KR101062663B1 - 유전체 창문 오염 방지 장치, 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치, 및 입자 측정 장치 - Google Patents

유전체 창문 오염 방지 장치, 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치, 및 입자 측정 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유전체 창문 오염 방지 장치, 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치, 및 입자 측정 장치를 제공한다. 이 유전체 창문 오염 방지 장치는 진공 용기에 부착된 플랜지와 결합하는 유전체 창문, 및 유전체 창문의 주위 또는 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문에 제공하는 노즐부를 포함한다.
나선형 노즐, 오염 방지 가스, 광 방출 스펙트럼, 플라즈마, 미세 입자.

Description

유전체 창문 오염 방지 장치, 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치, 및 입자 측정 장치{DIELECTRIC WINDOW CONTAMINATION PROTECTION APPARATUS, SELF PLASMA OPTICAL EMISSION SPECTRUM APPARATUS, AND PARTICLE MEASUREMENT APPARATUS}
본 발명은 오염 방지 장치에 관한 것으로, 더 구체적으로 진공 용기의 유전체 창문 오염 방지 장치에 관한 것이다.
SPOES(Self Plasma Optical Emission Spectroscopy)는 공정 용기의 배기라인에 플라즈마를 형성하고 플라즈마에서 발생하는 광을 분석하여 리크 발생 여부, 가스 공급 가스 불량 여부 등을 측정할 수 있다. 상기 SPOES는 광학 스펙트럼을 측정하기 위하여 유전체 창문을 필요로 한다. 그러나, 상기 유전체 창문은 시간이 지남에 따라 오염되어 주기적으로 청소 또는 교체할 필요가 있다. 상기 유전체 창문의 오염을 방지하는 기술이 필요하다.
증착, 식각 및 평탄화 등과 같은 반도체 공정에서 발생하는 수십~수백nm 범위의 미세한 티끌 입자들은 반도체 공정이 수행되는 공정 용기 내부의 청정도를 떨어뜨릴 뿐만 아니라, 비슷한 크기의 선폭을 갖는 패턴 상에 달라붙어 패턴을 손상 시킬 수 있다. 이러한 공정 용기 내부의 청정도 저하 및 패턴 손상은 반도체 공정의 수율을 심각하게 저하할 수 있다. 이에 따라, 반도체 공정에 이용되는 플라즈마 공정에서 발생하는 입자들에 대한 감시(monitoring)가 필수적이다. 레이저 광 산란(Laser Light Scattering)법이나 흡광법 (Laser Absorption)은 플라즈마 내에 존재하는 미세 입자의 크기를 알아내기 위한 방법이다. 레이저 광 산란법은 레이저를 플라즈마 내로 조사하여 플라즈마 내에 존재하는 입자에 의해 산란된 산란광의 수직 편광 성분 및 수평 편광 성분 사이의 세기의 비를 특정 산란각에서 측정하고, 산란광의 수직 편광 성분과 및 수평 편광 성분 사이의 세기의 비를 통해 레이저를 산란시킨 입자의 크기를 알아내는 방법이다. 상기 레이저 광 산란법은 공정 용기 또는 배기라인에 배치된 유전체 창문으로 광을 입사시키고 산란되는 광을 측정한다. 또한 흡광법을 이용한 입자 측정방법은 레이저 산란법과는 달리 산란광을 제외한 레이저 투과광을 직적 받아들여 입자를 분석하는 기술이다. 그러나, 상기 두 기술에 사용되는 유전체 창문은 상기 반도체 공정이 진행됨에 오염되어 주기적으로 세정될 필요가 있다. 따라서, 상기 유전체 창문의 오염 방지 기술이 요구된다.
본 발명의 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 유전체 창문에 오염을 감소시킨 유전체 창문 오염 방지 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 유전체 창문에 오염을 감소시킨 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 유전체 창문에 오염을 감소시킨 입자 측정 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유전체 창문 오염 방지 장치는 진공 용기에 부착된 플랜지와 결합하는 유전체 창문, 및 상기 유전체 창문의 주위 또는 상기 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문에 제공하는 노즐부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 플랜지는 서로 마주보는 제1 플랜지 및 제2 플랜지를 포함하고, 상기 유전체 창문은 상기 제1 플랜지와 결합하는 제1 유전체 창문, 및 상기 제2 플랜지와 결합하는 제2 유전체 창문을 포함하고,상기 노즐부는 제1 노즐부 및 제2 노즐부를 포함할 수 있다. 상기 제1 노즐부는 상기 제1 유전체 창문의 주위 또는 상기 제1 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제1 유전체 창문에 제공하고, 상기 제2 노즐부는 상기 제2 유전체 창문의 주위 또는 상기 제2 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제2 유전체 창문에 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 진공 용기는 공정 용기 또는 배기 라인 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노즐부는 노즐 입구 및 노즐 출구를 포함하고, 상기 노즐부는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 상기 오명 방지 가스에 회오리를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노즐부는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 점진적으로 단면적이 감소하여 상기 오염 방지 가스를 가속할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노즐부는 중심에 제1 관통홀을 가지고 일면에 나선형의 그루브들을 포함하는 제1 지지판, 상기 제1 지지판 상에 배치된 상기 유전체 창문의 주위 및 외측 상부에 배치되는 제2 지지판, 및 상기 그루브들의 일단에 상기 제2 지지판을 관통하여 연결되는 가스 라인을 포함할 수 있다. 