KR100905128B1 - 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법 - Google Patents
셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100905128B1 KR100905128B1 KR1020080074212A KR20080074212A KR100905128B1 KR 100905128 B1 KR100905128 B1 KR 100905128B1 KR 1020080074212 A KR1020080074212 A KR 1020080074212A KR 20080074212 A KR20080074212 A KR 20080074212A KR 100905128 B1 KR100905128 B1 KR 100905128B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- self
- plasma chamber
- closing
- chamber
- opening
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 38
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 31
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 31
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 28
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 11
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 7
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000011954 pollution control method Methods 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 공정 챔버와 별도로 마련된 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 클리닝 장치에 관한 것으로 상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우로 향하는 직선 경로에서 벗어나도록 전자기장을 발생시키는 전자기장 발생부; 및 상기 셀프 플라즈마 챔버로부터의 광신호가 윈도우에 도달할 수 있도록 중앙에 관통공을 포함하며, 상기 발생된 전자기장에 의해 직선 경로에서 벗어난 오염 유발 물질이 상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우까지 도달하는 것을 차단하기 위한 적어도 하나의 차단벽;을 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치에 의해 플라즈마 공정 챔버를 통해 유입되는 오염 유발 물질들이 셀프 플라즈마 챔버를 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
플라즈마, 챔버, 오염방지, 클리닝
Description
본 발명은 플라즈마 오염 방지에 관한 것으로 보다 상세하게는 플라즈마 공정 챔버와 별도로 마련된 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 또는 액정 기판 등을 포함한 각종 표시장치의 기판은, 기판 상에 박막을 형성하고 부분적으로 그 박막을 식각하는 등의 기판처리공정을 반복 수행함으로서 제조된다. 박막을 형성하는 공정은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방법 또는 플라즈마-강화 화학기상증착(Plasma Enhancement CVD, PECVD) 방법을 이용하여 수행되고 있다. 이외에도 반도체 공정에서 사용되는 증착 기술로는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 등이 있다.
이러한 증착 공정에서 사용되는 플라즈마 장치는 통상 반응공간을 형성하는 공정 챔버(proecss chamber), 공정 가스를 공급하기 위한 샤워 헤드, 기판이 안착되는 하부전극, 샤워 헤드에 전원을 공급하기 위한 전원장치, 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 진공펌프와 배기관 등을 포함한다.
이러한 반도체 공정에서 수율(yield)을 향상시키기 위해서는 공정 중에 발생하는 사고를 미리 방지하고 장비의 오동작 등을 사전에 방지하기 위해 공정의 상태를 실시간으로 모니터링하여 이상 상태 발생시 공정(process)을 중단시키는 등의 조치를 취하여 불량률을 낮춤으로써 공정을 최적화하는 것이 필요하다.
종래에는 공정 챔버와 별도로 공정 챔버의 배기관에 연결되는 셀프 플라즈마 챔버를 마련하고, 이에 센서부를 설치하여 플라즈마 공정의 상태를 모니터링하였다. 이 경우 공정 챔버의 배기관에서 배출되는 탄소(C, Carbon)와 같은 비금속성 공정물질과 텅스텐(W, Tungsten)과 같은 금속성의 공정물질들이 셀프 플라즈마 챔버의 내벽과 윈도우에 달라붙어 오염을 유발할 수 있다. 또한 이러한 오염 유발 물질은 셀프 플라즈마 챔버의 유전율을 변화시켜 플라즈마 방전이나 챔버의 특성에 영향을 준다.
이러한 내부 오염에 의해 셀프 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전이 영향을 받고, 셀프 플라즈마 챔버 윈도우의 투과율이 저하되기 때문에 셀프 플라즈마 챔버를 이용한 신호 측정이 어려웠다. 이에 따라 정확한 오염도 측정값을 얻는 것이 불가능하고 실제로는 정상 상태인 때에도 이상 상태인 것으로 잘못 판단하는 경우도 발생한다. 또한 셀프 플라즈마 챔버가 급속도로 오염되므로 수명이 단축된다는 문제가 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 셀프 플라즈마 챔버 내벽 및 윈도우에 오염 유발 물질이 침착되는 것을 차단하는 오염 방지 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 셀프 플라즈마 챔버 내로 오염 유발 물질의 유입을 차단하는 오염 방지 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
뿐만 아니라, 셀프 플라즈마 챔버 방전시에 내부의 오염 유발 물질을 클리닝하는 오염 방지 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 기술적 과제는 본 발명에 따른 상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발물질이 윈도우로 향하는 직선 경로에서 벗어나도록 전자기장을 발생시키는 전자기장 발생부; 및 상기 셀프 플라즈마 챔버로부터의 광신호가 윈도우에 도달할 수 있도록 중앙에 관통공을 포함하며, 상기 발생된 전자기장에 의해 직선 경로에서 벗어난 오염 유발 물질이 상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우까지 도달하는 것을 차단하기 위한 적어도 하나의 차단벽;을 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치에 의해 달성된다.
셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치는 상기 공정 챔버의 배기관과 연결된 상기 셀프 플라즈마 챔버의 인입관을 개폐하는 인입관 개폐부; 및 상기 배기관으로의 오염 유발 물질 배출 여부에 따라 상기 인입관 개폐부의 동작을 제어하는 인입 관 개폐 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치는 상기 셀프 플라즈마 챔버 내부의 오염 유발 물질과 반응을 일으키기 위한 클리닝 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 가스 공급부로부터 상기 셀프 플라즈마 챔버로 공급되는 클리닝 가스의 공급 라인을 개폐하는 라인 개폐부; 및 상기 라인 개폐부의 동작을 제어하는 라인 개폐 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 기술적 과제는 상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 윈도우로 향하는 직선 경로에서 벗어나도록 전자기장을 발생시키는 단계; 및 상기 발생된 전자기장에 의해 직선 경로에서 벗어난 오염 유발 물질이 상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우까지 도달하는 것을 차단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법에 의해서도 달성된다.
상기 방법은 공정 챔버로부터 상기 배기관으로 오염 유발 물질의 배출 여부를 판단하는 단계; 및 상기 오염 유발 물질이 배출되면, 상기 공정 챔버의 배기관과 연결된 상기 셀프 플라즈마 챔버의 인입관을 폐쇄하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 셀프 플라즈마 챔버의 오염 여부를 판단하는 단계; 상기 판단결과 오염이 감지되면, 상기 셀프 플라즈마 챔버 내부의 오염 유발 물질과 반응을 일으키기 위한 클리닝 가스를 공급하는 단계; 상기 셀프 플라즈마 챔버 내부의 클리닝 정도를 모니터링하는 단계; 및 상기 모니터링 결과 클리닝이 완료되면 상기 클리닝 가스 공급을 중단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 셀프 플라즈마 챔버 내로 유입된 오염 유발 물질들이 셀프 플라즈마 챔버의 내벽 혹은 윈도우에 침착되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 셀프 플라즈마 챔버 윈도우에 증착되는 것을 막기 위한 차단벽을 더 포함함으로써, 윈도우의 오염을 최소화할 수 있다. 차단벽을 설치하지 않고 전자기장 발생부만 있는 경우에는, 1주일 정도 만에 셀프 플라즈마 챔버가 오염되어 측정 및 분석이 불가능하였다. 반면 전자기장 발생부와 함께 차단벽을 설치하여 윈도우에 침착되는 오염 유발 물질을 최소화한 경우에는 6개월 정도의 장기 테스트 후에도 정확한 측정 및 분석이 가능하였다.
또한, 전자기장 발생부와 함께 차단벽을 설치한 경우와 차단벽을 설치하지 않은 경우를 비교해보면, 셀프 플라즈마 챔버 내의 오염 속도는 약 10배 이상 차이가 난다. 뿐만 아니라 윈도우와 연결되어 광신호를 수광하는 광화이버의 광 수신율도 약 55% : 5% 정도로 큰 차이가 있다. 결국 차단벽을 통해 윈도우에 증착되는 오염 유발 물질을 최소화함으로써 셀프 플라즈마 챔버의 수명을 수십배 이상 증가시켜줄 수 있다는 효과가 도출된다.
뿐만 아니라, 공정 챔버의 배기관으로 배출되는 오염 유발 물질들이 셀프 플라즈마 챔버 내로 유입되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라 셀프 플라즈마 챔버 내부의 오염에 의해 셀프 플라즈마 챔버의 수명이 단축되는 것을 막을 수 있다. 또한, 공정의 이상 여부를 장기간으로 정확하게 판단할 수 있어 공정을 최적화하기 위한 데이터의 신뢰도, 정확도를 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 셀프 플라즈마 챔버 방전시에 내부를 직접적으로 클리닝하여 오염을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라 클리닝 가스를 제공하여 내부의 오염 유발 물질과 반응함에 있어, 반응을 촉진시킬 수 있는 촉진 가스를 더 공급함으로써 셀프 플라즈마 챔버 내부의 클리닝을 더 신속하게 수행할 수 있는 효과가 있다.
전술한, 그리고 추가적인 본 발명의 양상들은 첨부된 도면들을 참조하여 설명되는 바람직한 실시예들을 통해 더욱 명확해질 것이다. 이하에서는 본 발명을 이러한 실시예들을 통해 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치의 구성을 도시한 블록도이다.
먼저, 공정 챔버(10)는 기판 처리가 이루어지는 반응 공간을 형성한다. 반응 공간을 진공으로 유지함과 동시에 일정한 압력과 온도로 유지시켜 주는 기능을 수행한다. 공정 챔버(10)의 일측에는 배기관(15)과 이에 연결된 진공 펌프(12)가 연결된다.
