 있다.
다른 한편으로, 고전압 전극은 유전체의 길이 방향을 따라 서로 이격되거나 유전체의 둘레 방향을 따라 서로 이격된 제1 고전압 전극과 제2 고전압 전극을 포함할 수 있다. 제1 고전압 전극과 제2 고전압 전극은 각자의 전원으로부터 바이폴라 펄스 전압을 인가받을 수 있다.
다른 한편으로, 플라즈마 반응기는, 유전체의 외면에서 고전압 전극과 접지 전극 사이에 위치하면서 고전압 전극과 이격된 보조 접지 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 공정 가스가 지속적으로 흐르는 유전체 내부에 안전된 플라즈마를 발생시킴과 동시에 시창구 주위의 플라즈마 발생을 억제할 수 있다. 따라서 압력 및 가스 조성 변화에도 장시간 안정된 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 시창구 오염을 최소화하여 광학 에미션 측정의 정확도를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 반응기를 구비한 공정 설비의 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시한 플라즈마 반응기의 확대 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 플라즈마 반응기의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 8은 도 7의 A-A선을 기준으로 절개한 단면도이다.
도 9a와 도 9b는 본 발명의 제6 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 10은 도 9a와 도 9b에 도시한 고전압 전극에 인가되는 바이폴라 펄스 전압의 예시를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 제7 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 12는 본 발명의 제8 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 반응기를 구비한 공정 설비의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시한 플라즈마 반응기의 확대 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시한 플라즈마 반응기의 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 제1 실시예의 플라즈마 반응기(100)는 공정 챔버(11) 후단의 진공 배기관(13)에 설치되며, 진공 배기관(13)의 공정 가스가 유입된 내부 공간에 플라즈마(P)를 발생시킨다. 분광기(14)는 광 섬유(15)를 통해 플라즈마 반응기(100)와 연결되고, 플라즈마(P)로부터 방출되는 광학 에미션을 분석하여 공정 챔버(11)로부터 배출되는 가스 성분(중성 가스, 라디칼, 공정 부산물 등)을 검출한다.
공정 챔버(11)는 반도체, 디스플레이, 태양전지 등의 제조 라인에 설치되어 증착, 식각, 세정 등을 수행하는 챔버이다. 진공 배기관(13)은 진공 펌프(12)와 연결되어 공정 챔버(11)에서 사용된 공정 가스를 진공 펌프(12)로 이송한다.
진공 펌프(12)가 1단으로 구성되는 경우, 플라즈마 반응기(100)는 공정 챔버(11)와 진공 펌프(12) 사이의 진공 배기관(13)에 설치되며, 진공 펌프가 2단으로 구성되는 경우, 플라즈마 반응기(100)는 1단의 진공 펌프와 2단의 진공 펌프 사이에 설치될 수 있다. 도 1에서는 첫번째 경우를 예로 들어 도시하였다.
플라즈마 반응기(100)와 분광기(14)에 의한 공정 모니터링 정보를 이용하면 진공 누설을 감지할 수 있고, 공정의 종말점(end point)을 검출할 수 있으며, 시즈닝 공정과 PM(Period Maintenance)의 주기를 예측하는 등 공정 설비의 효율적인 운용이 가능하다.
진공 배기관(13)에 설치된 제1 실시예의 플라즈마 반응기(100)는 다음에 설명하는 구조에 의해 넓은 압력 범위와 다양한 가스 조성에서 안정된 플라즈마를 발생시켜 광학 에미션 측정이 용이하고, 시창구(60)의 오염을 억제하여 광학 에미션의 왜곡을 최소화할 수 있다.
제1 실시예의 플라즈마 반응기(100)는 진공 배기관(13)에 각각 접속된 유전체 홀더(20) 및 접지 전극(30)과, 유전체 홀더(20) 및 접지 전극(30) 사이에 결합된 관형의 유전체(40)와, 유전체(40)의 외면에 위치하는 고전압 전극(50)과, 유전체 홀더(20)에 결합된 시창구(60) 및 관형의 스페이서(70)를 포함한다. 진공 배기관(13)을 흐르는 공정 가스의 일부는 유전체(40) 내부를 관통하여 흐른다.