상기 그루브들의 타단은 상기 관통홀에 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노즐부는 중심에 제1 관통홀을 가지고 일면에 나선형의 그루브들을 포함하는 제1 지지판, 상기 제1 지지판 상에 배치된 상기 유전체 창문의 주위 및 외측 상부에 배치되는 제2 지지판, 및 상기 그루브들의 일단에 상기 제1 지지판의 측면을 관통하여 연결되는 가스 라인을 포함할 수 있다. 상기 그루브들의 타단은 상기 제1 관통홀에 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노즐부는 중심에 제1 관통홀을 가지고 일면에 나선형의 노즐 통로들을 포함하는 제1 지지판, 상기 제1 지지판 상에 배치된 상기 유전체 창문의 주위 및 외측 상부에 배치되는 제2 지지판, 및 상기 노즐 통로들의 일단에 상기 제1 지지판의 측면을 관통하여 연결되는 가스 라인을 포함하고, 상기 노즐 통로들의 타단은 상기 제1 관통홀에 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노즐부는 중심에 관통홀을 가지고 일면에 나선형의 그루브들을 포함하는 상기 진공 용기에 부착된 출력 플랜지, 상기 출력 플랜지 상에 배치된 상기 유전체 창문의 주위 및 외측 상부에 배치되는 덮개 판, 및 상기 그루브들의 일단에 상기 출력 플랜지의 측면을 관통하여 연결되는 가스 라인을 포함하고, 상기 그루브들의 타단은 상기 관통홀에 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치는 플라즈마 발생부, 배기 라인에 연결되고 공정 용기의 가스를 유입되어 상기 플라즈마 발생부에 의하여 플라즈마가 형성되는 진공 용기, 상기 진공 용기에 장착되고 상기 플라즈마에 의한 발생한 플라즈마 방출 광을 투과시키는 유전체 창문, 상기 유전체 창문의 주위에 배치되거나 상기 진공 용기에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문에 제공하는 노즐부, 상기 진공 용기의 외부에 배치되고 상기 플라즈마 방출 광을 입력받아 분광하여 감지하는 분광부, 및 상기 분광부의 출력 신호를 처리하여 상기 공정 용기의 이상을 모니터링는 처리부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치는 배기 라인에 연결된 보조 라인에 결합하는 입력 플랜지를 포함하고, 상기 입력 플랜지를 통하여 공정 용기의 가스를 유입되고, 출력 플랜지를 포함하는 진공 용기, 상기 진공 용기에 플라즈마를 형성하는 플라즈마 발생부, 상기 출력 플랜지와 결합하고 상기 플라즈마에 의한 발생한 플라즈마 방출 광을 투과시키는 유전체 창문, 및 상기 유전체 창문의 주위 또는 상기 출력 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문에 제공하는 노즐부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 입자 측정 장치는 서로 마주보는 제1, 및 제2 플랜지를 포함하는 진공 용기, 상기 제1 플랜지와 결합하는 제1 유전체 창문, 상기 제2 플랜지와 결합하는 제2 유전체 창문, 상기 제1 유전체 창문의 주위 또는 상기 제1 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제1 유전체 창문에 제공하는 제1 노즐부, 상기 제2 유전체 창문의 주위 또는 상기 제2 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제2 유전체 창문에 제공하는 제2 노즐부, 및 상기 제1 유전체 창문으로 제공되어 상기 진공 용기 내의 입자들에게 레이저광을 제공하는 레이저부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유전체 창문 오염 방지 장치는 노즐부를 포함한다. 상기 노즐부는 유전체 창문의 주위에 배치되어, 유전체 창문에 오염 방지 가스를 분사하여 상기 유전체 창문이 공정 가스 및 공정 부산물로부터 오염되는 것을 억제할 수 있다. 상기 노즐부는 나선형이고 노즐 출구로 갈수록 단면적을 감소시키어 상기 유전체 창문에 부착된 오염 물질을 탈착하게 할 수 있다. 상기 오염 방지 가스는 상기 유전체 창문 주위에 오래동안 머물면서 오염원의 접근을 제한할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설 명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 구성요소는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유전체 창문 오염 방지 장치를 설명하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 상기 유전체 창문 오염 방지 장치는 진공 용기(510)에 부착된 플랜지(515a,515b)와 결합하는 유전체 창문(528a,528b), 및 상기 유전체 창문(528a,528b)의 주위 또는 상기 플랜지(515a,515b)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문(528a,528b)에 제공하는 노즐부(520a,520b)를 포함한다.
상기 진공 용기(510)는 공정 용기(510)일 수 있다. 상기 진공 용기(510)는 진공 펌프(514)에 의하여 배기라인(512)을 통하여 배기될 수 있다.
상기 플랜지(515a,515b)는 서로 마주보는 제1 플랜지(515a) 및 제2 플랜지(515b)를 포함할 수 있다. 상기 유전체 창문(528a,528b)은 상기 제1 플랜지(515a)와 결합하는 제1 유전체 창문(528a), 및 상기 제2 플랜지(515b)와 결합하는 제2 유전체 창문(528b)을 포함할 수 있다.