셀프 플라즈마 챔버(40)는 배기관(15) 일 측에 인입관(25)을 통해 연결된다. 셀프 플라즈마 챔버(40)는 배기관(15)을 경유하는 가스 성분을 인입하여 플라즈마 상태로 만드는 공간을 형성한다. 인입관(25)의 위치와 길이 및 직경은 플라즈마 공정에 영향을 주지 않을 정도에서 최적의 조건을 실험을 통해서 결정한다. 이렇게 정해진 인입관의 설치 조건에 따라 인입관을 설치하여 배기관(15)의 가스 성분 과 인입관(25)을 통해 인입되는 가스 성분이 실질적으로 동일하게 되도록 한다. 일 실시예에 있어서, 셀프 플라즈마 챔버(40)는 세라믹등의 내부식성 소재로 구현될 수 있다.
분광기(50)는 셀프 플라즈마 챔버(40)에서 나오는 빛을 광화이버나 광도파로 등의 광로를 통해 입력받아 시간과 파장에 따른 분광 분포를 측정한다. 즉, 분광기는 플라즈마 구성성분에 의한 분광 분포를 측정하는 것으로 빛의 파장에 따른 분포도를 측정한다. 다시 말해 분광기를 사용하여 플라즈마에서 방출되는 빛의 파장별 분포값을 측정함으로써 챔버 내부의 물리적, 화학적 상태를 실시간 모니터링 하는 것이 가능하다.
셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치(100)는 자성체(110)를 포함하는 전자기장 발생부(120)와 차단벽(130)을 포함한다.
전자기장 발생부(120)는 도 1 에 도시된 바와 같이 셀프 플라즈마 챔버(40)와 일체로 형성되며, 자성체(110)를 포함하여 자기장을 발생시킨다.
자성체(110)는 영구자석 혹은 전자석으로 구현될 수 있다. 자성체(110)는 자성을 갖는 물질을 모두 포괄하도록 해석된다. 자성체(110)에 의해 전자기장 발생부(120)에는 자기장이 형성된다. 이때 오염 유발 물질은 자기장이 형성된 전자기장 발생부(120)에서 로렌츠의 힘을 받으며 방향은 플레밍의 왼손 법칙을 따른다. 따라서 오염 유발 물질은 윈도우로 향하는 직선 경로에서 이탈하게 된다.
또한, 전자기장 발생부(120)는 서로 대응되는 위치에 다른 전위차를 갖는 전극을 포함하거나, 코일 등을 포함하여 전기장을 형성하도록 구현될 수도 있다. 본 발명에 따른 전자기장 발생부(120)는 전기장 및 자기장 중 하나를 형성하거나, 둘 다 형성되는 구성을 모두 포괄하도록 해석된다.
차단벽(130)은 전자기장 발생부(120)의 전자기장에 의해 직선 경로에서 이탈한 오염 유발 물질들이 셀프 플라즈마 챔버(40)의 윈도우로 진입하는 것을 차단한다. 본 실시예에 있어서, 차단벽(130)은 광신호가 윈도우(45)를 통해 분광기(50)로 전달될 수 있도록 관통공(140)을 포함하는 형태로 구현된다. 본 실시예에 있어서, 도 1 에 도시된 바와 같이 적어도 하나 이상의 차단벽들이 겹겹이 형성되면 오염 유발 물질의 차단율을 더 높일 수 있다. 이에 따라 셀프 플라즈마 챔버(40)의 윈도우(45)가 오염 유발 물질에 의해 오염되는 것을 막을 수 있다.
사실, 셀프 플라즈마 챔버의 내벽이 오염 유발 물질에 의해 식각되거나 오염된 경우보다 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우에 침착된 오염 유발 물질이 측정 오차에 더 큰 영향을 미친다. 따라서, 차단벽을 설치함으로써 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우 오염으로 인한 측정 및 분석 성능 저하를 막을 수 있다. 뿐만 아니라 셀프 플라즈마 챔버의 수명을 수 십배 이상 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
전술한 전자기장 발생부(120) 및 차단벽(130)은 도 1에 도시된 바와 같이 셀프 플라즈마 챔버(40)와 윈도우(45) 사이에 구비되어 윈도우(45)에 오염 유발 물질이 도달하는 것을 차단하도록 구현될 수 있다.
오염 방지 장치(100)는 금속 재질로 구현될 수 있으나 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니고, 세라믹 등의 내부식성 소재를 이용하여 구현될 수도 있다. 또한 오염 방지 장치(100)는 셀프 플라즈마 챔버(40)와 용접 방식에 의해 일체로 형성될 수 있다. 특히 기존의 오링(oring)을 사용하는 방식은, 오링의 부식에 의한 가스 누출의 위험성이 있으나, 용접 방식은 가스 누출의 위험이 없다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 오염 방지 장치의 적용 예시도이다.
오염 방지 장치(100)는 도 2에 도시된 바와 같이 셀프 플라즈마 챔버(40)의 진입부에 구비되어 셀프 플라즈마 챔버(40)로 진입하는 오염 유발 물질을 차단하도록 구현될 수 있다. 또한, 도 3에 도시된 바와같이 셀프 플라즈마 챔버(40)의 진입부와, 셀프 플라즈마 챔버(40)와 윈도우(45) 사이에 모두 자성체(110a, 110b)를 포함하는 전자기장 발생부(120a, 120b) 및 차단벽(130a,130b)이 구비되도록 구현되는 것도 가능하다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치의 예시도이다.