유전체 홀더(20)는 유입 포트(81)에 의해 진공 배기관(13)에 접속되고, 접지 전극(30)은 배출 포트(82)에 의해 진공 배기관(13)에 접속된다. 공정 가스의 흐름 방향을 기준으로 유입 포트(81)는 공정 가스의 상류측에 위치하며, 배출 포트(82)는 공정 가스의 하류측에 위치한다. 접지 전극(30)은 배출 포트(82) 및 진공 배기관(13)과 함께 접지될 수 있다.
유전체(40)는 직경과 두께가 일정한 원통형일 수 있으며, 유전체 홀더(20)와 접지 전극(30) 사이에서 진공 배기관(13)과 나란하거나 진공 배기관(13)에 대해 경사지게 위치할 수 있다. 다른 한편으로, 유전체(40)는 직육면체 형상일 수도 있다. 도 3에서는 유전체(40)가 원통형인 경우를 예로 들어 도시하였다.
유전체 홀더(20)와 접지 전극(30)은 유전체(40)와 동일한 원통형일 수 있다. 유입 포트(81)와 배출 포트(82) 각각은 유전체 홀더(20)와 접지 전극(30)의 측면에 접속될 수 있으며, 접지 전극(30)의 하측 단부는 막힌 형태일 수 있다.
유전체(40)의 상측 단부는 유전체 홀더(20)의 하측 단부에 밀봉 상태로 끼워질 수 있고, 유전체(40)의 하측 단부는 접지 전극(30)의 상측 단부에 밀봉 상태로 끼워질 수 있다. 유전체(40)의 길이는 유전체 홀더(20)의 길이 및 접지 전극(30)의 길이보다 클 수 있으며, 고전압 전극(50)의 길이보다 크다. 유전체(40)는 알루미나 또는 석영 등으로 제작될 수 있다.
고전압 전극(50)은 유전체 홀더(20) 및 접지 전극(30)과 일정 거리를 두고 유전체(40)의 외면에서 유전체(40)와 나란하게 위치한다. 고전압 전극(50)은 유전체(40)의 둘레 방향(원통형의 경우 원주 방향)을 따라 유전체(40)를 연속으로 둘러싸는 관형 전극일 수 있으며, 전원(55)과 연결되어 구동 전압을 인가받는다. 구동 전압은 교류(AC) 전압 또는 고주파(RF, radio frequency) 전압일 수 있다.
접지 전극(30)과 고전압 전극(50)의 전압 차에 의해 유전체(40) 내부에 용량 결합성 플라즈마가 발생된다. 용량 결합성 플라즈마(P)는 유전체(40)의 벽전압을 이용하는 방전 형태로서, 비교적 낮은 구동 전압으로 안정된 플라즈마를 생성할 수 있다. 방전 영역은 유전체(40)의 내부 공간 중 고전압 전극(50)과 중첩되는 영역 일부와, 접지 전극(30)의 내부 공간을 포함한다.
시창구(60)는 유전체(40)와 반대되는 유전체 홀더(20)의 상측 단부에 밀봉 상태로 결합된다. 시창구(60)는 투명한 유전체, 예를 들어 유리, 석영, 사파이어 등으로 제작될 수 있다. 시창구(60) 외측에는 시창구(60)와 광 섬유(15)를 지지하는 시창구 홀더(65)가 위치할 수 있다.
진공 배기관(13)을 흐르는 공정 가스의 일부는 유입 포트(81)를 통해 유전체 홀더(20)로 유입되고, 유전체(40) 내부를 관통하여 흐른 후 접지 전극(30)과 배출 포트(82)를 통해 진공 배기관(13)으로 배출된다. 공정 가스가 유전체(40) 내부를 관통하여 흐름에 따라, 고전압 전극(50)에 구동 전압을 인가하면 방전 영역에 플라즈마가 생성되며, 광학 에미션 관측이 용이하다.
고전압 전극(50)이 유전체(40)의 길이 방향과 나란한 관형으로 구성됨에 따라, 접지 전극(30)과 고전압 전극(50)간 거리는 단일 수치로 고정되지 않고 최소 간격(d_min)으로부터 최대 간격(d_max)에 이르는 소정의 간격 범위를 가진다.