상기 노즐부(520a,520b)는 제1 노즐부(520a) 및 제2 노즐부(520b)를 포함하할 수 있다. 상기 제1 노즐부(520a)는 상기 제1 유전체 창문(528a)의 주위 또는 상 기 제1 플랜지(515a)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제1 유전체 창문(528a)에 제공할 수 있다. 상기 제2 노즐부(528b)는 상기 제2 유전체 창문(528b)의 주위 또는 상기 제2 플랜지(515b)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제2 유전체 창문(528b)에 제공할 수 있다. 상기 노즐부(520a,520b)는 노즐 입구 및 노즐 출구를 포함하고, 상기 노즐부(520a,520b)는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 상기 오명 방지 가스에 회오리를 제공할 수 있다. 상기 노즐부(520a,520b)는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 점진적으로 단면적이 감소하여 상기 오염 방지 가스를 가속할 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 진공용기(510)는 상기 배기 라인(512)일 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따른 상기 플랜지는 같은 평면에 배치된 제1 플랜지(515a), 제2 플랜지(515b), 및 제3 플랜지(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 유전체 창문은 상기 제1 플랜지(515a)와 결합하는 제1 유전체 창문(528a), 상기 제2 플랜지(515b)와 결합하는 제2 유전체 창문(528b),및 상기 제3 플랜지와 결합하는 제3 유전체 창문(528c)을 포함할 수 있다. 상기 제3 노즐부(520c)는 상기 제3 유전체 창문(528c)의 주위 또는 상기 제3 플랜지(515c)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제3 유전체 창문(528c)에 제공할 수 있다.
이하에서 입자 측정 장치를 설명한다.
반도체 공정은 대부분이 플라즈마 환경에서 이루어진다. 증착, 식각 및 평탄화 등과 같은 반도체 공정에 이용되는 플라즈마 공정에서 발생하는 수십~수백nm 범 위의 미세한 티끌 입자들은 플라즈마 공정이 수행되는 공정 용기 내부의 청정도를 떨어뜨릴 뿐만 아니라, 비슷한 크기의 선폭을 갖는 패턴 상에 달라붙어 패턴을 손상시킬 수 있다. 이러한 공정 용기 내부의 청정도 저하 및 패턴 손상은 반도체 공정의 수율을 심각하게 저하할 수 있다. 이에 따라, 반도체 공정에 이용되는 플라즈마 공정에서 발생하는 입자들에 대한 감시(monitoring)가 필수적이다.
상기 입자 측정 장치는 미세 입자에 의한 레이저광의 산란광을 측정하는 방법과 미세 입자에 의한 레이저광의 투과광을 측정하는 방법이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 입자 측정 장치는 서로 마주보는 제1, 및 제2 플랜지(515a,515b)를 포함하는 진공 용기(510), 상기 제1 플랜지(515a)와 결합하는 제1 유전체 창문(528a), 상기 제2 플랜지(515b)와 결합하는 제2 유전체 창문(528b), 상기 제1 유전체 창문(528a)의 주위 또는 상기 제1 플랜지(515a)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제1 유전체 창문(528a)에 제공하는 제1 노즐부(520a), 상기 제2 유전체 창문(528b)의 주위 또는 상기 제2 플랜지(515b)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제2 유전체 창문(528b)에 제공하는 제2 노즐부(520b), 및 상기 제1 유전체 창문(528a)으로 제공되어 상기 진공 용기 내의 입자들에게 레이저광(541)을 제공하는 레이저부(540)를 포함할 수 있다.
상기 레이저부(540)는 상기 진공 용기(510) 내부의 미세 입자에 레이저광(541)을 조사할 수 있다. 상기 레이저광(541)은 반사경(530)을 통하여 상기 진공 용기(510)의 상기 제1 유전체 창문(528a)을 통하여 상기 미세 입자에 제공될 수 있다. 상기 레이저광(541)의 투과광은 상기 제2 유전체 창문(528b)을 통하여 광 감지부(550)에 제공될 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따른 입자 측정 장치는 같은 평면에 배치된 제1 플랜지(515a), 제2 플랜지(515b), 및 제3 플랜지(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 유전체 창문은 상기 제1 플랜지(515a)와 결합하는 제1 유전체 창문(528a), 상기 제2 플랜지(515b)와 결합하는 제2 유전체 창문(528b),및 상기 제3 플랜지와 결합하는 제3 유전체 창문(528c)을 포함할 수 있다. 상기 제3 유전체 창문(528c)을 통하여 상기 레이저광(541)의 산란광이 제공될 수 있다. 상기 산란광은 광 감지부(미도시)에 의하여 측정될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유전체 창문 오염 방지 장치를 설명하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 상기 유전체 창문 오염 방지 장치는 진공 용기(401)에 부착된 플랜지(415a,415b)와 결합하는 유전체 창문(428a,428b), 및 상기 유전체 창문(428a,428b)의 주위 또는 상기 플랜지(415a,415b)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문(428a,428b)에 제공하는 노즐부(420a,420b)를 포함한다.
상기 진공 용기(401)는 배기라인(412)일 수 있다. 상기 진공 용기(401)는 진공 펌프(414)에 의하여 배기될 수 있다.
상기 플랜지(415a,415b)는 서로 마주보는 제1 플랜지(415a) 및 제2 플랜지(415b)를 포함할 수 있다. 상기 유전체 창문(428a,428b)은 상기 제1 플랜지(415a)와 결합하는 제1 유전체 창문(428a), 및 상기 제2 플랜지(415b)와 결합하는 제2 유전체 창문(428b)을 포함할 수 있다.