도 4에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 오염 방지 장치는 셀프 플라즈마 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키기 위하여, 상기 셀프 플라즈마 챔버(40) 양 단에 서로 다른 전위차를 갖는 전극(400a, 400b)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서 RF 매칭부(410a, 410b) 및 전원 공급부(420, 425)를 더 포함하여, 셀프 플라즈마 챔버 양단의 전극들(400a, 400b)의 전압차를 이용하여 플라즈마 방전을 하도록 구현된다. 아울러 본 발명에서는 두 개의 전극을 이용하여 플라즈마 방전을 발생시키는 예를 도시하였으나, 세 개 이상의 전극을 이용할 수도 있으며, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
셀프 플라즈마 챔버(40)에서 플라즈마를 발생시키는 방법은 기존에 많이 사용하는 방식인 코일을 이용한 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP) 방식과, 도 4에 도시된 바와 같이 서로 다른 전위차를 갖는 전극을 이용한 축전 결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma, CCP) 방식 등이 있다.
ICP 방식은 구조적으로 전력을 인가할 수 있도록 설계된 코일을 포함하고 있다. 이 코일에 흐르는 전류로 인해 주변에 형성된 유도 전기장에 의해서 플라즈마가 발생되고 유지된다.
한편, CCP 방식은 구조적으로 전력을 인가할 수 있도록 설계된 전극을 포함한다. 이 전극 표면에 분포되는 전하로 인해 형성된 축전 전기장에 의해 플라즈마가 발생되고 유지된다. 즉, CCP 방식에 의하면 셀프 플라즈마 챔버(40)에 코일을 설치하지 않더라도 셀프 플라즈마 챔버(40) 내부에서 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 오염 방지 장치는 인입관 개폐부(20) 및 인입관 개폐 제어부(30)를 더 포함한다.
인입관 개폐부(20)는 인입관(25)에 설치되어 인입관 개폐 제어부(30)로부터 입력되는 제어 신호에 따라 인입관을 개폐하는 자동 개폐 벨브의 기능을 수행한다. 이에 따라 오염 유발 물질이 셀프 플라즈마 챔버로 유입되는 것을 사전에 차단할 수 있다.
인입관 개폐 제어부(30)는 공정 챔버(10)의 배기관(15)에서 오염 유발 물질 의 배출 여부에 따라 인입관 개폐부(20)로 공압, 유압, 전동, 전기 등과 같은 여러 가지 다양한 형태의 제어 신호를 출력한다. 본 실시예에 있어서, 인입관 개폐 제어부(30)는 기 저장된 정보에 기초하여 배기관(15)으로의 오염 유발 물질 배출 여부를 판단할 수 있다. 기 저장된 정보는 공정 챔버 사용 업체로부터 제공되는 정보이다. 아울러, 본 발명에서는 기 저장된 정보를 이용하여 오염 유발 물질의 배출 여부를 판단하는 예를 도시하였으나, 실시간으로 모니터링하여 얻은 정보에 의하여 오염 유발 물질의 배출 여부를 판단할 수도 있으며, 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치는 가스 공급부(540), 라인 개폐부(55) 및 라인 개폐 제어부(550)를 포함한다.
가스 공급부(540)는 셀프 플라즈마 챔버(40) 내부의 오염 유발 물질을 제거하기 위한 클리닝 가스를 공급한다. 본 실시예에 있어서 클리닝 가스는 셀프 플라즈마 챔버(40) 내의 탄소나 텅스텐과 같은 오염 유발 물질과 반응을 일으키는 것으로 NF3, ClF4, F6, O2, He 등으로 구현될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
라인 개폐부(55)는 제 1 라인 개폐부(500)와 미세 조절부(510)를 포함한다. 제 1 라인 개폐부(500)는 가스 공급부(540)로부터 공급되는 클리닝 가스가 셀프 플라즈마 챔버(40)로 공급되는 공급 라인을 개방하거나 폐쇄한다.
미세 조절부(510)는 클리닝 가스 공급 라인을 통해 셀프 플라즈마 챔버(40) 로 공급되는 가스 공급량을 미세 조절한다. 본 실시예에 있어서 미세 조절부(510)는 니들 밸브, 가스 유량 제어 장치(MFC : Mass Flow Control), 마이크로 밸브, 오리피스(Orifice) 등으로 구현될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고, 자명한 변형예들을 포괄하도록 해석된다.
라인 개폐 제어부(550)는 제 1 라인 개폐부(500)의 라인 개폐 동작을 제어한다. 본 실시예에 있어서 라인 개폐 제어부(550)는 셀프 플라즈마 챔버(40)로부터의 광신호를 파장 영역별로 분리하여 방출 강도를 측정하는 분광기(50)에서의 측정 결과에 기초하여 셀프 플라즈마 챔버(40)에 오염 유발 물질이 존재하는지 여부를 파악할 수 있다.