즉 접지 전극(30)을 향한 고전압 전극(50)의 아래쪽 단부에서는 접지 전극(30)과의 거리가 작은 값이지만(최소 간격, d_min), 접지 전극(30)과 멀리 위치하는 고전압 전극(50)의 위쪽 단부에서는 접지 전극(30)과의 거리가 큰 값이 된다(최대 간격, d_max).
공지의 파센 곡선(Paschen Curve) 이론에 따르면, 플라즈마 발생에 필요한 최소한의 전압을 방전 개시 전압(breakdown voltage, Vb)이라 할 때, 방전 개시 전압(Vb)은 전극간 거리(d)와 압력(p)의 곱의 함수로 이루어진다.
접지 전극과 고전압 전극간 거리가 일정한 전극 구조를 가지는 공정 챔버에서는 글로우 방전을 유지하기 위해서 스로틀 밸브 등을 이용하여 압력을 정밀하게 제어해야 한다. 그러나 접지 전극(30)과 고전압 전극(50)간 거리가 넓은 범위를 가지는 제1 실시예의 플라즈마 반응기(100)에서는 압력을 정밀하게 제어하지 않아도 된다.
구체적으로, 방전 개시는 p×d 조건에 따라 방전 개시 전압(Vb)이 최소인 곳에서 발생하고, 방전 유지는 고전압 전극(50)과 접하는 유전체(40)의 내벽에 벽전하가 쌓이면서 주변부로 이동하며, 방전 꺼짐은 벽전하가 충분히 쌓여서 고전압 전극(50)과 접지 전극(30) 사이의 전압이 방전 개시 전압(Vb) 이하일 때 발생한다.
진공 배기관(13)의 압력이 높을수록 플라즈마 발생 시작점은 고전압 전극(50)의 아래쪽 단부에 가까워지고, 진공 배기관(13)의 압력이 낮을수록 플라즈마 발생 시작점은 고전압 전극(50)의 위쪽 단부에 가까워지며, 모든 경우 시작점에서 발생된 플라즈마는 방전 영역으로 넓게 확산된다. 따라서 제1 실시예의 플라즈마 반응기(100)는 넓은 압력 조건에서 안정된 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
한편, 금속 재질의 유전체 홀더(20)는 접지될 수 있으며, 이 경우 유전체 홀더(20)가 유전체(40)의 상측에서 또 다른 접지 전극으로 기능하게 된다. 즉 유전체 홀더(20)가 시창구(60) 주위로 플라즈마 방전을 유도하여 시창구(60)를 오염시킬 수 있으며, 이는 광학 에미션의 왜곡으로 이어진다.
시창구(60) 주위의 플라즈마 발생을 억제하기 위하여, 유전체 홀더(20)의 내경은 유전체(40)의 외경보다 크게 설정된다. 이 경우 고전압 전극(50)과 유전체 홀더(20) 사이의 방전 경로를 길게 하여 시창구(60) 주위의 플라즈마 발생을 약화시킬 수 있다.
또한, 시창구(60)의 오염을 억제하기 위하여, 시창구(60)와 접하는 유전체 홀더(20)의 단부 내측에 유전체(40)의 내경(D1)보다 작은 내경(D2)을 가지는 스페이서(70)가 위치한다. 스페이서(70)는 중앙이 빈 원통형으로서, 시창구(60)를 가리지 않으면서 시창구(60)와 접하는 유전체 홀더(20)의 내부 공간을 협소하게 만들어 시창구(60) 주위로 플라즈마 발생을 억제한다.
스페이서(70)는 유입 포트(81)를 가리지 않도록 시창구(60)와 유입 포트(81) 사이에 위치할 수 있다. 스페이서(70)는 유전체(40)와 같은 물질, 예를 들어 알루미나 또는 석영 등으로 제작될 수 있다.
유입 포트(81)와 배출 포트(82) 각각의 내경은 진공 배기관(13) 내경(D3)의 절반 이하일 수 있다. 개구의 직경이 절반 이하인 것은 개구의 면적이 1/4 이하인 것을 의미한다. 유입 포트(81)와 배출 포트(82) 각각의 내경이 진공 배기관(13) 내경(D3)의 절반 이하일 때, 진공 배기관(13) 공정 가스의 25% 이하가 플라즈마 반응기(100) 내부로 유입되므로 안정된 플라즈마를 유지할 수 있다.