상기 노즐부(420a,420b)는 제1 노즐부(420a) 및 제2 노즐부(420b)를 포함할 수 있다. 제1 노즐부(420a)는 상기 제1 유전체 창문(428a)의 주위 또는 상기 제1 플랜지(415a)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제1 유전체 창문(428a)에 제공할 수 있다. 상기 제2 노즐부(428b)는 상기 제2 유전체 창문(428b)의 주위 또는 상기 제2 플랜지(415b)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제2 유전체 창문(428b)에 제공할 수 있다. 상기 노즐부(420a,420b)는 노즐 입구 및 노즐 출구를 포함하고, 상기 노즐부(420a,420b)는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 상기 오명 방지 가스에 회오리를 제공할 수 있다. 상기 노즐부(420a,420b)는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 점진적으로 단면적이 감소하여 상기 오염 방지 가스를 가속할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 입자 측정 장치는 서로 마주보는 제1, 및 제2 플랜지(415a,415b)를 포함하는 진공 용기(401), 상기 제1 플랜지(415a)와 결합하는 제1 유전체 창문(428a), 상기 제2 플랜지(415b)와 결합하는 제2 유전체 창문(428b), 상기 제1 유전체 창문(428a)의 주위 또는 상기 제1 플랜지(415a)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제1 유전체 창문(428a)에 제공하는 제1 노즐부(420a), 상기 제2 유전체 창문(428b)의 주위 또는 상기 제2 플랜지(415b)에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제2 유전체 창문(428b)에 제공하는 제2 노즐부(420b), 및 상기 제1 유전체 창문(428a)으로 제공되어 상기 진공 용기 내의 입자들에게 레이저광(441)을 제공하는 레이저부(440)를 포함할 수 있다. 상기 진공 용기(401)는 배기라인(412)일 수 있다.
상기 레이저부(440)는 상기 배기 라인(412) 내부의 미세 입자에 레이저광(441)을 조사할 수 있다. 상기 레이저광(441)은 반사경(430)을 통하여 상기 배기라인(412)의 상기 제1 유전체 창문(428a)을 통하여 상기 미세 입자에 제공될 수 있다. 상기 레이저광(441)의 투과광은 상기 제2 유전체 창문(428b)을 통하여 광 감지부(450)에 제공될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치를 설명하는 도면이다.
도 3을 참조하면, 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치(20)는 플라즈마 발생부(21), 배기 라인(12)에 연결되고 공정 용기(10)의 가스가 유입되어 상기 플라즈마 발생부(21)에 의하여 플라즈마가 형성되는 진공 용기(29), 상기 진공 용기(29)에 장착되고 상기 플라즈마에 의한 발생한 플라즈마 방출 광을 투과시키는 유전체 창문(28), 상기 유전체 창문(28)의 주위 또는 상기 진공 용기에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문(28)에 제공하는 노즐부(27), 상기 진공 용기(29)의 외부에 배치되고 상기 플라즈마 방출 광을 입력받아 분광하여 감지하는 분광부(24), 및 상기 분광부(24)의 출력 신호를 처리하여 상기 공정 용기(10)의 이상을 모니터링는 처리부(25)를 포함한다.
상기 공정 용기(10)는 공정 가스를 사용하여 기판을 처리할 수 있다. 상기 공정 용기(10)의 압력은 수 밀리 토르(mTorr) 내지 수십 토르(Torr)의 영역일 수 있다. 상기 공정 용기(10)는 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 또는 원자층 증착(atomic layer deposition) 등을 수행할 수 있다. 상기 공정 용기(10)의 용도는 증착에 한하지 않는다. 상기 펌핑부(14)는 배기 라인(12)을 통하여 상기 공정 용기(10)의 상기 공정 가스 및 부산물을 배기할 수 있다.
상기 진공 용기(29)는 상기 배기 라인(12)과 연결될 수 있다. 상기 진공 용기(29)는 일자형 관형상 또는 토로이드(toroid) 형상을 가질 수 있다. 상기 진공 용기(29)는 별도의 펌프를 가지고 않고 상기 펌핑부(14)에 의하여 펌핑될 수 있다. 상기 공정 용기(10)의 공정 가스 및 부산물은 확산에 의하여 상기 진공 용기(29)에 인입될 수 있다. 상기 진공 용기(29)는 입력 플랜지(23) 및 출력 플랜지(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 입력 플랜지(23)는 상기 배기 라인(12)에 연결된 보조 라인(13)의 제1 플랜지(14)와 결합할 수 있다.
상기 플라즈마 발생부(21)는 플라즈마를 형성하는 에너지 인가부(21a) 및 전원(21b)을 포함할 수 있다. 상기 에너지 인가부(21a)는 안테나 또는 전극을 포함할 수 있다. 상기 에너지 인가부(21a)는 상기 진공 용기(29)의 내부 또는 외부에 배치될 수 있다. 상기 전원(21b)은 DC 전원, AC 전원, RF 전원, 및 마이크로 전원 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 플라즈마는 플라즈마 광 방출을 생성할 수 있다.
상기 유전체 창문(28)이 상기 출력 플랜지 상에 배치될 수 있다. 적외선, 가시 광선, 및 자외선 영역 중에서 적어도 하나는 상기 유전체 창문(28)을 투과할 수 있다. 상기 플라즈마 광은 상기 유전체 창문(28)을 투과할 수 있다.
상기 노즐부(27)는 상기 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문(28)에 공급할 수 있다. 이에 따라, 상기 오염 방지 가스는 상기 유전체 창문(28)의 오염을 억제 할 수 있다. 상기 오염 방지 가스는 불활성 가스, 질소, 산소 원자 포함 가스, 할로겐족을 포함 가스 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 할로켄족을 포함하는 가스는 Cl2 또는 NF3 일 수 있다. 상기 노즐부(27)는 노즐 입구 및 노즐 출구를 포함하고, 상기 노즐부(27)는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 상기 오명 방지 가스에 회오리를 제공할 수 있다. 상기 노즐부(27)는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 점진적으로 단면적이 감소하여 상기 오염 방지 가스를 가속할 수 있다.