본 발명의 양상에 따라 미세 조절부(510)의 제 1 라인 개폐부(500)와 연결된 다른 단에 제 2 라인 개폐부(520)를 더 포함한다. 이때 라인 개폐 제어부(550)는 제 1 라인 개폐부를 제어하는 것과 같이 제 2 라인 개폐부(520)의 개폐 동작을 더 제어한다. 이 같이 미세 조절부(510)의 양단에 제 1 라인 개폐부(500)와 제 2 라인 개폐부(520)를 구비함으로써, 가스 라인 내에 잔류 가스량을 최소화할 수 있고, 셀프 플라즈마 챔버(40)에 공급되는 가스량을 정확하게 조절할 수 있다.
또한, 라인 개폐 제어부(550)는 조작부를 통해 입력되는 조작 신호에 따라 제1 라인 개폐부(500) 및 제 2 라인 개폐부(520)의 개폐 동작을 제어할 수 있다. 이에 따라 직접 제 1 라인 개폐부(500)와 제 2 라인 개폐부(520)의 개폐 동작을 제어하는 것이 가능하여, 수동 설정에 의해서도 가스 공급 라인의 개폐 여부를 설정하는 것이 가능하다.
본 발명의 특징적인 양상에 따라 가스 공급부(540)는 셀프 플라즈마 챔버(40) 내에서 클리닝 가스와 오염 유발 물질 간의 반응을 촉진시키기 위한 촉진 가스를 더 공급한다. 이때 촉진 가스는 클리닝 가스가 공급되는 가스 라인 일부로 유입되어 셀프 플라즈마 챔버(40)로 공급된다. 촉진 가스는 Ar, N 등 일 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다. 촉진 가스에 의해 셀프 플라즈마 챔버 내에서 오염 유발 물질과 클리닝 가스의 반응이 촉진됨으로써, 클리닝 효과를 더 높일 수 있다.
또한, 촉진 가스를 가스 공급부(540)로부터 클리닝 가스 라인으로 유입하기 위한 촉진 가스 공급 라인을 개폐하는 제 3 라인 개폐부(530)를 더 포함한다.
즉, 클리닝 가스 라인으로 유입되는 촉진 가스를 독립적으로 공급하거나, 차단하도록 제어하는 것이 가능하다. 이때 촉진 가스는 미세 조절부(510)에 의해 셀프 플라즈마 챔버(40)로 공급되는 양의 미세 조절이 가능하다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법의 흐름도이다.
먼저, 개폐 제어부는 배기관으로 오염 유발 물질이 배출되는지 여부를 판단한다(S900). 전술한 바와 같이 기 저장된 공정 챔버 사용 업체로부터 제공된 정보또는 실시간으로 모니터링하는 정보 등에 기초하여 오염 유발 물질 배출 여부를 판단할 수 있다. 이때 배기관으로 오염 유발 물질이 배출되었다고 판단된 경우, 인입관 개폐부를 폐쇄한다(S910). 이에 따라 셀프 플라즈마 챔버로 오염 유발 물질이 유입되는 것을 막을 수 있다. 그리고 배기관으로 오염 유발 물질이 배출되지 않는 경우에는 인입관 개폐부를 개방한다(S915).
셀프 플라즈마 챔버는 배기관을 경유하는 가스 성분을 인입하여 플라즈마 상태로 만드는 공간을 형성할 수 있다. 전자기장 발생부는 자성체를 구비하여, 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 직선 경로에서 벗어나도록 전자기장을 발생시킨다(S920). 그리고 발생된 전자기장에 의해 빛의 직선 경로에서 벗어난 오염 유발 물질이 상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우까지 도달하는 것을 차단한다(S930). 이때, 광신호가 차단벽의 관통공을 통과하여 윈도우까지 도달할 수 있도록 구현됨이 바람직하다.
그리고, 분광기에서의 측정 결과에 기초하여 셀프 플라즈마 챔버의 오염 여부를 판단한다(S940). 이 후에 셀프 플라즈마 챔버 내부에 오염 유발 물질이 유입되었다고 판단될 경우에는, 클리닝 가스를 셀프 플라즈마 챔버내로 공급하기 위해 제 1 라인 개폐부 및 제 2 라인 개폐부를 개방한다(S950). 그리고, 촉진 가스를 공급하기 위해 제 3 라인 개폐부를 더 개방한다(S960). 이때 미세 조절부를 통해 셀프 플라즈마 챔버로 공급되는 클리닝 가스 및 촉진 가스의 양을 미세 조절할 수 있다(S970).
지속적으로 분광기에서의 측정 결과를 모니터링하여 클리닝에 의해 셀프 플라즈마 챔버 내부의 오염 유발 물질이 모두 제거되었는지 여부를 판단한다(S980). 그리고 오염 유발 물질이 모두 제거되었다고 판단되는 경우에는 제 1 라인 개폐부, 제 2 라인 개폐부 및 제 3 라인 개폐부를 모두 폐쇄한다(S990).
이제까지 본 발명에 대해 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발 명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치의 구성을 도시한 블록도,
도 2 및 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치의 적용 예시도,
도 4 내지 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치의 예시도,
도 7은 일 실시예에 따른 셀프 플라즈마 챔버 내부의 오염 방지 원리 설명을 위한 예시도이다.