진공 배기관(13) 내부의 공정 가스는 다수의 공정 부산물들과 미분해 전구체를 포함하며, 플라즈마(P)는 다양한 종류의 공정 부산물과 입자들을 추가로 발생시킨다. 진공 배기관(13) 공정 가스의 25% 이상이 유전체(40) 내부를 통과하는 경우, 플라즈마(P)에 의해 발생된 공정 부산물들과 입자들이 유전체(40)를 오염 및 손상시킬 수 있으므로 바람직하지 않다.
제1 실시예의 플라즈마 반응기(100)는 고전압 전극(50)과 접지 전극(30)의 단순한 전극 구조를 이용하여 방전 영역에 안정된 플라즈마를 발생시킬 수 있고, 공정 가스의 유입량 조절 및 방전 영역의 지속적인 공정 가스 흐름에 의해 플라즈마 반응기(100) 내부로 공정 부산물들과 반응 부산물들이 축적되는 것을 방지하여 안정된 플라즈마를 유지할 수 있다.
예를 들어, 공정 챔버(11)에서 TEOS(Tetraethyl orthosilicate)와 산소 플라즈마를 이용한 SiO2 증착이 이루어지는 경우, 증착 전구체인 TEOS와 공정 부산물인 SiO2 입자가 플라즈마 반응기 내부에 유입되어 쌓일 수 있고, 이 경우 안정된 플라즈마 발생을 방해한다. 제1 실시예의 플라즈마 반응기(100)는 안정된 플라즈마를 유지하여 장시간 운전이 가능하다.
화학기상증착(CVD) 공정의 경우, 준비 단계와 증착 단계 및 퍼지 단계를 포함하며, 증착 단계와 퍼지 단계 사이에 세정 단계가 추가될 수 있다. 공정 챔버(11)에서는 퍼지 단계와 세정 단계에서 플라즈마 방전이 불가능하고, 증착 단계에서만 플라즈마 방전이 가능하다. 공정 챔버(11)의 플라즈마 방전을 이용해서는 지속적인 공정 모니터링이 어렵다.
그러나 제1 실시예의 플라즈마 반응기(100)는 진공 배기관(13)에 설치되므로 준비 단계, 증착 단계, 세정 단계, 및 퍼지 단계 모두에서 플라즈마 방전이 가능하며, 지속적인 공정 모니터링을 가능하다. 또한, 준비 단계, 증착 단계, 세정 단계, 및 퍼지 단계 각각은 압력 조건과 가스 조성이 상이하지만, 접지 전극(30)과 고전압 전극(50) 사이의 넓은 간격 범위로 인해 넓은 압력 조건과 다양한 가스 조성에서 안정된 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 4를 참고하면, 제2 실시예의 플라즈마 반응기(200)에서 스페이서(70)는 유전체 홀더(20)의 내부를 채우며, 시창구(60)와 유전체(40) 내부를 통하게 하는 제1 개구(71)와, 유입 포트(81)와 제1 개구(71)를 통하게 하는 제2 개구(72)를 가진다. 제1 개구(71)는 유전체(40)의 길이 방향과 나란하고, 제2 개구(72)는 유전체(40)의 길이 방향과 직교한다.
진공 배기관(13)을 흐르는 공정 가스의 일부는 유입 포트(81)를 통해 스페이서(70) 내부로 유입되며, 유전체(40) 내부를 관통하여 흐른 후 접지 전극(30)과 배출 포트(82)를 통해 진공 배기관(13)으로 배출된다.
스페이서(70)가 공정 가스 유입과 광학 에미션 관측을 위한 최소의 개구를 형성하며 유전체 홀더(20)를 채움에 따라, 고전압 전극(50)의 상측으로 실질적인 플라즈마 발생이 없으며, 시창구(60)의 오염을 최소화할 수 있다.