상기 분광부(24)는 상기 플라즈마 광의 스펙트럼을 측정할 수 있다. 상기 분광부(24)는 격자 및 광 감지 수단을 포함할 수 있다. 상기 광 감지 수단은 PM(photo multiplier) 튜브, CCD(charged coupled device), 및 CIS(CMOS image sensor) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 분광부(24)는 상기 플라즈마 광의 스펙트럼을 출력 신호로 제공할 수 있다.
상기 처리부(25)는 상기 분광부(24)의 출력 신호를 처리하여 외부 리크(leak)에 의한 대기(air) 유입, 상기 공정 용기의 환경 변화, 및 펌핑 효율 하락 등의 정보를 제공할 수 있다. 또한, 상기 처리부(25)는 상기 공정 용기의 건식 세정(dry cleaning) 및 시즌닝(seasoning)에 관한 정보를 제공할 수 있다. 상기 처리부(25)는 상기 공정 용기(10)에서 공정이 진행 중에 실시간으로 상기 정보를 제공할 수 있다.
상기 서버(26)는 상기 플라즈마 발생부(23), 상기 분광부(24) 및 상기 처리부(25)를 제어하고 상기 처리부(25)의 결과를 저장할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐부를 설명하는 도면들이다. 도 4b는 도 4a의 I-I'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 상기 노즐부(27)는 노즐 입구(127a) 및 노즐 출구(127b)를 포함한다. 상기 노즐부(27)는 상기 노즐 입구(127a)에서 상기 노즐 출구(127b)로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 오명 방지 가스에 회오리를 제공할 수 있다. 상기 노즐부(27)는 상기 노즐 입구(127a)에서 상기 노즐 출구(127b)로 진행함에 따라 점진적으로 단면적이 감소하여 상기 오염 방지 가스를 가속할 수 있다.
상기 노즐부(27)는 중심에 제1 관통홀(129)을 가지고 일면에 나선형의 그루브들(128)을 포함하는 제1 지지판(120), 상기 제1 지지판(120) 상에 배치된 유전체 창문(140)의 주위 및 외측 상부에 배치되는 제2 지지판(130), 및 상기 그루브들(128)의 일단에 상기 제1 지지판(120)의 측면을 관통하여 연결되는 가스 라인(129)을 포함할 수 있다. 상기 그루브들(128)의 타단은 상기 제1 관통홀(129)에 연결될 수 있다.
진공 용기(29)는 출력 플랜지(110)를 포함할 수 있다. 상기 제1 지지판(120)은 상기 출력 플랜지(110)와 결합하도록 배치될 수 있다. 상기 출력 플랜지(110)는 주위에 복수 개의 너트 홈(미도시)이 주기적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 지지판과 상기 출력 플랜지의 결합 방식은 다양하게 변형될 수 있다.
상기 그루브들(128)의 일단의 폭 및 깊이는 각각 w1, d1이고, 상기 그루브들(128)의 타단의 폭 및 깊이는 각각 w2, d2이다. 상기 w1은 w2보다 클 수 있고, 상기 d1은 d2보다 클 수 있다. 상기 그루브들(128)은 상기 제1 지지판(120)의 일면에 형성될 수 있다. 상기 그루브들(128)은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하면서 상기 제1 지지판(120)의 중심축으로 이동하는 궤적을 제공할 수 있다.
상기 제1 지지판(120)의 주위에는 복수 개의 하부 관통 홀(122)이 주기적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 지지판(120)의 일면 및 타면에는 오링 홈들(124,126)이 배치될 수 있다. 상기 오링 홈에는 오링이 삽입될 수 있다. 상기 오링은 진공을 제공할 수 있다.
상기 가스 라인(129)은 상기 그루브(128)의 일단과 연결될 수 있다. 상기 가스 라인(129)은 상기 제1 지지판(120)의 측면을 수직으로 관통하여 형성될 수 있다. 상기 가스 라인(129)에는 상기 오염 방지 가스가 제공될 수 있다.
상기 제2 지지판(130)은 중심에 제2 관통홀(137)을 포함할 수 있다. 상기 제2 지지판(130)은 턱(131)을 가질 수 있다. 상기 유전체 창문(140)은 상기 턱(131)에 걸칠 수 있다. 상기 제2 지지판(130)은 주위에 복수 개의 상부 관통홀(미도시)이 배치될 수 있다. 상기 상부 관통홀과 상기 하부 관통홀(122)은 서로 정렬될 수 있다. 볼트는 상기 상부 관통홀 및 상기 하부 관통홀(122)에 삽입되어 상기 너트홈에 결합할 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 그루브(128)는 상기 제1 지지판(120)의 타면에 형성될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐부를 설명하는 도면들이다. 도 5b는 도 5a의 II-II'선을 따라 자른 단면도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 노즐부(27)는 노즐 입구(127a) 및 노즐 출구(127b)를 포함한다. 상기 노즐부(27)는 상기 노즐 입구(127a)에서 상기 노즐 출구(127b)로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 오명 방지 가스에 회오리를 제공할 수 있다. 상기 노즐부(27)는 상기 노즐 입구(127a)에서 상기 노즐 출구(127b)로 진행함에 따라 점진적으로 단면적이 감소하여 상기 오염 방지 가스를 가속할 수 있다.