Claims (20)
- 공정 챔버의 배기관과 연결되고, 상기 공정 챔버 내의 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 공간을 형성하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치에 있어서,상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우로 향하는 직선 경로에서 벗어나도록 전자기장을 발생시키는 전자기장 발생부; 및상기 셀프 플라즈마 챔버로부터의 광신호가 직선 경로를 통해 상기 윈도우에 도달할 수 있도록 중앙에 관통공이 형성된, 상기 발생된 전자기장에 의해 상기 직선 경로에서 벗어난 오염 유발 물질이 상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우까지 도달하는 것을 차단하기 위한 적어도 하나 이상의 차단벽;을 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치는 금속 또는 세라믹 등의 내부식성 소재 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합으로 구현되는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치는 용접 방식에 의해 상기 셀프 플라즈마 챔버와 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전자기장 발생부는 자성을 갖는 자성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 셀프 플라즈마 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키기 위해, 상기 셀프 플라즈마 챔버에 구비되는 서로 다른 전위차를 가지는 두 개 이상의 전극들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정 챔버의 배기관과 연결된 상기 셀프 플라즈마 챔버의 인입관을 개폐하는 인입관 개폐부; 및상기 배기관으로의 오염 유발 물질 배출 여부에 따라 상기 인입관 개폐부의 동작을 제어하는 인입관 개폐 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 인입관 개폐 제어부는 공정 챔버의 공정 정보에 기초하여 오염 유발 물질의 배출 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 6항에 있어서,상기 인입관 개폐 제어부는 외부로부터 입력되는 조작 신호에 따라 상기 인입관 개폐부의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 셀프 플라즈마 챔버 내부의 오염 유발 물질과 반응을 일으키기 위한 클리닝 가스를 공급하는 가스 공급부;상기 가스 공급부로부터 상기 셀프 플라즈마 챔버로 공급되는 클리닝 가스의 공급 라인을 개폐하는 라인 개폐부; 및상기 라인 개폐부의 동작을 제어하는 라인 개폐 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 9 항에 있어서, 상기 라인 개폐부는,상기 클리닝 가스 라인을 통해 상기 셀프 플라즈마 챔버로 공급되는 클리닝 가스의 양을 미세 조절하는 미세 조절부; 및상기 미세 조절부 일단에 연결되어, 상기 클리닝 가스 라인을 개폐하는 제 1 라인 개폐부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 라인 개폐부는 상기 미세 조절부의 그 타 단에 연결되어 상기 클리닝 가스 라인을 개폐하는 제 2 라인 개폐부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 라인 개폐 제어부는 상기 셀프 플라즈마 챔버로부터의 광신호를 파장 영역별로 분리하여 방출 강도를 측정하는 분광기에서의 측정 결과에 기초하여, 상기 클리닝 가스 공급 라인의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 라인 개폐 제어부는 외부로부터 입력되는 조작 신호에 따라 상기 라인 개폐부의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 가스 공급부는 상기 셀프 플라즈마 챔버 내에서 상기 클리닝 가스와 오염 유발 물질 간의 반응을 촉진시키는 촉진 가스를 더 공급하고,상기 촉진 가스를 상기 클리닝 가스 라인으로 유입하기 위한 촉진 가스 공급 라인을 개폐하는 제 3 라인 개폐부;를 더 포함하고,상기 라인 개폐 제어부는 상기 제 3 라인 개폐부의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치.
- 공정 챔버를 진공으로 유지하기 위한 배기관과 연결되어 상기 공정 챔버 내의 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 공간을 형성하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법에 있어서,상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우로 향하는 직선경로에서 벗어나도록 전자기장을 발생시키는 단계; 및상기 발생된 전자기장에 의해 상기 직선경로에서 벗어난 오염 유발 물질이 상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우까지 도달하는 것을 차단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법.
- 제 15항에 있어서,상기 공정 챔버로부터 상기 배기관으로의 오염 유발 물질의 배출 여부를 판단하는 단계; 및상기 오염 유발 물질이 배출되면, 상기 공정 챔버의 배기관과 연결된 상기 셀프 플라즈마 챔버의 인입관을 폐쇄하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법.
- 제 16항에 있어서,상기 판단하는 단계는 공정 챔버의 공정 정보에 기초하여 오염 유발 물질의 배출 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법.
- 제 15항에 있어서,상기 셀프 플라즈마 챔버의 오염 여부를 판단하는 단계;상기 판단결과 오염이 감지되면, 상기 셀프 플라즈마 챔버 내부의 오염 유발 물질과 반응을 일으키기 위한 클리닝 가스를 공급하는 단계;상기 셀프 플라즈마 챔버 내부의 클리닝 정도를 모니터링하는 단계; 및상기 모니터링 결과 클리닝이 완료되면 상기 클리닝 가스의 공급을 중단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법.