제2 실시예의 플라즈마 반응기(200)는 스페이서(70)의 형상을 제외하고 전술한 제1 실시예와 동일하며, 중복되는 설명은 생략한다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 5를 참고하면, 제3 실시예의 플라즈마 반응기(300)에서 스페이서(70)의 제1 개구(71)는 시창구(60)에 가까운 균일 직경부(711)와, 유전체(40)와 가까운 가변 직경부(712)로 구성된다. 균일 직경부(711)와 가변 직경부(712)는 연속으로 이어지며, 가변 직경부(712)의 내경은 시창구(60)로부터 멀어질수록(유전체(40)와 가까울수록) 커진다.
제2 개구(72)는 제1 개구(71)의 균일 직경부(711)와 통하며, 유입 포트(81)를 통해 유입된 공정 가스는 가변 직경부(712)를 거쳐 유전체(40) 내부를 관통하여 흐른다. 스페이서(70)의 가변 직경부(712)는 유입 포트(81)로부터 유입된 공정 가스가 완만한 경로를 따라 유전체(40) 내부로 확산되도록 하여 공정 가스의 유입과 배출을 원활하게 한다.
제3 실시예의 플라즈마 반응기(300)는 제1 개구(71)의 형상을 제외하고 전술한 제2 실시예와 동일하며, 중복되는 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 6을 참고하면, 제4 실시예의 플라즈마 반응기(400)에서 접지 전극(30)은 유전체(40)와 가까운 측의 플라즈마 집중부(31)와, 유전체(40)와 먼 측의 포트 결합부(34)로 구성된다. 포트 결합부(34)의 외경이 플라즈마 집중부(31)의 외경보다 클 수 있으며, 포트 결합부(34)는 배출 포트(82)에 접속된다.
플라즈마 집중부(31)의 내부 공간은 균일 직경부(32)와, 균일 직경부(32)보다 유전체(40)로부터 더 멀리 위치하면서 유전체(40)로부터 멀어질수록 내경이 작아지는 가변 직경부(33)로 구성된다.
접지 전극(30)에서 가변 직경부(33)를 둘러싸는 경사면이 유전체(40)의 길이 방향을 따라 유전체(40)와 마주하며, 고전압 전극(50)과 접지 전극(30) 사이의 간격을 변화시키는 기능을 한다. 제4 실시예의 플라즈마 반응기(400)는 접지 전극(30) 내부에 보다 안정된 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
제4 실시예의 플라즈마 반응기(400)는 접지 전극(30)의 형상을 제외하고 전술한 제1 실시예 내지 제3 실시예 중 어느 한 실시예와 동일 또는 유사한 구성으로 이루어진다. 도 6에서는 편의상 제1 실시예의 구성을 기본 구성으로 포함하는 경우를 예로 들어 도시하였다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이고, 도 8은 도 7의 A-A선을 기준으로 절개한 단면도이다.
도 7과 도 8을 참고하면, 제5 실시예의 플라즈마 반응기(500)는 접지 전극(30)의 내부에 위치하는 대향부(35)를 더 포함한다. 대향부(35)는 유전체(40)와 직교하는 원판 모양의 부재로서, 유전체(40)의 내부 공간과 마주하며, 지지체(36)에 의해 접지 전극(30)의 내벽에 고정되어 접지 전극(30)과 통전된다.
대향부(35)는 두 개 이상의 지지체(36)에 의해 접지 전극(30)의 내벽에 고정될 수 있고, 지지체(36)와 연결되지 않은 가장자리에서 접지 전극(30)의 내벽과 이격되어 공정 가스가 막힘 없이 흐르도록 할 수 있다. 대향부(35)는 배출 포트(82)보다 유전체(40)에 더 가깝게 위치할 수 있다.
대향부(35)는 접지 전위를 유지하며, 유전체(40)의 내부 중심과 마주하한다. 제5 실시예의 플라즈마 반응기(500)는 유전체(40) 내부와 대향부(35) 위로 안정된 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
제5 실시예의 플라즈마 반응기(500)는 대향부(35) 및 지지체(36)를 제외하고 전술한 제1 실시예 내지 제3 실시예 중 어느 한 실시예와 동일 또는 유사한 구성으로 이루어진다. 도 7에서는 편의상 제1 실시예의 구성을 기본 구성으로 포함하는 경우를 예로 들어 도시하였다.