상기 노즐부(27)는 중심에 제1 관통홀(129)을 가지고 일면에 나선형의 그루브들(128)을 포함하는 제1 지지판(120), 상기 제1 지지판(120) 상에 배치된 유전체 창문(140)의 주위 및 외측 상부에 배치되는 제2 지지판(130), 및 상기 그루브들(128)의 일단에 상기 제2 지지판(120)을 수직으로 관통하여 연결되는 가스 라인(136)을 포함할 수 있다. 상기 그루브들(128)의 타단은 상기 제1 관통홀(129)에 연결될 수 있다.
진공 용기(29)는 출력 플랜지(110)를 포함할 수 있다. 상기 제1 지지판(120)은 상기 출력 플랜지(110)와 결합하도록 배치될 수 있다. 상기 출력 플랜지(110)는 주위에 복수 개의 너트 홈(112)이 주기적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 지지판(120)과 상기 출력 플랜지(110)의 결합 방식은 다양하게 변형될 수 있다.
상기 그루브들(128)의 일단의 폭 및 깊이는 각각 w1, d1이고, 상기 그루브들(128)의 타단의 폭 및 깊이는 각각 w2, d2이다. 상기 w1은 w2보다 클 수 있고, 상기 d1은 d2보다 클 수 있다. 상기 그루브들(128)은 상기 제1 지지판(120)의 일면에 형성될 수 있다. 상기 그루브들(128)은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하 면서 상기 제1 지지판(120)의 중심축으로 이동하는 궤적을 제공할 수 있다.
상기 제1 지지판(120)의 주위에는 복수 개의 하부 관통 홀(122)이 주기적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 지지판(120)의 일면 및 타면에는 오링 홈들(124,126)이 배치될 수 있다. 상기 오링 홈에는 오링이 삽입될 수 있다. 상기 오링은 진공을 제공할 수 있다.
상기 가스 라인(136)은 상기 그루브(128)의 일단과 연결될 수 있다. 상기 가스 라인(129)은 상기 제2 지지판(120)의 일면을 수직으로 관통하여 형성될 수 있다. 상기 가스 라인(136)에는 상기 오염 방지 가스가 제공될 수 있다.
상기 제2 지지판(130)은 중심에 제2 관통홀(137)을 포함할 수 있다. 상기 제2 지지판(130)은 턱(131)을 가질 수 있다. 상기 유전체 창문(140)은 상기 턱(131)에 걸칠 수 있다. 상기 제2 지지판(130)은 주위에 복수 개의 상부 관통홀(132)이 배치될 수 있다. 상기 상부 관통홀(132)과 상기 하부 관통홀(122)은 서로 정렬될 수 있다. 볼트(150)는 상기 상부 관통홀(132) 및 상기 하부 관통홀(122)에 삽입되어 상기 너트홈에 결합할 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 그루브(128)는 상기 제1 지지판(120)의 타면에 형성될 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노즐부를 설명하는 도면들이다. 도 6b는 도 6a의 III-III'선을 따라 자른 단면도이다. 도 4a 및 도 4b에서 설명한 것과 중복되는 설명은 생략한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상기 노즐부(27)는 노즐 입구(327a) 및 노즐 출 구(327b)를 포함한다. 상기 노즐부(27)는 상기 노즐 입구(327a)에서 상기 노즐 출구(327b)로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 오명 방지 가스에 회오리를 제공할 수 있다. 상기 노즐부(27)는 상기 노즐 입구(327a)에서 상기 노즐 출구(327b)로 진행함에 따라 점진적으로 단면적이 감소하여 상기 오염 방지 가스를 가속할 수 있다.
상기 노즐부(27)는 중심에 제1 관통홀(129)을 가지고 일면에 나선형의 노즐 통로들(328)을 포함하는 제1 지지판(120), 상기 제1 지지판(120) 상에 배치된 유전체 창문(140)의 주위 및 외측 상부에 배치되는 제2 지지판(130), 및 상기 노즐 통로들(128)의 일단에 상기 제1 지지판(120)의 측면에서 관통하여 연결되는 가스 라인(129)을 포함할 수 있다. 상기 노즐 통로들(328)의 타단은 상기 제1 관통홀(129)에 연결될 수 있다.
진공 용기(29)는 출력 플랜지(110)를 포함할 수 있다. 상기 제1 지지판(120)은 상기 출력 플랜지(110)와 결합하도록 배치될 수 있다. 상기 출력 플랜지(110)는 주위에 복수 개의 너트 홈(112)이 주기적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 지지판(120)과 상기 출력 플랜지(110)의 결합 방식은 다양하게 변형될 수 있다.
상기 노즐 통로들(328)의 일단의 폭 및 깊이는 각각 w1, d1이고, 상기 노즐 통로들(328)의 타단의 폭 및 깊이는 각각 w2, d2이다. 상기 w1은 w2보다 클 수 있고, 상기 d1은 d2보다 클 수 있다. 상기 노즐 통로들(328)은 상기 제1 지지판(120)의 내부에 형성될 수 있다. 상기 노즐 통로들(328)은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하면서 상기 제1 지지판(120)의 중심축으로 이동하는 궤적을 제공할 수 있다.
상기 제1 지지판(120)의 주위에는 복수 개의 하부 관통 홀(122)이 주기적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 지지판(120)의 일면 및 타면에는 오링 홈들(124,126)이 배치될 수 있다. 상기 오링 홈에는 오링이 삽입될 수 있다. 상기 오링은 진공을 제공할 수 있다.
상기 가스 라인(136)은 상기 노즐 통로들(328)의 일단과 연결될 수 있다. 상기 가스 라인(129)은 상기 제1 지지판(120)의 측면을 수직으로 관통하여 형성될 수 있다. 상기 가스 라인(136)에는 상기 오염 방지 가스가 제공될 수 있다.