- 제 18항에 있어서,상기 모니터링 단계는 상기 셀프 플라즈마 챔버로부터의 광신호를 파장 영역별로 분리하여 방출 강도를 측정하는 분광기 측정 결과에 기초하여, 상기 클리닝 정도를 모니터링하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법.
- 제 18항에 있어서,상기 셀프 플라즈마 챔버 내에서 상기 클리닝 가스와 오염 유발 물질 간의 반응을 촉진시키는 촉진 가스를 공급하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080074212A KR100905128B1 (ko) | 2008-07-29 | 2008-07-29 | 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080074212A KR100905128B1 (ko) | 2008-07-29 | 2008-07-29 | 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100905128B1 true KR100905128B1 (ko) | 2009-06-30 |
Family
ID=40983262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080074212A KR100905128B1 (ko) | 2008-07-29 | 2008-07-29 | 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100905128B1 (ko) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101062663B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2011-09-06 | 한국표준과학연구원 | 유전체 창문 오염 방지 장치, 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치, 및 입자 측정 장치 |
| KR101275870B1 (ko) * | 2011-09-01 | 2013-06-18 | 최대규 | 배기가스 정화용 플라즈마발생부를 갖는 기판처리시스템 |
| KR101288047B1 (ko) | 2012-05-25 | 2013-07-23 | 주식회사 나노텍 | 멀티 프리퀀시를 이용한 가스 분석장치 |
| KR101288055B1 (ko) | 2012-05-25 | 2013-07-23 | 주식회사 나노텍 | 셀프 플라즈마 챔버를 포함하는 공정진행 모니터링 장치 |
| KR101486716B1 (ko) | 2013-05-20 | 2015-01-28 | 주식회사 나노텍 | 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치 |
| KR101575022B1 (ko) * | 2014-08-14 | 2015-12-11 | 주식회사 지앤비에스엔지니어링 | 플라즈마 분석장치 |
| KR101931324B1 (ko) * | 2017-09-14 | 2018-12-20 | (주)나노텍 | 셀프 플라즈마 챔버의 오염 억제 장치 |
| KR102001777B1 (ko) | 2018-04-13 | 2019-07-18 | 강수호 | 모니터링 플라즈마 셀을 이용한 공정 모니터링 장치 및 이를 이용한 공정 모니터링 방법 |
| KR20190092093A (ko) * | 2018-01-30 | 2019-08-07 | 한국기계연구원 | 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기 |
| CN114381718A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-04-22 | 成都纽曼和瑞微波技术有限公司 | 一种微波等离子体化学气相沉积设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07300674A (ja) * | 1994-04-30 | 1995-11-14 | Canon Inc | 薄膜形成装置 |
| KR20010058397A (ko) * | 1999-12-27 | 2001-07-05 | 박종섭 | 배기관 이물축적 방지장치 |
| KR20040080020A (ko) * | 2003-03-10 | 2004-09-18 | 삼성전자주식회사 | 종말점 검출창의 오염방지수단이 구비된 반도체 제조장치 |
| KR20060064738A (ko) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 식각 설비 및 그 설비에서의 잔류전하 제거방법 |
-
2008
- 2008-07-29 KR KR1020080074212A patent/KR100905128B1/ko active IP Right Review Request
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07300674A (ja) * | 1994-04-30 | 1995-11-14 | Canon Inc | 薄膜形成装置 |
| KR20010058397A (ko) * | 1999-12-27 | 2001-07-05 | 박종섭 | 배기관 이물축적 방지장치 |
| KR20040080020A (ko) * | 2003-03-10 | 2004-09-18 | 삼성전자주식회사 | 종말점 검출창의 오염방지수단이 구비된 반도체 제조장치 |
| KR20060064738A (ko) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 식각 설비 및 그 설비에서의 잔류전하 제거방법 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101062663B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2011-09-06 | 한국표준과학연구원 | 유전체 창문 오염 방지 장치, 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치, 및 입자 측정 장치 |
| KR101275870B1 (ko) * | 2011-09-01 | 2013-06-18 | 최대규 | 배기가스 정화용 플라즈마발생부를 갖는 기판처리시스템 |
| KR101288047B1 (ko) | 2012-05-25 | 2013-07-23 | 주식회사 나노텍 | 멀티 프리퀀시를 이용한 가스 분석장치 |
| KR101288055B1 (ko) | 2012-05-25 | 2013-07-23 | 주식회사 나노텍 | 셀프 플라즈마 챔버를 포함하는 공정진행 모니터링 장치 |
| KR101486716B1 (ko) | 2013-05-20 | 2015-01-28 | 주식회사 나노텍 | 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치 |
| KR101575022B1 (ko) * | 2014-08-14 | 2015-12-11 | 주식회사 지앤비에스엔지니어링 | 플라즈마 분석장치 |
| KR101931324B1 (ko) * | 2017-09-14 | 2018-12-20 | (주)나노텍 | 셀프 플라즈마 챔버의 오염 억제 장치 |
| WO2019054635A1 (ko) * | 2017-09-14 | 2019-03-21 | 주식회사 나노텍 | 셀프 플라즈마 챔버의 오염 억제 장치 |
| CN111279452B (zh) * | 2017-09-14 | 2023-04-14 | 纳诺泰科有限公司 | 自等离子体腔体的污染抑制装置 |
| CN111279452A (zh) * | 2017-09-14 | 2020-06-12 | 纳诺泰科有限公司 | 自等离子体腔体的污染抑制装置 |
| US11990320B2 (en) | 2017-09-14 | 2024-05-21 | Nanotech Inc. | Apparatus for preventing contamination of self-plasma chamber |
| KR20190092093A (ko) * | 2018-01-30 | 2019-08-07 | 한국기계연구원 | 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기 |
| KR102046637B1 (ko) * | 2018-01-30 | 2019-11-19 | 한국기계연구원 | 공정 모니터링을 위한 플라즈마 반응기 |
| KR102001777B1 (ko) | 2018-04-13 | 2019-07-18 | 강수호 | 모니터링 플라즈마 셀을 이용한 공정 모니터링 장치 및 이를 이용한 공정 모니터링 방법 |