도 9a와 도 9b는 본 발명의 제6 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이고, 도 10은 도 9a와 도 9b에 도시한 고전압 전극에 인가되는 바이폴라 펄스 전압의 예시를 나타낸 도면이다.
도 9a와 도 9b 및 도 10을 참고하면, 제6 실시예의 플라즈마 반응기(600)에서 고전압 전극(50)은 유전체(40)의 길이 방향을 따라 서로 이격된 제1 고전압 전극(51)과 제2 고전압 전극(52)을 포함하거나(도 9a 참조), 유전체(40)의 둘레 방향을 따라 서로 이격된 제1 고전압 전극(51)과 제2 고전압 전극(52)을 포함한다(도 9b 참조).
제1 고전압 전극(51)과 제2 고전압 전극(52)은 전원(55)으로부터 각각 제1 구동 전압(V1)과 제2 구동 전압(V2)을 인가받는다. 제1 구동 전압(V1)과 제2 구동 전압(V2)은 극성이 서로 반대인 바이폴라 펄스 전압이다. 즉 제1 구동 전압(V1)과 제2 구동 전압(V2)의 위상차는 180°이다. 제1 구동 전압(V1)과 제2 구동 전압(V2) 각각은 삼각파, 싸인파, 정현파 중 어느 하나일 수 있으나, 이러한 예시로 한정되지 않는다.
제1 고전압 전극(51)과 제2 고전압 전극(52)에 바이폴라 펄스 전압이 인가되면, 방전 전압은 펄스 전압의 두 배가 된다. 따라서 하나의 고전압 전극이 위치하는 경우와 같은 세기의 플라즈마를 발생하면서 구동 전압을 낮출 수 있다.
제6 실시예의 플라즈마 반응기(600)는 고전압 전극(50)의 형상과 구동 전압 특성을 제외하고 전술한 제1 실시예 내지 제5 실시예 중 어느 한 실시예와 동일 또는 유사한 구성으로 이루어진다. 도 9a와 도 9b에서는 편의상 제1 실시예의 구성을 기본 구성으로 포함하는 경우를 예로 들어 도시하였다.
도 11은 본 발명의 제7 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 11을 참고하면, 제7 실시예의 플라즈마 반응기(700)는 유전체(40)의 외면에 위치하는 보조 접지 전극(37)을 포함한다. 보조 접지 전극(37)은 고전압 전극(50)과 접지 전극(30) 사이에 위치하며, 유전체(40)의 길이 방향을 따라 고전압 전극(50)과 이격된다.
보조 접지 전극(37)은 원주 방향을 따라 유전체(40)를 연속으로 둘러싸는 관형 전극일 수 있으며, 접지 전위를 유지한다. 유전체(40) 상에 보조 접지 전극(37)이 위치함에 따라, 고전압 전극(50)과 보조 접지 전극(37) 사이에 해당하는 유전체(40)의 내부 공간에 플라즈마가 생성되며, 생성된 플라즈마는 접지 전극(30)의 접지 전위를 타고 접지 전극(30)의 내부로 확장된다.
제7 실시예의 플라즈마 반응기(700)는 고전압 전극(50)의 길이 및 보조 접지 전극(37)을 제외하고 전술한 제1 실시예 내지 제5 실시예 중 어느 한 실시예와 동일 또는 유사한 구성으로 이루어진다. 도 11에서는 편의상 제1 실시예의 구성을 기본 구성으로 포함하는 경우를 예로 들어 도시하였다.
도 12는 본 발명의 제8 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성도이다.
도 12를 참고하면, 제8 실시예의 플라즈마 반응기(800)에서 유전체 홀더(20)는 배출 포트(82)에 의해 진공 배기관(13)에 접속되고, 접지 전극(30)은 유입 포트(81)에 의해 진공 배기관(13)에 접속되며, 진공 배기관(13)을 흐르는 공정 가스의 일부는 접지 전극(30)과 유전체(40) 및 유전체 홀더(20)를 순차적으로 통과한다.
접지 전극(30)이 유전체 홀더(20)보다 공정 가스의 상류측에 위치하며, 시창구(60)가 플라즈마 반응기(800)의 최하단에 위치하여 아래 방향을 향해 광학 에미션을 방출시킨다. 제8 실시예의 플라즈마 반응기(800)는 전술한 실시예들의 플라즈마 반응기가 상하로 반전된 형상으로 이루어지며, 작용은 전술한 실시예들과 동일하다.