상기 제2 지지판(130)은 중심에 제2 관통홀(137)을 포함할 수 있다. 상기 제2 지지판(130)은 턱(131)을 가질 수 있다. 상기 유전체 창문(140)은 상기 턱(131)에 걸칠 수 있다. 상기 제2 지지판(130)은 주위에 복수 개의 상부 관통홀(132)이 배치될 수 있다. 상기 상부 관통홀(132)과 상기 하부 관통홀(122)은 서로 정렬될 수 있다. 볼트(150)는 상기 상부 관통홀(132) 및 상기 하부 관통홀(122)에 삽입되어 상기 너트홈에 결합할 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노즐부를 설명하는 도면들이다. 도 7b는 도 7a의 IV-IV'선을 따라 자른 단면도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 상기 노즐부(27)는 노즐 입구(213a) 및 노즐 출구(213b)를 포함한다. 상기 노즐부(27)는 상기 노즐 입구(213a)에서 상기 노즐 출구(213b)로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 오명 방지 가스에 회오리를 제공할 수 있다. 상기 노즐부(27)는 상기 노즐 입구(213a)에서 상기 노즐 출 구(213b)로 진행함에 따라 점진적으로 단면적이 감소하여 상기 오염 방지 가스를 가속할 수 있다.
상기 노즐부(27)는 중심에 관통홀(209)을 가지고 일면에 나선형의 그루브들(214)을 포함하는 상기 진공 용기(29)에 부착된 출력 플랜지(210), 상기 출력 플랜지(210) 상에 배치된 상기 유전체 창문(140)의 주위 및 외측 상부에 배치되는 덮개 판(220), 및 상기 그루브들(214)의 일단에 상기 출력 플랜지()의 측면을 관통하여 연결되는 가스 라인(216)을 포함한다. 상기 그루브들(214)의 타단은 상기 관통홀(209)에 연결될 수 있다.
진공 용기(29)는 출력 플랜지(210)를 포함할 수 있다. 상기 덮개 판(220)은 상기 출력 플랜지(210)와 결합할 수 있다. 상기 출력 플랜지(210)는 주위에 복수 개의 너트 홈(212)이 주기적으로 배치될 수 있다. 상기 덮개 판(220)과 상기 출력 플랜지(210)의 결합 방식은 다양하게 변형될 수 있다.
상기 그루브들(214)의 일단의 폭 및 깊이는 각각 w1, d1이고, 상기 그루브들(214)의 타단의 폭 및 깊이는 각각 w2, d2이다. 상기 w1은 w2보다 클 수 있고, 상기 d1은 d2보다 클 수 있다. 상기 그루브들(214)은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하면서 상기 출력 플랜지(210)의 중심축으로 이동하는 궤적을 제공할 수 있다.
상기 덮개 판(220)의 주위에는 복수 개의 하부 관통 홀(미도시)이 주기적으로 배치될 수 있다. 상기 출력 플랜지(220)의 일면에는 오링 홈들(219)이 배치될 수 있다. 상기 오링 홈에는 오링이 삽입될 수 있다. 상기 오링은 상기 유전체 창문 과 상기 출력 플랜지에 진공을 제공할 수 있다.
상기 가스 라인(216)은 상기 그루브들(214)의 일단과 연결될 수 있다. 상기 가스 라인(129)은 상기 출력 플랜지(210)의 측면을 수직으로 관통하여 형성될 수 있다. 상기 가스 라인(216)에는 상기 오염 방지 가스가 제공될 수 있다.
상기 덮개판(220)은 중심에 덮개 관통홀(227)을 포함할 수 있다. 상기 덮개판(220)은 턱(221)을 가질 수 있다. 상기 유전체 창문(140)은 상기 턱(221)에 걸칠 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들를 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유전체 창문 오염 방지 장치를 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유전체 창문 오염 방지 장치를 설명하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치를 설명하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐부를 설명하는 도면들이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐부를 설명하는 도면들이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노즐부를 설명하는 도면들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노즐부를 설명하는 도면들이다.