| CN114381718B (zh) * | 2022-01-20 | 2024-03-26 | 成都纽曼和瑞微波技术有限公司 | 一种微波等离子体化学气相沉积设备 |
| CN114381718A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-04-22 | 成都纽曼和瑞微波技术有限公司 | 一种微波等离子体化学气相沉积设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100905128B1 (ko) | 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법 | |
| US7591923B2 (en) | Apparatus and method for use of optical system with a plasma processing system | |
| KR200456733Y1 (ko) | 센서챔버의 가스배출장치 | |
| JP4343875B2 (ja) | エッチング量計測装置、エッチング装置及びエッチング量計測方法 | |
| KR20220058510A (ko) | 반도체 프로세스 모듈을 위한 에지 링 또는 프로세스 키트 | |
| JP4909929B2 (ja) | 分圧測定方法および分圧測定装置 | |
| US20090159211A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US20030046976A1 (en) | Gas analyzing method and gas analyzer for semiconductor treater | |
| US7738976B2 (en) | Monitoring method of processing state and processing unit | |
| KR101273922B1 (ko) | 능동형 오염방지장치를 갖는 셀프 플라즈마 발광분광기 및 이를 이용한 플라즈마 챔버의 오염 방지 방법 | |
| US5284547A (en) | Plasma-process system with batch scheme | |
| KR102025574B1 (ko) | 샘플 가스 공급 장치 및 방법 | |
| US20060228815A1 (en) | Inductively coupled plasma chamber attachable to a processing chamber for analysis of process gases | |
| US7993487B2 (en) | Plasma processing apparatus and method of measuring amount of radio-frequency current in plasma | |
| KR101931324B1 (ko) | 셀프 플라즈마 챔버의 오염 억제 장치 | |
| US20200196427A1 (en) | Plasma generator, light emission analysis device and mass spectrometer equipped with the plasma generator, and device status determination method | |
| KR102125646B1 (ko) | 플라즈마 oes 진단용 윈도우 및 이를 이용한 플라즈마 장치 | |
| US20200335313A1 (en) | Radical monitoring apparatus and plasma apparatus including the monitoring apparatus | |
| JPH0622217B2 (ja) | 表面処理装置及び表面処理方法 | |
| TW202207323A (zh) | 泵送線及處理室中沉積物清潔的終點偵測 | |
| US20040084146A1 (en) | Plasma treatment apparatus, upper electrode cover, and upper electrode cover window member | |
| JP3727620B2 (ja) | 計測用窓部を備えたプラズマ処理装置 | |
| KR100911474B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 가스분석장치의 처리실 | |
| KR20190116668A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102406094B1 (ko) | 기판 플라즈마 처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130618 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140618 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150515 Year of fee payment: 7 |
|
| J206 | Request for trial to confirm the scope of a patent right | ||
| J204 | Request for invalidation trial [patent] | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160718 Year of fee payment: 8 |
|
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2015100005458; TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20151202 Effective date: 20161118 Free format text: TRIAL NUMBER: 2015100004929; TRIAL DECISION FOR CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT_AFFIRMATIVE REQUESTED 20151016 Effective date: 20161118 |
|
| J2X1 | Appeal (before the patent court) |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2016200009318; INVALIDATION |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170525 Year of fee payment: 9 |
|
| J302 | Written judgement (patent court) |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2016200008797; JUDGMENT (PATENT COURT) FOR CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT_AFFIRMATIVE REQUESTED 20161128 Effective date: 20170428 |
|
| J303 | Written judgement (supreme court) |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2017300001168; JUDGMENT (SUPREME COURT) FOR INVALIDATION REQUESTED 20170530 Effective date: 20170921 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180726 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190520 Year of fee payment: 11 |
|
| J303 | Written judgement (supreme court) |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2017300001175; JUDGMENT (SUPREME COURT) FOR CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT_AFFIRMATIVE REQUESTED 20170530 Effective date: 20210114 |
|
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2021130000008; TRIAL DECISION FOR CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT_AFFIRMATIVE REQUESTED 20210115 Effective date: 20210219 |