제1 실시예 내지 제8 실시예 모두에서 유전체 홀더(20)는 제1 포트에 의해 진공 배기관(13)에 접속되고, 접지 전극(30)은 제2 포트에 의해 진공 배기관(13)에 접속된다. 제1 실시예 내지 제7 실시예에서 제1 포트는 유입 포트(81)이고, 제2 포트는 배출 포트(82)이다. 제8 실시예에서 제1 포트는 배출 포트(82)이고, 제2 포트는 유입 포트(81)이다.
제8 실시예의 플라즈마 반응기(800)는 유전체 홀더(20)와 접지 전극(30)의 위치를 제외하고 전술한 제1 실시예 내지 제7 실시예 중 어느 한 실시예와 동일 또는 유사한 구성으로 이루어진다. 도 12에서는 편의상 제1 실시예의 구성을 기본 구성으로 포함하는 경우를 예로 들어 도시하였다.
전술한 플라즈마 반응기들은 압력과 가스 조성의 변화에도 안정된 플라즈마를 발생시키며, 다양한 공정 조건에서 광학 에미션 측정이 가능하다. 또한, 플라즈마 반응기 내부와 시창구에 공정 부산물들과 반응 부산물들의 축적을 최소화하여 시간 흐름에 따른 에미션 세기 저하를 방지할 수 있으며, 플라즈마 반응기의 교체 주기를 연장할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800: 플라즈마 반응기
11: 공정 챔버 12: 진공 펌프
13: 진공 배기관 14: 분광기
15: 광 섬유 20: 유전체 홀더
30: 접지 전극 40: 유전체
50: 고전압 전극 55: 전원
60: 시창구 70: 스페이서

Claims (15)

  1. 공정 챔버 후단의 진공 배기관에 설치되며, 상기 진공 배기관의 공정 가스를 분석하여 공정 모니터링을 수행하는 플라즈마 반응기에 있어서,
    상기 진공 배기관의 외측에 위치하는 관형의 유전체;
    상기 유전체의 일측 단부에 결합되며, 측면에 접속된 제1 포트에 의해 상기 진공 배기관에 연결되고, 단부에 결합된 시창구를 포함하는 유전체 홀더;
    상기 유전체 홀더의 내부에서 상기 제1 포트보다 상기 유전체로부터 더 멀리 위치하고, 상기 시창구와 접하며, 상기 유전체의 내경보다 작은 내경을 가지는 관형의 스페이서;
    상기 유전체의 타측 단부에 결합되며, 측면에 접속된 제2 포트에 의해 상기 진공 배기관에 연결되는 접지 전극; 및
    상기 유전체의 외면에 위치하고, 전원으로부터 플라즈마 발생을 위한 구동 전압을 인가받는 고전압 전극;
    을 포함하는 플라즈마 반응기.