Claims (12)

  1. 진공 용기에 부착된 플랜지와 결합하는 유전체 창문; 및
    상기 유전체 창문의 주위 또는 상기 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문에 제공하는 노즐부를 포함하고,
    상기 노즐부는 노즐 입구 및 노즐 출구를 포함하고, 상기 노즐부는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 상기 오염 방지 가스에 회오리를 제공하는 것을 특징으로 하는 유전체 창문 오염 방지 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플랜지는 서로 마주보는 제1 플랜지 및 제2 플랜지를 포함하고,
    상기 유전체 창문은 상기 제1 플랜지와 결합하는 제1 유전체 창문, 및 상기 제2 플랜지와 결합하는 제2 유전체 창문을 포함하고,
    상기 노즐부는 제1 노즐부 및 제2 노즐부를 포함하고,
    상기 제1 노즐부는 상기 제1 유전체 창문의 주위 또는 상기 제1 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제1 유전체 창문에 제공하고,
    상기 제2 노즐부는 상기 제2 유전체 창문의 주위 또는 상기 제2 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제2 유전체 창문에 제공하는 것을 특징으로 하는 유전체 창문 오염 방지 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 용기는 공정 용기 또는 배기 라인인 것을 특징으로 하는 유전체 창문 오염 방지 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐부는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 점진적으로 단면적이 감소하여 상기 오염 방지 가스를 가속하는 것을 특징으로 하는 유전체 창문 오염 방지 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 노즐부는:
    중심에 제1 관통홀을 가지고 일면에 나선형의 그루브들을 포함하는 제1 지지판;
    상기 제1 지지판 상에 배치된 상기 유전체 창문의 주위 및 외측 상부에 배치되는 제2 지지판; 및
    상기 그루브들의 일단에 상기 제2 지지판을 관통하여 연결되는 가스 라인을 포함하고,
    상기 그루브들의 타단은 상기 관통홀에 연결되는 것을 특징으로 하는 유전체 창문 오염 방지 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 노즐부는:
    중심에 제1 관통홀을 가지고 일면에 나선형의 그루브들을 포함하는 제1 지지판;
    상기 제1 지지판 상에 배치된 상기 유전체 창문의 주위 및 외측 상부에 배치되는 제2 지지판; 및
    상기 그루브들의 일단에 상기 제1 지지판의 측면을 관통하여 연결되는 가스 라인을 포함하고,
    상기 그루브들의 타단은 상기 제1 관통홀에 연결되는 것을 특징으로 하는 유전체 창문 오염 방지 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 노즐부는:
    중심에 제1 관통홀을 가지고 일면에 나선형의 노즐 통로들을 포함하는 제1 지지판;
    상기 제1 지지판 상에 배치된 상기 유전체 창문의 주위 및 외측 상부에 배치 되는 제2 지지판; 및
    상기 노즐 통로들의 일단에 상기 제1 지지판의 측면을 관통하여 연결되는 가스 라인을 포함하고,
    상기 노즐 통로들의 타단은 상기 제1 관통홀에 연결되는 것을 특징으로 하는 유전체 창문 오염 방지 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 노즐부는:
    중심에 관통홀을 가지고 일면에 나선형의 그루브들을 포함하는 상기 진공 용기에 부착된 출력 플랜지;
    상기 출력 플랜지 상에 배치된 상기 유전체 창문의 주위 및 외측 상부에 배치되는 덮개 판; 및
    상기 그루브들의 일단에 상기 출력 플랜지의 측면을 관통하여 연결되는 가스 라인을 포함하고,
    상기 그루브들의 타단은 상기 관통홀에 연결되는 것을 특징으로 하는 유전체 창문 오염 방지 장치.
  10. 플라즈마 발생부;
    배기 라인에 연결되고 공정 용기의 가스를 유입되어 상기 플라즈마 발생부에 의하여 플라즈마가 형성되는 진공 용기;
    상기 진공 용기에 장착되고 상기 플라즈마에 의한 발생한 플라즈마 방출 광을 투과시키는 유전체 창문;
    상기 유전체 창문의 주위에 배치되거나 상기 진공 용기에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문에 제공하는 노즐부;
    상기 진공 용기의 외부에 배치되고 상기 플라즈마 방출 광을 입력받아 분광하여 감지하는 분광부; 및
    상기 분광부의 출력 신호를 처리하여 상기 공정 용기의 이상을 모니터링하는 처리부를 포함하고,
    상기 노즐부는 노즐 입구 및 노즐 출구를 포함하고, 상기 노즐부는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 상기 오염 방지 가스에 회오리를 제공하는 것을 특징으로 하는 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치.
  11. 배기 라인에 연결된 보조 라인에 결합하는 입력 플랜지를 포함하고, 상기 입력 플랜지를 통하여 공정 용기의 가스를 유입되고, 출력 플랜지를 포함하는 진공 용기;
    상기 진공 용기에 플라즈마를 형성하는 플라즈마 발생부;
    상기 출력 플랜지와 결합하고 상기 플라즈마에 의한 발생한 플라즈마 방출 광을 투과시키는 유전체 창문; 및
    상기 유전체 창문의 주위 또는 상기 출력 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 유전체 창문에 제공하는 노즐부를 포함하고,
    상기 노즐부는 노즐 입구 및 노즐 출구를 포함하고, 상기 노즐부는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 상기 오염 방지 가스에 회오리를 제공하는 것을 특징으로 하는 자체 플라즈마 광 방출 스펙트럼 장치.
  12. 서로 마주보는 제1, 및 제2 플랜지를 포함하는 진공 용기;
    상기 제1 플랜지와 결합하는 제1 유전체 창문;
    상기 제2 플랜지와 결합하는 제2 유전체 창문;
    상기 제1 유전체 창문의 주위 또는 상기 제1 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제1 유전체 창문에 제공하는 제1 노즐부;
    상기 제2 유전체 창문의 주위 또는 상기 제2 플랜지에 배치되어 오염 방지 가스를 상기 제2 유전체 창문에 제공하는 제2 노즐부; 및
    상기 제1 유전체 창문으로 제공되어 상기 진공 용기 내의 입자들에게 레이저광을 제공하는 레이저부를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 노즐부는 노즐 입구 및 노즐 출구를 포함하고, 상기 제1 및 제2 노즐부는 상기 노즐 입구에서 상기 노즐 출구로 진행함에 따라 방향이 점진적으로 변화하여 상기 오염 방지 가스에 회오리를 제공하는 것을 특징으로 하는 입자 측정 장치.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209116A (ja) * 1997-01-21 1998-08-07 Mitsubishi Electric Corp エッチング装置及びエッチング終点検知方法
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209116A (ja) * 1997-01-21 1998-08-07 Mitsubishi Electric Corp エッチング装置及びエッチング終点検知方法
KR100654091B1 (ko) 2005-11-18 2006-12-06 코닉시스템 주식회사 윈도우의 오염을 방지할 수 있는 레이저 열처리 챔버의윈도우 모듈
KR100905128B1 (ko) * 2008-07-29 2009-06-30 주식회사 나노텍 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법

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