  2. 공정 챔버 후단의 진공 배기관에 설치되며, 상기 진공 배기관의 공정 가스를 분석하여 공정 모니터링을 수행하는 플라즈마 반응기에 있어서,
    상기 진공 배기관의 외측에 위치하는 관형의 유전체;
    상기 유전체의 일측 단부에 결합되며, 측면에 접속된 제1 포트에 의해 상기 진공 배기관에 연결되고, 단부에 결합된 시창구를 포함하는 유전체 홀더;
    상기 시창구 및 상기 유전체의 단부 모두와 접하도록 상기 유전체 홀더의 내부를 채우고, 상기 유전체의 내부 공간에 대해 상기 시창구의 일부를 개방시키는 제1 개구와, 상기 제1 포트와 상기 제1 개구를 통하게 하는 제2 개구를 구비하는 스페이서;
    상기 유전체의 타측 단부에 결합되며, 측면에 접속된 제2 포트에 의해 상기 진공 배기관에 연결되는 접지 전극; 및
    상기 유전체의 외면에 위치하고, 전원으로부터 플라즈마 발생을 위한 구동 전압을 인가받는 고전압 전극;
    을 포함하며,
    상기 제1 개구의 직경은 상기 유전체의 내경보다 작은 플라즈마 반응기.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 유전체 홀더는 상기 유전체와 동일한 관형이고,
    상기 유전체 홀더의 내경은 상기 유전체의 내경보다 크며,
    상기 제1 포트와 상기 제2 포트 각각의 내경은 상기 진공 배기관 내경의 절반 이하인 플라즈마 반응기.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 포트는 공정 가스의 상류측에 위치하는 유입 포트이고,
    상기 제2 포트는 공정 가스의 하류측에 위치하는 배출 포트이며,
    상기 진공 배기관을 흐르는 공정 가스의 일부는 상기 유전체 홀더와 상기 유전체 및 상기 접지 전극의 내부를 순차적으로 관통하여 흐르는 플라즈마 반응기.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 포트는 공정 가스의 상류측에 위치하는 유입 포트이고,
    상기 제1 포트는 공정 가스의 하류측에 위치하는 배출 포트이며,
    상기 진공 배기관을 흐르는 공정 가스의 일부는 상기 접지 전극과 상기 유전체 및 상기 유전체 홀더의 내부를 순차적으로 관통하여 흐르는 플라즈마 반응기.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제1 개구는 상기 시창구 측에 위치하는 균일 직경부와, 상기 유전체 측에 위치하는 가변 직경부로 구성되며,
    상기 가변 직경부의 직경은 상기 시창구로부터 멀어질수록 커지고,
    상기 제2 개구는 상기 균일 직경부와 통하는 플라즈마 반응기.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접지 전극은 상기 유전체와 가까운 측의 플라즈마 집중부와, 상기 유전체와 먼 측의 포트 결합부를 포함하고,
    상기 플라즈마 집중부의 내부 공간은 균일 직경부와, 상기 균일 직경부보다 상기 유전체로부터 더 멀리 위치하면서 상기 유전체로부터 멀어질수록 직경이 작아지는 가변 직경부로 구성되는 플라즈마 반응기.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접지 전극의 내부에서 상기 유전체의 내부 공간과 마주하며 접지 전위를 유지하는 판형의 대향부를 더 포함하는 플라즈마 반응기.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 대향부는 적어도 두 개의 지지체에 의해 상기 접지 전극의 내벽에 고정되고, 상기 지지체와 연결되지 않은 가장자리에서 상기 접지 전극의 내벽과 이격되는 플라즈마 반응기.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고전압 전극은 상기 유전체의 둘레 방향을 따라 상기 유전체를 연속으로 둘러싸는 관형 전극이고, 상기 전원으로부터 교류(AC) 전압 또는 고주파(RF) 전압을 인가받는 플라즈마 반응기.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고전압 전극은 상기 유전체의 길이 방향을 따라 서로 이격된 제1 고전압 전극과 제2 고전압 전극을 포함하고,
    상기 제1 고전압 전극과 상기 제2 고전압 전극은 상기 전원으로부터 바이폴라 펄스 전압을 인가받는 플라즈마 반응기.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고전압 전극은 상기 유전체의 둘레 방향을 따라 서로 이격된 제1 고전압 전극과 제2 고전압 전극을 포함하고,
    상기 제1 고전압 전극과 상기 제2 고전압 전극은 상기 전원으로부터 바이폴라 펄스 전압을 인가받는 플라즈마 반응기.
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 유전체의 외면에서 상기 고전압 전극과 상기 접지 전극 사이에 위치하며, 상기 고전압 전극과 이격된 보조 접지 전극을 더 포함하는 플라즈마 반응기.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100905128B1 (ko) * 2008-07-29 2009-06-30 주식회사 나노텍 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법
JP2013125022A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Shimadzu Corp 放電イオン化電流検出器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200456733Y1 (ko) * 2009-08-24 2011-11-15 (주)쎄미시스코 센서챔버의 가스배출장치
KR101589624B1 (ko) * 2014-04-30 2016-01-28 한국기계연구원 친환경 공정을 위한 플라즈마 반응기

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100905128B1 (ko) * 2008-07-29 2009-06-30 주식회사 나노텍 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법
JP2013125022A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Shimadzu Corp 放電イオン化電流検出器

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